JP4410129B2 - 周波数可変インピーダンス整合回路 - Google Patents

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Description

本発明は、アンテナや増幅器などの各種受動、能動回路に適用可能であり、動作周波数を変化させることのできるインピーダンス整合回路に関するものである。
従来の周波数可変インピーダンス整合回路は、容量固定インダクタンス素子(以下、固定インダクタと呼ぶ)の両端に2つの異なる容量可変キャパシタンス素子(以下、可変キャパシタと呼ぶ)が接続されたπ形回路が用いられていた(例えば、特許文献1参照)。固定インダクタのインダクタンスをL、それぞれの可変キャパシタをC、C、そして負荷側および信号源側のインピーダンスをそれぞれ実数値Z、Zとすると、動作周波数ωにおける整合条件として、可変キャパシタC、Cの設定値は、下式(1)、(2)で与えられる。
Figure 0004410129
したがって、上式(1)、(2)に基づいて可変キャパシタの値を設定することで、周波数可変インピーダンス整合回路を得ることができる。
特開平9−307331号公報(第1頁、図1)
しかしながら、従来技術には次のような課題があった。インピーダンス整合回路は、一般に、その段数を増加させることにより整合損を劣化させることなくインピーダンス変成比を大きくすることができる。したがって、π形整合回路により所望のインピーダンス変成比が得られない場合は、さらにそのπ形整合回路の段数を増加させることになる。しかし、その場合、可変キャパシタが取るべき値を上式(1)、(2)で示したような閉じた形で与えることが困難となる。これにより、キャパシタの制御回路の構成法が不明となるかあるいは極めて複雑化してしまうという問題があった。
本発明は上述のような課題を解決するためになされたもので、大きなインピーダンス変成比を得るために回路段数を増加した場合においても、可変キャパシタの取るべき値を容易に求めることができ、かつ広帯域にわたり動作周波数を変化させた場合でも、インピーダンス変成比を常に一定に保つことのできる周波数可変インピーダンス整合回路を得ることを目的とする。
本発明に係る周波数可変インピーダンス整合回路は、同一特性を有する一対の容量可変キャパシタンス素子のそれぞれを、固定長を有する伝送線路の両端と地導体との間に接続してなる単位回路を偶数個備え、単位回路のそれぞれの伝送線路の固定長を同一とし、伝送線路を直流阻止用のキャパシタを介して縦続接続したものである。
また、本発明に係る周波数可変インピーダンス整合回路は、一個の可変キャパシタンス素子を、固定長を有する伝送線路の中心点と地導体との間に接続してなる単位回路を偶数個備え、単位回路のそれぞれの伝送線路の固定長を同一とし、伝送線路を直流阻止用のキャパシタを介して縦続接続したものである。
本発明の周波数可変インピーダンス整合回路によれば、固定長の伝送線路の両端に同一特性を有する一対の可変キャパシタを接続した回路、あるいは固定長の伝送線路の中間点に一個の可変キャパシタを接続した回路を単位回路とし、それぞれの伝送線路の固定長を同一とした単位回路を偶数個縦続接続することにより、大きなインピーダンス変成比を得るために縦続接続する単位回路の段数を増加した場合においても、可変キャパシタの取るべき値を容易に求めることができ、かつ広帯域にわたり動作周波数を変化させた場合でも、インピーダンス変成比を常に一定に保つことのできる周波数可変インピーダンス整合回路を得ることができる。
以下、本発明の周波数可変インピーダンス整合回路の好適な実施の形態につき図面を用いて説明する。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1における周波数可変インピーダンス整合回路の構成図である。誘電体基板10の上に、特性インピーダンスの異なるマイクロストリップ線路11a、11bが構成されている。マイクロストリップ線路11aの両端には、それぞれ同一の特性を有するバラクタダイオード12aが接続されている。同様に、マイクロストリップ線路11bの両端には、それぞれ同一の特性を有するバラクタダイオード12bが接続されている。
