JP2000299925A - 電源供給制御装置 - Google Patents
電源供給制御装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置のコストを高くすること無く且つ小型化
を損なうこと無く、通常ショート及びレアショートに対
しても負荷や電源線の保護動作を行うこと。 【解決手段】 並列接続された５個の温度センサー内蔵
ＦＥＴに電流振動型遮断機能付きスイッチング回路を並
列接続し、この電流振動型遮断機能付きスイッチング回
路の過電流検出機能を用いて、負荷側にショートなどが
発生した場合に流れる過電流を検出し、検出信号を５個
の温度センサー内蔵ＦＥＴを共通に駆動するドライバに
フィードバックする構成を採ることにより、ドライバは
前記検出信号を受け取ると、レアーショートの場合、前
記ＦＥＴ群のオンオフを繰り返す制御をするが、この場
合、過電流が各ＦＥＴを流れているため、各ＦＥＴは短
時間に加熱シャットダウンして過電流を遮断する。又、
完全ショートとの場合は、前記各ＦＥＴに非常に大きな
過大電流が流れるため、各ＦＥＴは瞬時に加熱シャット
ダウンして、過電流を遮断する。
を損なうこと無く、通常ショート及びレアショートに対
しても負荷や電源線の保護動作を行うこと。 【解決手段】 並列接続された５個の温度センサー内蔵
ＦＥＴに電流振動型遮断機能付きスイッチング回路を並
列接続し、この電流振動型遮断機能付きスイッチング回
路の過電流検出機能を用いて、負荷側にショートなどが
発生した場合に流れる過電流を検出し、検出信号を５個
の温度センサー内蔵ＦＥＴを共通に駆動するドライバに
フィードバックする構成を採ることにより、ドライバは
前記検出信号を受け取ると、レアーショートの場合、前
記ＦＥＴ群のオンオフを繰り返す制御をするが、この場
合、過電流が各ＦＥＴを流れているため、各ＦＥＴは短
時間に加熱シャットダウンして過電流を遮断する。又、
完全ショートとの場合は、前記各ＦＥＴに非常に大きな
過大電流が流れるため、各ＦＥＴは瞬時に加熱シャット
ダウンして、過電流を遮断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、並列接続された複
数の半導体スイッチング素子を通して大電流負荷への電
力の供給を制御する電源供給制御装置に関する。
数の半導体スイッチング素子を通して大電流負荷への電
力の供給を制御する電源供給制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の電源供給制御装置はＦＥＴ
などの半導体スイッチング素子（半導体スイッチ）を介
して負荷に電力を供給する構成のため、大電流負荷へ電
力を供給するにはスイッチング素子の容量を大きくしな
ければならなかった。しかし、容量の大きなスイッチン
グ素子は高価で、装置のコストが高くなってしまう。
などの半導体スイッチング素子（半導体スイッチ）を介
して負荷に電力を供給する構成のため、大電流負荷へ電
力を供給するにはスイッチング素子の容量を大きくしな
ければならなかった。しかし、容量の大きなスイッチン
グ素子は高価で、装置のコストが高くなってしまう。
【０００３】このため、図５に示すような比較的小容量
の安価なスイッチング素子を並列接続して使用すること
が一般的に行われている。図５に示した電源供給制御装
置は、５個の並列に接続されたパワーＭＯＳＦＥＴ１
と、これらＦＥＴ１を駆動するドライバ２と、ドライバ
２に所定の電圧を供給するチャージポンプ３と、過電流
保護用のヒューズ４を有している。
の安価なスイッチング素子を並列接続して使用すること
が一般的に行われている。図５に示した電源供給制御装
置は、５個の並列に接続されたパワーＭＯＳＦＥＴ１
と、これらＦＥＴ１を駆動するドライバ２と、ドライバ
２に所定の電圧を供給するチャージポンプ３と、過電流
保護用のヒューズ４を有している。
【０００４】ドライバ２はこれら５個のＦＥＴを同時に
スイッチング制御することにより、電源ＶＢの電力を負
荷５に供給する。
スイッチング制御することにより、電源ＶＢの電力を負
荷５に供給する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の図５
に示した従来の電源供給制御装置では、負荷５のショー
トや電力を負荷５に伝送するワイヤーハーネスのショー
トなどに起因する過電流に対し、ヒューズ４を用いた保
護対策が採られてきたが、ヒューズ４ではレアショート
（間欠ショート）に対しては無力であり、ワイヤーハー
ネスや負荷５を保護することができなかった。
に示した従来の電源供給制御装置では、負荷５のショー
トや電力を負荷５に伝送するワイヤーハーネスのショー
トなどに起因する過電流に対し、ヒューズ４を用いた保
護対策が採られてきたが、ヒューズ４ではレアショート
（間欠ショート）に対しては無力であり、ワイヤーハー
ネスや負荷５を保護することができなかった。
【０００６】本発明は、上述の如き従来の課題を解決す
るためになされたもので、その目的は、装置のコストを
高くすること無く且つ小型化を損なうこと無く、通常の
ショートは勿論、レアショートに対しても負荷や電源線
の保護動作を行うことができる大電流負荷対応の電源供
給制御装置を提供することである。
るためになされたもので、その目的は、装置のコストを
高くすること無く且つ小型化を損なうこと無く、通常の
ショートは勿論、レアショートに対しても負荷や電源線
の保護動作を行うことができる大電流負荷対応の電源供
給制御装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明の特徴は、並列接続された複数の加
熱遮断機能を有する第１の半導体スイッチング素子群
と、これら複数の第１の半導体スイッチング素子群を共
通に駆動して電源から負荷に電力を供給する駆動回路
と、これら半導体スイッチング素子に並列に接続される
電流振動型遮断機能付きスイッチング回路と、を具備
し、且つ、前記電流振動型遮断機能付きスイッチング回
路は、入力される制御信号に応じてスイッチング制御さ
れることにより前記電源から前記負荷に電流を供給する
第２の半導体スイッチング素子と、前記負荷が接続され
た状態で前記第２の半導体スイッチング素子の端子間電
圧特性と等価な電圧特性を有する第１の基準電圧を発生
する第１の基準電圧発生手段と、前記第２の半導体スイ
ッチング素子の端子間電圧と前記第１の基準電圧との差
を検出する第１の検出手段と、前記負荷が接続された状
態で前記第２の半導体スイッチング素子の端子間電圧特
