JP2003032010A - 多層ｒｆチップバラン - Google Patents

多層ｒｆチップバラン

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JP2003032010A
JP2003032010A JP2002008853A JP2002008853A JP2003032010A JP 2003032010 A JP2003032010 A JP 2003032010A JP 2002008853 A JP2002008853 A JP 2002008853A JP 2002008853 A JP2002008853 A JP 2002008853A JP 2003032010 A JP2003032010 A JP 2003032010A
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line
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Ching Wen Tang
敬文 湯
Jyh Wen Sheen
志文 沈
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Industrial Technology Research Institute ITRI
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    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H01F2017/0026—Multilayer LC-filter

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  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 多層ＲＦチップバランを提供する。 【解決手段】 多層ＲＦチップバランの等価回路は、不
平衡ポート３３２，第１平衡ポート３３４ａ，第２平衡
ポート３３４ｂ，ブロードサイド結合線３０１〜３０ｎ
及び３１１〜３１ｍの複数セクションをもっている。ブ
ロードサイド結合線３０１の各セクションは一つの結合
率に対応し、さらに第１結合線３０１ａと３０１ｂを有
し、ブロードサイド結合線３１１のセクションは第１結
合線３１１ａと第２結合線３１１ｂを有している。不平
衡ポート３３２は入力ターミナルであり、二つの平衡ポ
ート３３４ａ，３３４ｂは出力ターミナルである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は無線ローカルネット
ワーク或いはパーソナルコミュニケーションに使用され
る一種の平衡・不平衡変成器（ｂａｌｕｎ）に係り、さ
らに詳しくは、マイクロチップ中に一つの装置として構
築されうる多層ＲＦチップバランに関する。
【０００２】
【従来の技術】バランは信号を不平衡回路構造と平衡回
路構造の間で変換する装置である。平衡回路の信号は同
じ振幅を有するが１８０°位相差を有する二つの信号成
分を有する。多くのアナログ回路は雑音と高要求共鳴を
減少し回路の動態範囲を改善するために平衡入力と出力
を必要とする。
【０００３】能動型或いは受動型の数種類のバランの型
式がある。受動型バランは集中型（ｌｕｍｐｅｄ−ｔｙ
ｐｅ）、コイル型、及び分配型（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅ
ｄ−ｔｙｐｅ）バランに分類される。集中型バランは、
集中型コンデンサとインダクタを使用しインピーダンス
をマッチさせると共に同じ振幅を有するが１８０°位相
差を有する二つの平衡信号を発生する。集中型バランを
改良したものは小体積で軽量である。しかし、二つの信
号間の１８０°位相差と同一振幅を維持するのは容易で
ない。
【０００４】コイル型バランは低周波数と超高周波数
（ＵＨＦ）帯域に使用される。コイル型バランがＵＨＦ
帯域より高い周波数帯域で使用される時、考慮すべき損
失が発生する。さらに、それは最小化の限界に達してお
りそれ以上寸法を縮小できなかった。
【０００５】分配型バランはさらに１８０°ハイブリッ
ドとマーチャンド（Ｍａｒｃｈａｎｄ）に分けられる。
１８０°ハイブリッドバランはマイクロウエーブ周波数
帯域において非常に良好な周波数応答を有する。しか
し、その寸法は、２００ＭＨｚと数ＧＨｚの間のＲＦ範
囲で使用される時には問題を発生する。なぜなら１８０
°ハイブリッドバランは数セクションの１／４波長伝送
線（ｑｕａｔｅｒ ｗａｖｅ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏ
ｎ ｌｉｎｅｓ）を含み、寸法を縮小することが難しい
ためである。もし曲がった方法で製造しても、重要区域
は尚も必要である。寸法を減少する一つの方法はパワー
分配器を１８０°位相差を発生するための異なる長さを
有する一対の伝送線と共に使用することである。しかし
そうしても、寸法は尚大き過ぎる。
【０００６】図１は工業用に一般に使用されているマー
チャンドバランであり、それは２セクションの１／４波
長結合線を含む。この型式のバランは非常に大きなバン
ド幅を有する。マーチャンドバランの位相バランスとパ
ワー分配はいずれも良好である。しかし、マーチャンド
バランの伝送線は十分なバンド幅を達成するためきつく
結合されなければならない。ゆえにマーチャンドバラン
はブロードサイド結合されてそのエリアを減少する。そ
れはまた曲がった方法でその寸法が最小化される。該バ
ランは一般にＲＦアプリケーションに見られる。高誘電
率材料もまたマーチャンドバランの寸法縮小に使用され
うる。
【０００７】米国特許第５，４９７，１３７号に記載の
チップタイプ変成器は積み重ねられたた５つの絶縁基板
２１４ａ−２１４ｅで組成された一つの積層２００を具
えている。接地電極２１６は第１絶縁基板２１４ａの主
表面上に形成されている。もう一つの接地電極２３０が
第５絶縁基板２１４ｅの主表面上に形成されている。連
接電極２２０が第２絶縁基板２１４ｂの主表面上に形成
されている。
【０００８】第３絶縁基板２１４ｃ上に第１裸線２２２
がある。第１裸線２２２は第１渦巻部２２４ａと第２渦
巻部２２４ｂを具え、これらの渦巻部はそれぞれ電磁的
に第４絶縁基板２１４ｄ上に形成された第２裸線２２６
と第３裸線２２８に結合されている。該チップタイプバ
ランはブロードサイド結合され高誘電率材料により最小
化されている。しかし、その寸法は低誘電率材料を使用
した場合にはチップ寸法まで減らすことができなかっ
た。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来のバラン
の欠点を克服するためになされた。本発明の主要な課題
は一種の多層ＲＦチップバランを提供することにある。
該多層ＲＦチップバランは多層絶縁構造を具える。該多
層絶縁構造の等価回路は少なくとも、入力ポート、第１
及び第２出力ポート、ブロードサイド結合線の数個の同
等のセクションを含む。結合線の各セクションは特殊形
態に配線され、二つの結合線で組成されている。結合線
の各セクションは中心に関して両側で幾何学的に対称で
ある。位相と振幅は平衡ポートでいずれも良好に平衡を
保つ。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、ＲＦ
チップバランにおいて、入力ポートと、第１及び第２出
力ポートと、結合線の少なくとも一つのセクションの第
１グループとされ、該第１グループの各セクションが結
合係数に対応し第１及び第２結合線を具え、該第１グル
ープにおける各セクションの第１結合線が直列に連結さ
れて第１結合線の第１条を形成し、該第１グループの各
セクションの第２結合線が第１出力ポートと接地の間で
直列に連結された、上記第１グループと、結合線の少な
くとも一つのセクションの第２グループとされ、該第２
グループの各セクションが結合係数に対応し第１及び第
２結合線を具え、該第２グループにおける各セクション
の第１結合線が直列に連結されて第１結合線の第２条を
形成し、該第２グループの各セクションの第２結合線が
第２出力ポートと接地の間で直列に連結された、上記第
２グループと、を具え、そのうち、第１結合線の第１条
と第１結合線の第２条が該入力ポートと開放ターミナル
の間で直列に連結されたことを特徴とする、ＲＦチップ
バランとしている。請求項２の発明は、請求項１に記載
のＲＦチップバランにおいて、異なる結合係数を有する
結合線の少なくとも二つのセクションを含むことを特徴
とする、ＲＦチップバランとしている。請求項３の発明
は、請求項１に記載のＲＦチップバランにおいて、結合
線のセクションの各結合線が渦巻状、方形蛇行状、正弦
曲線状或いは鋸歯状を呈することを特徴とする、ＲＦチ
ップバランとしている。請求項４の発明は、請求項１に
記載のＲＦチップバランにおいて、結合線のセクション
の各結合線が低損失金属で形成されたことを特徴とす
る、ＲＦチップバランとしている。請求項５の発明は、
請求項１に記載のＲＦチップバランにおいて、該バラン
が多層絶縁構造により形成されたことを特徴とする、Ｒ
Ｆチップバランとしている。請求項６の発明は、請求項
５に記載のＲＦチップバランにおいて、多層絶縁構造が
少なくとも７個の垂直に積み重ねられた絶縁層を含み、
この７個の絶縁層が、接地平面が形成された主表面を具
えた第１絶縁層と、第２絶縁層とされ、第１グループの
結合線の第１セクションの第２結合線と該第１グループ
の結合線の第２セクションの第２結合線と、第１出力ポ
ートが形成された主表面を具えた、上記第２絶縁層と、
第３絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
ョンの第１結合線と該第１グループの結合線の第２セク
ションの第１結合線と、入力ポートが形成された主表面
を具えた、上記第３絶縁層と、接地平面と貫通孔が形成
された主表面を具えた第４絶縁層と、第５絶縁層とさ
れ、第２グループの結合線の第１セクションの第１結合
線と該第２グループの結合線の第２セクションの第１結
合線が形成された主表面を具えた、上記第５絶縁層と、
第６絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
ョンの第２結合線と該第２グループの結合線の第２セク
ションの第２結合線と第２出力ポートが形成された主表
面を具えた、上記第６絶縁層と、接地平面が形成された
主表面を具えた第７絶縁層と、を含むことを特徴とす
