JPH10335911A - バラン回路及びバランス型周波数変換器 - Google Patents

バラン回路及びバランス型周波数変換器

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JPH10335911A
JPH10335911A JP9161390A JP16139097A JPH10335911A JP H10335911 A JPH10335911 A JP H10335911A JP 9161390 A JP9161390 A JP 9161390A JP 16139097 A JP16139097 A JP 16139097A JP H10335911 A JPH10335911 A JP H10335911A
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    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、ＭＭｌＣ上に形成されるマーチャ
ンドバランにおいて、バラン回路を構成する結合線路の
偶モードの特性インビータンスが大きくできない，直交
モードの位相速度に差がある，損失が大きい，ことによ
って生じるバランの出力信号の振幅と位相のずれや挟帯
域化を簡易な要素の付加によって改善し、出力信号の振
幅と位相のずれが小さく、かつ広帯域化、小型化が可能
なバラン回路を実現し、それを用いたバランス型周波数
変換器を提供する。 【解決手段】 マーチャンドバランを構成する１／４波
長の長さを持つ２つの結合線路の接続部に伝送線路を挿
入したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＭｌＣ上に他の
能動回路等と同時に形成され、例えば１ＧＨｚ以上の高
周波信号を分配合成するバラン回路及びそのバラン回路
を利用したバランス型周波数変換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】バラン回路は、例えば１ＧＨｚ以上の高
周波信号を分配合成する電気回路として用いられる。一
般に、高出力増幅器やバランス型周波数変換器（バラン
ス型ミキサ）その他の高周波回路において、単位ユニッ
トとなる増幅器やミキサを２つ以上使用して回路を構成
し、高周波信号を各単位ユニットとなる増幅器やミキサ
に１８０度位相をずらして等分配または各単位ユニット
から１８０度位相をずらして等合成する必要がある。そ
のために、高周波信号を１８０度位相をずらして分配合
成する分配／合成回路を単位ユニットの入カ側または出
力側に設け、高周波回路を構成している。
【０００３】図２３は、従来のマーチャンドバランの等
価回路図である。この図２３に示すマーチャンドバラン
は、位相を１８０度ずらして信号を合成分配するバラン
回路であり、R.Schwindtが報告しているものである(199
4 IEEE MTT-S InternationalMicrowave Symposium Dige
st,pp.389-391）。図２３において、この従来のマーチ
ャンドバランは、１／４波長の長さを持つ第１の結合線
路１の第１端子Ｂと１／４波長の長さを持つ第２の結合
線路２の第１端子Ａ’とを接続し、第１の結合線路１の
第１端子Ｂから見て当該第１の結合線路１のアイソレー
ション端子Ｃを接地すると共に、第２の結合線路２の第
１端子Ａ’から見て当該第２の結合線路２のアイソレー
ション端子Ｄ’を接地し、第２の結合線路２の第１端子
Ａ’から見て第２の結合線路２の通過端子Ｂ’を開放と
したとき、第１の結合線路１の第１端子Ｂから見て通過
端子Ａ（端子１）から信号を入力し、第１の結合線路１
の第１端子Ｂから見て第１の結合線路１の結合端子Ｄ
(端子２）及び第２の結合線路２の第１端子Ａ'から見て
第２の結合線路２の結合端子Ｃ'(端子３）からそれぞれ
信号を取り出すようになっている。
【０００４】図２４は、結合線路が接続された側（Ａ〜
Ｂ')の１／２波長伝送線路上の定在波の電圧、電流波形
を模式的に示したものである。電流Ｉは、１／４波長の
位置である接続部Ｂ（Ａ')で最大となり、電圧Ｖは、０
となる。さらに、電圧Ｖは、接続部Ｂ（Ａ')の前後では
等振幅で逆位相となる。このとき、Ｄ端とＣ'端は、そ
れぞれ、Ｂ端とＡ'端から見たときの結合端子となって
いるので、Ｂ端、Ａ'端での電圧Ｖは、等振幅で互いに逆
位相となる。
【０００５】つまり、上記構成で、端子１から入力した
信号は、端子２と端子３に１８０度の位相差をもって等
振幅で出力される。図２３に示す従来のマーチャンドバ
ランの特性は、何れも計算値であるが、図２５（出力振
幅特性）、図２６（位相特性）に示すようになってい
る。両図において、太い実線は、従来の構成による特性
(端子２、３からの出力振幅、位相差）を示し、細い実線
は、理想的なバランの特性を示す。計算に用いた結合線
路のパラメータは、以下に示す通りである。従来の構成
のパラメータによって求めた計算結果は、測定値と良く
一致している。
【０００６】 （１）従来の構成の結合線路パラメータ Ｚｅ＝１２１Ω ：偶モードの特性インピーダンス Ｚｏ＝２１Ω ：奇モードの特性インピーダンス εｅ＝３．０２ ：偶モードの実効誘電率 εｏ＝４．２２ ：奇モードの実効誘電率 αｅ＝０．１５ｄＢ／ｍｍ＠１０ＧＨｚ ：偶モードの損失 αｏ＝０．６０ｄＢ／ｍｍ＠１０ＧＨｚ ：奇モードの慣失 （２）理想的なバランの結合線路パラメータ（無損失線路） Ｚｅ＝５００Ω ：偶モードの特性インピーダンス Ｚｏ＝２１Ω ：奇モードの特性インピーダンス εｅ＝３．０２ ：偶モードの実効誘電率 εｏ＝３．０２ ：奇モードの実効誘電率 図２５、図２６から、図２３に示すマーチャンドバラン
は、出力信号の振幅と位相のずれが大きく、動作帯域が
狭くなっていることがわかる。これは、上記パラメータ
の比較から理解できるように、ＧａＡｓやＳｉなどの半
導体基板上にＦＥＴ等の能動素子と同時に受動回路を形
成するマイクロストリップ型ＭＭｌＣやユニプレーナ型
ＭＭｌＣ、また上記半導体基板上に多層に誘電体膜を形
成し、誘電体膜上に回路を形成する多層化及び３次元Ｍ
ＭｌＣにおいては、マーチャンドバランを構成する結合
線路の偶モードの特性インピーダンスが小さく原理的に
大きくできないこと、直交モードの位相速度に差がある
こと、さらにマーチャンドバランを構成する伝送線路の
損失が導波管や同軸線路を用いて実現される高周波回路
に比較して大きい（概ね０．１ｄＢ／ｍｍ以上）こと、
等に起因するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、ＭＭＩＣ
上に形成されるマーチャンドバランでは、バランを構成
する結合線路の偶モードの特性インピーダンスを大きく
できないことと直交モードの位相速度に差があることに
よって、バランの出力信号の振幅と位相のずれが大きく
なり、動作帯域が狭くなるという問題があり、さらに、
バランを構成する伝送線路の損失が大きいことも出力信
号の振幅と位相のずれの拡大や動作帯域の帯域化を生じ
る原因となっていた。
【０００８】そこで、例えば図２７、図２８に示すよう
な、ＭＭｌＣ上に実現された改良されたマーチャンドバ
ランが提案されている。図２７は、S.A.Massが提案して
いるものである（IEEE Trans.on MTT-41,No12,pp.2330-
2335,Dec.,1993）。また、図２８は、Y.I.Ryuが提案し
ているものである（1995 IEEE Microwave and Millimet
er-Wave Monolithic Circuits Symposium Digest,pp.15
5-158）。
【０００９】これらの改良された構成では、マーチャン
ドバランを構成する結合線路がインタディジタル型で形
成され、かつ基板厚が通常より厚い半導体基板上に形成
されている。これによって、偶モードの特性インピーダ
ンスを大きくでき、かつ両モードの位相速度を近付ける
ことができ、図２３に示した従来の構成よりも良好な回
路特性を得ることができる。
