JP2003168948A - 多層型インダクタンス・キャパシタンス共振式平衡不平衡変成器 - Google Patents

多層型インダクタンス・キャパシタンス共振式平衡不平衡変成器

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JP2003168948A JP2001355778A JP2001355778A JP2003168948A JP 2003168948 A JP2003168948 A JP 2003168948A JP 2001355778 A JP2001355778 A JP 2001355778A JP 2001355778 A JP2001355778 A JP 2001355778A JP 2003168948 A JP2003168948 A JP 2003168948A
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capacitance
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Abstract

(57)【要約】 【課題】多層型インダクタンス・キャパシタンス共振式
平衡不平衡変成器を提供する。 【解決手段】 該変換器には、多層型LC共振空胴を有
し、該LC共振空胴の等価回路には少なくとも1本の垂
直カップリング・ライン、1本の伝導線及び一つキャパ
シタンスを有する。LC共振空胴の第1好ましい実施例
は基本的に2本垂直カップリング・ライン、1本伝導線
及び並列する1個のキャパシタンスにより構成される。
第2好ましい実施例は基本的に1本カップリング・ライ
ンをそれぞれ1個キャパシタンスに並列してから、それ
ぞれ両端に一つの伝導線を直列することによって構成さ
れる。LC共振空胴、多層化、及び曲折カップリング伝
導線方式を組み合わせることによって、大幅にエレメン
ト・サイズを縮小させ、操作周波帯を広め、及び低誘電
材料を使用して作れる等の長所が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は平衡不平衡変成器(b
alance to unbalance balun)に係り、特に多層型インダ
クタンス・キャパシタンス共振式バラン(multilayer L
C resonance balun)に係るものである。この変成器は
小型チップサイズのエレメントの製造に適し、無線ロー
カル・ネットワーク(wireless local network)及び個人
用通信設備に応用される。
【0002】
【従来の技術】平衡不平衡変成器はアンバランスド・フ
レーム又は信号をバランスド・フレーム又は信号に整合
するのに用いられる装置である。バランスド信号の特性
は二つの大きさが同じ、位相差(phase difference)が
180°である信号である。多くのアナログ回路には往
々にしてバランスドの入力と出力が必要であり、依って
ノイズを減らし、高調波の発生を改善し、回路のダイナ
ミック・レンジも高められる。
【0003】バラン変換器の種類が多いが、主に自発式
(active)と受動式(passive)に分けられる。普通、
受動式バラン変換器は集中式(lumped-type)、コイル
式(coil-type)及び分布式(distributed-type)の三種
類に分けられる。集中式は集中式キャパシタンス及びイ
ンダクタンスを利用することにより、抵抗マッチングに
使えられ、一方180°の位相差及び同等信号大きさの
均衡が得られる。この集中式バラン変換器のサイズは小
さく、軽便であるが、操作の周波帯が狭く、且つその位
相差及び信号大小の均衡を維持することが難しい。コイ
ル式バラン変換器は幅広く低周波帯及びUHF(ultra
high frequency)周波帯に使われているが、UHF周波
帯を超える周波帯に使うと過大な消耗が生じ、且つ縮小
化程度は最大限度に至った。分布式バラン変換器は主に
180°混成型(hybrid)及びマーチャンド式(Marchan
d)の2種類である。180°混成型バラン変換器は常
にマイクロ・ウエーブに使い、すばらしい周波帯操作の
特性があるが、しかし、無線周波(radio frequency, R
F)に使う時には、周波数は200MHzから数GHz
の間であった。それが数本の1/4波長の伝導線により
構成されたので、往々にしてサイズが大きく、譬え曲折
方式(meander)を使用しても、大いにその面積を縮小
することができず、又パワー・分割器及び1対のサイズ
異なる伝導線を利用しても、そのサイズはやはり大きす
ぎる。
【0004】現在、よく使うマーチャンド式バラン変換
器は二本1/4波長のカップリング・ラインにより構成
されていて、図1の如く。このようなバラン変換器はか
なり大きい使用周波帯を持ち、位相バランスが良いばか
りでなく、パワーの分配も良く。一般に言うと、このよ
うなマーチャンド式バラン変換器が使用されている伝導
線はかなり大きいカップリング度がなければ、その周波
帯使用が良くならないので、したがって面積を占めない
垂直カップリング方式(broadside coupling)を選択し
て使用され、しかも曲折方式を利用し、それを縮小し
て、無線周波に応用され、又、高誘電係数の材料を利用
してそれを縮小化する。
【0005】米国特許5,497,137号文献の中に、
一種のチップ型変換器(chip typetransformer)を発表