る、ＲＦチップバランとしている。請求項７の発明は、
請求項６に記載のＲＦチップバランにおいて、第１グル
ープの結合線の第２セクションの第２結合線は第２絶縁
層の主表面の下部左側から下部右側へと延伸され、該第
１グループの結合線の第１セクションの第２結合線は第
２絶縁層の主表面の右側に形成され、第２グループの結
合線の第２セクションの第２結合線は第６絶縁層の主表
面の下部左側から下部右側へと延伸され、該第２グルー
プの結合線の第１セクションの第２結合線は第６絶縁層
の主表面の右側に形成され、第１グループの結合線の第
２セクションの第１結合線は第３絶縁層の主表面の下部
左側から下部右側へと延伸され、該第１グループの結合
線の第１セクションの第１結合線は第３絶縁層の主表面
の右側に形成され、第２グループの結合線の第２セクシ
ョンの第１結合線は第５絶縁層の主表面の下部左側から
下部右側へと延伸され、該第２グループの結合線の第１
セクションの第１結合線は第５絶縁層の主表面の右側に
形成されたことを特徴とする、ＲＦチップバランとして
いる。請求項８の発明は、請求項６に記載のＲＦチップ
バランにおいて、第１グループと第２グループの、結合
線の第２セクションの結合線の幅が結合線の第１セクシ
ョンの結合線の幅より広いことを特徴とする、ＲＦチッ
プバランとしている。請求項９の発明は、請求項６に記
載のＲＦチップバランにおいて、第２絶縁層の結合線の
第２セクションの第２結合線は第２絶縁層上の結合線の
第１セクションの第２結合線の第１端に結合された第１
端と、該第１絶縁層に貫通孔を透過して連結された第２
端とを具え、第２絶縁層上の第１セクションの第２結合
線の第２端は第１出力ポートに連結され、第６絶縁層上
の結合線の第２セクションの第２結合線は第６絶縁層上
の結合線の第１セクションの第２結合線の第１端に連結
された第１端と、貫通孔を透過して第７絶縁層に連結さ
れた第２端とを具え、第６絶縁層上の結合線の第１セク
ションの第２結合線の第２端は第２出力ポートに連結さ
れ、第３絶縁層上の結合線の第２セクションの第１結合
線は第３絶縁層上の結合線の第１セクションの第１結合
線に連結する第１端を具え、第５絶縁層上の結合線の第
２セクションの第１結合線は第５絶縁層上の結合線の第
１セクションの第１結合線に連結された第１端を具え、
第３絶縁層上の結合線の第１セクションの第１結合線は
第４絶縁層上の貫通孔を介して第５絶縁層上の結合線の
第１セクションの第１結合線に連結されたことを特徴と
する、ＲＦチップバランとしている。請求項１０の発明
は、請求項５に記載のＲＦチップバランにおいて、多層
絶縁構造が少なくとも６個の垂直に積み重ねられた絶縁
層を具え、この６個の絶縁層が、金属接地平面が形成さ
れた主表面を具えた第１絶縁層と、第２絶縁層とされ、
第１グループの結合線の第１セクションの第２結合線と
該第１グループの結合線の第２セクションの第２結合線
と、第１出力ポートが形成された主表面を具えた、上記
第２絶縁層と、第３絶縁層とされ、第１グループの結合
線の第１セクションの第１結合線と該第１グループの結
合線の第２セクションの第１結合線と、入力ポートが形
成された主表面を具えた、上記第３絶縁層と、第４絶縁
層とされ、第２グループの結合線の第１セクションの第
１結合線と該第２グループの結合線の第２セクションの
第１結合線とが形成された主表面を具えた、上記第４絶
縁層と、第５絶縁層とされ、第２グループの結合線の第
１セクションの第２結合線と該第２グループの結合線の
第２セクションの第２結合線と、第２出力ポートが形成
された主表面を具えた、上記第５絶縁層と、金属接地平
面と貫通孔が形成された主表面を具えた第６絶縁層と、
を含むことを特徴とする、ＲＦチップバランとしてい
る。請求項１１の発明は、請求項５に記載のＲＦチップ
バランにおいて、多層絶縁構造が少なくとも１１個の垂
直に積み重ねられた絶縁層を具え、この１１個の絶縁層
が、接地平面が形成された主表面を具えた第１絶縁層
と、第２絶縁層とされ、第１出力ポートが形成された主
表面を具えた、上記第２絶縁層と、第３絶縁層とされ、
第１グループの結合線の第１セクションの第２結合線と
該第１グループの結合線の第２セクションの第２結合線
が形成された主表面を具えた、上記第３絶縁層と、第４
絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクション
の第１結合線と該第１グループの結合線の第２セクショ
ンの第１結合線と、入力ポートが形成された主表面を具
えた、上記第４絶縁層と、第５絶縁層とされ、接地平面
が形成された主表面を具えた、上記第５絶縁層と、第６
絶縁層とされ、接地平面と貫通孔が形成された主表面を
具えた、上記第６絶縁層と、第７絶縁層とされ、接地平
面が形成された主表面を具えた、上記第７絶縁層と、第
８絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクショ
ンの第１結合線と該第２グループの結合線の第２セクシ
ョンの第１結合線とが形成された主表面を具えた、上記
第８絶縁層と、第９絶縁層とされ、第２グループの結合
線の第１セクションの第２結合線と該第２グループの結
合線の第２セクションの第２結合線とが形成された主表
面を具えた、上記第９絶縁層と、第１０絶縁層とされ、
第２出力ポートが形成された主表面を具えた、上記第１
０絶縁層と、第１１絶縁層とされ、接地平面が形成され
た主表面を具えた、上記第１１絶縁層と、を含むことを
特徴とする、ＲＦチップバランとしている。請求項１２
の発明は、請求項１１に記載のＲＦチップバランにおい
て、接地平面が金属材料で形成されたことを特徴とす
る、ＲＦチップバランとしている。請求項１３の発明
は、請求項５に記載のＲＦチップバランにおいて、多層
絶縁構造が少なくとも９個の垂直に積み重ねられた絶縁
層を具え、この９個の絶縁層が、接地平面が形成された
主表面を具えた第１絶縁層と、第２絶縁層とされ、第１
出力ポートが形成された主表面を具えた、上記第２絶縁
層と、第３絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１
セクションの第２結合線と該第１グループの結合線の第
２セクションの第２結合線が形成された主表面を具え
た、上記第３絶縁層と、第４絶縁層とされ、第１グルー
プの結合線の第１セクションの第１結合線と該第１グル
ープの結合線の第２セクションの第１結合線と、入力ポ
ートが形成された主表面を具えた、上記第４絶縁層と、
第５絶縁層とされ、接地平面と貫通孔が形成された主表
面を具えた、上記第５絶縁層と、第６絶縁層とされ、第
２グループの結合線の第１セクションの第１結合線と該
第２グループの結合線の第２セクションの第１結合線と
が形成された主表面を具えた、上記第６絶縁層と、第７
絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクション
の第２結合線と該第２グループの結合線の第２セクショ
ンの第２結合線とが形成された主表面を具えた、上記第
７絶縁層と、第８絶縁層とされ、第２出力ポートが形成
された主表面を具えた、上記第８絶縁層と、第９絶縁層
とされ、接地平面が形成された主表面を具えた、上記第
９絶縁層と、を含むことを特徴とする、ＲＦチップバラ
ンとしている。請求項１４の発明は、請求項５に記載の
ＲＦチップバランにおいて、多層絶縁構造が少なくとも
１１個の垂直に積み重ねられた絶縁層を具え、この１１
個の絶縁層が、接地平面が形成された主表面を具えた第
１絶縁層と、第２絶縁層とされ、金属板を具えた主表面
を具えた、上記第２絶縁層と、第３絶縁層とされ、第１
グループの結合線の第１セクションの第２結合線と該第
１グループの結合線の第２セクションの第２結合線と、
第１出力ポートが形成された主表面を具えた、上記第３
絶縁層と、第４絶縁層とされ、第１グループの結合線の
第１セクションの第１結合線と該第１グループの結合線
の第２セクションの第１結合線と、入力ポートが形成さ
れた主表面を具えた、上記第４絶縁層と、第５絶縁層と
され、金属板を具えた主表面を具えた、上記第５絶縁層
と、第６絶縁層とされ、接地平面と貫通孔が形成された
主表面を具えた、上記第６絶縁層と、第７絶縁層とさ
れ、金属板を具えた主表面を具えた、上記第７絶縁層
と、第８絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セ
クションの第１結合線と該第２グループの結合線の第２
セクションの第１結合線とが形成された主表面を具え
た、上記第８絶縁層と、第９絶縁層とされ、第２グルー
プの結合線の第１セクションの第２結合線と該第２グル
ープの結合線の第２セクションの第２結合線と、第２出
力ポートが形成された、上記第９絶縁層と、第１０絶縁
層とされ、金属板を具えた主表面を具えた、上記第１０
絶縁層と、第１１絶縁層とされ、接地平面が形成された
主表面を具えた、上記第１１絶縁層と、を含むことを特
徴とする、ＲＦチップバランとしている。請求項１５の
発明は、請求項１４に記載のＲＦチップバランにおい
て、第２、第５、第７、及び第１０絶縁層の金属板が側
部電極に連結されバランが該側部電極により接地するこ
とを特徴とする、ＲＦチップバランとしている。請求項
１６の発明は、請求項１４に記載のＲＦチップバランに
おいて、第２、第５、第７、及び第１０絶縁層の金属板
が貫通孔を透過して接地平面に連結されたことを特徴と
する、ＲＦチップバランとしている。請求項１７の発明
は、ＲＦチップバランにおいて、入力ポートと、第１及
び第２出力ポートと、第１端と第２端を具えた伝送線
と、結合線の少なくとも一つのセクションの第１グルー
プとされ、該第１グループの各セクションが結合係数に
対応し第１及び第２結合線を具え、該第１グループにお
ける各セクションの第１結合線が該入力ポートと該伝送
線の第１端の間で直列に連結され、該第１グループの各
セクションの第２結合線が該第１出力ポートと接地の間
で直列に連結された、上記第１グループと、結合線の少
なくとも一つのセクションの第２グループとされ、該第
２グループの各セクションが結合係数に対応し第１及び
第２結合線を具え、該第２グループにおける各セクショ
ンの第１結合線が該伝送線の第２端と開放ターミナルの
間で直列に連結され、該第２グループの各セクションの
第２結合線が第２出力ポートと接地の間で直列に連結さ
れた、上記第２グループと、を具えたことを特徴とす
る、ＲＦチップバランとしている。請求項１８の発明
は、請求項１７に記載のＲＦチップバランにおいて、伝
送線が容量性であることを特徴とする、ＲＦチップバラ
