JP2000311789A - オートライトコントロールシステム - Google Patents
オートライトコントロールシステムInfo
- Publication number
- JP2000311789A JP2000311789A JP2000017001A JP2000017001A JP2000311789A JP 2000311789 A JP2000311789 A JP 2000311789A JP 2000017001 A JP2000017001 A JP 2000017001A JP 2000017001 A JP2000017001 A JP 2000017001A JP 2000311789 A JP2000311789 A JP 2000311789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- power supply
- circuit
- signal
- analog
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B39/00—Circuit arrangements or apparatus for operating incandescent light sources
- H05B39/04—Controlling
- H05B39/041—Controlling the light-intensity of the source
- H05B39/044—Controlling the light-intensity of the source continuously
- H05B39/047—Controlling the light-intensity of the source continuously with pulse width modulation from a DC power source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B39/00—Circuit arrangements or apparatus for operating incandescent light sources
- H05B39/04—Controlling
- H05B39/041—Controlling the light-intensity of the source
- H05B39/042—Controlling the light-intensity of the source by measuring the incident light
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Lighting Device Outwards From Vehicle And Optical Signal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な回路構成によってランプの明るさを周
囲の明るさに応じて制御すること。 【解決手段】 周囲の明るさに応じたレベルのアナログ
信号をコンライトセンサ１０から出力し、このアナログ
信号をＡ／Ｄ変換回路３０７でそのレベルに応じたパル
ス幅のディジタル信号に変換し、このディジタル信号
（ＰＷＭ）にしたがってＦＥＴＱＡをオンオフ制御する
とともに、ヘッドライトＬ１に流れる電流の平均値のレ
ベルを制御し、周囲の明かるさに応じてヘッドライトＬ
１の明るさを調整する。
囲の明るさに応じて制御すること。 【解決手段】 周囲の明るさに応じたレベルのアナログ
信号をコンライトセンサ１０から出力し、このアナログ
信号をＡ／Ｄ変換回路３０７でそのレベルに応じたパル
ス幅のディジタル信号に変換し、このディジタル信号
（ＰＷＭ）にしたがってＦＥＴＱＡをオンオフ制御する
とともに、ヘッドライトＬ１に流れる電流の平均値のレ
ベルを制御し、周囲の明かるさに応じてヘッドライトＬ
１の明るさを調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、オートライトコン
トロールシステムに係り、特に、ヘッドライトなどの灯
火系ライトの明るさを周囲の明かるさに応じて制御する
に好適なオートライトコントロールシステムに関する。
トロールシステムに係り、特に、ヘッドライトなどの灯
火系ライトの明るさを周囲の明かるさに応じて制御する
に好適なオートライトコントロールシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、オートライトコントロールシステ
ムとしては、図５に示すものが知られている。このシス
テムは、コンライトセンサ１、ＣＰＵ（マイクロプロセ
ッサ）２、リレー３、４、ＦＥＴ５、クリアランプ（テ
ールランプ）６、ヘッドランプ（ヘッドライト）７、ヘ
ッドランプ８を備えて構成されている。
ムとしては、図５に示すものが知られている。このシス
テムは、コンライトセンサ１、ＣＰＵ（マイクロプロセ
ッサ）２、リレー３、４、ＦＥＴ５、クリアランプ（テ
ールランプ）６、ヘッドランプ（ヘッドライト）７、ヘ
ッドランプ８を備えて構成されている。
【０００３】コンライトセンサ１は、図６に示すよう
に、周囲の明るさに感応して周囲の明るさに応じたレベ
ルのアナログ信号を出力するようになっている。ＣＰＵ
２は、コンライトセンサ１からのアナログ信号をディジ
タル信号に変換し、コンライトセンサ１の検出レベルと
