JPH0490601A - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
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- JPH0490601A JPH0490601A JP2206334A JP20633490A JPH0490601A JP H0490601 A JPH0490601 A JP H0490601A JP 2206334 A JP2206334 A JP 2206334A JP 20633490 A JP20633490 A JP 20633490A JP H0490601 A JPH0490601 A JP H0490601A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コプレナ型およびユニプレナ型のマイクロ波
集積回路（ＭＩＣ）に関する。
集積回路（ＭＩＣ）に関する。
なお、モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）に
も本発明の適用は可能である。
も本発明の適用は可能である。
従来のマイクロ波集積回路は、マイクロストリップ線路
を用いた構成が主流となっている。
を用いた構成が主流となっている。
一方、コプレナ線路を用いた構成のマイクロ波集積回路
（文献、Ｍ、Ｒｉａｚｉａｔ ｅｔ ａｌ、“Ｃｏｐｌ
ａｎａｒｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ ｆｏｒ ＭＭＩＣｓ”
、Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ＪｏｕｒｎａＬ ＰＩ）。
（文献、Ｍ、Ｒｉａｚｉａｔ ｅｔ ａｌ、“Ｃｏｐｌ
ａｎａｒｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ ｆｏｒ ＭＭＩＣｓ”
、Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ＪｏｕｒｎａＬ ＰＩ）。
１２５−１３１．Ｊｕｎｅ １９８７） 、あるいはさ
らに高集積化を目指すユニブレナ型のマイクロ波集積回
路（文献、Ｍ、Ｍｕｒａｇｕｃｈｉ ｅｔ ａｌ、 ”
Ｕｎｉｐｌａｎａｒ ＭＭＩＣｓ ａｎｄｔｈｅｉｒ
ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ 、 ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ
、 ＭｉｃｒｏｗａｖｅＴｈｅｏｒｙ Ｔｅｃｈ、、ｖ
ｏｌ、ＭＭＴ−３６＋ ｐｐ、１８９６−１９０１ ＋
Ｄｅｃ。
らに高集積化を目指すユニブレナ型のマイクロ波集積回
路（文献、Ｍ、Ｍｕｒａｇｕｃｈｉ ｅｔ ａｌ、 ”
Ｕｎｉｐｌａｎａｒ ＭＭＩＣｓ ａｎｄｔｈｅｉｒ
ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ 、 ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ
、 ＭｉｃｒｏｗａｖｅＴｈｅｏｒｙ Ｔｅｃｈ、、ｖ
ｏｌ、ＭＭＴ−３６＋ ｐｐ、１８９６−１９０１ ＋
Ｄｅｃ。
１９８８）も提案されている。
これらのコプレナ型やユニブレナ型のマイクロ波集積回
路は、回路基板表面に高周波グランド（接地導体）を備
えているために、接地をとるバイアホールが不要となり
、また回路面積が小さく、集積度を高くすることが容易
である特徴を有している。したがって、このようなマイ
クロ波集積回路は、マイクロ波無線装置その他の小型軽
量化および低廉化に有望な集積回路になっている。
路は、回路基板表面に高周波グランド（接地導体）を備
えているために、接地をとるバイアホールが不要となり
、また回路面積が小さく、集積度を高くすることが容易
である特徴を有している。したがって、このようなマイ
クロ波集積回路は、マイクロ波無線装置その他の小型軽
量化および低廉化に有望な集積回路になっている。
第３図は、回路基板表面に高周波グランドを有する従来
のマイクロ波集積回路の構成例を示す。
のマイクロ波集積回路の構成例を示す。
図に示すように、符号３１．３２は、それぞれ回路基板
３３上に形成される回路素子３４の入力端子および出力