ンとしている。請求項１９の発明は、請求項１７に記載
のＲＦチップバランにおいて、伝送線が誘導性であるこ
とを特徴とする、ＲＦチップバランとしている。請求項
２０の発明は、請求項１７に記載のＲＦチップバランに
おいて、結合線のセクションの各結合線が渦巻状、方形
蛇行状、正弦曲線状或いは鋸歯状を呈することを特徴と
する、ＲＦチップバランとしている。請求項２１の発明
は、請求項１７に記載のＲＦチップバランにおいて、結
合線のセクションの各結合線が低損失金属で形成された
ことを特徴とする、ＲＦチップバランとしている。請求
項２２の発明は、請求項１７に記載のＲＦチップバラン
において、伝送線が低損失金属で形成されたことを特徴
とする、ＲＦチップバランとしている。請求項２３の発
明は、請求項１７に記載のＲＦチップバランにおいて、
該バランが多層絶縁構造により形成されたことを特徴と
する、ＲＦチップバランとしている。請求項２４の発明
は、請求項２３に記載のＲＦチップバランにおいて、多
層絶縁構造が少なくとも７個の垂直に積み重ねられた絶
縁層を含み、この７個の絶縁層が、接地平面が形成され
た主表面を具えた第１絶縁層と、第２絶縁層とされ、第
１グループの結合線の第１セクションの第２結合線と該
第１グループの結合線の第２セクションの第２結合線
と、第１出力ポートが形成された主表面を具えた、上記
第２絶縁層と、第３絶縁層とされ、第１グループの結合
線の第１セクションの第１結合線と該第１グループの結
合線の第２セクションの第１結合線と、伝送線の第１セ
クションを具えた主表面を具えた、上記第３絶縁層と、
接地平面と貫通孔が形成された主表面を具えた第４絶縁
層と、第５絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１
セクションの第１結合線と該第２グループの結合線の第
２セクションの第１結合線と伝送線の第２セクションを
具えた主表面を具えた、上記第５絶縁層と、第６絶縁層
とされ、第２グループの結合線の第１セクションの第２
結合線と該第２グループの結合線の第２セクションの第
２結合線と第２出力ポートが形成された主表面を具え
た、上記第６絶縁層と、接地平面が形成された主表面を
具えた第７絶縁層と、を含むことを特徴とする、ＲＦチ
ップバランとしている。請求項２５の発明は、請求項２
４に記載のＲＦチップバランにおいて、第１グループの
結合線の第２セクションの第２結合線は第２絶縁層の主
表面の下部左側から下部右側へと延伸され、該第１グル
ープの結合線の第１セクションの第２結合線は第２絶縁
層の主表面の右側に形成され、第２グループの結合線の
第２セクションの第２結合線は第６絶縁層の主表面の下
部左側から下部右側へと延伸され、該第２グループの結
合線の第１セクションの第２結合線は第６絶縁層の主表
面の右側に形成され、第１グループの結合線の第２セク
ションの第１結合線は第３絶縁層の主表面の下部左側か
ら下部右側へと延伸され、該第１グループの結合線の第
１セクションの第１結合線は第３絶縁層の主表面の右側
に形成され、第２グループの結合線の第２セクションの
第１結合線は第５絶縁層の主表面の下部左側から下部右
側へと延伸され、該第２グループの結合線の第１セクシ
ョンの第１結合線は第５絶縁層の主表面の右側に形成さ
れたことを特徴とする、ＲＦチップバランとしている。
請求項２６の発明は、請求項２４に記載のＲＦチップバ
ランにおいて、第１グループと第２グループの、結合線
の第２セクションの結合線の幅が結合線の第１セクショ
ンの結合線の幅より広いことを特徴とする、ＲＦチップ
バランとしている。請求項２７の発明は、請求項２４に
記載のＲＦチップバランにおいて、第２絶縁層の結合線
の第２セクションの第２結合線は第２絶縁層上の結合線
の第１セクションの第２結合線の第１端に結合された第
１端と、該第１絶縁層に貫通孔を透過して連結された第
２端とを具え、第２絶縁層上の第１セクションの第２結
合線の第２端は第１出力ポートに連結され、第６絶縁層
上の結合線の第２セクションの第２結合線は第６絶縁層
上の結合線の第１セクションの第２結合線の第１端に連
結された第１端と、貫通孔を透過して第７絶縁層に連結
された第２端とを具え、第６絶縁層上の結合線の第１セ
クションの第２結合線の第２端は第２出力ポートに連結
され、第３絶縁層上の結合線の第２セクションの第１結
合線は第３絶縁層上の結合線の第１セクションの第１結
合線に連結する第１端と入力ポートに連結する第２端を
具え、第３絶縁層上の第１セクションの結合線の第１結
合線は第３絶縁層上の伝送線の第１セクションに連結す
る第２端を具え、第５絶縁層上の結合線の第２セクショ
ンの第１結合線は第５絶縁層上の結合線の第１セクショ
ンの第１結合線に連結された第１端を具え、第５絶縁層
上の結合線の第１セクションの第１結合線は第５絶縁層
上の伝送線の第２セクションに連結された第２端を具
え、第３絶縁層上の伝送線の第１セクションが第４絶縁
層の貫通孔を透過して第５絶縁層上の伝送線の第２セク
ションに連結されたことを特徴とする、ＲＦチップバラ
ンとしている。請求項２８の発明は、請求項２３に記載
のＲＦチップバランにおいて、多層絶縁構造が少なくと
も１１個の垂直に積み重ねられた絶縁層を具え、この１
１個の絶縁層が、接地平面が形成された主表面を具えた
第１絶縁層と、第２絶縁層とされ、第１出力ポートが形
成された主表面を具えた、上記第２絶縁層と、第３絶縁
層とされ、第１グループの結合線の第１セクションの第
２結合線と該第１グループの結合線の第２セクションの
第２結合線が形成された主表面を具えた、上記第３絶縁
層と、第４絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１
セクションの第１結合線と該第１グループの結合線の第
２セクションの第１結合線と、伝送線の第１セクション
と、入力ポートが形成された主表面を具えた、上記第４
絶縁層と、第５絶縁層とされ、接地平面が形成された主
表面を具えた、上記第５絶縁層と、第６絶縁層とされ、
接地平面と貫通孔が形成された主表面を具えた、上記第
６絶縁層と、第７絶縁層とされ、接地平面が形成された
主表面を具えた、上記第７絶縁層と、第８絶縁層とさ
れ、第２グループの結合線の第１セクションの第１結合
線と該第２グループの結合線の第２セクションの第１結
合線と伝送線の第２セクションが形成された主表面を具
えた、上記第８絶縁層と、第９絶縁層とされ、第２グル
ープの結合線の第１セクションの第２結合線と該第２グ
ループの結合線の第２セクションの第２結合線とが形成
された主表面を具えた、上記第９絶縁層と、第１０絶縁
層とされ、第２出力ポートが形成された主表面を具え
た、上記第１０絶縁層と、第１１絶縁層とされ、接地平
面が形成された主表面を具えた、上記第１１絶縁層と、
を含むことを特徴とする、ＲＦチップバランとしてい
る。請求項２９の発明は、請求項２８に記載のＲＦチッ
プバランにおいて、接地平面が金属材料で形成されたこ
とを特徴とする、ＲＦチップバランとしている。請求項
３０の発明は、請求項２３に記載のＲＦチップバランに
おいて、多層絶縁構造が少なくとも６個の垂直に積み重
ねられた絶縁層を具え、この６個の絶縁層が、金属接地
平面が形成された主表面を具えた第１絶縁層と、第２絶
縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクションの
第２結合線と該第１グループの結合線の第２セクション
の第２結合線と、第１出力ポートが形成された主表面を
具えた、上記第２絶縁層と、第３絶縁層とされ、第１グ
ループの結合線の第１セクションの第１結合線と該第１
グループの結合線の第２セクションの第１結合線と、伝
送線の第１セクションと、入力ポートが形成された主表
面を具えた、上記第３絶縁層と、第４絶縁層とされ、第
２グループの結合線の第１セクションの第１結合線と該
第２グループの結合線の第２セクションの第１結合線と
伝送線の第２セクションが形成された主表面を具えた、
上記第４絶縁層と、第５絶縁層とされ、第２グループの
結合線の第１セクションの第２結合線と該第２グループ
の結合線の第２セクションの第２結合線と、第２出力ポ
ートが形成された主表面を具えた、上記第５絶縁層と、
金属接地平面と貫通孔が形成された主表面を具えた第６
絶縁層と、を含むことを特徴とする、ＲＦチップバラン
としている。請求項３１の発明は、請求項２３に記載の
ＲＦチップバランにおいて、多層絶縁構造が少なくとも
９個の垂直に積み重ねられた絶縁層を具え、この９個の
絶縁層が、接地平面が形成された主表面を具えた第１絶
縁層と、第２絶縁層とされ、第１出力ポートが形成され
た主表面を具えた、上記第２絶縁層と、第３絶縁層とさ
れ、第１グループの結合線の第１セクションの第２結合
線と該第１グループの結合線の第２セクションの第２結
合線が形成された主表面を具えた、上記第３絶縁層と、
第４絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
ョンの第１結合線と該第１グループの結合線の第２セク
ションの第１結合線と、伝送線の第１セクションと、入
力ポートが形成された主表面を具えた、上記第４絶縁層
と、第５絶縁層とされ、接地平面と貫通孔が形成された
主表面を具えた、上記第５絶縁層と、第６絶縁層とさ
れ、第２グループの結合線の第１セクションの第１結合
線と該第２グループの結合線の第２セクションの第１結
合線と伝送線の第２セクションが形成された主表面を具
えた、上記第６絶縁層と、第７絶縁層とされ、第２グル
ープの結合線の第１セクションの第２結合線と該第２グ
ループの結合線の第２セクションの第２結合線とが形成
された主表面を具えた、上記第７絶縁層と、第８絶縁層
とされ、第２出力ポートが形成された主表面を具えた、
上記第８絶縁層と、第９絶縁層とされ、接地平面が形成
された主表面を具えた、上記第９絶縁層と、を含むこと
を特徴とする、ＲＦチップバランとしている。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明によると、多層ＲＦチップ
バランは多層絶縁構造を具える。該多層絶縁構造の等価
回路は少なくとも、入力ポート、第１及び第２出力ポー
ト、ブロードサイド結合線の数個の同等のセクションを
含む。結合線の各セクションは特殊形態に配線され、二
つの結合線で組成されている。結合線の各セクションは
中心に関して両側で幾何学的に対称である。位相と振幅
は平衡ポートでいずれも良好に平衡を保つ。
【００１２】本発明によると、多層ＲＦチップバランは
結合伝送線の係数比を有して適当に平衡ポートでのイン
ピーダンスをマッチさせる。各平衡ポートの各ターミナ