性と等価な電圧特性を有する第２の基準電圧を発生する
第２の基準電圧発生手段と、前記第２の半導体スイッチ
ング素子の端子間電圧と前記第２の基準電圧との差を検
出する第２の検出手段と、前記第１の検出手段により検
出された端子間電圧と前記第１の基準電圧との差に応じ
て前記第１の半導体スイッチング素子群を前記駆動回路
によりオン／オフ制御する第１の制御手段と、前記第２
の検出手段の検出結果に応じて前記第２の半導体スイッ
チング素子をオン／オフ制御する第２の制御手段とを有
することにある。
に、請求項１の発明の特徴は、並列接続された複数の加
熱遮断機能を有する第１の半導体スイッチング素子群
と、これら複数の第１の半導体スイッチング素子群を共
通に駆動して電源から負荷に電力を供給する駆動回路
と、これら半導体スイッチング素子に並列に接続される
電流振動型遮断機能付きスイッチング回路と、を具備
し、且つ、前記電流振動型遮断機能付きスイッチング回
路は、入力される制御信号に応じてスイッチング制御さ
れることにより前記電源から前記負荷に電流を供給する
第２の半導体スイッチング素子と、前記負荷が接続され
た状態で前記第２の半導体スイッチング素子の端子間電
圧特性と等価な電圧特性を有する第１の基準電圧を発生
する第１の基準電圧発生手段と、前記第２の半導体スイ
ッチング素子の端子間電圧と前記第１の基準電圧との差
を検出する第１の検出手段と、前記負荷が接続された状
態で前記第２の半導体スイッチング素子の端子間電圧特
性と等価な電圧特性を有する第２の基準電圧を発生する
第２の基準電圧発生手段と、前記第２の半導体スイッチ
ング素子の端子間電圧と前記第２の基準電圧との差を検
出する第２の検出手段と、前記第１の検出手段により検
出された端子間電圧と前記第１の基準電圧との差に応じ
て前記第１の半導体スイッチング素子群を前記駆動回路
によりオン／オフ制御する第１の制御手段と、前記第２
の検出手段の検出結果に応じて前記第２の半導体スイッ
チング素子をオン／オフ制御する第２の制御手段とを有
することにある。
【０００８】請求項２の発明の特徴は、並列接続された
複数の第１の半導体スイッチング素子群と、これら複数
の第１の半導体スイッチング素子群を共通に駆動して電
源から負荷に電力を供給する駆動回路と、これら半導体
スイッチング素子に並列に接続される電流振動型遮断機
能付きスイッチング回路と、を具備し、且つ、前記電流
振動型遮断機能付きスイッチング回路は、入力される制
御信号に応じてスイッチング制御されることにより前記
電源から前記負荷に電流を供給する第２の半導体スイッ
チング素子と、前記負荷が接続された状態で前記第２の
半導体スイッチング素子の端子間電圧特性と等価な電圧
特性を有する第１の基準電圧を発生する第１の基準電圧
発生手段と、前記第２の半導体スイッチング素子の端子
間電圧と前記第１の基準電圧との差を検出する第１の検
出手段と、前記負荷が接続された状態で前記第２の半導
体スイッチング素子の端子間電圧特性と等価な電圧特性
を有する第２の基準電圧を発生する第２の基準電圧発生
手段と、前記第２の半導体スイッチング素子の端子間電
圧と前記第２の基準電圧との差を検出する第２の検出手
段と、前記第１の検出手段により検出された端子間電圧
と前記第１の基準電圧との差に応じて前記第１の半導体
スイッチング素子群を前記駆動回路によりオフ制御する
第１の制御手段と、前記第２の検出手段の検出結果に応
じて前記第２の半導体スイッチング素子をオン／オフ制
御する第２の制御手段とを有することにある。
複数の第１の半導体スイッチング素子群と、これら複数
の第１の半導体スイッチング素子群を共通に駆動して電
源から負荷に電力を供給する駆動回路と、これら半導体
スイッチング素子に並列に接続される電流振動型遮断機
能付きスイッチング回路と、を具備し、且つ、前記電流
振動型遮断機能付きスイッチング回路は、入力される制
御信号に応じてスイッチング制御されることにより前記
電源から前記負荷に電流を供給する第２の半導体スイッ
チング素子と、前記負荷が接続された状態で前記第２の
半導体スイッチング素子の端子間電圧特性と等価な電圧
特性を有する第１の基準電圧を発生する第１の基準電圧
発生手段と、前記第２の半導体スイッチング素子の端子
間電圧と前記第１の基準電圧との差を検出する第１の検
出手段と、前記負荷が接続された状態で前記第２の半導
体スイッチング素子の端子間電圧特性と等価な電圧特性
を有する第２の基準電圧を発生する第２の基準電圧発生
手段と、前記第２の半導体スイッチング素子の端子間電
圧と前記第２の基準電圧との差を検出する第２の検出手
段と、前記第１の検出手段により検出された端子間電圧
と前記第１の基準電圧との差に応じて前記第１の半導体
スイッチング素子群を前記駆動回路によりオフ制御する
第１の制御手段と、前記第２の検出手段の検出結果に応
じて前記第２の半導体スイッチング素子をオン／オフ制
御する第２の制御手段とを有することにある。
【０００９】請求項３の発明の前記第１の半導体スイッ
チング素子群は加熱遮断機能を有する温度センサー内蔵
ＦＥＴ群である。
チング素子群は加熱遮断機能を有する温度センサー内蔵
ＦＥＴ群である。
【００１０】請求項４の発明の前記第２の半導体スイッ
チング素子は加熱遮断機能付きスイッチング回路を有す
る温度センサー内蔵ＦＥＴである。
チング素子は加熱遮断機能付きスイッチング回路を有す
る温度センサー内蔵ＦＥＴである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明の電源供給制御装
置の第１の実施の形態を示した回路図である。電源供給
制御装置は、５個の並列接続された通常のサーマルＭＯ
ＳＦＥＴ１１と、これらＦＥＴ１１を駆動するドライバ
１２と、このドライバ１２に所定の電圧を供給するチャ
ージポンプ１３と、前記サーマルＭＯＳＦＥＴ１１に電
流制限用抵抗Ｒを介して並列接続された電流振動型遮断
機能付きスイッチング回路１６を有している。
に基づいて説明する。図１は、本発明の電源供給制御装
置の第１の実施の形態を示した回路図である。電源供給
制御装置は、５個の並列接続された通常のサーマルＭＯ
ＳＦＥＴ１１と、これらＦＥＴ１１を駆動するドライバ
１２と、このドライバ１２に所定の電圧を供給するチャ
ージポンプ１３と、前記サーマルＭＯＳＦＥＴ１１に電
流制限用抵抗Ｒを介して並列接続された電流振動型遮断
機能付きスイッチング回路１６を有している。
【００１２】尚、電流振動型遮断機能付きスイッチング