設定レベルとを比較し、検出レベルが設定レベルｂ１を
超えたときにはリレー３を駆動してクリアランプ６を点
灯し、さらにコンライトセンサ１の検出レベルが設定レ
ベルｂ２を超えたときにはリレー４を駆動してヘッドラ
ンプ７を点灯するとともに、ＦＥＴ５にＰＷＭ信号を与
えてＦＥＴ５をオンオフ駆動し、ヘッドランプ８を断続
して点灯するように構成されている。
に、周囲の明るさに感応して周囲の明るさに応じたレベ
ルのアナログ信号を出力するようになっている。ＣＰＵ
２は、コンライトセンサ１からのアナログ信号をディジ
タル信号に変換し、コンライトセンサ１の検出レベルと
設定レベルとを比較し、検出レベルが設定レベルｂ１を
超えたときにはリレー３を駆動してクリアランプ６を点
灯し、さらにコンライトセンサ１の検出レベルが設定レ
ベルｂ２を超えたときにはリレー４を駆動してヘッドラ
ンプ７を点灯するとともに、ＦＥＴ５にＰＷＭ信号を与
えてＦＥＴ５をオンオフ駆動し、ヘッドランプ８を断続
して点灯するように構成されている。
【０００４】すなわち、リレー方式によってクリアラン
プ６、ヘッドランプ７の点灯を制御するとともに、半導
体方式によってヘッドランプ８の点灯を制御するように
構成されている。
プ６、ヘッドランプ７の点灯を制御するとともに、半導
体方式によってヘッドランプ８の点灯を制御するように
構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、クリア
ランプ６、ヘッドランプ７、８の明るさを制御するに際
して、ＣＰＵ２などの制御系を必要とし、回路構成を簡
素化することが困難である。
ランプ６、ヘッドランプ７、８の明るさを制御するに際
して、ＣＰＵ２などの制御系を必要とし、回路構成を簡
素化することが困難である。
【０００６】本発明の目的は、簡単な回路構成によって
負荷となるランプの明るさを周囲の明るさに応じて制御
することができるオートライトコントロールシステムを
提供することにある。
負荷となるランプの明るさを周囲の明るさに応じて制御
することができるオートライトコントロールシステムを
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、周囲の明るさに感応して周囲の明るさに
応じたアナログ信号を出力するライトセンサと、前記ラ
イトセンサの出力によるアナログ信号をそのレベルに応
じたパルス幅のディジタル信号に変換し、このディジタ
ル信号を駆動信号として出力するアナログ・ディジタル
変換手段と、負荷と電源を結ぶ電源回路中に挿入されて
前記駆動信号により導通して前記電源回路を閉じる第１
のスイッチング手段とを備えてなるオートライトコント
ロールシステムを構成したものである。
に、本発明は、周囲の明るさに感応して周囲の明るさに
応じたアナログ信号を出力するライトセンサと、前記ラ
イトセンサの出力によるアナログ信号をそのレベルに応
じたパルス幅のディジタル信号に変換し、このディジタ
ル信号を駆動信号として出力するアナログ・ディジタル
変換手段と、負荷と電源を結ぶ電源回路中に挿入されて
前記駆動信号により導通して前記電源回路を閉じる第１
のスイッチング手段とを備えてなるオートライトコント
ロールシステムを構成したものである。
【０００８】前記オートライトコントロールシステムを
構成するに際しては、以下の要素を付加することができ
る。
構成するに際しては、以下の要素を付加することができ
る。
【０００９】（１）前記電源から電流の供給を受けて基
準電圧を発生する基準抵抗と、前記電源と前記基準抵抗
とを結ぶ分流回路中に挿入されて前記駆動信号により導
通して前記分流回路を閉じる第２のスイッチング手段と
を備えてなる。
準電圧を発生する基準抵抗と、前記電源と前記基準抵抗
とを結ぶ分流回路中に挿入されて前記駆動信号により導
通して前記分流回路を閉じる第２のスイッチング手段と
を備えてなる。
【００１０】（２）前記第１のスイッチング手段の出力
電圧と前記基準電圧とを比較して両者の電圧の差が許容
値から外れたときに前記アナログ・ディジタル変換手段
に駆動信号の出力を提出させる駆動停止手段を備えてな
る。
電圧と前記基準電圧とを比較して両者の電圧の差が許容
値から外れたときに前記アナログ・ディジタル変換手段
に駆動信号の出力を提出させる駆動停止手段を備えてな
る。
【００１１】前記した手段によれば、ライトセンサの出
力をアナログ・ディジタル変換手段を介して第１のスイ
ッチング手段に与えて第１のスイッチング手段を常時オ
ンオフ制御することで、周囲の明るさに応じて負荷とな
るライトの明るさを制御することができ、ＣＰＵを用い
ることなく簡単な回路構成によっても負荷、例えば、ラ
イトの明るさを周囲の明るさに応じて制御することがで
きる。
力をアナログ・ディジタル変換手段を介して第１のスイ
ッチング手段に与えて第１のスイッチング手段を常時オ
ンオフ制御することで、周囲の明るさに応じて負荷とな
るライトの明るさを制御することができ、ＣＰＵを用い
ることなく簡単な回路構成によっても負荷、例えば、ラ
イトの明るさを周囲の明るさに応じて制御することがで
きる。
【００１２】また、基準抵抗と第２のスイッチング手段
を設けることで第１のスイッチング手段の駆動を安定し
た状態に制御することができる。
を設けることで第１のスイッチング手段の駆動を安定し
た状態に制御することができる。
【００１３】さらに、駆動停止手段を設けることで、異
常時に第１のスイッチング手段の駆動を停止させること
ができ、負荷短絡などの異常時にスイッチング手段を保
