JPH1071549A - 遊離砥粒によるウエーハの面取装置及び面取方法 - Google Patents
遊離砥粒によるウエーハの面取装置及び面取方法Info
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- JPH1071549A JPH1071549A JP8244184A JP24418496A JPH1071549A JP H1071549 A JPH1071549 A JP H1071549A JP 8244184 A JP8244184 A JP 8244184A JP 24418496 A JP24418496 A JP 24418496A JP H1071549 A JPH1071549 A JP H1071549A
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- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 本発明は、ウエーハの面取り加工に際しウエ
ーハに生じる加工クラック層のクラック深さのバラツキ
を少なくすることを目的とする。 【解決手段】 クランプ治具１によってウエーハＷを回
転自在にクランプする一方、ロータリーシャフト９によ
って回転自在なポリッシャ治具２にリング状のポリッシ
ャ８を設け、このポリッシャ８の外周面に沿って所望の
輪郭形状の端面成形部８ａを形成する。そして、ポリッ
シャ治具２を半径方向に移動させて、端面成形部８ａと
ウエーハＷ端面とを接近させ、端面成形部８ａとウエー
ハＷ端面との間に向けて、スラリー供給ノズル３から研
削液と砥粒を懸濁せしめたスラリーを供給しつつウエー
ハＷとポリッシャ８を相対回転させて遊離砥粒で面取り
加工を行う。
ーハに生じる加工クラック層のクラック深さのバラツキ
を少なくすることを目的とする。 【解決手段】 クランプ治具１によってウエーハＷを回
転自在にクランプする一方、ロータリーシャフト９によ
って回転自在なポリッシャ治具２にリング状のポリッシ
ャ８を設け、このポリッシャ８の外周面に沿って所望の
輪郭形状の端面成形部８ａを形成する。そして、ポリッ
シャ治具２を半径方向に移動させて、端面成形部８ａと
ウエーハＷ端面とを接近させ、端面成形部８ａとウエー
ハＷ端面との間に向けて、スラリー供給ノズル３から研
削液と砥粒を懸濁せしめたスラリーを供給しつつウエー
ハＷとポリッシャ８を相対回転させて遊離砥粒で面取り
加工を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体シリ
コンウエーハ端面の面取り加工を行う面取装置及び面取
方法の改良に関する。
コンウエーハ端面の面取り加工を行う面取装置及び面取
方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば半導体シリコンウエーハ
は、高集積化した超ＬＳＩの原料として供給される際の
発塵防止のため、又はその前工程でのチッピング、欠け
防止等のため、ウエーハ端面の面取り加工が行われる。
近年の例えば高精度で鏡面仕上げをする面取り加工は、
一次、二次、最終面取り加工と段階的に行われるのが一
般的であり、このような加工は、ウエーハ主面の研削工
程における粗研削、中研削、精研削に相当するものであ
る。そして、通常、一次、二次面取り加工では、砥石等
の固定砥粒による研削を行っており、また、最終面取り
加工は、バフ研磨による研磨を行っている。
は、高集積化した超ＬＳＩの原料として供給される際の
発塵防止のため、又はその前工程でのチッピング、欠け
防止等のため、ウエーハ端面の面取り加工が行われる。
近年の例えば高精度で鏡面仕上げをする面取り加工は、
一次、二次、最終面取り加工と段階的に行われるのが一
般的であり、このような加工は、ウエーハ主面の研削工
程における粗研削、中研削、精研削に相当するものであ
る。そして、通常、一次、二次面取り加工では、砥石等
の固定砥粒による研削を行っており、また、最終面取り
加工は、バフ研磨による研磨を行っている。
【０００３】一方、このような砥粒を用いた研削、研磨
の代りに、弗酸、硝酸系の酸エッチングを行って面取り
を行う方法も知られているが、この方法では、面取り形
状の制御が難しいという問題があり、このような形状制
御の欠点を補うため、通常、一次、二次面取り加工で
は、固定砥粒を用いた研削法が一般的である。
の代りに、弗酸、硝酸系の酸エッチングを行って面取り
を行う方法も知られているが、この方法では、面取り形
状の制御が難しいという問題があり、このような形状制
御の欠点を補うため、通常、一次、二次面取り加工で
は、固定砥粒を用いた研削法が一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
一次、二次面取り加工で固定砥粒を用いる場合は、加工
面の表層に生じる加工クラック層（加工歪層）のミクロ
的なクラックの深さのバラツキが大きくなり、これがウ
エーハの面粗さにすじの様に現れ、ウエーハの面取り形
状の不均一さにもなった。つまり、品質のバラツキに影
響を及ぼしていた。そして、固定砥粒として一般に用い
られるダイヤモンド砥粒でも、加工クラック層が一部で
深く入りこんで、すじ状に面粗さのバラツキが生じると
いう不具合があった。
一次、二次面取り加工で固定砥粒を用いる場合は、加工
面の表層に生じる加工クラック層（加工歪層）のミクロ
的なクラックの深さのバラツキが大きくなり、これがウ
エーハの面粗さにすじの様に現れ、ウエーハの面取り形
状の不均一さにもなった。つまり、品質のバラツキに影
響を及ぼしていた。そして、固定砥粒として一般に用い
られるダイヤモンド砥粒でも、加工クラック層が一部で
深く入りこんで、すじ状に面粗さのバラツキが生じると
いう不具合があった。
【０００５】また、このような加工クラック層の深さの
バラツキを無くすため、粒子の細かい砥粒を用いて加工
時間を長く加工したり、又は研削工程数を増やして多段
階で加工したりしようとすると、作業効率が低下して生
産性にも悪影響を及ぼしていた。
バラツキを無くすため、粒子の細かい砥粒を用いて加工
時間を長く加工したり、又は研削工程数を増やして多段
階で加工したりしようとすると、作業効率が低下して生
産性にも悪影響を及ぼしていた。
【０００６】そこで、特に一次、二次面取り加工におい
て、加工クラック層の深さのバラツキの少ない、すなわ
ち一部深いクラックが生じることのない加工技術が望ま
れていた。そしてこの際、加工効率の向上にも留意する
必要がある。
て、加工クラック層の深さのバラツキの少ない、すなわ
ち一部深いクラックが生じることのない加工技術が望ま
れていた。そしてこの際、加工効率の向上にも留意する
必要がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、請求項１において、ウエーハ端面の面取加工
を行う装置において、外周面に沿って所望の輪郭形状の
端面成形部が形成された外面円形のポリッシャと、この
ポリッシャとウエーハを半径方向に相対移動させて端面
成形部とウエーハ端面とを接近又は離脱させる相対移動
機構と、接近状態の端面成形部とウエーハ端面との間に
向けて研削液と砥粒を懸濁せしめたスラリーを供給する
スラリー供給機構と、前記端面成形部とウエーハ端面と
の間に前記スラリーを介在させつつ端面成形部とウエー
ハ端面を相対運動させる相対運動機構を設けた。
本発明は、請求項１において、ウエーハ端面の面取加工
を行う装置において、外周面に沿って所望の輪郭形状の
端面成形部が形成された外面円形のポリッシャと、この
ポリッシャとウエーハを半径方向に相対移動させて端面
成形部とウエーハ端面とを接近又は離脱させる相対移動
機構と、接近状態の端面成形部とウエーハ端面との間に
