CN115810891B - 基于ltcc多线耦合的巴伦及通信设备 - Google Patents

Abstract

本发明适用于微波通信技术领域，提供了一种基于LTCC多线耦合的巴伦及通信设备，所述巴伦包括介质基体和移相器，所述介质基体内间隔设置有顶层金属接地层、中间层金属接地层和底层金属接地层，顶层金属接地层和底层金属接地层通过接地端口相连，所述接地端口贴合设置于介质基体的外表面；所述介质基体的一侧设置有输入端口，另一侧设置有第一输出端口和第二输出端口；两个所述移相器级联连接，并与相应的输入端口、第一输出端口和第二输出端口相连。本发明的巴伦，设置的金属接地层构成屏蔽层，可以减小两移相器之间的互耦合寄生效应，移相器的相关设置可以使得该巴伦实现180°相位差的平衡信号的输入和输出。

Description

基于LTCC多线耦合的巴伦及通信设备

技术领域

本发明属于微波通信技术领域，尤其涉及一种基于LTCC多线耦合的巴伦及通信设备。

背景技术

低温共烧陶瓷（LTCC）技术在电子元器件和封装领域具有独特的优势，广泛应用于通信领域。以LTCC技术为基础设计和生产的射频微波元件和模块包括：滤波器，耦合器，巴伦，电桥以及天线开关模组等。因其具有高品质因数、高稳定性等优点，随着现代电子设备向小型化高频化发展，他们已经大量运用于通信领域。

巴伦在通信领域有着重要应用，他可以将不平衡的信号转为两个同幅度相位相反的两个平衡信号，来增强信号的抗干扰能力。随着信息技术的发展，小型化高平衡度的巴伦成了必然的选择；小型化设计具有持续改进的必要。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种基于LTCC多线耦合的巴伦，旨在解决现有技术中巴伦存在体积较大的缺点。

为了实现巴伦的高平衡度，本发明实施例采用不对称的平衡输出端口传输线布局，通过调节耦合线距离输出端口部分传输线的长度，更好的调节相位平衡度，从而实现更高的相位平衡度；同时调节传输线的布局减器件内的寄生耦合、减小巴伦的插入损耗。

本发明实施例是这样实现的，一种基于LTCC多线耦合的巴伦，包括介质基体、移相器；

所述介质基体内间隔设置有顶层金属接地层、中间层金属接地层和底层金属接地层，顶层金属接地层和底层金属接地层通过接地端口相连，所述接地端口贴合设置于介质基体的外表面；

所述介质基体的一侧设置有输入端口，另一侧设置有第一输出端口和第二输出端口；两个所述移相器级联连接，并与相应的输入端口、第一输出端口和第二输出端口相连，以使两个所述移相器具有正负90°的相位差，进而使得该巴伦实现180°相位差信号的输入和输出；

其中，所述介质基体包括层叠设置的多层电路板，两个所述移相器均包括三根相互平行的位于不同层电路板上的耦合线；并且其中一个移相器位于顶层金属接地层和中间层金属接地层之间，另一个移相器位于中间层金属接地层和底层金属接地层之间；

优选地，所述移相器包括的耦合线为蛇形耦合线。

优选地，两个所述移相器分别为第一移相器和第二移相器，所述第一移相器包括的耦合线分别为第一耦合线、第二耦合线和第三耦合线，所述第一耦合线的一端与第三耦合线的一端相连，所述第一耦合线的另一端与第三耦合线的另一端以及第一输出端口相连；所述第二耦合线的一端与输入端口相连，所述第二耦合线的另一端与中间层金属接地层相连；

所述第二移相器包括的耦合线分别为第四耦合线、第五耦合线和第六耦合线，所述第六耦合线的一端与第四耦合线的一端相连，所述第六耦合线的另一端与第四耦合线的另一端以及第二输出端口相连；第五耦合线的两端分别与中间层金属接地层相连。

