JPH10265478A - イミダゾール金属錯体及びそれを用いた有機電界発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 長期間に渡って安定な発光特性を示す新規青
色発光材料及びこの発光材料を用いた青色発光特性の安
定した有機電界発光素子を提供する。 【解決手段】 下記一般式で表されるイミダゾール金属
錯体（Ａはメチル基，フェニル基等，ＭはＺｎ等，Ｒ¹
〜Ｒ⁸ は水素等）。基板１上に陽極２，正孔輸送層４、
該イミダゾール金属錯体を含有する有機発光層５及び陰
極７が形成された有機電界発光素子。 【化１８】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は新規なイミダゾール
金属錯体及び有機電界発光素子に関するものであり、詳
しくは、長期間に渡って安定な発光特性を維持し得る新
規青色発光材料、及びこの発光材料を用い、有機化合物
からなる正孔輸送層と有機発光層との組み合わせによ
り、電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光（ＥＬ）素子と
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるＺｎ
Ｓ、ＣａＳ、ＳｒＳ等に、発光中心であるＭｎや希土類
元素（Ｅｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｍ等）をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したＥＬ素子
は、 １）交流駆動が必要とされる（一般に５０〜１０００Ｈ
ｚ）。 ２）駆動電圧が高い（一般に２００Ｖ程度）。 ３）フルカラー化が困難で、特に青色に問題がある。 ４）周辺駆動回路のコストが高い。 という問題点を有している。

【０００３】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いた電界発光素子の開発が行われるように
なった。特に、発光効率を高めるために電極からのキャ
リアー注入の効率向上を目的とした電極種類の最適化を
行い、芳香族ジアミンから成る正孔輸送層と８−ヒドロ
キシキノリンのアルミニウム錯体から成る発光層を設け
た有機電界発光素子の開発（Appl.Phys.Lett.,51巻，91
3 頁, 1987年）により、従来のアントラセン等の単結晶
を用いた電界発光素子と比較して発光効率の大幅な改善
がなされ、実用特性に近づいてきている。

【０００４】上記の様な低分子材料を用いた電界発光素
子の他にも、発光層の材料として、ポリ（ｐ−フェニレ
ンビニレン）（Nature, 347 巻, 539 頁, 1990年他）、
ポリ[2-メトキシ-5- （2-エチルヘキシルオキシ）-1,4-
フェニレンビニレン] （Appl. Phys. Lett., 58 巻, 1
982頁, 1991年他）、ポリ（3-アルキルチオフェン）（J
pn. J. Appl. Phys, 30巻, L1938 頁, 1991年他）等の
高分子材料を用いた電界発光素子の開発や、ポリビニル
カルバゾール等の高分子に低分子の発光材料と電子移動
材料を混合した素子（応用物理, 61巻, 1044頁, 1992
年）の開発も行われている。

【０００５】ところで、有機電界発光素子の特徴の一つ
に青色発光が実現できることが挙げられる。青色の電界
発光を示す有機材料としては、アントラセン（Jpn.J.Ap
pl.Phys., 27巻, L269頁，1988年）、テトラフェニルブ
タジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン（Appl.P
hys.Lett., 56 巻，799 頁，1990年）、ジスチリルベン
ゼン誘導体（日本化学会誌，1162頁，1992年）、スチリ
ルアミン含有ポリカーボネート（Appl.Phys.Lett.,61
巻，2503頁，1992年）、オキサジアゾール誘導体（Jpn.
J.Appl.Phys., 31巻，1812頁，1992年；日本化学会誌，
1540頁，1991年）、アゾメチン亜鉛錯体（Jpn.J.Appl.P
hys.,32 巻，L511頁，1993年）、ベンズアゾール金属錯
体（特開平8-81472 号公報）、混合配位子アルミニウム
錯体（特開平5-198377号公報、特開平5-198378号公報、
特開平5-214332号公報、特開平6-172751号公報）等が報
告されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前述の青色発光材料を
有機電界発光素子の発光層として用いる場合、次のよう
な問題点が挙げられる。

【０００７】１）青色発光を示す有機分子の構造は単純
なものが多いので、分子量が小さくなり薄膜状態が不安
定なため、結晶化しやすく一様な膜が得にくい。 ２）発光効率が低く、高輝度が得られない。 ３）正孔輸送材料と相互作用して、エキサイプレックス
を形成し、電界発光が長波長化してしまう。 ４）素子として駆動した時の寿命が短い。

【０００８】上述の理由から、青色発光有機電界発光素
子は実用化のためには多くの問題を抱えているのが実状
である。

【０００９】なお、上記特開平８−８１４７２号公報に
は、イミダゾール環の窒素原子に水素が結合しているイ
ミダゾール金属錯体が報告されているが、このものは吸
湿性があり、錯体の安定性が悪いという欠点がある。

【００１０】本発明は上記従来の問題点を解決し、長期
間に渡って安定な発光特性を示す新規青色発光材料及び
この発光材料を用いた青色発光特性の安定した有機電界
発光素子を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明のイミダゾール金
属錯体は、下記一般式（Ｉ）で表されるものである。