ルは分離した絶縁層に形成される。ゆえに、平衡ポート
の位置を設計しやすくバンド幅は伝送線の長さが増加す
るため増加する。また、伝送線のトリミングセクション
をこの装置に挿入することにより平衡ポート間で位相と
振幅バランスを調整でき、平衡ポートのインピーダンス
が適当にマッチさせられる。挿入される伝送線トリミン
グセクションは容量性或いは誘導性とされる。
【００１３】本発明の第３実施例によると、渦巻状に形
成されて平衡ポートにて高インピーダンスを有する結合
線を使用している。
【００１４】本発明の第４実施例によると、渦巻状に形
成されて平衡ポートにて低インピーダンスを有する結合
線を使用している。本発明の第５実施例によると、渦巻
状に形成されて平衡ポートにて高インピーダンスを有す
る結合線を使用している。第４、第５実施例は金属板を
側部電極への連結に使用している。ゆえに、もともと広
くなければならなかったブロードサイド結合線のセクシ
ョンの幅が狭められ、配線数が増加される。もし金属板
が側部電極に連結不能であれば、接地平面と金属板の間
の連結は孔を介するように設計され、これによりブロー
ドサイド結合線のセクションの幅は狭められ配線数は増
加可能である。
【００１５】本発明の第６実施例によると、上述の五つ
の実施例におけるバラン構造中の内側接地金属絶縁層が
削除されて層数が減少され構成が簡素化されている。
【００１６】本発明のバランの操作効率は接地金属絶縁
層を有する及び接地金属絶縁層を有さない多層回路構造
に基づき分析される。結果は、操作周波数範囲２００Ｍ
Ｈｚ及び中心周波数２．４４ＧＨｚの条件下で振幅差は
０．５ｄＢより小さく及び位相差は３°より小さい。
【００１７】
【実施例】図３は、本発明の第１実施例の多層ＲＦチッ
プバラン３００の等価回路図である。該多層ＲＦチップ
バランの等価回路は不平衡ポート３３２、第１平衡ポー
ト３３４ａ、第２平衡ポート３３４ｂ、ブロードサイド
結合線３０１〜３０ｎ及び３１１から３１ｍの複数のセ
クションを具えている。ブロードサイド結合線の各セク
ションは一つの結合率に対応する。図３に示される等価
回路は少なくとも二つの結合率を有する。結合線の各セ
クションは、第１及び第２結合線を含む。ブロードサイ
ド結合線３０１のセクションは第１結合線３０１ａと第
２結合線３０１ｂを含み、ブロードサイド結合線３１１
のセクションは第１結合線３１１ａと第２結合線３１１
ｂ、等を含む。
【００１８】不平衡ポート３３２は入力ターミナルであ
り、二つの平衡ポート３３４ａと３３４ｂは出力ターミ
ナルである。第１平衡ポート３３４ａの左手はブロード
サイド結合線３０１〜３０ｎのｎセクションを有する。
第２平衡ポート３３４ｂの右手はブロードサイド結合線
３１１〜３１ｍのｍセクションを有する。中間セクショ
ンの各第１結合線は直列に連結され、中間セクションの
第２結合線も同様に直列に連結される。第１平衡ポート
３３４ａは金属線３３５ａで結合線３０１ｂｎｉ連結さ
れ、第２平衡ポート３３４ｂは金属線３３５ｂで結合線
３１１ｂに連結されている。殆どの左のセクション３０
ｎはその第１結合線３０ｎａはその第１結合線３０ｎａ
が不平衡ポート３３２に裸線（ｓｔｒｉｐ ｌｉｎｅ）
３３３を透過して連結され、その第２結合線３０ｎｂは
金属線３２３ａを透過して地面７７７に連結している。
殆どの右のセクション３１ｍの第２結合線３１ｍｂは金
属線３２３ｂを透過して地面７７７に連結され、第１結
合線３１ｍａは左開放（ｌｅｆｔ ｏｐｅｎ）である。
【００１９】入力ターミナルのほか、結合線は中心に関
して左右で完全に幾何対称であり、これは図３に示され
るとおりである。位相とマグニチュードは平衡ポートで
良好に平衡を保つ。ブロードサイド結合線の各セクショ
ンの幅と長さ或いは各層の厚さを調整することにより、
平衡ポートにおけるインピーダンスを適当にマッチさせ
られ、装置寸法を減少可能である。実際には第１実施例
のブロードサイド結合線は対称或いは非対称構造とされ
うる。
【００２０】図４は本発明による、二つの結合線の間に
伝送線のトリミングセクションを挿入して図３の回路を
延伸した多層ＲＦチップバランの別の等価回路図であ
る。平衡ポート間で位相と振幅平衡を増進するため、入
力／出力ターミナルが複合値を有する時、平衡及び不平
衡ポート間の複雑なインピーダンスは適当にマッチさせ
られる。図４を参照されたい。図４において伝送線トリ
ミングセクション４０３は結合線３０１ａの１端に裸線
４１４ａを介して連結される第１端と、結合線３１１ａ
の一端に裸線４１４ｂを介して連結される第２端とを具
えている。実施時には、伝送線トリミングセクション４
０３は容量性或いは能動性とされる。
【００２１】この発明の好ましい実施例において、結合
線のマルチセクションは合併されうる。結合線は渦巻
線、方形蛇行線、正弦曲線線、鋸歯線のような屈曲線と
共に形成され、これは図５、６、７、８に示されるとお
りである。これらの屈曲線により、バランの寸法を縮小
できる。
【００２２】本発明の結合線は中心に関して左右が幾何
学的に対称な構造を有するため、対称構造の半分を上方
に移動することによりバランの寸法を縮小し、これによ
り上から下に対称な構造を形成することができる。上向
き及び下向きに延伸された対称構造の形成により多層構
造を利用しバランの寸法を縮小できる。以下に上から下
に対称な多層構造の好ましい数種の実施例を示す。
【００２３】図９は本発明の平衡ポートにて低インピー
ダンスを有する多層ＲＦチップバランの第１実施例を示
し、そのうち結合線は渦巻状に形成されている。図９に
示されるように、該バランは７つの絶縁基板６１２ａ−
６１２ｇを具え、それは一つずつ重ねられている。第１
及び第７絶縁層６１２ａ及び６１２ｇの主表面はこの装
置の第１及び第２接地平面とされる。これらの接地表面
は金属材料で形成される。
【００２４】ブロードサイド結合線の第１セクションの
第２結合線６２１ｂ、ブロードサイド結合線の第２セク
ションの第２結合線６２２ｂ、及び第１出力ポート６５
０ａは第２絶縁層６１２ｂに形成されている。結合線６
２２ｂは主表面の下方の左側から右側に形成され、結合
線６２１ｂは主表面の右側に形成されている。結合線６
２２ｂの幅は結合線６２１ｂの幅より広い。上述したよ
うに、ブロードサイド結合線の各セクションの幅と長さ
を調整することにより、平衡ポートのインピーダンスを
適当にマッチさせられる。第１出力ポート６５０ａが主
表面の上部右端に形成されている。結合線６２２ｂは結
合線６２１ｂに連結された一端を具え、もう一端は第１
接地表面６１２ａに連結され、これは点線で示されると
おりである。結合線６２１ｂの別端は第１出力ポート６
５０ａに連結されている。
【００２５】ブロードサイド結合線の第３セクションの
第２結合線６２４ｂ、ブロードサイド結合線の第４セク
ションの第２結合線６２５ｂ、及び第２出力ポート６５
０ｂが第６絶縁層６１２ｆに形成されている。結合線６
２５ｂは主表面の下方の左側から右側に形成され、結合
線６２４ｂは主表面の右側に形成されている。結合線６
２５ｂの幅は結合線６２４ｂの幅より広い。第２出力ポ
ート６５０ｂが主表面の上部左端に形成されている。結
合線６２５ｂは結合線６２４ｂに連結された一端を具
え、もう一端は第２接地表面６１２ｇに連結され、これ
は点線で示されるとおりである。結合線６２４ｂの別端
は第２出力ポート６５０ｂに連結されている。
【００２６】結合線の第１セクションの第１結合線６２
１ｂ、結合線の第２セクションの第１結合線６２２ａ、
及び入力ポート６３０が第３絶縁層６１２ｃに形成され
ている。結合線６２２ａの範囲は主表面の下方の左側か
ら右側であり、結合線６２１ａの範囲は主表面の右側か
ら中央である。結合線６２２ａの幅は結合線６２１ａの
幅より広い。入力ポート６３０が主表面の下部左端に形
成されている。結合線６２２ａの一端は結合線６２１ａ
の一端に連結され、別端は入力ポート６３０に連結され
ている。
【００２７】結合線の第３セクションの第１結合線６２
４ａと結合線の第４セクションの第１結合線６２５ａが
第５絶縁層６１２ｅの主表面に形成されている。結合線
６２５ａの範囲は主表面の下方の左側から右側であり、
結合線６２４ａの範囲は主表面の右側から中央である。
結合線６２５ａの幅は結合線６２４ａの幅より広い。結
合線６２５ａの一端は結合線６２４ａの一端に連結さ
れ、別端は左側開放である。
【００２８】第４絶縁層の主表面は接地平面とされて貫
通孔６１５（ｖｉａ ｈｏｌｅ）を有する。該接地平面
は金属材料で形成される。結合線６２４ａと６２１ａは
貫通孔６１５を介して連結されこれは点線で示されると
おりである。この装置の全ての結合線は渦巻状に形成さ
れている。
【００２９】図１０と図１１は本発明の図９の等価回路
において二つの結合線の間に伝送線トリミングセクショ
ンを挿入した多層ＲＦチップバランの二つの他の実施例
を示す。平衡ポート間の位相及び振幅バランスを増進す
るため、平衡及び不平衡ポート間の複雑なインピーダン
スが入力／出力ターミナルのインピーダンスが混合され
る時に適当にマッチさせられる。実際には、挿入された
伝送線トリミングセクションは容量性或いは誘導性とさ
れる。図１０及び図１１はそれぞれ、図９の等価回路に
伝送線の誘導性及び容量性トリミングセクションを挿入
する状態を示す。図１０において、挿入された誘導性ト
リミングセクションは第５絶縁層６１２ｅの主表面と第
３絶縁層６１２ｃの主表面に形成される。それは結合線
６２１ａに裸線６６０ａを介して連結される一端を具
え、もう一端は結合線６２４ａに裸線６６０ｂを介して
連結される。図１１において、挿入された容量性伝送線
トリミングセクションが第３絶縁層６１２ｃの主表面に
形成されている。それは結合線６２１ａに連結される第
１電極ＣＰ1 と、結合線６２４ａに連結される第２電極
ＣＰ2 を具えている。
【００３０】図１２は本発明の、平衡ポートにて低イン
ピーダンスを有する多層ＲＦチップバランの第２実施例
を示し、そのうち結合線は渦巻状に形成されている。平
衡ポートの各ターミナルは分離絶縁層に形成されてい
る。ゆえに、平衡ポートの位置は設計しやすくバンド幅
は伝送線の長さが増加するので増加する。
【００３１】図１２に示されるように、このバランは１
１個の絶縁基板７１２ａ−７１２ｋを具え、それは一つ
ずつ重ねられている。第１及び第１１絶縁層７１２ａ及
び７１２ｋの主表面はこの装置の第１及び第２接地平面
とされる。これらの接地表面は金属材料で形成される。
【００３２】第１出力ポート７５０ａが第２絶縁層７１
２ｂに形成されている。第１出力ポート７５０ａの範囲