本发明实施例的另一目的在于提供一种通信设备，所述通信设备包括如上所述的巴伦，所述巴伦与天线模组电性连接，天线模组传输的不平衡信号能够通过所述巴伦转换为两个具有180°相位差的平衡信号输出。

本发明实施例提供的一种基于LTCC多线耦合的巴伦，使用LTCC技术，采用叠层设计，利于实现多层立体绕线与多层电路板中相邻层之间耦合线的耦合，使得巴伦的体积小，并且具有集成度高、低插损、高性能的优点，可广泛应用于5G基站等多种通信设备中，且适应了通信设备的电子器件小型化的趋势；设置的金属接地层构成屏蔽层，可以减小两移相器之间的互耦合寄生效应，移相器设置为具有正负90°的相位差，可以使得该巴伦实现180°相位差信号的输入和输出。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种基于LTCC多线耦合的巴伦的内部结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种基于LTCC多线耦合的巴伦的结构示意图；

图3为本发明实施例中第一层电路平面结构示意图；

图4为本发明实施例中第二层电路平面结构示意图；

图5为本发明实施例中第三层电路平面结构示意图；

图6为本发明实施例中第四层电路平面结构示意图；

图7为本发明实施例中第五层电路平面结构示意图；

图8为本发明实施例中第六层电路平面结构示意图；

图9为本发明实施例中第七层电路平面结构示意图；

图10为本发明实施例中第八层电路平面结构示意图；

图11为本发明实施例中的相位平衡度随传输线长度变化结果图；

图12为本发明实施例中的相位平衡度最终结果图；

图13为本发明实施例中的幅度平衡度最终结果图；

图14为本发明实施例中的S参数最终结果图。

附图中：1-第一金属平面导体；2-第二金属线圈；3-第一金属线圈；4-第二金属导体基片；5-第三金属线圈；6-第四金属导体基片；7-第二点柱；8-第四点柱；9-第六金属导体基片；10-第二金属平面导体；11-第七点柱；12-第八金属导体基片；13-第六点柱；14-第十二金属导体基片；15-第十一金属导体基片；16-第九金属线圈；17-第三金属平面导体；18-第八金属线圈；19-第十金属导体基片；20-第七金属线圈；21-第八点柱；22-第六金属线圈；23-第九金属导体基片；24-第九点柱；25-第五金属线圈；26-第七金属导体基片；27-第五点柱；28-第一方孔；29-第五金属导体基片；30-第四金属线圈；31-第三点柱；32-第三金属导体基片；33-第一点柱；34-第一金属导体基片。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但除非特别说明，这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一xx元件称为第二xx元件，且类似地，可将第二xx元件称为第一xx元件。

以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述。

如图1所示，为本发明实施例提供的一种基于LTCC多线耦合的巴伦的结构图，包括：介质基体、移相器；

所述介质基体内间隔设置有顶层金属接地层、中间层金属接地层和底层金属接地层，顶层金属接地层和底层金属接地层通过接地端口相连，所述接地端口贴合设置于介质基体的外表面；

所述介质基体的一侧设置有输入端口，另一侧设置有第一输出端口和第二输出端口；两个所述移相器级联连接，并与相应的输入端口、第一输出端口和第二输出端口相连，以使两个所述移相器具有正负90°的相位差，进而使得该巴伦实现180°相位差信号的输入和输出；

其中，所述介质基体包括层叠设置的多层电路板，两个所述移相器均包括三根相互平行的位于不同层电路板上的耦合线；并且其中一个移相器位于顶层金属接地层和中间层金属接地层之间，另一个移相器位于中间层金属接地层和底层金属接地层之间；