【００１２】

【化２】

【００１３】（式中、Ａは、ハロゲン原子、シアノ基、
ニトロ基、カルボキシル基、水酸基、置換基を有してい
てもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラル
キル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換
基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していても
よいアミド基、置換基を有していてもよいアルコキシカ
ルボニル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、
置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を
有していてもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有し
ていてもよい芳香族複素環基置換基を示し、Ｒ¹ ，
Ｒ² ，Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は、各々独
立して水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
カルボキシル基、水酸基、置換基を有していてもよいア
ルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置
換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有して
いてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアミド
基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル
基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を
有していてもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有し
ていてもよい芳香族複素環基を示す。ただし、Ｒ³ とＲ
⁴ 、あるいはＲ⁶ とＲ⁷ は、それぞれ一緒になって環を
形成していてもよい。Ｍは、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｃｏ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｓｍ、Ｅｕ、又はＴｂを示し、ｎは１から３
までの整数を示す。） 本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極及び陰極
により挟持された正孔輸送層及び有機発光層が形成され
た有機電界発光素子において、該有機発光層が、上記一
般式（Ｉ）で表されるイミダゾール金属錯体を含有する
ことを特徴とする。

【００１４】イミダゾール環の窒素原子に特定の置換基
Ａを導入したイミダソール金属錯体であれば、耐熱性が
高く、長期間に渡って安定な青色発光特性を維持するこ
とができ、このようなイミダゾール金属錯体を青色発光
材料として用いた有機電界発光素子であれば、熱的に安
定な薄膜構造の有機発光層を形成することができ、長期
に渡り安定した青色発色特性を得ることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。

【００１６】まず、本発明のイミダゾール金属錯体につ
いて説明する。

【００１７】本発明のイミダゾール金属錯体を表す前記
一般式（Ｉ）において、好ましくは、Ａとしては、ハロ
ゲン原子；シアノ基；ニトロ基；カルボキシル基；水酸
基；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル
基；α−ハロアルキル基；ベンジル基、フェネチル基等
のアラルキル基；ビニル基等のアルケニル基；ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基
等のジアルキルアミノ基；ジベンジルアミノ基、ジフェ
ニルアミノ基などのジアリールアミノ基；アミド基、メ
トキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数
１〜６のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキ
シ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；フェノキシ基、
ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；フェニル
基、ビフェニル基等の芳香族炭化水素基；ピリジル基、
キノリル基、チエニル基、カルバゾル基、インドリル
基、フリル基等の芳香族複素環基が挙げられ、これら飽
和もしくは不飽和の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素
基、芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基は置換基
を有していてもよい。更に好ましくは、Ａとしてはメチ
ル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ジメチ
ルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ
基等のジアルキルアミノ基；ジベンジルアミノ基、ジフ
ェニルアミノ基などのジアリールアミノ基；フェニル
基、ビフェニル基等の芳香族炭化水素基が挙げられる。
Ｒ¹ ないしＲ⁸ としては、好ましくは、水素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メチ
ル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ベンジ
ル基、フェネチル基等のアラルキル基；シアノ基、アミ
ノ基、ジメチルアミノ基；メトキシカルボニル基、エト
キシカルボニル基等の炭素数１〜６のアルコキシカルボ
ニル基；カルボキシル基；メトキシ基、エトキシ基等の
炭素数１〜６のアルコキシ基；フェニル基、ナフチル
基、アセナフチル基、アントリル基等の芳香族炭化水素
基；ピリジル基、キノリル基、チエニル基、カルバゾル
基、インドリル基、フリル基等の芳香族複素環基等が挙
げられる。これらの芳香族炭化水素基又は芳香族複素環
基に置換する置換基としてはメチル基、エチル基等の炭
素数１〜６のアルキル基；メトキシ基等の低級アルコキ
シ基；フェノキシ基、トリオキシ基等のアリールオキシ
基；ベンジルオキシ基等のアリールアルコキシ基；フェ
ニル基、ナフチル基等のアリール基；ジメチルアミノ基
等の置換アミノ基等が挙げられる。Ｒ¹ 〜Ｒ⁸ として
は、特に好ましくは、水素原子、塩素原子等のハロゲン
原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアル
コキシ基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基が挙
げられる。なお、Ｒ³ とＲ⁴ 、あるいはＲ⁶ とＲ⁷ は一
緒になって環を形成していてもよい。この場合、形成さ
れる環としては、好ましくは、ナフチル環、アントリル
環が挙げられる。

【００１８】ＭはＢｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉ
ｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、
Ｓｍ、Ｅｕ、又はＴｂの金属原子を表し、好ましくは、
Ｂｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇである。ｎ
は金属原子の価数により決定され、２価の金属の場合は
２を、３価の金属の場合は３を示す。Ｍとしては、更に
好ましくは、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｍｇが挙げられる。

【００１９】前記一般式（Ｉ）で表されるイミダゾール
金属錯体は、対応する金属塩とイミダゾール誘導体との
間の錯体形成反応により合成される。

【００２０】このイミダゾール誘導体は、例えば、次の
ような経路で合成される。即ち、下記一般式（II）で表
される1,2-フェニレンジアミン誘導体を、下記一般式
（III）で表されるサリチルアルデヒド誘導体とエタノ
ール中で反応させ（J. Chem. Soc., 1949 巻, 2971頁,
1949年）、下記一般式（ＩＶ）で表されるSchiff's塩基
を合成し、氷酢酸中で、四酢酸鉛を用いて酸化すること
により、下記一般式（Ｖ）で表されるイミダゾール誘導
体を得る。

