JPH10284912A - マイクロ波電力合成・分配回路 - Google Patents
マイクロ波電力合成・分配回路Info
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- JPH10284912A JPH10284912A JP9088988A JP8898897A JPH10284912A JP H10284912 A JPH10284912 A JP H10284912A JP 9088988 A JP9088988 A JP 9088988A JP 8898897 A JP8898897 A JP 8898897A JP H10284912 A JPH10284912 A JP H10284912A
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- terminal
- capacitor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 分配端子間の距離が離れることにより生じる
アイソレーションの劣化を防止し、良好なアイソレーシ
ョン特性を有するマイクロ波電力合成・分配回路を提供
する。 【解決手段】 第一の伝送線路１１の一端を第一の信号
端子２１（分配端子）とし、第二の伝送線路１２の一端
を第二の信号端子２２（分配端子）とし、第一の伝送線
路１１の他端と第二の伝送線路１２の他端を接続し、そ
の接続部を第三の信号端子２３（合成端子）とする。第
一の信号端子２１と第二の信号端子２２との間には、第
一のキャパシタ３４、抵抗３１（アイソレーション抵
抗）、第二のキャパシタ３５が直列に接続され、第一の
伝送線路１１および第二の伝送線路１２の長さは波長の
約１／４で構成される。
アイソレーションの劣化を防止し、良好なアイソレーシ
ョン特性を有するマイクロ波電力合成・分配回路を提供
する。 【解決手段】 第一の伝送線路１１の一端を第一の信号
端子２１（分配端子）とし、第二の伝送線路１２の一端
を第二の信号端子２２（分配端子）とし、第一の伝送線
路１１の他端と第二の伝送線路１２の他端を接続し、そ
の接続部を第三の信号端子２３（合成端子）とする。第
一の信号端子２１と第二の信号端子２２との間には、第
一のキャパシタ３４、抵抗３１（アイソレーション抵
抗）、第二のキャパシタ３５が直列に接続され、第一の
伝送線路１１および第二の伝送線路１２の長さは波長の
約１／４で構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばマイクロ波
通信装置等に用いられるマイクロ波電力合成・分配回路
に関する。
通信装置等に用いられるマイクロ波電力合成・分配回路
に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波帯における電力合成・分配回
路として、回路構成の単純さとインピーダンス変換機能
を併せ持たせることができるという長所があるため、い
わゆるウィルキンソン型の電力合成・分配回路を基本構
成とするものが、例えば高出力電力増幅器の出力整合回
路などに多く用いられている。
路として、回路構成の単純さとインピーダンス変換機能
を併せ持たせることができるという長所があるため、い
わゆるウィルキンソン型の電力合成・分配回路を基本構
成とするものが、例えば高出力電力増幅器の出力整合回
路などに多く用いられている。
【０００３】図５に従来のウィルキンソン型構成の電力
合成・分配回路の等価回路を示す。第一の伝送線路１１
の一端を第一の信号端子２１（分配端子）とし、第二の
伝送線路１２の一端を第二の信号端子２２（分配端子）
とし、第一の伝送線路１１の他端と第二の伝送線路１２
の他端を接続し、その接続部を第三の信号端子２３（合
成端子）とする。第一の信号端子２１と第二の信号端子
２２は抵抗３１（アイソレーション抵抗）を介して接続
されている。第一の伝送線路１１および第二の伝送線路
１２の長さは入力信号の波長の約１／４とし、その特性
インピーダンスおよび抵抗３１の値は第一の信号端子乃
至第三の信号端子２１、２２、２３のインピーダンスに
よって決められる。
合成・分配回路の等価回路を示す。第一の伝送線路１１
の一端を第一の信号端子２１（分配端子）とし、第二の