本实施例中，该巴伦基于LTCC技术，采用叠层设计，利于实现多层立体绕线与多层电路板中相邻层之间耦合线的耦合，使得巴伦的体积小，并且具有集成度高、低插损、高性能的优点，可广泛应用于5G基站等多种通信设备中，且适应了通信设备的电子器件小型化的趋势；设置的金属接地层构成屏蔽层，可以减小两移相器之间的互耦合寄生效应，移相器设置为具有正负90°的相位差，可以使得该巴伦实现180°相位差信号的输入和输出。

在本实施例的一个示例中，两个所述移相器通过其中的部分耦合线与中间层金属接地层连接实现级联连接，其中与输入端口、第一输出端口和第二输出端口相对应的的部分耦合线的端部连接有传输线，或通过多层电路板上设置的金属化通孔（或金属导柱、或点柱）连接有传输线；实现与相应的输入端口、第一输出端口和第二输出端口相连；

在本实施例的一个示例中，介质基体包括的多层电路板，以及金属接地层、接地端口、输入/输出端口（即输入端口、第一输出端口和第二输出端口）在布局时，均可以通过LTCC工艺，采用一次低温共烧、三维立体加工成型，并且第一输出端口和第二输出端口与耦合线之间的传输线不对称平衡，整体结构简单；具有一些优势：（1）体积小重量轻；（2）电性能良好，相位平衡度优异；（3）电路实现结构简洁；（4）成本低使用安装方便；（5）特别适用于单兵移动通信终端等无线通信手持终端中，以及对体积、重量、性能、可靠性有苛刻要求的通信系统中。

在本实施例的一个示例中，所述移相器包括的耦合线为蛇形耦合线；采用蛇形耦合线和不对称的平衡输出端口传输线布局，以实现巴伦的高相位平衡度的电性能要求。

在一个实施例中，两个所述移相器分别为第一移相器和第二移相器，所述第一移相器包括的耦合线分别为第一耦合线、第二耦合线和第三耦合线，所述第一耦合线的一端与第三耦合线的一端相连，所述第一耦合线的另一端与第三耦合线的另一端以及第一输出端口相连；所述第二耦合线的一端与输入端口相连，所述第二耦合线的另一端与中间层金属接地层相连；

所述第二移相器包括的耦合线分别为第四耦合线、第五耦合线和第六耦合线，所述第六耦合线的一端与第四耦合线的一端相连，所述第六耦合线的另一端与第四耦合线的另一端以及第二输出端口相连；第五耦合线的两端分别与中间层金属接地层相连。

在本实施例的一个示例中，所述第一耦合线包括串联的第八金属线圈18和第九金属线圈16，第九金属线圈16还与第一输出端口p2连接；所述第二耦合线包括串联的第七金属线圈20和第六金属线圈22，第七金属线圈20还与输入端口p1连接；所述第三耦合线包括第五金属线圈25，所述第八金属线圈18和第五金属线圈25为结构相同的蛇形；第九金属线圈16呈L型；所述第四耦合线包括第四金属线圈30，所述第五耦合线包括第三金属线圈5；所述第六耦合线包括串联的第一金属线圈3和第二金属线圈2，第二金属线圈2还与第二输出端口p3连接；所述第四金属线圈30和第一金属线圈3为结构相同的蛇形；第二金属线圈2呈L型。

在本实施例的一个示例中，如图2-图10所示，多层电路板可以是十层，由介质基板的底部至顶部分别为：第一层电路，第二层电路，第三层电路，第四层电路，第五层电路，第六层电路，第七层电路以及第八层电路；

请参看附图3，本实施例中，第一层电路为在陶瓷介质基板上印制有一块第一金属平面导体1，构成所述的底层金属接地层，第一金属平面导体1的周围设有六个内部端点（1a、1b，1c，1d，1e，1f），六个内部端点（1a、1b，1c，1d，1e，1f）均与接地端口电连接；即三个内部端点（1b，1c，1d）与位于介质基板前表面的接地端口电连接，三个内部端点（1a、1e，1f）与位于介质基板后表面的接地端口电连接。