回路１６は温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１、温度センサ
ー内蔵ＦＥＴ１６１をドライブするドライバ１６２及び
温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１を流れる過電流を検出す
る第１の過電流検出回路１６３を有し、特願平１０−３
７３８７７号で示された電源供給制御装置と同様の性能
を備え、シャント抵抗無しで且つマイクロコンピュータ
を必要することなく、下流側の短絡等による過電流を検
出することができるものである。
回路１６は温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１、温度センサ
ー内蔵ＦＥＴ１６１をドライブするドライバ１６２及び
温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１を流れる過電流を検出す
る第１の過電流検出回路１６３を有し、特願平１０−３
７３８７７号で示された電源供給制御装置と同様の性能
を備え、シャント抵抗無しで且つマイクロコンピュータ
を必要することなく、下流側の短絡等による過電流を検
出することができるものである。
【００１３】ここで、本例の電流振動型遮断機能付きス
イッチング回路１６は、上記の回路の他に、第２の過電
流検出回路１６４を備えている。この第２の過電流検出
回路１６４は、第１の過電流検出回路１６３が負荷１５
側の過電流を検出した後、それよりも若干大きい過電流
を検出し、検出信号をドライバ１６２にフィードバック
する。また、本例の電流振動型遮断機能付きスイッチン
グ回路１６は上記した追加部分も含めて１チップ化が可
能で、ここでは１チップ化されているものとする。
イッチング回路１６は、上記の回路の他に、第２の過電
流検出回路１６４を備えている。この第２の過電流検出
回路１６４は、第１の過電流検出回路１６３が負荷１５
側の過電流を検出した後、それよりも若干大きい過電流
を検出し、検出信号をドライバ１６２にフィードバック
する。また、本例の電流振動型遮断機能付きスイッチン
グ回路１６は上記した追加部分も含めて１チップ化が可
能で、ここでは１チップ化されているものとする。
【００１４】図２は、図１に示した電流振動型遮断機能
付きスイッチング回路１６の内部構成を示した回路図で
あり、図３は、図２に示した温度センサー内蔵ＦＥＴ１
６１の内部構成を示した回路図である。
付きスイッチング回路１６の内部構成を示した回路図で
あり、図３は、図２に示した温度センサー内蔵ＦＥＴ１
６１の内部構成を示した回路図である。
【００１５】図２において、本実施形態の電流振動型遮
断機能付きスイッチング回路１６は、電源電圧ＶＢを負
荷１５に供給する経路に、半導体スイッチとしての温度
センサー内蔵ＦＥＴ１６１のドレインＤ−ソースＳを直
列接続した構成である。ここで、温度センサー内蔵ＦＥ
Ｔ１６１にはＤＭＯＳ構造のＮＭＯＳ型を使用している
がＰＭＯＳ型でも実現可能である。
断機能付きスイッチング回路１６は、電源電圧ＶＢを負
荷１５に供給する経路に、半導体スイッチとしての温度
センサー内蔵ＦＥＴ１６１のドレインＤ−ソースＳを直
列接続した構成である。ここで、温度センサー内蔵ＦＥ
Ｔ１６１にはＤＭＯＳ構造のＮＭＯＳ型を使用している
がＰＭＯＳ型でも実現可能である。
【００１６】また同図において、温度センサー内蔵ＦＥ
Ｔ１６１を駆動制御する部分については、リファレンス
ＦＥＴＱＢ１，ＱＢ２、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ５，Ｒ８，
Ｒ１０，ＲＧ，Ｒｒ，ＲＶ、ツェナーダイオードＺＤ
１、ダイオードＤ１、コンパレータＣＭＰ１，ＣＭＰ
２、ドライバー１６２およびスイッチＳＷ１を備えた構
成である。なお、参照符号として抵抗には“Ｒ”とそれ
に続く数字および文字を使用しているが、以下の説明で
は参照符号として使用すると共に、それぞれ該抵抗の抵
抗値をも表すものとする。また、図２中の点線で囲った
部分１６はアナログ集積化されるチップ部分を示す。
Ｔ１６１を駆動制御する部分については、リファレンス
ＦＥＴＱＢ１，ＱＢ２、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ５，Ｒ８，
Ｒ１０，ＲＧ，Ｒｒ，ＲＶ、ツェナーダイオードＺＤ
１、ダイオードＤ１、コンパレータＣＭＰ１，ＣＭＰ
２、ドライバー１６２およびスイッチＳＷ１を備えた構
成である。なお、参照符号として抵抗には“Ｒ”とそれ
に続く数字および文字を使用しているが、以下の説明で
は参照符号として使用すると共に、それぞれ該抵抗の抵
抗値をも表すものとする。また、図２中の点線で囲った
部分１６はアナログ集積化されるチップ部分を示す。
【００１７】負荷１５は例えばヘッドライトやパワーウ
ィンドウの駆動モータ等々であり、ユーザ等がスイッチ
ＳＷ１をオンさせることにより機能する。ドライバー１
６２には、コレクタ側が電位ＶＰに接続されたソースト
ランジスタＱ５と、エミッタ側が接地電位（ＧＮＤ）に
接続されたシンクトランジスタＱ６とを直列接続して備
え、スイッチＳＷ１のオン／オフ切換えによる切換え信
号に基づき、ソーストランジスタＱ５およびシンクトラ
ンジスタＱ６をオン／オフ制御して、温度センサー内蔵
ＦＥＴ１６１を駆動制御する信号を出力する。
ィンドウの駆動モータ等々であり、ユーザ等がスイッチ
ＳＷ１をオンさせることにより機能する。ドライバー１
６２には、コレクタ側が電位ＶＰに接続されたソースト
ランジスタＱ５と、エミッタ側が接地電位（ＧＮＤ）に
接続されたシンクトランジスタＱ６とを直列接続して備
え、スイッチＳＷ１のオン／オフ切換えによる切換え信
号に基づき、ソーストランジスタＱ５およびシンクトラ
ンジスタＱ６をオン／オフ制御して、温度センサー内蔵
ＦＥＴ１６１を駆動制御する信号を出力する。
【００１８】半導体スイッチとしての温度センサー内蔵
ＦＥＴ１６１は、より詳しくは図３に示すような構成を
備えている。図３において、温度センサー内蔵ＦＥＴＱ
Ａは、内蔵抵抗ＲＧ、温度センサ１２１、ラッチ回路１
２２及び過熱遮断用ＦＥＴＱＳを備えている。なお、Ｚ
Ｄ１はゲートＧ−ソースＳ間を１２［Ｖ］に保ってゲー
トＧに過電圧が印加されようとした場合にこれをバイパ
スさせるツェナーダイオードである。
ＦＥＴ１６１は、より詳しくは図３に示すような構成を
備えている。図３において、温度センサー内蔵ＦＥＴＱ
Ａは、内蔵抵抗ＲＧ、温度センサ１２１、ラッチ回路１