した。図2の如く。該チップ型変換器には一つの積層薄
板(laminate)200が有り、該積層薄板には第1から
第5の誘電基板(dielectric substrate)214a〜214eが
有り、この5個基板を積み上げて成し遂げる(superimp
osed one on the other)。第1誘電基板214aの主表面
(main surface)に一つの接地電極(earth electrode)21
6を形成し、第5誘電基板214eの主表面(mainsurface)に
も一つの接地電極230を形成する。第2誘電基板214b
の主表面に一つの連接電極(connecting electrode)2
20を形成し、第3誘電基板214cの主表面に一つの第1
帯線(strip line)222を形成し、該第1帯線222
は第1螺旋部(spiral portion)224a及び第2螺旋部
224bにより構成され、第4誘電基板214dの主表面に
一つの第2帯線226及び第3帯線228を形成し、該
第2帯線226及び第3帯線228はそれぞれ第1帯線
222の第1螺旋状部224a及び第2螺旋状部224b
と電磁性的に連接する(electromagnetically connecte
d)。該チップ型変換器の構造は垂直カップリングの方
式を取り、それに高誘電係数の材料を利用することによ
り縮小化される。但し、低誘電係数の材料にしてはエレ
メントをチップ型に縮小することはできない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上述べたよ
うな従来のバラン変換器の欠点を克服することにある。
主な目的の一つは多層型LC共振式平衡不平衡変成器を
提供することであり、該多層型LC共振式平衡不平衡変
成器には一つの多層型LC共振空胴を有し、該LC共振
空胴の等価回路には少なくとも1本の垂直カップリング
・ライン、1本の伝導線及び一つキャパシタンスを有す
る。
【0007】該多層型LC共振式平衡不平衡変成器はL
Cレ共振空胴、多層化、及び曲折カップリング伝導線の
方式を総合して、大幅にエレメントのサイズを縮小化さ
れたものである。しかも低誘電係数の材料を使用するこ
とにより、エレメント特性の安定性を維持することがで
きる。
【0008】本発明のカップリング伝導線は幾何的構造
において、構造の中心点に対して全く対称しているの
で、素晴らしい位相及び振幅の均衡度が有り、且つ適当
にカップリング・ラインとキャパシタンスとの比例を調
整すれば、平衡端子に適当な抵抗マッチングを得られ
る。本発明の変換器は無線ローカル・ネット・ワーク及
び個人用通信設備に適用される。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明には二種類の好ま
しい実施例がある。第1種実施例の等価回路は2本のカ
ップリング・ライン(coupled line)、1本の伝導線及び
並列したキャパシタンスにより構成されている。適当に
この等価回路の並列キャパシタンス値を増加すれば、更
にエレメントの設計サイズを縮小される。又、キャパシ
タンスを垂直カップリング伝導線の上又は下に移動し、
多層回路フレームの特徴を充分に生かして、大幅にエレ
メントのサイズを縮小される。
【0010】第2種実施例の等価回路は1本のカップリ
ング・ラインにてそれぞれ一つのキャパシタンスと並列
した後、両端にそれぞれ1本の伝導線と直列することに
より構成されている。その中、等価1/4波長伝導線L
C共振空胴が非平衡端子と連接し、等価1/2波長伝導
線LC共振空胴が平衡端子と連接する。LC共振空胴の
原理を充分に生かして、サイズを縮小する目的が達せら
れる。平衡端子の抵抗マッチング及び振幅と位相の均衡
度については、等価1/2波長LC共振空胴及び二つの
伝導線の長さを適当に設計することにより得られる。
【0011】又、小型チップ・サイズのエレメントを作
る時には、本発明の多層型LC共振式平衡不平衡変成器
のカップリング・ラインの線巻き方式は、螺旋式(spira
l)、曲折式(meander)、波浪式(sinusoidal)、及び鋸歯
式(triangular)等多種類の方法を採ることができる。
【0012】以上述べた2種類の実施例の効果について
は、その信号振幅(amplitude)及び位相均衡特性を模擬
し、並びに測量した結果、操作周波数2.44GHz及
び操作周波帯200MHzのもとで、その振幅差は2d
B以内、位相差も5度以内であった。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
【0014】図3は本発明LC共振式平衡不平衡変成器
のLC共振空胴の第一好ましい実施例の等価回路説明図
である。図3のように、該LC共振空胴300等価回路
は基本的に1/4波長より小さい2本の垂直カップリング
・ライン301(ライン301a及びライン301b
含)、302(ライン302a及びライン302b含)
と、1本の伝導線303及び並列したキャパシタンス3
04により構成されている。カップリング・ライン30
1の301b及びカップリング・ライン302の302
bはそれぞれ両端があり、それぞれ平衡端子と接地端子
777と連接する。図3のように、ライン301b及び
ライン302bはそれぞれ金属線313aと金属線31
3bにて、平衡端子312aと平衡端子312bと連接
し、金属線313aと金属線313bの端点はそれぞれ
