SE513470C2 - Balunkrets - Google Patents
BalunkretsInfo
- Publication number
- SE513470C2 SE513470C2 SE9902629A SE9902629A SE513470C2 SE 513470 C2 SE513470 C2 SE 513470C2 SE 9902629 A SE9902629 A SE 9902629A SE 9902629 A SE9902629 A SE 9902629A SE 513470 C2 SE513470 C2 SE 513470C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- circuit
- waveguide
- balloon
- impedance
- guide
- Prior art date
Links
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 claims abstract 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 19
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
513 470 I g _.Wš¿, Detta åstadkommes genom att ett anpassningsnät anordnas till den verkliga Marchand-balunen. I de flesta förekommande praktiska situationer då baluner används skall impedansen på en obalanserad utgång vara 50(2. Då nämnda Marchand-balun används skall alltså impedansen på ingången till balunen transformeras till 2OOQ genom nämnda anpassningsnät.
Vid användande av Marchand-balunen blir en transformation med hjälp av nämnda anpassningsnät väldigt smalbandigt och känsligt för spridning i såväl lastimpedans som i de enskilda komponenterna i anpassningsnätet vilket är ett problem. En sådan lösning ger dessutom mycket stor spridning i uteffekt från balunen vilket även det är ett problem.
REDoGöRELsE FÖR UPPFINNINGEN Det är ett ändamål med föreliggande uppfinning att tillhandahålla en balunkrets vilken åtminstone reducerar ovan nämnda problem.
Enligt en första aspekt av föreliggande uppfinning uppnås detta ändamål genom en balunkrets enligt patentkrav 1.
En fördel med den uppfinningsenliga balunkretsen är att vissa variationer vid implementeringen kan tillåtas utan att för den skull reducera uteffekten från balunkretsen allt för mycket.
En annan fördel med den uppfinningsenliga balunkretsen är att den möjliggör en enkel biasering av balunens samtliga portar med ett minimum av erforderliga komponenter.
Ytterligare en fördel med den uppfinningsenliga balunkretsen är att den kan implementeras förhållandevis kompakt på eller i ett substrat. 237168; 99-07-08 513 470 Uppfinningen kommer nu att beskrivas närmare med hjälp av föredragna utföringsformer och med hänvisning till bifogade ritningar.
FIGURBESKRIVNING Figur 1 visar en principskiss av en balunkrets enligt teknikens ståndpunkt.
Figur 2 visar en första utföringsform av en uppfinningsenlig balunkrets.
Figur 3 visar en andra utföringsform av en uppfinningsenlig balunkrets.
Figur 4 'visar en tredje 'utföringsfornl av' en. uppfinningsenlig balunkrets.
Figur 5 visar' en fjärde utföringsfor¶1 av' en 'uppfinningsenlig balunkrets.
FÖREDRAGNA UTFöRINGsFommn För att erhålla en bättre förståelse för uppfinningens särdrag hänvisas först till figur l vilken visar en klassisk Marchand- balun innefattande en anpassningskrets.
I figur 1 visas en balunkrets l innefattande en klassisk Marchand-balun och en* tillhörande anpassningskrets. Den klassiska Marchand-balunen innefattar en första och en andra subkrets 10 respektive 20. Den första subkretsen 10 innefattar en övre ledare l0U, en undre ledare 10L och ett dielektriskt skikt anordnat mellan dessa ledare. Den övre ledaren 10U och den undre ledaren l0L i den första subkretsen 10 är kapacitivt och induktivt kopplade till varandra med en viss kopplingskonstant.
Den första subkretsen 10 eller i det motsvarar närmaste motsvarar en första Ä/4-vàgledare. Pà liknande sätt innefattar 23716b; 00-05-09 513 470 den andra subkretsen 20 en övre ledare 20U och en undre ledare 2OL och ett dielektriskt skikt anordnat mellan dessa ledare. Den övre ledaren 20U och den undre ledaren 2OL i den andra subkretsen 20 är kapacitivt och induktivt kopplade till varandra med en viss kopplingskonstant. Den andra subkretsen nntsvarar eller i det närmaste motsvarar en andra Ä/4-vägledare.
