JP4688693B2 - 電力供給制御装置 - Google Patents
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Description
本構成によれば、充電回路は、その充電動作過程において、例えば負荷での短絡などの負荷異常の発生により負荷電流が第2閾値(MOSFETに強制遮断動作をさせるための第1閾値よりも低い値)を超えた場合に高速充電に変更するように制御される。従って、負荷異常が発生せずに負荷電流が第2閾値以下のときにはMOSFETに比較的に遅い充電速度(単位時間当たりにゲートに充電される電荷量)による通電動作を行わせることで、ノイズ発生を抑制できる。また、負荷電流が上記第1閾値を超えるような負荷異常が発生したときには、第2閾値を超えた時点で高速充電に変更することで、早期に負荷電流を第1閾値に到達させてMOSFETの強制遮断動作を迅速に実行させることができる。
本構成によれば、クロック発生回路からのクロック信号の周波数に応じた昇圧動作を行う充電回路において、そのクロック信号の周波数を変更することにより、充電回路の充電速度を変更する構成とした。これにより、比較的に簡単な構成で充電速度の変更を行うことができる。
本構成によれば、オンオフ制御されるバッファ回路から昇圧用コンデンサへの充放電電流に応じた昇圧動作を行う充電回路において、その充放電電流の電流量を変更することにより、充電回路の充電速度を変更する構成とした。
本構成によれば、オンオフ制御されるバッファ回路から昇圧用コンデンサへの充放電電流に応じた昇圧動作を行う充電回路において、その昇圧用コンデンサの容量を変更することにより、充電回路の充電速度を変更する構成とした。
バッファ回路による昇圧用コンデンサの充電電圧を変更するにより、充電回路の充電速度を変更する構成とした。
昇圧コンデンサを備えてゲート電位を昇圧する本来の第1充電部とは別に、電源からゲートへの間にスイッチ素子を介してゲートへの充電経路を設けて、このスイッチ素子をオンオフ動作させることにより、充電回路の充電速度を変更する構成とした。また、上記請求項3から請求項6の構成に比べてゲート電位の昇圧動作によるノイズの低減を図ることができる。
本構成によれば、負荷電流が第2閾値以下のときに実行される遮断動作(例えば、負荷電流が第2閾値以下のときにMOSFETに遮断動作をさせるためのオフ指令信号に基づき実行される通常遮断動作)時にはMOSFETに比較的に遅い放電速度(単位時間当たりにゲートから放電される電荷量)による遮断動作を行わせることでノイズ発生を抑制できる。一方、負荷電流が第2閾値を超えているときに実行される遮断動作、例えば上記強制遮断動作時には高速放電により第1電流異常の検出時点からMOSFETを即座に強制遮断状態に移行させることができ、電力損失を更に軽減できる。
本構成によれば、MOSFETのゲートとソースとの間に並列接続された複数の放電用スイッチ素子に対するオン動作の組み合わせパターンを変更させることにより、放電回路の放電速度を変更する構成とした。
本発明の実施形態1を図1〜図5を参照しつつ説明する。
1.電力供給制御装置の構成
(1)全体構成
図1は、本実施形態に係る電力供給制御装置10の全体構成のブロック図である。この電力供給制御装置10は図示しない車両に搭載され、その車両用電源(以下、「電源12」)から負荷11として例えば車両用のランプ、クーリングファン用モータやデフォッガー用ヒータなどへの電力供給制御を行うために使用される。なお、以下では、「負荷」は電力供給制御装置10の制御対象装置であって、電力供給制御装置10とその制御対象装置との間に連なる電線30を含まない意味とし、「外部回路」を負荷11と電線30とを含めた意味として説明する。
(1)入力インターフェース部