端子である。このような回路素子３４をパッケージ、シ
ャーシその他の導体基板に実装する場合には、表面グラ
ンド３５の他に床グランド３６が形成される。なお、回
路素子３４は、トランジスタその他の能動素子、抵抗、
容量、インダクタその他のインピーダンス整合素子、さ
らにバイアス回路素子が集積されたものであり、表面グ
ランド３５に２次元的に囲まれた状態で搭載される。
３３上に形成される回路素子３４の入力端子および出力
端子である。このような回路素子３４をパッケージ、シ
ャーシその他の導体基板に実装する場合には、表面グラ
ンド３５の他に床グランド３６が形成される。なお、回
路素子３４は、トランジスタその他の能動素子、抵抗、
容量、インダクタその他のインピーダンス整合素子、さ
らにバイアス回路素子が集積されたものであり、表面グ
ランド３５に２次元的に囲まれた状態で搭載される。
入出力端子３１．３２は、回路素子３４に導通する中心
導体と、表面グランド３５の一部を構成する両脇のグラ
ンド導体からなるコプレナ線路構造になっている。なお
、入出力端子３１．３２には、両脇のグランド導体を接
続するために導体ブリッジ３７．３８が設けられる。
導体と、表面グランド３５の一部を構成する両脇のグラ
ンド導体からなるコプレナ線路構造になっている。なお
、入出力端子３１．３２には、両脇のグランド導体を接
続するために導体ブリッジ３７．３８が設けられる。
このような構成において、他の回路から入力されるマイ
クロ波信号は、入力端子３１のコプレナ線路を伝搬して
回路素子３４に供給され、回路素子３４で所定の信号処
理（増幅、周波数変換）を行ったのちに、出力端子３２
のコプレナ線路を伝搬して別の回路へ出力される。
クロ波信号は、入力端子３１のコプレナ線路を伝搬して
回路素子３４に供給され、回路素子３４で所定の信号処
理（増幅、周波数変換）を行ったのちに、出力端子３２
のコプレナ線路を伝搬して別の回路へ出力される。
ところで、このような構造では、表面グランド３５と床
グランド３６は、マイクロストリップ線路の構造を呈し
ている。したがって、回路基板３３が取りつけられてい
る床グランド３６の電位と、回路基板３３の表面グラン
ド３５の電位との間に高周波的に差があると、表面グラ
ンド３５がマイクロストリップモードの共振現象を起こ
すことが知られている。なお、表面グランド３５の寸法
は、マイクロ波集積回路の場合で数ｃｍ、モノリシック
マイクロ波集積回路の場合で数ｍｍとなり、回路基板３
３の誘電率が１０程度であるので、数ＧＨｚの周波数で
表面グランド３５に定在波が発生する。
グランド３６は、マイクロストリップ線路の構造を呈し
ている。したがって、回路基板３３が取りつけられてい
る床グランド３６の電位と、回路基板３３の表面グラン
ド３５の電位との間に高周波的に差があると、表面グラ
ンド３５がマイクロストリップモードの共振現象を起こ
すことが知られている。なお、表面グランド３５の寸法
は、マイクロ波集積回路の場合で数ｃｍ、モノリシック
マイクロ波集積回路の場合で数ｍｍとなり、回路基板３
３の誘電率が１０程度であるので、数ＧＨｚの周波数で
表面グランド３５に定在波が発生する。
すなわち、表面グランド３５が半波長（またはその整数
倍）の共振器になってしまう。
倍）の共振器になってしまう。
しかし、この共振現象は、排除することが困難となって
いる。たとえば、第４図に示すように、金ワイヤ４１あ
るいは金リボンを用いて、表面グランド３５と床グラン
ド３６とを短絡する方法が試みられているが、その短絡
接続は回路基板３３の淵でしかできない。したがって、
回路基板３３の中央付近でマイクロストリップモードの
電界が発生し、基板寸法が半波長程度となるような周波
数に対しては、共振現象の発生は避けられなかった。
いる。たとえば、第４図に示すように、金ワイヤ４１あ
るいは金リボンを用いて、表面グランド３５と床グラン
ド３６とを短絡する方法が試みられているが、その短絡
接続は回路基板３３の淵でしかできない。したがって、
回路基板３３の中央付近でマイクロストリップモードの
電界が発生し、基板寸法が半波長程度となるような周波
数に対しては、共振現象の発生は避けられなかった。
このような共振現象は、マイクロ波集積回路として周波
数特性に著しい劣化をもたらす、たとえば、マイクロ波
集積回路を増幅器として用いた場合には、利得の周波数
特性にピークやデイツプが現れ、さらに不要発振が起こ
ったりすることがあった。