【００１０】しかしながら、図２７、図２８の構成で
は、結合線路を構成する線路数が増加し、かつ基板厚が
厚いために伝送線路幅が大きくなるので、回路の小型化
が困難であるという問題があった。
【００１１】本発明の目的は、ＭＭｌＣ上に形成される
マーチャンドバランにおいて、バラン回路を構成する結
合線路の偶モードの特性インビータンスが大きくできな
い，直交モードの位相速度に差がある，損失が大きい，
ことによって生じるバランの出力信号の振幅と位相のず
れや挟帯域化を簡易な要素の付加によって改善し、出力
信号の振幅と位相のずれが小さく、かつ広帯域化、小型
化が可能なバラン回路を実現し、それを用いたバランス
型周波数変換器を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、マーチャンドバランを構成する１／４波長の長さを
持つ２つの結合線路の接続部に伝送線路を挿入したこと
を特徴とする。請求項２に記載の発明は、マーチャンド
バランを構成する１／４波長の長さを持つ２つの結合線
路の接続部と接地導体との間に容量を挿入したことを特
徴とする。
【００１３】請求項３に記載の発明は、マーチャンドバ
ランを構成する１／４波長の長さを持つ２つの結合線路
のそれぞれにおいて結合端子とアイソレーション端子を
持つ方の伝送線路の一部に、結合線路を構成しない伝送
線路をそれぞれ挿入したことを特徴とする。請求項４に
記載の発明は、マーチャンドバランを構成する１／４波
長の長さを持つ２つの結合線路のそれぞれにおいて結合
端子とアイソレーション端子を持つ方の伝送線路の一部
に、イングクタをそれぞれ挿入したことを特徴とする。
【００１４】請求項５に記載の発明は、講求項１乃至請
求項４に記載のバラン回路において、マーチャンドバラ
ンを構成する１／４波長の長さを持つ２つの結合線路の
それぞれをマイクロストリップ線路で形成したことを特
徴とする。請求項６に記載の発明は、請求項１乃至請求
項４の何れか１項に記載のバラン回路において、マーチ
ャンドバランを構成する１／４波長の長さを持つ２つの
結合線路のそれぞれをコプレーナ線路で形成したことを
特徴とする。
【００１５】請求項７に記載の発明は、講求項１乃至請
求項４に記載のバラン回路において、マーチャンドバラ
ンを構成する１／４波長の長さを持つ２つの結合線路の
それぞれを多層に積層された誘電体膜上に形成したこと
を特徴とする。請求項８に記載の発明は、バランス型周
波数変換器において、１８０度信号分配回路が、請求項
１乃至請求項７の何れか１項に記載のバラン回路で形成
されることを特徴とする。
【００１６】マーチャンドバランでは、バランを構成す
る１／４波長の長さを持つ２つの結合線路の直交モード
の位相速度に差がある場合には、バランの出力信号の振
幅、位相のずれが生じる。一方、偶モード／奇モードの
位相速度は、そのモードの単位長当たりの容量として求
めることができるので、何れの形式のＭＭＩＣを採用す
るかによって、当該ＭＭＩＣにおける結合線路の偶モー
ドの位相速度と奇モードの位相速度との大小関係は特定
できる。
【００１７】そこで、本発明では、結合線路の偶モード
の位相速度が奇モードの位相速度よりも大きい場合に
は、偶モードの位相速度が小さくなるように補正する伝
送線路（請求項１）または容量（請求項２）を付加し、
逆に、結合線路の偶モードの位相速度が奇モードの位相
速度よりも小さい場合には、偶モードの位相速度が大き
くなるように補正する伝送線路（請求項３）またはイン
ダクタ（請求項４）を付加する。
【００１８】その結果、バラン回路の出力信号の振幅、
位相のずれを小さくでき、位相バランスを広帯域にわた
って保つことができる。また、伝送線路、容量、インダ
クタという簡易かつ回路規模を大きくしないで済む要素
の付加によって実現できるので、小型化が可能となる。
したがって、バランス型周波数変換器において、本発明
に係るバラン回路を１８０度信号分配回路として用いれ
ば（請求項８）、周波数変換器に対し局発信号を等振幅
で、逆位相に分配できるので、局発信号が高周波出力端
に漏れて出力されるのを抑制できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。 （第１実施形態）図１、図２は、本発明の請求項１、
５、７に対応する実施形態のマーチャンドバランの構成
を示す図である。図１は斜視図、図２は等価回路図であ
る。この第１実施形態は、３次元ＭＭＩＣ構造のマーチ
ャンドバランに関する。なお、両図において、端子１、
２、３、Ａ〜Ｄ及びＡ’〜Ｄ’の符号は、対応した位置
を示している。また、これらの符号は、従来例（図２
３）で使用したものと対応している。
【００２０】図１、図２において、半導体基板１１の上
には接地導体１０が積層され、接地導体１０上には第１
の誘電体膜１２が積層される。この第１の誘電体膜１２
の上面には、図中左から右に向かって、第１の結合線路
１の下層配線、第１の伝送線路３、第２の結合線路２の
下層配線が、それぞれ形成される。第１の結合線路１及
び第２の結合線路２の線路長は、それぞれ１／４波長で
ある。
【００２１】第１の結合線路１の下層配線は、図中左方
の一端が通過端子Ａであり、他端が第１端子Ｂである。
通過端子Ａは、信号入力の端子１に接続される。また、
第２の結合線路２の下層配線は、図中右方の一端が通過
端子Ｂ’であり、他端が第１端子Ａ’である。この第１
実施形態では、第１の結合線路１の下層配線の他端（第
１端子）Ｂと第２の結合線路２の下層配線の他端（第１
端子）Ａ’とを、第１の伝送線路３で接続する構成とし
てある。この第１の伝送線路３の線路長は、任意長Ｌ3
である。
【００２２】このような結合線路の下層配線と第１の伝
送線路３が形成された第１の誘電体膜１２上に第２の誘
電体膜１３が積層される。この第３の誘電体膜１３の上
面には、第１の結合線路１の上層配線、第２の結合線路
２の上層配線がそれぞれ形成される。第１の結合線路１
の上層配線は、図中左方の一端が接地されるアイソレー
ション端子Ｃであり、他端が結合端子Ｄである。この結
合端子Ｄには、信号出力の端子２が接続される。また、
第２の結合線路２の上層配線は、図中右方の一端が接地
されるアイソレーション端子Ｄ’であり、他端が結合端
子Ｃ’である。この結合端子Ｃ’には、信号出力の端子
３が接続される。
【００２３】図３は、請求項１に記載の発明（結合線路
を伝送線路を用いて接続したバラン回路）に対応する第
１、第２実施形態の基本動作の説明図である。図３
（ａ）は振幅特性図（計算値）、図３（ｂ）は位相特性
図(計算値)である。図３（ａ）（ｂ）において、実線
（イ）は、マーチャンドバランを構成する第１及び第２
の結合線路の直交モードの位相速度に差がない場合、実
線（ロ）は、結合線路の直交モードの位相速度に差があ
る場合、実線（ハ）は結合線路の接続部に伝送線路を挿
入した場合の特性曲線をそれぞれ示す。なお、結合線路
及び挿入した伝送線路のパラメータは次の通りである。
【００２４】実線（イ）（ロ）（ハ）において、結合線
路では、偶モードの特性インピーダンスＺｅは、Ｚｅ＝
１２１Ω、奇モードの特性インピーダンスＺｏは、Ｚｏ
＝２１Ω、線路長Ｌ1は、Ｌ1 ＝１．９８７ｍｍであ
り、伝送線路では、特性インピーダンスＺｏは、Ｚｏ＝
６０Ω、実効誘電率εeffは、εeff＝３．３である。特
性インピーダンスＺｅ、Ｚｏの値は、前述した従来例の
場合と同様である。
【００２５】また、実線（イ）において、結合線路の偶
モードの実効誘電率εｅ、奇モードの実効誘電率εｏ
は、それぞれ等しく、εｅ＝εｏ＝３．０４である。ま
た、実線（ロ）において、結合線路の偶モードの実効誘
電率εｅは、εｅ＝３．０４、奇モードの実効誘電率ε
ｏは、εｏ＝４．２２である。また、実線（ハ）におい
て、結合線路では、偶モードの実効誘電率εｅ、奇モー
ドの実効誘電率εｏは、それぞれ等しくεｅ＝εｏ＝
３．０４であり、伝送線路では、線路長Ｌ3は、Ｌ3＝
０．２８ｍｍである。
【００２６】図３（ａ）（ｂ）から、結合線路の位相速
度に差がある場合（ロ）の振幅，位相の変化と、伝送線
路を挿入した場合（ハ）の振幅，位相の変化とは、結合