入力インターフェース部22は、入力側が入力端子P1に接続されており、操作スイッチ15がオフしているときにハイレベルの制御信号S1が、オンしているときにローレベルの制御信号S1が入力され、この制御信号S1が内部グランド生成部23及びコントロールロジック部27に与えられる。電力供給制御装置10は、後述するように、電流異常も温度異常も発生していない正常状態においては、上記ローレベルの制御信号S1を受けるとゲート駆動部28によってパワーMOSFET14をターンオンして通電状態とする一方で、ハイレベルの制御信号S1を受けるとゲート駆動部28によってパワーMOSFET14をターンオフして遮断状態にする。従って、本実施形態では、ローレベルの制御信号S1が「オン指令信号」に相当し、ハイレベルの制御信号S1が「オフ指令信号」に相当する。
定電圧電源生成回路としての内部グランド生成部23は、入力インターフェース部22からローレベルの制御信号S1(オン指令信号)を受けているときに通電して、電源電圧Vccよりも所定電圧分低い内部グランドGND2を生成する。そして、電源電圧Vccから内部グランドGND2を差し引いた定電圧がコントロールロジック部27に供給されることで、このコントロールロジック部27が動作可能な状態となる。
電流検出部24は、図1に示すように、カレントミラー部51と、閾値電圧生成部52と、過電流異常検出部53とを備えて構成されている。図2は、カレントミラー部51、閾値電圧生成部52及び過電流異常検出部53を拡大して示す回路であり、他の回路構成は一部省略されている。
カレントミラー部51は、パワーMOSFET14とセンスMOSFET18との出力側電位(ソース電位)を同電位に保持するための電位制御回路54と、1対のカレントミラー回路55,55とを備えている。
過電流異常検出部53は、複数(本実施形態では2つ)の比較回路58,59(本実施形態では、ヒステリシスコンパレータ)を備え、外部端子P5の端子電圧Voが比較回路58の一方の入力端子に与えられると共に、比較回路59の一方の入力端子に与えられる。
閾値電圧生成部52は、基準電圧を複数の抵抗で分圧する分圧回路を備え、この分圧回路によって生成される複数の分圧電圧を、上記第1異常用閾値電圧Voc及び第2異常用閾値電圧Vfcとして出力する。具体的には、閾値電圧生成部52は、図2に示すように、パワーMOSFET14のソースとグランド端子P6との間に接続された分圧回路60を備える。この分圧回路60は、複数の抵抗(本実施形態では3つの抵抗60a〜60c)を直列接続して構成されており、抵抗60aと抵抗60bとの接続点Aの分圧電圧が上記第2異常用閾値電圧Vfcとして出力され、抵抗60bと抵抗60cとの接続点Bの分圧電圧が上記第1異常用閾値電圧Vocとして出力される。
過熱検出部25は、パワーチップ20に設けられた温度センサ19から当該パワーチップ20の温度に応じた温度信号S4を受ける。そして、過熱検出部25は、所定の温度閾値を超える異常温度を示す温度信号S4を受けたときに温度異常を検出してローレベルの異常温度信号OTをコントロールロジック部27に与える。
コントロールロジック部27は、前述したように、入力インターフェース部22からの制御信号S1、電流検出部24からの第1異常電流信号OC及び第2異常電流信号FC、過熱検出部25からの異常温度信号OTを受けて、制御信号S1及び第2異常電流信号FCをそのままゲート駆動部28に与える。また、コントロールロジック部27は、電流検出部24からのローレベルの第1異常電流信号OC、及び、過熱検出部25からのローレベルの異常温度信号OTのうち少なくともいずれか一方を受けたことを条件に、パワーMOSFET14に所定の基準遮断時間だけ強制的に遮断動作させた後に、その強制遮断状態を解除する。以下、このときの強制遮断(動作)を「第1強制遮断(動作)」という。なお、本実施形態において、強制遮断とは、電力供給制御装置10がローレベルの制御信号S1(オン指令信号)を受けていてもパワーMOSFET14を遮断状態にすることをいう。
図4は、ゲート駆動部28の構成を示した概要図である。ゲート駆動部28は、コントールロジック部27から制御信号S1、第2異常電流信号FC及び出力信号Inhibitとが入力される。ゲート駆動部28は、電源端子P2とパワーMOSFET14及びセンスMOSFET18(同図では省略)のゲートとの間に接続されたチャージポンプ90(「第1充電部」に相当)と、パワーMOSFET14及びセンスMOSFET18のゲートとソースの間に接続された通常放電用FET91(「放電用スイッチ素子」に相当)とを備える。
