JP2001085951A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2001085951A
JP2001085951A JP25717899A JP25717899A JP2001085951A JP 2001085951 A JP2001085951 A JP 2001085951A JP 25717899 A JP25717899 A JP 25717899A JP 25717899 A JP25717899 A JP 25717899A JP 2001085951 A JP2001085951 A JP 2001085951A
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signal
frequency
harmonic mixer
semiconductor device
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Yasushi Shizuki
康 志津木
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 不要な信号の漏洩を少なくした半導体装置を
提供すること。 【解決手段】 入力信号と局発信号とを混合し周波数変
換された出力信号を出力する偶高調波ミキサ12と、こ
の偶高調波ミキサ12の局発信号の入力側に接続され、
局発信号を通過させるフィルター15とを具備した半導
体装置において、フィルター15が、それぞれの一端が
互いに接続されたキャパシタ151および伝送線路15
2と、キャパシタ151および伝送線路152それぞれ
の他端が共通に接続されたバイアホール153とを有し
ている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、アンチパラレルダ
イオード対などで構成された偶高調波ミキサを有する半
導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】通信分野の発展に伴い利用する周波数の
範囲が広がり、マイクロ波やミリ波などの高周波が通信
用途に利用されるようになっている。このようなマイク
ロ波やミリ波を用いた通信機器のキーコンポーネントと
してMMICがある。MMICは、HEMTやMESF
ET、HBT、ショットキー接合ダイオードなど高周波
に対して良好な特性を持つ能動素子、および、伝送線路
やMIMキャパシタ、抵抗などの受動素子を、それぞれ
共通の基板上に一括して形成している。
【0003】ところで、通信機器に組み込まれる周波数
変換装置は、入力信号と局発信号とを混合して高周波の
出力信号に変換したり、あるいは、入力信号と局発信号
とを混合して中間周波信号に変換したりする場合に使用
される。このような周波数変換装置では、中間周波信号
のような低い周波数から入出力信号や局発信号のような
高い周波数までが扱われる。したがって、周波数変換装
置をMMICで構成する場合、入出力信号の高周波化に
伴って局発信号の周波数が高周波化しているため、局発
信号を安定に供給することが困難になっている。このよ
うな場合、局発信号の周波数が、実際に必要とされる局
発周波数の1/2の周波数(以下、この周波数をLoと
する) ですむ偶高調波ミキサが注目されている。
【0004】ここで、従来の半導体装置について、偶高
調波ミキサを用いた周波数変換装置を例にとり図6を参
照して説明する。図6は、偶高調波ミキサをアンチパラ
レル接続したダイオード対で構成し、たとえば中間周波
数の入力信号と局発信号とを混合して高周波の出力信号
に変換する場合を示している。端子Aから、局発信号が
入力され偶高調波ミキサ61に加えられる。端子Bから
中間周波数の入力信号が入力され偶高調波ミキサ61に
加えられる。偶高調波ミキサ61では、局発信号と入力
信号が混合され、高周波の出力信号に変換され、端子C
に出力される。なお、端子Aには、局発信号(周波数L
o)を通過し、その2倍の周波数(周波数2Lo)の通
過を阻止するフィルター62が接続されている。端子B
には、中間周波数の入力信号を通過する中間周波数通過
フィルター63が接続されている。端子Cには、局発信
号(周波数Lo)の通過を阻止し、その2倍の周波数
(周波数2Lo)を通過させるフィルター64が接続さ
れている。
【0005】フィルタ62、64は、通常、周波数がL
oの波長λの1/4の長さの線路で構成され、偶高調波
ミキサ61を構成するダイオードD1、D2は、たとえ
ばショットキー接合で形成される。
【0006】上記した構成の周波数変換装置は、局発信
号の周波数が、実質の局発周波数(2Lo) の半分の周
波数(Lo)ですみ、かつ、周波数2Loの成分が端子
Cに出力しないという利点がある。したがって、局発信