２２及び過熱遮断用ＦＥＴＱＳを備えている。なお、Ｚ
Ｄ１はゲートＧ−ソースＳ間を１２［Ｖ］に保ってゲー
トＧに過電圧が印加されようとした場合にこれをバイパ
スさせるツェナーダイオードである。
【００１９】つまり、本実施形態で使用する温度センサ
ー内蔵ＦＥＴ１６１は、温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１
が規定以上の温度まで上昇したことが温度センサ１２１
によって検出された場合には、その旨の検出情報がラッ
チ回路１２２に保持され、ゲート遮断回路としての過熱
遮断用ＦＥＴＱＳがオン動作となることによって、温度
センサー内蔵ＦＥＴ１６１を強制的にオフ制御する過熱
遮断機能を備えている。
ー内蔵ＦＥＴ１６１は、温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１
が規定以上の温度まで上昇したことが温度センサ１２１
によって検出された場合には、その旨の検出情報がラッ
チ回路１２２に保持され、ゲート遮断回路としての過熱
遮断用ＦＥＴＱＳがオン動作となることによって、温度
センサー内蔵ＦＥＴ１６１を強制的にオフ制御する過熱
遮断機能を備えている。
【００２０】温度センサ１２１は４個のダイオードが縦
続接続されてなり、実装上、温度センサ１２１は温度セ
ンサー内蔵ＦＥＴ１６１の近傍に配置形成されている。
温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１の温度が上昇するにつれ
て温度センサ１２１の各ダイオードの抵抗値が減少する
ので、ＦＥＴＱ５１のゲート電位が“Ｌ”レベルとされ
る電位まで下がると、ＦＥＴＱ５１がオン状態からオフ
状態に遷移する。これにより、ＦＥＴＱ５４のゲート電
位が温度センサー内蔵ＦＥＴＱＡのゲート制御端子
（Ｇ）の電位にプルアップされ、ＦＥＴＱ５４がオフ状
態からオン状態に遷移して、ラッチ回路１２２に“１”
がラッチされることとなる。このとき、ラッチ回路１２
２の出力が“Ｈ”レベルとなって過熱遮断用ＦＥＴＱＳ
がオフ状態からオン状態に遷移するので、温度センサー
内蔵ＦＥＴＱＡの真のゲート（ＴＧ）と温度センサー内
蔵ＦＥＴＱＡのソース（ＳＡ）が同電位になって、温度
センサー内蔵ＦＥＴＱＡがオン状態からオフ状態に遷移
して、過熱遮断されることとなる。
続接続されてなり、実装上、温度センサ１２１は温度セ
ンサー内蔵ＦＥＴ１６１の近傍に配置形成されている。
温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１の温度が上昇するにつれ
て温度センサ１２１の各ダイオードの抵抗値が減少する
ので、ＦＥＴＱ５１のゲート電位が“Ｌ”レベルとされ
る電位まで下がると、ＦＥＴＱ５１がオン状態からオフ
状態に遷移する。これにより、ＦＥＴＱ５４のゲート電
位が温度センサー内蔵ＦＥＴＱＡのゲート制御端子
（Ｇ）の電位にプルアップされ、ＦＥＴＱ５４がオフ状
態からオン状態に遷移して、ラッチ回路１２２に“１”
がラッチされることとなる。このとき、ラッチ回路１２
２の出力が“Ｈ”レベルとなって過熱遮断用ＦＥＴＱＳ
がオフ状態からオン状態に遷移するので、温度センサー
内蔵ＦＥＴＱＡの真のゲート（ＴＧ）と温度センサー内
蔵ＦＥＴＱＡのソース（ＳＡ）が同電位になって、温度
センサー内蔵ＦＥＴＱＡがオン状態からオフ状態に遷移
して、過熱遮断されることとなる。
【００２１】また、本実施形態の電流振動型遮断機能付
きスイッチング回路１６では、負荷１５または温度セン
サー内蔵ＦＥＴ１６１のソース（ＳＡ）と負荷１５間に
おいて発生する短絡故障による過電流、或いは不完全短
絡故障による異常電流に対する保護機能をも備えてい
る。以下、図２を参照して、この保護機能を実現する構
成について説明する。
きスイッチング回路１６では、負荷１５または温度セン
サー内蔵ＦＥＴ１６１のソース（ＳＡ）と負荷１５間に
おいて発生する短絡故障による過電流、或いは不完全短
絡故障による異常電流に対する保護機能をも備えてい
る。以下、図２を参照して、この保護機能を実現する構
成について説明する。
【００２２】先ず、特許請求の範囲にいう基準電圧発生
手段は、リファレンスＦＥＴ（第２半導体スイッチ）Ｑ
Ｂ１および抵抗（第２負荷）Ｒｒ１で構成されている。
リファレンスＦＥＴＱＢ１のドレインおよびゲートはそ
れぞれ温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１のドレイン（Ｄ）
および真のゲート（ＴＧ）に接続され、リファレンスＦ
ＥＴＱＢ１のソース（ＳＢ）は抵抗Ｒｒ１の一方の端子
に接続され、抵抗Ｒｒ１の他の端子は接地電位（ＧＮ
Ｄ）に接続されている。このように、リファレンスＦＥ
ＴＱＢ１および温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１のドレイ
ン（Ｄ）およびゲート（ＴＧ）を共通化することにより
同一チップ（１６）への集積化を容易にすることができ
る。
手段は、リファレンスＦＥＴ（第２半導体スイッチ）Ｑ
Ｂ１および抵抗（第２負荷）Ｒｒ１で構成されている。
リファレンスＦＥＴＱＢ１のドレインおよびゲートはそ
れぞれ温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１のドレイン（Ｄ）
および真のゲート（ＴＧ）に接続され、リファレンスＦ
ＥＴＱＢ１のソース（ＳＢ）は抵抗Ｒｒ１の一方の端子
に接続され、抵抗Ｒｒ１の他の端子は接地電位（ＧＮ
Ｄ）に接続されている。このように、リファレンスＦＥ
ＴＱＢ１および温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１のドレイ
ン（Ｄ）およびゲート（ＴＧ）を共通化することにより
同一チップ（１６）への集積化を容易にすることができ
る。
【００２３】また、リファレンスＦＥＴＱＢ１および温
度センサー内蔵ＦＥＴＱＡは同一プロセスで同一チップ
（１６）上に形成されたものを使用している。本実施形
態における電流検出手法は、コンパレータＣＭＰ１によ
る温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１のドレイン−ソース間
電圧ＶDSA と基準電圧との差の検出によって行われるこ
とから、同一チップ上にリファレンスＦＥＴＱＢおよび
温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１を形成することにより、
