JP2000299940A - 充電装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ヒューズを用いることなく過電流保護を行
い、且つ装置の組立性並びに信頼性を向上させると共に
装置の小型化を図ること。 【解決手段】 過電流検出による供給電流の遮断を行う
ことができ、更に、前記充電電流が所定値以下（Ｎｉ−
Ｃｄ電池５０の充電完了）になったことを検出して、供
給電流の遮断を行う能力を付加した１チップの電流振動
型遮断機能付きスイッチング回路により電源トランス１
２の２次側の整流ダイオード１３より供給される充電電
流をＮｉ−Ｃｄ電池５０に供給する構成を採ることによ
り、電源トランス１２の１次側に挿入されていた過電流
遮断用のヒューズを省略でき、また、電源トランス１２
の２次側を整流回路と前記１チップの電流振動型遮断機
能付きスイッチング回路で極めてシンプルに構成するこ
とによって、装置の部品点数を削減して、装置の組立性
並びに信頼性を向上させると共に装置の小型化を図るこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ニッケルカドミュ
ーム（Ｎｉ−Ｃｄ）電池等の２次電池を充電する充電装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の充電装置は、例えば図４に示すよ
うな構成を有している。商用電源１から供給されるＡＣ
電源（ＡＣ１００Ｖ）は電源スイッチ２、ヒューズ３を
介して電源トランス４の１次側に入力される。この電源
トランス４で降圧されたＡＣ電圧は２次側から出力さ
れ、ダイオード５により半波整流された後、電流制限用
抵抗Ｒ１を介してサイリスタ６のアノードに入力される
と共に、抵抗Ｒ２、ダイオード７を介してサイリスタ６
の制御端子に入力される。

【０００３】従って、例えばＮｉ−Ｃｄ電池５０を装置
にセットした後、電源スイッチ２をオンすると、サイリ
スタ６の制御端子に半波整流電圧が印加され、サイリス
タ６はオン状態になり、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０に電流が流
れてＮｉ−Ｃｄ電池５０を充電する。

【０００４】この充電中、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０の端子電
圧は可変抵抗ＶＲで分圧され、この分圧電圧はダイオー
ド８を介してサイリスタ９の制御端子に印加される。当
初、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０の端子電圧は低いため、サイリ
スタ９の制御端子に印加される電圧も低く、サイリスタ
９はオフしている。

【０００５】その後、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０への充電が進
み、その端子電圧が上昇してくると、サイリスタ９の制
御端子に印加される電圧も上昇し、充電完了電圧まで上
昇した時に、サイリスタ９がオンして、サイリスタ６の
制御端子に電流が流れないようにするため、サイリスタ
６がオフし、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０への充電電流の供給が
遮断され、充電が終了する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の充電装置では、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０側が短絡などし
て、サイリスタ６に過電流が流れると、電源トランス４
の１次側に入力されるＡＣ電流が増大し、これにより、
ヒューズ３が溶断して、装置の充電動作が停止され、過
電流保護がなされる。従って、このような事が起きた
後、装置を復帰させるにはヒューズ３を新しいものに取
り替えなければならず、面倒であった。また、サイリス
タ６、９やダイオード７、８などの複数の部品が必要で
部品点数が多いため、装置の信頼性及び組立性が悪化す
ると共に、装置の小型化を図ることができないという問
題があった。

【０００７】本発明は、上述の如き従来の課題を解決す
るためになされたもので、その目的は、ヒューズを用い
ることなく過電流保護ができ、且つ装置の組立性並びに
信頼性を向上させると共に装置の小型化を図ることがで
きる充電装置を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明の特徴は、充電電流を発生する電源
回路と、前記電源回路により発生された充電電流を２次
電池に供給する電流振動型遮断機能付きスイッチング回
路とを具備し、且つ、前記電流振動型遮断機能付きスイ
ッチング回路は、入力される制御信号に応じてスイッチ
ング制御されることにより前記充電電流を前記２次電池
に供給する半導体スイッチング素子と、前記２次電池が
接続された状態で前記半導体スイッチング素子の端子間
電圧特性と等価な電圧特性を有する第１の基準電圧を発
生する第１の基準電圧発生手段と、前記半導体スイッチ
ング素子の端子間電圧の電圧特性と前記第１の基準電圧
との差を検出する第１の検出手段と、前記第１の検出手
段により検出された端子間電圧と前記第１の基準電圧と
の差に応じて前記半導体スイッチング素子をオン／オフ
制御する第１の制御手段と、前記２次電池が接続された
状態で前記半導体スイッチング素子の端子間電圧特性と
等価な電圧特性を有する第２の基準電圧を発生する第２
の基準電圧発生手段と、前記２次電池の端子間電圧と前
記第２の基準電圧との差を検出する第２の検出手段と、
前記第２の検出手段の検出結果に応じて前記半導体スイ
ッチング素子をオフ制御する第２の制御手段とを有する
ことにある。