伝送線路１２の一端を第二の信号端子２２（分配端子）
とし、第一の伝送線路１１の他端と第二の伝送線路１２
の他端を接続し、その接続部を第三の信号端子２３（合
成端子）とする。第一の信号端子２１と第二の信号端子
２２は抵抗３１（アイソレーション抵抗）を介して接続
されている。第一の伝送線路１１および第二の伝送線路
１２の長さは入力信号の波長の約１／４とし、その特性
インピーダンスおよび抵抗３１の値は第一の信号端子乃
至第三の信号端子２１、２２、２３のインピーダンスに
よって決められる。
【０００４】理想的には、第一の信号端子２１・第二の
信号端子２２（分配端子）および第三の信号端子２３
（合成端子）のインピーダンスをそれぞれＲL 、Ｒg と
し、第三の信号端子２３から入力した信号が第一の信号
端子２１および第二の信号端子２２に同じレベルの信号
に分配する回路の場合、伝送線路の特性インピーダンス
は（２ＲL ・Ｒg ）1/2 とし、抵抗は２ＲL とすればよ
いことが知られている。
信号端子２２（分配端子）および第三の信号端子２３
（合成端子）のインピーダンスをそれぞれＲL 、Ｒg と
し、第三の信号端子２３から入力した信号が第一の信号
端子２１および第二の信号端子２２に同じレベルの信号
に分配する回路の場合、伝送線路の特性インピーダンス
は（２ＲL ・Ｒg ）1/2 とし、抵抗は２ＲL とすればよ
いことが知られている。
【０００５】ところで、図５に示した回路において実際
に使用される場合には、第一の信号端子２１および第二
の信号端子２２には例えば電力増幅器などの回路が接続
される。そのため、これら増幅器などの回路を接続する
ためには、当然第一の信号端子２１と第二の信号端子２
２とはある程度の距離を離す必要が生ずる。しかしなが
ら、上述するように理想的には第一の信号端子２１と第
二の信号端子２２との間に接続される抵抗は集中定数素
子であることが望ましいが、第一の信号端子２１と第二
の信号端子２２との距離を離すことによって生ずる寄生
素子の影響を受けてしまう。
に使用される場合には、第一の信号端子２１および第二
の信号端子２２には例えば電力増幅器などの回路が接続
される。そのため、これら増幅器などの回路を接続する
ためには、当然第一の信号端子２１と第二の信号端子２
２とはある程度の距離を離す必要が生ずる。しかしなが
ら、上述するように理想的には第一の信号端子２１と第
二の信号端子２２との間に接続される抵抗は集中定数素
子であることが望ましいが、第一の信号端子２１と第二
の信号端子２２との距離を離すことによって生ずる寄生
素子の影響を受けてしまう。
【０００６】ここに第一の信号端子２１と第二の信号端
子２２との間に距離がある場合の等価回路を図６に示し
た。回路的には抵抗３１との接続に伝送線路３２および
３３を付加することによって抵抗部の寄生素子の影響を
表すことができる。そこで、例えば図６に示した等価回
路において３０μｍのＧａＡｓ半絶縁性基板上にマイク
ロストリップ線路を形成した電力合成・分配回路の場
合、第一の信号端子２１（分配端子）と第二の信号端子
２２（分配端子）との中心間隔を５３０μｍ、マイクロ
ストリップ線路（第一、第二の伝送線路２１、２２）の
幅を１５０μｍとすると、抵抗３１を接続するためには
１９０μｍの長さの配線が２本必要となる。この場合の
寄生効果を考慮したシミュレーション結果を図７に示
す。
子２２との間に距離がある場合の等価回路を図６に示し
た。回路的には抵抗３１との接続に伝送線路３２および
３３を付加することによって抵抗部の寄生素子の影響を
表すことができる。そこで、例えば図６に示した等価回
路において３０μｍのＧａＡｓ半絶縁性基板上にマイク
ロストリップ線路を形成した電力合成・分配回路の場
合、第一の信号端子２１（分配端子）と第二の信号端子
２２（分配端子）との中心間隔を５３０μｍ、マイクロ
ストリップ線路（第一、第二の伝送線路２１、２２）の
幅を１５０μｍとすると、抵抗３１を接続するためには
１９０μｍの長さの配線が２本必要となる。この場合の
寄生効果を考慮したシミュレーション結果を図７に示
す。
【０００７】図７の横軸は周波数（ＧＨｚ）であり、縦
軸はアイソレーション、反射損（ｄＢ）である。中心周
波数２９．５ＧＨｚ、分配端子（第一、第二の信号端