向けて研削液と砥粒を懸濁せしめたスラリーを供給する
スラリー供給機構と、前記端面成形部とウエーハ端面と
の間に前記スラリーを介在させつつ端面成形部とウエー
ハ端面を相対運動させる相対運動機構を設けた。
【０００８】そして、ポリッシャの端面成形部は、ポリ
ッシャの外周面に沿って溝状に形成し、この溝状の端面
成形部とウエーハ端面との間にスラリーを介在させ、両
者を相対運動させることで、ウエーハ端面をポリッシャ
の端面成形部の輪郭形状に合せて成形する（請求項
９）。この際、研削液に懸濁させる砥粒としては、例え
ば炭化けい素、アルミナ等の限定された粒度分布の微粒
砥粒を用い、また、ポリッシャは、例えば鋳鉄製、又は
ステンレス製、又はその他の合金製とする。また、端面
成形部の溝形状は、例えば面取り後の所望のウエーハ端
面形状に合せて形成し、いわゆる総形削りを行えるよう
にする。そして、このように遊離砥粒で研削すること
で、加工クラック層のクラックが一部深く入り込むのが
防止され、深さのバラツキを小さく出来る。
ッシャの外周面に沿って溝状に形成し、この溝状の端面
成形部とウエーハ端面との間にスラリーを介在させ、両
者を相対運動させることで、ウエーハ端面をポリッシャ
の端面成形部の輪郭形状に合せて成形する（請求項
９）。この際、研削液に懸濁させる砥粒としては、例え
ば炭化けい素、アルミナ等の限定された粒度分布の微粒
砥粒を用い、また、ポリッシャは、例えば鋳鉄製、又は
ステンレス製、又はその他の合金製とする。また、端面
成形部の溝形状は、例えば面取り後の所望のウエーハ端
面形状に合せて形成し、いわゆる総形削りを行えるよう
にする。そして、このように遊離砥粒で研削すること
で、加工クラック層のクラックが一部深く入り込むのが
防止され、深さのバラツキを小さく出来る。
【０００９】すなわち、固定砥粒で研削する場合は、例
えばダイヤモンド砥粒において研削に実用化されている
のは、電解インプロセスドレッシング等の特殊な例を除
いて＃２０００までであり、粒径の細かい砥粒を用いる
程、研削速度（砥粒に対する仕事量）が小さくなって加
工クラック層を小さくすることが出来るが、固定された
砥粒が摩耗等によって脱落すると、加工クラック層が深
く入ることがある。そして、このような不安定要因によ
って加工クラック層のバラツキが大きくなるものと考え
られる。そこで、本案のように遊離砥粒を使用する場合
は、砥粒の脱落といった不確定要因が存在せず、固定砥
粒よりも安定した加工が可能である。
えばダイヤモンド砥粒において研削に実用化されている
のは、電解インプロセスドレッシング等の特殊な例を除
いて＃２０００までであり、粒径の細かい砥粒を用いる
程、研削速度（砥粒に対する仕事量）が小さくなって加
工クラック層を小さくすることが出来るが、固定された
砥粒が摩耗等によって脱落すると、加工クラック層が深
く入ることがある。そして、このような不安定要因によ
って加工クラック層のバラツキが大きくなるものと考え
られる。そこで、本案のように遊離砥粒を使用する場合
は、砥粒の脱落といった不確定要因が存在せず、固定砥
粒よりも安定した加工が可能である。
【００１０】また請求項２のように、ポリッシャに、ウ
エーハの円周曲率に合せて凹部状に湾曲する円弧状部を
形成し、この円弧状部に所望の輪郭形状の端面成形部を
形成しても良い。そしてこの場合は、円弧状部とウエー
ハ端面を近接させて加工することで、円形のポリッシャ
に較べて同時加工範囲を広げることが出来、加工効率が
向上する。
エーハの円周曲率に合せて凹部状に湾曲する円弧状部を
形成し、この円弧状部に所望の輪郭形状の端面成形部を
形成しても良い。そしてこの場合は、円弧状部とウエー
ハ端面を近接させて加工することで、円形のポリッシャ
に較べて同時加工範囲を広げることが出来、加工効率が
向上する。
【００１１】また請求項３では、相対運動機構として、
ウエーハを中心軸まわりに回転させるウエーハ回転機構
と、ポリッシャを中心軸まわりに回転させるポリッシャ
回転機構の組合わせによるようにした。
ウエーハを中心軸まわりに回転させるウエーハ回転機構
と、ポリッシャを中心軸まわりに回転させるポリッシャ
回転機構の組合わせによるようにした。
【００１２】そして、この場合ウエーハとポリッシャを
同時にそれぞれの中心軸まわりに回転させ、ウエーハ端
面と端面成形部の間に相対運動を起こすようにすれば、
ポリッシャの端面成形部の全周域を使用して、ウエーハ
端面の全周域を短時間に且つ効率的に加工出来る。
同時にそれぞれの中心軸まわりに回転させ、ウエーハ端
面と端面成形部の間に相対運動を起こすようにすれば、
ポリッシャの端面成形部の全周域を使用して、ウエーハ
端面の全周域を短時間に且つ効率的に加工出来る。
【００１３】また請求項４では、ポリッシャの端面成形
部に、スラリーの逃げを助長するスリットを所定間隔で
設けた。そしてこのようなスリットから使用済みのスラ
リーを逃がしながら常に新しいスラリーを供給しつつ加
工すれば、より加工効率が高まる。
部に、スラリーの逃げを助長するスリットを所定間隔で
設けた。そしてこのようなスリットから使用済みのスラ
リーを逃がしながら常に新しいスラリーを供給しつつ加
工すれば、より加工効率が高まる。
【００１４】また請求項５では、スラリー供給機構を、
端面成形部とウエーハ端面に近接して配設されるスラリ
ー供給ノズルとした。そしてこのようにスラリー供給ノ
ズルからスラリーを供給するようにすれば、構成が簡素
となり安価に構成出来る。又、請求項６では、スラリー
供給機構を、ポリッシャの内部に形成され且つ先端部が
端面成形部に向けて開口するスラリー通路とした。そし
てこのようにスラリー通路からスラリーを供給するよう
にすれば、スペースの有効利用が図られ、コンパクトに
構成出来る。
端面成形部とウエーハ端面に近接して配設されるスラリ
ー供給ノズルとした。そしてこのようにスラリー供給ノ
ズルからスラリーを供給するようにすれば、構成が簡素
となり安価に構成出来る。又、請求項６では、スラリー
供給機構を、ポリッシャの内部に形成され且つ先端部が
端面成形部に向けて開口するスラリー通路とした。そし
てこのようにスラリー通路からスラリーを供給するよう
にすれば、スペースの有効利用が図られ、コンパクトに
構成出来る。
【００１５】また請求項７では、スラリー供給機構から
供給されるスラリーを回収した後、砥粒回収システムに
よって砥粒を分離回収し、この回収された砥粒を再び研
削液に懸濁して再利用するようにした。また請求項８で
は、砥粒回収システムとして、流体サイクロン方式分級
機を使用した。そしてこのようにスラリーに含まれる砥
粒を回収して再利用すれば効率的であり、また流体サイ
クロン方式分級機を使用して粒度別に分けて回収すれ
ば、砥粒の粒度分布を一定に保持出来る。
供給されるスラリーを回収した後、砥粒回収システムに
よって砥粒を分離回収し、この回収された砥粒を再び研
削液に懸濁して再利用するようにした。また請求項８で
は、砥粒回収システムとして、流体サイクロン方式分級
機を使用した。そしてこのようにスラリーに含まれる砥
粒を回収して再利用すれば効率的であり、また流体サイ
クロン方式分級機を使用して粒度別に分けて回収すれ
ば、砥粒の粒度分布を一定に保持出来る。
【００１６】また面取方法として、請求項９のようにポ
リッシャの端面成形部とウエーハの端面の間に遊離砥粒
を介在させて相対運動させることで面取りを行うが、こ
の際、請求項１０のようにポリッシャの周囲に複数のウ
エーハを配置し、単一のポリッシャで複数のウエーハを
同時に又は順次に面取りを行うようにしても良い。すな
わち、同時に加工する時は、複数のウエーハ端面を同時
にポリッシャの端面成形部に近接させて相対運動させ、
順次に行う時は、所定個づつ順番に半径方向に移動させ