【０００９】請求項２の発明の前記第２の検出手段は前
記２次電池が充電完了した際の充電電流値を検出し、前
記第２の制御手段は前記２次電池が充電完了した際の充
電電流値が検出されると、前記半導体スイッチング素子
をオフして、前記２次電池への充電電流の供給を遮断す
る。

【００１０】請求項３の発明の前記半導体スイッチング
素子は加熱遮断機能付きスイッチング回路を有する温度
センサー内蔵ＦＥＴである。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明の充電装置の一実
施の形態を示した回路図である。充電装置は、ＡＣ電源
を装置に投入遮断する電源スイッチ１１、ＡＣ電圧を変
圧して降下させる電源トランス１２、電源トランス１２
の２次側に発生した充電用のＡＣ電圧を整流するダイオ
ード１３、電流制限用抵抗Ｒ３及びＮｉ−Ｃｄ電池５０
に充電電流を供給する電流振動型遮断機能付きスイッチ
ング回路１４を有している。

【００１２】尚、電流振動型遮断機能付きスイッチング
回路１４は温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１，温度センサ
ー内蔵ＦＥＴ１４１をドライブするドライバ１４２、温
度センサー内蔵ＦＥＴ１４１を流れる過電流を検出する
過電流（過大電流）検出回路１４３を有し、特願平１０
−３７３８７７号で示された電源供給制御装置と同様の
性能を備え、シャント抵抗無しで且つマイクロコンピュ
ータを必要することなく、下流側の短絡などによる過電
流を検出して、迅速に供給電流の遮断動作を行うことが
できるものである。

【００１３】本例の電流振動型遮断機能付きスイッチン
グ回路１４は、上記の回路の他に、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０
に流れる過小電流を検出する過小電流検出回路１４４を
備え、この過小電流検出回路１４４の検出信号によって
も供給電流の遮断を行うことができるようになってい
る。

【００１４】また、本例の電流振動型遮断機能付きスイ
ッチング回路１４は、ドライバ１４２の入力側に、この
ドライバ１４２を常時オンさせるためのツェナーダイオ
ードＺＤを接続し、このツェナーダイオードＺＤに電圧
を印加するための抵抗Ｒ４（図２参照）を有している。

【００１５】更に、本例の電流振動型遮断機能付きスイ
ッチング回路１４は上記した追加部分も含めて１チップ
化が可能で、ここでは１チップ化されているものとす
る。

【００１６】図２は、図１に示した電流振動型遮断機能
付きスイッチング回路１４の内部構成を示した回路図で
あり、図３は、図２に示した温度センサー内蔵ＦＥＴ１
４１の内部構成を示した回路図である。

【００１７】図２において、本実施形態の電流振動型遮
断機能付きスイッチング回路１４は、電源トランス１２
よりの電圧をＮｉ−ｃｄ電池５０に供給する経路に、半
導体スイッチとしての温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１の
ドレインＤ−ソースＳを直列接続した構成である。ここ
で、温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１にはＤＭＯＳ構造の
ＮＭＯＳ型を使用しているがＰＭＯＳ型でも実現可能で
ある。