子）および合成端子（第三の信号端子）のインピーダン
スはそれぞれ３Ω、５０Ωとし、６Ωのアイソレーショ
ン抵抗は２０μｍ幅のマイクロストリップ線路で接続さ
れている。図７に見るように、分配端子の反射損および
アイソレーションは中心周波数で共に７ｄＢ程度しか得
られていない。
軸はアイソレーション、反射損（ｄＢ）である。中心周
波数２９．５ＧＨｚ、分配端子（第一、第二の信号端
子）および合成端子（第三の信号端子）のインピーダン
スはそれぞれ３Ω、５０Ωとし、６Ωのアイソレーショ
ン抵抗は２０μｍ幅のマイクロストリップ線路で接続さ
れている。図７に見るように、分配端子の反射損および
アイソレーションは中心周波数で共に７ｄＢ程度しか得
られていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、寄生素
子が抵抗部に付加されることによって本来の抵抗の効果
が著しく低下し、第一の信号端子２１と第二の信号端子
２２との間のアイソレーションが劣化する不都合が生じ
るという問題があった。
子が抵抗部に付加されることによって本来の抵抗の効果
が著しく低下し、第一の信号端子２１と第二の信号端子
２２との間のアイソレーションが劣化する不都合が生じ
るという問題があった。
【０００９】そこで本発明は、上述の問題点に鑑みてな
されたもので、第一の信号端子と第二の信号端子との距
離が離れることにより生じるアイソレーションの劣化を
防止し、良好なアイソレーション特性を有するマイクロ
波電力合成・分配回路を提供することを目的とする。
されたもので、第一の信号端子と第二の信号端子との距
離が離れることにより生じるアイソレーションの劣化を
防止し、良好なアイソレーション特性を有するマイクロ
波電力合成・分配回路を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明は、第一の伝送線路の一端と第二の伝送線路の一
端とを接続し、前記第一の伝送線路の他端を第一の信号
端子、前記第二の伝送線路の他端を第二の信号端子、お
よび前記第一の伝送線路の一端と第二の伝送線路の一端
との接続部を第三の信号端子とし、前記第一の信号端子
と前記第二の信号端子の間に抵抗とキャパシタを直列に
接続し、前記第一および第二の伝送線路の長さを入力信
号の約１／４波長としたことを特徴とする。
本発明は、第一の伝送線路の一端と第二の伝送線路の一
端とを接続し、前記第一の伝送線路の他端を第一の信号
端子、前記第二の伝送線路の他端を第二の信号端子、お
よび前記第一の伝送線路の一端と第二の伝送線路の一端
との接続部を第三の信号端子とし、前記第一の信号端子
と前記第二の信号端子の間に抵抗とキャパシタを直列に
接続し、前記第一および第二の伝送線路の長さを入力信
号の約１／４波長としたことを特徴とする。
【００１１】また、第一の伝送線路の一端と第二の伝送
線路の一端とを接続し、前記第一の伝送線路の他端を第
一の信号端子、前記第二の伝送線路の他端を第二の信号
端子、および前記第一の伝送線路の一端と第二の伝送線
路の一端との接続部を第三の信号端子とし、前記第一の
信号端子と前記第二の信号端子の間に第一のキャパシ
タ、抵抗、および第二のキャパシタの順に直列に接続
し、前記第一および第二の伝送線路の長さを入力信号の
約１／４波長としたことを特徴とする。
線路の一端とを接続し、前記第一の伝送線路の他端を第
一の信号端子、前記第二の伝送線路の他端を第二の信号
端子、および前記第一の伝送線路の一端と第二の伝送線
路の一端との接続部を第三の信号端子とし、前記第一の
信号端子と前記第二の信号端子の間に第一のキャパシ
タ、抵抗、および第二のキャパシタの順に直列に接続
し、前記第一および第二の伝送線路の長さを入力信号の
約１／４波長としたことを特徴とする。
【００１２】また、第一のキャパシタと第二のキャパシ
タの容量が等しいことを特徴とする。
タの容量が等しいことを特徴とする。
【００１３】また、半絶縁性半導体基板上に形成された
伝送線路、抵抗、およびキャパシタを含んだモノリシッ
ク集積回路であることを特徴とする。
伝送線路、抵抗、およびキャパシタを含んだモノリシッ
ク集積回路であることを特徴とする。
【００１４】また、第一の信号端子と第二の信号端子と
の間の距離に応じてキャパシタの容量を変えることを特