て加工する。
リッシャの端面成形部とウエーハの端面の間に遊離砥粒
を介在させて相対運動させることで面取りを行うが、こ
の際、請求項１０のようにポリッシャの周囲に複数のウ
エーハを配置し、単一のポリッシャで複数のウエーハを
同時に又は順次に面取りを行うようにしても良い。すな
わち、同時に加工する時は、複数のウエーハ端面を同時
にポリッシャの端面成形部に近接させて相対運動させ、
順次に行う時は、所定個づつ順番に半径方向に移動させ
て加工する。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について添付
した図面に基づき説明する。ここで図１は本ウエーハ面
取装置の概略構成図、図２はポリッシャの端面成形部の
拡大図、図３は同ポリッシャの端面成形部の別構成例
図、図４はスラリー供給機構の別構成例図、図５は端面
成形部にスリットを設けた構成例図、図６はポリッシャ
の周囲に複数のウエーハを配置する構成例を示す説明
図、図７はポリッシャに円弧状部を設ける場合の構成例
図、図８は流体サイクロン方式分級機の説明図である。
した図面に基づき説明する。ここで図１は本ウエーハ面
取装置の概略構成図、図２はポリッシャの端面成形部の
拡大図、図３は同ポリッシャの端面成形部の別構成例
図、図４はスラリー供給機構の別構成例図、図５は端面
成形部にスリットを設けた構成例図、図６はポリッシャ
の周囲に複数のウエーハを配置する構成例を示す説明
図、図７はポリッシャに円弧状部を設ける場合の構成例
図、図８は流体サイクロン方式分級機の説明図である。
【００１８】本発明のウエーハの面取装置は、半導体シ
リコンウエーハの端面の面取り加工を行う際、特に従来
の一次、二次面取り加工では加工クラック層のクラック
深さにバラツキが大きくなるという不具合を無くすため
構成され、図１に示すように、ウエーハＷを挟んでクラ
ンプするクランプ治具１と、ウエーハＷの端面の面取り
加工を行うポリッシャ治具２と、加工部に研削液と砥粒
を懸濁したスラリーを供給するスラリー供給機構として
のスラリー供給ノズル３を備えている。
リコンウエーハの端面の面取り加工を行う際、特に従来
の一次、二次面取り加工では加工クラック層のクラック
深さにバラツキが大きくなるという不具合を無くすため
構成され、図１に示すように、ウエーハＷを挟んでクラ
ンプするクランプ治具１と、ウエーハＷの端面の面取り
加工を行うポリッシャ治具２と、加工部に研削液と砥粒
を懸濁したスラリーを供給するスラリー供給機構として
のスラリー供給ノズル３を備えている。
【００１９】前記クランプ治具１は、ウエーハＷの両面
を挟んで押圧保持する一対のクランプ部材４ａ、４ｂ
と、各クランプ部材４ａ、４ｂの中心部に接続されるシ
ャフト５ａ、５ｂを備えており、これらシャフト５ａ、
５ｂは、不図示のウエーハ回転機構によって中心軸まわ
りに回転自在にされるとともに、不図示の上下動機構に
よって上下動自在にされている。
を挟んで押圧保持する一対のクランプ部材４ａ、４ｂ
と、各クランプ部材４ａ、４ｂの中心部に接続されるシ
ャフト５ａ、５ｂを備えており、これらシャフト５ａ、
５ｂは、不図示のウエーハ回転機構によって中心軸まわ
りに回転自在にされるとともに、不図示の上下動機構に
よって上下動自在にされている。
【００２０】前記ポリッシャ治具２は、一対の円盤状の
サイドディスク６ａ、６ｂによってサンドイッチ状に挟
持されるコアディスク７及びリング状のポリッシャ８
と、一方側のサイドディスク６ａの中心部に接続される
ロータリーシャフト９を備えており、サイドデイスク６
ａ、６ｂとコアディスク７とポリッシャ８は一体に結合
されている。そして、ロータリーシャフト９は不図示の
ポリッシャ回転機構によって中心軸まわりに回転自在に
されるとともに、不図示の相対移動機構によって、半径
方向に移動可能とされている。
サイドディスク６ａ、６ｂによってサンドイッチ状に挟
持されるコアディスク７及びリング状のポリッシャ８
と、一方側のサイドディスク６ａの中心部に接続される
ロータリーシャフト９を備えており、サイドデイスク６
ａ、６ｂとコアディスク７とポリッシャ８は一体に結合
されている。そして、ロータリーシャフト９は不図示の
ポリッシャ回転機構によって中心軸まわりに回転自在に
されるとともに、不図示の相対移動機構によって、半径
方向に移動可能とされている。
【００２１】ところで、前記ポリッシャ８の外周端面に
は、溝状の端面成形部８ａが形成されている。この端面
成形部８ａの溝形状は、図２にも示すように、ウエーハ
Ｗ端部の面取り後の所望の輪郭形状に合せて成形されて
おり、ウエーハＷ端面と端面成形部８ａを近接させ両者
間に砥粒を介在させて相対運動させれば、ウエーハＷ端
面を端面成形部８ａの輪郭形状に合せて総形削り出来る
ようにしている。また、このポリッシャ８の素材は、鋳
鉄製、又はステンレス製、又はその他の合金製とするこ
とが出来る。
は、溝状の端面成形部８ａが形成されている。この端面
成形部８ａの溝形状は、図２にも示すように、ウエーハ
Ｗ端部の面取り後の所望の輪郭形状に合せて成形されて
おり、ウエーハＷ端面と端面成形部８ａを近接させ両者
間に砥粒を介在させて相対運動させれば、ウエーハＷ端
面を端面成形部８ａの輪郭形状に合せて総形削り出来る
ようにしている。また、このポリッシャ８の素材は、鋳
鉄製、又はステンレス製、又はその他の合金製とするこ
とが出来る。
【００２２】前記スラリー供給ノズル３は、端面成形部
８ａとウエーハＷ端面との間にスラリーを供給すること
が出来るように配設され、このスラリーは、切削液（ク
ーラント）の中に所定の粒度分布の微粒砥粒を懸濁させ
たものである。そしてこの砥粒は、例えば炭化けい素、
アルミナ等である。
８ａとウエーハＷ端面との間にスラリーを供給すること
が出来るように配設され、このスラリーは、切削液（ク
ーラント）の中に所定の粒度分布の微粒砥粒を懸濁させ
たものである。そしてこの砥粒は、例えば炭化けい素、
アルミナ等である。
【００２３】以上のような面取装置において、クランプ
治具１によってウエーハＷをクランプすると、ポリッシ
ャ治具２を相対移動機構によって半径方向に移動させ、
ポリッシャ８の端面成形部８ａにウエーハＷの端面を近
接させる。そして、スラリー供給ノズル３から、端面成
形部８ａとウエーハＷ端面との間にスラリーを供給しつ
つ、クランプ治具１とポリッシャ治具２を各中心軸まわ
りに相対方向に回転させ、相対移動機構によって端面成
形部８ａとウエーハＷ端面を圧接すれば、図２に示すよ
うに、ウエーハＷ端面は遊離砥粒によって端面成形部８
ａの形状に倣って成形され、面取り加工が行われる。
治具１によってウエーハＷをクランプすると、ポリッシ
ャ治具２を相対移動機構によって半径方向に移動させ、
ポリッシャ８の端面成形部８ａにウエーハＷの端面を近
接させる。そして、スラリー供給ノズル３から、端面成
形部８ａとウエーハＷ端面との間にスラリーを供給しつ
つ、クランプ治具１とポリッシャ治具２を各中心軸まわ
りに相対方向に回転させ、相対移動機構によって端面成
形部８ａとウエーハＷ端面を圧接すれば、図２に示すよ
うに、ウエーハＷ端面は遊離砥粒によって端面成形部８
ａの形状に倣って成形され、面取り加工が行われる。
【００２４】そして、この方法で面取り加工すると、固
定砥粒の場合のような砥粒の脱落が生じないため、一部
クラックが深く入り込むようなことはなく、加工クラッ
ク層のクラック深さのバラツキを小さくすることが出来
る。尚、加工部に供給されたスラリーは、不図示の回収
機構を通して回収するようにしており、また、この使用
済みスラリーから、後述する砥粒回収システムによって
砥粒を回収し、再利用を図るようにしている。
定砥粒の場合のような砥粒の脱落が生じないため、一部
クラックが深く入り込むようなことはなく、加工クラッ