【００１８】また同図において、温度センサー内蔵ＦＥ
Ｔ１４１を駆動制御する部分については、リファレンス
ＦＥＴＱＢ１、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５、Ｒ８、Ｒ１０、
ＲＧ、Ｒｒ、ＲＶ、ツェナーダイオードＺＤ１、ダイオ
ードＤ１、コンパレータＣＭＰ１、ドライバ１４２およ
びスイッチＳＷ１を備えた構成である。なお、参照符号
として抵抗には“Ｒ”とそれに続く数字および文字を使
用しているが、以下の説明では参照符号として使用する
と共に、それぞれ該抵抗の抵抗値をも表すものとする。
また、図２中の点線で囲った部分１４はアナログ集積化
されるチップ部分を示す。

【００１９】ドライバ１４２には、コレクタ側が電位Ｖ
Ｐに接続されたソーストランジスタＱ５と、エミッタ側
が接地電位（ＧＮＤ）に接続されたシンクトランジスタ
Ｑ６とを直列接続して備え、スイッチＳＷ１のオン／オ
フ切換えによる切換え信号に基づき、ソーストランジス
タＱ５およびシンクトランジスタＱ６をオン／オフ制御
して、温度センサー内蔵ＦＥＴＱＡを駆動制御する信号
を出力する。

【００２０】半導体スイッチとしての温度センサー内蔵
ＦＥＴ１４１は、より詳しくは図３に示すような構成を
備えている。図３において、温度センサー内蔵ＦＥＴＱ
Ａは、内蔵抵抗ＲＧ、温度センサ１２１、ラッチ回路１
２２及び過熱遮断用ＦＥＴＱＳを備えている。なお、Ｚ
Ｄ１はゲートＧ−ソースＳ間を１２［Ｖ］に保ってゲー
トＧに過電圧が印加されようとした場合にこれをバイパ
スさせるツェナーダイオードである。

【００２１】つまり、本実施形態で使用する温度センサ
ー内蔵ＦＥＴ１４１は、温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１
が規定以上の温度まで上昇したことが温度センサ１２１
によって検出された場合には、その旨の検出情報がラッ
チ回路１２２に保持され、ゲート遮断回路としての過熱
遮断用ＦＥＴＱＳがオン動作となることによって、温度
センサー内蔵ＦＥＴ１４１を強制的にオフ制御する過熱
遮断機能を備えている。

【００２２】温度センサ１２１は４個のダイオードが縦
続接続されてなり、実装上、温度センサ１２１は温度セ
ンサー内蔵ＦＥＴ１４１の近傍に配置形成されている。
温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１の温度が上昇するにつれ
て温度センサ１２１の各ダイオードの抵抗値が減少する
ので、ＦＥＴＱ５１のゲート電位が“Ｌ”レベルとされ
る電位まで下がると、ＦＥＴＱ５１がオン状態からオフ
状態に遷移する。これにより、ＦＥＴＱ５４のゲート電
位が温度センサー内蔵ＦＥＴＱＡのゲート制御端子
（Ｇ）の電位にプルアップされ、ＦＥＴＱ５４がオフ状
態からオン状態に遷移して、ラッチ回路１２２に“１”
がラッチされることとなる。このとき、ラッチ回路１２
２の出力が“Ｈ”レベルとなって過熱遮断用ＦＥＴＱＳ
がオフ状態からオン状態に遷移するので、温度センサー
内蔵ＦＥＴＱＡの真のゲート（ＴＧ）と主制御ＦＥＴＱ
Ａのソース（ＳＡ）が同電位になって、温度センサー内
蔵ＦＥＴＱＡがオン状態からオフ状態に遷移して、過熱
遮断されることとなる。

【００２３】また、本実施形態では、負荷または温度セ
ンサー内蔵ＦＥＴ１４１のソース（ＳＡ）と負荷１０２
間において発生する短絡故障による過電流、或いは不完
全短絡故障による異常電流に対する保護機能（過電流検
出回路１４３）をも備えている。以下、図２を参照し
て、この保護機能を実現する構成について説明する。

【００２４】先ず、特許請求の範囲にいう基準電圧発生
手段は、リファレンスＦＥＴ（第２半導体スイッチ）Ｑ
Ｂ１および抵抗（第２負荷）Ｒｒ１で構成されている。
リファレンスＦＥＴＱＢ１のドレインおよびゲートはそ
れぞれ温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１のドレイン（Ｄ）
および真のゲート（ＴＧ）に接続され、リファレンスＦ
ＥＴＱＢ１のソース（ＳＢ）は抵抗Ｒｒ１の一方の端子
に接続され、抵抗Ｒｒ１の他の端子は接地電位（ＧＮ
Ｄ）に接続されている。このように、リファレンスＦＥ
ＴＱＢ１および温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１のドレイ
ン（Ｄ）およびゲート（ＴＧ）を共通化することにより
同一チップ（１４）への集積化を容易にすることができ
る。

