KR970706598A - 이온 빔 장치(an ion beam apparatus) - Google Patents

이온 빔 장치(an ion beam apparatus)

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데이비드 루메
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Abstract

이온 빔 장치는 이온 소스(1), 진공 가능 챔버(11), 상기 이온 소스로부터 이온 빔을 형성하기 위해 상기 챔버내에 배치되는 제1 및 제2전극(3,5)을 포함하는데, 상기 제1전극은 상기 제2전극으로부터 전기적으로 절연된다. 상기 챔버내에 있는 적어도 하나의 절연 부재(31,33)는 상기 절연을 제공하는데, 상기 절연 부재의 부분은 상기 챔버의 벽에 인접하여 위치된다. 선택적으로, 상기 절연부재의 근처에 냉각제를 공급하기 위한 수단은 상기 절연 부재로부터 열을 회수하기 위해 제공된다.

Description

이온 빔 장치(AN ION BEAM APPARATUS)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 한 실시예에 따른 이온 빔 장치의 일부분에 대한 평면도, 제6도는 본 발명의 다른 실시예의 개략적 평면도.

Claims (25)

  1. 이온 소스, 진공 가능 챔버, 상기 이온 소스로부터의 이온으로부터 이온 빔을 형성하기 위해 상기 챔버내에 배치되는 제1 및 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극은 상기 제2전극으로부터 전기적으로 절연되고 적어도 하나의 절연 부재를 포함하며, 상기 절연 부재의 적어도 일부분은 상기 절연을 제공하기 위해 상기 챔버내에 있고, 상기 챔버의 벽에 인접하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연 부재의 부분은 상기 챔버에 대한 상기 챔버 벽내부의 표면부를 형성하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연 부재의 부분은 상기 챔버에 대한 상기 챔버 벽 외부의 표면부를 형성하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극은 상기 챔버에 대한 벽의 부분에 기계적으로 결합되고, 상기 절연 부재의 부분은 적어도 부분적으로 상기 전극을 상기 절연 부재로부터 분리하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 절연 부재의 부분은 (ⅰ) 상기 기관으로부터의 열 손실을 증진하기 위한 표면 구조로 형성되는 상기 챔버의 상기 외부의 표면, (ⅱ) 열이 상기 전극으로부터 상기 절연 부재까지 전도되고 열전도에 저항하도록 하는 상기 부분의 단면적 및, (ⅲ) 열적 전도 재료를 포함하는 부분 중 적어도 하나에 의해 상기 절연 부재를 상기 전극으로부터 열적으로 절연하도록 사용되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 절연 부재의 부분은 상기 전극이 상기 챔버에 관련하여 적어도 하나의 방향으로 이동하도록 사용되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 절연 부재의 부분은 상기 전극의 이동을 허용하는 구성으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 챔버내의 상기 절연 부재의 표면은 상기 제1 및 제2전극 사이의 상기 절연 부재의 표면에 걸쳐 상기 경로 길이를 연장하는 표면 형태를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 표면 형태는 주름을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 전기적 절연 재료를 포함하고 상기 챔버내의 상기 절연 부재의 표면의 적어도 일부분을 커버하도록 배열되는 이동 가능 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 이동 가능 커버의 외부 표면은 상기 제1 및 제2전극 사이의 상기 커버 표면에 걸쳐 상기 경로 길이를 연장하는 표면 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 표면 형태는 주름을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극으로부터 각각 연장하고 상기 챔버벽에서의 또는 외부에서의 위치에서 각각의 상기 전극을 지지하도록 각각 배열되는 제1 및 제2지지대를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 챔버 벽은 상기 제1 및 제2지지대가 서로 개별적으로 상기 챔버에 관련된 적어도 하나의 방향으로 이동하도록 사용되어 상기 챔버에 관련하여 상기 전극의 위치가 변화될 수 있는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 챔버 벽은 상기 지지대가 상기 챔버에 관련하여 적어도 하나의 방항으로 서로 개별적으로 이동하도록 사용되어 상기 전극의 위치가 서로에 관련하여 변화될 수 있는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 챔버 벽은 상기 이동을 허용하도록 상기 제1 및 제2지지대 중 적어도 하나에 결합되는 탄성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1전극을 상기 챔버내의 상기 제2전극에 접속시키는 상기 표면 상의 가장 짧은 경로는 상기 챔버 벽의 내부 표면의 적어도 일부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  18. 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2지지대는 상기 챔버 외부로부터 개별 상기 전극까지 전기적 도전 경로를 형성하도록 사용되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 열을 배출하기 위해 상기 절연 부재 근처에 냉각제를 공급하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  20. 이온 소스, 전공 가능 챔버, 상기 이온 소스의 이온으로부터 이온 빔을 형성하기 위해 상기 챔버내에 배치되는 제1 및 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극은 상기 제2전극으로부터 전기적으로 절연되고, 적어도 하나의 절연 부재를 포함하고, 상기 절연 부재의 적어도 일부분은 상기 절연을 제공하기 위해 상기 챔버내에 있고 상기 챔버의 벽에 인접하여, 열을 배출하기 위해 상기 절연 부재 근처에 냉각제를 공급하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극 중 하나를 지지하기 위한 지지대를 더 포함하고, 상기 절연 부재는 상기 지지대 및 상기 하나의 전극 중 하나로부터 상기 다른 하나의 전극을 지지하도록 배열되며, 상기 절연 부재로부터의 열이 적어도 하나의 상기 전극 및/또는 상기 지지대를 통해 상기 냉각제내로 흐르도록 상기 공급 수단은 적어도 하나의 상기 전극 및/ 또는 상기 지지대를 냉각하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  22. 이온 빔 발생기, 전공 가능 챔버, 상기 챔버내에 상기 이온 빔 발생기로부터 일정 거리에 각각 배치되어 상기 이온 빔을 제어하도록 배열되는 제1 및 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극은 상기 제2전극으로부터 전기적으로 절연되고 적어도 하나의 절연 부재를 포함하며, 상기 절연 부재의 적어도 일부분은 상기 절연을 제공하기 위해 상기 챔버내에 있고, 상기 챔버 벽에 인접하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  23. 이온 빔 발생기, 전공 가능 챔버, 상기 챔버내에 상기 이온 빔 발생기로부터 일정 거리에 각각 배치되어 상기 이온 빔을 제어하도록 배열되는 제1 및 제2전극을 포함하고, 상기 제1전극을 상기 제2전극으로부터 전기적으로 절연되고 적어도 하나의 절연 부재를 포함하고, 상기 절연 부재의 적어도 일부분은 상기 절연을 제공하기 위해 상기 챔버내에 있으며, 열을 배출하기 위해 상기 절연 부재 근처에 냉각제를 공급하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  24. 이온 소스, 진공 가능 챔버, 상기 이온 소스의 이온으로부터 이온 빔을 형성하기 위해 상기 챔버내에 배치되는 제1 및 제2전극을 포함하는데, 상기 제1전극은 상기 제2전극으로부터 전기적으로 절연되며, 상기 제1 및 제2전극을 각각 지지하고 상기 전극이 상기 챔버의 외부로부터 상기 챔버에 관련하여 서로 개별적으로 이동되도록 배열되는 제1 및 제2 지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 제1 및 제2지지대 중 적어도 하나는 각각의 전극이 상기 빔선의 가로 방향으로 다른 전극에 관련하여 이동될 수 있도록 배열되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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