数特性に著しい劣化をもたらす、たとえば、マイクロ波
集積回路を増幅器として用いた場合には、利得の周波数
特性にピークやデイツプが現れ、さらに不要発振が起こ
ったりすることがあった。
このように、共振周波数付近では、入力端子３１または
出力端子３２からみたインピーダンスの周波数特性が急
峻となり、広帯域に平坦な周波数特性を得るには、この
定在波による共振を抑制しなければならない。
出力端子３２からみたインピーダンスの周波数特性が急
峻となり、広帯域に平坦な周波数特性を得るには、この
定在波による共振を抑制しなければならない。
このような問題点に対して、従来は使用帯域内にこの共
振が入らないように、金ワイヤその他の接続箇所を回路
ごとに調整することが行われている。しかし、このよう
な調整は、マイクロ波集積回路を狭い帯域で使用する場
合には対処可能であるが、広帯域で使用できるマイクロ
波集積回路を実現することは困難であった。
振が入らないように、金ワイヤその他の接続箇所を回路
ごとに調整することが行われている。しかし、このよう
な調整は、マイクロ波集積回路を狭い帯域で使用する場
合には対処可能であるが、広帯域で使用できるマイクロ
波集積回路を実現することは困難であった。
本発明は、集積度の高いコプレナ型あるいはユニプレナ
型の特長を保持し、さらに広帯域で良好な周波数特性を
得ることができるマイクロ波集積回路を提供することを
目的とする。
型の特長を保持し、さらに広帯域で良好な周波数特性を
得ることができるマイクロ波集積回路を提供することを
目的とする。
請求項１に記載の発明は、所定の厚さを有する回路基板
上に回路素子が集積形成され、該回路基板の表面に表面
グランドを有し、該回路基板が実装される基板に床グラ
ンドを有し、該回路素子の入出力端でコプレナ線路構造
あるいはユニプレナ線路構造をとるマイクロ波集積回路
において、前記表面グランドと前記床グランドとの間に
、高周波用のＱダンプ回路を挿入接続して構成する。
上に回路素子が集積形成され、該回路基板の表面に表面
グランドを有し、該回路基板が実装される基板に床グラ
ンドを有し、該回路素子の入出力端でコプレナ線路構造
あるいはユニプレナ線路構造をとるマイクロ波集積回路
において、前記表面グランドと前記床グランドとの間に
、高周波用のＱダンプ回路を挿入接続して構成する。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のマイクロ波
集積回路において、Ｑダンプ回路が回路素子と同一回路
基板上に集積して構成する。
集積回路において、Ｑダンプ回路が回路素子と同一回路
基板上に集積して構成する。
本発明において、表面グランドと床グランドとを接続す
るＱダンプ回路は、マイクロストリップモードの電界に
対して、減衰回路あるいは吸収回路として動作する。
るＱダンプ回路は、マイクロストリップモードの電界に
対して、減衰回路あるいは吸収回路として動作する。
したがって、表面グランドと床グランドの間隙を伝搬し
てきたマイクロストリップモードのマイクロ波は、この
Ｑダンプ回路で終端されるので、表面グランドでの反射
が抑えられ、定在波を抑制して共振現象を抑圧すること
ができる。
てきたマイクロストリップモードのマイクロ波は、この
Ｑダンプ回路で終端されるので、表面グランドでの反射
が抑えられ、定在波を抑制して共振現象を抑圧すること
ができる。
以下、図面に基づいて本発明の実施例について詳細に説
明する。
明する。
第１図は、請求項１に記載の発明の一実施例構成を示す
。
。
なお、第３図に示す従来と同様の構成については、同一
符号を付して説明に代える。
符号を付して説明に代える。
第１図において、本実施例では、Ｑダンプ回路として、
表面グランド３５から床グランド３６に抵抗器１１を接
続する。なお、この抵抗器１１の抵抗値は、マイクロス
トリップモードの特性インピーダンス（通常は数十オー
ム程度）に近い値に設定される。このような抵抗器１１
は、表面グランドと床グランドの間隙を伝搬してきたマ
イクロストリップモードのマイクロ波を終端し、表面グ
ランド３５での反射を抑える。すなわち、この抵抗器１
１はモード選択性のＱダンプ回路として動作し、共振現
象を抑圧することができる。
表面グランド３５から床グランド３６に抵抗器１１を接
続する。なお、この抵抗器１１の抵抗値は、マイクロス
トリップモードの特性インピーダンス（通常は数十オー