線路の位相速度に差がない場合（イ）を中心としてほぼ
対称となっていることがわかる。従って、結合線路の偶
モードの特性インピーダンスや損失は従来と同様である
が、直交モードの位相速度に差があることに基づき生ず
るマーチャンドバランの位相，振幅のずれを、適宜線路
長Ｌ3 の第１の伝送線路３を挿入する、簡易な構成によ
って補正することができる。
【００２７】以上のことから、この第１実施形態のバラ
ン回路は、第１の結合線路１の下層配線の第１端子Ｂと
第２の結合線路２の下層配線の第１端子Ａ’との間を任
意線路長Ｌ3 の第１の伝送線路３で接続した構成によっ
て、従来例（図２３）と同様に、端子１から信号を入力
すると、端子２及び端子３には等振幅で、位相が１８０
度異なる信号が出力されるマーチャンドバランとして機
能することがわかる。
【００２８】以下、第１実施形態のバラン回路（マーチ
ャンドバラン）の動作を図４〜図６を参照して説明す
る。図４は、図１、図２に示す構成のマーチャンドバラ
ンの１／４波長の長さを持つ第１の結合線路１と第２の
結合線路２を接続する第１の伝送線路３の線路長さＬ3
を変えたときのバランの帯域との関係を示したものであ
る（計算値）。なお、バランの動作中心周波数２０ＧＨ
ｚ帯での例を示した。
【００２９】ここで、バランの動作帯域は、信号合成分
配回路がバランス型周波数変換器等に用いられる場合を
想定し、位相差１０度以内、振幅差１ｄＢ以内という条
件に加えて各端子の出力信号の３ｄＢ帯域を満たす周波
数領域としている。これは、S.A.Maasがその著書Microw
ave Mixers Second Edition,Artech House,INC.,1993で
報告していることを参考にしたものである。挿入した第
１の伝送線路３のパラメータは、特性インピーダンスＺ
oが、Ｚo＝６０Ω、実効誘電率εeffが、εeff＝３．３
である。
【００３０】図４において、従来例（図２３）での比帯
域は、○印の狭い範囲であるが、結合線路を接続する伝
送線路を導入する請求項１に係る本発明の構成では、枠
で囲って示すように、バランの比帯域を１．８倍以上に
拡大することができる。図５は、挿入した伝送線路の線
路長Ｌ3を一定値（Ｌ3＝０．３ｍｍ）とした場合の位相
差及び振幅差の周波数特性図である。なお、位相速度
は、偶モードの位相速度＞奇モードの位相速度の関係で
ある。
【００３１】図５において、太い実線が、線路長Ｌ3(Ｌ
3＝０．３ｍｍ）の伝送線路のある第１実施形態のバラ
ンの特性であり、細い実線が伝送線路のない従来構成の
バランの特性である。図５に示すように、結合線路を接
続する伝送線路を挿入することによってバランの出力信
号の振幅及び位相のずれが小さくなっていることがわか
る。
【００３２】つまり、図１、図２に示すように、１／４
波長の２つの結合線路間に伝送線路を挿入する簡易な構
成によって、バランの出力信号の振幅及び位相のずれを
小さくし、動作帯域を拡大することができる。図６は、
マーチャンドバランを構成する結合線路の線路長（Ｌ1)
を変えたときのバランの動作帯域を示したものである
（計算値）。図６において、縦軸は２０ＧＨｚでの結合
線路の１／４波長の長さ（Ｌ10＝１．９８７ｍｍ）で規
格化した結合線路の線路長（Ｌ1／Ｌ10）である。横軸
は周波数（ＧＨｚ）である。また、○印と直線で結ばれ
た周波数範囲は、バランの動作帯域を示し、途中の●印
は結合線路の中心周波数（Center frequency of couple
r）を示している。
【００３３】図６に示すように、動作周波数の上限は、
結合線路の中心周波数の上昇とともに高くなるが、動作
周波数の下限については微増するのみである。つまり、
結合線路の中心周波数を高く（線路長を短く）しても、
バランの動作周波数の下限をほとんど変えずに上限のみ
を高くすることができるので、広帯域化が容易に実現で
き、また結合線路長を短くできるので、回路の小型化が
容易に実現できる。
【００３４】この第１実施形態では、半導体基板上に接
地導体を形成し、その上に誘電体膜を２層形成し、その
膜上に回路を形成する多層／３次元ＭＭｌＣの構造につ
いて示したが、半導体基板裏面に接地導体を形成するマ
イクロストリップ型ＭＭｌＣの構成でも同様の効果が得
られる。また、結合線路や伝送線路は一層の小型化のた
めメアンダ状やスパイラル状に折り曲げて形成しても同
様の効果が得られる。
【００３５】（第２実施形態）図７は、本発明の請求項
１、６に対応する実施形態のマーチャンドバランの構成
を示す斜視図である。等価回路は、図２である。この第
２実施形態は、コプレーナ線路で構成したマーチャンド
バランに関する。なお、図７において、端子１、２、
３、Ａ〜Ｄ及びＡ’〜Ｄ’の符号は、図２の対応した位
置を示している。また、これらの符号は、従来例（図２
３）で使用したものと対応している。
【００３６】図７に示すように、半導体基板１１の上面
には、第１の結合線路１の２つの伝送線路及び第２の結
合線路２の２つの伝送線路が、それぞれ並列に配置さ
れ、それぞれの２つの伝送線路の一方が、若干幅広の第
１の伝送線路３で接続される。また、半導体基板１１の
上面には、接地導体１０が形成されている。したがっ
て、第１実施形態と同様にバランの出力信号の振幅及び
位相のずれを小さくし、帯域を拡大することができる。
また、結合線路長を所望の中心周波数よりも高い周波数
帯の１／４波長としても、バランの周波数帯域の劣化は
ないので、結合線路長を短くできる分回路の小型化が実
現できる。
【００３７】この第２実施形態では、結合線路や伝送線
路は直線状に形成してあるが、一層の小型化のためメア
ンダ状やスバイラル状に折り曲げて形成しても同様であ
る。 （第３実施形態）図８、図９は、本発明の請求項２、
５、７に対応する実施形態のマーチャンドバランの構成
を示す図である。図８は斜視図、図９は等価回路図であ
る。この第３実施形態は、３次元ＭＭＩＣ構造のマーチ
ャンドバランに関する。なお、両図において、端子１、
２、３、Ａ〜Ｄ及びＢ’〜Ｄ’の符号は、対応した位置
を示している。また、これらの符号は、従来例（図２
３）で使用したものと対応している。但し、図８の符号
Ｂは、従来例での符号ＢとＡ’に対応している。
【００３８】図８、図９において、半導体基板１１上に
は接地導体１０が積層されるとともに、接地導体１０の
一部を削除して露出した半導体基板１１上に第１の容量
４が形成される。この第１の容量４の一端は、接地導体
１０に接続されている。この接地導体１０上に第ｌの誘
電体膜１２が積層される。この第１の誘電体膜１２の上
面には、第１の結合線路１の下層配線と、第２の結合線
路２の下層配線とがそれぞれ形成される。第１の結合線
路１及び第２の結合線路の線路長は、それぞれ１／４波
長である。
【００３９】第１の結合線路１の下層配線は、図中左方
の一端が通過端子Ａであり、他端が第１端子Ｂである。
通過端子Ａは、信号入力の端子１に接続される。また、
第２の結合線路２の下層配線は、図中右方の一端が通過
端子Ｂ’であり、他端が第１端子Ｂである。第１の結合
線路１の下層配線の他端(第１端子)と第２の結合線路２
の下層配線の他端(第１端子)との接続部Ｂは、スルーホ
ール１４を介して第１の容量４の他端に接続される。
【００４０】つまり、この第３実施形態では、第１の結
合線路１の下層配線の他端（第１端子）と第２の結合線
路２の下層配線の他端（第１端子）との接続部Ｂを第１
の容量４を介して接地する構成としてある。このような
結合線路の下層配線が形成された第ｌの誘電体膜１２上
に第２の誘電体膜１３が積層される。この誘電体膜１３
の上面には、第１の結合線路１の上層配線及び第２の結
合線路２の上層配線がそれぞれ形成される。第１の結合
線路１の上層配線は、一端が接地されるアイソレーショ
ン端子Ｃであり、他端が結合端子Ｄである。結合端子Ｄ
には、信号出力の端子２が接続される。また、第２の結
合線路２の上層配線は、一端が接地されるアイソレーシ
ョン端子Ｄ’であり、他端が結合端子Ｃ'である。結合
端子Ｃ'には、信号出力の端子３が接続される。
【００４１】図１０は、請求項２に記載の発明（結合線