は主表面の中心から上部右端である。第２出力ポート７
５０ｂが第１０絶縁層７１２ｊに形成されている。第１
０絶縁層７１２ｊの範囲は主表面の中心から上部左端で
ある。
【００３３】ブロードサイド結合線の第１セクションの
第２結合線７２１ｂ、ブロードサイド結合線の第２セク
ションの第２結合線７２２ｂが第３絶縁層ｃに形成され
ている。結合線７２２ｂは主表面の下方の左側から右側
に形成されている。結合線７２２ｂの幅は結合線７２１
ｂの幅より広い。結合線７２２ｂの一端は結合線７２１
ｂに連結され、もう一端は第１接地表面７１２ａに連結
され、これは点線で示されるとおりである。結合線７２
１ｂの別端は第１出力ポート７５０ａに連結されてい
る。
【００３４】ブロードサイド結合線の第３セクションの
第２結合線７２４ｂとブロードサイド結合線の第４セク
ションの第２結合線７２５ｂが第９絶縁層７１２ｉに形
成されている。結合線７２５ｂは主表面の下方の左側か
ら右側に形成されている。結合線７２５ｂの幅は結合線
７２４ｂの幅より広い。結合線７２５ｂの一端は結合線
７２４ｂに連結され、もう一端は第２接地表面７１２ｋ
に連結され、これは点線で示されるとおりである。点線
で示されるように、結合線７２４ｂの別端は第２出力ポ
ート７５０ｂに連結されている。
【００３５】結合線の第１セクションの第１結合線７２
１ｂ、結合線の第２セクションの第１結合線７２２ａ、
及び入力ポート７３０が第４絶縁層７１２ｄに形成され
ている。結合線７２２ａの範囲は主表面の下方の左側か
ら右側に形成され、結合線７２１ａは主表面の中央に対
して右側に形成されている。結合線７２２ａの幅は結合
線７２１ａの幅より広い。入力ポート７３０が主表面の
下部左端に形成されている。結合線７２２ａの一端は結
合線７２１ａの一端に連結され、別端は入力ポート７３
０に連結されている。
【００３６】結合線の第３セクションの第１結合線７２
４ａと結合線の第４セクションの第１結合線７２５ａが
第８絶縁層７１２ｈの主表面に形成されている。結合線
７２５ａの範囲は主表面の下方の左側から右側であり、
結合線７２４ａの範囲は主表面の右側から中央である。
結合線７２５ａの幅は結合線７２４ａの幅より広い。結
合線７２５ａの一端は結合線７２４ａの一端に連結さ
れ、別端は左側開放である。
【００３７】第５および第７絶縁層７１２ｅ及び７１２
ｇの主表面には回路がない。第６絶縁層７１２ｆの主表
面は接地平面とされて貫通孔７１５（ｖｉａ ｈｏｌ
ｅ）を有する。該接地平面は金属材料で形成される。結
合線７２４ａと７２１ａは貫通孔７１５を介して連結さ
れ、これは点線で示されるとおりである。この装置の全
ての結合線は渦巻状に形成されている。
【００３８】同様に、図１３、１４は本発明の、図１２
の等価回路に伝送線トリミングセクションを挿入した多
層ＲＦチップバランの二つの他の実施例を示す。平衡ポ
ート間の位相及び振幅バランスを増進するため、平衡及
び不平衡ポート間の複雑なインピーダンスが入力／出力
ターミナルのインピーダンスが混合される時に適当にマ
ッチさせられる。実際には、挿入された伝送線トリミン
グセクションは容量性或いは誘導性とされる。図１３及
び図１４はそれぞれ、図１２の等価回路に伝送線の誘導
性及び容量性トリミングセクションを挿入する状態を示
す。図１３において、挿入される誘導性トリミングセク
ションは第４絶縁層７１２ｄの主表面と第８絶縁層７１
２ｈの主表面に形成される。それは結合線７２１ａに裸
線７６０ａを介して連結される一端を具え、もう一端は
結合線７２４ａに裸線７６０ｂを介して連結される。図
１４において、挿入される容量性伝送線トリミングセク
ションが第４絶縁層７１２ｄの主表面と第８絶縁層７１
２ｈの主表面に形成されている。それは結合線７２１ａ
に連結される第１電極ＣＰ1 と、結合線７２４ａに連結
される第２電極ＣＰ2 を具えている。
【００３９】図１５は本発明の、平衡ポートにて高イン
ピーダンスを有する多層ＲＦチップバランの第３実施例
を示し、そのうち結合線は渦巻状に形成されている。図
１５中のバランは図９のバランに類似しているが結合線
の幅が異なっている。図１５に示されるように、バラン
は７個の絶縁基板８１２ａ−８１２ｇを具え、それは一
つずつ重ねられている。第１及び第７絶縁層８１２ａ及
び８１２ｇの主表面はこの装置の第１及び第２接地平面
とされる。これらの接地表面は金属材料で形成される。
【００４０】ブロードサイド結合線の第１セクションの
第２結合線８２１ｂ、ブロードサイド結合線の第２セク
ションの第２結合線８２２ｂ、及び第１出力ポート８５
０ａは第２絶縁層８１２ｂに形成されている。結合線８
２２ｂは主表面の下方の左側から右側に形成され、結合
線８２１ｂは主表面の右側に形成されている。結合線８
２１ｂの幅は結合線８２２ｂの幅より広い。上述したよ
うに、ブロードサイド結合線の各セクションの幅と長さ
を調整することにより、平衡ポートのインピーダンスを
適当にマッチさせられる。第１出力ポート８５０ａが主
表面の上部右端に形成されている。結合線８２２ｂは結
合線８２１ｂに連結された一端を具え、もう一端は第１
接地表面８１２ａに連結され、これは点線で示されると
おりである。結合線８２１ｂの別端は第１出力ポート８
５０ａに連結されている。
【００４１】ブロードサイド結合線の第３セクションの
第２結合線８２４ｂ、ブロードサイド結合線の第４セク
ションの第２結合線８２５ｂ、及び第２出力ポート８５
０ｂが第６絶縁層８１２ｆに形成されている。結合線８
２５ｂは主表面の下方の左側から右側に形成され、結合
線８２４ｂは主表面の右側に形成されている。結合線８
２４ｂの幅は結合線８２５ｂの幅より広い。第２出力ポ
ート８５０ｂが主表面の上部左端に形成されている。結
合線８２５ｂは結合線８２４ｂに連結された一端を具
え、もう一端は第２接地表面８１２ｇに連結され、これ
は点線で示されるとおりである。結合線８２４ｂの別端
は第２出力ポート８５０ｂに連結されている。
【００４２】結合線の第１セクションの第１結合線８２
１ｂ、結合線の第２セクションの第１結合線８２２ａ、
及び入力ポート８３０が第３絶縁層８１２ｃに形成され
ている。結合線８２２ａの範囲は主表面の下方の左側か
ら右側であり、結合線８２１ａの範囲は主表面の右側か
ら中央である。結合線８２１ａの幅は結合線８２２ａの
幅より広い。入力ポート８３０が主表面の下部左端に形
成されている。結合線８２２ａの一端は結合線８２１ａ
の一端に連結され、別端は入力ポート８３０に連結され
ている。
【００４３】結合線の第３セクションの第１結合線８２
４ａと結合線の第４セクションの第１結合線８２５ａが
第５絶縁層８１２ｅの主表面に形成されている。結合線
８２５ａの範囲は主表面の下方の左側から右側であり、
結合線８２４ａの範囲は主表面の右側から中央である。
結合線８２４ａの幅は結合線８２５ａの幅より広い。結
合線８２５ａの一端は結合線８２４ａの一端に連結さ
れ、別端は左側開放である。
【００４４】第４絶縁層の主表面は接地平面とされて貫
通孔８１５（ｖｉａ ｈｏｌｅ）を有する。該接地平面
は金属材料で形成される。結合線８２４ａと８２１ａは
貫通孔８１５を介して連結されこれは点線で示されると
おりである。この装置の全ての結合線は渦巻状に形成さ
れている。
【００４５】図１６は本発明の、平衡ポートにて低イン
ピーダンスを有する多層ＲＦチップバランの第４実施例
を示す。金属板９１１−９１４が側部電極９９１−９９
４に連結され、このバラン装置は側部金属により接地さ
れている。ゆえに、ブロードサイド結合線のセクション
の幅はもともとは広くなければならなかったが、この実
施例では配線数の増加により狭められている。
【００４６】図１６の多層構造中の金属板が側部電極に
連結できない状況では、接地平面と金属板間の連結は貫
通孔を介して行われ、これによりブロードサイド結合線
のセクションの幅は狭められ、配線の数も増加すること
ができ、これは図１７に示されるとおりである。図１７
においては、金属板９２１−９２４が接地平面に貫通孔
を介して連結されている。
【００４７】図１８は本発明の、平衡ポートにて高イン
ピーダンスを有する多層ＲＦチップバランの第５実施例
を示す。金属板１０１１−１０１４が側部電極１０９１
−１０９４に連結され、このバラン装置は側部金属によ
り接地されている。ゆえに、ブロードサイド結合線のセ
クションの幅はもともとは広くなければならなかった
が、この実施例では配線数の増加により狭められてい
る。
【００４８】同様に、図１８の多層構造中の金属板が側
部電極に連結できない状況では、接地平面と金属板間の
連結は貫通孔を介して行われ、これによりブロードサイ
ド結合線のセクションの幅は狭められ、配線の数も増加
することができ、これは図１９に示されるとおりであ
る。図１９においては、金属板１０２１−１０２４が接
地平面に貫通孔を介して連結されている。
【００４９】層数を減らし構成を簡素化するために、上
述の５つの実施例のバラン構造中の内側接地金属絶縁層
を削除できる。ただ第１および図２接地平面のみが残さ
れ、これは図２０に示されるとおりである。
【００５０】本発明において、結合線、伝送線、或いは
接地平面を形成するための好ましい材料は、低損失金
属、例えばＡｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｕ或いはＮｉとされ
る。セラミック絶縁率をεr ＝７．８、中心周波数ｆ0
＝２．４４ＧＨｚと仮定すると、本発明のバランの操作
効率は接地金属絶縁層を有する或いは有さない多層回路
構造に基づき分析される。図３と図４の回路に関して、
リターン損失Ｓ11の特性が挿入損失Ｓ21及びＳ31と同様
に測定され、それぞれ図２１と図２３に示される。図
中、垂直軸はｄＢで測定した振幅である。水平軸は２か
ら３ＧＨｚのバランの操作周波数を示す。
【００５１】高周波回路において、測定電圧と電流は波
のように変動しその値は位置により異なる。散乱変数
（Ｓ ｐａｒａｍｅｔｅｒ）を使用する回路を特徴づけ
るため、各ポートに連結された伝送線のインピーダンス
特性はプリセットされる。リターン損失Ｓ11は設計され
た周波数範囲、例えば、２．３４−２．５４ＧＨｚにお
いて−１０ｄＢより小さくなければならない。図２１及
び図２３に示されるように、リターン損失が−１０ｄＢ
より小さいということはこのバランが良好なインピーダ
ンスマッチを有し及びエネルギー損失が非常に小さいこ
とを意味する。挿入損失Ｓ21及びＳ31に限り、エネルギ
ーは材料によるいくらかの損失はあるが二つの部分に均
等に分配される。図２１及び図２３に示される損失は−
３ｄＢより小さくこれはエネルギーが均等に分配され平