護することができる。
常時に第１のスイッチング手段の駆動を停止させること
ができ、負荷短絡などの異常時にスイッチング手段を保
護することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】まず、本発明の実施の形態を説明
する前に、本発明を適用した電流振動型遮断機能付きス
イッチング・デバイスの基本構成およびその基本的な動
作について説明する。
する前に、本発明を適用した電流振動型遮断機能付きス
イッチング・デバイスの基本構成およびその基本的な動
作について説明する。
【００１５】電流振動型遮断機能付きスイッチング・デ
バイスは、図１に示すように、半導体チップ１１０上に
各種の回路素子を集積化した半導体集積回路（パワーＩ
Ｃ）として構成されており、電源端子Ｔ１が出力電圧Ｖ
Ｂ（例えば＋１２ボルト）の電源１０１に接続され、接
地端子Ｔ２が接地され、出力端子Ｔ３が負荷１０２に接
続されている。
バイスは、図１に示すように、半導体チップ１１０上に
各種の回路素子を集積化した半導体集積回路（パワーＩ
Ｃ）として構成されており、電源端子Ｔ１が出力電圧Ｖ
Ｂ（例えば＋１２ボルト）の電源１０１に接続され、接
地端子Ｔ２が接地され、出力端子Ｔ３が負荷１０２に接
続されている。
【００１６】この半導体チップ１１０上には、感熱遮断
機能を有する半導体素子（パワーデバイス）として、ｎ
チャネル温度センサー内蔵ＦＥＴＱＡが集積化されてい
る。この温度センサー内蔵ＦＥＴＱＡは、ドレイン電極
がドレイン端子Ｄ、電源端子Ｔ１を介して電源１０１に
接続され、ソース電極がソース端子Ｓ、出力端子Ｔ３を
介して負荷１０２に接続され、ゲート電極がゲート端子
ＴＧ、抵抗ＲＧを介して駆動回路１１１に接続されてい
る。この温度センサー内蔵ＦＥＴＱＡは、電源１０１と
負荷１０２とを結ぶ電源回路中に挿入されてゲート端子
ＴＧに入力される駆動信号（オンパルス信号）に応答し
て導通（オン）して、電源回路を閉じる第１のスイッチ
ング手段として構成されている。そしてこの温度センサ
ー内蔵ＦＥＴＱＡと並列に基準デバイスとして、ｎチャ
ネルＦＥＴＱＢ、ＦＥＴＱＣが集積化されている。
機能を有する半導体素子（パワーデバイス）として、ｎ
チャネル温度センサー内蔵ＦＥＴＱＡが集積化されてい
る。この温度センサー内蔵ＦＥＴＱＡは、ドレイン電極
がドレイン端子Ｄ、電源端子Ｔ１を介して電源１０１に
接続され、ソース電極がソース端子Ｓ、出力端子Ｔ３を
介して負荷１０２に接続され、ゲート電極がゲート端子
ＴＧ、抵抗ＲＧを介して駆動回路１１１に接続されてい
る。この温度センサー内蔵ＦＥＴＱＡは、電源１０１と
負荷１０２とを結ぶ電源回路中に挿入されてゲート端子
ＴＧに入力される駆動信号（オンパルス信号）に応答し
て導通（オン）して、電源回路を閉じる第１のスイッチ
ング手段として構成されている。そしてこの温度センサ
ー内蔵ＦＥＴＱＡと並列に基準デバイスとして、ｎチャ
ネルＦＥＴＱＢ、ＦＥＴＱＣが集積化されている。
【００１７】ＦＥＴＱＢはドレイン電極がドレイン端子
Ｄ、電源端子Ｔ１を介して電源１０１に接続され、ソー
ス電極が出力端子Ｔ４を介して第１の基準抵抗Ｒｒ１に
接続され、ゲート電極がゲート端子ＴＧを介して抵抗Ｒ
Ｇに接続されている。ＦＥＴＱＣは、ドレイン電極がド
レイン端子Ｄ、電源端子Ｔ１を介して電源１０１に接続
され、ソース電極が出力端子Ｔ５を介して第２の基準抵
抗Ｒｒ２に接続され、ゲート電極がゲート端子ＴＧを介
して抵抗ＲＧに接続されている。ＦＥＴＱＢは、ゲート
端子ＴＧに入力される駆動信号（オンパルス信号）によ
り導通して、電源端子Ｔ１と第１の基準抵抗Ｒｒ１とを
結ぶ分流回路を閉じる第２のスイッチング手段として構
成されている。ＦＥＴＱＣは、ゲート端子ＴＧに入力さ
れる駆動信号（オンパルス信号）により導通して、電源
端子Ｔ１と第２の基準抵抗Ｒｒ２とを結ぶ分流回路を閉
じる第３のスイッチング手段として構成されている。
Ｄ、電源端子Ｔ１を介して電源１０１に接続され、ソー
ス電極が出力端子Ｔ４を介して第１の基準抵抗Ｒｒ１に
接続され、ゲート電極がゲート端子ＴＧを介して抵抗Ｒ
Ｇに接続されている。ＦＥＴＱＣは、ドレイン電極がド
レイン端子Ｄ、電源端子Ｔ１を介して電源１０１に接続
され、ソース電極が出力端子Ｔ５を介して第２の基準抵
抗Ｒｒ２に接続され、ゲート電極がゲート端子ＴＧを介
して抵抗ＲＧに接続されている。ＦＥＴＱＢは、ゲート
端子ＴＧに入力される駆動信号（オンパルス信号）によ
り導通して、電源端子Ｔ１と第１の基準抵抗Ｒｒ１とを
結ぶ分流回路を閉じる第２のスイッチング手段として構
成されている。ＦＥＴＱＣは、ゲート端子ＴＧに入力さ
れる駆動信号（オンパルス信号）により導通して、電源
端子Ｔ１と第２の基準抵抗Ｒｒ２とを結ぶ分流回路を閉
じる第３のスイッチング手段として構成されている。
【００１８】ＦＥＴＱＡ、ＱＢ、ＱＣとしては、例え
ば、ＤＭＯＳ構造、ＶＭＯＳ構造あるいはＵＭＯＳ構造
のパワーＭＯＳＦＥＴやこれらと類似な構造のＭＯＳＦ
ＥＴを用いることができるとともに、ＥＳＴ、ＭＣＴな
どのＭＯＳ複合型デバイスやＩＧＢＴなど他の絶縁ゲー
ト型パワーデバイスを用いることができる。また、常に
ゲートを逆バイアスで使うものであれば、接合型ＦＥ
Ｔ、接合型ＳＩＴやＳＩサイリスタなどを使用すること
もできる。さらに、パワーＩＣに用いるＦＥＴＱＡ、Ｑ
Ｂ、ＱＣとしては、ｎチャネル型でもｐチャネル型でも
用いることができる。
ば、ＤＭＯＳ構造、ＶＭＯＳ構造あるいはＵＭＯＳ構造