電流検出における同相的誤差要因、即ち電源電圧、温度
ドリフトやロット間のバラツキの影響を除去（削減）す
ることもできる。さらに、抵抗Ｒｒ１をチップ１６の外
部に設置しているので、基準電圧へのチップ１６の温度
変化の影響を受け難くすることができ、高精度の電流検
出を実現することが可能となる。
度センサー内蔵ＦＥＴＱＡは同一プロセスで同一チップ
（１６）上に形成されたものを使用している。本実施形
態における電流検出手法は、コンパレータＣＭＰ１によ
る温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１のドレイン−ソース間
電圧ＶDSA と基準電圧との差の検出によって行われるこ
とから、同一チップ上にリファレンスＦＥＴＱＢおよび
温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１を形成することにより、
電流検出における同相的誤差要因、即ち電源電圧、温度
ドリフトやロット間のバラツキの影響を除去（削減）す
ることもできる。さらに、抵抗Ｒｒ１をチップ１６の外
部に設置しているので、基準電圧へのチップ１６の温度
変化の影響を受け難くすることができ、高精度の電流検
出を実現することが可能となる。
【００２４】また、リファレンスＦＥＴＱＢの電流容量
が温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１の電流容量よりも小さ
くなるように、それぞれのＦＥＴを構成する並列接続の
トランジスタ数の比を（リファレンスＦＥＴＱＢのトラ
ンジスタ数：１個）＜（温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１
のトランジスタ数：１０００個）となるように構成して
いる。
が温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１の電流容量よりも小さ
くなるように、それぞれのＦＥＴを構成する並列接続の
トランジスタ数の比を（リファレンスＦＥＴＱＢのトラ
ンジスタ数：１個）＜（温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１
のトランジスタ数：１０００個）となるように構成して
いる。
【００２５】さらに、抵抗Ｒｒの抵抗値は、後述のよう
に負荷１０２の抵抗値×（温度センサー内蔵ＦＥＴ１６
１のトランジスタ数：１０００個／リファリンスＦＥＴ
ＱＢのトランジスタ数：１個）の値となるように設定さ
れる。この抵抗Ｒｒの設定により、温度センサー内蔵Ｆ
ＥＴ１６１に負荷電流（５［Ａ］）が流れたときに抵抗
Ｒｒ１に５［ｍＡ］の電流が流れると、温度センサー内
蔵ＦＥＴ１６１と同じドレイン−ソース間電圧ＶDSをリ
ファレンスＦＥＴＱＢに発生させることができる。ま
た、以上のような回路規定により、リファレンスＦＥＴ
ＱＢおよび抵抗Ｒｒで構成される基準電圧発生手段の構
成を極力小型化することができ、実装スペースを縮小し
て装置コストを低減することができる。
に負荷１０２の抵抗値×（温度センサー内蔵ＦＥＴ１６
１のトランジスタ数：１０００個／リファリンスＦＥＴ
ＱＢのトランジスタ数：１個）の値となるように設定さ
れる。この抵抗Ｒｒの設定により、温度センサー内蔵Ｆ
ＥＴ１６１に負荷電流（５［Ａ］）が流れたときに抵抗
Ｒｒ１に５［ｍＡ］の電流が流れると、温度センサー内
蔵ＦＥＴ１６１と同じドレイン−ソース間電圧ＶDSをリ
ファレンスＦＥＴＱＢに発生させることができる。ま
た、以上のような回路規定により、リファレンスＦＥＴ
ＱＢおよび抵抗Ｒｒで構成される基準電圧発生手段の構
成を極力小型化することができ、実装スペースを縮小し
て装置コストを低減することができる。
【００２６】可変抵抗ＲＶはチップ外部に設置され、抵
抗Ｒ２に並列に接続される。可変抵抗ＲＶは温度センサ
ー内蔵ＦＥＴ１６１がオフした後、オンさせるための正
電圧をコンパレータＣＭＰ１の＋側に加えるためのもの
である。温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１がオンしている
時のＲ１とＲ２の中点電圧は負荷が正常ならＶＢに近い
電圧となっている。負荷１５がショートした場合は中点
電圧は下がり、Ｒｒ端電圧より低くなるとコンパレータ
ＣＭＰ１は反転する。レファレンスＦＥＴＱＢがオフす
る段階でＲｒの電圧はグランド電位に近づいていき、あ
る処で中点電圧が高くなるのでまた、コンパレータＣＭ
Ｐ１が反転する。
抗Ｒ２に並列に接続される。可変抵抗ＲＶは温度センサ
ー内蔵ＦＥＴ１６１がオフした後、オンさせるための正
電圧をコンパレータＣＭＰ１の＋側に加えるためのもの
である。温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１がオンしている
時のＲ１とＲ２の中点電圧は負荷が正常ならＶＢに近い
電圧となっている。負荷１５がショートした場合は中点
電圧は下がり、Ｒｒ端電圧より低くなるとコンパレータ
ＣＭＰ１は反転する。レファレンスＦＥＴＱＢがオフす
る段階でＲｒの電圧はグランド電位に近づいていき、あ
る処で中点電圧が高くなるのでまた、コンパレータＣＭ
Ｐ１が反転する。
【００２７】コンパレータＣＭＰ１は、特許請求の範囲
にいう検出手段の一部を成す。コンパレータＣＭＰ１の
“＋”入力端子には、温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１の
ドレインＤ−ソースＳＡ間電圧ＶDSA を抵抗Ｒ１と抵抗
Ｒ２および可変抵抗ＲＶの並列抵抗（Ｒ２‖ＲＶ）とで
分圧した電圧が抵抗Ｒ５を介して供給されている。ま
た、コンパレータＣＭＰ１の“−”入力端子には、リフ
ァレンスＦＥＴＱＢのドレイン−ソース間電圧ＶDSB が
供給されている。つまり、“−”入力端子に供給される
電位より“＋”入力端子に供給される電位が大きいとき
に出力は有効（“Ｈ”レベル）となり、“−”入力端子
に供給される電位より“＋”入力端子に供給される電位
が小さいときに無効（“Ｌ”レベル）となる。なお、後
述のように、コンパレータＣＭＰ１は一定のヒステリシ
スを持っている。
にいう検出手段の一部を成す。コンパレータＣＭＰ１の
“＋”入力端子には、温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１の
ドレインＤ−ソースＳＡ間電圧ＶDSA を抵抗Ｒ１と抵抗
Ｒ２および可変抵抗ＲＶの並列抵抗（Ｒ２‖ＲＶ）とで