Till en första sida pá den övre ledaren l0U i den första subkretsen 10 är anordnat en ingång Pl. En andra sida pà den övre ledaren lOU i den första subkretsen 10 är anordnad till en första sida pà den övre ledaren 20U i den andra subkretsen 20 via en förbindningsledare 15. En andra sida pá den övre ledaren 20U i den andra subkretsen 20 är öppen. En första sida pà den undre ledaren 10L i den första subkretsen 10 är anordnad till jord. En andra sida pà den undre ledaren 10L i den första subkretsen 10 är anordnad till en första sida pà den undre ledaren 2OL i den andra subkretsen 20 via en första spole S2. En första ingàngsport P2 är anordnad till en första sida av' en första spole S2 via en andra spole S1. En andra ingàngsport P3 är anordnad till en andra sida av den första spolen S2 via en tredje spole S3. En andra sida pà den undre ledaren 2OL i den andra subkretsen 20 är anordnad till jord. Anpassningskretsen innefattar i detta utföringsexempel spolarna S1, S2 och S3.
Värdet pà spolarna är beroende av' vilket värde som en last antar, vilken. ansluts till ingàngsportarna P2 och P3. I den visade utföringsformen antas det att lastens impedans huvudsakligen är kapacitiv och att spolarnas induktans företrädesvis transformerar denna i huvudsak kapacvitiva impedans till att bli en helt eller en nära nog helt reell impedans. I det fall en rent reell impedans önskas pà utgången och denna skall vara 50§2 skall, genom att Marchand-balunen ger en 4:1 transformation, impedansen pà Marchand-balunens ingång vara ZOOQ. 23716b; 00-05-09 513 470 I figur 2 visas en första utföringsform av en uppfinningsenlig balunkrets 1A. Balunkretsen 1A innefattar en Ä/2-vågledare 30, där en första sida på Ä/2-vågledaren, 30 är anordnad till en första ingång P2 till balunkretsen 1A och där en andra sida på Ä/2-vågledaren 30 är anordnad till en andra ingång P3 till balunkretsen 1A. En Ä/4-vàgledare 40 är med en första sida anordnad till den andra sidan av Ä/2-vågledare 30 och med en andra sida anordnad till balunkretsens utgång Pl. En balanserad insignal som kopplas till ingångarna P2 och P3 till balunkretsen transformeras till en obalanserad signal genom Ä/2-vågledare 30.
En impedans ansluten till balunkretsens två ingångar ändras av Ä/4-vågledaren 40, så att en inpedans efter balunkretsen ökat eller minskat relativt nämnda impedans ansluten till balunkretsens ingångar.