【００２５】また、リファレンスＦＥＴＱＢ１および温
度センサー内蔵ＦＥＴ１４１は同一プロセスで同一チッ
プ（１４）上に形成されたものを使用している。本実施
形態における電流検出手法は、コンパレータＣＭＰ１に
よる温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１のドレイン−ソース
間電圧ＶDSA と基準電圧との差の検出によって行われる
ことから、同一チップ上にリファレンスＦＥＴＱＢ１お
よび温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１を形成することによ
り、電流検出における同相的誤差要因、即ち電源電圧、
温度ドリフトやロット間のバラツキの影響を除去（削
減）することができる。さらに、抵抗Ｒｒ１（第２負
荷）をチップ１４の外部に設置しているので、基準電圧
へのチップ１４の温度変化の影響を受け難くすることが
でき、高精度の電流検出を実現することが可能となる。

【００２６】また、リファレンスＦＥＴＱＢ１の電流容
量が温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１の電流容量よりも小
さくなるように、それぞれのＦＥＴを構成する並列接続
のトランジスタ数を（リファレンスＦＥＴＱＢ１のトラ
ンジスタ数：１個）＜（温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１
のトランジスタ数：１０００個）となるように構成して
いる。

【００２７】さらに、抵抗Ｒｒ１の抵抗値は、後述のよ
うに負荷（電池）の抵抗値×（温度センサー内蔵ＦＥＴ
１４１のトランジスタ数：１０００個／リファレンスＦ
ＥＴＱＢ１のトランジスタ数：１個）の値となるように
設定される。この抵抗Ｒｒ１の設定により、温度センサ
ー内蔵ＦＥＴ１４１に負荷電流（５［Ａ］）が流れたと
きに抵抗Ｒｒ１に５［ｍＡ］の電流が流れると、温度セ
ンサー内蔵ＦＥＴ１４１と同じドレイン−ソース間電圧
ＶDSをリファレンスＦＥＴＱＢ１に発生させることがで
きる。また、以上のような回路規定により、リファレン
スＦＥＴＱＢ１および抵抗Ｒｒ１で構成される基準電圧
発生手段の構成を極力小型化することができ、実装スペ
ースを縮小して装置コストを低減することができる。

【００２８】可変抵抗ＲＶはチップ外部に設置され、抵
抗Ｒ２に並列に接続される。可変抵抗ＲＶの抵抗値を変
えることにより抵抗Ｒ２の抵抗値を等価的に可変設定す
る。すなわち、抵抗Ｒ１，Ｒ２，ＲＶは、温度センサー
内蔵ＦＥＴ１４１のドレイン−ソース間電圧ＶDSA を抵
抗値の比に基づく分圧比で分圧してコンバータＣＭＰ１
に供給する分圧手段に該当しており，該分圧比を抵抗Ｒ
Ｖの可変設定により調整する。これにより、基準電圧生
成手段の固定された設定値（基準）に対してコンパレー
タＣＭＰ１の出力を“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに切
替えるドレイン−ソース間電圧ＶDSのしきい値を変える
ことが可能となる。これにより、アナログ集積化する場
合でも１種類のチップ１４で複数の仕様をカバーするこ
とが可能となる。

【００２９】コンパレータＣＭＰ１は、特許請求の範囲
にいう検出手段の一部を成す。コンパレータＣＭＰ１の
“＋”入力端子には、温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１の
ドレインＤ−ソースＳＡ間電圧ＶDSA を抵抗Ｒ１と抵抗
Ｒ２および可変抵抗ＲＶの並列抵抗（Ｒ２‖ＲＶ）とで
分圧した電圧が抵抗Ｒ５を介して供給されている。ま
た、コンパレータＣＭＰ１の“−”入力端子には、リフ
ァレンスＦＥＴＱＢ１のドレイン−ソース間電圧ＶDSB
が供給されている。つまり、“−”入力端子に供給され
る電位より“＋”入力端子に供給される電位が大きいと
きに出力は有効（“Ｈ”レベル）となり、“−”入力端
子に供給される電位より“＋”入力端子に供給される電
位が小さいときに無効（“Ｌ”レベル）となる。なお、
後述のように、コンパレータＣＭＰ１は一定のヒステリ
シスを持っている。