分圧した電圧が抵抗Ｒ５を介して供給されている。ま
た、コンパレータＣＭＰ１の“−”入力端子には、リフ
ァレンスＦＥＴＱＢのドレイン−ソース間電圧ＶDSB が
供給されている。つまり、“−”入力端子に供給される
電位より“＋”入力端子に供給される電位が大きいとき
に出力は有効（“Ｈ”レベル）となり、“−”入力端子
に供給される電位より“＋”入力端子に供給される電位
が小さいときに無効（“Ｌ”レベル）となる。なお、後
述のように、コンパレータＣＭＰ１は一定のヒステリシ
スを持っている。
【００２８】なお、本実施形態では、上記第２の過電流
検出回路１６４として、ＦＥＴ（第３半導体スイッチ）
ＱＢ２および第２のコンパレータＣＭＰ２を有する構成
となっている。
検出回路１６４として、ＦＥＴ（第３半導体スイッチ）
ＱＢ２および第２のコンパレータＣＭＰ２を有する構成
となっている。
【００２９】次に本実施の形態の動作を説明する。ドラ
イバ１２は並列接続した５個の通常の温度センサー内蔵
ＦＥＴ１１のゲートにスイッチング信号を出力して、こ
れら５個のＦＥＴ１１をスイッチング制御することによ
り、電源ＶＢの電力を負荷１５に供給する。この時、電
流振動型遮断機能付きスイッチング回路１６の温度セン
サー内蔵ＦＥＴ１６１もドライバ１６２によりスイッチ
ングされ、電源ＶＢから負荷１５側に抵抗Ｒを介して電
流を流す。この電流振動型遮断機能付きスイッチング回
路１６は負荷１５側の過電流検出に用いられるため、負
荷１５側に流す電流は小さくて良く、従って温度センサ
ー内蔵ＦＥＴ１６１の容量も小さいもので良い。
イバ１２は並列接続した５個の通常の温度センサー内蔵
ＦＥＴ１１のゲートにスイッチング信号を出力して、こ
れら５個のＦＥＴ１１をスイッチング制御することによ
り、電源ＶＢの電力を負荷１５に供給する。この時、電
流振動型遮断機能付きスイッチング回路１６の温度セン
サー内蔵ＦＥＴ１６１もドライバ１６２によりスイッチ
ングされ、電源ＶＢから負荷１５側に抵抗Ｒを介して電
流を流す。この電流振動型遮断機能付きスイッチング回
路１６は負荷１５側の過電流検出に用いられるため、負
荷１５側に流す電流は小さくて良く、従って温度センサ
ー内蔵ＦＥＴ１６１の容量も小さいもので良い。
【００３０】上記のように負荷１５に電力が供給されて
いる際に、負荷１５に電力を伝送するワイヤーハーネス
や負荷１５に短絡が生じると、電流振動型遮断機能付き
スイッチング回路１６の第１の過電流検出回路１６３が
温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１を流れる電流の過電流を
検出し、その検出信号をドライバ１２に出力する。
いる際に、負荷１５に電力を伝送するワイヤーハーネス
や負荷１５に短絡が生じると、電流振動型遮断機能付き
スイッチング回路１６の第１の過電流検出回路１６３が
温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１を流れる電流の過電流を
検出し、その検出信号をドライバ１２に出力する。
【００３１】ドライバ１２はこの検出信号を受け取る
と、レアーショートの場合、５個の温度センサー内蔵Ｆ
ＥＴ１１のオンオフを繰り返す制御をするが、この場
合、過電流が各温度センサー内蔵ＦＥＴ１１を流れてい
るため、各温度センサー内蔵ＦＥＴ１１は短時間に加熱
シャットダウンしてしまい、負荷１５側に流れる過電流
が確実に遮断される。又、完全ショートとの場合は、５
個の温度センサー内蔵ＦＥＴ１１に非常に大きな過大電
流が流れるため、これらＦＥＴ１１は瞬時に加熱シャッ
トダウンしてしまい、負荷１５側に流れる過電流が確実
に遮断される。
と、レアーショートの場合、５個の温度センサー内蔵Ｆ
ＥＴ１１のオンオフを繰り返す制御をするが、この場
合、過電流が各温度センサー内蔵ＦＥＴ１１を流れてい
るため、各温度センサー内蔵ＦＥＴ１１は短時間に加熱
シャットダウンしてしまい、負荷１５側に流れる過電流
が確実に遮断される。又、完全ショートとの場合は、５
個の温度センサー内蔵ＦＥＴ１１に非常に大きな過大電
流が流れるため、これらＦＥＴ１１は瞬時に加熱シャッ
トダウンしてしまい、負荷１５側に流れる過電流が確実
に遮断される。
【００３２】ところが、この時点でも、電流振動型遮断
機能付きスイッチング回路１６の温度センサー内蔵ＦＥ
Ｔ１６１は駆動しているため、前記５個のＦＥＴ１１か
ら負荷１５への電力の供給が止まると、電流振動型遮断
機能付きスイッチング回路１６は更に大きな電流を負荷
１５へ流そうとする。その場合、抵抗Ｒ１の抵抗降下電
圧よりも更に大きな抵抗降下電圧が抵抗Ｒ２に発生し、
過電流検出回路１６４が更に大きな過電流を検出し、検
出信号を電流振動型遮断機能付きスイッチング回路１６
のドライバ１６２に出力する。
機能付きスイッチング回路１６の温度センサー内蔵ＦＥ
Ｔ１６１は駆動しているため、前記５個のＦＥＴ１１か
ら負荷１５への電力の供給が止まると、電流振動型遮断
機能付きスイッチング回路１６は更に大きな電流を負荷
１５へ流そうとする。その場合、抵抗Ｒ１の抵抗降下電
圧よりも更に大きな抵抗降下電圧が抵抗Ｒ２に発生し、
過電流検出回路１６４が更に大きな過電流を検出し、検
出信号を電流振動型遮断機能付きスイッチング回路１６
のドライバ１６２に出力する。
【００３３】ドライバ１６２は前記検出信号を受け取る
と、温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１のオンオフを繰り返
す制御を行うため、温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１は短
時間で加熱シャットダウンし、電流振動型遮断機能付き
スイッチング回路１６も負荷１５側への電流供給を停止
し、過電流保護が完了する。
と、温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１のオンオフを繰り返
す制御を行うため、温度センサー内蔵ＦＥＴ１６１は短
時間で加熱シャットダウンし、電流振動型遮断機能付き
スイッチング回路１６も負荷１５側への電流供給を停止
し、過電流保護が完了する。
【００３４】本実施の形態によれば、並列接続された５
個の温度センサー内蔵ＦＥＴ１１に並列に電流振動型遮
断機能付きスイッチング回路１６を接続し、ショート等
で過電流が負荷１５側へ流れた場合、この電流振動型遮
断機能付きスイッチング回路１６の過電流検出機能を用
いて前記過電流を検出することにより、ヒューズを用い
ること無く確実に過電流保護を行うことができる。