【００２１】

【化３】

【００２２】

【化４】

【００２３】

【化５】

【００２４】

【化６】

【００２５】上記一般式（Ｖ）で表されるイミダゾール
誘導体の好ましい具体例を下記の表１〜表６に示すが、
本発明は何らこれらに限定されるものではない。

【００２６】

【表１】

【００２７】

【表２】

【００２８】

【表３】

【００２９】

【表４】

【００３０】

【表５】

【００３１】

【表６】

【００３２】前記一般式（Ｖ）で表されるイミダゾール
誘導体と錯体を形成する金属塩としては、塩化物、臭化
物等のハロゲン化塩、硫酸塩、硝酸塩等が挙げられる。

【００３３】錯体形成反応は、例えば、「ケイ光・紫外
吸収分析」（共立出版，43頁，1965年）に示される方法
で行われ、通常、イミダゾール誘導体のエタノール溶液
と金属塩のメタノール溶液を混合、攪拌し、沈澱として
イミダゾール金属錯体を得る。

【００３４】本発明においては、前記一般式（Ｉ）に示
す分子構造により、ガラス転移温度Tgを 100℃以上と高
くすることができる。そして、この耐熱性の向上によ
り、容易には結晶化しない非晶質薄膜を与えることが可
能となり、正孔輸送層との分子の相互拡散を 100℃以上
の高温下でも十分に抑制することができる。

【００３５】次に、前記一般式（Ｉ）で表されるイミダ
ゾール金属錯体を用いた本発明の有機電界発光素子の実
施の形態について、図面を参照しながら説明する。

【００３６】図１〜４は本発明に用いられる一般的な有
機電界発光素子の構造例を模式的に示す断面図であり、
１は基板、２は陽極、３は陽極バッファ層、４は正孔輸
送層、５は有機発光層、５Ａは電子注入層、６は界面
層、７は陰極を各々表わす。

【００３７】基板１は有機電界発光素子の支持体となる
ものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラ
スチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラ
ス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好
ましい。ただし、合成樹脂基板を使用する場合にはガス
バリア性に留意する必要がある。即ち、基板のガスバリ
ヤ性が低すぎると、基板を通過する外気により有機電界
発光素子が劣化することがあるので好ましくない。この
ため、合成樹脂基板のいずれか一方の面もしくは両面に
緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保す
る方法も好ましい方法の一つである。

【００３８】基板１上には陽極２が設けられるが、陽極
２は正孔輸送層４への正孔注入の役割を果たすものであ
る。この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッ
ケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又
はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロ
ゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ（3-メ
チルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導
電性高分子などにより構成される。陽極２の形成は通
常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われる
ことが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅など
の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒
子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバイン
ダー樹脂溶液に分散し、基板１上に塗布することにより
陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子
の場合は電解重合により直接基板１上に薄膜を形成した
り、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成す
ることもできる（Appl. Phys. Lett., 60 巻, 2711頁,
1992年）。陽極２は異なる物質よりなる積層構造とする
ことも可能である。陽極２の厚みは、必要とされる透明
性により異なる。陽極２に透明性が必要とされる場合
は、可視光の透過率が、通常、60％以上、好ましくは80
％以上であることが望ましく、この場合、陽極２の厚み
は、通常、5 〜1000nm、好ましくは10〜500nm 程度であ
る。不透明でよい場合には、陽極２は基板１と同一でも
よい。また、さらには上記の陽極２の上に異なる導電材
料を積層することも可能である。

【００３９】陽極２の上には正孔輸送層４が設けられ
る。正孔輸送層４の材料に要求される条件としては、陽
極２からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔
を効率よく輸送することができる材料であることであ
る。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可
視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大
きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製
造時や使用時に発生しにくいことが要求される。上記の
一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素
子にはさらに耐熱性が要求される。この場合には、ガラ
ス転移温度Tgとして80℃以上の値を有する材料が望まし
い。

【００４０】このような正孔輸送材料としては、例え
ば、1,1-ビス（4-ジ-p- トリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサン等の３級芳香族アミンユニットを連結した芳香
族ジアミン化合物（特開昭59−194393号公報）、4,4'-
ビス［N-（1-ナフチル）-N- フェニルアミノ］ビフェニ
ルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の
縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン（特開
平５−234681号公報）、トリフェニルベンゼンの誘導体
でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン（米国
特許第4,923,774 号）、N,N'- ジフェニル-N,N'-ビス
（3-メチルフェニル）ビフェニル-4,4'-ジアミン等の芳
香族ジアミン（米国特許第4,764,625 号）、α, α,
α',α'-テトラメチル- α, α'-ビス（4-ジ-p- トリル
アミノフェニル）-p- キシレン（特開平３−269084号公
報）、分子全体として立体的に非対称なトリフェニルア
ミン誘導体（特開平４−129271号公報）、ピレニル基に
芳香族ジアミノ基が複数個置換した化合物（特開平４−
175395号公報）、エチレン基で３級芳香族アミンユニッ
トを連結した芳香族ジアミン（特開平４−264189号公
報）、スチリル構造を有する芳香族ジアミン（特開平４
−290851号公報）、チオフェン基で芳香族３級アミンユ
ニットを連結したもの（特開平４−304466号公報）、ス
ターバースト型芳香族トリアミン（特開平４−308688号
公報）、ベンジルフェニル化合物（特開平４−364153号
公報）、フルオレン基で３級アミンを連結したもの（特
開平５−25473 号公報）、トリアミン化合物（特開平５
−239455号公報）、ビスジピリジルアミノビフェニル
（特開平５−320634号公報）、N,N,N-トリフェニルアミ
ン誘導体（特開平６−1972号公報）、フェノキサジン構
造を有する芳香族ジアミン（特開平７−138562号公
報）、ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体（特開
平７−252474号公報）、ヒドラゾン化合物（特開平２−
311591号公報）、シラザン化合物（米国特許第4,950,95
0 号公報）、シラナミン誘導体（特開平６−49079 号公
報）、ホスファミン誘導体（特開平６−25659 号公
報）、キナクリドン化合物等が挙げられる。これらの化
合物は、単独で用いてもよいし、必要に応じて、２種以
上を混合して用いてもよい。