平衡端子312aと平衡端子312bである。挿入した
伝導線303の両端はそれぞれ両帯線314a、314
bにてカップリング・ライン301の301a及びカッ
プリング・ライン302の302aと連接する。非平衡
端子311は一つの入力端子であり、帯線306によ
り、その中の1本のカップリング・ラインと連接する。
例えば302中の302a線のように連接する。多層構
造においてキャパシタンス304と接地端子777との
間に余分の漂遊容量が生じる。
【0015】カップリング伝導線の幾何的構造におい
て、構造の中心点に対して全く左右に対称しているの
で、素晴らしい位相及び振幅の均衡度が有り、且つ適当
にカップリング・ラインとキャパシタンスとの比例を調
整すれば、平衡端子に適当な抵抗マッチングを得られ
る。実際応用においては、本実施例の垂直カップリング
・ラインは対称型或いは非対称型の構造であり、挿入し
た伝導線はキャパシタンス性、或いはインダクタンス性
伝導線である。該伝導線は平衡端子のバランス度を増加
する一方、平衡端子の抵抗特性が複数形態の場合には、
非平衡端子から平衡端子への複数抵抗をマッチングでき
る。該LC共振空胴の等価回路は数本の垂直カップリン
グ・ラインに誘導でき、数個キャパシタンスと並列す
る。
【0016】図4は図3より誘導された数本の垂直カッ
プリング・ライン及び並列数個キャパシタンスのLC高
真空胴等価回路の説明図である。左右両本カップリング
・ライン301と302との間に挿入した伝導線の左右
両側に数本のカップリング・ラインが誘導された。一つ
の点線ブロックは1本のカップリング・ラインを表し、
本毎のカップリング・ラインは第1線部分(first line
portion)と第2線部分(second line portion)により
構成され、第1線部分と第2線部分にはそれぞれ両端が
有る。伝導線303の左側のカップリング・ライン32
iの第1線部分はその隣のカップリング・ラインの第1
部分と連接し、第2線部分はその隣のカップリング・ラ
インの第2部分と連接し、伝導線の右側のカップリング
・ライン32jも同様である。非平衡端子311は帯線
306により最左側のカップリング・ライン321の第
1線部分321aと連接し、最左側のカップリング・ラ
イン321の第2線部分321bの左端は接地端子77
7と連接する。最左側のカップリング・ライン321第
1線部分321aの左端と最右側のカップリング・ライ
ン320の第1線部分320aの右端との間には多数の
キャパシタンスC−Cnを並列する。最右側のカップ
リング・ライン320第2線部分320bの右端は接地
端777と連接する。この並列する多数のキャパシタン
スC−Cnも接地端子777との間に余分の漂遊容量
が生じる。
【0017】本発明において、適当に等価回路の並列キ
ャパシタンス値を増加すれば、更にエレメントの設計サ
イズを縮小することができる。又、左右対称するフレー
ムの中の半分を上に移動させて上下対称のフレームに
し、キャパシタンスを垂直カップリング伝導線の上又は
下に移動し、平衡端子は穿孔方法にて別の誘電層に至
り、積上げ層は真中と対称する方法で均一に上下に延伸
し、多層回路フレームの特徴を充分に生かして、大幅に
エレメントのサイズを縮小させることができる。図9〜
図10を参照しつつ詳しく説明する。
【0018】図5は本発明のLC共振式平衡不平衡変成
器におけるLC共振空胴の好ましい第2実施例の等価回
路説明図である。図5のように、該LC共振空胴400
の等価回路には1本の垂直カップリング・ライン401
(401a線と401b線含)と並列する1個キャパシタ
ンス403及び並列するキャパシタンス404寄り構成
する。その内、キャパシタンス403の両端はそれぞれ
線401a両端の伝導線411a及び411bと直列し、
キャパシタンス404の両端はそれぞれ線401b両端
の伝導線412a及び412bと直列する。伝導線の全長
が1/4波長より遥かに短くなるように、LC共振空胴の
線401aの一端は伝導線411aを介して非平衡端子4
13と連接し、その他端は伝導線411bを介して接地
端子777と連接している。また、伝導線の全長が1/
2波長より遥かに短くなるように、もう一つのLC共振空
胴の線401bの両端は伝導線412aと伝導線412b
を介して両平衡端子414aと414bとそれぞれ連接し
ている。キャパシタンス403とキャパシタンス404
が接地端子777との間に余分の漂遊容量が生じる。
【0019】本発明はLC共振空胴の原理を充分に利用
することによって、サイズを縮小する目的が達成する。
更に、両伝導線412aと412bの長さを適当に設計す
れば、平衡端子の抵抗マッチング及び振幅と位相の均衡
度も得られる。実際応用においては、本実施例の垂直カ
ップリング・ラインは対称型或いは非対称型の構造であ
り、該LC共振空胴の等価回路は数本の垂直カップリン
グ・ラインを誘導でき、数個キャパシタンスと並列す
る。
【0020】図6は図5より誘導された数本の垂直カップ
リング・ラインの等価回路の説明図である。図6のよう
に、1本カップリング・ライン401の外、数本カップ
リング・ラインを誘導した。その他の電気連接方式は図
5と同じ。図6中、点線ブロックには1本のカップリング
・ラインを表し、本毎のカップリング・ラインは第1線
部分(first line portion)と第2線部分(second line
portion)により構成され、第1線部分と第2線部分に