さらに、マイクロストリップ線路11aとマイクロストリップ線路11bは、MIM(Metal−Insulator−Metal)キャパシタ13を介して従属接続されている。このMIMキャパシタ13は、バラクタダイオード12a及びバラクタダイオード12bのそれぞれの制御用バイアス電圧を分離するための直流阻止用キャパシタである。
次に、図1のような構成を有する周波数可変インピーダンス整合回路の動作について説明する。図2は、本発明の実施の形態1における周波数可変インピーダンス整合回路の等価回路図である。マイクロストリップ線路11a側の等価回路は、特性インピーダンスZを有する伝送線路と、その両端に接続された可変キャパシタCを有する2つの可変容量素子として表すことができる。同様に、マイクロストリップ線路11b側の等価回路は、特性インピーダンスZを有する伝送線路と、その両端に接続された可変キャパシタCを有する2つの可変容量素子として表すことができる。
それぞれの伝送線路の電気長θが互いに同一であり、そのときの線路の遅延時間をτとすると、動作周波数ωにおける電気長θは、下式(3)で表される。
Figure 0004410129
ここで、それぞれの可変キャパシタC1、C2について下式(4)が成立するものとする。
Figure 0004410129
上式(4)の関係を有するときは、伝送線路とその両端のキャパシタからなる回路の四端子行列Fは、下式(5)となる。
Figure 0004410129
また、インピーダンス変成器として知られているKインバータ回路の四端子行列Fは、下式(6)となる。
Figure 0004410129
ここで、式(5)と式(6)とを比較すると、下式(7)の関係のもとで、両式は同一となる。
Figure 0004410129
図3は、本発明の実施の形態1におけるKインバータによる等価回路図であり、図2に示した等価回路は、式(7)の関係から、図3に示すような2つの周波数可変KインバータK,Kの縦続接続と等価となる。
一般に、Kインバータは、単独でインピーダンス整合回路として用いることができる。しかし、本実施の形態1のKインバータを単独で用いる場合には、式(7)からわかるように、Kの値が動作周波数ωによって変化するため、周波数によらずほぼ一定値の負荷インピーダンスZとなる負荷に対しては、整合回路として適用できない。
これに対して、図3に示すように、本実施の形態1のKインバータを縦続接続して用いる場合には、この整合回路に負荷インピーダンスZが接続された場合の入力インピーダンスZinは式(7)の関係から、下式(8)となる。
Figure 0004410129
したがって、式(8)においては動作周波数ωが含まれておらず、負荷インピーダンスZと入力インピーダンスZinとの関係に周波数依存性が無いことがわかる。したがって本実施の形態1は、比較的単純な式(4)に基づき各可変キャパシタC、Cの値を設定することで、任意の動作周波数ωにおいて常に一定のインピーダンス変成比(Z/Zを得ることができる。
また、多段化したときの例として、図2に示した縦続接続段数が2段の回路を4段とし、特性インピーダンスZ〜Zの伝送線路を用いた場合の入力インピーダンスを考える。2段の回路に対する式(8)と同様にして、4段の回路に対する負荷インピーダンスZと入力インピーダンスZinとの関係は、下式(9)で表すことができる。
Figure 0004410129
したがって、例えば、Z=Z、Z=Zの場合を考えると、式(8)の2段の回路の場合に比べてその2乗分だけインピーダンス変成比を大きくすることができる。この場合にも、Z、Zの線路に装荷すべきキャパシタンス値は、式(4)により容易に求めることができる。一般に、偶数段のKインバータを縦続接続する場合に限り、変成比の周波数依存性が無くなることが式(8)または(9)から容易に類推できる。
実施の形態1によれば、固定長の伝送線路の両端に同一特性を有する一対の可変キャパシタを接続した回路を単位回路とし、それぞれの伝送線路の固定長を同一とした単位回路を偶数個縦続接続することにより、大きなインピーダンス変成比を得るために縦続接続する単位回路の段数を増加した場合にも、可変キャパシタの取るべき値を容易に設定することができ、かつ周波数変化時のインピーダンス変成比を常に一定に保つ周波数可変インピーダンス整合回路を実現することができる。
実施の形態2.