のパワーＭＯＳＦＥＴやこれらと類似な構造のＭＯＳＦ
ＥＴを用いることができるとともに、ＥＳＴ、ＭＣＴな
どのＭＯＳ複合型デバイスやＩＧＢＴなど他の絶縁ゲー
ト型パワーデバイスを用いることができる。また、常に
ゲートを逆バイアスで使うものであれば、接合型ＦＥ
Ｔ、接合型ＳＩＴやＳＩサイリスタなどを使用すること
もできる。さらに、パワーＩＣに用いるＦＥＴＱＡ、Ｑ
Ｂ、ＱＣとしては、ｎチャネル型でもｐチャネル型でも
用いることができる。
【００１９】また、温度センサー内蔵ＦＥＴＱＡ、Ｑ
Ｂ、ＱＣは、例えば、複数個のユニットセル（単位セ
ル）が並列接続されたマルチ・チャネル構造のパワーデ
バイスを用いて構成されており、各ＦＥＴが隣接して配
置されている。そしてＦＥＴＱＢ、ＱＣの電流容量はＦ
ＥＴＱＡの電流容量よりも小さく設定されている。この
設定は、ＦＥＴＱＢ、ＱＣを構成する並列接続のユニッ
トセル数で調整されている。例えば、ＦＥＴＱＢのユニ
ットセル数１に対して、ＦＥＴＱＡのユニットセル数が
１０００となるように構成されており、ＦＥＴＱＢとＦ
ＥＴＱＡのチャネル幅Ｗの比は、例えば１：１０００と
なっている。
Ｂ、ＱＣは、例えば、複数個のユニットセル（単位セ
ル）が並列接続されたマルチ・チャネル構造のパワーデ
バイスを用いて構成されており、各ＦＥＴが隣接して配
置されている。そしてＦＥＴＱＢ、ＱＣの電流容量はＦ
ＥＴＱＡの電流容量よりも小さく設定されている。この
設定は、ＦＥＴＱＢ、ＱＣを構成する並列接続のユニッ
トセル数で調整されている。例えば、ＦＥＴＱＢのユニ
ットセル数１に対して、ＦＥＴＱＡのユニットセル数が
１０００となるように構成されており、ＦＥＴＱＢとＦ
ＥＴＱＡのチャネル幅Ｗの比は、例えば１：１０００と
なっている。
【００２０】さらに、ＦＥＴＱＡのソース端子Ｓはコン
パレータＣＭＰ１とコンパレータＣＭＰ２のプラス入力
端子にそれぞれ接続されており、ＦＥＴＱＢのソース電
極はコンパレータＣＭＰ１のマイナス入力端子に接続さ
れ、ＦＥＴＱＣのソース電極はコンパレータＣＭＰ２の
マイナス入力端子に接続されている。コンパレータＣＭ
Ｐ１の出力端子は駆動回路１１１に接続され、コンパレ
ータＣＭＰ２の出力端子は半導体チップ１１０の出力端
子Ｔ６を介して、過小電流検出、ランプ断線検出、オー
プン検出を行なう異常検出部５０１に接続されている。
なお、ＦＥＴＱＡのソース端子Ｓはツェナーダイオード
ＺＤ１を介して駆動回路１１１に接続されており、この
ツェナーダイオードＺＤ１は、ＦＥＴＱＡ、ＦＥＴＱ
Ｂ、ＦＥＴＱＣのゲート端子ＴＧ・ソース端子Ｓ間を１
２ボルトに保ち、ゲート端子ＴＧに過電圧が印加された
ときに、この過電圧をバイパスするように構成されてい
る。
パレータＣＭＰ１とコンパレータＣＭＰ２のプラス入力
端子にそれぞれ接続されており、ＦＥＴＱＢのソース電
極はコンパレータＣＭＰ１のマイナス入力端子に接続さ
れ、ＦＥＴＱＣのソース電極はコンパレータＣＭＰ２の
マイナス入力端子に接続されている。コンパレータＣＭ
Ｐ１の出力端子は駆動回路１１１に接続され、コンパレ
ータＣＭＰ２の出力端子は半導体チップ１１０の出力端
子Ｔ６を介して、過小電流検出、ランプ断線検出、オー
プン検出を行なう異常検出部５０１に接続されている。
なお、ＦＥＴＱＡのソース端子Ｓはツェナーダイオード
ＺＤ１を介して駆動回路１１１に接続されており、この
ツェナーダイオードＺＤ１は、ＦＥＴＱＡ、ＦＥＴＱ
Ｂ、ＦＥＴＱＣのゲート端子ＴＧ・ソース端子Ｓ間を１
２ボルトに保ち、ゲート端子ＴＧに過電圧が印加された
ときに、この過電圧をバイパスするように構成されてい
る。
【００２１】一方、半導体チップ１１０上の他の領域に
は、電源Ｅｎａｂｌｅ部３０２、マスキング回路３０
３、ＯＮ／ＯＦＦ計数回路３０４、チャージポンプ回路
３０５、遮断ラッチ回路３０６が集積化されており、電
源Ｅｎａｂｌｅ部３０２が端子Ｔ７に接続され、マスキ
ング回路３０３が端子Ｔ８を介してコンデンサＣ１１に
接続され、ＯＮ／ＯＦＦ計数回路３０４が端子Ｔ９を介
してコンデンサＣ１２に接続され、駆動回路１１１が入
力端子Ｔ１０を介してスイッチＳＷ１と抵抗Ｒ１１に接
続され、遮断ラッチ回路３０６が出力端子Ｔ１１を介し
てダイアグ出力部（診断結果出力部）５０２に接続され
ている。
は、電源Ｅｎａｂｌｅ部３０２、マスキング回路３０
３、ＯＮ／ＯＦＦ計数回路３０４、チャージポンプ回路
３０５、遮断ラッチ回路３０６が集積化されており、電
源Ｅｎａｂｌｅ部３０２が端子Ｔ７に接続され、マスキ
ング回路３０３が端子Ｔ８を介してコンデンサＣ１１に
接続され、ＯＮ／ＯＦＦ計数回路３０４が端子Ｔ９を介
してコンデンサＣ１２に接続され、駆動回路１１１が入
力端子Ｔ１０を介してスイッチＳＷ１と抵抗Ｒ１１に接
続され、遮断ラッチ回路３０６が出力端子Ｔ１１を介し
てダイアグ出力部（診断結果出力部）５０２に接続され
ている。
【００２２】駆動回路１１１は、図２に示すように、ソ
ーストランジスタＱ５とシンクトランジスタＱ６を備え
ているとともに、スイッチＳＷ１の操作による信号また
はコンパレータＣＭＰ１からの信号に応答して、ソース
トランジスタＱ５とシンクトランジスタＱ６をオノ・オ
フ制御する半導体素子として、例えば、インバータ回路
を構成する半導体素子などを備えて構成されており、各
トランジスタＱ５、Ｑ６が互いに直列接続されている。
そしてソーストランジスタＱ５のコレクタが電位ＶＰの
端子に接続され、エミッタが抵抗ＲＧを介してゲート端
子ＴＧに接続されている。シンクトランジスタＱ６はコ