请参看附图4，本实施例中，第二层电路为在陶瓷介质基板上印制有第一金属线圈3、第二金属线圈2、第一金属导体基片34、第二金属导体基片4，第一金属线圈3呈蛇形，第一金属线圈3一端设有的第七内部端点3a与第一金属导体基片34相连，第一金属线圈另一端设有第八内部端点3b，第八内部端点3b与第二金属导体基片4相连，第二金属线圈2呈L型，第二金属线圈2一端设有第九内部端点2a，第九内部端点2a与第二金属导体基片4相连，第二金属线圈2另一端设有第十内部端点2b，第十内部端点2b与第二输出端口p3电相连；第一金属导体基片34与第一点柱33电相连，第二金属导体基片4与第二点柱7电相连；

请参看附图5，本实施例中，第三层电路为在陶瓷介质基板上印制有第三金属线圈5、第三金属导体基片32、第四金属导体基片6，第三金属线圈5呈蛇形，第三金属线圈5一端设有第十一内部端点5a，第十一内部端点5a与第三金属导体基片32相连，第三金属线圈5的另一端设有第十二内部端点5b。第十二内部端点5b与第四金属导体基片6相连。第三金属导体基片32与第三点柱31电相连，第四金属导体基片6与第四点柱8电相连；第三点柱31、第四点柱8还与中间层金属接地层电相连。

请参看附图6，本实施例中，第四层电路为在陶瓷介质基板上印制有第四金属线圈30、第五金属导体基片29、第六金属导体基片9，第四金属线圈30呈蛇形，第四金属线圈30的两端分别设有第十三内部端点30a和第十四内部端点30b，第十三内部端点30a与第五金属导体基片29相连，第十四内部端点30b与第六金属导体基片9相连；第五金属导体基片29上表面与第五点柱27电相连，第五金属导体基片29下表面与第一点柱33相连，第六金属导体基片9与第二点柱7电相连。

请参看附图7，本实施例中，所述中间层金属接地层上设置有第一方孔，所述第一方孔内贯穿设置有连接元件，所述连接元件的两端分别与第四金属线圈和第五金属线圈的端部连接；所述中间层金属接地层上设置有第一金属化孔和第二金属化孔，所述第一金属化孔与第一金属线圈的端部相连，第二金属化孔与第六金属线圈、第三金属线圈的端部相连。

在一个示例中，所述连接元件可以是点柱，具体是第五点柱27。

在一个示例中，所述点柱可以采用圆点柱，也可以采用方点柱或管柱。

在一个示例中，第五层电路为在陶瓷介质基板上印制有第二金属平面导体10，构成所述的中间层金属接地层，第二金属平面导体10周围有四个内部端点（10a，10b，10c，10d），都与接地端口相连；在第二金属平面导体10左侧对应第五点柱27处开设有一个第一方孔28，右侧开设第二金属化孔，第二金属化孔上表面与第七点柱11电相连。

请参看附图8，本实施例中，第六层电路为在陶瓷介质基板上印制有第五金属线圈25、第七金属导体基片26、第八金属导体基片12，第五金属线圈25呈蛇形，第五金属线圈25两端设有的内部端点分别为第十九内部端点25a和第二十内部端点25b，第十九内部端点25a与第七金属导体基片26相连，第二十内部端点25b与第八金属导体基片12相连；第七金属导体基片26与第五点柱27电相连，第八金属导体基片12与第六点柱13电相连；

请参看附图9，本实施例中，第七层电路的结构与第三层电路相同，第七层电路的右侧下表面与第七点柱11电相连；具体地，第七层电路为在陶瓷介质基板上印制有第六金属线圈22、第九金属导体基片23、第十二金属导体基片14，第六金属线圈22呈蛇形，第六金属线圈22一端设有第二十一内部端点22a，第二十一内部端点22a与第九金属导体基片23相连，第六金属线圈22的另一端设有第二十二内部端点22b。第二十二内部端点22b与第十二金属导体基片14相连，第十二金属导体基片14与第七点柱11电相连，第九金属导体基片23与第八点柱21电相连。