ク層のクラック深さのバラツキを小さくすることが出来
る。尚、加工部に供給されたスラリーは、不図示の回収
機構を通して回収するようにしており、また、この使用
済みスラリーから、後述する砥粒回収システムによって
砥粒を回収し、再利用を図るようにしている。
【００２５】尚、以上のような遊離砥粒による面取り加
工の場合、例えば合成ダイヤのＳＤ＃１２００の固定砥
粒の砥石で加工した場合は、加工クラック層のクラック
深さが６〜２０μｍであったのに対して、グリーンカー
ボランダムのＧＣ＃１２００の遊離砥粒で本装置で加工
すると、加工クラック層のクラック深さが６〜１２μｍ
となり、固定砥粒の場合よりバラツキが小さくなること
が確認された。
工の場合、例えば合成ダイヤのＳＤ＃１２００の固定砥
粒の砥石で加工した場合は、加工クラック層のクラック
深さが６〜２０μｍであったのに対して、グリーンカー
ボランダムのＧＣ＃１２００の遊離砥粒で本装置で加工
すると、加工クラック層のクラック深さが６〜１２μｍ
となり、固定砥粒の場合よりバラツキが小さくなること
が確認された。
【００２６】ところで図３は、ポリッシャ８の端面成形
部８ａの形状を異ならせた構成例である。この構成例で
は、例えばウエーハＷの上面側端面の面取りと、下面側
端面の面取りのタイミングをずらして加工するようにし
たものであり、相対移動機構によるポリッシャ治具２の
半径方向への移動と、クランプ治具１の上下動を組合わ
せ、例えば矢印に示すように、ポリッシャ治具２を移
動させてウエーハＷ端面と端面成形部８ａを接近させた
後、矢印に示すように、相対的にポリッシャ治具２を
降下（クランプ治具１を上昇）させてウエーハＷの上面
側端面を面取り加工し、次いで、矢印に示すように、
相対的にポリッシャ治具２を上昇（クランプ治具１を降
下）させてウエーハＷの下面側端面を面取り加工し、加
工が終えると、矢印に示すように、元の位置に戻し
てポリッシャ治具２を離脱させる。
部８ａの形状を異ならせた構成例である。この構成例で
は、例えばウエーハＷの上面側端面の面取りと、下面側
端面の面取りのタイミングをずらして加工するようにし
たものであり、相対移動機構によるポリッシャ治具２の
半径方向への移動と、クランプ治具１の上下動を組合わ
せ、例えば矢印に示すように、ポリッシャ治具２を移
動させてウエーハＷ端面と端面成形部８ａを接近させた
後、矢印に示すように、相対的にポリッシャ治具２を
降下（クランプ治具１を上昇）させてウエーハＷの上面
側端面を面取り加工し、次いで、矢印に示すように、
相対的にポリッシャ治具２を上昇（クランプ治具１を降
下）させてウエーハＷの下面側端面を面取り加工し、加
工が終えると、矢印に示すように、元の位置に戻し
てポリッシャ治具２を離脱させる。
【００２７】そしてこのような構成によると、例えばポ
リッシャ８の端面成形部８ａの形状が変形しても補修、
整形が容易であり、しかもスラリーを集中して供給出来
るため、効率良く加工することが出来る。
リッシャ８の端面成形部８ａの形状が変形しても補修、
整形が容易であり、しかもスラリーを集中して供給出来
るため、効率良く加工することが出来る。
【００２８】また、図４はスラリー供給ノズル３の代り
に、ポリッシャ８内部に複数のスラリー通路ｔ、…を設
けた構成例図であり、（Ａ）図は平面図、（Ｂ）図は縦
断面図である。そしてこの場合は、図１のロータリーシ
ャフト９とコアディスク７を中空構造とし、この中空内
をスラリー供給路にするとともに、中心から放射状に延
びるポリッシャ８内部の複数のスラリー通路ｔ、…を通
して、端面成形部８ａに向けてスラリーを供給する。
に、ポリッシャ８内部に複数のスラリー通路ｔ、…を設
けた構成例図であり、（Ａ）図は平面図、（Ｂ）図は縦
断面図である。そしてこの場合は、図１のロータリーシ
ャフト９とコアディスク７を中空構造とし、この中空内
をスラリー供給路にするとともに、中心から放射状に延
びるポリッシャ８内部の複数のスラリー通路ｔ、…を通
して、端面成形部８ａに向けてスラリーを供給する。
【００２９】そしてこの場合は、スペース的にコンパク
トに纏めることが出来、しかもスラリー通路ｔ、…はポ
リッシャ８の移動に連れて一緒に移動するため、スラリ
ー供給機構を移動させるための格別の移動手段が不要で
あるという利点がある。
トに纏めることが出来、しかもスラリー通路ｔ、…はポ
リッシャ８の移動に連れて一緒に移動するため、スラリ
ー供給機構を移動させるための格別の移動手段が不要で
あるという利点がある。
【００３０】また図５は、端面成形部８ａに所定間隔置
きに複数のスリットｓ、…を設けた場合の構成例図であ
り、（Ａ）図は平面図、（Ｂ）図は縦断面図である。そ
してこの場合は、このスリットｓ、…を通して使用済み
のスラリーを積極的に逃がすようにし、常に新しいスラ
リーで加工することが出来るようにしている。
きに複数のスリットｓ、…を設けた場合の構成例図であ
り、（Ａ）図は平面図、（Ｂ）図は縦断面図である。そ
してこの場合は、このスリットｓ、…を通して使用済み
のスラリーを積極的に逃がすようにし、常に新しいスラ
リーで加工することが出来るようにしている。
【００３１】尚、以上のような面取方法において、図６
に示すように、ポリッシャ８の周囲に複数のウエーハ
Ｗ、…を配置し、これら複数のウエーハＷを同時或いは
順次加工するようにしても良い。すなわち、各ウエーハ
Ｗを各相対移動機構によって半径方向に移動可能にし、
端面成形部８ａに各ウエーハＷ、…の端面を同時に又は
順番に近接させてスラリーを介在させながら加工する。
に示すように、ポリッシャ８の周囲に複数のウエーハ
Ｗ、…を配置し、これら複数のウエーハＷを同時或いは
順次加工するようにしても良い。すなわち、各ウエーハ
Ｗを各相対移動機構によって半径方向に移動可能にし、
端面成形部８ａに各ウエーハＷ、…の端面を同時に又は
順番に近接させてスラリーを介在させながら加工する。
【００３２】また、図７はポリッシャ８の形状を変えた
構成例であり、この場合はウエーハＷ端面の接触範囲を
広くして加工出来るようにしている。すなわち、このポ
リッシャ８は、ウエーハＷ外周部の曲率半径に合せて凹
部状に湾曲する円弧状部８ｃを備え、この円弧状部８ｃ
に端面成形部８ａが形成されるとともに、この端面成形
部８ａに向けて複数のスラリー通路ｔ、…を開口させて
いる。
構成例であり、この場合はウエーハＷ端面の接触範囲を
広くして加工出来るようにしている。すなわち、このポ
リッシャ８は、ウエーハＷ外周部の曲率半径に合せて凹
部状に湾曲する円弧状部８ｃを備え、この円弧状部８ｃ
に端面成形部８ａが形成されるとともに、この端面成形
部８ａに向けて複数のスラリー通路ｔ、…を開口させて
いる。
【００３３】そして、面取加工を行う時は、ウエーハＷ
端面を円弧状部８ｃに近接させ、スラリー通路ｔ、…か
らスラリーを供給しつつウエーハＷを回転させて加工す
る。この際ポリッシャ８が円形であると点接触に近い状
態で加工されるが、このポリッシャ８では円弧状部８ｃ
によって接触範囲が広く、より効率的に加工出来る。
尚、この円弧状部８ｃにスラリーを供給する手段は、ス
ラリー供給ノズルにしても良いことはいうまでもない
が、全域に対して均一に供給するためには、このスラリ
ー通路ｔ、…が適している。
端面を円弧状部８ｃに近接させ、スラリー通路ｔ、…か
らスラリーを供給しつつウエーハＷを回転させて加工す
る。この際ポリッシャ８が円形であると点接触に近い状
態で加工されるが、このポリッシャ８では円弧状部８ｃ
によって接触範囲が広く、より効率的に加工出来る。
尚、この円弧状部８ｃにスラリーを供給する手段は、ス
ラリー供給ノズルにしても良いことはいうまでもない
が、全域に対して均一に供給するためには、このスラリ
ー通路ｔ、…が適している。