衡ポートがほとんどのエネルギーを受け取ることを示
す。
【００５２】図２２及び２４は二つの回路に関して操作
周波数内での測定されたインピーダンスと位相の差を示
す。水平軸はＧＨｚ単位でのバランの操作周波数であ
る。垂直軸は度とｄＢによる位相と振幅の差である。図
に示されるように、操作周波数範囲２００ＭＨｚ内で、
振幅差は０．５ｄＢより小さく位相差は３度より小さ
い。
【００５３】
【発明の効果】本発明の多層ＲＦチップバランにより、
従来のバランの欠点が克服されている。装置の寸法は大
きく減少され、操作周波数バンド幅は増加する。平衡及
び不平衡ポート間のインピーダンスは適当にマッチす
る。この装置は低誘電率材料で形成される。コスト節約
のほか、装置の安定性も改善される。ゆえに、本発明の
バランはマイクロチップサイズに形成可能で無線ネット
ワーク或いはパーソナルコミュニケーションにおける使
用に適合する。
【００５４】以上の実施例は本発明の説明のために提示
されたもので、本発明の実施範囲を限定するものではな
く、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、
いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】周知のマーチャンドバランの構造図である。
【図２】周知のチップ型バラン表示図である。
【図３】本発明の第１実施例の多層ＲＦチップバランの
等価回路図である。
【図４】伝送線のトリミングセクションを挿入して図３
の回路を延伸した多層ＲＦチップバランの別の等価回路
図である。
【図５】本発明の結合線を形成するための巻線の実施例
図であり、渦巻線とされている。
【図６】本発明の結合線を形成するための巻線の実施例
図であり、方形蛇行線とされている。
【図７】本発明の結合線を形成するための巻線の実施例
図であり、正弦曲線とされている。
【図８】本発明の結合線を形成するための巻線の実施例
図であり、鋸歯線とされている。
【図９】本発明の第１実施例のバランの多層構造表示図
であり、渦巻状に形成された結合線を使用し平衡ポート
の低インピーダンスを有する。
【図１０】図９の等価回路への伝送線の誘導性トリミン
グセクション挿入の表示図である。
【図１１】図９の等価回路への容量性トリミングセクシ
ョン挿入の表示図である。
【図１２】本発明の第２実施例のバランの多層構造表示
図であり、渦巻状に形成された結合線を使用し平衡ポー
トの低インピーダンスを有し、平衡ポートの各ターミナ
ルが分離絶縁層に形成されている。
【図１３】図１２の等価回路への伝送線の誘導性トリミ
ングセクション挿入の表示図である。
【図１４】図１２の等価回路への容量性トリミングセク
ション挿入の表示図である。
【図１５】本発明の第３実施例のバランの多層構造表示
図であり、渦巻状に形成された結合線を使用し平衡ポー
トの高インピーダンスを有する。
【図１６】本発明の第４実施例のバランの多層構造表示
図であり、渦巻状に形成された結合線を使用し平衡ポー
トの低インピーダンスを有し、金属板が側部電極に連結
されバラン装置が側部金属により接地している。
【図１７】図１６に類似のバランの多層構造表示図であ
り、接地表面が孔を介して金属板に連結されている。
【図１８】本発明の第５実施例のバランの多層構造表示
図であり、渦巻状に形成された結合線を使用し平衡ポー
トの高インピーダンスを有し、金属板が側部電極に連結
されバラン装置が側部金属により接地している。
【図１９】図１８に類似のバランの多層構造表示図であ
り、接地表面が孔を介して金属板に連結されている。
【図２０】本発明の第６実施例のバランの多層構造表示
図であり、内側接地金属絶縁層が除去されている。
【図２１】内側接地金属絶縁層を具えた等価回路の平衡
出力ポートの振幅と位相差のシミュレート結果表示図で
ある。
【図２２】図２０に示される等価回路の平衡出力ポート
の振幅と位相差のシミュレート結果表示図である。
【図２３】内側接地金属絶縁層を具えた等価回路の挿入
損失とリターン損失のシミュレート結果表示図である。
【図２４】図２０に示される等価回路の平衡出力ポート
の振幅と位相差のシミュレート結果表示図である。
【符号の説明】
３００ 多層ＲＦチップバラン ３３２ 不平衡ポート ３３４ａ 第１平衡ポート ３３４ｂ 第２平衡ポート ３０１〜３０ｎ及び３１１〜３１ｍ 結合線 ４０３ 伝送線トリミングセクション ４１４ａ 裸線 ４１４ｂ 裸線 ６１２ａ−６１２ｇ 絶縁基板 ６５０ａ 第１出力ポート ６５０ｂ 第２出力ポート ６２１ａ−６２５ａ 結合線 ６２１ｂ−６２５ｂ 結合線 ６１５ 貫通孔 ７１２ａ−７１２ｋ 絶縁基板 ７５０ａ 第１出力ポート ７５０ｂ 第２出力ポート ７２１ａ−７２５ａ 結合線 ７２１ｂ−７２５ｂ 結合線 ７３０ 入力ポート ７１５ 貫通孔 ８１２ａ−８１２ｇ 絶縁基板 ８５０ａ 第１出力ポート ８５０ｂ 第２出力ポート ８２１ａ−８２５ａ 結合線 ８２１ｂ−８２５ｂ 結合線 ８３０ 入力ポート ９１１−９１４ 金属板 ９９１−９９４ 側部電極 ９２１−９２４ 金属板 １０１１−１０１４ 金属板 １０９１−１０９４ 側部電極 １０２１−１０２４ 金属板

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＲＦチップバランにおいて、 入力ポートと、 第１及び第２出力ポートと、 結合線の少なくとも一つのセクションの第１グループと
    され、該第１グループの各セクションが結合係数に対応
    し第１及び第２結合線を具え、該第１グループにおける
    各セクションの第１結合線が直列に連結されて第１結合
    線の第１条を形成し、該第１グループの各セクションの
    第２結合線が第１出力ポートと接地の間で直列に連結さ
    れた、上記第１グループと、 結合線の少なくとも一つのセクションの第２グループと
    され、該第２グループの各セクションが結合係数に対応
    し第１及び第２結合線を具え、該第２グループにおける
    各セクションの第１結合線が直列に連結されて第１結合
    線の第２条を形成し、該第２グループの各セクションの
    第２結合線が第２出力ポートと接地の間で直列に連結さ
    れた、上記第２グループと、 を具え、そのうち、第１結合線の第１条と第１結合線の
    第２条が該入力ポートと開放ターミナルの間で直列に連
    結されたことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のＲＦチップバランにお
    いて、異なる結合係数を有する結合線の少なくとも二つ
    のセクションを含むことを特徴とする、ＲＦチップバラ
    ン。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載のＲＦチップバランにお
    いて、結合線のセクションの各結合線が渦巻状、方形蛇
    行状、正弦曲線状或いは鋸歯状を呈することを特徴とす
    る、ＲＦチップバラン。
  4. 【請求項４】 請求項１に記載のＲＦチップバランにお
    いて、結合線のセクションの各結合線が低損失金属で形
    成されたことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  5. 【請求項５】 請求項１に記載のＲＦチップバランにお
    いて、該バランが多層絶縁構造により形成されたことを
    特徴とする、ＲＦチップバラン。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載のＲＦチップバランにお
    いて、多層絶縁構造が少なくとも７個の垂直に積み重ね
    られた絶縁層を含み、この７個の絶縁層が、 接地平面が形成された主表面を具えた第１絶縁層と、 第２絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線と、第１出力ポートが形成された主
    表面を具えた、上記第２絶縁層と、 第３絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線と、入力ポートが形成された主表面
    を具えた、上記第３絶縁層と、 接地平面と貫通孔が形成された主表面を具えた第４絶縁
    層と、 第５絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線が形成された主表面を具えた、上記
    第５絶縁層と、 第６絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線と第２出力ポートが形成された主表
    面を具えた、上記第６絶縁層と、 接地平面が形成された主表面を具えた第７絶縁層と、 を含むことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載のＲＦチップバランにお
    いて、第１グループの結合線の第２セクションの第２結
    合線は第２絶縁層の主表面の下部左側から下部右側へと
    延伸され、該第１グループの結合線の第１セクションの
    第２結合線は第２絶縁層の主表面の右側に形成され、第
    ２グループの結合線の第２セクションの第２結合線は第
    ６絶縁層の主表面の下部左側から下部右側へと延伸さ
    れ、該第２グループの結合線の第１セクションの第２結
    合線は第６絶縁層の主表面の右側に形成され、第１グル
    ープの結合線の第２セクションの第１結合線は第３絶縁
    層の主表面の下部左側から下部右側へと延伸され、該第
    １グループの結合線の第１セクションの第１結合線は第
    ３絶縁層の主表面の右側に形成され、第２グループの結
    合線の第２セクションの第１結合線は第５絶縁層の主表
    面の下部左側から下部右側へと延伸され、該第２グルー
    プの結合線の第１セクションの第１結合線は第５絶縁層
    の主表面の右側に形成されたことを特徴とする、ＲＦチ
    ップバラン。
  8. 【請求項８】 請求項６に記載のＲＦチップバランにお
    いて、第１グループと第２グループの、結合線の第２セ
    クションの結合線の幅が結合線の第１セクションの結合
    線の幅より広いことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  9. 【請求項９】 請求項６に記載のＲＦチップバランにお
    いて、第２絶縁層の結合線の第２セクションの第２結合