请参看附图10，本实施例中，第八层电路为在陶瓷介质基板上印制有第七金属线圈20、第八金属线圈18、第九金属线圈16、第十金属导体基片19、第十一金属导体基片15，第七金属线圈20呈1字型，第七金属线圈20两端分别设有第二十一内部端点20a和第二十二内部端点20b，第二十一内部端点20a与输入端口p1电相连，第二十二内部端点20b下表面与第八点柱21电相连；第八金属线圈18呈蛇形，第八金属线圈18两端分别设有第二十三内部端点18a和第二十四内部端点18b，第二十三内部端点18a与第十金属导体基片19相连，第二十四内部端点18b与第十一金属导体基片15相连，第十金属导体基片19下表面与第九点柱24电相连；第九金属线圈16两端分别设有第二十五内部端点16a和第二十六内部端点16b，第二十五内部端点16a与第十一金属导体基片15相连，第二十六内部端点16b与第一输出端口p2电相连；第十一金属导体基片15下表面与第六点柱13电相连；第六点柱13还与第八金属导体基片12电相连，第九点柱24还与第七金属导体基片26上表面电相连。

请参看附图3，本实施例中，第九层电路的结构与第一层电路相同；第九层电路为在陶瓷介质基板上印制有一块第三金属平面导体17，构成所述的顶层金属接地层，第三金属平面导体17的周围设有六个内部端点（17a、17b，17c，17d，17e，17f），六个内部端点（17a、17b，17c，17d，17e，17f）均与接地端口电连接；即三个内部端点（17b，17c，17d）与位于介质基板前表面的接地端口电连接，三个内部端点（17a、17e，17f）与位于介质基板后表面的接地端口电连接。

在一个示例中，所述多层电路板设置有十层以上，通过在移相器中相互平行的耦合线之间设置不同层数的电路板，作为绝缘介质层，即陶瓷介质基板，来改变各耦合线之间的距离，进而改变巴伦的耦合度，以便实现更广泛的频率射频信号，提高该巴伦的适应性，并保持低插入损耗，高稳定性，高相位平衡度。

上述，该巴伦中两个移相器的各个耦合线的结构，以低温共烧陶瓷技术为基础，通过各层电路中的点柱、金属导体基片实现了三维空间内的绕线连接，同时采用蛇形耦合微带线和不对称的平衡输出端口传输线布局设计实现叠层式高相位平衡度小型化巴伦的电性能要求；本实施例中的巴伦具有低插入损耗，高稳定性，高相位平衡度，低成本和适合于大规模生产等优点；另外适应了如今微波器件小型化的发展趋势。

如图1至图2所示，在本实施例的一个示例中，所述多层电路板是由低温共烧陶瓷材料作为介质基板，并可作为介质或介质层设置耦合线的金属线圈与金属导体基片；在多层电路板间通过设置金属化孔和点柱实现电连接；整体结构简洁，便于小型化集成，可以通过增减电路层来改变部分耦合线之间的间距，以便于调整巴伦的平衡度，整体构成了层叠设置的巴伦，集成化程度高且体积较小。

如图2所示，在一个实施例中，所述接地端口包括第一接地端口p4和第二接地端口p5，第一接地端口p4和第二接地端口p5分别设置在介质基体的前后外表面，所述顶层金属接地层和底层金属接地层靠近第一接地端口p4的一端对应设置有多个端口与第一接地端口p4相连；所述顶层金属接地层和底层金属接地层靠近第二接地端口p5的一端对应设置有多个端口与第二接地端口p5相连。