【００３４】ところで、前述のように、使用済みのスラ
リーは不図示の回収機構によって回収し、この回収した
スラリーから砥粒を分離回収して再利用するようにして
いるが、この砥粒の分離回収は、図８に示すような一般
的な流体サイクロン分級機を使用するようにしている。
ここで、（Ａ）図は側面方向から見た説明図、（Ｂ）図
は平面方向から見た説明図である。
リーは不図示の回収機構によって回収し、この回収した
スラリーから砥粒を分離回収して再利用するようにして
いるが、この砥粒の分離回収は、図８に示すような一般
的な流体サイクロン分級機を使用するようにしている。
ここで、（Ａ）図は側面方向から見た説明図、（Ｂ）図
は平面方向から見た説明図である。
【００３５】この流体サイクロン分級機１０は、円筒部
１０ａと円錐部１０ｂを備えており、スラリーを円筒部
１０ａの接線方向から供給して旋回流により分級させる
ようにしている。そして粗粒の砥粒を濃厚スラリーとし
て下方から排出し、微粒の砥粒を円錐部１０ｂの上昇流
にのせて上部の導出部１０ｃから逸出させる。
１０ａと円錐部１０ｂを備えており、スラリーを円筒部
１０ａの接線方向から供給して旋回流により分級させる
ようにしている。そして粗粒の砥粒を濃厚スラリーとし
て下方から排出し、微粒の砥粒を円錐部１０ｂの上昇流
にのせて上部の導出部１０ｃから逸出させる。
【００３６】そして、所定の粒度の砥粒が回収される
と、再び研削液に懸濁させてスラリーとし再利用に供す
る。そしてこのように砥粒を循環させて使用すればより
効率的である。
と、再び研削液に懸濁させてスラリーとし再利用に供す
る。そしてこのように砥粒を循環させて使用すればより
効率的である。
【００３７】尚、本発明は、上記実施形態に限定される
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明は、請求項１、請求
項９のように、ポリッシャに所望の輪郭形状の端面成形
部を形成し、この端面成形部にウエーハ端面を近接さ
せ、両者間に砥粒を含むスラリーを介在させつつ相対運
動させて、いわゆる総形削りのような状態で面取り加工
を行うようにしたため、固定砥粒で加工する場合に較べ
てより安定した加工を行うことが出来、加工クラック層
のクラック深さのバラツキを小さくすることが出来る。
すなわち、ウエーハの品質のバラツキを少なくすること
が出来る。また請求項２にように、ポリッシャにウエー
ハの外周曲率に合せた円弧状部を形成し、この円弧状部
に端面成形部を設ければ、加工範囲が広がるため効率的
に加工出来る。
項９のように、ポリッシャに所望の輪郭形状の端面成形
部を形成し、この端面成形部にウエーハ端面を近接さ
せ、両者間に砥粒を含むスラリーを介在させつつ相対運
動させて、いわゆる総形削りのような状態で面取り加工
を行うようにしたため、固定砥粒で加工する場合に較べ
てより安定した加工を行うことが出来、加工クラック層
のクラック深さのバラツキを小さくすることが出来る。
すなわち、ウエーハの品質のバラツキを少なくすること
が出来る。また請求項２にように、ポリッシャにウエー
ハの外周曲率に合せた円弧状部を形成し、この円弧状部
に端面成形部を設ければ、加工範囲が広がるため効率的
に加工出来る。
【００３９】また請求項３のように、相対運動機構とし
て、ウエーハを中心軸まわりに回転させるウエーハ回転
機構と、ポリッシャを中心軸まわりに回転させるポリッ
シャ回転機構を組合わせれば、ウエーハ端面の全周域を
短時間にしかも効率的に加工出来る。しかも、ポリッシ
ャの端面成形部に偏摩耗等が生じない。また請求項４の
ように、ポリッシャの端面成形部に、スラリーの逃げを
助長するスリットを所定間隔で設ければ、常に新しいス
ラリーで加工出来て加工効率が高まる。
て、ウエーハを中心軸まわりに回転させるウエーハ回転
機構と、ポリッシャを中心軸まわりに回転させるポリッ
シャ回転機構を組合わせれば、ウエーハ端面の全周域を
短時間にしかも効率的に加工出来る。しかも、ポリッシ
ャの端面成形部に偏摩耗等が生じない。また請求項４の
ように、ポリッシャの端面成形部に、スラリーの逃げを
助長するスリットを所定間隔で設ければ、常に新しいス
ラリーで加工出来て加工効率が高まる。
【００４０】また請求項５のように、スラリー供給機構
を、外部に配設されるスラリー供給ノズルにすれば、構
成が簡素となって安価であり、また請求項６のように、
ポリッシャの内部に形成されるスラリー通路にすれば、
スペースの有効利用が図られ、コンパクトに構成出来
る。そして請求項７及び請求項８のように使用済みのス
ラリーを回収してスラリー中の砥粒を分離回収し、この
回収された砥粒を再び再利用すれば効率的である。更
に、請求項１０のように、単一のポリッシャで周囲の複
数のウエーハを加工すれば、より効率的に加工出来る。
を、外部に配設されるスラリー供給ノズルにすれば、構
成が簡素となって安価であり、また請求項６のように、
ポリッシャの内部に形成されるスラリー通路にすれば、
スペースの有効利用が図られ、コンパクトに構成出来
る。そして請求項７及び請求項８のように使用済みのス
ラリーを回収してスラリー中の砥粒を分離回収し、この
回収された砥粒を再び再利用すれば効率的である。更
に、請求項１０のように、単一のポリッシャで周囲の複
数のウエーハを加工すれば、より効率的に加工出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本ウエーハ面取装置の概略構成図である。
【図２】ポリッシャの端面成形部の拡大図である。
【図３】同ポリッシャの端面成形部の別構成例図であ
る。
る。
【図４】スラリー供給機構の別構成例図で、（Ａ）は平
面図、（Ｂ）は縦断面図である。
面図、（Ｂ）は縦断面図である。
【図５】端面成形部にスリットを設けた構成例図で、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は縦断面図である。
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は縦断面図である。
【図６】ポリッシャの周囲に複数のウエーハを配置する
構成例を示す説明図である。
構成例を示す説明図である。
【図７】円弧状部を有するポリッシャの構成例図であ
り、（Ａ）は平面視図、（Ｂ）は縦断面図である。
り、（Ａ）は平面視図、（Ｂ）は縦断面図である。
【図８】流体サイクロン方式分級機の説明図で、（Ａ）
は側面方向から見た説明図、（Ｂ）は平面方向から見た
説明図である。
は側面方向から見た説明図、（Ｂ）は平面方向から見た
説明図である。
１…クランプ治具、 ２…ポリッシャ
治具、３…スラリー供給ノズル、 ４ａ…ク
ランプ部材、４ｂ…クランプ部材、 ５
ａ…シャフト、５ｂ…シャフト、
６ａ…サイドディスク、６ｂ…サイドディスク、
７…コアディスク、８…ポリッシャ、
８ａ…端面成形部、８ｃ…円弧状部、
９…ロータリーシャフト、１０…流体
サイクロン分級機、 １０ａ…円筒部、１０ｂ…
円錐部、 １０ｃ…導出部、ｓ…ス
リット、 ｔ…スラリー通路、Ｗ
…ウエーハ。
治具、３…スラリー供給ノズル、 ４ａ…ク
ランプ部材、４ｂ…クランプ部材、 ５
ａ…シャフト、５ｂ…シャフト、
６ａ…サイドディスク、６ｂ…サイドディスク、
７…コアディスク、８…ポリッシャ、
８ａ…端面成形部、８ｃ…円弧状部、
９…ロータリーシャフト、１０…流体
サイクロン分級機、 １０ａ…円筒部、１０ｂ…
円錐部、 １０ｃ…導出部、ｓ…ス
リット、 ｔ…スラリー通路、Ｗ
…ウエーハ。
Claims (10)
- 【請求項１】 ウエーハ端面の面取加工を行う装置であ
って、外周面に沿って所望の輪郭形状の端面成形部が形
成された外面円形のポリッシャと、このポリッシャとウ
エーハを半径方向に相対移動させて端面成形部とウエー