I figur 3 visas en andra utföringsform av en uppfinningsenlig balunkrets 1B. Balunkretsen lB innefattar en Ä/2-vågledare 30, där en första sida pà Ä/Z-vàgledaren 30 är anordnad till en första ingång P2 till balunkretsen 1A via en första spole S10 och där en andra sida på Ä/2-vågledaren 30 är anordnad till en andra ingång P3 till balunkretsen 1A via en andra spole S20. En Ä/4-vågledare 40 är med en första sida anordnad till den andra sidan av Ä/2-vågledare 30 och med en andra sida anordnad till balunkretsens utgång P1. En balanserad insignal som kopplas till ingångarna. P2 och P3 till balunkretsen transformeras till en obalanserad signal genom Ä/2-vàgledare 30. En impedans hos en last ansluten till balunkretsens två ingångar ändras av' Ä/4- vågledaren 40 så att en impedans efter balunkretsen ökat eller minskat relativt nämnda lasts impedans. Spolarna S10 och S20 utjämnar en i huvudsak kapacitiv impedans hos den last som ansluts till balunkretsens så att nämnda ingångar, impedans efter balunkretsen är helt eller i det närmaste helt reell. 2371613; 00-05-09 513 470 I figur 4 visas en tredje utföringsform av en uppfinningsenlig balunkrets 1C. Balunkretsen lC innefattar en Ä/2-vàgledare 30, där en första sida på Ä/Z-vågledaren 30 är anordnad till en första ingång P2 till balunkretsen 1A via en första spole S10 och där en andra sida på X/2-vågledaren 30 är anordnad till en andra ingång P3 till balunkretsen 1A via en andra spole S20. En första Ä/4-vågledare 40 är med en första sida anordnad till den andra sidan av Ä/2-vàgledare 30 och med en andra sida anordnad till balunkretsens utgång Pl via en första kondensator C3. En andra Ä/4-vågledare 50 är med en första sida anordnad till den första sidan på Ä/2-vågledaren 30 och med en andra sida anordnad till en spänningskälla Vcc och en första sida på en andra kondensator C5. En andra sida på nämnda andra kondensator C5 är anordnad till jord.
En balanserad insignal som kopplas till ingångarna P2 och P3 till balunkretsen transformeras till en obalanserad signal genom X/2-vågledare 30. En lasts impedans ansluten till balunkretsens två ingångar ändras av den första X/4-vågledaren 40 så att en impedans efter balunkretsen ökat eller minskat relativt nämnda lasts impedans. Spänningskällan Vcc, den andra kondensatorn C5 och den andra Ä/4-vàgledaren 50 anordnad till den första sidan av Å/2-vågledaren fungerar som biasering av komponenter anordnade i lasten, exempelvis transistorer. Värdet på den andra kondensatorn, C5 väljs så att den är resonant vid en aktuell frekvens hos insignalen och på så sätt ter sig RF-mässigt som en kortslutning till jord. Ä/4-vågledaren 50 vrider en RF-mässigt kortslutning till att se ut att vara RF-mässigt öppen.
Kondensatorn C3 isolerar/skyddar en anordning ansluten till balunkretsens utgång Pl från en oönskad likspänning. 237168; 99-07-08 513 470.
I figur 5 visas en fjärde utföringsform av en uppfinningsenlig balunkrets lD. Balunkretsen 1D innefattar en Ä/2-vågledare 30, där en första sida på Ä/2-vågledaren 30 är anordnad till en första ingång P2 till balunkretsen 1A via en tredje kondensator Cl och där en andra sida på Ä/2-vågledaren 30 är anordnad till en andra ingång P3 till balunkretsen 1A via en fjärde kondensator C2. En Å/4-vågledare 40 är med en första sida anordnad till den andra sidan av ÅJ2-vågledare 30 andra sida anordnad till balunkretsens utgång Pl. En balanserad insignal som kopplas till ingångarna P2 och P3 till balunkretsen transformeras till en obalanserad signal genom. Ä/2-vågledaren . En impedans hos en last ansluten till balunkretsens tvà ingångar ändras av Ä/4-vågledaren 40 så att en impedans efter balunkretsen ökat eller minskat relativt nämnda lasts impedans.
Kondensatorerna Cl och C2 utjämnar en i huvudsak induktiv impedans hos den last som ansluts till balunkretsens ingångar så att nämnda induktiva impedans efter balunkretsen är helt eller i det närmaste helt reell. Ä/2-vågledaren och Ä/4-vågledarna i föreliggande utföringsexempel av balunkretsarna 1A-lD kan vara tillverkade av någon metall, exempelvis någon silverlegering, koppar, wolfram eller aluminium.
Föreliggande balunkretsar 1A-lD fungerar för alla våglängder, men rent praktiskt måste längden på varje Ä/4-vågledare och varje Ä/2-vågledaren vara en hanterbar längd.