【００３０】なお、本実施形態では、上記過小電流検出
回路１４４として、ＦＥＴ（第３半導体スイッチ）ＱＢ
２，ＦＥＴ（第４半導体スイッチ）ＱＢ３および第２の
コンパレータＣＭＰ２を有する構成となっている。

【００３１】次に本実施の形態の動作について説明す
る。

【００３２】図１において、電源スイッチ１１をオンす
ると、電源トランス１２の２次側に発生したＡＣ電圧は
ダイオード１３により半波整流され、この半波整流電圧
は更に抵抗Ｒ３を介して電流振動型遮断機能付きスイッ
チング回路１４に入力される。

【００３３】これにより、入力電圧が抵抗Ｒ４を介して
ツェナーダイオードＺＤに印加され、一定電圧になって
ドライバー１４２に入力されて、このドライバー１４２
を常時オンさせる。

【００３４】ドライバー１４２はオンすると、温度セン
サー内蔵ＦＥＴ１４１をスイッチングし、この温度セン
サー内蔵ＦＥＴ１４１を通してＮｉ−Ｃｄ電池５０に充
電電流を供給する。この時、ドライバー１４２は過小電
流検出回路１４４のＦＥＴＱＢ３も同時に駆動するた
め、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０の端子電圧が第２のコンパレー
タＣＭＰ２の＋端子に入力され、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０を
流れる充電電流で、所定電流以下の過小電流の検出が開
始される。

【００３５】当初、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０の充電電流は大
きいため、過小電流検出回路１４４は何も検出しない
が、その後、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０への充電が進み、その
充電電流が小さくなり、充電完了電流にまで小さくなる
と、過小電流検出回路１４４がこれを検出し、検出信号
をドライバ１４２に出力する。

【００３６】ドライバ１４２はこの検出信号が入力され
ると、温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１のスイッチングを
停止させ、この温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１をオフに
する制御を行って、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０への充電を停止
する。

【００３７】ここで、過小電流検出回路１４４の動作に
ついて補足説明する。過小電流検出回路１４４のＦＥＴ
ＱＢ３がスイッチングすると、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０の端
子電圧が抵抗２２に印加されると共に、この端子電圧が
比較回路２１の＋端子に入力され、−端子に入力される
抵抗Ｒｒ２による基準電圧Ｖｒｅｆ２と比較される。

【００３８】その後、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０への充電電流
が低下するに伴い、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０の端子電圧が上
昇するため、前記充電完了電流に対応する前記端子電圧
を第２のコンパレータＣＭＰ２で検出できるように前記
基準電圧Ｖｒｅｆ２の値を調整しておけば、結局、第２
のコンパレータＣＭＰ２で前記充電完了電流を検出する
ことができる。

【００３９】また、前記Ｎｉ−Ｃｄ電池５０の充電中
に、何らかの原因で例えばＮｉ−Ｃｄ電池５０がショー
トし、過電流が流れた場合、過電流検出回路１４３が温
度センサー内蔵ＦＥＴ１４１のドレイン、ソース間電圧
と抵抗Ｒｒ１による基準電圧Ｖｒｅｆ１とをコンパレー
タＣＭＰ１により比較することにより、この過電流を検
出し、検出信号をドライバ１４２に出力する。これによ
り、ドライバ１４２は温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１を
オン、オフにする制御を行って、温度センサー内蔵ＦＥ
Ｔを加熱シャットダウンさせることによりＮｉ−Ｃｄ電
池５０の充電を停止する。

【００４０】本実施の形態によれば、電源トランス１２
の２次側は整流回路を構成するダイオードと抵抗Ｒ３の
他に、１チップ化された電流振動型遮断機能付きスイッ
チング回路１４のみとなり、回路構成を極めてシンプル
として部品点数を減らすことができ、回路の組立性や回
路の信頼性を著しく向上させることができる。