ハ端面とを接近又は離脱させる相対移動機構と、接近状
態の端面成形部とウエーハ端面との間に向けて研削液と
砥粒を懸濁せしめたスラリーを供給するスラリー供給機
構と、前記端面成形部とウエーハ端面との間に前記スラ
リーを介在させつつ端面成形部とウエーハ端面を相対運
動させる相対運動機構を備えたことを特徴とする遊離砥
粒によるウエーハの面取装置。 - 【請求項２】 ウエーハ端面の面取加工を行う装置であ
って、ウエーハの円周曲率に合せて凹部状に湾曲する円
弧状部を有し且つこの円弧状部に所望の輪郭形状の端面
成形部が形成されたポリッシャと、このポリッシャとウ
エーハを半径方向に相対移動させて端面成形部とウエー
ハ端面とを接近又は離脱させる相対移動機構と、接近状
態の端面成形部とウエーハ端面との間に向けて研削液と
砥粒を懸濁せしめたスラリーを供給するスラリー供給機
構と、前記端面成形部とウエーハ端面との間に前記スラ
リーを介在させつつ端面成形部とウエーハ端面を相対運
動させる相対運動機構を備えたことを特徴とする遊離砥
粒によるウエーハの面取装置。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の遊離砥粒
によるウエーハの面取装置において、前記相対運動機構
は、ウエーハを中心軸まわりに回転させるウエーハ回転
機構と、および／またはポリッシャを中心軸まわりに回
転させるポリッシャ回転機構とからなることを特徴とす
る遊離砥粒によるウエーハの面取装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の遊離砥粒によるウエー
ハの面取装置において、前記ポリッシャの端面成形部に
は、スラリーの逃げを助長させるスリットが所定間隔で
設けられていることを特徴とする遊離砥粒によるウエー
ハの面取装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４のいずれか１項に
記載の遊離砥粒によるウエーハの面取装置において、前
記スラリー供給機構は、前記端面成形部とウエーハ端面
に近接して配設されるスラリー供給ノズルであることを
特徴とする遊離砥粒によるウエーハの面取装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項４のいずれか１項に
記載の遊離砥粒によるウエーハの面取装置において、前
記スラリー供給機構は、前記ポリッシャの内部に形成さ
れ且つ先端部が端面成形部に向けて開口するスラリー通
路であることを特徴とする遊離砥粒によるウエーハの面
取装置。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項６のいずれか１項に
記載の遊離砥粒によるウエーハの面取装置において、前
記スラリー供給機構から供給されるスラリーは回収され
た後、砥粒回収システムによって砥粒が分離回収され、
この回収された砥粒が再び研削液に懸濁されて再利用さ
れることを特徴とする遊離砥粒によるウエーハの面取装
置。 - 【請求項８】 請求項７に記載の遊離砥粒によるウエー
ハの面取装置において、前記砥粒回収システムは、流体
サイクロン方式分級機であることを特徴とする遊離砥粒
によるウエーハの面取装置。 - 【請求項９】 ウエーハ端面の面取加工を行う方法であ
って、ポリッシャの外周面に沿って形成された所望の輪
郭形状の端面成形部にウエーハ端面を接近させ、前記端
面成形部とウエーハ端面との間に向けて研削液と砥粒を
懸濁せしめたスラリーを供給し、両者間にスラリーを介
在させつつ端面成形部とウエーハ端面を相対運動させて
面取りを行うようにしたことを特徴とする遊離砥粒によ
るウエーハの面取方法。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の遊離砥粒によるウエ
ーハの面取方法において、前記ウエーハをポリッシャの
周囲に複数配置し、単一のポリッシャでこれら複数のウ
エーハを同時に又は順次に面取りを行うことを特徴とす
る遊離砥粒によるウエーハの面取方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24418496A JP3620679B2 (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 遊離砥粒によるウエーハの面取装置及び面取方法 |
| US08/914,751 US5944584A (en) | 1996-08-27 | 1997-08-20 | Apparatus and method for chamfering wafer with loose abrasive grains |
| EP97306516A EP0826459A1 (en) | 1996-08-27 | 1997-08-26 | Apparatus and method for chamfering wafer with loose abrasive grains |
| MYPI97003922A MY132505A (en) | 1996-08-27 | 1997-08-26 | Apparatus and method for chamfering wafer with loose abrasive grains |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24418496A JP3620679B2 (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 遊離砥粒によるウエーハの面取装置及び面取方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1071549A true JPH1071549A (ja) | 1998-03-17 |
| JP3620679B2 JP3620679B2 (ja) | 2005-02-16 |
Family
ID=17115025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24418496A Expired - Fee Related JP3620679B2 (ja) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 遊離砥粒によるウエーハの面取装置及び面取方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5944584A (ja) |
| EP (1) | EP0826459A1 (ja) |
| JP (1) | JP3620679B2 (ja) |
| MY (1) | MY132505A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11349354A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-21 | Nikon Corp | 情報記録媒体用基板及びその製造方法 |
| US6267648B1 (en) | 1998-05-18 | 2001-07-31 | Tokyo Seimitsu Co. Ltd. | Apparatus and method for chamfering wafer |