はそれぞれ両端が有る。カップリング・ライン毎の第1
線部分はその隣のカップリング・ラインの第1部分と連
接し、第2線部分はその隣のカップリング・ラインの第
2部分と連接する。等価回路は数本の垂直カップリング
・ライン及び並列数個キャパシタンス403−1〜40
3−mによりなり、しかもそれぞれ最左カップリング・
ラインおよび最右カップリング・ラインの第1線部分左
右両端の伝導線411a、411bと直列し、又並列数個
キャパシタンス4041〜404n、それぞれ最左カッ
プリング・ラインおよび最右カップリング・ラインの第
2線部分左右両端の伝導線412a、412bと直列する
ことによって構成されている。又多層回路フレームの特
徴を充分に生かして、キャパシタンスを垂直カップリン
グ・ライン伝導線の上、又は下に移動させ、大幅にエレ
メント・サイズを縮小させる。図11にて詳しく説明す
る。これらの並列するキャパシタンス403−1~40
3−mと404−1~404−nも接地端子777との
間に余分の漂遊容量が生じる。
【0021】本発明のカップリング・ラインの線巻き方
式は、多種類の曲折延伸の実施例がある。図7のa、b〜
図8のc、dは本発明における4種類のカップリング・
ラインの線巻き方式である。それぞれ螺旋式、曲折式、
波浪式、及び鋸歯式である。これらの線巻き方式を利用
することにより、エレメントの平面とサイズを短縮する
ことができる。
【0022】図9〜図10は図3〜図4と関連する等価
回路であり、これは、多層回路フレームの特徴を利用し
て等価回路の並列キャパシタンス値を増加し、その中2
本垂直カップリング・ラインはひとつのキャパシタンス
と並列し、且つ螺旋式にて線巻きをする。図9中、キャ
パシタンスは垂直カップリング・ラインの左側に置き、
図10中、キャパシタンスは垂直カップリング・ライン
の下に置く。垂直カップリング・ラインの長さを伸して
変換器の周波操作幅を増すために、図9と図10に穿孔方
法にてバランスド端子を別の層に移動させる。
【0023】図9中、該平衡不平衡変成器には第1から
第8までの誘電層(dielectric layer)612a〜61
2hを含み、該8層誘電層は積み上げることによりな
り、第1及び第8両外層(612aと612h)の主表面
(main surface)はそれぞれ第1及び第2接地面(ground
plane)であり、即ち斜線部分であるが、この接地面は金
属材質の片材を使用する。第2誘電層612bの主表面
に一つ穿孔(via-hole)615a及び第1出力端子62
0aを形成し、該第1出力端子620aの範囲(range)
は、該主表面の真中から右上側の縁に向き、該第7誘電
層612g主表面には第2穿孔615b及び第2出力端子
620bを形成し、該第2出力端子620bの範囲(rang
e)は、該主表面の真中から左上側の縁に向く。該第3誘
電層612cの主表面には該第1本カップリング・ライ
ンの第1線部分624aを形成し、該第線1線部分62
4aの範囲は主表面の真中から螺旋式巻き線にて主表面
の右側において形成する。該第6誘電層612fの主表
面には該第2本カップリング・ラインの第1線部分62
6aを形成し、該第線1線部分626aの範囲は主表面
の真中から螺旋式巻き線にて主表面の右側において形成
する。該第4誘電層612dの主表面には該第1本カッ
プリング・ラインの第2線部分624b、キャパシタンス
第1電極部分CP1及び入力端子630を形成し、該第
2線部分624bの範囲は主表面の真中から螺旋式巻き
線にて主表面の右側に形成する。該キャパシタンス第1
電極部分CP1は該第1カップリング・ライン(第1線
部分624a及び第2線部分624bによりなり)の左
側に置く。該第5誘電層612eの主表面には該第2カ
ップリング・ラインの第2線部分626b及び該キャパ
シタンス第2電極部分CPを形成し、該第2線部分6
26bの範囲は主表面の真中から螺旋式巻き線にて主表
面の右側に形成し、該キャパシタンス第2電極部分CP
は該第2カップリング・ライン(第1線部分626a
及び第2線部分626bによりなり)の左側に置く。実
際応用においては、キャパシタンスを垂直カップリング
・ラインの右側に置いてもいい。
【0024】図10中、キャパシタンスの両電極部分C
1及びCPを垂直カップリング・ラインの下に置い
たので、図9の構造より3層誘電層が多く、合計11層
誘電層624a〜624kを有する。多くなった3層誘
電層624h〜624jは図9中の第7誘電層(第2出
力端子を含み)及び第8誘電層(第2接地層)の間に積
み上げたのである。誘電層642hは両穿孔を備えた第
3接地層である。誘電層642iの主表面にはキャパシ
タンスの電極部分CPを形成する。誘電層642jの
主表面にはキャパシタンスの第2電極部分CPを形成
する。螺旋式第1カップリング・ライン及び第2カップ
リング・ラインの線巻き範囲は主表面の中心から外へ全
主表面に広げてもいい。実際応用においては、キャパシ
タンスを垂直カップリング・ラインの上に置いても結構
である。
【0025】図11は、図5及び図6の等価回路におい
て、LC共振空胴の原理及び多層回路フレームの特性を
生かして、サイズ縮小の目的が達成する構成を示す図面
である。その中の第1キャパシタンス第1電極部分CP
は1本のカップリング・ラインの上に置き、第2キャパ
シタンスの第1電極部分CP及び第2キャパシタンス
の第2電極部分CPは該カップリング・ラインの下に
