JPH10508425A - イオンビーム装置 - Google Patents
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- JPH10508425A JPH10508425A JP9506428A JP50642897A JPH10508425A JP H10508425 A JPH10508425 A JP H10508425A JP 9506428 A JP9506428 A JP 9506428A JP 50642897 A JP50642897 A JP 50642897A JP H10508425 A JPH10508425 A JP H10508425A
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- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.イオン源と、排気可能なチャンバと、前記イオン源からのイオンからイオン ビームを形成するため、前記チャンバ内に配設された第1電極及び第2電極と、 を備え、 前記第1電極が、前記第2電極から電気的に絶縁されるとともに、当該絶縁を 行うために少なくとも一部が前記チャンバ内に配置された少なくとも一つの絶縁 部材を含み、 前記絶縁部材の一部分が前記チャンバの壁に隣接している、イオンビーム装置 。 2.前記絶縁部材の一部分が、前記チャンバ内のチャンバ壁の表面部分を形成し ている、請求項1に記載の装置。 3.前記絶縁部材の一部分が、前記チャンバ外のチャンバ壁の表面部分を形成し ている、請求項1又は2に記載の装置。 4.前記電極が、前記チャンバ壁の一部分に機械的に結合されており、前記一部 分が、前記電極を前記絶縁部材から少なくとも部分的に分離するように配置され ている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の装置。 5.前記一部分が、(i)前記チャンバ外の前記一部分の表面が、当該表面から の熱損失を促進するような表面構造に形成されていること、(ii)前記電極から 前記絶縁部材に熱を伝導する前記一部分の断面積が、そこを通る熱伝導を妨げる ようにされていること、(iii)前記一部分が断熱材料を備えていること、のう ちの少なくとも一つによって、前記絶縁部材を前記電極から絶縁している、請求 項4に記載の装置。 6.前記一部分は、前記電極が前記チャンバに対して少なくとも一方向に動くこ とができるようになされている、請求項4又は5に記載の装置。 7.前記一部分は、前記電極の動きを可能にするように波形に形成されている、 請求項6に記載の装置。 8.前記チャンバ内の前記絶縁部材の表面が、前記第1電極と前記第2電極との 間の前記絶縁部材の前記表面に沿う経路長さを延ばすための表面形状を含む、請 求項1〜8のいずれか1項に記載の装置。 9.前記表面形状が波形を含む、請求項8に記載の装置。 10.電気絶縁材料で作られ、前記チャンバ内の前記絶縁部材の表面の少なくと も一部分を覆うように配置された着脱可能なカバーを更に含む、請求項1〜9の いずれか1項に記載の装置。 11.前記着脱可能なカバーの外側表面が、前記第1電極と前記第2電極との間 の前記カバーの表面に沿う経路長さを延ばすための表面形状を含む、請求項10 に記載の装置。 12.前記表面形状が波形を含む、請求項11に記載の装置。 13.前記第1電極と前記第2電極とからそれぞれ延びる第1サポートと第2サ ポートとを更に含み、前記各サポートが実質的に前記チャンバ壁における位置又 は前記チャンバ壁の外部における位置で前記各電極を支持するように配置されて いる、請求項1〜12のいずれか1項に記載の装置。 14.前記チャンバ壁が、前記第1サポートと前記第2サポートとを、前記チャ ンバに対して少なくとも一方向に動かすことを可能にし、よって前記電極の前記 チャンバに対する位置を変えられるようになされている、請求項13に記載の装 置。 15.前記チャンバ壁が、前記両サポートを前記チャンバに対して相互に独立し て少なくとも一方向に動かすことを可能にし、よって前記電極の相互位置を変え られるようになされている、請求項14に記載の装置。 16.前記の動きを可能にするため、前記チャンバ壁が、前記第1サポートと前 記第2サポートとの少なくとも一方に結合された弾性部分を含む、請求項14又 は15に記載の装置。 17.前記チャンバ内で前記第1電極と前記第2電極とを結ぶ、表面に沿う最短 経路が、前記チャンバ壁の内面の一部分を含む、請求項1〜16のいずれか1項 に記載の装置。 18.前記第1サポートと前記第2サポートとが、前記チャンバの外側から前記 各電極への導電経路を形成するようになされている、請求項13〜17のいずれ か1項に記載の装置。 19.前記絶縁部材から熱を奪うため、前記絶縁部材の近傍にクーラントを供給 する手段を更に含む、請求項1〜18のいずれか1項に記載の装置。 20.イオン源と、排気可能なチャンバと、前記イオン源からのイオンからイオ ンビームを形成するため前記チャンバ内に配設された第1電極及び第2電極と、 を備え、 前記第1電極が、前記第2電極から電気的に絶縁されるとともに、当該絶縁を 行うために少なくとも一部が前記チャンバ内に配置された少なくとも一つの絶縁 部材を含み、 前記絶縁部材から熱を奪うために前記絶縁部材の近傍にクーラントを供給する 手段を備えている、イオンビーム装置。 21.前記第1電極及び前記第2電極の一方を支持するためのサポートを更に含 み、前記絶縁部材が、前記サポート及び前記一方の電極のいずれかから、他方の 電極を支持するように配置され、前記絶縁部材からの熱が前記クーラントに前記 少なくとも一つの電極及び/又は前記サポートを介して流れるようにするために 、前記供給手段が少なくとも一つの前記電極及び/又は前記サポートを冷却する ように配置されている、請求項20に記載の装置。 22.イオンビーム発生装置と、排気可能なチャンバと、前記チャンバ内に配設 され前記イオンビーム発生装置から離間して前記イオンビームを制御するように 配置された第1電極及び第2電極と、を備え、 前記第1電極が、前記第2電極から電気的に絶縁されるとともに、前記絶縁を 行うために少なくとも一部が前記チャンバ内に配置された少なくとも一つの絶縁 部材を含み、 前記絶縁部材の一部が前記チャンバの壁に隣接している、イオンビーム装置。 23.イオンビーム発生装置と、排気可能なチャンバと、前記チャンバ内に配設 され前記イオンビーム発生装置から離間して前記イオンビームを制御するように 配置された第1電極及び第2電極と、を備え、 前記第1電極が、前記第2電極から電気的に絶縁されるとともに、前記絶縁を 行うために少なくとも一部が前記チャンバ内に配置された少なくとも一つの絶縁 部材を含み、 前記絶縁部材から熱を奪うために前記絶縁部材の近傍にクーラントを供給する 手段を備えている、イオンビーム装置。 24.イオン源と、排気可能なチャンバと、前記イオン源からのイオンからイオ ンビームを形成するため、前記チャンバ内に配設された第1電極及び第2電極と 、を備え、 前記第1電極が前記第2電極から電気的に絶縁され、 それぞれ前記第1電極及び第2電極を支持するための第1サポート及び第2サ ポートであって、前記チャンバの外側から前記電極を相互に独立して前記チャン バに対して動かすことができるように配置された前記第1サポート及び前記第2 サポートを備えている、イオンビーム装置。 25.前記第1サポート及び前記第2サポートの少なくとも一方が、各電極を、 ビームラインに対して横断方向に他方の電極に対して動かすことができるように 配置されている、請求項24に記載の装置。
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