Minst en av spolarna S10 och S20 kan vara trimbara. Minst en av kondesnatorerna Cl och C2 kan vara trimbara.
Balunkretsarna 1A-1D kan vara av typen mikrostrip eller stripline. 237163; 99-07-08 513 470.
I beskrivningen har använts ingång och utgång till balunkretsen för att på så sätt definiera var någonstans den balanserad insignalen skall kopplas för att genom nämnda balunkrets erhålla den obalanserad utsignalen. Motsvarande gäller naturligtvis då en obalanserad insignal skall transformeras till en balanserad utsignal, med den skillnaden att ingångarna och utgångarna byter plats jämfört med det fall som nämnts ovan.
Uppfinningen är naturligtvis inte begränsad till de ovan beskrivna och de på ritningarna visade utföringsformerna, utan ramen för de bifogade kan modifieras inom patentkraven. 237168; 99-07-08
Claims (1)
1. 0 15 20 25 30 513 470 PATENTKRAV En balunkrets innefattande medel för att transformera en balanserad insignal till en obalanserad utsignal eller en obalanserad insignal till en balanserad utsignal och medel för att ändra en impedans, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda medel för att transformera den balanserade insignalen till den obalanserade utsignalen eller den obalanserade insignalen till den balanserade utsignalen är en Ä/2-vàgledare (30), där en första sida pà nämnda Ä/2-vägledare (30) är' anordnad till en andra. port (P2) till balunkretsen och där en andra sida pà nämnda Ä/2- vàgledare (30) är anordnad till en tredje port (P3) till balunkretsen, att nämnda medel för att ändra impedansen är en Ä/4-vägledare (40) som med en första sida är anordnad till den andra sidan på Ä/2-vàgledaren (30) och med en andra sida till balunkretsens första port (P1). En balunkrets enligt patentkrav l, k ä n n e t e c k n a d av att en tredje kondensator (Cl) är anordnad mellan den andra porten (P2) och den första sidan pà Ä/2-vägledaren (30) och en fjärde kondensator (C2) är anordnad nællan den tredje porten (P3) och den andra sidan pä Ä/2-vàgledaren (30), vilka kondensatorer (Cl och, C2) är anordnade att transformera en induktiv impedans hos en last ansluten till balunkretsens andra och tredje port (P2 och P3) till en helt eller i det närmaste helt reell impedans pä balunkretsens första port (Pl). En balunkrets enligt patentkrav l, k ä n n e t e c k n a d av att en första spole (S10) är anordnad mellan den andra porten (P2) och den första 237l6b; 00-05-09 10 15 20 25 513 470 10 sidan pá Ä/2-vàgledaren (30) och en andra spole (S20) är anordnad mellan den tredje porten (P3) och den andra sidan på Ä/2-vàgledaren (30), vilka spolar (S10 och S20) är anordnade att transformera en kapacitiv impedans hos en last ansluten till balunkretsens andra och tredje port (P2 och P3) till en helt eller i det närmaste helt reell impedans pà balunkretsens första port (Pl). En balunkrets enligt patentkrav 2, k ä n n e t e c k n a d av att minst en av kondensatorerna (Cl och C2) är trimbara. En balunkrets enligt patentkrav 3, k ä n n e t e c k n a d av att minst en av spolarna (S10 och S20) är trimbara. En balunkrets enligt något av ovanstående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d av att mellan balunkretsens första port (Pl) och den andra sidan av Ä/4-vàgledaren (40) finns anordnat en första kondensator (C3). En balunkrets enligt något av patentkraven 1, 3 eller 5, k ä n n e t e c k n a d av att till den första sidan pà Ä/2-vàgledaren (30) finns anordnat medel för att biasera komponenter anordnade i lasten ansluten till balunkretsens andra och tredje port (P2 och P3). En balunkrets enligt patentkrav 7, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda medel för att biasera komponenter anordnade i nämnda last ansluten till balunkretsens andra och tredje port (P2 och P3) är en Ä/4-vàgledare (50), som med en första sida är anordnad till den första sidan pà Ä/2-vàgledaren (30) och med en andra sida är anordnad till en spänningskälla (VCC) och 237l6b; 00-05-09 10 15 lO. ll. 515 470 ll en första sida på en andra kondensator (C5), vilken kondensators (C5) andra sida är anordnad till jord. En balunkrets enligt något av ovanstående patentkrav, k ä n n e t e C k n a d av att balunkretsen är implementerad i striplineform. En balunkrets enligt nàgot av ovanstående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d av att balunkretsen är implementerad i mikrostripform. En balunkrets enligt något av' patentkraven 2-10, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda medel för att transformera den balanserade signalen till den obalanserade signalen och nämnda medel för att öka impedansen samt spolarna (S10 och S20) eller kondensatorerna (Cl och C2) är anordnade på ett och samma substrat. 2371613; 00-05-09
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9902629A SE513470C2 (sv) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | Balunkrets |
TW088120023A TW431064B (en) | 1999-07-08 | 1999-11-17 | Balun |
US09/612,129 US6441696B1 (en) | 1999-07-08 | 2000-07-07 | Balun |
JP2001509151A JP2003504930A (ja) | 1999-07-08 | 2000-07-10 | 平衡不平衡変成器 |
AU63297/00A AU6329700A (en) | 1999-07-08 | 2000-07-10 | Balun |
EP00950161A EP1201031B1 (en) | 1999-07-08 | 2000-07-10 | Balun |
CA002378394A CA2378394A1 (en) | 1999-07-08 | 2000-07-10 | Balun |
KR1020017016900A KR20020013940A (ko) | 1999-07-08 | 2000-07-10 | 발룬 회로 |
PCT/SE2000/001476 WO2001005029A1 (en) | 1999-07-08 | 2000-07-10 | Balun |
CNB008100799A CN1154229C (zh) | 1999-07-08 | 2000-07-10 | 平衡变换器 |
DE60044188T DE60044188D1 (de) | 1999-07-08 | 2000-07-10 | Symmetriereinrichtung |
HK03100334.2A HK1048203A1 (zh) | 1999-07-08 | 2003-01-14 | 平衡變換器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9902629A SE513470C2 (sv) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | Balunkrets |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE9902629D0 SE9902629D0 (sv) | 1999-07-08 |
SE9902629L SE9902629L (sv) | 2000-09-18 |
SE513470C2 true SE513470C2 (sv) | 2000-09-18 |
Family
ID=20416437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE9902629A SE513470C2 (sv) | 1999-07-08 | 1999-07-08 | Balunkrets |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6441696B1 (sv) |
EP (1) | EP1201031B1 (sv) |
JP (1) | JP2003504930A (sv) |
KR (1) | KR20020013940A (sv) |
CN (1) | CN1154229C (sv) |
AU (1) | AU6329700A (sv) |
CA (1) | CA2378394A1 (sv) |
DE (1) | DE60044188D1 (sv) |
HK (1) | HK1048203A1 (sv) |
SE (1) | SE513470C2 (sv) |
TW (1) | TW431064B (sv) |