置き、且つ曲折線巻き方法を使用し、平衡端子もやはり
穿孔方法にて別の誘電層に移動する。本発明において
は、非平衡端子と連接するのは、等価1/4波長伝導線
のLC共振空胴であり、平衡端子と連接するのは、等価
1/2波長伝導線のLC共振空胴である。
【0026】図11中、該平衡不平衡変成器には第1か
ら第9までの誘電層712a〜712iを含み、該9層
誘電層は積み上げることによりなり、第1及び第9両外
層(712aと712i)の主表面はそれぞれ第1及び
第2接地面となり、即ち斜線部分である。第1キャパシ
タンスの電極部分CP、第2キャパシタンスの第1電極
部分CP及び第2キャパシタンスの第2電極部分CP
はそれぞれ第2誘電層712b、第7誘電層712g
及び第8誘電層712hの主表面に形成され、1本カッ
プリング・ラインの第1線部分724a及び第2線部分
724bはそれぞれ第4誘電層712d及び第5誘電層
712eの主表面に形成され、又伝導線732a、73
2b、及び伝導線746はそれぞれ第5誘電層712e
及び第2誘電層712bの主表面に形成される。実際応
用においては、図5中の伝導線411bは省略してもい
い。キャパシタンスとカップリング・ラインとの間に接
地層を加え、図11では第3層と第4接地層を加え、即
ち、それぞれ第3誘電層712c及び第6誘電層712
fであり、且つ第3誘電層712c及び第6誘電層71
2fの主表面に(即ち斜線で表示した接地面)それぞれ
穿孔715a及び両穿孔715bと715cとを形成す
る。
【0027】本発明において、以上述べたカップリング
・ライン、誘電線、又接地層は、低消耗金属材料を使用
することができる。例えば銀(Ag)、バラジュウム
(Pd)、金(Au)、又はニッケル(Ni)等。
【0028】
【発明の効果】セラミック誘電常数εγ=7.8及び中
心周波数f=2.44GHzの設計環境のもとで、本
発明の2種類(図3、4及び図5、6)の多層回路フレ
ームにおける本発明のLC共振式平衡不平衡変成器の効
果に対して分析する。2種類のフレームの返還ロス(re
turn loss)|S11|及び入力ロス|S21|と|S
31|の特性を計った結果、それぞれ図12と図14に
示す。中の横軸は変成器の操作周波数(GHz)で、計
った周波数の範囲は2〜3GHzで、縦軸はSパラメー
ター計った振幅値(dB)である。高周波回路におい
て、計った電圧と電流は一種の波(電圧波と電流波)で
あるので、計った値はその位置により違う。Sパラメー
ターを利用して一つのネットワークを表現する場合に
は、あらかじめ端子毎の連接した伝導線の特性抵抗を決
めなければならない。返還ロスは設計する周波数範囲内
(2.34〜2.54GHz)においてー10dBより
小さい場合、即ち非平衡入力端子の抵抗はマッチングし
ていることを表明していて、従ってロスが非常に少な
い。S21 31 は入力ロスを代表し、設定す
る周波範囲内では、パワーが平均的に2端子に分配され
たので、それに材料消耗のため、その値はー3dBより
小さく、ー3dBはパワーが平均に分配されることによ
り2分の1に低下することを示している。即ち平衡出力
端子が大部分のパワーを受け取る。
【0029】図13及び図15はそれぞれ第1種フレー
ム及び第2種フレームの両平衡出力端子信号の振幅と位
相差の誤差の測量結果を表し、中の横軸は変成器の操作
周波数(GHz)を表し、縦軸はそれぞれ信号の振幅と
位相の誤差値を表す。図12―図15からわかるよう
に、操作周波200MHzのもとで、その信号の振幅差
は2dB以内で、位相差も5度以内であった。
【0030】以上述べたように、本発明のLC共振式平
衡不平衡変成器は、LC共振空胴、多層化、及び曲折カ
ップリング伝導線の方式を総合して、従来の変成器の欠
点を克服するばかりでなく、大幅にエレメントのサイズ
を縮小され、操作周波帯が広く、且つ低誘電材料を使用
して作られる等の長所がある。従って、コストを減ら
し、エレメント製造の安定性を高め屡ことができる。微
小型チップに利用され、現代通信設備の軽、薄、短、小
の需用に応え、無線ローカル・ネットワーク及び個人用
通信設備に応用され、市場経済の効果が極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のマーチャンド式(Marchand)平
衡不平衡変成器の説明図である。
【図2】従来のチップ型変成器の説明図である。
【図3】本発明のLC共振空胴平衡不平衡変成器におけ
るLC共振空胴の第1好ましい実施例の等価回路説明図
である。
【図4】図3から誘導された多本垂直カップリング・ラ
イン及び並列する多数キャパシタンスの説明図である。
【図5】本発明のLC共振空胴平衡不平衡変成器におけ
るLC共振空胴の第2好ましい実施例の等価回路説明図
である。
【図6】図5から誘導された多本垂直カップリング・ラ
イン、及び並列する多数キャパシタンスの説明図であ
る。
【図7】aは本発明カップリング・ラインの4種類線巻
き方法の中の螺旋式を示す図面であり、bは曲折式を示
す図面である。
【図8】cは波浪式を示す図面であり、dは鋸歯式を示
す図面である。
【図9】図3の等価回路において、多層回路フレームの
特徴を利用して該等価回路の並列キャパシタンス値を増
やし、1種類の螺旋式のカップリング・ライン線巻き方
法を示す図面である。
【図10】図3の等価回路において、多層回路フレーム
の特徴を利用して該等価回路の並列キャパシタンス値を