路と接地導体との間に容量を形成したバラン回路）に対
応する第３、第４実施形態の基本動作の説明図である。
図１０（ａ）は振幅特性図（計算値）、図１０（ｂ）は
位相特性図(計算値)である。図１０（ａ）（ｂ）におい
て、実線（イ）は、マーチャンドバランを構成する第１
及び第２の結合線路の直交モードの位相速度に差がない
場合、実線（ロ）は、結合線路の直交モードの位相速度
に差がある場合、実線（ハ）は結合線路の接続部と接地
導体との間に容量を形成した場合の特性曲線を示す。な
お、結合線路及び形成した容量のパラメータは次の通り
である。
【００４２】実線（イ）（ロ）（ハ）において、結合線
路では、偶モードの特性インピーダンスＺｅは、Ｚｅ＝
１２１Ω、奇モードの特性インピーダンスＺｏは、Ｚｏ
＝２１Ω、線路長Ｌ1は、Ｌ1 ＝１．９８７ｍｍであ
る。これらは、第１実施形態の場合と同様である。ま
た、実線（イ）において、結合線路の偶モードの実効誘
電率εｅ、奇モードの実効誘電率εｏは、それぞれ等し
くεｅ＝εｏ＝３．０４である。また、実線（ロ）にお
いて、結合線路の偶モードの実効誘電率εｅは、εｅ＝
３．０４、奇モードの実効誘電率εｏは、εｏ＝４.２
２である。また、実線（ハ）において、結合線路では、
偶モードの実効誘電率εｅ、奇モードの実効誘電率εｏ
は、それぞれ等しくεｅ＝εｏ＝３．０４であり、形成
した容量の値Ｃは、Ｃ＝０．０３ｐＦである。
【００４３】図１０（ａ）（ｂ）から、結合線路の位相
速度に差がある場合（ロ）の振幅，位相の変化と、容量
を形成した場合（ハ）の振幅，位相の変化は、結合線路
の位相速度に差がない場合（イ）を中心としてほぼ対称
となっていることがわかる。従って、結合線路の偶モー
ドの特性インピーダンスや損失は従来と同様であるが、
直交モードの位相速度に差があることに基づき生ずるマ
ーチャンドバランの位相，振幅のずれを、結合線路の接
続部と接地導体との間に容量を形成する、簡易な構成に
よって補正することができる。
【００４４】以上のことから、この第３実施形態のバラ
ン回路は、第１の結合線路１の下層配線の第１端子と第
２の結合線路２の下層配線の第１端子との接続部Ｂを第
１の容量４を介して接地した構成によって、第１実施形
態と同様に、端子１から信号を入力すると、端子２及び
端子３には等振幅で、位相が１８０度異なる信号が出力
されるマーチャンドバランとして機能することがわか
る。
【００４５】以下、第３実施形態のバラン回路（マーチ
ャンドバラン）の動作を図１１、図１２を参照して説明
する。図１１は、図８、図９に示す構成のマーチャンド
バランの容量Ｃ（ｐＦ）を変えたときのバランの帯域と
の関係を示したものである（計算値）。なお、バランの
動作中心周波数は、２０ＧＨｚである。
【００４６】図１１において、従来例（図２３）での比
帯域は、○印の狭い範囲であるが、結合線路の接続部を
容量を介して接地する請求項２に係る本発明の構成で
は、枠で囲って示すように、バランの比帯域を１．８倍
以上に拡大することができる。図１２は、挿入した容量
値Ｃを一定値（Ｃ＝０.０３ｐＦ）とした場合の位相差
及び振幅差の周波数特性図である。位相速度は、偶モー
ドの位相速度＞奇モードの位相速度の関係にある。太い
実線が、容量を備える第３実施形態のバランの特性であ
り、細い実線が容量のない従来構成のバランの特性であ
る。図１２に示すように、容量を挿入することによって
バランのバランス特性を改善できることがわかる。
【００４７】つまり、図８、図９に示すように、１／４
波長の２つの結合線路の接続部と接地導体との間に容量
を挿入する簡易な構成によって、バランの出力信号の振
幅及び位相のずれを小さくし、動作帯域を拡大すること
ができる。また、結合線路長を１／４波長よりも短い値
（バランの中心周波数を所望の値よりも高く設定）とし
ても、バランの周波数帯域が狭くなったり、出力信号の
振幅及び位相のずれが大きくなることはないので、結合
線路長を短くできる分回路の小型化が実現できる。
【００４８】この第３実施形態では、半導体基板上に接
地導体を形成し、その上に誘電体膜を２層形成し、その
膜上に回路を形成する多層／３次元ＭＭｌＣの構造につ
いて示したが、半導体基板裏面に接地導体を形成するマ
イクロストリップ型ＭＭｌＣの構成でも同様の効果が得
られる。また、結合線路は一層の小型化のためにメアン
ダ状やスパイラル状に折り曲げて形成しても同様の効果
が得られる。
【００４９】（第４実施形態）図１３は、本発明の請求
項２、６に対応する実施形態のマーチャンドバランの構
成を示す斜視図である。等価回路は、図９である。この
第４実施形態はコプレーナ線路で構成したマーチャンド
バランに関する。なお、図１１において端子１、２、
３、Ａ〜Ｄ及びＢ’〜Ｄ’の符号は、図９の対応した位
置を示している。
【００５０】図１３に示すように、半導体基板１１の上
面には、第１の結合線路１の２つの伝送線路及び第２の
結合線路２の２つの伝送線路が、それぞれ並列に配置さ
れ、また第１の容量４、接地導体１０がそれぞれ形成さ
れ、２つの結合線路それぞれの２つの伝送線路の一方の
伝送線路の接続部Ｂが、第１の容量４を介して接地導体
１０に接続される。
【００５１】したがって、第３実施形態と同様にバラン
の出力信号の振幅及び位相のずれを小さくし、帯域を拡
大することができる。また、結合線路長を１／４波長よ
りも短い値（バランの中心周波数を所望の値よりも高く
設定）としても、バランの周波数帯域やバランス特性の
劣化はないので、結合線路長を短くできる分回路の小型
化が実現できる。
【００５２】この第４実施形態では、結合線路は直線状
に形成してあるが、一層の小型化のためにメアンダ状や
スパイラル状に折り曲げて形成しても同様である。 （第５実施形態）図１４、図１５は、本発明の請求項
３、５、７に対応する実施形態のマーチャンドバランの
構成を示す図である。図１４は斜視図、図１５は等価回
路図である。この第５実施形態は、３次元ＭＭＩＣ構造
のマーチャンドバランに関する。なお、両図において、
端子１、２、３、Ａ〜Ｇ及びＢ’〜Ｇ’の符号は対応し
た位置を示している。
【００５３】図１４、図１５において、半導体基板１１
上には接地導体１０が積層され、接地導体１０上には第
１の誘電体膜１２が積層される。この誘電体膜１２の上
面には、図中左から右に向かって、第１の結合線路３１
の下層配線、第３の結合線路３３の下層配線、第２の結
合線路３２の下層配線、第４の結合線路３４の下層配線
が、それぞれ形成される。そして、端子１が第１の結合
線路３１の下層配線の通過端子Ａに接続される。
【００５４】符号Ｂは、第１の結合線路３１の下層配線
と第３の結合線路３３の下層配線との接続部を示し、符
号Ｂ’は、第２の結合線路３２の下層配線と第４の結合
線路３４の下層配線との接続部を示す。また、符号Ｆ
は、第３の結合線路３３の下層配線と第２の結合線路３
２の下層配線との接続部を示す。ここに、第１の結合線
路３１の線路長Ｌ11と第３の結合線路３３の線路長Ｌ12
とを加えた線路長（Ｌ11＋Ｌ12）、及び、第２の結合線
路３２の線路長Ｌ21と第４の結合線路３４の線路長Ｌ22
とを加えた線路長（Ｌ21＋Ｌ22）は、それぞれ、１／４
波長である。つまり、接続部Ｆは、図２０における接続
部Ｂ、Ａ’に対応している。
【００５５】このような結合線路の下層配線が形成され
た誘電体膜１２上に第２の誘電体膜１３が積層される。
この第２の誘電体膜１３の上面には、図中左から右に向
かって、第１の結合線路３１の上層配線、線路長Ｌ31の
第１の伝送線路３５、第３の結合線路３３の上層配線、
第２の結合線路３２の上層配線、線路長Ｌ31の第２の伝
送線路３６、第４の結合線路３４の上層配線が、それぞ
れ形成される。そして、第３の結合線路３３の上層配線
の結合端子Ｇは、端子２に接続され、第２の結合線路３
２の上層配線の結合端子Ｃ’は、端子３に接続される。
また第１の結合線路３１の上層配線のアイソレーション
端子Ｃ及び第４の結合線路３４の上層配線のアイソレー
ション端子Ｇ’は、それぞれ接地される。
【００５６】符号Ｄは、第１の結合線路３１の上層配線