図4は、本発明の実施の形態2における周波数可変インピーダンス整合回路の構成図である。誘電体基板30の上に、特性インピーダンスの異なるマイクロストリップ線路31a、31bが構成されている。マイクロストリップ線路31aの中間点には、バラクタダイオード32aが接続されている。同様に、マイクロストリップ線路31bの中間点にはバラクタダイオード32bが接続されている。
さらに、マイクロストリップ線路31aとマイクロストリップ線路31bは、MIM(Metal−Insulator−Metal)キャパシタ33を介して従属接続されている。このMIMキャパシタ33は、バラクタダイオード32a及びバラクタダイオード32bのそれぞれの制御用バイアス電圧を分離するための直流阻止用キャパシタである。
本構成は、実施の形態1にて示した固定長の伝送線路およびその両端に接続された一対の可変キャパシタからなる回路に代えて、固定長の伝送線路およびその中間点に接続された一個の可変キャパシタからなる回路を用いたものである。
次に、図4のような構成を有する周波数可変インピーダンス整合回路の動作について説明する。図5は、本発明の実施の形態2における周波数可変インピーダンス整合回路の等価回路図である。マイクロストリップ線路31a側の等価回路は、特性インピーダンスZおよび動作周波数ωにおける電気長θを有する伝送線路と、その中間点に接続された可変キャパシタC11を有する一個の可変容量素子として表すことができる。同様に、マイクロストリップ線路31b側の等価回路は、特性インピーダンスZおよび動作周波数ωにおける電気長θを有する伝送線路と、その中間点に接続された可変キャパシタC22を有する一個の可変容量素子として表すことができる。
図5の等価回路に対して、図2に対して行った式(3)〜式(6)と同様の操作を行うことができる。この結果、図5における伝送線路と一個の可変容量素子からなる回路は、下式(10)のような可変キャパシタCii(i=1、2)を与えることにより、下式(11)のようなK値を有するKインバータとして動作することがわかる。
Figure 0004410129
図6は、本発明の実施の形態2におけるKインバータによる等価回路であり、同回路に負荷インピーダンスZが接続された場合の入力インピーダンスZinは、実施の形態1における式(8)と全く同一の関係から、下式(12)により与えられる。
Figure 0004410129
したがって、式(12)においては動作周波数ωが含まれておらず、負荷インピーダンスZと入力インピーダンスZinとの関係に周波数依存性が無いことがわかる。したがって本実施の形態2は、比較的単純な式(10)に基づき各可変キャパシタC11、C22の値を設定することで、任意の動作周波数ωにおいて常に一定のインピーダンス変成比(Z/Zを得ることができる。そして、本実施の形態2によれば、実施の形態1と全く等価な周波数可変インピーダンス整合回路を、より少ない個数の可変容量素子により実現することができる。
実施の形態2によれば、固定長の伝送線路の中間点に一個の可変キャパシタを接続した回路を単位回路とし、それぞれの伝送線路の固定長を同一とした単位回路を偶数個縦続接続することにより、大きなインピーダンス変成比を得るために縦続接続する単位回路の段数を増加した場合にも、可変キャパシタの取るべき値を容易に設定することができ、かつ周波数変化時のインピーダンス変成比を常に一定に保つ周波数可変インピーダンス整合回路を実現することができる。
さらに、実施の形態1と全く等価な周波数可変インピーダンス整合回路を、より少ない個数の可変容量素子により実現することができる。
実施の形態3.