増やし、もう1種類の螺旋式のカップリング・ライン線
巻き方法を示す図面である。
【図11】図5の等価回路において、LC共振空胴の原
理及び多層回路フレームの特徴を利用して、そのサイズ
を縮小し、使用する曲折式カップリング・ラインの線巻
き方法を示す図面である。
【図12】本発明の第1好ましい実施例における入力ロ
ス及び返還ロスの測量結果の説明図である。
【図13】本発明第1好ましい実施例における両平衡出
力端子信号の振幅と位相差の測量結果の説明図である。
【図14】本発明第2好ましい実施例における入力ロス
及び返還ロスの測量結果の説明図である。
【図15】本発明第2好ましい実施例における両平衡出
力端子信号の振幅と位相差の測量結果の説明図である。
【符号の説明】
200 積層薄板 214a〜214e 第1〜第5誘電基板 216、230 接地電極 220 連接電極 222 第1帯線 224a 第1螺旋状部分 224b 第2螺旋状部分 226 第2帯線 228 第3帯線 301 カップリング・ライン(301a及び301
b) 302 カップリング・ライン(302a及び302
b) 303 伝導線 304 キャパシタンス 306 帯線 777 接地端子 311 平衡端子 312a、312b 平衡端子 313a、313b 金属線 314a、314b 帯線 320 最右側カップリング・ライン 32j 右側カップリング・ライン 320a 最右側カップリング・ラインの第1線部分 320b 最右側カップリング・ラインの第2線部分 321 最左側カップリング・ライン 32i 左側カップリング・ライン 321a 最左側カップリング・ラインの第1線部分 321b 最左側カップリング・ラインの第2線部分 C〜C キャパシタンス 401 カップリング・ライン(401a及び401
b) 4031 〜403m、4031 〜403n キャ
パシタンス 411a、411b 伝導線 412a、412b 伝導線 413 平衡端子 414a、414b 平衡端子 612a〜612h 図9の第1〜第8誘電層 615a 第1穿孔 615b 第2穿孔 620a 第1出力端子 620b 第2出力端子 624a 第1カップリング・ラインの第1線部分 624b 第1カップリング・ラインの第2線部分 626a 第2カップリング・ラインの第1線部分 626b 第2カップリング・ラインの第2線部分 630 入力端子 CP キャパシタンスの第1電極部分 CP キャパシタンスの第2電極部分 642a〜642k 図10の第1〜第11誘電層 712a〜712i 図11の第1〜第9誘電層 732a、732b 伝導線 715a、715b、715c 穿孔 CP キャパシタンスの電極部分

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力端子と、第1及び第2の出力端子
    と、それぞれ一定の形状があり、且つ第1線部分及び第
    2線部分からなる少なくとも二本のカップリング・ライ
    ンと、第1本カップリング・ラインと第2本カップリン
    グ・ラインとの間に挿入され、両端を有し、一端は該第
    1本カップリング・ラインの第1線部分と連接し、もう
    一端は第2本カップリング・ラインの第1線部分と連接
    する伝導線及び、少なくとも一つのキャパシタンスとか
    らなる、無線通信伝送設備に適用するインダクタンス・
    キャパシタンス共振式平衡不平衡変成器において、その
    中の隣合っている二本のカップリング・ラインの第1線
    部分は相互に連接し、第2線部分も相互に連接し、最前
    及び最後のカップリング・ラインの第1線部分は少なく
    とも一つのキャパシタンスと並列し、第2線部分は二つ
    のアース端子と連接し、該第1及び第2の出力端子はそ
    れぞれ該第1本及び第2本カップリング・ラインの第2
    線部分と連接し、該入力端子は該最前或いは最後のカッ
    プリング・ラインの第1線部分と連接することを特徴と
    するインダクタンス・キャパシタンス共振式平衡不平衡
    変成器。
  2. 【請求項2】 カップリング・ラインの形状は螺旋状、
    曲折状、波浪状、及び鋸歯状の一つであることを特徴と
    する請求項1に記載のインダクタンス・キャパシタンス
    共振式平衡不平衡変成器。
  3. 【請求項3】 カップリング・ラインは低消耗金属材質
    であることを特徴とする請求項1に記載のインダクタン
    ス・キャパシタンス共振式平衡不平衡変成器。
  4. 【請求項4】 伝導線は低消耗金属材質であることを特
    徴とする請求項1に記載のインダクタンス・キャパシタ
    ンス共振式平衡不平衡変成器。
  5. 【請求項5】 変成器は多層誘電層構造及びインダクタ
    ンス・キャパシタンス共振空胴の等価回路より構成さ
    れ、且つ、平衡端子は穿孔を通る方式にて別の誘電層に
    至ることを特徴とする請求項1に記載のインダクタンス
    ・キャパシタンス共振式平衡不平衡変成器。
  6. 【請求項6】 多層誘電層構造は少なくとも7層の誘電
    層を含み、該誘電層は上向きに積み重なり、該7層誘電
    層は頂層から底層まで、順に依って第1誘電層から第7
    誘電層と呼び、且つ誘電層毎に一つの主表面があり、該
    7層の誘電層は、 その主表面は一つの接地金属面である第1誘電層と、 その主表面に一つの第1穿孔及び第1出力端子を形成す