    線は第２絶縁層上の結合線の第１セクションの第２結合
    線の第１端に結合された第１端と、該第１絶縁層に貫通
    孔を透過して連結された第２端とを具え、第２絶縁層上
    の第１セクションの第２結合線の第２端は第１出力ポー
    トに連結され、第６絶縁層上の結合線の第２セクション
    の第２結合線は第６絶縁層上の結合線の第１セクション
    の第２結合線の第１端に連結された第１端と、貫通孔を
    透過して第７絶縁層に連結された第２端とを具え、第６
    絶縁層上の結合線の第１セクションの第２結合線の第２
    端は第２出力ポートに連結され、第３絶縁層上の結合線
    の第２セクションの第１結合線は第３絶縁層上の結合線
    の第１セクションの第１結合線に連結する第１端を具
    え、第５絶縁層上の結合線の第２セクションの第１結合
    線は第５絶縁層上の結合線の第１セクションの第１結合
    線に連結された第１端を具え、第３絶縁層上の結合線の
    第１セクションの第１結合線は第４絶縁層上の貫通孔を
    介して第５絶縁層上の結合線の第１セクションの第１結
    合線に連結されたことを特徴とする、ＲＦチップバラ
    ン。
  10. 【請求項１０】 請求項５に記載のＲＦチップバランに
    おいて、多層絶縁構造が少なくとも６個の垂直に積み重
    ねられた絶縁層を具え、この６個の絶縁層が、 金属接地平面が形成された主表面を具えた第１絶縁層
    と、 第２絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線と、第１出力ポートが形成された主
    表面を具えた、上記第２絶縁層と、 第３絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線と、入力ポートが形成された主表面
    を具えた、上記第３絶縁層と、 第４絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線とが形成された主表面を具えた、上
    記第４絶縁層と、 第５絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線と、第２出力ポートが形成された主
    表面を具えた、上記第５絶縁層と、 金属接地平面と貫通孔が形成された主表面を具えた第６
    絶縁層と、 を含むことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  11. 【請求項１１】 請求項５に記載のＲＦチップバランに
    おいて、多層絶縁構造が少なくとも１１個の垂直に積み
    重ねられた絶縁層を具え、この１１個の絶縁層が、 接地平面が形成された主表面を具えた第１絶縁層と、 第２絶縁層とされ、第１出力ポートが形成された主表面
    を具えた、上記第２絶縁層と、 第３絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線が形成された主表面を具えた、上記
    第３絶縁層と、 第４絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線と、入力ポートが形成された主表面
    を具えた、上記第４絶縁層と、 第５絶縁層とされ、接地平面が形成された主表面を具え
    た、上記第５絶縁層と、 第６絶縁層とされ、接地平面と貫通孔が形成された主表
    面を具えた、上記第６絶縁層と、 第７絶縁層とされ、接地平面が形成された主表面を具え
    た、上記第７絶縁層と、 第８絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線とが形成された主表面を具えた、上
    記第８絶縁層と、 第９絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線とが形成された主表面を具えた、上
    記第９絶縁層と、 第１０絶縁層とされ、第２出力ポートが形成された主表
    面を具えた、上記第１０絶縁層と、 第１１絶縁層とされ、接地平面が形成された主表面を具
    えた、上記第１１絶縁層と、 を含むことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  12. 【請求項１２】 請求項１１に記載のＲＦチップバラン
    において、接地平面が金属材料で形成されたことを特徴
    とする、ＲＦチップバラン。
  13. 【請求項１３】 請求項５に記載のＲＦチップバランに
    おいて、多層絶縁構造が少なくとも９個の垂直に積み重
    ねられた絶縁層を具え、この９個の絶縁層が、 接地平面が形成された主表面を具えた第１絶縁層と、 第２絶縁層とされ、第１出力ポートが形成された主表面
    を具えた、上記第２絶縁層と、 第３絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線が形成された主表面を具えた、上記
    第３絶縁層と、 第４絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線と、入力ポートが形成された主表面
    を具えた、上記第４絶縁層と、 第５絶縁層とされ、接地平面と貫通孔が形成された主表
    面を具えた、上記第５絶縁層と、 第６絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線とが形成された主表面を具えた、上
    記第６絶縁層と、 第７絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線とが形成された主表面を具えた、上
    記第７絶縁層と、 第８絶縁層とされ、第２出力ポートが形成された主表面
    を具えた、上記第８絶縁層と、 第９絶縁層とされ、接地平面が形成された主表面を具え
    た、上記第９絶縁層と、 を含むことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  14. 【請求項１４】 請求項５に記載のＲＦチップバランに
    おいて、多層絶縁構造が少なくとも１１個の垂直に積み
    重ねられた絶縁層を具え、この１１個の絶縁層が、 接地平面が形成された主表面を具えた第１絶縁層と、 第２絶縁層とされ、金属板を具えた主表面を具えた、上
    記第２絶縁層と、 第３絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線と、第１出力ポートが形成された主
    表面を具えた、上記第３絶縁層と、 第４絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線と、入力ポートが形成された主表面
    を具えた、上記第４絶縁層と、 第５絶縁層とされ、金属板を具えた主表面を具えた、上
    記第５絶縁層と、 第６絶縁層とされ、接地平面と貫通孔が形成された主表
    面を具えた、上記第６絶縁層と、 第７絶縁層とされ、金属板を具えた主表面を具えた、上
    記第７絶縁層と、 第８絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線とが形成された主表面を具えた、上
    記第８絶縁層と、 第９絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線と、第２出力ポートが形成された、
    上記第９絶縁層と、 第１０絶縁層とされ、金属板を具えた主表面を具えた、
    上記第１０絶縁層と、 第１１絶縁層とされ、接地平面が形成された主表面を具
    えた、上記第１１絶縁層と、 を含むことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  15. 【請求項１５】 請求項１４に記載のＲＦチップバラン
    において、第２、第５、第７、及び第１０絶縁層の金属
    板が側部電極に連結されバランが該側部電極により接地
    することを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  16. 【請求項１６】 請求項１４に記載のＲＦチップバラン
    において、第２、第５、第７、及び第１０絶縁層の金属
    板が貫通孔を透過して接地平面に連結されたことを特徴
    とする、ＲＦチップバラン。
  17. 【請求項１７】 ＲＦチップバランにおいて、 入力ポートと、 第１及び第２出力ポートと、 第１端と第２端を具えた伝送線と、 結合線の少なくとも一つのセクションの第１グループと
    され、該第１グループの各セクションが結合係数に対応
    し第１及び第２結合線を具え、該第１グループにおける
    各セクションの第１結合線が該入力ポートと該伝送線の
    第１端の間で直列に連結され、該第１グループの各セク
    ションの第２結合線が該第１出力ポートと接地の間で直
    列に連結された、上記第１グループと、 結合線の少なくとも一つのセクションの第２グループと
    され、該第２グループの各セクションが結合係数に対応
    し第１及び第２結合線を具え、該第２グループにおける
    各セクションの第１結合線が該伝送線の第２端と開放タ
    ーミナルの間で直列に連結され、該第２グループの各セ
    クションの第２結合線が第２出力ポートと接地の間で直
    列に連結された、上記第２グループと、 を具えたことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  18. 【請求項１８】 請求項１７に記載のＲＦチップバラン
    において、伝送線が容量性であることを特徴とする、Ｒ
    Ｆチップバラン。
  19. 【請求項１９】 請求項１７に記載のＲＦチップバラン
    において、伝送線が誘導性であることを特徴とする、Ｒ
    Ｆチップバラン。
  20. 【請求項２０】 請求項１７に記載のＲＦチップバラン
    において、結合線のセクションの各結合線が渦巻状、方
    形蛇行状、正弦曲線状或いは鋸歯状を呈することを特徴
    とする、ＲＦチップバラン。
  21. 【請求項２１】 請求項１７に記載のＲＦチップバラン
    において、結合線のセクションの各結合線が低損失金属
    で形成されたことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  22. 【請求項２２】 請求項１７に記載のＲＦチップバラン