| US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| JP2006198757A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-03 | M Tec Kk | ワークのエッジの研摩方法及び装置 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6231628B1 (en) | 1998-01-07 | 2001-05-15 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for the separation, regeneration and reuse of an exhausted glycol-based slurry |
| IT1299540B1 (it) * | 1998-07-01 | 2000-03-16 | Memc Electronic Materials | Procedimento per separare e rigenerare abrasivo esausto a base di glicole e carburo di silicio ai fini della loro riutilizzazione |
| DE19801377C2 (de) * | 1998-01-16 | 2001-07-05 | Wendt Gmbh | Schleifscheibe mit Umfangsrille |
| JP3925580B2 (ja) * | 1998-03-05 | 2007-06-06 | スピードファム株式会社 | ウェーハ加工装置および加工方法 |
| JP3334609B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2002-10-15 | 信越半導体株式会社 | 薄板縁部の加工方法および加工機 |
| JP2002518195A (ja) * | 1998-06-25 | 2002-06-25 | ウノバ・ユー・ケイ・リミテッド | ウェハエッジ研磨方法および装置 |
| US6328630B1 (en) * | 1998-10-05 | 2001-12-11 | Hoya Corporation | Eyeglass lens end face machining method |
| CH694580A5 (de) * | 1999-04-29 | 2005-04-15 | Ip Vitro Vidrio Y Cristal Ltd | Vorrichtung zum Bearbeiten der Kante einer Glasscheibe. |
| US6267649B1 (en) * | 1999-08-23 | 2001-07-31 | Industrial Technology Research Institute | Edge and bevel CMP of copper wafer |
| JP3119358B1 (ja) * | 1999-10-18 | 2000-12-18 | 株式会社石井表記 | 半導体ウエハーのエッジ研磨装置 |
| US6361405B1 (en) * | 2000-04-06 | 2002-03-26 | Applied Materials, Inc. | Utility wafer for chemical mechanical polishing |
| US6860795B2 (en) * | 2001-09-17 | 2005-03-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Edge finishing process for glass or ceramic disks used in disk drive data storage devices |
| US6769964B2 (en) * | 2002-08-02 | 2004-08-03 | Saint-Cobain Abrasives Technology Company | Abrasive tool having a unitary arbor |
| KR100506814B1 (ko) * | 2003-01-15 | 2005-08-09 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 연마 장치 |
| US20060266383A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-11-30 | Texas Instruments Incorporated | Systems and methods for removing wafer edge residue and debris using a wafer clean solution |
| US7998865B2 (en) * | 2005-05-31 | 2011-08-16 | Texas Instruments Incorporated | Systems and methods for removing wafer edge residue and debris using a residue remover mechanism |
| JP2007088143A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Elpida Memory Inc | エッジ研磨装置 |
| US20090017736A1 (en) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Single-use edging wheel for finishing glass |
| ITPD20080237A1 (it) * | 2008-07-31 | 2010-02-01 | Adi S P A | Mola, particolarmente per lavorazioni di molatura ad elevata velocit@ di avanzamento |
| TWI503206B (zh) * | 2009-08-27 | 2015-10-11 | Corning Inc | 用以精確修整邊緣的設備及方法 |
| US20110081839A1 (en) * | 2009-10-06 | 2011-04-07 | Apple Inc. | Method and apparatus for polishing a curved edge |
| US8721392B2 (en) | 2011-06-28 | 2014-05-13 | Corning Incorporated | Glass edge finishing method |
| CN109702625A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-03 | 天津洙诺科技有限公司 | 一种硅片单面抛光装置及其方法 |
| CN110605629B (zh) * | 2019-09-19 | 2022-11-18 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种研磨装置 |
| CN110744394B (zh) * | 2019-09-24 | 2021-11-05 | 贵州天义电器有限责任公司 | 一种膜片磨床夹具 |
| CN113021115B (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-20 | 四川上特科技有限公司 | 一种用于晶圆打磨的装置 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US888129A (en) * | 1905-04-25 | 1908-05-19 | Carborundum Co | Manufacture of abrasive material. |