【００４１】上記の化合物以外に、正孔輸送層４の材料
として、ポリビニルカルバゾールやポリシラン（Appl.
Phys. Lett. ，59巻，2760頁，1991年）、ポリフォスフ
ァゼン（特開平５−310949号公報）、ポリアミド（特開
平５−310949号公報）、ポリビニルトリフェニルアミン
（特開平７−53953 号公報）、トリフェニルアミン骨格
を有する高分子（特開平４−133065号公報）、トリフェ
ニルアミン単位をメチレン基等で連結した高分子（Synt
hetic Metals，55-57 巻，4163頁，1993年）、芳香族ア
ミンを含有するポリメタクリレート（J. Polym. Sci.,
Polym. Chem.Ed. ，21巻，969 頁，1983年）等の高分子
材料も挙げられる。

【００４２】正孔輸送層４は、上記の正孔輸送材料を塗
布法或は真空蒸着法により前記陽極２上に成膜すること
により形成される。

【００４３】塗布法の場合は、正孔輸送材料の１種又は
２種以上と、必要により正孔のトラップにならないバイ
ンダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを添加し、溶
剤に溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの
方法により陽極２上に塗布し、乾燥して正孔輸送層４を
形成する。この場合、バインダー樹脂としては、ポリカ
ーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げら
れる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低
下させるので、少ない方が望ましく、通常、50重量％以
下が好ましい。

【００４４】真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真
空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当
な真空ポンプで10^-6Torrにまで排気した後、ルツボを加
熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボに対向配置さ
れた基板上に層を形成する。

【００４５】正孔輸送層４の膜厚は、通常、10〜300 n
m、好ましくは30〜100 nmである。この様に薄い膜を一
様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いら
れる。

【００４６】なお、陽極２と正孔輸送層４のコンタクト
を向上させるために、図２に示すように、陽極バッファ
層３を設けることが考えられる。この場合、陽極バッフ
ァ層３に用いられる材料に要求される条件としては、陽
極２とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的
に安定、即ち、融点及びガラス転移温度が高く、融点と
しては 300℃以上、ガラス転移温度としては 100℃以上
が要求される。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽
極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいこ
とが挙げられる。このような条件を満たすために、従
来、陽極バッファ層の材料としてポルフィリン誘導体や
フタロシアニン化合物（特開昭63−295695号公報）、ス
ターバスト型芳香族トリアミン（特開平４−308688号公
報）、ヒドラゾン化合物（特開平４−320483号公報）、
アルコキシ置換の芳香族ジアミン誘導体（特開平４−22
0995号公報）、p-（9-アントリル）-N,N- ジ-p- トリル
アニリン（特開平３−111485号公報）、ポリチエニレン
ビニレンやポリ−ｐ−フェニレンビニレン（特開平４−
145192号公報）、ポリアニリン（Appl. Phys. Lett.,64
巻,1245 頁, 1994年参照）等の有機化合物や、スパッ
タ・カーボン膜（特開平８− 31573号公報）や、バナジ
ウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の
金属酸化物（第43回応用物理学関係連合講演会，27a-SY
-9，1996年）が報告されている。

【００４７】これらのうち、陽極バッファ層材料として
よく使用される化合物としては、ポルフィリン化合物又
はフタロシアニン化合物が挙げられる。これらの化合物
は中心金属を有していてもよいし、無金属のものでもよ
い。好ましいこれらの化合物の具体例としては、以下の
化合物が挙げられる。

【００４８】ポルフィン 5,10,15,20- テトラフェニル-21H,23H- ポルフィン 5,10,15,20- テトラフェニル-21H,23H- ポルフィンコバ
ルト（II） 5,10,15,20- テトラフェニル-21H,23H- ポルフィン銅
（II） 5,10,15,20- テトラフェニル-21H,23H- ポルフィン亜鉛
（II） 5,10,15,20- テトラフェニル-21H,23H- ポルフィンバナ
ジウム（IV）オキシド 5,10,15,20- テトラ（4-ピリジル）-21H,23H- ポルフィ
ン 29H,31H-フタロシアニン 銅（II）フタロシアニン 亜鉛（II）フタロシアニン チタンフタロシアニンオキシド マグネシウムフタロシアニン 鉛フタロシアニン 銅（II）4,4',4'',4'''-テトラアザ-29H,31H- フタロシ
アニン 陽極バッファ層３もまた、正孔輸送層４と同様にして薄
膜形成可能であるが、陽極バッファ層材料が無機物の場
合には、さらに、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラ
ズマＣＶＤ法による成膜も可能である。

【００４９】このようにして形成される陽極バッファ層
３の膜厚は、通常、3 〜100nm 、好ましくは10〜50nmで
ある。

【００５０】正孔輸送層４の上には有機発光層５が設け
られる。有機発光層５は、電界を与えられた電極間にお
いて陰極からの電子を効率よく正孔輸送層４の方向に輸
送することができる化合物より形成される。