    において、伝送線が低損失金属で形成されたことを特徴
    とする、ＲＦチップバラン。
  23. 【請求項２３】 請求項１７に記載のＲＦチップバラン
    において、該バランが多層絶縁構造により形成されたこ
    とを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  24. 【請求項２４】 請求項２３に記載のＲＦチップバラン
    において、多層絶縁構造が少なくとも７個の垂直に積み
    重ねられた絶縁層を含み、この７個の絶縁層が、 接地平面が形成された主表面を具えた第１絶縁層と、 第２絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線と、第１出力ポートが形成された主
    表面を具えた、上記第２絶縁層と、 第３絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線と、伝送線の第１セクションを具え
    た主表面を具えた、上記第３絶縁層と、 接地平面と貫通孔が形成された主表面を具えた第４絶縁
    層と、 第５絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線と伝送線の第２セクションを具えた
    主表面を具えた、上記第５絶縁層と、 第６絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線と第２出力ポートが形成された主表
    面を具えた、上記第６絶縁層と、 接地平面が形成された主表面を具えた第７絶縁層と、 を含むことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  25. 【請求項２５】 請求項２４に記載のＲＦチップバラン
    において、第１グループの結合線の第２セクションの第
    ２結合線は第２絶縁層の主表面の下部左側から下部右側
    へと延伸され、該第１グループの結合線の第１セクショ
    ンの第２結合線は第２絶縁層の主表面の右側に形成さ
    れ、第２グループの結合線の第２セクションの第２結合
    線は第６絶縁層の主表面の下部左側から下部右側へと延
    伸され、該第２グループの結合線の第１セクションの第
    ２結合線は第６絶縁層の主表面の右側に形成され、第１
    グループの結合線の第２セクションの第１結合線は第３
    絶縁層の主表面の下部左側から下部右側へと延伸され、
    該第１グループの結合線の第１セクションの第１結合線
    は第３絶縁層の主表面の右側に形成され、第２グループ
    の結合線の第２セクションの第１結合線は第５絶縁層の
    主表面の下部左側から下部右側へと延伸され、該第２グ
    ループの結合線の第１セクションの第１結合線は第５絶
    縁層の主表面の右側に形成されたことを特徴とする、Ｒ
    Ｆチップバラン。
  26. 【請求項２６】 請求項２４に記載のＲＦチップバラン
    において、第１グループと第２グループの、結合線の第
    ２セクションの結合線の幅が結合線の第１セクションの
    結合線の幅より広いことを特徴とする、ＲＦチップバラ
    ン。
  27. 【請求項２７】 請求項２４に記載のＲＦチップバラン
    において、第２絶縁層の結合線の第２セクションの第２
    結合線は第２絶縁層上の結合線の第１セクションの第２
    結合線の第１端に結合された第１端と、該第１絶縁層に
    貫通孔を透過して連結された第２端とを具え、第２絶縁
    層上の第１セクションの第２結合線の第２端は第１出力
    ポートに連結され、第６絶縁層上の結合線の第２セクシ
    ョンの第２結合線は第６絶縁層上の結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線の第１端に連結された第１端と、貫通
    孔を透過して第７絶縁層に連結された第２端とを具え、
    第６絶縁層上の結合線の第１セクションの第２結合線の
    第２端は第２出力ポートに連結され、第３絶縁層上の結
    合線の第２セクションの第１結合線は第３絶縁層上の結
    合線の第１セクションの第１結合線に連結する第１端と
    入力ポートに連結する第２端を具え、第３絶縁層上の第
    １セクションの結合線の第１結合線は第３絶縁層上の伝
    送線の第１セクションに連結する第２端を具え、第５絶
    縁層上の結合線の第２セクションの第１結合線は第５絶
    縁層上の結合線の第１セクションの第１結合線に連結さ
    れた第１端を具え、第５絶縁層上の結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線は第５絶縁層上の伝送線の第２セクシ
    ョンに連結された第２端を具え、第３絶縁層上の伝送線
    の第１セクションが第４絶縁層の貫通孔を透過して第５
    絶縁層上の伝送線の第２セクションに連結されたことを
    特徴とする、ＲＦチップバラン。
  28. 【請求項２８】 請求項２３に記載のＲＦチップバラン
    において、多層絶縁構造が少なくとも１１個の垂直に積
    み重ねられた絶縁層を具え、この１１個の絶縁層が、 接地平面が形成された主表面を具えた第１絶縁層と、 第２絶縁層とされ、第１出力ポートが形成された主表面
    を具えた、上記第２絶縁層と、 第３絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線が形成された主表面を具えた、上記
    第３絶縁層と、 第４絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線と、伝送線の第１セクションと、入
    力ポートが形成された主表面を具えた、上記第４絶縁層
    と、 第５絶縁層とされ、接地平面が形成された主表面を具え
    た、上記第５絶縁層と、 第６絶縁層とされ、接地平面と貫通孔が形成された主表
    面を具えた、上記第６絶縁層と、 第７絶縁層とされ、接地平面が形成された主表面を具え
    た、上記第７絶縁層と、 第８絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線と伝送線の第２セクションが形成さ
    れた主表面を具えた、上記第８絶縁層と、 第９絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線とが形成された主表面を具えた、上
    記第９絶縁層と、 第１０絶縁層とされ、第２出力ポートが形成された主表
    面を具えた、上記第１０絶縁層と、 第１１絶縁層とされ、接地平面が形成された主表面を具
    えた、上記第１１絶縁層と、 を含むことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  29. 【請求項２９】 請求項２８に記載のＲＦチップバラン
    において、接地平面が金属材料で形成されたことを特徴
    とする、ＲＦチップバラン。
  30. 【請求項３０】 請求項２３に記載のＲＦチップバラン
    において、多層絶縁構造が少なくとも６個の垂直に積み
    重ねられた絶縁層を具え、この６個の絶縁層が、 金属接地平面が形成された主表面を具えた第１絶縁層
    と、 第２絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線と、第１出力ポートが形成された主
    表面を具えた、上記第２絶縁層と、 第３絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線と、伝送線の第１セクションと、入
    力ポートが形成された主表面を具えた、上記第３絶縁層
    と、 第４絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線と伝送線の第２セクションが形成さ
    れた主表面を具えた、上記第４絶縁層と、 第５絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線と、第２出力ポートが形成された主
    表面を具えた、上記第５絶縁層と、 金属接地平面と貫通孔が形成された主表面を具えた第６
    絶縁層と、 を含むことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
  31. 【請求項３１】 請求項２３に記載のＲＦチップバラン
    において、多層絶縁構造が少なくとも９個の垂直に積み
    重ねられた絶縁層を具え、この９個の絶縁層が、 接地平面が形成された主表面を具えた第１絶縁層と、 第２絶縁層とされ、第１出力ポートが形成された主表面
    を具えた、上記第２絶縁層と、 第３絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線が形成された主表面を具えた、上記
    第３絶縁層と、 第４絶縁層とされ、第１グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第１グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線と、伝送線の第１セクションと、入
    力ポートが形成された主表面を具えた、上記第４絶縁層
    と、 第５絶縁層とされ、接地平面と貫通孔が形成された主表
    面を具えた、上記第５絶縁層と、 第６絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第１結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第１結合線と伝送線の第２セクションが形成さ
    れた主表面を具えた、上記第６絶縁層と、 第７絶縁層とされ、第２グループの結合線の第１セクシ
    ョンの第２結合線と該第２グループの結合線の第２セク
    ションの第２結合線とが形成された主表面を具えた、上
    記第７絶縁層と、 第８絶縁層とされ、第２出力ポートが形成された主表面
    を具えた、上記第８絶縁層と、 第９絶縁層とされ、接地平面が形成された主表面を具え
    た、上記第９絶縁層と、 を含むことを特徴とする、ＲＦチップバラン。
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