ム程度）に近い値に設定される。このような抵抗器１１
は、表面グランドと床グランドの間隙を伝搬してきたマ
イクロストリップモードのマイクロ波を終端し、表面グ
ランド３５での反射を抑える。すなわち、この抵抗器１
１はモード選択性のＱダンプ回路として動作し、共振現
象を抑圧することができる。
なお、抵抗器１１の抵抗値としては、マイクロストリッ
プモードの特性インピーダンスに近い値の場合が効果も
大きいが、必ずしもそれに限定されるものではない。
プモードの特性インピーダンスに近い値の場合が効果も
大きいが、必ずしもそれに限定されるものではない。
第２図は、請求項２に記載の発明の一実施例構成を示す
。
。
なお、第３図に示す従来と同様の構成については、同一
符号を付して説明に代える。
符号を付して説明に代える。
第２図において、本実施例では、Ｑダンプ回路として、
表面グランド３５と床グランド３６とを接続する抵抗器
２１を回路基板３３上に集積化して形成する。また、回
路基板３３とほぼ等しい厚さを有し、床グランド３６上
に接続される導体柱２３を抵抗器２１と近接する位置に
配置し、一端が表面グランド３５に接続される抵抗器２
１の他端を短い複数本の金ワイヤ２５で接続する。
表面グランド３５と床グランド３６とを接続する抵抗器
２１を回路基板３３上に集積化して形成する。また、回
路基板３３とほぼ等しい厚さを有し、床グランド３６上
に接続される導体柱２３を抵抗器２１と近接する位置に
配置し、一端が表面グランド３５に接続される抵抗器２
１の他端を短い複数本の金ワイヤ２５で接続する。
このような構造では、Ｑダンプ回路に寄生するインダク
タンスが第１図に示す例よりも小さいので、より高い周
波数帯において広帯域特性を実現することが容易である
。
タンスが第１図に示す例よりも小さいので、より高い周
波数帯において広帯域特性を実現することが容易である
。
なお、以上示した実施例では、抵抗器１１．２１を表面
グランド３５の角部に接続したが、角部に限らす定在波
の電圧が高くなる場所であれば、十分な効果を得ること
ができる。さらに、複数の抵抗器を複数箇所に備えても
よい。
グランド３５の角部に接続したが、角部に限らす定在波
の電圧が高くなる場所であれば、十分な効果を得ること
ができる。さらに、複数の抵抗器を複数箇所に備えても
よい。
また、Ｑダンプ回路として抵抗器のみではなく、表面グ
ランド３５と床グランド３６との間を直流的に導通させ
たい場合には、抵抗器とインダンクを並列接続する構成
が有効であり、表面グランド３５と床グランド３６との
間を直流的に絶縁させたい場合には、抵抗器とキャパシ
タを直列接続する構成が有効である。さらに、これらの
回路を組み合わせて用いてもよい。
ランド３５と床グランド３６との間を直流的に導通させ
たい場合には、抵抗器とインダンクを並列接続する構成
が有効であり、表面グランド３５と床グランド３６との
間を直流的に絶縁させたい場合には、抵抗器とキャパシ
タを直列接続する構成が有効である。さらに、これらの
回路を組み合わせて用いてもよい。
また、Ｑダンプ回路に用いる抵抗器は、リード線タイプ
あるいはチップ形状のいずれでもよい。
あるいはチップ形状のいずれでもよい。
上述したように、本発明は、コプレナ型あるいはユニプ
レナ型のマイクロ波集積回路をパッケージその他に実装
する場合に、高集積度に伴う超小型の特徴を損なうこと
なく、広帯域で良好な周波数特性を有するマイクロ波機
器を実現することができる。
レナ型のマイクロ波集積回路をパッケージその他に実装
する場合に、高集積度に伴う超小型の特徴を損なうこと
なく、広帯域で良好な周波数特性を有するマイクロ波機
器を実現することができる。
したがって、マイクロ波汎用測定器あるいはレーダ装置
その他の広い周波数帯域特性を必要とする機器の小型軽
量化および低廉化に寄与することができる。
その他の広い周波数帯域特性を必要とする機器の小型軽
量化および低廉化に寄与することができる。
第１図は請求項１に記載の発明の一実施例構成を示す図
。 第２図は請求項２に記載の発明の一実施例構成を示す図
。 第３図は回路基板表面に高周波グランドを有する従来の
マイクロ波集積回路の構成例を示す図。 第４図は従来のマイクロ波集積回路で共振現象を排除す
るための構成例を示す図。 １１．２１・・・抵抗器、２３・・・導体柱、２５・・
・金ワイヤ、３１・・・入力端子、３２・・・出力端子
、３３・・・回路基板、３４川回路素子、３５・・・表