レクタが抵抗ＲＧを介してゲート端子ＴＧに接続され、
エミッタが接地電位（ＧＮＤ）に接続されている。電位
ＶＰの端子は、チャージポンプ回路３０５に接続されて
おり、この端子の電位ＶＰは、チャージポンプ回路３０
５の出力によって、電源１０１よりも高い電圧、例え
ば、電源１０１の電圧を１２Ｖとしたとき、１２Ｖ＋１
０Ｖに設定されている。
ーストランジスタＱ５とシンクトランジスタＱ６を備え
ているとともに、スイッチＳＷ１の操作による信号また
はコンパレータＣＭＰ１からの信号に応答して、ソース
トランジスタＱ５とシンクトランジスタＱ６をオノ・オ
フ制御する半導体素子として、例えば、インバータ回路
を構成する半導体素子などを備えて構成されており、各
トランジスタＱ５、Ｑ６が互いに直列接続されている。
そしてソーストランジスタＱ５のコレクタが電位ＶＰの
端子に接続され、エミッタが抵抗ＲＧを介してゲート端
子ＴＧに接続されている。シンクトランジスタＱ６はコ
レクタが抵抗ＲＧを介してゲート端子ＴＧに接続され、
エミッタが接地電位（ＧＮＤ）に接続されている。電位
ＶＰの端子は、チャージポンプ回路３０５に接続されて
おり、この端子の電位ＶＰは、チャージポンプ回路３０
５の出力によって、電源１０１よりも高い電圧、例え
ば、電源１０１の電圧を１２Ｖとしたとき、１２Ｖ＋１
０Ｖに設定されている。
【００２３】駆動回路１１１は、スイッチＳＷ１が投入
されて入力端子Ｔ１０がスイッチＳＷ１を介して接地さ
れたときに、入力端子Ｔ１０からの指令信号に応答して
ソーストランジスタＱ５がオンになり、出力端子（トラ
ンジスタＱ５とトランジスタＱ６との接続点）にハイレ
ベルの駆動信号（オンパルス信号）を出力する駆動手段
として構成されている。一方、スイッチＳＷ１が開かれ
たときには、入力端子Ｔ１０に抵抗Ｒ１１を介して電源
１０１の電圧が印加されるので、シンクトランジスタＱ
６がオンになって出力端子（トランジスタＱ５とトラン
ジスタＱ６との接続点）のレベルをローレベルに遷移さ
せるようになっている。なお、駆動回路１１１として
は、バイポーラトランジスタの代わりに、ＣＭＯＳＦＥ
Ｔを用いて構成することも可能である。
されて入力端子Ｔ１０がスイッチＳＷ１を介して接地さ
れたときに、入力端子Ｔ１０からの指令信号に応答して
ソーストランジスタＱ５がオンになり、出力端子（トラ
ンジスタＱ５とトランジスタＱ６との接続点）にハイレ
ベルの駆動信号（オンパルス信号）を出力する駆動手段
として構成されている。一方、スイッチＳＷ１が開かれ
たときには、入力端子Ｔ１０に抵抗Ｒ１１を介して電源
１０１の電圧が印加されるので、シンクトランジスタＱ
６がオンになって出力端子（トランジスタＱ５とトラン
ジスタＱ６との接続点）のレベルをローレベルに遷移さ
せるようになっている。なお、駆動回路１１１として
は、バイポーラトランジスタの代わりに、ＣＭＯＳＦＥ
Ｔを用いて構成することも可能である。
【００２４】上記構成による駆動回路１１１からの駆動
信号（オンパルス信号）がゲート端子ＴＧに入力される
と各ＦＥＴＱＡ、ＱＢ、ＱＣは導通し、各ＦＥＴのドレ
イン・ソース電極間の電圧は、図３に示すように、２Ｖ
以下に低下する。このとき負荷１０２が正常状態のとき
には、駆動回路１１１から駆動信号が出力されている間
は各ＦＥＴのドレイン・ソース電極間は２Ｖ以下に維持
され、ＦＥＴＱＡのドレイン電流７０５が一定になる。
信号（オンパルス信号）がゲート端子ＴＧに入力される
と各ＦＥＴＱＡ、ＱＢ、ＱＣは導通し、各ＦＥＴのドレ
イン・ソース電極間の電圧は、図３に示すように、２Ｖ
以下に低下する。このとき負荷１０２が正常状態のとき
には、駆動回路１１１から駆動信号が出力されている間
は各ＦＥＴのドレイン・ソース電極間は２Ｖ以下に維持
され、ＦＥＴＱＡのドレイン電流７０５が一定になる。
【００２５】一方、負荷１０２が短絡すると、負荷１０
２に大電流が流れ、負荷１０２やＦＥＴＱＡが損傷する
恐れがある。
２に大電流が流れ、負荷１０２やＦＥＴＱＡが損傷する
恐れがある。
【００２６】そこで、ＦＥＴＱＡ、ＱＢのソース電圧を
コンパレータＣＭＰ１で監視し、両者の電圧が異常にな
ったときには駆動回路１１１に駆動信号の出力を強制的
に停止させる構成が採用されている。
コンパレータＣＭＰ１で監視し、両者の電圧が異常にな
ったときには駆動回路１１１に駆動信号の出力を強制的
に停止させる構成が採用されている。
【００２７】すなわち、コンパレータＣＭＰ１のプラス
入力端子には、ＦＥＴＱＡのソース電圧が入力されてお
り、マイナス入力端子にはＦＥＴＱＢのソース電圧が入
力されている。そして、ヒステリシス特性を有するコン
パレータＣＭＰ１は、プラス入力端子およびマイナス入
力端子に入力された電圧を比較し、ＦＥＴＱＡのソース
電圧とＦＥＴＱＢのソース電圧がほぼ一致していると
き、あるいはＦＥＴＱＡのソース電圧がＦＥＴＱＢのソ
ース電圧よりも高いときに“Ｈ"レベルの出力信号を出
力し、ＦＥＴＱＡのソース電圧が基準電圧（ＦＥＴＱＢ
のソース電圧）による許容値から外れたとき、例えば、
負荷１０２に大電流が流れ、第１の基準抵抗Ｒｒ１によ
る基準電圧よりも、ＦＥＴＱＡのソース電圧の方が低く
くなったときには、ＦＥＴＱＡに異常電流が流れたとし
て“Ｌ"レベルの信号を駆動回路１１１に出力するよう
になっている。駆動回路１１１はコンパレータＣＭＰ１
から“Ｈ"レベルの信号が入力されているときには駆動
信号の出力が可能になっているが、“Ｌ"レベルの信号
が入力されたときには駆動信号の出力が強制的に停止さ