実施の形態1および2は、伝送線路と可変キャパシタからなるKインバータ回路を従属接続した周波数可変インピーダンス整合回路について説明した。実施の形態3は、伝送線路と可変キャパシタからなるKインバータ回路に、さらに固定インダクタを付加したときの周波数可変インピーダンス整合回路について説明する。
図7は、本発明の実施の形態3における周波数可変インピーダンス整合回路の構成図である。誘電体基板20の上に、特性インピーダンスの異なるマイクロストリップ線路21a、21bが構成されている。マイクロストリップ線路21aの両端には、それぞれ同一の特性を有するバラクタダイオード22aが接続されている。同様に、マイクロストリップ線路21bの両端には、それぞれ同一の特性を有するバラクタダイオード22bが接続されている。
さらに、マイクロストリップ線路21aとマイクロストリップ線路21bは、MIM(Metal−Insulator−Metal)キャパシタ23を介して従属接続されている。このMIMキャパシタ23は、バラクタダイオード22a及びバラクタダイオード22bのそれぞれの制御用バイアス電圧を分離するための直流阻止用キャパシタである。
さらに、マイクロストリップ線路21aの両端には、それぞれ、直流阻止用のMIMキャパシタ24、マイクロストリップ線路25、そして電気的短絡用のバイアホール26が接続されており、これらは先端短絡スタブを構成し、インダクタとして機能する。
次に、図7のような構成を有する周波数可変インピーダンス整合回路の動作について説明する。可変キャパシタの容量値をC、付加するインダクタンスをLとすると、それらを合わせた回路のアドミタンスは、下式(13)となる。
Figure 0004410129
したがって、容量値C =(C−1/ωL)のキャパシタと見なすことができる。このC の値を、式(4)を満たすように設定することにより、実施の形態1と同様の動作を呈することとなる。さらに、インダクタは、低域阻止特性を有する素子となるため、本実施の形態3の回路の通過特性は、低域の通過量を減少させることが可能となり、急峻な周波数選択性を実現することが可能となる。
図8は、本発明における周波数可変インピーダンス整合回路の通過特性を表した図である。破線で示したものがインダクタがない場合であり、実施の形態1の周波数可変インピーダンス整合回路に相当する。これに対して、実線で示したものがインダクタがある場合であり、実施の形態3の周波数可変インピーダンス整合回路に相当する。
同じ動作周波数ωに対して、実線で示されたインダクタありの通過特性が、破線で示されたインダクタなしの通過特性よりも急峻な周波数選択性を有している。
実施の形態3によれば、固定長の伝送線路の両端に同一値の可変キャパシタを接続した回路を単位回路とし、それぞれの伝送線路の固定長を同一とした単位回路を偶数個縦続接続するとともに、可変キャパシタに固定インダクタを付加することにより、大きなインピーダンス変成比を得るために縦続接続する単位回路の段数を増加した場合にも、可変キャパシタの取るべき値を容易に設定することができ、かつ周波数変化時のインピーダンス変成比を常に一定に保ちつつ広帯域にわたり整合周波数を変化でき、さらに周波数選択性に優れた周波数可変インピーダンス整合回路を実現することができる。
本発明の実施の形態1における周波数可変インピーダンス整合回路の構成図である。 本発明の実施の形態1における周波数可変インピーダンス整合回路の等価回路図である。 本発明の実施の形態1におけるKインバータによる等価回路図である。 本発明の実施の形態2における周波数可変インピーダンス整合回路の構成図である。 本発明の実施の形態2における周波数可変インピーダンス整合回路の等価回路図である。 本発明の実施の形態2におけるKインバータによる等価回路図である。 本発明の実施の形態3における周波数可変インピーダンス整合回路の構成図である。 本発明における周波数可変インピーダンス整合回路の通過特性を表した図である。
符号の説明
10 誘電体基板、11a、11b マイクロストリップ線路、12a、12b バラクタダイオード、13 MIMキャパシタ、20 誘電体基板、21a、21b マイクロストリップ線路、22a、22b バラクタダイオード、23、24 MIMキャパシタ、25 マイクロストリップ線路、26 バイアホール、30 誘電体基板、31a、31b マイクロストリップ線路、32a、32b バラクタダイオード、33 MIMキャパシタ。

Claims (3)

  1. 同一特性を有する一対の容量可変キャパシタンス素子のそれぞれを、固定長を有する伝送線路の両端と地導体との間に接続してなる単位回路を偶数個備え、
    前記単位回路のそれぞれの伝送線路の固定長を同一とし、前記伝送線路を直流阻止用のキャパシタを介して縦続接続したことを特徴とする周波数可変インピーダンス整合回路。
  2. 一個の可変キャパシタンス素子を、固定長を有する伝送線路の中心点と地導体との間に接続してなる単位回路を偶数個備え、
    前記単位回路のそれぞれの伝送線路の固定長を同一とし、前記伝送線路を直流阻止用のキャパシタを介して縦続接続したことを特徴とする周波数可変インピーダンス整合回路。
  3. 請求項1または2に記載の周波数可変インピーダンス整合回路において、
    前記可変容量キャパシタンス素子に固定容量インダクタンス素子を並列に接続したことを特徴とする周波数可変インピーダンス整合回路。
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