在本实施例的一个示例中，还可以在介质基板的外壁设置屏蔽涂层，所述屏蔽涂层设置于所述多层电路板的外周面，并与顶层金属接地层和底层金属接地层接通构成屏蔽罩，结合中间层金属接地层，进一步地减小巴伦中两个移相器的互耦合寄生效应，增强巴伦中射频信号的抗干扰能力。

本实施例的一个示例中，第一金属平面导体1、第二金属平面导体10、第三金属平面导体17可以设置为金属片，设置在相应电路板（例如第一层电路、第五层电路和第十层电路）上预留的凹槽中，凹槽可以设置为方形槽，或者印制在相应电路板（例如第一层电路、第五层电路和第十层电路）的表面；可选地，所述第一金属平面导体1、第二金属平面导体10、第三金属平面导体17可以由银浆料金属涂抹与相应电路板上形成，当然也可以是其他金属材料涂布形成，例如铜、银、锡等。

在一个实施例中，所述第二金属线圈2、第七金属线圈20和第九金属线圈16均为带状线结构，用于通过改变带状线结构的线宽调节巴伦的阻抗匹配；

在一个实施例中，所述第二金属线圈2、第七金属线圈20和第九金属线圈16可以是阻抗变换结构；通过设置的阻抗变换结构，可将巴伦的工作频带进一步展宽，阻抗变换结构为一种渐变线形式的传输带线，可以有直线式和指数式。

当然，实际应用时，所述第二金属线圈2、第七金属线圈20和第九金属线圈16优选是带状线结构，即该带状线结构为线框等宽的直线式传输带线，简化了设置巴伦的LTCC工艺，进而可以提高生产效率。

在一个实施例中，该巴伦的通带为2.4-2.5GHz，三维立体模型的尺寸为；该实施例的S参数如图 14，可以看出巴伦的通带内的回波损耗小于-12.4dB，插入损耗小于1dB，相位平衡度性能如图12，可以看出通带内的相位差为，幅度性能如图13，可以看出通带内的幅度差小于0.4dB。从图11-图14看出，该巴伦具有低插入损耗，高稳定性，高相位平衡度的优点，满足设计需求。

综上所述，所述巴伦以LTCC技术为基础，叠层设置多层介质层（即低温共烧陶瓷基板）构成整体的巴伦；整体巴伦的构成结构可实现高度集成，具有低插损、高稳定性、性能优良、适合于大规模的生产等优点，且适应了未来射频器件小型化的发展趋势。

在另一个实施例中，一种通信设备，所述通信设备包括如上所述的巴伦，所述巴伦与天线模组电性连接，天线模组传输的不平衡信号能够通过所述巴伦转换为两个具有180°相位差的平衡信号输出。

本实施例的一个示例中，所述天线模组可以是市面上常见的WiFi单元、蓝牙4.0单元或5G微带天线等，将上述的WiFi单元、蓝牙4.0单元或5G微带天线，以及巴伦集成在一个基带电路板上，并加载有电源、输入/输出接口等，实现不平衡信号向两个具有180°相位差的平衡信号的转换和传输。

本实施例中，所述基带模组包括电源、电源管理芯片和基带芯片，所述电源管理芯片控制电源为基带芯片、射频模组供电，射频模组连接有微带天线或天线，基带芯片通过射频模组发送和接收通信信号，并通过天线进行发射。

本发明上述实施例中提供了一种基于LTCC多线耦合的巴伦，并基于该基于LTCC多线耦合的巴伦提供了一种通信设备，该巴伦使用LTCC技术，采用叠层设计，使得射频模组的体积小，并且具有集成度高、低插损、高性能的优点，其中两个移相器通过金属接地层进行隔离设计，且移相器包含的耦合线位于多层电路板，隔离度高、插损低，易于与其他电路进行集成工作，且与未来电路高集成化、小型化趋势相吻合；可广泛应用于5G基站等多种通信设备中，且适应了通信设备的电子器件小型化的趋势；设置的金属接地层构成屏蔽层，可以减小两移相器之间的互耦合寄生效应，移相器设置为具有正负90°的相位差，可以使得该巴伦实现180°相位差信号的输入和输出，实现高平衡度的射频信号转换和传输。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种基于LTCC多线耦合的巴伦，所述巴伦包括介质基体和移相器，其特征在于，