れるようになっている。すなわちコンパレータＣＭＰ１
は駆動停止手段として構成されている。
入力端子には、ＦＥＴＱＡのソース電圧が入力されてお
り、マイナス入力端子にはＦＥＴＱＢのソース電圧が入
力されている。そして、ヒステリシス特性を有するコン
パレータＣＭＰ１は、プラス入力端子およびマイナス入
力端子に入力された電圧を比較し、ＦＥＴＱＡのソース
電圧とＦＥＴＱＢのソース電圧がほぼ一致していると
き、あるいはＦＥＴＱＡのソース電圧がＦＥＴＱＢのソ
ース電圧よりも高いときに“Ｈ"レベルの出力信号を出
力し、ＦＥＴＱＡのソース電圧が基準電圧（ＦＥＴＱＢ
のソース電圧）による許容値から外れたとき、例えば、
負荷１０２に大電流が流れ、第１の基準抵抗Ｒｒ１によ
る基準電圧よりも、ＦＥＴＱＡのソース電圧の方が低く
くなったときには、ＦＥＴＱＡに異常電流が流れたとし
て“Ｌ"レベルの信号を駆動回路１１１に出力するよう
になっている。駆動回路１１１はコンパレータＣＭＰ１
から“Ｈ"レベルの信号が入力されているときには駆動
信号の出力が可能になっているが、“Ｌ"レベルの信号
が入力されたときには駆動信号の出力が強制的に停止さ
れるようになっている。すなわちコンパレータＣＭＰ１
は駆動停止手段として構成されている。
【００２８】また、コンパレータＣＭＰ２も同様に、プ
ラス入力端子には、ＦＥＴＱＡのソース電圧が入力さ
れ、マイナス端子には、ＦＥＴＱＣのソース電圧が入力
されている。そして、コンパレータＣＭＰ２は、プラス
入力端子およびマイナス入力端子に入力された電圧を比
較し、ＦＥＴＱＡのソース電圧とＦＥＴＱＣのソース電
圧がほぼ一致しているとき、あるいはＦＥＴＱＡのソー
ス電圧がＦＥＴＱＣのソース電圧よりも低いときに、
“Ｌ”レベルの出力信号を出力し、ＦＥＴＱＡのソース
電圧が過小電流判定用基準電圧（ＦＥＴＱＣのソース電
圧）による許容値から外れたとき、例えば、負荷１０２
の断線などにより負荷１０２に通常より極めて小さい電
流が流れ、過小電流判定用基準電圧よりも、ＦＥＴＱＡ
のソース電圧の方が高くなったときには、ＦＥＴＱＡに
異常電流が流れたとして“Ｈ”レベルの信号を駆動回路
１１１に出力するようになっている。このようにコンパ
レータＣＭＰ２は、異常の有無の判定結果を異常検出部
５０１に出力する異常判定手段として構成されている。
ラス入力端子には、ＦＥＴＱＡのソース電圧が入力さ
れ、マイナス端子には、ＦＥＴＱＣのソース電圧が入力
されている。そして、コンパレータＣＭＰ２は、プラス
入力端子およびマイナス入力端子に入力された電圧を比
較し、ＦＥＴＱＡのソース電圧とＦＥＴＱＣのソース電
圧がほぼ一致しているとき、あるいはＦＥＴＱＡのソー
ス電圧がＦＥＴＱＣのソース電圧よりも低いときに、
“Ｌ”レベルの出力信号を出力し、ＦＥＴＱＡのソース
電圧が過小電流判定用基準電圧（ＦＥＴＱＣのソース電
圧）による許容値から外れたとき、例えば、負荷１０２
の断線などにより負荷１０２に通常より極めて小さい電
流が流れ、過小電流判定用基準電圧よりも、ＦＥＴＱＡ
のソース電圧の方が高くなったときには、ＦＥＴＱＡに
異常電流が流れたとして“Ｈ”レベルの信号を駆動回路
１１１に出力するようになっている。このようにコンパ
レータＣＭＰ２は、異常の有無の判定結果を異常検出部
５０１に出力する異常判定手段として構成されている。
【００２９】一方、ＦＥＴＱＡがオン状態からオフ状態
に遷移すると、トランジスタＱ６がオンになることによ
ってダイオードＤ１が導通する。この結果、抵抗Ｒ１、
ダイオードＤ１の経路で電流が流れ、コンパレータＣＭ
Ｐ１のプラス入力端子の電位は駆動回路１１１がオン制
御しているときよりも低下する。したがってオフ状態に
遷移した直後より、小さい特定のドレイン・ソース間電
圧の差が生じるまで、すなわちＦＥＴＱＡのソース電圧
がＦＥＴＱＢのソース電圧とほぼ同じになるまで、ＦＥ
ＴＱＡはオフ状態に維持される。
に遷移すると、トランジスタＱ６がオンになることによ
ってダイオードＤ１が導通する。この結果、抵抗Ｒ１、
ダイオードＤ１の経路で電流が流れ、コンパレータＣＭ
Ｐ１のプラス入力端子の電位は駆動回路１１１がオン制
御しているときよりも低下する。したがってオフ状態に
遷移した直後より、小さい特定のドレイン・ソース間電
圧の差が生じるまで、すなわちＦＥＴＱＡのソース電圧
がＦＥＴＱＢのソース電圧とほぼ同じになるまで、ＦＥ
ＴＱＡはオフ状態に維持される。
【００３０】ところが、配線の短絡などでＦＥＴＱＡが
オフ状態になった場合には、配線の短絡などでドレイン
電流が増加し、ＦＥＴＱＡは、ピンチオフ領域を経由し
て、例えば、３極管特性領域での動作状態を経てオフ状
態へ遷移する。この結果、一定時間経過後には、コンパ
レータＣＭＰ１のプラス入力端子の電位が高くなり、コ
ンパレータＣＭＰ１の出力レベルは“Ｌ"レベルから
“Ｈ"レベルに変化し、ＦＥＴＱＡは再びオン状態に遷
移する。図３に示すように、このような負荷１０２の短
絡などの異常時のＦＥＴＱＡのドレイン・ソース間電圧
７０３の周期的な遷移は、スイッチＳＷ１が閉じている
間は継続される。これにより、ＦＥＴＱＡのドレイン電
流７０７が周期的に変動する。ＦＥＴＱＡのドレイン・
ソース間電圧７０３の遷移の周期は配線のインダクタン
スや配線抵抗、ＦＥＴＱＡのコンデンサ容量などに基づ
く時定数によって決定される。
オフ状態になった場合には、配線の短絡などでドレイン
電流が増加し、ＦＥＴＱＡは、ピンチオフ領域を経由し
て、例えば、３極管特性領域での動作状態を経てオフ状