WO (1) | WO2001005029A1 (sv) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1206768C (zh) * | 1999-09-14 | 2005-06-15 | 马科尼通讯股份有限公司 | 平衡-不平衡变换器 |
US6982609B1 (en) * | 2002-05-15 | 2006-01-03 | Zeevo | System method and apparatus for a three-line balun with power amplifier bias |
US7283793B1 (en) | 2002-05-15 | 2007-10-16 | Broadcom Corporation | Package filter and combiner network |
US6844792B1 (en) * | 2002-05-15 | 2005-01-18 | Zeevo | Single ended tuning of a differential power amplifier output |
US6819200B2 (en) * | 2002-07-26 | 2004-11-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Broadband balun and impedance transformer for push-pull amplifiers |
KR100531782B1 (ko) * | 2002-08-13 | 2005-11-29 | 엘지전자 주식회사 | 밸룬 제조방법 |
KR100517946B1 (ko) * | 2002-08-13 | 2005-09-30 | 엘지전자 주식회사 | 밸룬 구조 |
US6750752B2 (en) | 2002-11-05 | 2004-06-15 | Werlatone, Inc. | High power wideband balun and power combiner/divider incorporating such a balun |
US7453327B2 (en) * | 2003-05-14 | 2008-11-18 | Rodhe & Schwarz Gmbh & Co., Kg | Symmetrizing arrangement |
DE10328333A1 (de) * | 2003-05-14 | 2004-12-02 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Umsymmetrieranordnung |
KR100672062B1 (ko) * | 2004-12-17 | 2007-01-22 | 삼성전자주식회사 | 마이크로스트립 타입의 밸룬 및 이를 적용한 방송수신장치 |
KR100653182B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2006-12-05 | 한국전자통신연구원 | 동평면 도파관 전송선로를 이용한 발룬 |
JP4073456B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2008-04-09 | 寛治 大塚 | インピーダンス変換装置 |
US7562980B2 (en) * | 2006-04-25 | 2009-07-21 | Candace Rymniak | Optical device for providing prescription correction to a mirror |
CN101361222A (zh) | 2006-09-29 | 2009-02-04 | 株式会社村田制作所 | 平衡不平衡转换元件和平衡不平衡转换元件的制造方法 |
KR100831076B1 (ko) * | 2007-04-30 | 2008-05-22 | 강원대학교산학협력단 | 이중모드 링 공진기를 이용한 발룬-대역 통과 필터 |
US9178262B2 (en) * | 2013-01-15 | 2015-11-03 | Tyce Electronics Corporation | Feed network comprised of marchand baluns and coupled line quadrature hybrids |
JP6163350B2 (ja) * | 2013-05-02 | 2017-07-12 | 富士通株式会社 | 伝送回路、及び、信号送受信回路 |
TWI583133B (zh) | 2016-09-20 | 2017-05-11 | Nat Chi Nan Univ | A power amplifier converter |
CN109557381B (zh) * | 2018-12-12 | 2021-04-09 | 上海埃德电子股份有限公司 | 一种无源emc滤波器对称插入损耗测量系统 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB438506A (en) * | 1934-02-15 | 1935-11-15 | William Spencer Percival | Improvements in and relating to feeders and the like for electric currents of high frequency |
US3869678A (en) * | 1973-12-18 | 1975-03-04 | Rca Corp | Multiple transistor microwave amplifier |
US4800393A (en) * | 1987-08-03 | 1989-01-24 | General Electric Company | Microstrip fed printed dipole with an integral balun and 180 degree phase shift bit |
JP2819883B2 (ja) * | 1991-09-10 | 1998-11-05 | 日本電気株式会社 | タリウム系酸化物超伝導体の製造方法 |
FR2696887B1 (fr) * | 1992-10-09 | 1994-11-18 | Thomson Lgt | Amplificateur de puissance large bande haute fréquence. |
US5412355A (en) * | 1993-12-03 | 1995-05-02 | Philips Electronics North America Corporation | Resonant balun with arbitrary impedance |
JP2773617B2 (ja) * | 1993-12-17 | 1998-07-09 | 株式会社村田製作所 | バルントランス |
JP3033424B2 (ja) * | 1994-02-28 | 2000-04-17 | 松下電工株式会社 | 平衡−不平衡変換器 |
US5619172A (en) * | 1995-09-14 | 1997-04-08 | Vari-L Company, Inc. | High impedance ratio wideband transformer circuit |