と第１の伝送線路３５との接続部を示し、符号Ｅは、第
３の結合線路３３の上層配線と第１の伝送線路３５との
接続部を示す。また、符号Ｄ’は、第２の結合線路３２
の上層配線と第２の伝送線路３６との接続部を示し、符
号Ｅ’は、第４の結合線路３４の上層配線と第２の伝送
線路３６との接続部を示す。
【００５７】要するに、この第５実施形態のバラン回路
は、結合線路の結合端子(Ｇ、Ｃ')とアイソレーション端
子(Ｃ、Ｇ')のある方の伝送線路の一部に結合線路を構成
しない伝送線路(第１の伝送線路３５、第２の伝送線路
３５)を挿入したものである。図１６は、請求項３に記
載の発明（結合線路の結合端子とアイソレーション端子
のある方の伝送線路の一部に結合線路を構成しない伝送
線路を挿入したバラン回路）に対応する第５、第６実施
形態の基本動作の説明図である。図１６（ａ）は振幅特
性図（計算値）、図１６（ｂ）は位相特性図(計算値)で
ある。
【００５８】図１６（ａ）（ｂ）において、実線（イ）
は、マーチャンドバランを構成する第１〜第４の結合線
路の直交モードの位相速度に差がない場合、実線（ロ）
は、結合線路の直交モードの位相速度に差がある場合、
実線（ハ）は結合線路の接続部に伝送線路を挿入した場
合の特性曲線を示す。なお、結合線路のパラメータは次
の通りである。
【００５９】実線（イ）（ロ）（ハ）において結合線路
の偶モードの特性インピーダンスＺｅは、Ｚｅ＝１２１
Ω、奇モードの特性インピーダンスＺｏは、Ｚｏ＝２１
Ω、線路長Ｌ1 は、Ｌ1 ＝１．９８７ｍｍである。ま
た、実線（イ）において結合線路の偶モードの実効誘電
率εｅ、奇モードの実効誘電率εｏは、それぞれ等しく
εｅ＝εｏ＝３．０４である。
【００６０】また、実線（ロ）において、結合線路の偶
モードの実効誘電率εｅは、εｅ＝４．２２、奇モード
の実効誘電率εｏは、εｏ＝３．０４である。また、実
線（ハ）において結合線路の偶モードの実効誘電率ε
ｅ、奇モードの実効誘電率εｏは、それぞれ等しく、ε
ｅ＝εｏ＝３．０４であり、挿入する伝送線路の線路長
Ｌ31は、Ｌ31＝０.３３ｍｍである。
【００６１】図１６（ａ）（ｂ）から、結合線路の位相
速度に差がある場合（ロ）の振幅，位相の変化と、伝送
線路を挿入した場合（ハ）の振幅，位相の変化は、結合
線路の位相速度に差がない場合（イ）を中心としてほぼ
対称となっていることがわかる。従って、結合線路の偶
モードの特性インピーダンスや損失は従来と同様である
が、直交モードの位相速度に差があることに基づき生ず
るマーチャンドバランの位相，振幅のずれを、結合線路
の結合端子とアイソレーション端子のある方の伝送線路
の一部に結合線路を構成しない伝送線路を挿入する、簡
易な構成によって補正することができる。
【００６２】以上のことから、この第５実施形態のバラ
ン回路は、結合線路の結合端子(Ｇ、Ｃ'）とアイソレー
ション端子（Ｃ、Ｇ'）のある伝送線路の一部に結合線
路を構成しない伝送線路を挿入した構成によって、第１
実施形態と同様に、端子１から信号を入カすると、端子
２及び端子３には同振幅で、位相が１８０度異なる信号
が出力されるマーチャンドバランとして機能することが
わかる。
【００６３】以下、第５実施形態のバラン回路（マーチ
ャンドバラン）の動作を図１７を参照して説明する。図
１７は、挿入した伝送線路の線路長Ｌ31をＬ31＝０．３
３ｍｍ、結合線路の線路長を０．７５×（ｌ／４波長）
としたときの位相差及び振幅差の周波数特性を示してい
る。太い実線が、第５実施形態のバランの特性であり、
細い実線が、従来の構成のバランの特性である。
【００６４】位相速度は、偶モードの位相速度＜奇モー
ドの位相速度の関係であるが、図１７に示すように、バ
ランの出力信号の振幅及び位相のずれを小さくすること
ができる。また、結合線路長が短くなる分回路も小型化
できる。従って、この第５実施形態の構成において、結
合線路の結合端子とアイソレーション端子を持つ方の伝
送線路の一部に結合線路を構成しない伝送線路を挿入す
ることによってバランの出力信号の振幅及び位相のずれ
を小さくし、かつ帯域を拡大することができる。
【００６５】また、結合線路の線路長を１／４波長より
も短い値（バランの中心周波数を所望の値よりも高く設
定）とすることによってバラン回路の一層の小型化が実
現できる。この第５実施形態では、半導体基板上に接地
導体を形成し、その上に誘電体膜を２層形成し、その膜
上にバラン回路を形成する多層／３次元ＭＭＩＣの構造
について示したが、半導体基板裏面に接地導体を形成す
るマイクロストリップ型ＭＭｌＣの構成でも同様の効果
がある。また、結合線路は一層の小型化のためにメアン
ダ状やスパイラル状に折り曲げて形成しても同様の効果
がある。
【００６６】（第６実施形態）図１８は、本発明の請求
項３、６に対応する実施形態のマーチャンドバランの構
成を示す図である。図１８は、斜視図である。等価回路
は、図１５である。この第６実施形態は、コプレーナ線
路で構成したマーチャンドバランに関する。なお、図１
８において端子１、２、３、Ａ〜Ｇ及びＢ’〜Ｇ’の符
号は、図１５の対応した位置を示している。
【００６７】図１８に示すように、半導体基板１１の上
面には、第１の結合線路３１の２つの伝送線路、第３の
結合線路３３の２つの伝送線路、第２の結合線路３２の
２つの伝送線路、第４の結合線路３４の２つの伝送線路
が、それぞれ並列に配置されると共に、第１の結合線路
３１の２つの伝送線路の一方の伝送線路と、第３の結合
線路３３の２つの伝送線路の一方の伝送線路との間に第
１の伝送線路３５が、また第２の結合線路３２の２つの
伝送線路の一方の伝送線路と、第４の結合線路３４の２
つの伝送線路の一方の伝送線路との間に第２の伝送線路
３６が、それぞれエアブリッジ３９によって形成され、
接地導体１０も形成されている。
【００６８】したがって、第５実施形態と同様にバラン
の出力信号の振幅及び位相のずれを小さくし、帯域を拡
大することができる。また、同様に、結合線路の線路長
を１／４波長よりも短い値（バランの中心周波数を所望
の値よりも高く設定）とすることによってバラン回路の
一層の小型化が実現できる。この第６実施形態では、結
合線路や伝送線路は直線状に形成してあるが、一層の小
型化のためメアンダ状やスパイラル状に折り曲げて形成
しても同様である。
【００６９】（第７実施形態）図１９は、本発明の請求
項４、５、６、７に対応する実施形態のマーチャンドバ
ランの構成を示す等価回路図である。この第７実施形態
のマーチャンドバランは、第５実施形態及び第６実施形
態の等価回路（図１５）において、第１の伝送線路３５
に変えて第１のインダクタ４０を挿入し、第２の伝送線
路３６に変えて第２のインダク４１を挿入したものであ
る。その他は、図１５と同様である。
【００７０】図２０は、請求項４に記載の発明（結合線
路の結合端子とアイソレーション端子のある方の伝送線
路の一部にインダクタを挿入したバラン回路）対応する
第７実施形態の基本動作の説明図である。図２０（ａ）
は振幅特性図（計算値）、図２０（ｂ）は位相特性図
(計算値)である。図２０（ａ）（ｂ）において、実線
（イ）は、マーチャンドバランを構成する第１〜第４の
結合線路の直交モードの位相速度に差がない場合、実線
（ロ）は、結合線路の直交モードの位相速度に差がある
場合、実線（ハ）は結合線路の接続部に伝送線路を挿入
した場合の特性曲線を示す。なお、結合線路のパラメー
タは次の通りである。
【００７１】実線（イ）（ロ）（ハ）において、結合線
路の偶モードの特性インピーダンスＺｅは、Ｚｅ＝１２
１Ω、奇モードの特性インピーダンスＺｏは、Ｚｏ＝２
１Ω、線路長Ｌ1は、Ｌ1 ＝１.９８７ｍｍである。
【００７２】また、実線（イ）において結合線路の偶モ
ードの実効誘電率εｅ、奇モードの実効誘電率εｏは、
それぞれ等しく、εｅ＝εｏ＝３.０４である。また、
実線（ロ）において、結合線路の偶モードの実効誘電率
εｅは、εｅ＝４．２２、奇モードの実効誘電率εｏ
は、εｏ＝３．０４である。また、実線（ハ）におい
て、結合線路の偶モードの実効誘電率εｅ、奇モードの
実効誘電率εｏは、それぞれ等しく、εｅ＝εｏ＝３.