    る第2誘電層と、 その主表面に第1本カップリング・ラインの第1線部分
    を形成する第3誘電層と、 その主表面に第1本カップリング・ラインの第2線部分
    及び入力端子を形成する第4誘電層と、 その主表面に第2本カップリング・ラインの第2線部分
    を形成する第5誘電層と、 その主表面に第2本カップリング・ラインの第1線部分
    を形成する第6誘電層と、 その主表面には一つの第2穿孔及び第2出力端子を形成
    し、且つ一つの接地金属面を有する第7誘電層と、 その中少なくとも一つのキャパシタンスが該第4又は第
    5誘電層の主表面に形成されるとの構造であることを特
    徴とする請求項5に記載のインダクタンス・キャパシタ
    ンス共振式平衡不平衡変成器。
  7. 【請求項7】 第2誘電層主表面の第1出力端子の範囲
    は該主表面の真中から右上側の縁に向き、第3誘電層主
    表面の該第1線部分の範囲は主表面の真中から該主表面
    の右側に形成し、第4誘電層主表面の第2線部分の範囲
    は主表面の真中から該主表面の右側に形成し、第5誘電
    層主表面の第2線部分の範囲は主表面の真中から該主表
    面の右側に形成し、第6誘電層主表面の第1線部分の範
    囲は主表面の真中から該主表面の右側に形成し、第7誘
    電層主表面の該第2出力端子の範囲は該主表面の真中か
    ら左上縁に向き、且つ少なくとも一つのキャパシタンス
    が第4又は第5誘電層の主表面の左側に形成することを
    特徴とする請求項6のインダクタンス・キャパシタンス
    共振式平衡不平衡変成器。
  8. 【請求項8】 第2誘電層主表面の第1出力端子の範囲
    は主表面の真中から左上側の縁に向き、第3誘電層主表
    面の該第1線部分の範囲は主表面の真中から該主表面の
    左側に形成し、第4誘電層主表面の第2線部分の範囲は
    主表面の真中から該主表面の左側に形成し、第5誘電層
    主表面の第2線部分の範囲は主表面の真中から該主表面
    の左側に形成し、第6誘電層主表面の第1線部分の範囲
    は主表面の真中から該主表面の左側に形成し、第7誘電
    層主表面の第2出力端子の範囲は主表面の真中から右上
    縁に向き、且つ少なくとも一つのキャパシタンスが第4
    又は第5誘電層の主表面の右側に形成することを特徴と
    する請求項6に記載のインダクタンス・キャパシタンス
    共振式平衡不平衡変成器。
  9. 【請求項9】 多層誘電層構造は少なくとも10層の誘
    電層を含み、該誘電層は上向きに積み重なり、該10層
    の誘電層は頂層から底層まで、順に依って第1誘電層か
    ら第10誘電層と呼び、且つ誘電層毎に一つの主表面が
    あり、該10層誘電層は、 その主表面は一つの接地金属面である第1誘電層と、 その主表面には該第1出力端子を形成する第2誘電層
    と、 その主表面には該第1本カップリング・ラインの第1線
    部分を形成する第3誘電層と、 その主表面には該第1本カップリング・ラインの第2線
    部分及び入力端子を形成する第4誘電層と、 その主表面には該第2本カップリング・ラインの第2線
    部分を形成する第5誘電層と、 その主表面には該第2本カップリング・ラインの第1線
    部分を形成する第6誘電層と、 その主表面には該第2出力端子を形成する第7誘電層
    と、 一つの接地金属面であり、且つその主表面には少なくと
    も一つの穿孔を設ける第8誘電層と、 第8誘電層の下に位置され、且つその主表面には少なく
    とも一つのキャパシタンスを形成する少なくとも一つの
    誘電層と、 一つの接地金属面を有する一つの底層誘電層とからなる
    ことを特徴とする請求項5に記載のインダクタンス・キ
    ャパシタンス共振式平衡不平衡変成器。
  10. 【請求項10】 第2誘電層主表面の第1出力端子の範
    囲は主表面の真中から右上側の縁に向き、第3誘電層主
    表面の第1線部分の範囲は主表面の真中から内より外へ
    に該主表面に形成され、第4誘電層主表面の第2線部分
    の範囲は主表面の真中から内より外へに該主表面に形成
    され、第5誘電層主表面の第2線部分の範囲は主表面の
    真中から内より外へに該主表面に形成され、第6誘電層
    主表面の第1線部分の範囲は内より外へに該主表面に形
    成され、第7誘電層主表面の第2出力端子の範囲は主表
    面の真中から左上縁に向くことを特徴とする請求項9に
    記載のインダクタンス・キャパシタンス共振式平衡不平
    衡変成器。
  11. 【請求項11】 多層誘電層構造は少なくとも10層の
    誘電層を含み、該誘電層は上向きに積み重なり、且つ誘
    電層毎に一つの主表面があり、該10層の誘電層は、 一つの接地金属面である一つの最頂層誘電層と、 最頂層誘電層の下に位置する、且つその主表面に少なく
    とも一つのキャパシタンスを形成する少なくとも一つの
    誘電層と、 少なくとも一つのキャパシタンスの下の第一誘電層に位
    置する、且つその主表面に少なくとも一つの穿孔を設け
    る一つの接地金属層と、 少なくとも一つのキャパシタンスの下に位置する、且つ
    その表面に第1出力端子を設ける第2誘電層と、 少なくとも一つのキャパシタンスの下に位置する、且つ