以上のように、本実施形態によれば、ゲート駆動部28は、正常状態時でローレベルの制御信号S1(オン指令信号)を受けると、チャージポンプ90のみを駆動させてパワーMOSFET14に通常充電動作を行う。これにより、ノイズ発生を抑制できる。一方、負荷異常状態でローレベルの制御信号S1(オン指令信号)を受けると、負荷電流ILが第2異常用閾値電流ILfcを超えた時点でチャージポンプ90に加えて異常時急速充電用FET92をもオンして急速充電動作を行う。これにより、負荷電流ILを第1異常用閾値電流ILocに早期に到達させてMOSFETの第1強制遮断動作を迅速に実行させることができる。
図6は(請求項3の発明に対応する)実施形態2を示す。前記実施形態との相違は、充電回路の構成にあり、その他の点は前記実施形態1と同様である。従って、実施形態1と同一符号を付して重複する説明を省略し、異なるところのみを次に説明する。
図7は(請求項4の発明に対応する)実施形態3を示す。本実施形態は、上記実施形態2の構成(図6参照)において、クロック発生回路101から一周波数のクロック信号をチャージポンプ部100に与える構成とし、バッファ回路107,109の構成に改良を加えたものとなっている。
図8は(請求項5の発明に対応する)実施形態4を示す。本実施形態は、上記実施形態2の構成(図6参照)において、クロック発生回路101から一周波数のクロック信号をチャージポンプ部100に与える構成とし、昇圧用コンデンサ105,106それぞれに、異常時昇圧コンデンサ120,121及びスイッチ素子122,123(「容量変更回路」に相当)を並列接続したものとなっている。
図9は(請求項6の発明に対応する)実施形態5を示す。本実施形態は、上記実施形態2の構成(図6参照)において、クロック発生回路101から一周波数のクロック信号をチャージポンプ部100に与える構成とし、バッファ回路107,109の構成に改良を加えたものとなっている。
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)上記各実施形態では、MOSFETとしてnチャネル型のものを備えた電力供給制御装置10について説明したが、これに限らず、pチャネル型のMOSFETを備えた構成であっても本発明の適用することができる。この場合、pチャネル型のMOSFETのゲートと電源61との間に上記した放電のための回路が配され、ゲートとソースとの間に充電のための回路が配されることになる。
11…負荷
12…電源
13…通電路
14…パワーMOSFET(MOSFET)
18…センスMOSFET(電流検出素子)
24…電流検出部(過電流保護回路)
27…コントールロジック部(制御回路、過電流保護回路)
90…チャージポンプ(充電回路、第1充電部)
91…通常放電用FET(放電回路、放電用スイッチ素子)
92…異常時急速充電用FET(充電回路、第2充電部)
93…ダイオード(充電回路、第2充電部)
94…異常時急速放電用FET(放電回路、放電用スイッチ素子)
100…チャージポンプ部
101…クロック発生回路
105,106…昇圧用コンデンサ
107,109…バッファ回路
112,113,115,116…定電流回路(電流変更回路)
114,117…スイッチ素子(電流変更回路)
120,121…異常時昇圧コンデンサ(容量変更回路)
122,123…スイッチ素子(容量変更回路)
130…ツェナーダイオード(充電電圧変更回路)
131…スイッチ素子(充電電圧変更回路)
ILoc…第1異常用閾値電流(第1閾値)
ILfc…第2異常用閾値電流(第2閾値)
Is…センス電流(電流検出素子からの電流検出信号)
IL…負荷電流
S5、S6…クロック信号
Claims (9)
- 電源と負荷との間に設けられて前記電源から前記負荷への電力供給を制御する電力供給制御装置であって、