【００４１】また、Ｎｉ−Ｃｄ電池５０への充電電流を
電流振動型遮断機能付きスイッチング回路１４を通して
供給する構成により、充電完了電流を検出してＮｉ−Ｃ
ｄ電池への充電を終了できると共に、Ｎｉ−Ｃｄ電池５
０がショートして過電流が流れたような場合、電流振動
型遮断機能付きスイッチング回路１４がこれを検出して
Ｎｉ−Ｃｄ電池５０への充電電流の供給を停止ことがで
きる。これにより、ヒューズ不要で、過電流保護を行う
ことができる。また、前記ショートなどの不具合が修復
されれば、電流振動型遮断機能付きスイッチング回路１
４は自動復帰して装置は動作可能状態となるため、ヒュ
ーズを取り替える手間を省くことができる。

【００４２】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の充
電装置によれば、電流振動型遮断機能付きスイッチング
回路を用いることにより、ヒューズを用いることなく過
電流保護ができ、且つ装置の組立性並びに信頼性を向上
させると共に装置の小型化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の充電装置の一実施の形態を示した回路
図である。

【図２】図１に示した電流振動型遮断機能付きスイッチ
ング回路１４の内部構成を示した回路図である。

【図３】図２に示した温度センサー内蔵ＦＥＴ１４１の
内部構成を示した回路図である。

【図４】従来の充電装置の構成例を示した回路図であ
る。

【符号の説明】

１１ 電源スイッチ １２ 電源トランス １３ ダイオード １４ 電流振動型遮断機能付きスイッチング回路 ２０ 商用電源 ２１ ＦＥＴ ２２、Ｒ３、Ｒ４ 抵抗 ２３ 比較回路 ２４ 基準電圧発生回路 ５０ Ｎｉ−Ｃｄ電池 １４１ 温度センサー内蔵ＦＥＴ １４２ ドライバー １４３ 過電流検出回路 １４４ 過小電流検出回路 １４５ チャージポンプ ＺＤ ツェナーダイオード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｋ 17/08 Ｈ０３Ｋ 17/08 Ｃ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 充電電流を発生する電源回路と、 前記電源回路により発生された充電電流を２次電池に供
   給する電流振動型遮断機能付きスイッチング回路とを具
   備し、 且つ、前記電流振動型遮断機能付きスイッチング回路
   は、入力される制御信号に応じてスイッチング制御され
   ることにより前記充電電流を前記２次電池に供給する半
   導体スイッチング素子と、 前記２次電池が接続された状態で前記半導体スイッチン
   グ素子の端子間電圧特性と等価な電圧特性を有する第１
   の基準電圧を発生する第１の基準電圧発生手段と、 前記半導体スイッチング素子の端子間電圧の電圧特性と
   前記第１の基準電圧との差を検出する第１の検出手段
   と、 前記第１の検出手段により検出された端子間電圧と前記
   第１の基準電圧との差に応じて前記半導体スイッチング
   素子をオン／オフ制御する第１の制御手段と、 前記２次電池が接続された状態で前記半導体スイッチン
   グ素子の端子間電圧特性と等価な電圧特性を有する第２
   の基準電圧を発生する第２の基準電圧発生手段と、 前記２次電池の端子間電圧と前記第２の基準電圧との差
   を検出する第２の検出手段と、 前記第２の検出手段の検出結果に応じて前記半導体スイ
   ッチング素子をオフ制御する第２の制御手段とを有する
   ことを特徴とする充電装置。
2. 【請求項２】 前記第２の検出手段は前記２次電池が充
   電完了した際の充電電流値を検出し、前記第２の制御手
   段は前記２次電池が充電完了した際の充電電流値が検出
   されると、前記半導体スイッチング素子をオフして、前
   記２次電池への充電電流の供給を遮断することを特徴と
   する請求項１記載の充電装置。
3. 【請求項３】 前記半導体スイッチング素子は加熱遮断
   機能付きスイッチング回路を有する温度センサー内蔵Ｆ
   ＥＴであることを特徴とする請求項１又は２記載の充電
   装置。