面グランド、３６・・・床グランド、３７．３８・・・
導体ブリッジ、４１・・・金ワイヤ。 第１図 第３ 図 第２図 第４ 図
。 第２図は請求項２に記載の発明の一実施例構成を示す図
。 第３図は回路基板表面に高周波グランドを有する従来の
マイクロ波集積回路の構成例を示す図。 第４図は従来のマイクロ波集積回路で共振現象を排除す
るための構成例を示す図。 １１．２１・・・抵抗器、２３・・・導体柱、２５・・
・金ワイヤ、３１・・・入力端子、３２・・・出力端子
、３３・・・回路基板、３４川回路素子、３５・・・表
面グランド、３６・・・床グランド、３７．３８・・・
導体ブリッジ、４１・・・金ワイヤ。 第１図 第３ 図 第２図 第４ 図
Claims (2)
- （１）所定の厚さを有する回路基板上に回路素子が集積
形成され、該回路基板の表面に表面グランドを有し、該
回路基板が実装される基板に床グランドを有し、該回路
素子の入出力端でコプレナ線路構造あるいはユニプレナ
線路構造をとるマイクロ波集積回路において、 前記表面グランドと前記床グランドとの間に、高周波用
のＱダンプ回路を挿入接続したことを特徴とするマイク
ロ波集積回路。 - （２）請求項１に記載のマイクロ波集積回路において、 Ｑダンプ回路が回路素子と同一回路基板上に集積された
ことを特徴とするマイクロ波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2206334A JP3051430B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2206334A JP3051430B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | マイクロ波集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0490601A true JPH0490601A (ja) | 1992-03-24 |
| JP3051430B2 JP3051430B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=16521583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2206334A Expired - Lifetime JP3051430B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3051430B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6016085A (en) * | 1998-09-28 | 2000-01-18 | Emc Technology Llc | Flat cable load |
| US6046652A (en) * | 1997-03-31 | 2000-04-04 | International Business Machines Corporation | Loading element for EMI prevention within an enclosure |
-
1990
- 1990-08-03 JP JP2206334A patent/JP3051430B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6046652A (en) * | 1997-03-31 | 2000-04-04 | International Business Machines Corporation | Loading element for EMI prevention within an enclosure |
| US6016085A (en) * | 1998-09-28 | 2000-01-18 | Emc Technology Llc | Flat cable load |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3051430B2 (ja) | 2000-06-12 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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