| US1736355A (en) * | 1928-02-07 | 1929-11-19 | Albert G Mosher | Abrading wheel |
| US3916579A (en) * | 1975-02-10 | 1975-11-04 | Tunco Manufacturing Inc | Slotted abrasive wheel |
| US4344260A (en) * | 1979-07-13 | 1982-08-17 | Nagano Electronics Industrial Co., Ltd. | Method for precision shaping of wafer materials |
| US4718202A (en) * | 1980-01-31 | 1988-01-12 | Pacific Western Systems, Inc. | Method and apparatus for rounding the edges of semiconductive wafers |
| DE3218009A1 (de) * | 1982-05-13 | 1983-11-17 | Bayerische Motoren Werke AG, 8000 München | Bearbeitungswerkzeug zum erzielen einer moeglichst glatten beschichtung einer werkstueckoberflaeche |
| JPH02109671A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-23 | Olympus Optical Co Ltd | レンズ研削機およびレンズ加工方法 |
| US5053082A (en) * | 1990-02-28 | 1991-10-01 | Conoco Inc. | Process and apparatus for cleaning particulate solids |
| US5274959A (en) * | 1991-06-05 | 1994-01-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for polishing semiconductor wafer edges |
| JP2559650B2 (ja) * | 1991-11-27 | 1996-12-04 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ面取部研磨装置 |
| KR0185234B1 (ko) * | 1991-11-28 | 1999-04-15 | 가부시키 가이샤 토쿄 세이미쯔 | 반도체 웨이퍼의 모떼기 방법 |
| JP2628424B2 (ja) * | 1992-01-24 | 1997-07-09 | 信越半導体株式会社 | ウエーハ面取部の研磨方法及び装置 |
| US5424224A (en) * | 1993-01-19 | 1995-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Method of surface protection of a semiconductor wafer during polishing |
| JP2832138B2 (ja) * | 1993-09-30 | 1998-12-02 | 信越半導体株式会社 | ウェーハ外周部の研磨装置 |
| JPH07205001A (ja) * | 1993-11-16 | 1995-08-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り機 |
| US5595522A (en) * | 1994-01-04 | 1997-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer edge polishing system and method |
| JP3010572B2 (ja) * | 1994-09-29 | 2000-02-21 | 株式会社東京精密 | ウェーハエッジの加工装置 |
| US5658185A (en) * | 1995-10-25 | 1997-08-19 | International Business Machines Corporation | Chemical-mechanical polishing apparatus with slurry removal system and method |
| US5664990A (en) * | 1996-07-29 | 1997-09-09 | Integrated Process Equipment Corp. | Slurry recycling in CMP apparatus |
| US5725414A (en) * | 1996-12-30 | 1998-03-10 | Intel Corporation | Apparatus for cleaning the side-edge and top-edge of a semiconductor wafer |
-
1996
- 1996-08-27 JP JP24418496A patent/JP3620679B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-20 US US08/914,751 patent/US5944584A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-26 MY MYPI97003922A patent/MY132505A/en unknown
- 1997-08-26 EP EP97306516A patent/EP0826459A1/en not_active Ceased
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6267648B1 (en) | 1998-05-18 | 2001-07-31 | Tokyo Seimitsu Co. Ltd. | Apparatus and method for chamfering wafer |
| US6431961B1 (en) | 1998-05-18 | 2002-08-13 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Apparatus and method for chamfering wafer |
| JPH11349354A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-21 | Nikon Corp | 情報記録媒体用基板及びその製造方法 |
| US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| JP2006198757A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-03 | M Tec Kk | ワークのエッジの研摩方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3620679B2 (ja) | 2005-02-16 |
| MY132505A (en) | 2007-10-31 |
| EP0826459A1 (en) | 1998-03-04 |
| US5944584A (en) | 1999-08-31 |
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