所述介质基体内间隔设置有顶层金属接地层、中间层金属接地层和底层金属接地层，顶层金属接地层和底层金属接地层通过接地端口相连，所述接地端口贴合设置于介质基体的外表面；

所述介质基体的一侧设置有输入端口，另一侧设置有第一输出端口和第二输出端口；两个所述移相器级联连接，并与相应的输入端口、第一输出端口和第二输出端口相连，以使两个所述移相器具有正负90°的相位差，进而使得该巴伦实现180°相位差信号的输入和输出；

其中，所述介质基体包括层叠设置的多层电路板，两个所述移相器均包括三根相互平行的位于不同层电路板上的耦合线；并且其中一个移相器位于顶层金属接地层和中间层金属接地层之间，另一个移相器位于中间层金属接地层和底层金属接地层之间；

两个所述移相器分别为第一移相器和第二移相器，所述第一移相器包括的耦合线分别为第一耦合线、第二耦合线和第三耦合线，所述第一耦合线的一端与第三耦合线的一端相连，所述第一耦合线的另一端与第三耦合线的另一端以及第一输出端口相连；所述第二耦合线的一端与输入端口相连，所述第二耦合线的另一端与中间层金属接地层相连；

所述第二移相器包括的耦合线分别为第四耦合线、第五耦合线和第六耦合线，所述第六耦合线的一端与第四耦合线的一端相连，所述第六耦合线的另一端与第四耦合线的另一端以及第二输出端口相连；第五耦合线的两端分别与中间层金属接地层相连；

所述第一耦合线包括串联的第八金属线圈和第九金属线圈，第九金属线圈还与第一输出端口连接；所述第二耦合线包括串联的第七金属线圈和第六金属线圈，第七金属线圈还与输入端口连接；所述第三耦合线包括第五金属线圈，所述第八金属线圈和第五金属线圈为结构相同的蛇形；第九金属线圈呈L型；

所述第四耦合线包括第四金属线圈，所述第五耦合线包括第三金属线圈；所述第六耦合线包括串联的第一金属线圈和第二金属线圈，第二金属线圈还与第二输出端口连接；所述第四金属线圈和第一金属线圈为结构相同的蛇形；第二金属线圈呈L型。

2.根据权利要求1所述的巴伦，其特征在于，所述移相器包括的耦合线为蛇形耦合线。

3.根据权利要求1所述的巴伦，其特征在于，其特征在于，所述中间层金属接地层上设置有第一方孔，所述第一方孔内贯穿设置有连接元件，所述连接元件的两端分别与第四金属线圈和第五金属线圈的端部连接。

4.根据权利要求3所述的巴伦，其特征在于，所述中间层金属接地层上设置有第一金属化孔和第二金属化孔，所述第一金属化孔与第一金属线圈的端部相连，第二金属化孔与第六金属线圈、第三金属线圈的端部相连。

5.根据权利要求1所述的巴伦，其特征在于，所述第二金属线圈、第七金属线圈和第九金属线圈均为带状线结构，用于通过改变带状线结构的线宽调节巴伦的阻抗匹配。

6.根据权利要求1所述的巴伦，其特征在于，所述接地端口包括第一接地端口和第二接地端口，第一接地端口和第二接地端口分别设置在介质基体的前后外表面，所述顶层金属接地层和底层金属接地层靠近第一接地端口的一端对应设置有多个端口与第一接地端口相连；所述顶层金属接地层和底层金属接地层靠近第二接地端口的一端对应设置有多个端口与第二接地端口相连。

7.一种通信设备，其特征在于，所述通信设备包括如权利要求1-6任一所述的巴伦。

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