態へ遷移する。この結果、一定時間経過後には、コンパ
レータＣＭＰ１のプラス入力端子の電位が高くなり、コ
ンパレータＣＭＰ１の出力レベルは“Ｌ"レベルから
“Ｈ"レベルに変化し、ＦＥＴＱＡは再びオン状態に遷
移する。図３に示すように、このような負荷１０２の短
絡などの異常時のＦＥＴＱＡのドレイン・ソース間電圧
７０３の周期的な遷移は、スイッチＳＷ１が閉じている
間は継続される。これにより、ＦＥＴＱＡのドレイン電
流７０７が周期的に変動する。ＦＥＴＱＡのドレイン・
ソース間電圧７０３の遷移の周期は配線のインダクタン
スや配線抵抗、ＦＥＴＱＡのコンデンサ容量などに基づ
く時定数によって決定される。
【００３１】そこで、ＦＥＴＱＡがオンオフする回数を
計数し、この計数値が設定値に達したときにはＦＥＴＱ
Ａを強制的に遮断し、この遮断状態を保持することとし
ている。
計数し、この計数値が設定値に達したときにはＦＥＴＱ
Ａを強制的に遮断し、この遮断状態を保持することとし
ている。
【００３２】具体的には、ＦＥＴＱＡのオンオフ状態を
計数するための回路としてＯＮ／ＯＦＦ計数回路３０４
と遮断ラッチ回路３０６が設けられている（特開平６−
２４４４１４号公報参照。）。
計数するための回路としてＯＮ／ＯＦＦ計数回路３０４
と遮断ラッチ回路３０６が設けられている（特開平６−
２４４４１４号公報参照。）。
【００３３】ＯＮ／ＯＦＦ計数回路３０４は、図２に示
すように、バイポーラトランジスタＱ４１、Ｑ４２、Ｑ
４３、ｎチャネルＦＥＴＱ４４、ダイオードＤ４１、Ｄ
４２、Ｄ４３、ツェナーダイオードＺＤ４１、抵抗Ｒ４
１〜Ｒ４６を備えて構成されている。
すように、バイポーラトランジスタＱ４１、Ｑ４２、Ｑ
４３、ｎチャネルＦＥＴＱ４４、ダイオードＤ４１、Ｄ
４２、Ｄ４３、ツェナーダイオードＺＤ４１、抵抗Ｒ４
１〜Ｒ４６を備えて構成されている。
【００３４】ツェナーダイオードＺＤ４１のカソード側
はＦＥＴＱＡのソース端子Ｓに接続されており、ソース
端子Ｓの電圧が正常状態にあるときにはトランジスタＱ
４３のベースには順バイアス電圧が印加され、トランジ
スタＱ４３はオン状態にある。このためトランジスタＱ
４２もオン状態にある。一方、トランジスタＱ４１はベ
ースが抵抗Ｒ４１、ダイオードＤ４２を介して駆動回路
１１１の出力端子に接続されているため、トランジスタ
Ｑ５がオンのとき、すなわち、ＦＥＴＱＡがオンのとき
には、トランジスタＱ４１はオフの状態にある。
はＦＥＴＱＡのソース端子Ｓに接続されており、ソース
端子Ｓの電圧が正常状態にあるときにはトランジスタＱ
４３のベースには順バイアス電圧が印加され、トランジ
スタＱ４３はオン状態にある。このためトランジスタＱ
４２もオン状態にある。一方、トランジスタＱ４１はベ
ースが抵抗Ｒ４１、ダイオードＤ４２を介して駆動回路
１１１の出力端子に接続されているため、トランジスタ
Ｑ５がオンのとき、すなわち、ＦＥＴＱＡがオンのとき
には、トランジスタＱ４１はオフの状態にある。
【００３５】一方、トランジスタＱ６がオンになったと
き、すなわちＦＥＴＱＡがオフになったときにはダイオ
ードＤ４２がトランジスタＱ６を介して接地されるた
め、トランジスタＱ４１がオンになる。トランジスタＱ
４１がオンになると電源１０１からの電流がトランジス
タＱ４１、Ｑ４２、抵抗Ｒ４４を介してコンデンサＣ１
２に流れ、コンデンサＣ１２が充電される。
き、すなわちＦＥＴＱＡがオフになったときにはダイオ
ードＤ４２がトランジスタＱ６を介して接地されるた
め、トランジスタＱ４１がオンになる。トランジスタＱ
４１がオンになると電源１０１からの電流がトランジス
タＱ４１、Ｑ４２、抵抗Ｒ４４を介してコンデンサＣ１
２に流れ、コンデンサＣ１２が充電される。
【００３６】次に、トランジスタＱ５がオフからオンに
遷移するとトランジスタＱ４１がオフとなり、コンデン
サＣ１２に充電された電荷は抵抗Ｒ４６を介して放電す
る。このあと再びトランジスタＱ６がオンとなってトラ
ンジスタＱ４１がオンになると、コンデンサＣ１２がさ
らに充電される。
遷移するとトランジスタＱ４１がオフとなり、コンデン
サＣ１２に充電された電荷は抵抗Ｒ４６を介して放電す
る。このあと再びトランジスタＱ６がオンとなってトラ
ンジスタＱ４１がオンになると、コンデンサＣ１２がさ
らに充電される。
【００３７】このようなオンオフ動作を繰り返す過程
で、コンデンサＣ１２に充電された電荷によってＦＥＴ
Ｑ４４のゲート電圧がしきい値を超えると、ＦＥＴＱ４
４がオンになり、ダイオードＤ４２が導通する。これに
より、温度センサ１２１の両端がダイオードＤ４３を介
して短絡され、遮断ラッチ回路３０６にラッチ指令信号
が出力されることになる。すなわち、ＯＮ／ＯＦＦ計数
回路３０４はラッチ指令手段として構成されている。な
お、ＯＮ／ＯＦＦ回数が設定値に達するまでの時間は、
抵抗Ｒ４６とコンデンサＣ１２による時定数によって調
整することができる。
で、コンデンサＣ１２に充電された電荷によってＦＥＴ
Ｑ４４のゲート電圧がしきい値を超えると、ＦＥＴＱ４
４がオンになり、ダイオードＤ４２が導通する。これに
より、温度センサ１２１の両端がダイオードＤ４３を介
して短絡され、遮断ラッチ回路３０６にラッチ指令信号
が出力されることになる。すなわち、ＯＮ／ＯＦＦ計数
回路３０４はラッチ指令手段として構成されている。な
お、ＯＮ／ＯＦＦ回数が設定値に達するまでの時間は、
抵抗Ｒ４６とコンデンサＣ１２による時定数によって調
整することができる。
【００３８】遮断ラッチ回路３０６は、ｎチャネルＦＥ