徴とする。
の間の距離に応じてキャパシタの容量を変えることを特
徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１に本発明の第一の実施の形態
を示す。第一の伝送線路１１の一端を第一の信号端子２
１（分配端子）とし、第二の伝送線路１２の一端を第二
の信号端子２２（分配端子）とし、第一の伝送線路１１
の他端と第二の伝送線路１２の他端を接続し、その接続
部を第三の信号端子２３（合成端子）とする。第一の信
号端子２１と第二の信号端子２２との間には、直列に接
続した第一のキャパシタ３４、抵抗３１（アイソレーシ
ョン抵抗）第二のキャパシタ３５が接続されている。第
一の伝送線路１１および第二の伝送線路１２の長さは入
力信号の波長の約１／４とし、その特性インピーダンス
および抵抗３１の値は第一の信号端子乃至第三の信号端
子２１、２２、２３のインピーダンスによって決まる。
図中で第一の信号端子２１と第二の信号端子２２の間の
寄生素子は伝送線路３２および伝送線路３３により表さ
れている。
を示す。第一の伝送線路１１の一端を第一の信号端子２
１（分配端子）とし、第二の伝送線路１２の一端を第二
の信号端子２２（分配端子）とし、第一の伝送線路１１
の他端と第二の伝送線路１２の他端を接続し、その接続
部を第三の信号端子２３（合成端子）とする。第一の信
号端子２１と第二の信号端子２２との間には、直列に接
続した第一のキャパシタ３４、抵抗３１（アイソレーシ
ョン抵抗）第二のキャパシタ３５が接続されている。第
一の伝送線路１１および第二の伝送線路１２の長さは入
力信号の波長の約１／４とし、その特性インピーダンス
および抵抗３１の値は第一の信号端子乃至第三の信号端
子２１、２２、２３のインピーダンスによって決まる。
図中で第一の信号端子２１と第二の信号端子２２の間の
寄生素子は伝送線路３２および伝送線路３３により表さ
れている。
【００１６】また、上記構成の回路をモノリシック集積
回路とした平面図を図２に示す。ＧａＡｓ半絶縁性基板
上にＵ字状のマイクロストリップ線路を形成し、このＵ
字の半分が伝送線路１１と伝送線路１２となる。Ｕ字の
上端（図では左端）がそれぞれ第一の信号端子２１（分
配端子）と第二の信号端子２２（分配端子）であり、Ｕ
字の下端（図では右端）が第三の信号端子２３（合成端
子）である。伝送線路１１と伝送線路１２の長さはそれ
ぞれ信号の波長の約１／４である。第一の信号端子２１
と第二の信号端子２２との間には第一のキャパシタ３
４、抵抗３１、および第二のキャパシタ３５をこの順序
で直列に接続した回路が配置されている。
回路とした平面図を図２に示す。ＧａＡｓ半絶縁性基板
上にＵ字状のマイクロストリップ線路を形成し、このＵ
字の半分が伝送線路１１と伝送線路１２となる。Ｕ字の
上端（図では左端）がそれぞれ第一の信号端子２１（分
配端子）と第二の信号端子２２（分配端子）であり、Ｕ
字の下端（図では右端）が第三の信号端子２３（合成端
子）である。伝送線路１１と伝送線路１２の長さはそれ
ぞれ信号の波長の約１／４である。第一の信号端子２１
と第二の信号端子２２との間には第一のキャパシタ３
４、抵抗３１、および第二のキャパシタ３５をこの順序
で直列に接続した回路が配置されている。
【００１７】ところで、長さｌが波長に対して十分小さ
いマイクロストリップ線路の場合、伝搬定数をγとする
と、γｌ＜＜１のときの等価インダクタンスＬs は次式
により表すことができる。
いマイクロストリップ線路の場合、伝搬定数をγとする
と、γｌ＜＜１のときの等価インダクタンスＬs は次式
により表すことができる。
【００１８】 Ｌs ＝Ｚ0 （εeff ）1/2 ｌ・Ｃ0 -1 ・・・・・・・・・・・・・（１） ただし、Ｚ0 、εeff はマイクロストリップ線路の特性
インピーダンスおよび等価誘電率を、Ｃ0 は光速度を表
す。
インピーダンスおよび等価誘電率を、Ｃ0 は光速度を表
す。
【００１９】従来のウィルキンソン型電力合成・分配回
路のアイソレーションなどの高周波特性の劣化が寄生イ
ンダクタンスＬs に起因しているとすると、次式で与え
られるキャパシタＣn を抵抗と直列に接続すれば中和さ
れる。
路のアイソレーションなどの高周波特性の劣化が寄生イ
ンダクタンスＬs に起因しているとすると、次式で与え