０４であり、挿入するインダクタのインダクタンス値Ｌ
はＬ＝０.１１ｎＨである。
【００７３】図２０（ａ）（ｂ）から、結合線路の位相
速度に差がある場合（ロ）の振幅，位相の変化と、イン
ダクタを挿入した場合（ハ）の振幅，位相の変化は、結
合線路の位相速度に差がない場合（イ）を中心としてほ
ぼ対称となっていることがわかる。従って、接合線路の
偶モードの特性インピーダンスや損失は従来と同様であ
るが、直交モードの位相速度に差があることに基づき生
ずるマーチャンドバランの位相，振幅のずれを、結合線
路の結合端子とアイソレーション端子のある方の伝送線
路の一部にインダクタを挿入する、簡易な構成によって
補正することができる。
【００７４】以上のことから、この第７実施形態のバラ
ン回路は、結合線路の結合端子(Ｇ、Ｃ'）とアイソレー
ション端子（Ｃ、Ｇ'）のある方の伝送線路の一部にイ
ンダクタを挿入した構成によって、第１実施形態と同様
に、端子１から信号を入力すると、端子２及び端子３に
は同振幅で、位相が１８０度異なる信号が出力されるマ
ーチャンドバランとして機能することがわかる。
【００７５】以下、第７実施形態のバラン回路（マーチ
ャンドバラン）の動作を図２１を参照して説明する。図
２１は、挿入したインダクタ（４０、４１）の値Ｌ40を
Ｌ40＝０.１１ｎＨ、結合線路の線路長を０.７５×（１
／４波長）としたときの位相差及び振幅差を示してい
る。太い実線が、この第７実施形態の構成のときのバラ
ンの特性であり、細い実線が、従来の構成のバランの特
性である。
【００７６】図２１は、位相速度が、偶モードの位相速
度＜奇モードの位相速度の関係にある場合のものである
が、バランの出力信号の振幅及び位相のずれが小さくな
ることがわかる。また、図２１は、結合線路の線路長を
１／４波長よりも短くした場合を示している。したがっ
て、結合線路の結合端子とアイソレーション端子を持つ
方の伝送線路の一部にインダクタを挿入する構成のバラ
ン回路とすることによって、バランの出力信号の振幅及
び位相のずれを小さくし、かつ帯域を拡大することがで
きる。
【００７７】さらに、結合線路の線路長をｌ／４波長よ
りも短い値（バランの中心周技数を所望の値よりも高く
設定）とすることによってバラン回路の一層の小型化が
実現できる。この第７実施形態では、等価回路のみを示
したが、前述の３次元ＭＭｌＣやマイクロストリップ型
ＭＭｌＣの構成、さらにはコプレーナ線路で構成しても
同様の効果がある。また、結合線路は一層の小型化のた
めにメアンダ状やスパイラル状に折り曲げて形成しても
同様の効果がある。
【００７８】（第８実施形態）図２２は、本発明の請求
項８に対応する実施形態のバランス型周波数変換器の構
成図である。即ち、この第８実施形態は、以上説明した
７つの実施形態の何れか１つのマーチャンドバランを用
いたバランス型周波数変換器に関する。図２２におい
て、このバランス型周波数変換器は、本発明の７つの実
施形態の何れか１つのマーチャンドバラン２０、２個の
周波数変換器２１、ウイルキンソンディバイダ２２を備
える。マーチャンドバラン２０は、ＬＯ入力端子に印加
されるＬＯ信号（局発信号）を２個の周波数変換器２１
の一方の入力端に互いに逆位相の関係で分配する。２個
の周波数変換器２１は、他方のＩＦ入力端子に印加され
るＩＦ信号（中間周波帯信号）をマーチャンドバラン２
０からのＬＯ信号に従って周波数変換し、ウイルキンソ
ンディバイダ２２に出力する。ウイルキンソンディバイ
ダ２２は、２個の周波数変換器２１の出力を同位相で合
成し、ＲＦ出カ端子にＲＦ信号（高周波帯信号）を出力
する。
【００７９】この第８実施形態のバランス型周波数変換
器は、以上の構成によって、ＬＯ入力端子に印加される
ＬＯ信号が２つの周波数変換器に等振幅の逆位相で与え
られるので、ＬＯ信号がＲＦ出力端子に漏れて出力され
るのが抑圧される。即ち、上記構成のバランス型周波数
変換器は、３次元ＭＭｌＣ構造やマイクロストリップ型
ＭＭｌＣ、コプレーナ型ＭＭｌＣで実現できるが、本発
明の実施形態に係るマーチャンドバランを用いることに
よって、ＬＯ信号の漏れを大幅に抑圧することができ、
かつ回路を小型化、広帯域化することができる。
【００８０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のバラン回
路は、ＧａＡｓやＳｉなどの半導体基板上に実現される
マーチャンドバランにおいて、結合線路の接続部に伝送
線路を挿入する、接続部と接地導体との間に容量を挿入
する、さらに結合線路の結合端子とアイソレーション端
子を持つ方の伝送線路の一部に結合線路を構成しない伝
送線路やインダクタを挿入する構成であるので、偶モー
ドの特性インピーダンスや損失は、従来と同様である
が、出力信号の振幅差及び位相差を小さくできる。
【００８１】また、挿入する伝送線路や容量によって、
バランの出力端子間の位相差を補正することができるの
で、位相バランスを広帯域にわたって保つことができ
る。さらに、従来の改良されたマーチャンドバランのよ
うに、結合線路のインタディジタル化やＭＭＩＣ基板の
厚さを増加させることが不要となるので、小型化が可能
である。したがって、本発明に係るバラン回路を１８０
度信号分配回路として用いるバランス型周波数変換器で
は、局発信号が高周波出力端に漏れ出すのを抑圧でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の請求項１、５、７に対応する実施形態
のマーチャンドバランの回路構成図（斜視図）である。
【図２】本発明の請求項１、５、７に対応する実施形態
のマーチャンドバランの等価回路図である。
【図３】結合線路を伝送線路を用いて接続した場合の基
本動作の説明図である。（ａ）は振幅特性図（計算
値）、（ｂ）位相特性図（計算値）である。
【図４】第１の伝送線路の線路長と比帯域との関係図で
ある。
【図５】第１の伝送線路の線路長を一定値とした場合の
振幅差・位相差の周波数特性図である。
【図６】マーチャンドバランを構成する結合線路の線路
長に対する動作帯域の関係図（計算値）である。
【図７】本発明の請求項１、６に対応する実施形態のマ
ーチャンドバラン（コプレーナ線路型）の構成を示す斜
視図である。
【図８】本発明の請求項２、５、７に対応する実施形態
のマーチャンドバランの回路構成図（斜視図）である。
【図９】本発明の請求項２、５、７に対応する実施形態
のマーチャンドバランの等価回路図である。
【図１０】結合線路の接続部と接地導体の間に容量を形
成した場合の基本動作の説明図である。（ａ）は振幅特
性図（計算値）、（ｂ）位相特性図（計算値）である。
【図１１】容量値と比帯域との関係図である。
【図１２】容量値を一定値とした場合の振幅・位相の周
波数特性図である。
【図１３】本発明の請求項２、６に対応する実施形態の
マーチャンドバラン（コプレーナ線路型）の回路構成図
（斜視図）である。
【図１４】本発明の請求項３、５、７に対応する実施形
態のマーチャンドバランの回路構成図（斜視図）であ
る。
【図１５】本発明の請求項３、５、７に対応する実施形
態のマーチャンドバランの等価回路図である。
【図１６】結合線路の結合端子とアイソレーション端子
のある伝送線路の一部に結合線路を構成しない伝送線路
を挿入した場合の基本動作の説明図である。（ａ）は振
幅特性図（計算値）、（ｂ）は位相特性図（計算値）で
ある。
【図１７】挿入した伝送線路及び結合線路の線路長を一
定とした場合の振幅差・位相差の周波数特性図である。
【図１８】本発明の請求項３、６に対応する実施形態の
マーチャンドバラン（コプレーナ線路型）の構成を示す
斜視図である。
【図１９】本発明の請求項４、５、６、７に対応する第
７実施形態のマーチャンドバランの構成を示す等価回路
図である。
【図２０】結合線路の結合端子とアイソレーション端子
のある伝送線路の一部にインダクタを挿入した場合の基
本動作の説明図である。（ａ）は振幅特性図（計算
値）、（ｂ）位相特性図（計算値）である。
【図２１】挿入したインダクタ及び結合線路の線路長を
一定とした場合の振幅差・位相差の周波数特性図であ
る。
【図２２】本発明の請求項８に対応する実施形態のバラ
ンス型周波数変換器の構成図である。
【図２３】従来のマーチャンドバランの等価回路図であ
る。
【図２４】従来のマーチャンドバランの１／２波長線路
上の定在波の電圧・電流波形の模式図である。
【図２５】従来のマーチャンドバランの振幅特性図であ
る。
【図２６】従来のマーチャンドバランの位相特性図であ
る。
【図２７】改良されたマーチヤンドバランの等価回路図
である。
【図２８】改良されたマーチャンドバランの等価回路図
である。
【符号の説明】
１ 第１の結合線路 ２ 第２の結合線路 ３ 第１の伝送線路 ４ 第１の容量 ５ 第１の結合線路 ６ 第２の結合線路 ７ 第１の結合線路 ８ 第２の結合線路 １０ 接地導体 １１ 半導体基板 １２ 第１の誘電体膜 １３ 第２の誘電体膜 １４ スルーホール ２０ マーチャンドバラン ２１ 周波数変換器 ２２ ウイルキンソンディバイダ ３１ 第１の結合線路 ３２ 第２の結合線路 ３３ 第３の結合線路 ３４ 第４の結合線路 ３５ 第１の伝送線路 ３６ 第２の伝送線路 ３９ エアブリッジ ４０ 第１のインダクタ ４１ 第２のインダクタ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 １／４波長の長さを持つ第１の結合線路
    の第１端子と１／４波長の長さを持つ第２の結合線路の
    第１端子とを接続し、 前記第１の結合線路の第１端子から見て当該第１の結合
    線路のアイソレーション端子と、前記第２の結合線路の
    第１端子から見て当該第２の結合線路のアイソレーショ
    ン端子とをそれぞれ接地し、 前記第２の結合線路の第１端子から見て当該第２の結合
    線路の通過端子を開放としたとき、前記第１の結合線路
    の第１端子から見て当該第１の結合線路の通過端子から
    信号を入力し、前記第１の結合線路の第１端子及び第２
    の結合線路の第１端子から見てそれぞれの結合線路の結
    合端子から信号を取り出すバラン回路において、 前記第１の結合線路の第１端子と前記第２の結合線路の
    第１端子との間に伝送線路を形成したことを特徴とする
    バラン回路。
  2. 【請求項２】 １／４波長の長さを持つ第１の結合線路
    の第１端子と１／４波長の長さを持つ第２の結合線路の
    第１端子とを接続し、 前記第１の結合線路の第１端子から見て当該第１の結合
    線路のアイソレーション端子と、前記第２の結合線路の
    第１端子から見て当該第２の結合線路のアイソレーショ
    ン端子とをそれぞれ接地し、 前記第２の結合線路の第１端子から見て当該第２の結合
    線路の通過端子を開放としたとき、前記第１の結合線路
    の第１端子から見て当該第１の結合線路の通過端子から
    信号を入力し、前記第１の結合線路の第１端子及び第２
