JPH10256366A - ビアホールの開孔検査パターン構造 - Google Patents
ビアホールの開孔検査パターン構造Info
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- JPH10256366A JPH10256366A JP9053455A JP5345597A JPH10256366A JP H10256366 A JPH10256366 A JP H10256366A JP 9053455 A JP9053455 A JP 9053455A JP 5345597 A JP5345597 A JP 5345597A JP H10256366 A JPH10256366 A JP H10256366A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ビアホールを形成する際の位置決め精度を特
に高精度にしなくても、ビアホールが正常に開孔してい
るか否かを検査する。 【解決手段】 半導体基板２上に、ビアホール６の開孔
検査に用いられる検査用配線３が形成され、検査用配線
３上には絶縁膜４が形成されている。検査用配線３に対
して、２つのビアホールが、底面が検査用配線３と絶縁
膜４との両方にかかるように配置されている。各ビアホ
ール６は検査用配線３の両端に配置され、さらに、検査
用配線３の配線幅方向に対して逆方向に互いに位置をず
らして形成されている。
に高精度にしなくても、ビアホールが正常に開孔してい
るか否かを検査する。 【解決手段】 半導体基板２上に、ビアホール６の開孔
検査に用いられる検査用配線３が形成され、検査用配線
３上には絶縁膜４が形成されている。検査用配線３に対
して、２つのビアホールが、底面が検査用配線３と絶縁
膜４との両方にかかるように配置されている。各ビアホ
ール６は検査用配線３の両端に配置され、さらに、検査
用配線３の配線幅方向に対して逆方向に互いに位置をず
らして形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、特に
多層配線を有する半導体基板に形成されたビアホールの
開孔検査パターン構造に関する。
多層配線を有する半導体基板に形成されたビアホールの
開孔検査パターン構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板に形成されたビアホー
ルが正常に開孔しているか否かを検査するための開孔検
査パターン構造として、特開平４−１２５３１号公報に
開示されているビアホールの開孔検査パターン構造があ
る。図１１は、特開平４−１２５３１号公報に開示され
ている、従来のビアホールの開孔検査パターン構造の一
例を示す断面図である。
ルが正常に開孔しているか否かを検査するための開孔検
査パターン構造として、特開平４−１２５３１号公報に
開示されているビアホールの開孔検査パターン構造があ
る。図１１は、特開平４−１２５３１号公報に開示され
ている、従来のビアホールの開孔検査パターン構造の一
例を示す断面図である。
【０００３】図１１に示すように、従来のビアホールの
開孔検査パターン構造は、半導体基板１０１上に互いに
近接して形成される２本以上の下層配線１０２と、下層
配線１０２を覆うように半導体基板１０１上に形成され
る層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３上に形成され
たレジストパターン１０４と、エッチング法により形成
され、底面が各下層配線１０２と層間絶縁膜１０３とに
かかり、段差１０５ａを有するビアホール１０５とを備
えている。
開孔検査パターン構造は、半導体基板１０１上に互いに
近接して形成される２本以上の下層配線１０２と、下層
配線１０２を覆うように半導体基板１０１上に形成され
る層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３上に形成され
たレジストパターン１０４と、エッチング法により形成
され、底面が各下層配線１０２と層間絶縁膜１０３とに
かかり、段差１０５ａを有するビアホール１０５とを備
えている。
【０００４】ビアホール１０５を走査型電子顕微鏡で観
察し、下層配線１０２による明部と段差１０５ａによる
暗部とのコントラストが観察された場合は、ビアホール
１０５の底面は下層配線１０２の表面に達しているの
で、ビアホール１０５が正常に開孔していることが判
る。このように、従来のビアホール開孔検査パターン構
造では、ビアホール１０５を走査型電子顕微鏡で観察し
たときにコントラストが観察されるか否かによって、ビ
アホール１０５が正常に開孔しているか否かが検査され
る。
察し、下層配線１０２による明部と段差１０５ａによる
暗部とのコントラストが観察された場合は、ビアホール
１０５の底面は下層配線１０２の表面に達しているの
で、ビアホール１０５が正常に開孔していることが判
る。このように、従来のビアホール開孔検査パターン構
造では、ビアホール１０５を走査型電子顕微鏡で観察し
たときにコントラストが観察されるか否かによって、ビ
アホール１０５が正常に開孔しているか否かが検査され
る。
【０００５】また、同じく特開平４−１２５３１号公報
には、図１２に示すようなビアホールの開孔検査パター
ン構造が開示されている。図１２は、従来のビアホール
の開孔検査パターン構造の他の例を示す断面図である。
には、図１２に示すようなビアホールの開孔検査パター
ン構造が開示されている。図１２は、従来のビアホール
の開孔検査パターン構造の他の例を示す断面図である。
【０００６】図１２に示すように、このビアホールの開
孔検査パターン構造は、半導体基板２０１上に互いに近
接して形成される２本以上の下層配線２０２と、下層配
線２０２を覆うように半導体基板２０１上に形成される
層間絶縁膜２０３と、層間絶縁膜２０３上に形成された
レジストパターン２０４と、底面が下層配線２０２の少
なくとも１本と層間絶縁膜２０３とにかかり、段差２０
５ａを有するビアホール２０５とを備えている。
孔検査パターン構造は、半導体基板２０１上に互いに近
接して形成される２本以上の下層配線２０２と、下層配
線２０２を覆うように半導体基板２０１上に形成される
層間絶縁膜２０３と、層間絶縁膜２０３上に形成された
レジストパターン２０４と、底面が下層配線２０２の少
なくとも１本と層間絶縁膜２０３とにかかり、段差２０
５ａを有するビアホール２０５とを備えている。
【０００７】このように、ビアホール２０５の底面が、
下層配線２０２の少なくとも１本と層間絶縁膜２０３と
にかかるように形成されていれば、上記と同様に、ビア
ホール２０５を走査型電子顕微鏡で観察したときにコン
トラストが観察されるか否かによって、ビアホール２０
５が正常に開孔しているか否かが検査される。
下層配線２０２の少なくとも１本と層間絶縁膜２０３と
にかかるように形成されていれば、上記と同様に、ビア
ホール２０５を走査型電子顕微鏡で観察したときにコン
トラストが観察されるか否かによって、ビアホール２０
５が正常に開孔しているか否かが検査される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】近年では、半導体集積
回路の高集積化がますます進む一方で、半導体基板に形
成される配線の幅および間隔等に関する寸法の規格が整
備されようとしている。
回路の高集積化がますます進む一方で、半導体基板に形
成される配線の幅および間隔等に関する寸法の規格が整
備されようとしている。
【０００９】例えば、ＳＩＡ（アメリカ工業調査会）発
行の文献「Ｔｈｅ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ Ｒｏａｄｍａｐ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒｓ」の９８頁に記載されている「ｔａｂｌｅ２
２ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｄｅｓｉｇｎ Ｇｒｏ
ｕｎｄ Ｒｕｌｅｓ ａｎｄ Ａｓｓｕｍｐｔｉｏｎ
ｓ」に示されているように、０．３５μｍルールのデバ
イスについては、配線幅は０．４μｍ、配線間隔は０．
６μｍ、ビアホールサイズは０．４μｍと、アルミ配線
の各部の最小寸法値が定められている。さらに、同文献
によれば、将来規格化される０．１μｍルールのデバイ
スは、配線幅は０．１１μｍ、配線間隔は０．１６μ
ｍ、ビアホールサイズは０．１１μｍに、アルミ配線の
各部の最小寸法値が定められると予想されている。
行の文献「Ｔｈｅ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ Ｒｏａｄｍａｐ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒｓ」の９８頁に記載されている「ｔａｂｌｅ２
２ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｄｅｓｉｇｎ Ｇｒｏ
ｕｎｄ Ｒｕｌｅｓ ａｎｄ Ａｓｓｕｍｐｔｉｏｎ
ｓ」に示されているように、０．３５μｍルールのデバ
イスについては、配線幅は０．４μｍ、配線間隔は０．
６μｍ、ビアホールサイズは０．４μｍと、アルミ配線
の各部の最小寸法値が定められている。さらに、同文献
によれば、将来規格化される０．１μｍルールのデバイ
スは、配線幅は０．１１μｍ、配線間隔は０．１６μ
ｍ、ビアホールサイズは０．１１μｍに、アルミ配線の
各部の最小寸法値が定められると予想されている。
【００１０】従って、ビアホールが上記規格の最小寸法
値で形成される場合には、ビアホールサイズが配線間隔
よりも小さくなるため、図１０に示した従来のビアホー
ルの開孔検査パターン構造のように、ビアホールの底面
が２本の下層配線にかかるように形成することはできな
い。
値で形成される場合には、ビアホールサイズが配線間隔
よりも小さくなるため、図１０に示した従来のビアホー
ルの開孔検査パターン構造のように、ビアホールの底面
が２本の下層配線にかかるように形成することはできな
い。
【００１１】一方、ビアホールは微小であり、ビアホー
ルが形成される際の位置決め精度には限界があるため、
図１１に示したように、ビアホールの底面が下層配線の
少なくとも１本と層間絶縁膜とにかかるように形成され
る場合には、ビアホールの底面が下層配線と層間絶縁膜
との片方にしかかからないことがある。また、たとえビ
アホールの底面が下層配線と層間絶縁膜との両方にかか
っている場合でも、ビアホールの底面における下層配線
もしくは層間絶縁膜の割合が他方に比べて著しく低くな
ることがある。このような場合は、ビアホールを走査型
電子顕微鏡で観察したときにコントラストが観察されな
いため、たとえビアホールが正常に開孔している場合で
も、開孔していないとみなされてしまうおそれがある。
そのため、このようなビアホールの形成不良を確実に防
ぐには、ビアホールを形成する際の位置決め精度を特に
高精度にしなくてはならない。
ルが形成される際の位置決め精度には限界があるため、
図１１に示したように、ビアホールの底面が下層配線の
少なくとも１本と層間絶縁膜とにかかるように形成され
る場合には、ビアホールの底面が下層配線と層間絶縁膜
との片方にしかかからないことがある。また、たとえビ
アホールの底面が下層配線と層間絶縁膜との両方にかか
っている場合でも、ビアホールの底面における下層配線
もしくは層間絶縁膜の割合が他方に比べて著しく低くな
ることがある。このような場合は、ビアホールを走査型
電子顕微鏡で観察したときにコントラストが観察されな
いため、たとえビアホールが正常に開孔している場合で
も、開孔していないとみなされてしまうおそれがある。
そのため、このようなビアホールの形成不良を確実に防
ぐには、ビアホールを形成する際の位置決め精度を特に
高精度にしなくてはならない。
【００１２】また、ビアホールを走査型電子顕微鏡で観
察する際に、電子ビームがビアホールの底面に垂直に入
射していない場合には、電子ビームによる影がコントラ
ストとして観察されてしまうので、ビアホールが正常に
開孔していなくても、あたかもビアホールが開孔してい
るかのように誤認されるおそれがある。
察する際に、電子ビームがビアホールの底面に垂直に入
射していない場合には、電子ビームによる影がコントラ
ストとして観察されてしまうので、ビアホールが正常に
開孔していなくても、あたかもビアホールが開孔してい
るかのように誤認されるおそれがある。
【００１３】電子ビームがビアホールの底面に垂直に入
射しない原因としては、走査型電子顕微鏡の電子銃の調
整が不十分である場合や、半導体基板に反りが生じてい
る場合などがある。なお、半導体基板に反りが生じるの
は、配線形成工程の前になされる基板の下地形成工程に
おいて、ランプアニール法などの急速熱処理工程が多用
されているので、配線形成工程でわずかながらも反りが
発生しやすくなっているためである。さらに、ビアホー
ルのアスペクト比（たてよこ比）が大きい場合には、入
射した電子ビームがビアホールの底面に全く届かないこ
ともあり、電子ビームがビアホールに垂直に入射しない
ことによる不具合が一層顕著になる。なお、ビアホール
のアスペクト比の規格は、前述の文献によれば、０．３
５μｍルールのデバイスでは、２．５〜４．５程度に定
められており、将来規格化される０．１μｍルールで
は、５．２〜９程度に定められると予想されている。
射しない原因としては、走査型電子顕微鏡の電子銃の調
整が不十分である場合や、半導体基板に反りが生じてい
る場合などがある。なお、半導体基板に反りが生じるの
は、配線形成工程の前になされる基板の下地形成工程に
おいて、ランプアニール法などの急速熱処理工程が多用
されているので、配線形成工程でわずかながらも反りが
発生しやすくなっているためである。さらに、ビアホー
ルのアスペクト比（たてよこ比）が大きい場合には、入
射した電子ビームがビアホールの底面に全く届かないこ
ともあり、電子ビームがビアホールに垂直に入射しない
ことによる不具合が一層顕著になる。なお、ビアホール
のアスペクト比の規格は、前述の文献によれば、０．３
５μｍルールのデバイスでは、２．５〜４．５程度に定
められており、将来規格化される０．１μｍルールで
は、５．２〜９程度に定められると予想されている。
【００１４】いずれの原因による場合であっても、電子
ビームがビアホールの底面に垂直に入射していない場合
には、電子ビームが垂直に入射するように走査型電子顕
微鏡の電子銃を調整しなければならず、このような調整
作業を必要とされることが、ビアホールの開孔検査の効
率を低下させる原因となっていた。
ビームがビアホールの底面に垂直に入射していない場合
には、電子ビームが垂直に入射するように走査型電子顕
微鏡の電子銃を調整しなければならず、このような調整
作業を必要とされることが、ビアホールの開孔検査の効
率を低下させる原因となっていた。
【００１５】以上の問題に鑑み、本発明の第１の目的
は、ビアホールを形成する際の位置決め精度を特に高精
度にしなくても、ビアホールが正常に開孔しているか否
かを検査することができるビアホールの開孔検査パター
ン構造を提供することである。本発明の第２の目的は、
走査型電子顕微鏡を用いてビアホールを観察したとき
に、ビアホールの底面に電子ビームが垂直に入射してい
るか否かを容易に検出することができるビアホールの開
孔検査パターン構造を提供することである。
は、ビアホールを形成する際の位置決め精度を特に高精
度にしなくても、ビアホールが正常に開孔しているか否
かを検査することができるビアホールの開孔検査パター
ン構造を提供することである。本発明の第２の目的は、
走査型電子顕微鏡を用いてビアホールを観察したとき
に、ビアホールの底面に電子ビームが垂直に入射してい
るか否かを容易に検出することができるビアホールの開
孔検査パターン構造を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のビアホール開孔検査パターン構造は、ビア
ホールの開孔検査に用いられる検査用配線と、前記検査
用配線を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜をエッチングするこ
とにより、前記検査用配線の両端部に開孔された２つの
ビアホールとを有し、各前記ビアホールは、前記検査用
配線の配線幅方向に対して逆方向に互いに位置をずら
し、底面の一部が前記検査用配線にかかるように形成さ
れている。
め、本発明のビアホール開孔検査パターン構造は、ビア
ホールの開孔検査に用いられる検査用配線と、前記検査
用配線を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜をエッチングするこ
とにより、前記検査用配線の両端部に開孔された２つの
ビアホールとを有し、各前記ビアホールは、前記検査用
配線の配線幅方向に対して逆方向に互いに位置をずら
し、底面の一部が前記検査用配線にかかるように形成さ
れている。
【００１７】これにより、ビアホールを形成する際に、
位置決め精度のばらつきによって所望の位置からずれて
形成されても、少なくとも１つのビアホールの底面は検
査用配線と絶縁膜との両方にかかる。
位置決め精度のばらつきによって所望の位置からずれて
形成されても、少なくとも１つのビアホールの底面は検
査用配線と絶縁膜との両方にかかる。
【００１８】また、前記各ビアホールは、底面に前記検
査用配線が占める大きさが等しく形成されているため、
ビアホールを走査型電子顕微鏡で観察する際に電子ビー
ムがビアホールの底面に垂直に入射されないと、各ビア
ホールのコントラストが均等に観察されないので、電子
ビームがビアホールの底面に垂直に入射されていないこ
とが容易に検出される。
査用配線が占める大きさが等しく形成されているため、
ビアホールを走査型電子顕微鏡で観察する際に電子ビー
ムがビアホールの底面に垂直に入射されないと、各ビア
ホールのコントラストが均等に観察されないので、電子
ビームがビアホールの底面に垂直に入射されていないこ
とが容易に検出される。
【００１９】さらに、前記検査用配線は一定のピッチで
直列に配置されて複数形成され、前記２つのビアホール
をビアホール対としたとき、前記各検査用配線に対応し
て複数の前記ビアホール対が前記各検査用配線の配列ピ
ッチと異なるピッチで直列に配置されて形成されている
ので、各ビアホール対におけるビアホール同士を走査型
電子顕微鏡を用いて観察すると、ビアホール同士のコン
トラストは、検査用配線の明部と段差の暗部との大きさ
の割合が互いに異なって観察される。
直列に配置されて複数形成され、前記２つのビアホール
をビアホール対としたとき、前記各検査用配線に対応し
て複数の前記ビアホール対が前記各検査用配線の配列ピ
ッチと異なるピッチで直列に配置されて形成されている
ので、各ビアホール対におけるビアホール同士を走査型
電子顕微鏡を用いて観察すると、ビアホール同士のコン
トラストは、検査用配線の明部と段差の暗部との大きさ
の割合が互いに異なって観察される。
【００２０】また、前記検査用配線と前記絶縁膜とで構
成される配線層の下層にさらに別の配線層を有し、前記
２つのビアホールのうちの１つのビアホールは、そのビ
アホールを形成する際に過度のオーバーエッチングがさ
れたときに、底面が前記上層の配線層の検査用配線と前
記下層の配線層の検査用配線との両方にかかる位置に配
設されているので、ビアホールが形成過程で過度にオー
バーエッチングされた場合には、１つのビアホールの底
面が下層の検査用配線の表面に到達するので、走査型電
子顕微鏡を用いてビアホールの開孔検査パターン構造を
観察すると、各ビアホールのコントラストが異なって観
察される。
成される配線層の下層にさらに別の配線層を有し、前記
２つのビアホールのうちの１つのビアホールは、そのビ
アホールを形成する際に過度のオーバーエッチングがさ
れたときに、底面が前記上層の配線層の検査用配線と前
記下層の配線層の検査用配線との両方にかかる位置に配
設されているので、ビアホールが形成過程で過度にオー
バーエッチングされた場合には、１つのビアホールの底
面が下層の検査用配線の表面に到達するので、走査型電
子顕微鏡を用いてビアホールの開孔検査パターン構造を
観察すると、各ビアホールのコントラストが異なって観
察される。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００２２】（第１の実施形態）図１は、本発明のビア
ホールの開孔検査パターン構造の第１の実施形態の形成
工程を示す断面図、図２は、図１に示したビアホールの
開孔検査パターン構造の上面透視図である。
ホールの開孔検査パターン構造の第１の実施形態の形成
工程を示す断面図、図２は、図１に示したビアホールの
開孔検査パターン構造の上面透視図である。
【００２３】図１（ｂ）に示すように、本実施形態のビ
アホールの開孔検査パターン構造１（以下、「パターン
構造１」と記す。）では、半導体基板２上に、ビアホー
ル６の開孔検査に用いられる検査用配線３が形成されて
いる。検査用配線３は、半導体基板２上に形成される集
積回路配線（不図示）と同時に形成されるが、検査用配
線３は集積回路の一部をなすものではなく、半導体基板
２上の任意の位置に形成される。さらに、検査用配線３
上には絶縁膜４が形成され、絶縁膜４上には、レジスト
パターン５が形成されている。図１（ｂ）および図２に
示すように、ビアホール６は、検査用配線３に対して２
個形成され、底面が検査用配線３と絶縁膜４との両方に
かかるように配置されている。各ビアホール６は検査用
配線３の両端に配置され、さらに、検査用配線３の配線
幅方向に対して逆方向に互いに位置をずらして形成され
ている。
アホールの開孔検査パターン構造１（以下、「パターン
構造１」と記す。）では、半導体基板２上に、ビアホー
ル６の開孔検査に用いられる検査用配線３が形成されて
いる。検査用配線３は、半導体基板２上に形成される集
積回路配線（不図示）と同時に形成されるが、検査用配
線３は集積回路の一部をなすものではなく、半導体基板
２上の任意の位置に形成される。さらに、検査用配線３
上には絶縁膜４が形成され、絶縁膜４上には、レジスト
パターン５が形成されている。図１（ｂ）および図２に
示すように、ビアホール６は、検査用配線３に対して２
個形成され、底面が検査用配線３と絶縁膜４との両方に
かかるように配置されている。各ビアホール６は検査用
配線３の両端に配置され、さらに、検査用配線３の配線
幅方向に対して逆方向に互いに位置をずらして形成され
ている。
【００２４】ビアホール６の底面と検査用配線３とのオ
ーバーラップ領域の大きさ、すなわち、ビアホール６の
底面を占める検査用配線３の大きさは、ビアホール６の
大きさ、およびビアホール６を形成する際の位置決め精
度によって決定される。例えば、ビアホール６の直径が
０．５μｍ、位置決め精度が±０．１μｍである場合に
は、オーバーラップ領域の大きさが０．３μｍになるよ
うにビアホール６の形成位置を位置決めすると、オーバ
ーラップ領域は、０．２μｍ〜０．４μｍの大きさに形
成される。従って、各ビアホール６のオーバーラップ領
域の大きさは、必ずしも同じに形成されるとは限らな
い。
ーバーラップ領域の大きさ、すなわち、ビアホール６の
底面を占める検査用配線３の大きさは、ビアホール６の
大きさ、およびビアホール６を形成する際の位置決め精
度によって決定される。例えば、ビアホール６の直径が
０．５μｍ、位置決め精度が±０．１μｍである場合に
は、オーバーラップ領域の大きさが０．３μｍになるよ
うにビアホール６の形成位置を位置決めすると、オーバ
ーラップ領域は、０．２μｍ〜０．４μｍの大きさに形
成される。従って、各ビアホール６のオーバーラップ領
域の大きさは、必ずしも同じに形成されるとは限らな
い。
【００２５】なお、ビアホール６は、集積回路に形成さ
れているビアホールのうちの最も小さいビアホールと同
じ大きさに形成されていることが好ましい。ビアホール
６が、集積回路に形成されている最小のビアホールと同
じ大きさに形成されている場合は、パターン構造１のビ
アホール６と集積回路のビアホールとの形成条件が同一
である。従って、パターン構造１のビアホール６を観察
し、ビアホール６が正常に開孔していることが確認され
たときは、集積回路に形成されたビアホールも正常に開
孔しているものとみなすことができる。
れているビアホールのうちの最も小さいビアホールと同
じ大きさに形成されていることが好ましい。ビアホール
６が、集積回路に形成されている最小のビアホールと同
じ大きさに形成されている場合は、パターン構造１のビ
アホール６と集積回路のビアホールとの形成条件が同一
である。従って、パターン構造１のビアホール６を観察
し、ビアホール６が正常に開孔していることが確認され
たときは、集積回路に形成されたビアホールも正常に開
孔しているものとみなすことができる。
【００２６】ここで、パターン構造１の形成工程を説明
する。
する。
【００２７】まず最初に、図１（ａ）に示すように、半
導体基板２上に検査用配線３を形成する。前述のよう
に、検査用配線３は集積回路の一部をなすものではない
ので、半導体基板２上の任意の位置に形成される。次い
で、検査用配線３の上に絶縁膜４を形成し、エッチバッ
ク法やＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシュ）法など
により、絶縁膜４の表面を平坦化する。次に、絶縁膜４
上にレジストパターン５を形成する。ただし、後工程で
ビアホール６を形成する位置には、レジストパターン５
を形成しない。最後に、図１（ｂ）に示すように、レジ
ストパターン５をマスクとして用いて絶縁膜４をエッチ
ングし、ビアホール６を形成すると、パターン構造１が
完成する。
導体基板２上に検査用配線３を形成する。前述のよう
に、検査用配線３は集積回路の一部をなすものではない
ので、半導体基板２上の任意の位置に形成される。次い
で、検査用配線３の上に絶縁膜４を形成し、エッチバッ
ク法やＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシュ）法など
により、絶縁膜４の表面を平坦化する。次に、絶縁膜４
上にレジストパターン５を形成する。ただし、後工程で
ビアホール６を形成する位置には、レジストパターン５
を形成しない。最後に、図１（ｂ）に示すように、レジ
ストパターン５をマスクとして用いて絶縁膜４をエッチ
ングし、ビアホール６を形成すると、パターン構造１が
完成する。
【００２８】通常、ビアホール６をエッチングする際に
はオーバーエッチングを行うため、ビアホール６の底面
の絶縁膜４は、検査用配線３の上面よりも低い位置にま
でエッチングされ、これにより、検査用配線３の上面と
ビアホール６の底面の絶縁膜４との間には、段差６ａが
形成される。このように形成されたパターン構造１を走
査型電子顕微鏡を用いて観察すると、図３に示すよう
に、検査用配線３による明部と段差６ａによる暗部との
コントラストが観察される。
はオーバーエッチングを行うため、ビアホール６の底面
の絶縁膜４は、検査用配線３の上面よりも低い位置にま
でエッチングされ、これにより、検査用配線３の上面と
ビアホール６の底面の絶縁膜４との間には、段差６ａが
形成される。このように形成されたパターン構造１を走
査型電子顕微鏡を用いて観察すると、図３に示すよう
に、検査用配線３による明部と段差６ａによる暗部との
コントラストが観察される。
【００２９】以上のように、２つのビアホール６は各々
が検査用配線３の両端に配置され、さらに、検査用配線
３の配線幅方向に対して互いに逆方向に位置をずらして
形成されているので、ビアホール６を形成する際に、位
置決め精度のばらつきによって所望の位置からずれて形
成されても、少なくとも１つのビアホール６の底面は検
査用配線と絶縁膜との両方にかかるので、パターン構造
１を用いてビアホールの開孔検査を行うことができる。
従って、ビアホール６を形成する際の位置決め精度を特
に高精度にしなくても、ビアホール６が正常に開孔して
いるか否かを検査することができる。
が検査用配線３の両端に配置され、さらに、検査用配線
３の配線幅方向に対して互いに逆方向に位置をずらして
形成されているので、ビアホール６を形成する際に、位
置決め精度のばらつきによって所望の位置からずれて形
成されても、少なくとも１つのビアホール６の底面は検
査用配線と絶縁膜との両方にかかるので、パターン構造
１を用いてビアホールの開孔検査を行うことができる。
従って、ビアホール６を形成する際の位置決め精度を特
に高精度にしなくても、ビアホール６が正常に開孔して
いるか否かを検査することができる。
【００３０】さらに、各ビアホール６の底面に検査用配
線３が占める大きさが等しくなるように形成されている
場合には、ビアホール６を走査型電子顕微鏡で観察する
際に電子ビームが両方のビアホール６の底面に垂直に入
射された場合にのみ、各ビアホール６のコントラストが
均等に観察される。これにより、電子ビームがビアホー
ル６の底面に垂直に入射されているかどうかは、ビアホ
ールのコントラストを比較することで、容易に検出する
ことができる。従って、電子ビームによる影によって、
あたかもビアホールが開孔しているかのように誤認して
しまうような心配はない。
線３が占める大きさが等しくなるように形成されている
場合には、ビアホール６を走査型電子顕微鏡で観察する
際に電子ビームが両方のビアホール６の底面に垂直に入
射された場合にのみ、各ビアホール６のコントラストが
均等に観察される。これにより、電子ビームがビアホー
ル６の底面に垂直に入射されているかどうかは、ビアホ
ールのコントラストを比較することで、容易に検出する
ことができる。従って、電子ビームによる影によって、
あたかもビアホールが開孔しているかのように誤認して
しまうような心配はない。
【００３１】次に、図１から図３に示したビアホールの
開孔検査パターン構造の応用例を図４に示す。図４は、
図１から図３に示したビアホールの開孔検査パターン構
造の応用例の上面透視図である。
開孔検査パターン構造の応用例を図４に示す。図４は、
図１から図３に示したビアホールの開孔検査パターン構
造の応用例の上面透視図である。
【００３２】図４に示すように、本応用例のビアホール
の開孔検査パターン構造１１（以下、「パターン構造１
１」と記す。）では、半導体基板（不図示）上に、ビア
ホール１６ａ，１６ｂの開孔検査に用いられる検査用配
線１３が、一定のピッチで直列に配置されて複数形成さ
れている。本応用例においても、図１等に示したビアホ
ールのパターン構造１と同様に、ビアホール１６ａ，１
６ｂは、各検査用配線１３に対して２個形成され、底面
が検査用配線１３と絶縁膜１４との両方にかかるように
配置されている。さらに、ビアホール１６ａ，１６ｂ
は、検査用配線１３の配線幅方向に対して互いに逆方向
に位置をずらして形成されている。
の開孔検査パターン構造１１（以下、「パターン構造１
１」と記す。）では、半導体基板（不図示）上に、ビア
ホール１６ａ，１６ｂの開孔検査に用いられる検査用配
線１３が、一定のピッチで直列に配置されて複数形成さ
れている。本応用例においても、図１等に示したビアホ
ールのパターン構造１と同様に、ビアホール１６ａ，１
６ｂは、各検査用配線１３に対して２個形成され、底面
が検査用配線１３と絶縁膜１４との両方にかかるように
配置されている。さらに、ビアホール１６ａ，１６ｂ
は、検査用配線１３の配線幅方向に対して互いに逆方向
に位置をずらして形成されている。
【００３３】このように各検査用配線１３に形成された
２つのビアホール１６ａ，１６ｂをビアホール対１７と
すると、複数のビアホール対１７は、検査用配線１３に
対応して、検査用配線１３の配列ピッチと異なるピッチ
で直列に配置されている。図４に示した例では、ビアホ
ール対１７の配列ピッチは検査用配線１３の配列ピッチ
よりも大きい。なお、複数のビアホール対１７のうちの
１つは、各ビアホール１６ａ，１６ｂの底面に検査用配
線１３が占める大きさが等しくなるように形成されてい
ることが望ましい。
２つのビアホール１６ａ，１６ｂをビアホール対１７と
すると、複数のビアホール対１７は、検査用配線１３に
対応して、検査用配線１３の配列ピッチと異なるピッチ
で直列に配置されている。図４に示した例では、ビアホ
ール対１７の配列ピッチは検査用配線１３の配列ピッチ
よりも大きい。なお、複数のビアホール対１７のうちの
１つは、各ビアホール１６ａ，１６ｂの底面に検査用配
線１３が占める大きさが等しくなるように形成されてい
ることが望ましい。
【００３４】以上の構成により、各ビアホール１６ａの
底面における検査用配線１３とのオーバーラップ領域の
大きさ、および各ビアホール１６ｂの底面における検査
用配線１３とのオーバーラップ領域の大きさは、それぞ
れ異なって形成される。なお、半導体基板、検査用配線
１３、絶縁膜、レジストパターン（不図示）、ビアホー
ル１６ａ，１６ｂ、段差（不図示）の構成および形成工
程は、図１等に示したパターン構造１と同様であるの
で、詳しい説明は省略する。
底面における検査用配線１３とのオーバーラップ領域の
大きさ、および各ビアホール１６ｂの底面における検査
用配線１３とのオーバーラップ領域の大きさは、それぞ
れ異なって形成される。なお、半導体基板、検査用配線
１３、絶縁膜、レジストパターン（不図示）、ビアホー
ル１６ａ，１６ｂ、段差（不図示）の構成および形成工
程は、図１等に示したパターン構造１と同様であるの
で、詳しい説明は省略する。
【００３５】上記のように構成された各ビアホール対１
７におけるビアホール１６ａ，１６ｂ同士を走査型電子
顕微鏡を用いて観察すると、図５に示すように、ビアホ
ール１６ａ同士のコントラスト、およびビアホール１６
ｂ同士のコントラストは、検査用配線１３の明部と段差
の暗部との大きさの割合が互いに異なって観察される。
このように、ビアホール１６ａ同士のコントラスト、ま
たはビアホール１６ｂ同士のコントラストを比較観察す
ることにより、電子ビームの影によるコントラストとの
誤認を防ぎ、ビアホール１６ａ，１６ｂが正常に形成さ
れているかどうかをより確実に検出することができる。
７におけるビアホール１６ａ，１６ｂ同士を走査型電子
顕微鏡を用いて観察すると、図５に示すように、ビアホ
ール１６ａ同士のコントラスト、およびビアホール１６
ｂ同士のコントラストは、検査用配線１３の明部と段差
の暗部との大きさの割合が互いに異なって観察される。
このように、ビアホール１６ａ同士のコントラスト、ま
たはビアホール１６ｂ同士のコントラストを比較観察す
ることにより、電子ビームの影によるコントラストとの
誤認を防ぎ、ビアホール１６ａ，１６ｂが正常に形成さ
れているかどうかをより確実に検出することができる。
【００３６】さらに、複数のビアホール対１７のうちの
１つが、各ビアホール１６ａ，１６ｂが検査用配線１３
の両端に配置され、各ビアホール１６ａ，１６ｂの底面
に検査用配線１３が占める大きさが等しくなるように形
成されていれば、図１等に示したパターン構造１と同様
に、電子ビームが両方のビアホール１６ａ，１６ｂの底
面に垂直に入射された場合にのみ、各ビアホール１６
ａ，１６ｂのコントラストが均等に観察される。これに
より、電子ビームによる影によって、あたかもビアホー
ルが開孔しているかのように誤認してしまうような心配
はない。
１つが、各ビアホール１６ａ，１６ｂが検査用配線１３
の両端に配置され、各ビアホール１６ａ，１６ｂの底面
に検査用配線１３が占める大きさが等しくなるように形
成されていれば、図１等に示したパターン構造１と同様
に、電子ビームが両方のビアホール１６ａ，１６ｂの底
面に垂直に入射された場合にのみ、各ビアホール１６
ａ，１６ｂのコントラストが均等に観察される。これに
より、電子ビームによる影によって、あたかもビアホー
ルが開孔しているかのように誤認してしまうような心配
はない。
【００３７】なお、本応用例においても、ビアホール１
６ａ，１６ｂは検査用配線１３の配線幅方向に対して逆
方向に互いに位置をずらして形成されている。これは、
図６に示すように、ビアホール１６ａ’，１６ｂ’が検
査用配線１３’の配線幅方向に対して逆方向に互いに位
置がずらされておらず、かつビアホール１６ａ’，１６
ｂ’の直径が検査用配線の配線幅以下の場合には、ビア
ホール対１７’を検査用配線１３’の配列ピッチと異な
るピッチで配置していくと、片側のビアホールの底面が
全て検査用配線１３’上に開孔してしまい、コントラス
トを比較観察できなくなるためである。
６ａ，１６ｂは検査用配線１３の配線幅方向に対して逆
方向に互いに位置をずらして形成されている。これは、
図６に示すように、ビアホール１６ａ’，１６ｂ’が検
査用配線１３’の配線幅方向に対して逆方向に互いに位
置がずらされておらず、かつビアホール１６ａ’，１６
ｂ’の直径が検査用配線の配線幅以下の場合には、ビア
ホール対１７’を検査用配線１３’の配列ピッチと異な
るピッチで配置していくと、片側のビアホールの底面が
全て検査用配線１３’上に開孔してしまい、コントラス
トを比較観察できなくなるためである。
【００３８】（第２の実施形態）図７は、本発明のビア
ホールの開孔検査パターン構造の第２の実施形態の形成
工程を示す断面図である。
ホールの開孔検査パターン構造の第２の実施形態の形成
工程を示す断面図である。
【００３９】図７（ｂ）に示すように、本実施形態のビ
アホールの開孔検査パターン構造２１（以下、「パター
ン構造２１」と記す。）では、半導体基板２２上に、２
層の配線層２７，２８が形成されている。下層の配線層
２７は、ビアホール２６ａ，２６ｂの開孔検査に用いら
れる第１の検査用配線２３ａと、第１の検査用配線２３
ａを覆うようにして形成された第１の絶縁膜２４ａとに
より構成されている。第１の検査用配線２３ａは、半導
体基板２２上に形成される集積回路配線（不図示）と同
時に形成されるが、第１の検査用配線２３ａは集積回路
の一部をなすものではなく、半導体基板２２上の任意の
位置に形成される。上層の配線層２８は、第１の絶縁膜
２４ａ上に第１の検査用配線２３ａと同様に形成された
第２の検査用配線２３ｂと、第２の検査用配線２３ｂを
覆うようにして形成された第２の絶縁膜２４ｂとにより
構成されている。さらに、第２の絶縁膜２４ｂ上には、
レジストパターン２５が形成されている。
アホールの開孔検査パターン構造２１（以下、「パター
ン構造２１」と記す。）では、半導体基板２２上に、２
層の配線層２７，２８が形成されている。下層の配線層
２７は、ビアホール２６ａ，２６ｂの開孔検査に用いら
れる第１の検査用配線２３ａと、第１の検査用配線２３
ａを覆うようにして形成された第１の絶縁膜２４ａとに
より構成されている。第１の検査用配線２３ａは、半導
体基板２２上に形成される集積回路配線（不図示）と同
時に形成されるが、第１の検査用配線２３ａは集積回路
の一部をなすものではなく、半導体基板２２上の任意の
位置に形成される。上層の配線層２８は、第１の絶縁膜
２４ａ上に第１の検査用配線２３ａと同様に形成された
第２の検査用配線２３ｂと、第２の検査用配線２３ｂを
覆うようにして形成された第２の絶縁膜２４ｂとにより
構成されている。さらに、第２の絶縁膜２４ｂ上には、
レジストパターン２５が形成されている。
【００４０】ビアホール２６ａ，２６ｂは、第２の検査
用配線２３ｂに対して２個形成され、そのうちの１つの
ビアホール２６ａは、過度にオーバーエッチングされた
ときに、底面が第１の検査用配線２３ａと第２の検査用
配線２３ｂとの両方にかかる位置に配置されている。な
お、各ビアホール２６ａ，２６ｂは、ビアホール２６
ａ，２６ｂの底面に第２の検査用配線２３ｂが占める大
きさが等しくなるように形成されていることが望まし
い。
用配線２３ｂに対して２個形成され、そのうちの１つの
ビアホール２６ａは、過度にオーバーエッチングされた
ときに、底面が第１の検査用配線２３ａと第２の検査用
配線２３ｂとの両方にかかる位置に配置されている。な
お、各ビアホール２６ａ，２６ｂは、ビアホール２６
ａ，２６ｂの底面に第２の検査用配線２３ｂが占める大
きさが等しくなるように形成されていることが望まし
い。
【００４１】ここで、パターン構造２１の形成工程を説
明する。
明する。
【００４２】まず最初に、図７（ａ）に示すように、半
導体基板２２上に第１の検査用配線２３ａを形成する。
前述のように、第１の検査用配線２３ａは集積回路の一
部をなすものではないため、半導体基板２２上の任意の
位置に形成される。なお、第１の検査用配線２３ａに
は、多結晶ポリシリコンなどの導電性の材質を用いるこ
とができる。次いで、第１の検査用配線２３ａを覆うよ
うに第１の絶縁膜２４ａを形成し、エッチバック法やＣ
ＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシュ）法などにより第
１の絶縁膜２４ａの表面を平坦化して、配線層２７を形
成する。次に、第１の絶縁膜２４ａ上に第２の検査用配
線２３ｂを形成し、第２の検査用配線２３ｂを覆うよう
に第２の絶縁膜２４ｂを形成し、さらに、上記と同様の
方法により、第２の絶縁膜２４ｂの表面を平坦化して、
配線層２８を形成する。続いて、第２の絶縁膜２４ｂの
上にレジストパターン２５を形成する。ただし、後工程
でビアホール２６ａ，２６ｂを形成する位置には、レジ
ストパターン２５を形成しない。最後に、レジストパタ
ーン２５をマスクとして用いて絶縁膜２４ａ，２４ｂを
エッチングし、ビアホール２６ａ，２６ｂを形成する
と、図７（ｂ）に示すように、パターン構造２１が完成
する。
導体基板２２上に第１の検査用配線２３ａを形成する。
前述のように、第１の検査用配線２３ａは集積回路の一
部をなすものではないため、半導体基板２２上の任意の
位置に形成される。なお、第１の検査用配線２３ａに
は、多結晶ポリシリコンなどの導電性の材質を用いるこ
とができる。次いで、第１の検査用配線２３ａを覆うよ
うに第１の絶縁膜２４ａを形成し、エッチバック法やＣ
ＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシュ）法などにより第
１の絶縁膜２４ａの表面を平坦化して、配線層２７を形
成する。次に、第１の絶縁膜２４ａ上に第２の検査用配
線２３ｂを形成し、第２の検査用配線２３ｂを覆うよう
に第２の絶縁膜２４ｂを形成し、さらに、上記と同様の
方法により、第２の絶縁膜２４ｂの表面を平坦化して、
配線層２８を形成する。続いて、第２の絶縁膜２４ｂの
上にレジストパターン２５を形成する。ただし、後工程
でビアホール２６ａ，２６ｂを形成する位置には、レジ
ストパターン２５を形成しない。最後に、レジストパタ
ーン２５をマスクとして用いて絶縁膜２４ａ，２４ｂを
エッチングし、ビアホール２６ａ，２６ｂを形成する
と、図７（ｂ）に示すように、パターン構造２１が完成
する。
【００４３】なお、図７に示した例では２層の配線層２
７，２８を有する構造を示したが、配線層２７，２８は
２層に限られず、必要に応じて、より多層の構造に形成
してもよい。
７，２８を有する構造を示したが、配線層２７，２８は
２層に限られず、必要に応じて、より多層の構造に形成
してもよい。
【００４４】このように形成されたパターン構造２１
を、走査型電子顕微鏡を用いて観察すると、各ビアホー
ル２６ａ，２６ｂとも、底面が第２の検査用配線２３ｂ
と第２の層間絶縁層２４ｂとにかかっているので、図８
に示すように、各ビアホール２６ａ，２６ｂのコントラ
ストが均等に観察される。なお、図８は、第１の検査用
配線２３ａが省略されて描かれている。一方、上記のよ
うに構成されたパターン構造において、形成過程でビア
ホールが過度にオーバーエッチングされた場合には、図
９に示すように、１つのビアホール２６ａの底面が第１
の検査用配線２３ａの表面に到達してしまう。走査型電
子顕微鏡を用いてこのようなパターン構造を観察する
と、図１０に示すように、各ビアホール２６ａ，２６ｂ
のコントラストが異なって観察される。なお、図１０に
おいても、第１の検査用配線２３ａは省略されている。
を、走査型電子顕微鏡を用いて観察すると、各ビアホー
ル２６ａ，２６ｂとも、底面が第２の検査用配線２３ｂ
と第２の層間絶縁層２４ｂとにかかっているので、図８
に示すように、各ビアホール２６ａ，２６ｂのコントラ
ストが均等に観察される。なお、図８は、第１の検査用
配線２３ａが省略されて描かれている。一方、上記のよ
うに構成されたパターン構造において、形成過程でビア
ホールが過度にオーバーエッチングされた場合には、図
９に示すように、１つのビアホール２６ａの底面が第１
の検査用配線２３ａの表面に到達してしまう。走査型電
子顕微鏡を用いてこのようなパターン構造を観察する
と、図１０に示すように、各ビアホール２６ａ，２６ｂ
のコントラストが異なって観察される。なお、図１０に
おいても、第１の検査用配線２３ａは省略されている。
【００４５】以上のように、本実施形態のビアホールの
パターン構造２１は、検査用配線が少なくとも２層に形
成され、第２の検査用配線２３ｂ上に形成されている２
個のビアホール２６ａ，２６ｂのうちの１つのビアホー
ル２６ａは、ビアホール２６ａ，２６ｂを形成する際に
過度にオーバーエッチングされたときに、ビアホール２
６ａ，２６ｂの底面が第２の検査用配線２３ｂと第１の
検査用配線２３ａとの両方にかかる位置に配置されてい
る。従って、ビアホールを形成する際に過度にオーバー
エッチングされた場合には、各ビアホールのコントラス
トが異なって観察されるので、過度のオーバーエッチン
グによるビアホールの形成不良を検出することができ
る。
パターン構造２１は、検査用配線が少なくとも２層に形
成され、第２の検査用配線２３ｂ上に形成されている２
個のビアホール２６ａ，２６ｂのうちの１つのビアホー
ル２６ａは、ビアホール２６ａ，２６ｂを形成する際に
過度にオーバーエッチングされたときに、ビアホール２
６ａ，２６ｂの底面が第２の検査用配線２３ｂと第１の
検査用配線２３ａとの両方にかかる位置に配置されてい
る。従って、ビアホールを形成する際に過度にオーバー
エッチングされた場合には、各ビアホールのコントラス
トが異なって観察されるので、過度のオーバーエッチン
グによるビアホールの形成不良を検出することができ
る。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のビアホー
ルの開孔検査装置は、２つのビアホールを有し、各ビア
ホールは、検査用配線の配線幅方向に対して逆方向に互
いに位置をずらし、底面の一部が検査用配線にかかるよ
うに形成されているので、ビアホールを形成する際の位
置決め精度のばらつき等によって、所望の位置からずれ
て形成された場合でも、少なくとも１つのビアホールの
底面は検査用配線と絶縁膜との両方にかかるため、ビア
ホールを形成する際の位置決め精度を特に高精度にしな
くても、ビアホールが正常に開孔しているか否かを検査
することができる。
ルの開孔検査装置は、２つのビアホールを有し、各ビア
ホールは、検査用配線の配線幅方向に対して逆方向に互
いに位置をずらし、底面の一部が検査用配線にかかるよ
うに形成されているので、ビアホールを形成する際の位
置決め精度のばらつき等によって、所望の位置からずれ
て形成された場合でも、少なくとも１つのビアホールの
底面は検査用配線と絶縁膜との両方にかかるため、ビア
ホールを形成する際の位置決め精度を特に高精度にしな
くても、ビアホールが正常に開孔しているか否かを検査
することができる。
【００４７】また、各ビアホールは、底面に検査用配線
が占める大きさが等しく形成されているので、電子ビー
ムがビアホールの底面に垂直に入射されているかどうか
を容易に検出することができる。
が占める大きさが等しく形成されているので、電子ビー
ムがビアホールの底面に垂直に入射されているかどうか
を容易に検出することができる。
【００４８】さらに、検査用配線は一定のピッチで直列
に配置されて複数形成され、２つのビアホールをビアホ
ール対としたとき、各検査用配線に対応して複数のビア
ホール対が各検査用配線の配列ピッチと異なるピッチで
直列に配置されて形成されているので、各ビアホール対
におけるビアホール同士を比較観察することにより、ビ
アホールが正常に形成されているかどうかをより確実に
検出することができる。
に配置されて複数形成され、２つのビアホールをビアホ
ール対としたとき、各検査用配線に対応して複数のビア
ホール対が各検査用配線の配列ピッチと異なるピッチで
直列に配置されて形成されているので、各ビアホール対
におけるビアホール同士を比較観察することにより、ビ
アホールが正常に形成されているかどうかをより確実に
検出することができる。
【００４９】また、検査用配線と絶縁膜とで構成される
配線層の下層にさらに別の配線層を有し、２つのビアホ
ールのうちの１つのビアホールは、そのビアホールを形
成する際に過度のオーバーエッチングがされたときに、
底面が上層の配線層の検査用配線と下層の配線層の検査
用配線との両方にかかる位置に配設されているので、過
度のオーバーエッチングによるビアホールの形成不良を
検出することができる。
配線層の下層にさらに別の配線層を有し、２つのビアホ
ールのうちの１つのビアホールは、そのビアホールを形
成する際に過度のオーバーエッチングがされたときに、
底面が上層の配線層の検査用配線と下層の配線層の検査
用配線との両方にかかる位置に配設されているので、過
度のオーバーエッチングによるビアホールの形成不良を
検出することができる。
【図１】本発明のビアホールの開孔検査パターン構造の
第１の実施形態の形成工程を示す断面図である。
第１の実施形態の形成工程を示す断面図である。
【図２】図１に示したビアホールの開孔検査パターン構
造の上面透視図である。
造の上面透視図である。
【図３】図１に示したビアホールの開孔検査パターン構
造を走査型電子顕微鏡で観察したときの上面透視図であ
る。
造を走査型電子顕微鏡で観察したときの上面透視図であ
る。
【図４】図１から図３に示したビアホールの開孔検査パ
ターン構造の応用例の上面透視図である。
ターン構造の応用例の上面透視図である。
【図５】図４に示したビアホールの開孔検査パターン構
造を走査型電子顕微鏡で観察したときの上面透視図であ
る。
造を走査型電子顕微鏡で観察したときの上面透視図であ
る。
【図６】ビアホールが検査用配線の配線幅方向に対して
逆方向に互いに位置がずらされておらず、かつビアホー
ルの直径が検査用配線の配線幅以下に形成されているビ
アホールの開孔検査パターン構造を走査型電子顕微鏡で
観察したときの上面透視図である。
逆方向に互いに位置がずらされておらず、かつビアホー
ルの直径が検査用配線の配線幅以下に形成されているビ
アホールの開孔検査パターン構造を走査型電子顕微鏡で
観察したときの上面透視図である。
【図７】本発明のビアホールの開孔検査パターン構造の
第２の実施形態の形成工程を示す断面図である。
第２の実施形態の形成工程を示す断面図である。
【図８】図７に示したビアホールの開孔検査パターン構
造を走査型電子顕微鏡で観察したときの上面透視図であ
る。
造を走査型電子顕微鏡で観察したときの上面透視図であ
る。
【図９】図７に示したビアホールの開孔検査パターン構
造が、形成時にオーバーエッチングされた場合の断面図
である。
造が、形成時にオーバーエッチングされた場合の断面図
である。
【図１０】図９に示したビアホールの開孔検査パターン
構造を走査型電子顕微鏡で観察したときの上面透視図で
ある。
構造を走査型電子顕微鏡で観察したときの上面透視図で
ある。
【図１１】従来のビアホールの開孔検査パターン構造を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１２】従来のビアホールの開孔検査パターン構造の
応用例を示す断面図である。
応用例を示す断面図である。
１，１１，２１ ビアホールの開孔検査パターン構
造 ２，２２ 半導体基板 ３，１３，１３’ 検査用配線 ４ 絶縁膜 ５，２５ レジストパターン ６，１６ａ，１６ｂ，１６ａ’，１６ｂ’，２６ａ，２
６ｂ ビアホール １７，１７’ ビアホール対 ２３ａ 第１の検査用配線 ２３ｂ 第２の検査用配線 ２４ａ 第１の絶縁膜 ２４ｂ 第２の絶縁膜 ２７，２８ 配線層
造 ２，２２ 半導体基板 ３，１３，１３’ 検査用配線 ４ 絶縁膜 ５，２５ レジストパターン ６，１６ａ，１６ｂ，１６ａ’，１６ｂ’，２６ａ，２
６ｂ ビアホール １７，１７’ ビアホール対 ２３ａ 第１の検査用配線 ２３ｂ 第２の検査用配線 ２４ａ 第１の絶縁膜 ２４ｂ 第２の絶縁膜 ２７，２８ 配線層
Claims (5)
- 【請求項１】 ビアホールの開孔検査に用いられる検査
用配線と、前記検査用配線を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜
をエッチングすることにより、前記検査用配線の両端部
に開孔された２つのビアホールとを有し、各前記ビアホ
ールは、前記検査用配線の配線幅方向に対して逆方向に
互いに位置をずらし、底面の一部が前記検査用配線にか
かるように形成されているビアホールの開孔検査パター
ン構造。 - 【請求項２】 前記各ビアホールは、底面に前記検査用
配線が占める大きさが等しく形成されている請求項１記
載のビアホールの開孔検査パターン構造。 - 【請求項３】 前記検査用配線は一定のピッチで直列に
配置されて複数形成され、前記２つのビアホールをビア
ホール対としたとき、前記各検査用配線に対応して複数
の前記ビアホール対が前記各検査用配線の配列ピッチと
異なるピッチで直列に配置されて形成されている請求項
１記載のビアホールの開孔検査パターン構造。 - 【請求項４】 前記ビアホール対のうちの１つのビアホ
ール対について、前記各ビアホールは、底面に前記検査
用配線が占める大きさが等しく形成されている請求項３
記載のビアホールの開孔検査パターン構造。 - 【請求項５】 前記検査用配線と前記絶縁膜とで構成さ
れる配線層の下層にさらに別の配線層を有し、前記２つ
のビアホールのうちの１つのビアホールは、そのビアホ
ールを形成する際に過度のオーバーエッチングがされた
ときに、底面が前記上層の配線層の検査用配線と前記下
層の配線層の検査用配線との両方にかかる位置に配設さ
れている請求項１から４のいずれか１項記載のビアホー
ルの開孔検査パターン構造。
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|---|---|---|---|
| JP9053455A JP2904176B2 (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | ビアホールの開孔検査パターン構造 |
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1998
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