られるキャパシタＣn を抵抗と直列に接続すれば中和さ
れる。
【００２０】 Ｃn ＝ω-2Ｌs -1 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・（２） ただし、ωは角周波数である。
【００２１】上記構成の場合について前述の従来の技術
と同様に、ＧａＡｓ基板厚３０μｍ、分配端子（第一の
信号端子２１、第二の信号端子２２）の中心間隔を５３
０μｍ、マイクロストリップ線路（伝送線路１１、１
２）の幅を１５０μｍとし、分配端子（第一、第二の信
号端子）および合成端子（第三の信号端子）のインピー
ダンスはそれぞれ３Ω、５０Ωとし、６Ωのアイソレー
ション抵抗（抵抗３１）は２０μｍ幅、１９０μｍの長
さのマイクロストリップ線路（伝送線路３２、３３）で
接続した場合、伝送線路３２、３３の特性インピーダン
スおよび等価誘電率はそれぞれ Ｚ0 ＝５２Ω、εeff
＝８．９となるため、（１）式によりｌ＝１９０μｍの
寄生インダクタンスは Ｌs ＝９５．５ｐＨとなる。よ
って（２）式により第一および第二キャパシタの容量は
０．３ｐＦが必要となることがわかる。
と同様に、ＧａＡｓ基板厚３０μｍ、分配端子（第一の
信号端子２１、第二の信号端子２２）の中心間隔を５３
０μｍ、マイクロストリップ線路（伝送線路１１、１
２）の幅を１５０μｍとし、分配端子（第一、第二の信
号端子）および合成端子（第三の信号端子）のインピー
ダンスはそれぞれ３Ω、５０Ωとし、６Ωのアイソレー
ション抵抗（抵抗３１）は２０μｍ幅、１９０μｍの長
さのマイクロストリップ線路（伝送線路３２、３３）で
接続した場合、伝送線路３２、３３の特性インピーダン
スおよび等価誘電率はそれぞれ Ｚ0 ＝５２Ω、εeff
＝８．９となるため、（１）式によりｌ＝１９０μｍの
寄生インダクタンスは Ｌs ＝９５．５ｐＨとなる。よ
って（２）式により第一および第二キャパシタの容量は
０．３ｐＦが必要となることがわかる。
【００２２】上述のような第一のキャパシタ３４および
第二のキャパシタ３５を抵抗３１と接続した場合のシミ
ュレーション結果を図３に示した。図３と従来の技術で
示した図７とを比較して、中心周波数２９．５ＧＨｚに
おいてアイソレーションおよび反射損はそれぞれ２０ｄ
Ｂ、２５ｄＢ以上の改善が得られることがわかる。
第二のキャパシタ３５を抵抗３１と接続した場合のシミ
ュレーション結果を図３に示した。図３と従来の技術で
示した図７とを比較して、中心周波数２９．５ＧＨｚに
おいてアイソレーションおよび反射損はそれぞれ２０ｄ
Ｂ、２５ｄＢ以上の改善が得られることがわかる。
【００２３】このことから上記構成により、第一の信号
端子２１と第二の信号端子２２との間の距離が離れるこ
とにより生じる誘導性寄生素子である伝送線路３２、３
３を第一のキャパシタ３４および第二のキャパシタ３５
により誘導性を打ち消し、良好なアイソレーションを得
ることができる。また、（１）、（２）式を用いて第一
の信号端子２１と第二の信号端子２２との間の距離に応
じて設計することにより、理想的なマイクロ波帯電力合
成・分配回路の高周波特性が得られる。
端子２１と第二の信号端子２２との間の距離が離れるこ
とにより生じる誘導性寄生素子である伝送線路３２、３
３を第一のキャパシタ３４および第二のキャパシタ３５
により誘導性を打ち消し、良好なアイソレーションを得
ることができる。また、（１）、（２）式を用いて第一
の信号端子２１と第二の信号端子２２との間の距離に応
じて設計することにより、理想的なマイクロ波帯電力合
成・分配回路の高周波特性が得られる。
【００２４】さらに、図４に本発明の第二の実施の形態
を示し、図１と同一の部分には同一の符号を付し、重複
する説明は省略する。図４に示す回路図のように、第一
の信号端子２１と第二の信号端子２２との間には、キャ
パシタ３６と抵抗３１とが直列に接続された、キャパシ
タを１個にした場合でも本発明は適用できる。
を示し、図１と同一の部分には同一の符号を付し、重複
する説明は省略する。図４に示す回路図のように、第一
の信号端子２１と第二の信号端子２２との間には、キャ
パシタ３６と抵抗３１とが直列に接続された、キャパシ
タを１個にした場合でも本発明は適用できる。
【００２５】上記構成のようにキャパシタが１個の場合