個の温度センサー内蔵ＦＥＴ１１に並列に電流振動型遮
断機能付きスイッチング回路１６を接続し、ショート等
で過電流が負荷１５側へ流れた場合、この電流振動型遮
断機能付きスイッチング回路１６の過電流検出機能を用
いて前記過電流を検出することにより、ヒューズを用い
ること無く確実に過電流保護を行うことができる。
【００３５】その上、電流振動型遮断機能付きスイッチ
ング回路１６の過電流検出機能はレアーショートに対し
ても有効であり、温度センサー内蔵ＦＥＴ１１の加熱シ
ャットダウンにより、レアーショートに対するワイヤー
ハーネス等の保護を行うこともできる。
ング回路１６の過電流検出機能はレアーショートに対し
ても有効であり、温度センサー内蔵ＦＥＴ１１の加熱シ
ャットダウンにより、レアーショートに対するワイヤー
ハーネス等の保護を行うこともできる。
【００３６】又、電流振動型遮断機能付きスイッチング
回路１６はワンチップ化でき１個用いるだけであるた
め、装置の配線数が多くなることがなく、装置の小型化
を図ることができると共に、その電流供給容量は過電流
検出機能を動作させるに足る安価な低容量タイプのもの
であれば良いため、装置が高くなることを抑制すること
ができる。
回路１６はワンチップ化でき１個用いるだけであるた
め、装置の配線数が多くなることがなく、装置の小型化
を図ることができると共に、その電流供給容量は過電流
検出機能を動作させるに足る安価な低容量タイプのもの
であれば良いため、装置が高くなることを抑制すること
ができる。
【００３７】更に、前記ショートなどの不具合が修復さ
れれば、電流振動型遮断機能付きスイッチング回路１６
は自動復帰して、装置は再び動作可能となるため、ヒュ
ーズを取り替える手間を省くことができる。
れれば、電流振動型遮断機能付きスイッチング回路１６
は自動復帰して、装置は再び動作可能となるため、ヒュ
ーズを取り替える手間を省くことができる。
【００３８】図４は本発明の電源供給制御装置の第２の
実施の形態を示した回路図である。但し、図１に示した
実施の形態と同一部分には同一符号を付し、その説明を
適宜省略する。
実施の形態を示した回路図である。但し、図１に示した
実施の形態と同一部分には同一符号を付し、その説明を
適宜省略する。
【００３９】本例は、負荷１５に電力を供給する半導体
スイッチング素子として、５個のパワーＭＯＳＦＥＴ１
８を用いたことと、電流振動型遮断機能付きスイッチン
グ回路１６が過電流を検出した場合に、ドライバ１２に
よる５個のパワーＭＯＳＦＥＴ１８に対する制御方法が
異なることが前記第１の実施の形態と異なり、他の構成
は図１に示した第１の実施の形態と同様である。
スイッチング素子として、５個のパワーＭＯＳＦＥＴ１
８を用いたことと、電流振動型遮断機能付きスイッチン
グ回路１６が過電流を検出した場合に、ドライバ１２に
よる５個のパワーＭＯＳＦＥＴ１８に対する制御方法が
異なることが前記第１の実施の形態と異なり、他の構成
は図１に示した第１の実施の形態と同様である。
【００４０】次に本実施の形態の動作について説明す
る。ドライバ１２が５個のパワーＭＯＳＦＥＴ１８を駆
動して、負荷１５に電力を供給している時、負荷１５側
でショート等が起きた場合、電流振動型遮断機能付きス
イッチング回路１６の過電流検出回路１６３が過電流を
検出し、検出信号をドライバ１２に出力する。ドライバ
１２は前記検出信号を受けると、５個のパワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８を全てオフする制御を行うことにより、負荷１
５側に流れる過電流を遮断する。
る。ドライバ１２が５個のパワーＭＯＳＦＥＴ１８を駆
動して、負荷１５に電力を供給している時、負荷１５側
でショート等が起きた場合、電流振動型遮断機能付きス
イッチング回路１６の過電流検出回路１６３が過電流を
検出し、検出信号をドライバ１２に出力する。ドライバ
１２は前記検出信号を受けると、５個のパワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８を全てオフする制御を行うことにより、負荷１
５側に流れる過電流を遮断する。
【００４１】本実施の形態によれば、並列接続された５
個のパワーＭＯＳＦＥＴ１８に電流振動型遮断機能付き
スイッチング回路１６を並列接続し、ショート等で過電
流が負荷１５側へ流れた場合、この電流振動型遮断機能
付きスイッチング回路１６の過電流検出機能を用いて前
記過電流を検出することにより、ヒューズを用いること
無く確実に過電流保護を行うことができる。
個のパワーＭＯＳＦＥＴ１８に電流振動型遮断機能付き
スイッチング回路１６を並列接続し、ショート等で過電
流が負荷１５側へ流れた場合、この電流振動型遮断機能
付きスイッチング回路１６の過電流検出機能を用いて前
記過電流を検出することにより、ヒューズを用いること
無く確実に過電流保護を行うことができる。
【００４２】又、電流振動型遮断機能付きスイッチング
回路１６は１個用いるだけであるため、装置の配線数が
多くなることがなく、装置の小型化を阻むことを回避す
ることができると共に、その電流供給容量は過電流検出
機能を動作させるに足る安価な低容量タイプでものであ
れば良いため、装置が高くなることを抑制することがで
きる。
回路１６は１個用いるだけであるため、装置の配線数が
多くなることがなく、装置の小型化を阻むことを回避す
ることができると共に、その電流供給容量は過電流検出
機能を動作させるに足る安価な低容量タイプでものであ
れば良いため、装置が高くなることを抑制することがで
きる。
【００４３】更に、前記ショートなどの不具合が修復さ
れれば、電流振動型遮断機能付きスイッチング回路１６
は自動復帰して装置は再び動作可能となるため、ヒュー
ズを取り替える手間を省くことができる。
れれば、電流振動型遮断機能付きスイッチング回路１６
は自動復帰して装置は再び動作可能となるため、ヒュー
ズを取り替える手間を省くことができる。
【００４４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の電
源供給制御装置によれば、並列接続された温度センサー
内蔵ＦＥＴに過電流検出用の電流振動型遮断機能付きス
イッチング回路を並列接続することにより、装置のコス
トを高くすること無く且つ小型化を損なうこと無く、通
常のショートは勿論、レアショートに対しても負荷や電
源線の保護動作を行うことができる。
源供給制御装置によれば、並列接続された温度センサー