【００５１】有機発光層５に用いられる電子輸送性化合
物としては、陰極７からの電子注入効率が高く、かつ、
注入された電子を効率よく輸送することができる化合物
であることが必要である。そのためには、電子親和力が
大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優
れトラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにく
い化合物であることが要求される。また、正孔と電子の
再結合の際に青色発光をもたらす役割も求められる。さ
らに、均一な薄膜形状を与えることも素子の安定性の点
で重要である。

【００５２】本発明者等はこのような条件を満たす材料
として、前記一般式（Ｉ）で表されるイミダゾール金属
錯体が好適であることを見出した。

【００５３】本発明においては、有機電界発光素子の有
機発光層５に、前記一般式（Ｉ）で表されるイミダゾー
ル金属錯体を含有させることにより、安定した青色発光
特性をもたらすことができる。

【００５４】有機発光層５の膜厚は、通常、10〜200 n
m、好ましくは30〜100 nmである。

【００５５】有機発光層５も正孔輸送層４と同様の方法
で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いら
れる。

【００５６】なお、素子の発光効率を向上させると共に
発光色を変える目的で、従来、例えば、８−ヒドロキシ
キノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマ
リン等のレーザ用蛍光色素をドープすること（J. Appl.
Phys.，65巻，3610頁，1989年）等も行われているが、
本発明においても上記のイミダゾール金属錯体をホスト
材料として、青色の蛍光色素であるペリレンやクマリン
480 （KODAK Laser Dyes, 20頁）などを10^ー3〜10モル％
ドープすることにより、素子の発光特性をさらに向上さ
せることができる。

【００５７】この場合、ペリレン等の蛍光色素をドープ
する方法としては、共蒸着による方法や蒸着源を予め所
定の濃度で混合しておく方法がある。ドーパントとして
の蛍光色素は、有機発光層中にドープされる場合、有機
発光層の膜厚方向において均一にドープされるが、膜厚
方向において濃度分布があっても構わない。例えば、正
孔輸送層との界面近傍にのみドープされていても、逆
に、陰極界面近傍にドープされていてもよい。

【００５８】有機電界発光素子の発光効率をさらに向上
させる方法として、図３に示すように、有機発光層５の
上にさらに電子注入層５Ａを積層することもできる。こ
の電子注入層５Ａに用いられる化合物には、陰極からの
電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに大きいこと
が要求される。このような電子輸送材料としては、既に
有機発光層材料として挙げた８−ヒドロキシキノリンの
アルミ錯体や、下記構造式で表されるオキサジアゾール
誘導体（Appl. Phys. Lett., 55 巻, 1489頁,1989年
他）やそれらをポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等
の樹脂に分散した系（Appl. Phys. Lett. ，61巻，2793
頁, 1992年）、フェナントロリン誘導体（特開平5 −33
1459号公報）、2-t-ブチル-9,10-N,N'- ジシアノアント
ラキノンジイミン（Phys. Stat. Sol. (a)，142 巻, 48
9 頁, 1994年）、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型
硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛等が挙げられる。

【００５９】

【化７】

【００６０】

【化８】

【００６１】電子注入層５Ａの膜厚は、通常、5 〜200n
m 、好ましくは10〜100 nmである。

【００６２】陰極７は、有機発光層５に電子を注入する
役割を果たす。陰極７として用いられる材料は、前記陽
極２に使用される材料が挙げられるが、効率よく電子注
入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、ス
ズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニ
ウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられ
る。陰極７の膜厚は通常、陽極２と同様である。低仕事
関数金属からなる陰極を保護する目的で、この上にさら
に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層す
ることは素子の安定性を増す上で有効である。この場
合、積層する金属層としては、アルミニウム、銀、ニッ
ケル、クロム、金、白金等の金属層が用いられる。

【００６３】陰極７と有機発光層５又は電子注入層５Ａ
とのコンタクトを向上させるために、図４に示すように
両者の間に界面層６を設けてもよい。界面層６の役割と
しては、有機発光層５との親和性があると同時に陰極と
の密着性が良く、かつ、化学的に安定で陰極形成時及び
／又は形成後の有機発光層７と陰極との反応を抑制する
効果を有することが挙げられる。また、均一な薄膜形状
を与えることも陰極７との密着性の点で重要である。こ
の界面層６に用いられる化合物としては、芳香族ジアミ
ン化合物（特開平６−267658号公報）、キナクリドン化
合物（特開平６−330031号公報）、ナフタセン誘導体
（特開平６−330032号公報）、有機シリコン化合物（特
開平６−325871号公報）、有機リン化合物（特開平５−
325872号公報）、Ｎ−フェニルカルバゾール骨格を有す
る化合物（特開平８− 60144号公報）、Ｎ−ビニルカル
バゾール重合体（特開平８− 60145号公報）等が例示で
きる。

【００６４】界面層７の膜厚は、通常、2 〜100nm 、好
ましくは 5〜30nmである。

【００６５】なお、界面層を設ける代わりに、有機発光
層の陰極界面近傍に上記界面層の材料を50重量％以上含
む領域を設けてもよい。

【００６６】図１〜４は、本発明で採用される素子構造
の一例を示すものであって、本発明は何ら図示のものに
限定されるものではない。例えば、図１とは逆の構造、
即ち、基板上に陰極７、有機発光層５、正孔輸送層４、
陽極２の順に積層することも可能であり、少なくとも一
方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発
光素子を設けることも可能である。同様に、図２〜図４
に示したものについても、各構成層を逆の構造に積層す
ることも可能である。

【００６７】

【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を
より具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない
限り、以下の実施例に限定されるものではない。

【００６８】実施例１：表１のイミダゾール誘導体
（１）の亜鉛錯体の製造 50℃に加熱したN-フェニル-1,2- フェニレンジアミン8.
08g のエタノール30ml溶液中にサリチルアルデヒド5.38
g のエタノール10ml溶液を加えて3 時間加熱攪拌した。
反応終了後、一晩放置し、再結晶させた。生じた沈殿を
冷エタノールで洗浄し、黄色結晶のN-フェニル-N'-ベン
ジリデン-1,2- フェニレンジアミン11.42gを得た（収率
90％）。

【００６９】得られたN-フェニル-N'-ベンジリデン-1,2
- フェニレンジアミン11.42gを氷酢酸30ml中で四酢酸鉛
19.49g用いて酸化し、水中に放出、中和した。生じた沈
殿をカラムクロマトグラフィーで精製し、濃黄色粉末状
のイミダゾール誘導体（１）4.48g を得た（収率36％：
融点114 ℃）。このイミダゾール誘導体（１）の構造式
を以下に示す。

【００７０】

【化９】

【００７１】得られたイミダゾール誘電体（１）1.90g
のエタノール20ml溶液と、硫酸亜鉛（７水和物）1.01g
をメタノール16ml中に溶かしたものを混合し、15％炭酸
ナトリウム水溶液20mlを加えて反応混合物を塩基性にし
て、60℃で2 時間撹拌して反応させた。反応終了後、生
成した沈澱を脱塩水、アセトンで洗浄後、昇華精製を行
ったところ、1.50g の乳白色の粉末を得た（収率71
％）。

【００７２】この化合物の質量分析を行ったところ、分
子量が634 であり、さらにＩＲスペクトル（図５に示
す）より目的化合物であることを確認した。この化合物
をセイコー電子社製ＤＳＣ−２０により示差熱分析測定
したところ、Tgは155 ℃と高い値を示した。また、結晶
化温度は197 ℃、融点は349 ℃であった。

【００７３】この最終精製物の元素分析結果を以下に示
す。

【００７４】分子式：Ｚｎ（Ｃ₁₉Ｈ₁₃Ｎ₂ Ｏ）₂ 計算値［％］ C:71.76 H:4.12 N:8.81 Zn:10.28 分析値［％］ C:71.00 H:4.12 N:8.66 Zn:10.2 このイミダゾール亜鉛錯体（Ｅ−１）の構造式を以下に
示す。

【００７５】

【化１０】

【００７６】実施例２：表４のイミダゾール誘電体（３
２）の亜鉛錯体の製造 50℃に加熱したN-メチル-1,2- フェニレンジアミン3.80
g のエタノール15ml溶液中にサリチルアルデヒド3.82g
のエタノール6ml 溶液を加えて1 時間加熱攪拌した。反
応終了後、一晩放置し、再結晶させた。生じた沈殿を冷
エタノールで洗浄し、黄色結晶のN-メチル-N'-ベンジリ
デン-1,2- フェニレンジアミン6.18g を得た（収率88
％）。

【００７７】得られたN-メチル-N'-ベンジリデン-1,2-
フェニレンジアミン6.18g を氷酢酸20ml中で四酢酸鉛1
3.47g用いて酸化し、水中に放出、中和した。生じた沈
殿をカラムクロマトグラフィーで精製し、濃黄色粉末状
のイミダゾール誘電体（３２）1.22g を得た（収率18
％：融点158 ℃）。このイミダゾール誘電体（３２）の
構造式を以下に示す。

【００７８】

【化１１】

【００７９】得られたイミダゾール誘電体（３２）1.82
g のエタノール：テトラヒドロフラン混合溶液25mlと、
硫酸亜鉛（７水和物）1.24g をメタノール20ml中に溶か
したものを混合し、15％炭酸ナトリウム水溶液20mlを加
えて反応混合物を塩基性にして、60℃で5 時間撹拌して
反応させた。反応終了後、生成した沈澱を脱塩水、アセ
トンで洗浄後、昇華精製を行ったところ、1.29g の薄黄
色の粉末を得た（収率62％）。

【００８０】この化合物の質量分析を行ったところ、分
子量が510 であり、さらにＩＲスペクトル（図６に示
す）により目的化合物であることを確認した。融点は36
1 ℃であった。

【００８１】この最終精製物の元素分析結果を以下に示
す。

【００８２】分子式：Ｚｎ（Ｃ₁₄Ｈ₁₁Ｎ₂ Ｏ）₂ 計算値［％］ C:65.70 H:4.33 N:10.95 Zn:12.77 分析値［％］ C:64.85 H:4.33 N:10.84 Zn:12.7 このイミダゾール亜鉛錯体（Ｅ−２）の構造式を以下に
示す。

【００８３】

【化１２】

【００８４】実施例３：イミダゾール亜鉛錯体（Ｅ−
１）の発光特性の測定 ガラス基板をアセトンで超音波洗浄した後、純水で水洗
し、次いで、イソプロピルアルコールで超音波洗浄した
後、乾燥窒素で乾燥し、更に紫外線オゾン洗浄を行っ
た。その後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空
度が2 ×10^-6Torr以下になるまで油拡散ポンプを用いて
排気した。

【００８５】実施例１で合成したイミダゾール亜鉛錯体
（Ｅ−１）をセラミックルツボに入れ、ルツボの周囲の
タンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時の
ルツボの温度は、250 〜280 ℃の範囲で制御した。蒸着
時の真空度は3.0 ×10^-6Torr（約4.0x10^-4Pa）で、蒸着
速度 0.1〜0.3nm ／秒で膜厚90nmの一様で透明な膜を得
た。

【００８６】この蒸着膜を水銀ランプ（波長350nm ）で
励起して測定した蛍光測定の結果は、470nm で、青色蛍
光を示した。標準試料として、下記に示すアルミニウム
の８−ヒドリキシキノリン錯体（Ｅ−３）の蒸着膜を同
様にして作製し、530nm の蛍光ピークの強度と比較した
ところ、イミダゾール亜鉛錯体（Ｅ−１）は4.6 倍もの
強い蛍光を示した。

【００８７】

【化１３】

【００８８】また、この蒸着膜は大気中で１８３日間保
存した後も一様で結晶化は観測されず、蛍光性や蛍光強
度は維持された。

【００８９】実施例４：イミダゾール亜鉛錯体（Ｅ−
２）の発光特性の測定 蒸着原料として実施例２で合成したイミダゾール亜鉛錯
体（Ｅ−２）を用いた他は実施例３と同様にしてガラス
基板上に膜厚90nmの一様で透明な膜を得た。この蒸着膜
を水銀ランプ（波長350nm ）で励起して測定した蛍光測
定の結果は、470nm で、青色蛍光を示した。実施例１と
同様にアルミニウムの８−ヒドリキシキノリン錯体（Ｅ
−３）と蛍光ピークの強度と比較したところ、イミダゾ
ール亜鉛錯体（Ｅ−２）は1.1 倍の強い蛍光を示した。
また、この蒸着膜は大気中で１８３日間保存した後も一
様で結晶化は観測されず、蛍光性や蛍光強度は維持され
た。

【００９０】比較例１ イミダゾール環の窒素に水素が置換している下記に示す
2-(2- ヒドロキシフェニル）ベンズイミダゾールの亜鉛
錯体を実施例３と同様に蒸着しようとしたが、錯体が分
解し、蒸着膜が得られない程、不安定な錯体であった。

【００９１】

【化１４】

【００９２】比較例２ 蒸着原料としてイミダゾール亜鉛錯体（Ｅ−１）に代え
て、下記に示すビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
（Ｅ−４）を用いた他は実施例３と同様にして蒸着膜を
作製した。この蒸着膜を水銀ランプ（波長350nm ）で励
起して測定した蛍光測定の結果は、500nm で、青緑色蛍
光を示した。

【００９３】しかし、この蒸着膜は大気中で７日間保存
したところ、膜の透明性が失われ、蛍光性も失われた。
また、ドット状の欠陥も生じた。

【００９４】

【化１５】

【００９５】実施例５：イミダゾール亜鉛錯体（Ｅ−
１）を用いた有機電界発光素子の作製及び評価 図１に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。

【００９６】ガラス基板１上にインジウム・スズ酸化物
（ＩＴＯ）透明導電膜を 120nm堆積したもの（ジオマテ
ック社製；電子ビーム成膜品；シート抵抗15Ω）を通常
のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて 2
mm幅のストライプにパターニングして陽極２を形成し
た。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超
音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールに
よる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、
最後に紫外線オゾン洗浄を行って、真空蒸着装置内に設
置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った
後、装置内の真空度が2x10^-6Torr（約2.7x10^-4Pa）以下
になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用
いて排気した。

【００９７】正孔輸送層材料として、以下に示す4,4'-
ビス［N-（1-ナフチル）-N- フェニルアミノ］ビフェニ
ル（Ｈ−１）をセラミックルツボに入れ、ルツボの周囲
のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時
のルツボの温度は、210 〜240 ℃の範囲で制御した。蒸
着時の真空度は3.0 ×10^-6Torr（約4.0x10^-4Pa）で、蒸
着速度 0.1〜0.6nm ／秒で膜厚60nmの正孔輸送層４を得
た。

【００９８】

【化１６】

【００９９】次に、有機発光層５の材料として、実施例
１で合成したイミダゾール亜鉛錯体（Ｅ−１）を上記正
孔輸送層４の上に同様にして蒸着を行なった。この時の
ルツボの温度は250 〜280 ℃の範囲で制御した。蒸着時
の真空度は2.7 ×10^-6Torr（約3.6x10^-4Pa）で、蒸着速
度 0.1〜0.3nm ／秒で、膜厚は75nmであった。

【０１００】上記の正孔輸送層４及び有機発光層５を真
空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。

【０１０１】ここで、有機発光層５までの蒸着を行った
素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出し
て、陰極蒸着用のマスクとして 2mm幅のストライプ状シ
ャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交す
るように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置
して上記と同様にして装置内の真空度が2x10^-6Torr（約
2.7x10^-4Pa）以下になるまで排気した。続いて、陰極７
として、マグネシウムと銀の合金電極を２元同時蒸着法
によって膜厚110nm で蒸着した。蒸着はモリブデンボー
トを用いて、真空度は8.7 ×10^-6Torr（約1.2x10^-3Pa）
で、蒸着速度0.6〜0.8nm ／秒で光沢のある膜が得られ
た。マグネシウムと銀の原子比は10：1.0であった。こ
のマグネシウム・銀合金陰極の蒸着時の基板温度は室温
に保持した。

【０１０２】以上の様にして、2mmx2mm のサイズの発光
面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。

【０１０３】この素子の発光特性として、250mA ／cm²
の電流密度での輝度、 100cd／m²での発光効率、 100cd
／m²での電圧（Ｖ１００）、輝度−電流密度特性（Ｌ−
Ｊ）の傾きを調べ、結果を表７に示した。また、ＣＩＥ
色度座標（ＪＩＳ Ｚ８７０１）でのｘ、ｙの値を表７
に併記した。

【０１０４】この素子は一様な青色の発光を示し、発光
のピーク波長は470nm であった。そして、長期間保存後
も、駆動電圧の顕著な上昇はみられず、発光効率の低下
もなく、安定した素子の保存安定性が得られた。

【０１０５】実施例６：イミダノール亜鉛錯体（Ｅ−
２）を用いた有機電界発光素子の作製及び評価 有機発光層５の材料として、イミダゾール亜鉛錯体（Ｅ
−１）に代えて、実施例２で合成したイミダゾール亜鉛
錯体（Ｅ−２）を用いた他は実施例５と同様にして有機
電界発光素子を作製し、同様に評価を行い、結果を表７
に示した。

【０１０６】この素子は一様な青色の発光を示し、発光
のピーク波長は470nm であった。そして、乾燥窒素中で
６０日保存後も、駆動電圧の顕著な上昇はみられず、輝
度低下は5 ％以下で、安定した素子の保存安定性が得ら
れた。

【０１０７】

【表７】

【０１０８】実施例７：イミダゾール亜鉛錯体（Ｅ−
１）と共に青色蛍光色素であるペリレンを併用した有機
電界発光素子の作製及び評価 有機発光層５中にイミダゾール亜鉛錯体（Ｅ−１）と共
に、下記構造式で表されるペリレンを3.4 モル％共蒸着
ドープした他は実施例５と同様にして有機電界発光素子
を作製した。

【０１０９】

【化１７】

【０１１０】得られた有機電界発光素子の発光特性の測
定結果を表８に示す。表８より、ペリレンをドープした
ことにより、発光効率が改善されたことがわかる。この
ものは、乾燥窒素中で１２０日保存後の非発光部分（Ｄ
Ｓ）は3 ％で、保存安定性に優れていた。

【０１１１】

【表８】

【０１１２】比較例３ 有機発光層５にイミダゾール亜鉛錯体（Ｅ−１）に代え
て、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−フ
ェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ｅ−４）
を用いた他は実施例７と同様にして有機電界発光素子を
作製した。この素子を乾燥窒素中で６０日保存した後の
非発光部分（ＤＳ）は60で％、保存安定性に劣るもので
あった。

【０１１３】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のイミダゾー
ル金属錯体は、耐熱性に優れ、良好な発光特性を示す青
色蛍光化合物であり、このような本発明のイミダゾール
金属錯体を用いることにより、熱的に安定な薄膜構造を
有し、長期に渡り安定した青色発光特性を示す有機電界
発光素子が提供される。

【０１１４】従って、本発明の有機電界発光素子は、フ
ラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ
用や壁掛けテレビ）の分野や面発光体としての特徴を生
かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイ
や計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応
用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機電界発光素子の実施の形態を示す
模式的断面図である。

【図２】本発明の有機電界発光素子の別の実施の形態を
示す模式的断面図である。

【図３】本発明の有機電界発光素子の他の実施の形態を
示す模式的断面図である。

【図４】本発明の有機電界発光素子の異なる実施の形態
を示す模式的断面図である。

【図５】実施例１で合成したイミダゾール金属錯体の赤
外吸収スペクトル線図である。

【図６】実施例２で合成したイミダゾール金属錯体の赤
外吸収スペクトル線図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 陽極 ３ 陽極バッファ層 ４ 正孔輸送層 ５ 有機発光層 ５Ａ 電子注入層 ６ 界面層 ７ 陰極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｆ 3/06 Ｃ０７Ｆ 3/06 3/08 3/08 5/00 5/00 Ｄ Ｆ Ｇ Ｊ Ｈ 5/06 5/06 Ｅ 15/04 15/04 15/06 15/06 Ｃ０９Ｋ 11/06 Ｃ０９Ｋ 11/06 Ｚ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表されるイミダゾー
   ル金属錯体。 【化１】 （式中、Ａは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カ
   ルボキシル基、水酸基、置換基を有していてもよいアル
   キル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換
   基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有してい
   てもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアミド
   基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル
   基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を
   有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有してい
   てもよい芳香族炭化水素環基又は置換基を有していても
   よい芳香族複素環基置換基を示し、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ ，
   Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ ，Ｒ⁶ ，Ｒ⁷ ，Ｒ⁸ は、各々独立して水素原
   子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル
   基、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置
   換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有して
   いてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいア
   ミノ基、置換基を有していてもよいアミド基、置換基を
   有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有
   していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよ
   い芳香族炭化水素環基又は置換基を有していてもよい芳
   香族複素環基を示す。ただし、Ｒ³ とＲ⁴ 、あるいはＲ
   ⁶ とＲ⁷ は、それぞれ一緒になって環を形成していても
   よい。Ｍは、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓ
   ｃ、Ｙ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｍ、
   Ｅｕ、又はＴｂを示し、ｎは１から３までの整数を示
   す。）
2. 【請求項２】 基板上に、陽極及び陰極により挟持され
   た正孔輸送層及び有機発光層が形成された有機電界発光
   素子において、該有機発光層が、請求項１に記載のイミ
   ダゾール金属錯体を含有することを特徴とする有機電界
   発光素子。