でも、第一の信号端子２１と第二の信号端子２２との距
離が離れることにより生じる誘導性寄生素子３２、３３
は、キャパシタ３６を直列に接続することで誘導性を打
ち消すので良好なアイソレーション特性を得ることがで
きる。また、この場合はキャパシタ２個の場合の容量の
約１／２の容量となる。
でも、第一の信号端子２１と第二の信号端子２２との距
離が離れることにより生じる誘導性寄生素子３２、３３
は、キャパシタ３６を直列に接続することで誘導性を打
ち消すので良好なアイソレーション特性を得ることがで
きる。また、この場合はキャパシタ２個の場合の容量の
約１／２の容量となる。
【００２６】本発明による回路構成はＧａＡｓなどの半
絶縁性半導体基板上に形成したモノリシックマイクロ波
集積回路で実現する場合に特に有効で、かつ容易に実現
することができる。
絶縁性半導体基板上に形成したモノリシックマイクロ波
集積回路で実現する場合に特に有効で、かつ容易に実現
することができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明により、良好なアイソレーション
特性を有するマイクロ波電力合成・分配回路を提供する
ことができる。
特性を有するマイクロ波電力合成・分配回路を提供する
ことができる。
【図１】本発明を説明する回路図である。
【図２】本発明を説明する平面図である。
【図３】本発明を説明するグラフである。
【図４】本発明を説明する回路図である。
【図５】従来の技術を説明する回路図である。
【図６】従来の技術を説明する回路図である。
【図７】従来の技術を説明するグラフである。
１１…第一の伝送線路 １２…第二の伝送線路 ２１…第一の信号端子（分配端子） ２２…第二の信号端子（分配端子） ２３…第三の信号端子（合成端子） ３１…抵抗（アイソレーション抵抗） ３２、３３…分配端子間の寄生効果を表す伝送線路 ３４…第一のキャパシタ ３５…第二のキャパシタ ３６…キャパシタ
Claims (5)
- 【請求項１】 第一の伝送線路の一端と第二の伝送線路
の一端とを接続し、前記第一の伝送線路の他端を第一の
信号端子、前記第二の伝送線路の他端を第二の信号端
子、および前記第一の伝送線路の一端と第二の伝送線路
の一端との接続部を第三の信号端子とし、前記第一の信
号端子と前記第二の信号端子の間に抵抗とキャパシタを
直列に接続し、前記第一および第二の伝送線路の長さを
入力信号の約１／４波長としたことを特徴とするマイク
ロ波電力合成・分配回路。 - 【請求項２】 第一の伝送線路の一端と第二の伝送線路
の一端とを接続し、前記第一の伝送線路の他端を第一の
信号端子、前記第二の伝送線路の他端を第二の信号端
子、および前記第一の伝送線路の一端と第二の伝送線路
の一端との接続部を第三の信号端子とし、前記第一の信
号端子と前記第二の信号端子の間に第一のキャパシタ、
抵抗、および第二のキャパシタの順に直列に接続し、前
記第一および第二の伝送線路の長さを入力信号の約１／
４波長としたことを特徴とするマイクロ波電力合成・分
配回路。 - 【請求項３】 第一のキャパシタと第二のキャパシタの
容量が等しいことを特徴とする請求項２記載のマイクロ
波電力合成・分配回路。 - 【請求項４】 半絶縁性半導体基板上に形成された伝送
線路、抵抗、およびキャパシタを含んだモノリシック集
積回路であることを特徴とする請求項１乃至請求項３記
載のマイクロ波電力合成・分配回路。 - 【請求項５】 第一の信号端子と第二の信号端子との間
の距離に応じてキャパシタの容量を変えることを特徴と
する請求項１乃至請求項４記載のマイクロ波電力合成・
分配回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9088988A JPH10284912A (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | マイクロ波電力合成・分配回路 |