号の周波数(Lo)が、出力信号の周波数帯域に近い場
合、あるいは、出力信号の周波数帯域に含まれるような
場合は、端子Cから出力する不要波が抑制される。
【0007】しかし、偶高調波ミキサ61の駆動に必要
とされる局発信号のレベルは十数dBm程度となり、偶
高調波ミキサ61から出力される出力信号と比較する
と、大きな電力が必要とされる。一般に、外部から供給
される局発信号のレベルが高くなると、局発信号を増幅
する増幅器が歪み、局発信号に含まれる第2高調波成分
が高くなる。そのため、2倍高調波が出力端子(図1の
場合は端子C)に漏洩し、アイソレーションが劣化す
る。このような場合、同一のMMIC内に、局発信号を
増幅する局発用増幅器を設け、外部から入力する局発信
号のレベルを低くする方法がある。
【0008】ここで、局発用増幅器を内蔵した周波数変
換装置の例について図7を参照して説明する。図7は、
図6に対応する部分には同一の符号を付し、重複する説
明を省略する。この例の場合、端子Aと偶高調波ミキサ
61との間に局発用増幅器71が接続されている。
【0009】局発用増幅器71を設けた場合、局発信号
のレベルを下げることができる。その結果、端子Aにお
ける不整合による局発信号の周波数(Lo)成分やその
2倍の周波数(2Lo)成分の反射量が減少し、出力用
の端子Cヘの漏洩が防止され、動作が安定する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】偶高調波ミキサを用い
た周波数変換装置は、実質の局発周波数(2Lo)成分
を出力用の端子に漏洩しないような低いレベルに抑える
ことができる。また、同一のMMIC上に局発用増幅器
を内蔵する場合は、局発信号の入力レベルを低下させる
ことができ、局発信号の入力端における反射量が減少す
る。
【0011】しかし、同一のMMIC上に局発用増幅器
を内蔵した場合、局発用増幅器から局発信号の周波数
(Lo)の第2高調波が発生する。このような第2高調
波を減衰させるために、通常、終端短絡のλ/4スタブ
で構成されたフィルタが設けられている。しかし、λ/
4スタブは広い帯域が得られず、第2高調波を十分に減
衰できないという問題がある。
【0012】ここで、終端短絡のλ/4スタブ以外を利
用した従来のフィルターについて図8を参照して説明す
る(「IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques,
Vo145,No,12,December1997. 」参照)。
【0013】端子81と端子82との間に、コプレーナ
線路で構成された2つのスタブ83、84が接続され、
2つのスタブ83、84間にキャパシタ85が接続され
ている。なお、スタブ84およびキャパシタ85の他端
は接地されている。
【0014】コプレーナ線路の場合、中心導体に近接し
て接地導体が設けられている。このため、接地導体を利
用すればスタブ84を任意の位置で簡単に短絡できる。
しかし、図の回路構成において、たとえばスタブ84お
よびキャパシタ85をそれぞれをバイアホール86、8
7で接地すると、その等価回路は図8(b)のようにな
る。ここでは、バイアホール86、87の寄生抵抗を
r、寄生インダクタンスをLで示している。
【0015】上記したように、スタブ84やキャパシタ
85をそれぞれ別のバイアホール86、87で接地する
と、バイアホール86、87の寄生抵抗rなどによっ
て、周波数(Lo)付近における通過特性が劣化し、あ
るいは、その2倍の周波数(2Lo)付近における減衰
特性が劣化し、さらには、周波数(Lo)付近において
挿入損が最小となる周波数がバイアホール86、87の
寄生インダクタンスLの影響でずれるという問題が発生
する。その結果、局発用増幅器で発生する第2高調波
(周波数2Lo)を十分に抑制できなくなる。
【0016】なお、局発用増幅器を同一MMIC上に内
蔵する構成の場合、局発用増幅器と偶高調波ミキサとの
間に設けられたλ/4短絡スタブ( 図6および図7の符
号62)が、局発用増幅器で発生する第2高調波を減衰
させるフィルタとして機能する。この場合、第2高調波
を減衰させるフィルタを新に追加すると、その分、チッ
プ面積が増加し、大型化する。その結果、これらチップ
を内蔵するパッケージが大型化し、パッケージ内のアイ
ソレーションが劣化し、MMICの特性を劣化させる。
【0017】本発明は、上記した欠点を解決し、不要な
信号の漏洩を少なくした半導体装置を提供することを目
的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明は、入力信号と局
発信号とを混合し周波数変換された出力信号を出力する
偶高調波ミキサと、この偶高調波ミキサの前記局発信号
の入力側に接続され、前記局発信号を通過させるフィル
ターとを具備した半導体装置において、前記フィルター
が、それぞれの一端が互いに接続されたキャパシタおよ
び伝送線路と、前記キャパシタおよび前記伝送線路それ
ぞれの他端が共通に接続されたバイアホールとを有する
ことを特徴としている。
【0019】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図1を
参照して説明する。図1は、周波数変換装置をMMIC
で形成した場合で、偶高調波ミキサがアンチパラレル接
続したダイオード対で構成されている。ここでは、たと
えば中間周波数の入力信号と局発信号とを混合して高周
波の出力信号に変換する場合で説明する。
【0020】端子Aから局発信号が入力され、局発信号
は局発用増幅器11で増幅され、偶高調波ミキサ12に
加えられる。偶高調波ミキサ12は、たとえば、向きが
逆の対のダイオードD1、D2が並列に接続された、い
わゆるアンチパラレルダイオード対で構成されている。
端子Bから中間周波数の入力信号が入力され、入力信号
は、中間周波数を通過する中間周波数通過フィルター1
3を通して偶高調波ミキサ12に加えられる。偶高調波
ミキサ12では、局発信号と入力信号との混合で、高周
波の出力信号に変換され、端子Cに出力される。
【0021】なお、局発用増幅器11と偶高調波ミキサ
12との間、たとえば偶高調波ミキサ12の局発信号の
入力側に、伝送線路14を介して、局発信号(周波数L
o)を通過させ、その2倍の周波数(周波数2Lo)の
通過を阻止するフィルター15が接続されている。フィ
ルター15は、それぞれの一端が互いに接続されたキャ
パシタ151および伝送線路152と、キャパシタ15
1および伝送線路152それぞれの他端が共通に接続さ
れたバイアホール153などから構成されている。
【0022】偶高調波ミキサ12と端子Cの間には、周
波数Loの通過を阻止し、その2倍の周波数(2Lo)
を通過させるフィルター16が接続されている。フィル
タ16は、たとえば周波数Loの波長λに対しλ/4の
長さを有する終端短絡のスタブで構成され、周波数Lo
に対してショート、周波数2Loに対してオープンとな
っている。
【0023】上記した周波数変換装置は、たとえば同じ
基板上に形成されたMMICで構成され、MMIC上の
回路素子は、たとえば点線100で示すような矩形状の
パッケージに収納され気密に封止されている。
【0024】偶高調波ミキサ12を用いた周波数変換回
路は、局発信号の周波数が、実質の局発周波数( 2L
o) の半分の周波数( Lo) ですみ、また、局発信号の
2倍の周波数(2Lo)が端子Cに漏洩しないという利
点がある。
【0025】ここで、図1のフィルター15の特性につ
いて図2を参照して説明する。図(a)は、フィルター
15などの主要部分を抜き出した回路構成図で、図1に
対応する部分には同一の符号を付し、重複する説明は省
略する。
【0026】キャパシタ151は、たとえばMIM(Me
ta1 Insulator Meta1 )構造で、伝送路14や伝送線路
152は、マイクロストリップ線路で構成されている。
バイアホール153は、基板部分を貫通する穴を設け、
この穴の部分に形成した導電層によって、基板の表側と
裏側の接地導体とを電気的に接続する構造になってい
る。図では、バイアホール153を、寄生抵抗をr、寄
生インダクタンスをLとした等価回路で示している。
【0027】図(b)は、上記した構成のフィルタの周
波数2Lo付近における通過特性を示し、図(c)は、
周波数Lo付近における通過特性を示す。図(b)
(c)の縦軸は挿入損失S21(dB)、横軸は周波数
(GHz)で、この特性は、キャパシタ151の容量値
が0.3pF、伝送線路14の長さが200μm、幅が
50μm、伝送線路152の長さが700μm、幅が5
0μmの場合である。
【0028】符号Aが図2(a)の構成の特性で、特性
Bがλ/4短絡スタブ(長さが2150μm:周波数L
oの波長λの1/4の長さ、幅が50μm)の特性であ
る。なお、GaAs基板の厚さは100μm、バイアホ
ールの寄生抵抗値r、寄生インダクタンス値Lはいずれ
も0として扱っている。
【0029】図2(b)(c)から、図2(a)の構成
の場合、周波数(2Lo)付近において広い帯域に渡っ
て良好な通過阻止特性を示し、また、フィルターのQ値
はλ/4スタブよりも高く、よりよい減衰特性が得られ
ていることが分かる。周波数(Lo)付近での通過帯域
はλ/4スタブよりも狭くなっている。これらの特性に
よれば、局発用増幅器で発生する局発信号(周波数L
o)の2倍の高調波の偶高調波ミキサ12への入力を抑
えることができる。
【0030】次に、図1で示したように、キャパシタ1
51と伝送線路152と共通のバイアホール153に接
続した場合と、図8で示したように、キャパシタとスタ
ブとをそれぞれ別のバイアホールに接続した場合との特
性の比較を図3で説明する。
【0031】図3は、バイアホールの寄生成分(r、
L)がフィルタ特性に与える影響で、符号Aが発明の構
成すなわちバイアホールを共通に接続した場合で、符号
Cがバイアホールを共通に接続しない場合である。この
比較は、寄生抵抗値rおよび寄生インダクタンス値Lを
変化させてシミュレーションを行った。
【0032】図(a)は、周波数Lo付近における通過
特性の寄生抵抗値rによる影響、(b)は周波数2Lo
付近における通過特性の寄生抵抗値rによる影響、
(c)は周波数Lo付近において、挿入損が最小となる
周波数f(GHz)に対する寄生インダクタンス値Lの
影響を示している。
【0033】図から、バイアホールを共通に接続した場
合の方が、バイアホールの寄生抵抗rによる周波数Lo
付近における通過特性の劣化が少なく、また周波数2L
o付近における減衰特性の劣化が少なくなっている。さ
らに、周波数Lo付近において挿入損が最小となる周波
数のずれに対するバイアホールの寄生インダクタンスL
による影響が少なくなっている。
【0034】上記した特性から、バイアホールを共通に
接続すれば、バイアホールの基板厚さや加工形状の影響
が小さくなることが分かる。
【0035】したがって、図1の構成によれば、周波数
2Lo成分の通過量が少なくなり、出力端子への周波数
2Lo成分の漏洩が減少する。その結果、MMIC上に
局発用増幅器を内蔵した場合の問題などが解決される。
【0036】次に、本発明の他の実施形態について図4
を参照して説明する。図4では、図1に対応する部分に
は同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【0037】この実施形態では、局発信号が入力する入
力用パッドたとえば端子Aが、点線で示した矩形状パッ
ケージ100の短い方の壁100aよりも長い方の壁1
00bの近くに設けられている。この場合、局発信号
(周波数Lo)、あるいは、その2倍高調波(周波数2
Lo)がパッケージ100の長手方向に伝送し、MMI
Cの外部から入力する周波数Lo成分およびその2倍高
調波(周波数2Lo)とパッケージ内空間との結合が起
きやすく、アイソレーションが劣化しやすい。
【0038】このような場合、偶高調波ミキサの局発信
号の入力側にフィルター15が接続されているため、周
波数Lo成分やその2倍高調波とパッケージ内空間との
結合が防止される。
【0039】次に、本発明の他の実施形態について図5
を参照して説明する。
【0040】符号51は、たとえば図4で説明した構成
の周波数変換装置、符号52は、周波数変換された出力
信号を増幅する高周波増幅器で、周波数変換装置51お
よび高周波増幅器52はそれぞれ同じ基板上に形成さ
れ、共通の金属壁のパッケージ53で囲まれ、気密に封
止されている。この構成の場合、端子Aおよび端子Bか
らそれぞれ局発信号および中間周波信号が半導体装置5
1に供給され、局発信号と中間周波信号との混合により
周波数変換された出力信号が、高周波増幅器52で増幅
され端子Cに出力される。
【0041】この実施形態の場合、パッケージ53の長
い方の内壁の長さがLで、光速をc、局発信号の周波数
をLoとした場合に、L>c/4Loの関係になってい
る。この場合、パッケージ53の横方向の断面を導波管
として考えた場合に、最低次モード(周波数2Lo)に
おけるカットオフ波長(c/4Lo)よりもパッケージ
の横手方向の長さLが長くなっている。
【0042】このため、周波数2Lo以下の不要波がパ
ッケージ53内を伝播しやすく、アイソレーションの劣
化がおきやすい。このような場合、MMICで形成され
た半導体装置51内に局発用増幅器を設ければ、外部か
ら供給される局発信号の入力レベルを下げることがで
き、その結果、2倍高調波のレベルも減少し、アイソレ
ーションの劣化を防止できる。
【0043】図5においては、簡略化のためにパッケー
ジ53をその全面が金属で構成されているように示した
が、その一部が金属である場合についても同様である。
【0044】なお、上記の実施形態では、偶高調波ミキ
サがシングルエンドの例で説明している。しかし、バラ
ンス型あるいはイメージレジェクション型でも同様な効
果が得られる。
【0045】また、上記の実施形態では、局発信号と中
間周波信号とを混合し、周波数変換した出力信号を出力
する場合で説明している。しかし、この発明は、高周波
の入力信号と局発信号とを混合し、中間周波数の中間周
波信号に変換する場合にも適用できる。
【0046】
【発明の効果】本発明によれば、不要な信号の漏洩を少
なくした半導体装置をを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を説明するための概略の回路
構成図である。
【図2】本発明の実施形態の特性を説明するための回路