US5628057A (en) * | 1996-03-05 | 1997-05-06 | Motorola, Inc. | Multi-port radio frequency signal transformation network |
JPH10200360A (ja) * | 1997-01-07 | 1998-07-31 | Tdk Corp | 積層バルントランス |
JP3576754B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2004-10-13 | 日本電信電話株式会社 | バラン回路及びバランス型周波数変換器 |
-
1999
- 1999-07-08 SE SE9902629A patent/SE513470C2/sv not_active IP Right Cessation
- 1999-11-17 TW TW088120023A patent/TW431064B/zh not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-07-07 US US09/612,129 patent/US6441696B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-10 EP EP00950161A patent/EP1201031B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-10 JP JP2001509151A patent/JP2003504930A/ja not_active Abandoned
- 2000-07-10 KR KR1020017016900A patent/KR20020013940A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-07-10 AU AU63297/00A patent/AU6329700A/en not_active Abandoned
- 2000-07-10 WO PCT/SE2000/001476 patent/WO2001005029A1/en active Application Filing
- 2000-07-10 CA CA002378394A patent/CA2378394A1/en not_active Abandoned
- 2000-07-10 CN CNB008100799A patent/CN1154229C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-10 DE DE60044188T patent/DE60044188D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-01-14 HK HK03100334.2A patent/HK1048203A1/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020013940A (ko) | 2002-02-21 |
HK1048203A1 (zh) | 2003-03-21 |
SE9902629D0 (sv) | 1999-07-08 |
TW431064B (en) | 2001-04-21 |
AU6329700A (en) | 2001-01-30 |
EP1201031B1 (en) | 2010-04-14 |
DE60044188D1 (de) | 2010-05-27 |
CN1154229C (zh) | 2004-06-16 |
SE9902629L (sv) | 2000-09-18 |
JP2003504930A (ja) | 2003-02-04 |
CA2378394A1 (en) | 2001-01-18 |
US6441696B1 (en) | 2002-08-27 |
WO2001005029A1 (en) | 2001-01-18 |
EP1201031A1 (en) | 2002-05-02 |
CN1360754A (zh) | 2002-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SE513470C2 (sv) | Balunkrets | |
US6331815B1 (en) | Dual-frequency matching circuit | |
EP0309163B1 (en) | A monolithic microwave integrated circuit | |
US4788511A (en) | Distributed power amplifier | |
US6005454A (en) | Radio frequency power divider/combiner circuit having conductive lines and lumped circuits | |
US6653903B2 (en) | Supply voltage decoupling device for HF amplifier circuits | |
US6300835B1 (en) | Power amplifier core | |
IT9048177A1 (it) | Equalizzatore di guadagno a pendenza variabile per circuito integrato monolitico a microonde con transistore fet | |
US6380821B1 (en) | Substrate shielded multilayer balun transformer | |
JPH10284912A (ja) | マイクロ波電力合成・分配回路 | |
JPS6038911A (ja) | 作動周波数と独立してリアクタンスを整合する4端子網 | |
JPH03250807A (ja) | 電力合成形多段増幅器 | |
JP2000508124A (ja) | 改善された接地電位連続性を有する高電力の予め整合されたmmicトランジスタ | |
SE513345C2 (sv) | Balun | |
JP4410129B2 (ja) | 周波数可変インピーダンス整合回路 | |
US4277764A (en) | Microwave transistor stabilization circuit | |
JPH08204472A (ja) | 高周波増幅回路 | |
US20020000637A1 (en) | Monolithic integrated circuit with several capacitors forming bypass to ground | |
JPH0766659A (ja) | マイクロ波増幅器 | |
JP2006222159A (ja) | 高出力増幅回路 | |
JPH10200343A (ja) | 高周波回路装置 | |
KR940011023B1 (ko) | 분산형 증폭기 | |
JPH06310916A (ja) | マイクロ波集積回路 | |
JPH0983203A (ja) | 高周波回路 | |
JP2000244262A (ja) | 高周波用電力増幅器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |