JPH10135804A - 電界効果により制御される半導体デバイス用駆動回路装置 - Google Patents
電界効果により制御される半導体デバイス用駆動回路装置Info
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- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
Abstract
れる半導体デバイス、特に電力用半導体デバイスを駆動
するための回路装置であって、電界効果により制御され
る半導体デバイスの制御入力端に接続されている第1の
電流源回路2と、制御入力端に並列に接続されまた負荷
電流IL に比例している負荷電流IL の一部を検出する
手段6により制御される制御可能な抵抗5とを有する回
路装置を、短いスイッチング時間が達成され、また同時
に応答する電流制限の際に駆動回路の電流消費が増大し
ないように改良する。 【解決手段】 第1の電流源回路2にスイッチ4を介し
て第1の電流源回路2に依存していない第2の電流源回
路3が接続され、その際にスイッチ4が手段6により、
それが予め定められた電流を上回る際に開くように駆動
される。
Description
く、電界効果により制御される半導体デバイス、特に電
力用半導体デバイスを駆動するための回路装置であっ
て、電界効果により制御される半導体デバイスの制御入
力端に接続されている第1の電源回路と、電界効果によ
り制御される半導体デバイスの制御入力端に並列に接続
されまた負荷電流IL に比例している負荷電流IL の一
部を検出する手段により制御される抵抗とを有する回路
装置に関する。
り、またドイツ特許第4429716号明細書に記載さ
れている。
ミラー回路を介して行われる。制御可能な抵抗はトラン
ジスタである。半導体デバイスのソース端子において測
定される負荷電流IL が定められた値を上回ると、トラ
ンジスタがスイッチオンされ、それによって半導体デバ
イスのゲート電圧が減ぜられる。負荷電流IL がそれに
より制限される。
るトランジスタにおいて入力端子を介しての駆動回路の
電流消費が高くなることである。
る電流を抵抗により制限すると、半導体デバイスのスイ
ッチング時間が増大する。
の種類の回路装置を、短いスイッチング時間が達成さ
れ、また同時に応答する電流制限の際に駆動回路の電流
消費が増大しないように改良することにある。
れば、上記の種類の回路装置において、第1の電源回路
にスイッチを介して第1の電源回路に依存していない第
2の電源回路が追加接続され、その際にスイッチが同じ
く前記の手段により、それが予め定められた電流を超過
する際に開くように駆動されることにより解決される。
ている。
電流源回路が使用され、これらの電流源回路がスイッチ
が閉じられる際に互いに並列に接続され、また両電流源
回路の電流が加算されるようにすれば、回路技術的に特
に簡単になる。
イッチは直接にではなく、インバータを介して駆動され
る。インバータはスイッチに対するアナログのスイッチ
ング信号をほぼ2つの状態(高および低)のみを有する
信号に変換する。有利にはMOSFETとして構成され
るスイッチはこうして完全に遮断または導通する。
り、従ってわずかな電流消費を有する。
子を介して行われるので、外部から作動電圧を供給しな
くてもよい。
電流ミラー回路および電流源回路の電流ミラー回路が1
つの電流バンクにまとめられているので、トランジスタ
が節減できる。2つのバイポーラトランジスタを例外と
して、すべてのトランジスタはMOSFETであり、従
って駆動回路は好ましくは集積技術で製造される。
細に説明する。
される半導体デバイス8、ここでは電力用MOSFET
を含んでいる。そのドレイン端子はDを、そのソース端
子はSを、またそのゲート端子はGを付されている。電
力用MOSFETを通って負荷電流IL が流れる。ソー
ス端子Sと接地点GNDとの間に測定抵抗9が設けられ
ている。ソース端子Sは、負荷電流IL に比例している
負荷電流IL の一部を検出する手段6に接続されてい
る。
間には、電流源回路2と、スイッチ4に直列に接続され
ている電流源回路3とから成る並列回路が設けられてい
る。電流源回路2は電流源回路3に依存していない、す
なわち独立している。スイッチ4の制御接点は手段6の
第1の出力端に接続されている。ゲート端子Gと接地点
との間に制御可能な抵抗5が設けられており、その制御
入力端は手段6の別の出力端に接続されている。
び手段6の大きさにより決定されるしきい値以下になる
と、スイッチ4は閉じられ、またトランジスタ5は阻止
する。これにより電力用MOSFET8の短いスイッチ
ング時間に対する十分な電流が得られる。このしきいを
上回る際にはスイッチ4は手段6により開かれ、またト
ランジスタ5が手段6によりスイッチオンされる。それ
によって電力用MOSFET8のゲート端子Gへの充電
電流が減ぜられる。入力端子1における入力電流はその
後は電流源回路2によってのみ決定される。駆動回路の
電流消費は高められない。
8、測定抵抗9およびトランジスタ5が同様に設けられ
ている。電流源回路2はここではトランジスタ10およ
び13から成る電流ミラー回路から成っており、また電
流源回路3はトランジスタ10および12から成る電流
ミラー回路から成っている。両電流ミラー回路は、接地
点とトランジスタ10のドレイン端子との間に位置して
いる電流源IQ1の参照電流を鏡像化する。
ら成っている。MOSFET16のゲートは、pチャネ
ルMOSFET17およびnチャネルMOSFET18
から成るインバータの出力端に接続されている。MOS
FET17および18のドレイン端子は互いに接続され
ており、またインバータの出力端を形成している。MO
SFET17はそのソース端子で入力端子1に接続され
ている。MOSFET18のソース端子は接地点GND
に接続されている。MOSFET17および18の一括
接続された両ゲート端子はインバータの入力端を形成し
ている。この入力端は一方ではトランジスタ10と共に
電流ミラー回路を形成しているトランジスタ11のドレ
イン端子に接続されており、他方ではトランジスタ19
のドレイン端子に接続されている。トランジスタ19の
ソース端子は接地点GNDに接続されている。そのゲー
ト端子はトランジスタ5のゲート端子に接続されてい
る。トランジスタ10ないし15のソース端子は入力端
子1に接続されている。
IL が予め定められた電流限界しきい以下にあるかぎ
り、MOSFET16は導通しており、またトランジス
タ5は阻止している。それによってトランジスタ12お
よび13を介して十分な電流が電力用MOSFET8の
ゲート端子に与えられ、またそれが迅速にスイッチング
する。
しい電流I14およびI15を供給する。npnトランジス
タ21はnpnトランジスタ22よりも大きいエミッタ
面積を有する。トランジスタ21のコレクタ電流の大き
さがトランジスタ22のコレクタ電流の大きさに等しい
ようにするには、npnトランジスタ21のベース‐エ
ミッタ間電圧はnpnトランジスタ22のそれよりも小
さくなければならない。いま負荷電流IL が増大する
と、測定抵抗9における電圧降下は大きくなり、またn
pnトランジスタ21におけるベース‐エミッタ間電圧
は低下する。それによってそのコレクタ電流は小さくな
る。npnトランジスタ21を経て流れない電流I14
の一部はトランジスタ5および20から成る電流ミラー
回路を介して増幅され、また電力用MOSFET8のゲ
ートが放電され、負荷電流IL が制限される。トランジ
スタ5を経てより大きい電流I5が接地点GNDに向か
って流出し、またこうして入力端子1における入力電流
を高めるであろう。このことは、トランジスタ5が導通
状態になると直ちに、トランジスタ19が導通すること
により阻止される。インバータの入力端が接地電位に移
行し、またそれによって出力端がMOSFET16を阻
止する(スイッチング状態低)電位に移行する。電流I
12は入力端子1における入力電流の一部をもはや担わな
くなる。
Claims (9)
- 【請求項1】 負荷電流IL を導き、電界効果により制
御される半導体デバイス、特に電力用半導体デバイスを
駆動するための回路装置であって、電界効果により制御
される半導体デバイスの制御入力端に接続されている第
1の電源回路(2)と、電界効果により制御される半導
体デバイスの制御入力端に並列に接続されまた負荷電流
IL に比例している負荷電流IL の一部を検出する手段
(6)により制御される制御可能な抵抗(5)とを有す
る回路装置において、第1の電源回路(2)にスイッチ
(4)を介して第1の電源回路(2)に依存していない
第2の電源回路(3)が追加接続され、その際にスイッ
チ(4)が上記手段(6)により予め定められた電流を
上回る際に開くように駆動されることを特徴とする半導
体デバイス用駆動回路装置。 - 【請求項2】 電源回路として電流源回路(2、3)が
設けられており、また第1の電流源回路(2)および第
2の電流源回路(3)がスイッチ(4)の閉状態で並列
に接続されていることを特徴とする請求項1記載の回路
装置。 - 【請求項3】 スイッチ(4)と、このスイッチ(4)
を駆動するためのスイッチング信号を供給する手段
(6)とが、インバータの出力端における休止状態では
閉じられているスイッチから成っていることを特徴とす
る請求項1または2記載の回路装置。 - 【請求項4】 駆動回路の電流供給が専らそれらの入力
端子(1)を介して行われることを特徴とする請求項1
ないし3の1つに記載の回路装置。 - 【請求項5】 インバータの入力端がトランジスタ(1
0)および(11)から成る電流ミラー回路を介して入
力端子(1)に、またトランジスタ(19)を介して接
地点に接続されていることを特徴とする請求項1ないし
4の1つに記載の回路装置。 - 【請求項6】 インバータがゲート側およびドレイン側
で互いに接続されているpチャネルMOSFETおよび
nチャネルMOSFETから成っており、またゲート側
がインバータの入力端を、またドレイン側が出力端を形
成していることを特徴とする請求項1ないし5の1つに
記載の回路装置。 - 【請求項7】 スイッチ(4)がMOSFETであるこ
とを特徴とする請求項1ないし6の1つに記載の回路装
置。 - 【請求項8】 トランジスタ(10)がトランジスタ
(12)と共に電流ミラー回路を、またトランジスタ
(13)と共に別の電流ミラー回路を形成し、また両電
流ミラー回路が電流源回路(2、3)を形成しているこ
とを特徴とする請求項1ないし7の1つに記載の回路装
置。 - 【請求項9】 電流源回路(2、3)がMOSFETか
ら成っていることを特徴とする請求項1ないし8の1つ
に記載の回路装置。
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