内蔵ＦＥＴに過電流検出用の電流振動型遮断機能付きス
イッチング回路を並列接続することにより、装置のコス
トを高くすること無く且つ小型化を損なうこと無く、通
常のショートは勿論、レアショートに対しても負荷や電
源線の保護動作を行うことができる。
【図１】本発明の電源供給制御装置の第１の実施の形態
を示した回路図である。
を示した回路図である。
【図２】本発明の図１に示した電流振動型遮断機能付き
スイッチング回路の回路図である。
スイッチング回路の回路図である。
【図３】本発明の図２に示した温度センサー内蔵ＦＥＴ
の回路図である。
の回路図である。
【図４】本発明の電源供給制御装置の第２の実施の形態
を示した回路図である。
を示した回路図である。
【図５】従来の電源供給制御装置の一例を示した回路図
である。
である。
１１、１６１ 温度センサー内蔵ＦＥＴ １２、１６２ ドライバ １３ チャージポンプ １５ 負荷 １６ 電流振動型遮断機能付きスイッチング回路 １８ パワーＭＯＳＦＥＴ １６３、１６４ 過電流検出回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｋ 17/08 Ｈ０３Ｋ 17/08 Ｃ
Claims (4)
- 【請求項１】 並列接続された複数の加熱遮断機能を有
する第１の半導体スイッチング素子群と、 これら複数の第１の半導体スイッチング素子群を共通に
駆動して電源から負荷に電力を供給する駆動回路と、 これら半導体スイッチング素子に並列に接続される電流
振動型遮断機能付きスイッチング回路と、 を具備し、 且つ、前記電流振動型遮断機能付きスイッチング回路
は、入力される制御信号に応じてスイッチング制御され
ることにより前記電源から前記負荷に電流を供給する第
２の半導体スイッチング素子と、 前記負荷が接続された状態で前記第２の半導体スイッチ
ング素子の端子間電圧特性と等価な電圧特性を有する第
１の基準電圧を発生する第１の基準電圧発生手段と、 前記第２の半導体スイッチング素子の端子間電圧と前記
第１の基準電圧との差を検出する第１の検出手段と、 前記負荷が接続された状態で前記第２の半導体スイッチ
ング素子の端子間電圧特性と等価な電圧特性を有する第
２の基準電圧を発生する第２の基準電圧発生手段と、 前記第２の半導体スイッチング素子の端子間電圧と前記
第２の基準電圧との差を検出する第２の検出手段と、 前記第１の検出手段により検出された端子間電圧と前記
第１の基準電圧との差に応じて前記第１の半導体スイッ
チング素子群を前記駆動回路によりオン／オフ制御する
第１の制御手段と、 前記第２の検出手段の検出結果に応じて前記第２の半導
体スイッチング素子をオン／オフ制御する第２の制御手
段とを有することを特徴とする電源供給制御装置。 - 【請求項２】 並列接続された複数の第１の半導体スイ
ッチング素子群と、 これら複数の第１の半導体スイッチング素子群を共通に
駆動して電源から負荷に電力を供給する駆動回路と、 これら半導体スイッチング素子に並列に接続される電流
振動型遮断機能付きスイッチング回路と、 を具備し、 且つ、前記電流振動型遮断機能付きスイッチング回路
は、入力される制御信号に応じてスイッチング制御され
ることにより前記電源から前記負荷に電流を供給する第
２の半導体スイッチング素子と、 前記負荷が接続された状態で前記第２の半導体スイッチ
ング素子の端子間電圧特性と等価な電圧特性を有する第
１の基準電圧を発生する第１の基準電圧発生手段と、 前記第２の半導体スイッチング素子の端子間電圧と前記
第１の基準電圧との差を検出する第１の検出手段と、 前記負荷が接続された状態で前記第２の半導体スイッチ
ング素子の端子間電圧特性と等価な電圧特性を有する第
２の基準電圧を発生する第２の基準電圧発生手段と、 前記第２の半導体スイッチング素子の端子間電圧と前記
第２の基準電圧との差を検出する第２の検出手段と、 前記第１の検出手段により検出された端子間電圧と前記
第１の基準電圧との差に応じて前記第１の半導体スイッ
チング素子群を前記駆動回路によりオフ制御する第１の
制御手段と、 前記第２の検出手段の検出結果に応じて前記第２の半導
体スイッチング素子をオン／オフ制御する第２の制御手
段とを有することを特徴とする電源供給制御装置。 - 【請求項３】 前記第１の半導体スイッチング素子群は
加熱遮断機能を有する温度センサー内蔵ＦＥＴ群である
ことを特徴とする請求項１記載の電源供給制御装置。 - 【請求項４】 前記第２の半導体スイッチング素子は加
熱遮断機能付きスイッチング回路を有する温度センサー
内蔵ＦＥＴであることを特徴とする請求項１又は２記載
の電源供給制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000030162A JP3676168B2 (ja) | 1999-02-14 | 2000-02-08 | 電源供給制御装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7426399 | 1999-02-14 | ||
| JP11-74263 | 1999-02-14 | ||
| JP2000030162A JP3676168B2 (ja) | 1999-02-14 | 2000-02-08 | 電源供給制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000299925A true JP2000299925A (ja) | 2000-10-24 |
| JP3676168B2 JP3676168B2 (ja) | 2005-07-27 |
Family
ID=26415397
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000030162A Expired - Fee Related JP3676168B2 (ja) | 1999-02-14 | 2000-02-08 | 電源供給制御装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3676168B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007028792A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Yamatake Corp | コンバータ |
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