前記電源から前記負荷への通電路に配されるMOSFETと、
前記MOSFETに流れる負荷電流を検出する電流検出素子と、
前記電流検出素子からの電流検出信号に基づき前記MOSFETに流れる負荷電流が第1閾値を超える第1電流異常になった場合に前記MOSFETに強制遮断動作を行わせる過電流保護回路と、
前記MOSFETに通電動作をさせるためのオン指令信号に基づき前記MOSFETのゲートに充電電流を流して当該MOSFETに通電動作を行わせるものであって、その充電速度が変更可能とされた充電回路と、
前記電流検出素子からの電流検出信号に基づき前記MOSFETに流れる負荷電流が前記第1閾値よりも低い第2閾値を超える第2電流異常になった場合に、前記充電回路に対して、その充電速度を、前記負荷電流が当該第2閾値以下のときよりも速い速度に変更させる制御を行う制御回路と、を備える電力供給制御装置。 - 前記MOSFETは、nチャネル型である請求項1に記載の電力供給制御装置。
- 前記充電回路は、チャージポンプ部と、前記チャージポンプ部に異なる周波数でクロック信号を与えることが可能とされ、その与えたクロック信号の周波数に応じた昇圧動作を前記チャージポンプ部にさせるクロック発生回路とを有して構成され、
前記制御回路は、前記チャージポンプ部に与える前記クロック信号の周波数を変更させることで前記充電回路の充電速度を変更させるよう制御する請求項1または請求項2に記載の電力供給制御装置。 - 前記充電回路は、昇圧用コンデンサと、オンオフ制御されて前記昇圧用コンデンサを充放電させるバッファ回路と、当該バッファ回路による充放電電流の電流量を変更する電流変更回路とを有して構成され、
前記制御回路は、前記充放電電流の電流量を変更させることで前記充電回路の充電速度を変更するよう制御する請求項1または請求項2に記載の電力供給制御装置。 - 前記充電回路は、昇圧用コンデンサと、オンオフ制御されて前記昇圧用コンデンサを充放電させるバッファ回路と、前記昇圧用コンデンサの容量を変更する容量変更回路とを有して構成され、
前記制御回路は、前記昇圧用コンデンサの容量を変更させることで前記充電回路の充電速度を変更するよう制御する請求項1または請求項2に記載の電力供給制御装置。 - 前記充電回路は、その昇圧動作による昇圧用コンデンサと、オンオフ制御されて前記昇圧用コンデンサを充放電させるバッファ回路と、そのバッファ回路による前記昇圧用コンデンサの充電電圧を変更する充電電圧変更回路とを有して構成され、
前記制御回路は、前記充電電圧を変更させることで前記充電回路の充電速度を変更するよう制御する請求項1または請求項2に記載の電力供給制御装置。 - 前記充電回路は、前記電源と前記MOSFETのゲートとの間に設けられるとともに昇圧用コンデンサを有して昇圧動作を行う第1充電部と、前記電源と前記MOSFETとの間に配されたスイッチ素子を有しこのスイッチ素子のオン動作によって前記ゲートへの充電経路を形成する第2充電部とを備えて構成され、
前記制御回路は、前記スイッチ素子をオンオフ動作させることで前記充電回路の充電速度を変更するよう制御する請求項1または請求項2に記載の電力供給制御装置。 - 前記MOSFETのゲート電荷を放電して当該MOSFETに遮断動作を行わせるものであって、その放電速度が変更可能とされた放電回路を備え、
前記制御回路は、前記負荷電流が前記第2閾値を超えているときに実行される遮断動作時には、前記放電回路に対して、その放電速度を、前記負荷電流が前記第2閾値以下のときに実行される遮断動作時よりも速い速度に変更させる制御を行う請求項1から請求項7のいずれかに記載の電力供給制御装置。 - 前記放電回路は、前記MOSFETのゲートとソースとの間に並列接続された複数の放電用スイッチ素子を備えて構成され、
前記制御回路は、前記複数の放電用スイッチ素子に対するオン動作の組み合わせパターンを変更させることで前記放電回路の放電速度を変更するよう制御する請求項8に記載の電力供給制御装置。
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