    その表面に第1本カップリング・ラインの第1線部分を
    形成する第3誘電層と、 少なくとも一つのキャパシタンスの下に位置する、且つ
    その表面に第1本カップリング・ラインの第2線部分及
    び入力端子を形成する第4誘電層と、 少なくとも一つのキャパシタンスの下に位置する、その
    表面に該第2本カップリング・ラインの第2線部分を形
    成する第5誘電層と、 少なくとも一つのキャパシタンスの下に位置する、その
    表面に第2本カップリング・ラインの第1線部分を形成
    する第6誘電層と、 少なくとも一つキャパシタンスの下に位置する、その表
    面に第2出力端子を形成する第7誘電層と、 一つの接地金属面となる一つの最底層の誘電層とからな
    ることを特徴とする請求項5に記載のインダクタンス・
    キャパシタンス共振式平衡不平衡変成器。
  12. 【請求項12】 入力端子と、第1及び第2の出力端子
    と、それぞれ一定の形状がある、且つ第1線部分及び第
    2線部分から構成される少なくとも1本のカップリング
    ・ラインと、それぞれ両端が有る第1及び第2伝送線
    と、それぞれ両端が有る第3及び第4伝導線と、少なく
    とも二つのキャパシタンスを有する無線通信伝送設備に
    適用するインダクタンス・キャパシタンス共振式平衡不
    平衡変成器において、その中の隣合っている二本のカッ
    プリング・ラインの第1線部分は相互に連接し、第2線
    部分も相互に連接し、最前及び最後のカップリング・ラ
    インの第1線部分は少なくとも一つのキャパシタンスと
    並列した後、それぞれ該第1及び第2伝導線に直列さ
    れ、該最前及び最後の該カップリング・ラインの第2線
    部分は少なくとも一つのキャパシタンスと並列した後、
    それぞれ第3及び第4伝導線と直列し、該第1及び第2
    の出力端子はそれぞれ該第1及び第2伝導線と連接し、
    該入力端子は該第3伝導線と連接し、且つ該第4伝導線
    は接地端と連接することを特徴とするインダクタンス・
    キャパシタンス共振式平衡不平衡変成器。
  13. 【請求項13】 カップリング・ラインの形状は螺旋
    状、曲折状、波浪状、及び鋸歯状の一つであることを特
    徴とする請求項12に記載のインダクタンス・キャパシ
    タンス共振式平衡不平衡変成器。
  14. 【請求項14】 カップリング・ラインは低消耗金属材
    質であることを特徴とする請求項12に記載のインダク
    タンス・キャパシタンス共振式平衡不平衡変成器。
  15. 【請求項15】 伝導線は低消耗金属材質であることを
    特徴とする請求項12に記載のインダクタンス・キャパ
    シタンス共振式平衡不平衡変成器。
  16. 【請求項16】 変成器は多層誘電層構造及びインダク
    タンス・キャパシタンス・共振空胴の等価回路からな
    る、且つ、平衡端子は穿孔を通る方式にて別の誘電層に
    至る請求項12に記載のインダクタンス・キャパシタン
    ス共振式平衡不平衡変成器。
  17. 【請求項17】 多層誘電層構造は少なくとも8層の誘
    電層を含み、該誘電層は上向きに積み重なり、且つ誘電
    層毎に一つの主表面があり、該8層の誘電層は、少なく
    とも主表面が一つの接地金属面となる一つの最頂層と、 最頂層誘電層の下に位置する、且つその主表面に少なく
    とも一つのキャパシタンスを形成する少なくとも一つの
    誘電層と、 少なくとも一つのキャパシタンスの下の第1層誘電層に
    位置する、且つその主表面に少なくとも一つの穿孔を設
    ける一つの接地金属層と、 第1接地金属層の下に位置する、且つその主表面毎にカ
    ップリング・ラインの第1線部分を形成する少なくとも
    一つ誘電層と、 第1線の下に位置する、且つ主表面毎にカップリング・
    ラインの第2線部分を形成する少なくとも一つの誘電層
    と、 第2線部分の下に位置する、且つその主表面に少なくと
    も一つの穿孔を設ける第2接地金属層と、 第2接地金属層の下に位置する、且つその主表面に少な
    くとも一つのキャパシタンスを形成する少なくとも一つ
    の誘電層と、 及び一つの接地金属面を有する一つの底層誘電層とから
    なることを特徴とする請求項16に記載のインダクタン
    ス・キャパシタンス共振式平衡不平衡変成器。
  18. 【請求項18】 おのおのの第1線部分の範囲は対応す
    る誘電層主表面の真中より内から外向きに該主表面に形
    成され、おのおのの第2線部分の範囲は対応する誘電層
    主表面の真中より内から外向きに該主表面に形成される
    ことを特徴とする請求項17に記載のインダクタンス・
    キャパシタンス共振式平衡不平衡変成器。
  19. 【請求項19】 入力端子と連接するのは等価1/4波
    長伝導線のインダクタンス・キャパシタンス共振空胴で
    あり、第1及び第2出力端子と連接するのは等価1/2
    波長伝導線のインダクタンス・キャパシタンス共振空胴
    である請求項16に記載のインダクタンス・キャパシタ
    ンス共振式平衡不平衡変成器。
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