構成図および特性図である。
【図3】本発明の実施形態の特性を説明するための特性
図である。
【図4】本発明の他の実施形態を説明するための概略の
回路構成図である。
【図5】本発明の他の実施形態を説明するための概略の
回路構成図である。
【図6】従来例を説明するための概略の回路構成図であ
る。
【図7】他の従来例を説明するための概略の回路構成図
である。
【図8】他の従来例を説明するための概略の回路構成図
である。
【符号の説明】
11…局発用増幅器 12…偶高調波ミキサ 13…中間周波数通過フィルタ 14…伝送線路 15…フィルター 151…キャパシタ 152…伝送線路 153…バイアホール 16…フィルター 100…パッケージ A、B、C…端子 D1、D2…ダイオード

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力信号と局発信号とを混合し周波数変
    換された出力信号を出力する偶高調波ミキサと、この偶
    高調波ミキサの前記局発信号の入力側に接続され、前記
    局発信号を通過させるフィルターとを具備した半導体装
    置において、前記フィルターが、それぞれの一端が互い
    に接続されたキャパシタおよび伝送線路と、前記キャパ
    シタおよび前記伝送線路それぞれの他端が共通に接続さ
    れたバイアホールとを有することを特徴とする半導体装
    置。
  2. 【請求項2】 局発信号を増幅する局発用増幅器と、こ
    の局発用増幅器で増幅した局発信号と入力信号とを混合
    し周波数変換された出力信号を出力する偶高調波ミキサ
    と、この偶高調波ミキサの前記局発信号の入力側に接続
    され、前記局発信号を通過させるフィルターとを具備し
    た半導体装置において、前記フィルターが、それぞれの
    一端が互いに接続されたキャパシタおよび伝送線路と、
    前記キャパシタおよび前記伝送線路それぞれの他端が共
    通に接続されたバイアホールとを有することを特徴とす
    る半導体装置。
  3. 【請求項3】 局発信号を増幅する局発用増幅器と、こ
    の局発用増幅器で増幅した局発信号と入力信号とを混合
    し周波数変換された出力信号を出力する偶高調波ミキサ
    と、この偶高調波ミキサから出力する出力信号を増幅す
    る出力用増幅器と、前記偶高調波ミキサの前記局発信号
    の入力側に接続され、前記局発信号を通過させるフィル
    ターとを具備した半導体装置において、前記フィルター
    が、それぞれの一端が互いに接続されたキャパシタおよ
    び伝送線路と、前記キャパシタおよび前記伝送線路それ
    ぞれの他端が共通に接続されたバイアホールとを有する
    ことを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項4】 偶高調波ミキサは、アンチパラレルダイ
    オード対で構成されている請求項1ないし請求項3のい
    ずれか1つに記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 フィルターが、偶高調波ミキサの前記局
    発信号の入力側に伝送線路を介して接続されている請求
    項1ないし請求項3のいずれか1つに記載の半導体装
    置。
  6. 【請求項6】 局発用増幅器および偶高調波ミキサ、フ
    ィルターがそれぞれ同一の基板上に形成された請求項2
    記載の半導体装置。
  7. 【請求項7】 局発用増幅器および偶高調波ミキサ、フ
    ィルターがそれぞれ矩形状の1つのパッケージ内に配置
    され、局発信号が入力するパッドが、前記パッケージを
    構成する短い方の壁よりも長い方の壁に近い位置に設け
    られた請求項2または請求項3記載の半導体装置。
  8. 【請求項8】 局発用増幅器および偶高調波ミキサ、フ
    ィルターがそれぞれ矩形状の1つのパッケージ内に配置
    され、前記パッケージを構成する長い方の壁の長さL
    が、光速をc、局発信号の周波数をLoとした場合に、
    L>c/4Loの関係を満たす請求項2または請求項3
    記載の半導体装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005295098A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Eudyna Devices Inc 無線装置
JP2014033310A (ja) * 2012-08-02 2014-02-20 Nec Corp ハーモニックミキサ回路およびその制御方法

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