    の結合線路の第１端子から見てそれぞれの結合線路の結
    合端子から信号を取り出すバラン回路において、 前記第１の結合線路の第１端子と前記第２の結合線路の
    第１端子との接続部と接地導体との間に容量を形成した
    ことを特徴とするバラン回路。
  3. 【請求項３】 １／４波長の長さを持つ第１の結合線路
    の第１端子と１／４波長の長さを持つ第２の結合線路の
    第１端子とを接続し、 前記第１の結合線路の第１の端子から見て当該第１の結
    合線路のアイソレーション端子と、前記第２の結合線路
    の第１端子から見て当該第２の結合線路のアイソレーシ
    ョン端子とをそれぞれ接地し、 前記第２の結合線路の第１端子から見て当該第２の結合
    線路の通過端子を開放としたとき、前記第１の結合線路
    の第１端子から見て当該第１の結合線路の通過端子から
    信号を入力し、前記第１の結合線路の第１端子及び第２
    の結合線路の第１端子から見てそれぞれの結合線路の結
    合端子から信号を取り出すバラン回路において、 前記第１の結合線路及び第２の結合線路のそれぞれの結
    合端子とアイソレーション端子とを持つ方の伝送線路の
    一部に、それぞれ結合線路を構成しない伝送線路を挿入
    したことを特徴とするバラン回路。
  4. 【請求項４】 １／４波長の長さを持つ第１の結合線路
    の第１端子と１／４波長の長さを持つ第２の結合線路の
    第１端子とを接続し、 前記第１の結合線路の第１端子から見て当該第１の結合
    線路のアイソレーション端子と、前記第２の結合線路の
    第１端子から見て当該第２の結合線路のアイソレーショ
    ン端子とをそれぞれ接地し、 前記第２の結合線路の第１端子から見て当該第２の結合
    線路の通過端子を開放としたとき、前記第１の結合線路
    の第１端子から見て当該第１の結合線路の通過端子から
    信号を入力し、前記第１の結合線路の第１端子及び第２
    の結合線路の第１端子から見てそれぞれの結合線路の結
    合端子から信号を取り出すバラン回路において、 前記第１の結合線路及び第２の結合線路のそれぞれの結
    合端子とアイソレーション端子とを持つ方の伝送線路の
    一部に、それぞれイングクタを挿入したことを特徴とす
    るバラン回路。
  5. 【請求項５】 講求項１乃至請求項４の何れか１項に記
    載のバラン回路において、 前記第１の結合線路及び第２の結合線路は、 半導体基板裏面に接地導体、表面に信号線路を形成する
    マイクロストリップ線路で形成されることを特徴とする
    バラン回路。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項４の何れか１項に記
    載のバラン回路において、 前記第１の結合線路及び第２の結合線路は、 半導体基板表面に接地導体と信号線路の両方を形成する
    コプレーナ線路で形成されることを特徴とするバラン回
    路。
  7. 【請求項７】 講求項１乃至請求項４の何れか１項に記
    載のバラン回路において、 前記第１の結合線路及び第２の結合線路は、 多層に積層された誘電体膜上に形成されることを特徴と
    するバラン回路。
  8. 【請求項８】 局発信号を１８０度の位相差で等分配す
    る１８０度信号分配回路と、前記１８０度信号分配回路
    の２出力をそれぞれ受けてＩＦ信号の周波数を変換する
    周波数変換器と、前記変換された信号を合成する信号合
    成回路とで構成されるバランス型周波数変換器におい
    て、 前記１８０度信号分配回路は、 請求項１乃至請求項７の何れか１項に記載のバラン回路
    で形成されることを特徴とするバランス型周波数変換
    器。
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003032010A (ja) * 2001-06-27 2003-01-31 Ind Technol Res Inst 多層ｒｆチップバラン
WO2005076404A1 (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. 平衡型分配器
KR100531782B1 (ko) * 2002-08-13 2005-11-29 엘지전자 주식회사 밸룬 제조방법
WO2008041398A1 (fr) * 2006-09-29 2008-04-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Élément de conversion d'équilibre/déséquilibre et son procédé de fabrication
WO2009005079A1 (ja) * 2007-07-03 2009-01-08 Soshin Electric Co., Ltd. 不平衡－平衡変換器
WO2009011170A1 (ja) * 2007-07-13 2009-01-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. 平衡不平衡変換素子
WO2009011169A1 (ja) * 2007-07-13 2009-01-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. 平衡不平衡変換素子
JP2009296235A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Toshiba Corp マーチャントバラン、送信機
JP2010109837A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Tdk Corp 薄膜バラン
WO2010055682A1 (ja) * 2008-11-14 2010-05-20 株式会社フジクラ 樹脂多層デバイスおよびその製造方法
JP2012034084A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Tdk Corp 薄膜バラン
JP2014204381A (ja) * 2013-04-09 2014-10-27 日本電信電話株式会社 マーチャントバラン
TWI562450B (ja) * 2015-01-26 2016-12-11 Trans Electric Co Ltd
WO2019155624A1 (ja) * 2018-02-09 2019-08-15 三菱電機株式会社 バラン及びアンテナ給電回路
CN111403378A (zh) * 2020-03-24 2020-07-10 北京邮电大学 一种薄膜集成无源元件ipd宽带射频巴伦芯片
JP2021090213A (ja) * 2021-02-10 2021-06-10 アンリツ株式会社 平衡不平衡変換器及びそれを備えた半導体集積回路
WO2024154165A1 (ja) * 2023-01-16 2024-07-25 三菱電機株式会社 平衡線路－不平衡線路変換器及びアンテナ装置

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6292070B1 (en) * 1999-03-11 2001-09-18 Anaren Microwave, Inc. Balun formed from symmetrical couplers and method for making same
JP3528044B2 (ja) 1999-04-06 2004-05-17 株式会社村田製作所 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機
SE513345C2 (sv) * 1999-06-30 2000-08-28 Ericsson Telefon Ab L M Balun
SE513470C2 (sv) * 1999-07-08 2000-09-18 Ericsson Telefon Ab L M Balunkrets
US6359528B1 (en) * 2000-03-09 2002-03-19 Atheros Communications, Inc. Space-optimized printed balun
US6621370B1 (en) 2000-09-15 2003-09-16 Atheros Communications, Inc. Method and system for a lumped-distributed balun
US6483415B1 (en) * 2001-05-21 2002-11-19 Industrial Technology Research Institute Multi-layer LC resonance balun
KR100974359B1 (ko) * 2001-12-06 2010-08-05 엔엑스피 비 브이 밸룬 변환기 및 이를 포함하는 송수신기
US6794954B2 (en) * 2002-01-11 2004-09-21 Power Wave Technologies, Inc. Microstrip coupler
US6683510B1 (en) * 2002-08-08 2004-01-27 Northrop Grumman Corporation Ultra-wideband planar coupled spiral balun
GB2399951B (en) * 2003-03-25 2006-09-13 Thales Plc Apparatus and method for signal transformation
US7479850B2 (en) * 2006-04-05 2009-01-20 Tdk Corporation Miniaturised half-wave balun
US20070285189A1 (en) * 2006-06-08 2007-12-13 Pei-Si Wu Marchand Balun With Air Bridge
US7978024B2 (en) * 2007-03-15 2011-07-12 Marvell International Ltd. Integrated balanced-unbalanced duplexer
US8248180B2 (en) * 2009-05-29 2012-08-21 Werlatone, Inc. Balun with intermediate conductor
US8248181B2 (en) * 2009-09-30 2012-08-21 Werlatone, Inc. Transmission-line transformer