| US09/053,639 US5977843A (en) | 1997-04-08 | 1998-04-02 | High frequency power divider and high frequency power combiner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9088988A JPH10284912A (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | マイクロ波電力合成・分配回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284912A true JPH10284912A (ja) | 1998-10-23 |
Family
ID=13958192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9088988A Pending JPH10284912A (ja) | 1997-04-08 | 1997-04-08 | マイクロ波電力合成・分配回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5977843A (ja) |
| JP (1) | JPH10284912A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019003354A1 (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-03 | 三菱電機株式会社 | 電力分配合成器 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP5768375B2 (ja) * | 2011-01-14 | 2015-08-26 | 株式会社村田製作所 | 半導体装置 |
| US8441385B2 (en) * | 2011-05-19 | 2013-05-14 | Raytheon Company | Power digital to analog converter |
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| CN108767408B (zh) * | 2018-07-27 | 2023-09-19 | 辽宁普天数码股份有限公司 | 一种超小型化威尔金森功分器 |
| CN112003580B (zh) * | 2020-08-24 | 2024-07-09 | 上海联影医疗科技股份有限公司 | 功率合成器及医疗设备 |
| KR102473103B1 (ko) * | 2020-11-16 | 2022-12-01 | 국방과학연구소 | 기생성분을 보상한 초고주파 전력결합기 및 전력분배기 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4547745A (en) * | 1983-02-28 | 1985-10-15 | Westinghouse Electric Corp. | Composite amplifier with divider/combiner |
| JPS63246002A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | Tokyo Keiki Co Ltd | 高周波電力分配器 |
| US5126704A (en) * | 1991-04-11 | 1992-06-30 | Harris Corporation | Polyphase divider/combiner |
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-
1997
- 1997-04-08 JP JP9088988A patent/JPH10284912A/ja active Pending
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| JPWO2019003354A1 (ja) * | 2017-06-28 | 2019-11-07 | 三菱電機株式会社 | 電力分配合成器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5977843A (en) | 1999-11-02 |
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