US8354892B2 (en) * 2009-11-03 2013-01-15 Electronics And Telecommunications Research Institute Marchand balun device for forming parallel and vertical capacitance
FR2979042B1 (fr) * 2011-08-11 2014-03-07 St Microelectronics Tours Sas Coupleur differentiel
US8598964B2 (en) 2011-12-15 2013-12-03 Werlatone, Inc. Balun with intermediate non-terminated conductor
CN103066366B (zh) * 2013-01-31 2015-02-11 成都赛纳赛德科技有限公司 倒π型五端口H面功分器
US10181629B2 (en) * 2016-02-26 2019-01-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Marchand balun
WO2019021427A1 (ja) * 2017-07-27 2019-01-31 三菱電機株式会社 同相抑制回路
US10911016B2 (en) 2019-01-08 2021-02-02 Analog Devices, Inc. Wideband balun
US11101227B2 (en) 2019-07-17 2021-08-24 Analog Devices International Unlimited Company Coupled line structures for wideband applications
US10818996B1 (en) 2019-10-10 2020-10-27 Werlatone, Inc. Inductive radio frequency power sampler
US11342647B2 (en) 2019-11-26 2022-05-24 Raytheon Company Free-form dual dual-conductor integrated radio frequency media
US11011818B1 (en) 2020-08-04 2021-05-18 Werlatone, Inc. Transformer having series and parallel connected transmission lines
US10978772B1 (en) 2020-10-27 2021-04-13 Werlatone, Inc. Balun-based four-port transmission-line networks
CN113594654B (zh) * 2021-07-30 2023-10-27 上海联影医疗科技股份有限公司 平面巴伦

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2658364A1 (de) * 1976-12-23 1978-06-29 Hans Juergen Dr Ing Herzog Richtkoppler aus gekoppelten streifenleitungen
JPS5943004B2 (ja) * 1977-09-30 1984-10-19 富士通株式会社 方向性結合器
US4216446A (en) * 1978-08-28 1980-08-05 Motorola, Inc. Quarter wave microstrip directional coupler having improved directivity
JPS5662402A (en) * 1979-10-26 1981-05-28 Fujitsu Ltd Directional coupler
FR2515449B1 (fr) * 1981-10-23 1986-08-14 Thomson Csf Dispositif melangeur subharmonique hyperfrequence et systeme hyperfrequence utilisant un tel dispositif
US5025232A (en) * 1989-10-31 1991-06-18 Texas Instruments Incorporated Monolithic multilayer planar transmission line
US5416451A (en) * 1993-09-22 1995-05-16 Motorola, Inc. Circuit and method for balun compensation
JP2773617B2 (ja) * 1993-12-17 1998-07-09 株式会社村田製作所 バルントランス
JP2914247B2 (ja) * 1995-10-17 1999-06-28 日本電気株式会社 平衡変調器
DE19605569A1 (de) * 1996-02-15 1997-08-21 Daimler Benz Aerospace Ag Richtkoppler für den Hochfrequenzbereich
US5644272A (en) * 1996-03-05 1997-07-01 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson High frequency balun provided in a multilayer substrate

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003032010A (ja) * 2001-06-27 2003-01-31 Ind Technol Res Inst 多層ｒｆチップバラン
KR100531782B1 (ko) * 2002-08-13 2005-11-29 엘지전자 주식회사 밸룬 제조방법
WO2005076404A1 (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. 平衡型分配器
JPWO2005076404A1 (ja) * 2004-02-06 2008-01-10 株式会社村田製作所 平衡型分配器
US7468640B2 (en) 2004-02-06 2008-12-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Balanced splitter
JPWO2008041398A1 (ja) * 2006-09-29 2010-02-04 株式会社村田製作所 平衡不平衡変換素子、および平衡不平衡変換素子の製造方法
WO2008041398A1 (fr) * 2006-09-29 2008-04-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Élément de conversion d'équilibre/déséquilibre et son procédé de fabrication
JP4720906B2 (ja) * 2006-09-29 2011-07-13 株式会社村田製作所 平衡不平衡変換素子、および平衡不平衡変換素子の製造方法
KR100990298B1 (ko) 2006-09-29 2010-10-26 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 평형 불평형 변환 소자 및 평형 불평형 변환 소자의제조방법
US7567143B2 (en) 2006-09-29 2009-07-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Balanced-unbalanced transformation device and method for manufacturing balanced-unbalanced transformation device
US8228133B2 (en) 2007-07-03 2012-07-24 Soshin Electric Co., Ltd. Unbalanced-balanced converter
JPWO2009005079A1 (ja) * 2007-07-03 2010-08-26 双信電機株式会社 不平衡−平衡変換器
WO2009005079A1 (ja) * 2007-07-03 2009-01-08 Soshin Electric Co., Ltd. 不平衡－平衡変換器
JP4905554B2 (ja) * 2007-07-13 2012-03-28 株式会社村田製作所 平衡不平衡変換素子
WO2009011169A1 (ja) * 2007-07-13 2009-01-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. 平衡不平衡変換素子
WO2009011170A1 (ja) * 2007-07-13 2009-01-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. 平衡不平衡変換素子
JP4905555B2 (ja) * 2007-07-13 2012-03-28 株式会社村田製作所 平衡不平衡変換素子
JP2009296235A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Toshiba Corp マーチャントバラン、送信機
JP2010109837A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Tdk Corp 薄膜バラン
WO2010055682A1 (ja) * 2008-11-14 2010-05-20 株式会社フジクラ 樹脂多層デバイスおよびその製造方法
US8154360B2 (en) 2008-11-14 2012-04-10 Fujikura Ltd. Resin multilayer device and method for manufacturing same
JP2012034084A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Tdk Corp 薄膜バラン
JP2014204381A (ja) * 2013-04-09 2014-10-27 日本電信電話株式会社 マーチャントバラン
TWI562450B (ja) * 2015-01-26 2016-12-11 Trans Electric Co Ltd
WO2019155624A1 (ja) * 2018-02-09 2019-08-15 三菱電機株式会社 バラン及びアンテナ給電回路
CN111403378A (zh) * 2020-03-24 2020-07-10 北京邮电大学 一种薄膜集成无源元件ipd宽带射频巴伦芯片
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