ＴＱＳ、Ｑ１１、Ｑ１２、Ｑ１３、Ｑ１４、温度センサ
１２１、抵抗Ｒ３１〜Ｒ３５を備えて構成されており、
ＦＥＴＱＳのドレイン電極がＦＥＴＱＡのゲート端子Ｔ
Ｇに接続され、ソース電極がＦＥＴＱＡのソース端子Ｓ
に接続されている。温度センサ１２１は、４個のダイオ
ードが直列接続されて構成されており、半導体チップ１
１０の温度が設定温度を超えたときには、両端の電圧が
設定電圧よりも低くなるように構成されている。すなわ
ち、温度センサ１２１の両端の電圧は、正常時には、Ｆ
ＥＴＱ１１のソース・ゲート電極間のしきい値よりも高
く設定されており、ＦＥＴＱ１１は常時オン状態に維持
されている。そして、ＦＥＴＱ１１がオンのときには、
ＦＥＴＱ１４はオフに、ＦＥＴＱ１３がオンに、ＦＥＴ
Ｑ１２、ＦＥＴＱＳがオフ状態に維持されている。
ＴＱＳ、Ｑ１１、Ｑ１２、Ｑ１３、Ｑ１４、温度センサ
１２１、抵抗Ｒ３１〜Ｒ３５を備えて構成されており、
ＦＥＴＱＳのドレイン電極がＦＥＴＱＡのゲート端子Ｔ
Ｇに接続され、ソース電極がＦＥＴＱＡのソース端子Ｓ
に接続されている。温度センサ１２１は、４個のダイオ
ードが直列接続されて構成されており、半導体チップ１
１０の温度が設定温度を超えたときには、両端の電圧が
設定電圧よりも低くなるように構成されている。すなわ
ち、温度センサ１２１の両端の電圧は、正常時には、Ｆ
ＥＴＱ１１のソース・ゲート電極間のしきい値よりも高
く設定されており、ＦＥＴＱ１１は常時オン状態に維持
されている。そして、ＦＥＴＱ１１がオンのときには、
ＦＥＴＱ１４はオフに、ＦＥＴＱ１３がオンに、ＦＥＴ
Ｑ１２、ＦＥＴＱＳがオフ状態に維持されている。
【００３９】一方、ＦＥＴＱ４４がオンになって温度セ
ンサ１２１の両端がダイオードＤ４３を介して短絡され
たり、あるいは半導体チップ１１０の温度が設定温度を
超えて温度センサ１２１の両端の電圧が設定電圧以下に
低下したりすると、ＦＥＴＱ１１がオンからオフになっ
て、ＦＥＴＱ１４がオンになる。ＦＥＴＱ１４がオンに
なると、ＦＥＴＱ１３がオンになるとともにＦＥＴＱＳ
がオンになり、ＦＥＴＱＡのソース・ゲート電極間がＦ
ＥＴＱＳによって短絡され、ＦＥＴＱＡが遮断状態にな
る。この短絡状態はラッチ回路を構成するＦＥＴＱ１
２、Ｑ１３によってラッチされる。すなわち、遮断ラッ
チ回路３０６は、ＯＮ／ＯＦＦ計数回路３０４のＯＮ／
ＯＦＦ回数が設定値に達したとき、あるいは温度センサ
１２１によて半導体チップ１１０の温度が設定温度を超
えたことが検出されたときに、ＦＥＴＱＡを非導通状態
にするとともに、この非導通状態をラッチする遮断ラッ
チ手段として構成されている。
ンサ１２１の両端がダイオードＤ４３を介して短絡され
たり、あるいは半導体チップ１１０の温度が設定温度を
超えて温度センサ１２１の両端の電圧が設定電圧以下に
低下したりすると、ＦＥＴＱ１１がオンからオフになっ
て、ＦＥＴＱ１４がオンになる。ＦＥＴＱ１４がオンに
なると、ＦＥＴＱ１３がオンになるとともにＦＥＴＱＳ
がオンになり、ＦＥＴＱＡのソース・ゲート電極間がＦ
ＥＴＱＳによって短絡され、ＦＥＴＱＡが遮断状態にな
る。この短絡状態はラッチ回路を構成するＦＥＴＱ１
２、Ｑ１３によってラッチされる。すなわち、遮断ラッ
チ回路３０６は、ＯＮ／ＯＦＦ計数回路３０４のＯＮ／
ＯＦＦ回数が設定値に達したとき、あるいは温度センサ
１２１によて半導体チップ１１０の温度が設定温度を超
えたことが検出されたときに、ＦＥＴＱＡを非導通状態
にするとともに、この非導通状態をラッチする遮断ラッ
チ手段として構成されている。
【００４０】次に、本発明の一実施形態を図４に基づい
て説明する。
て説明する。
【００４１】図４は、本発明の一実施形態を示すオート
ライトコントロールシステムの要部構成図である。図４
において、半導体チップ１１０には、アナログ・ディジ
タル変換手段としてのＡ／Ｄ変換回路３０７が集積化さ
れており、このＡ／Ｄ変換回路３０７の入力側にはコン
ライトセンサ１０が接続され、Ａ／Ｄ変換回路３０７の
制御端子にはコンパレータＣＭＰ１の出力信号が入力さ
れるようになっている。そして半導体チップ１１０の出
力端子Ｔ３には負荷としてヘッドライトＬ１が接続され
ている。
ライトコントロールシステムの要部構成図である。図４
において、半導体チップ１１０には、アナログ・ディジ
タル変換手段としてのＡ／Ｄ変換回路３０７が集積化さ
れており、このＡ／Ｄ変換回路３０７の入力側にはコン
ライトセンサ１０が接続され、Ａ／Ｄ変換回路３０７の
制御端子にはコンパレータＣＭＰ１の出力信号が入力さ
れるようになっている。そして半導体チップ１１０の出
力端子Ｔ３には負荷としてヘッドライトＬ１が接続され
ている。
【００４２】コンライトセンサ１０はライトセンサとし
て、周囲の明るさに感応して周囲の明るさに応じたレベ
ルのアナログ信号をＡ／Ｄ変換回路３０７に出力するよ
うになっている。Ａ／Ｄ変換回路３０７は、コンライト
センサ１０からのアナログ信号をそのレベルに応じたパ
ルス幅のディジタル信号に変換し、このディジタル信号
を駆動信号としてＦＥＴＱＡ、ＦＥＴＱＢのゲート端子
に入力するようになっている。すなわち、ＦＥＴＱＡの
ゲート端子には、周囲の明るさに応じたパルス幅のＰＷ
Ｍ信号が駆動信号として入力されにようになっており、
ＦＥＴＱＡはＡ／Ｄ変換回路３０７からのＰＷＭ信号に
してオンオフ制御され、ヘッドライトＬ１をＰＷＭ信号
にしたがってオンオフ制御し、ヘッドライトＬ１に流れ
る平均電流を制御するように構成されている。
て、周囲の明るさに感応して周囲の明るさに応じたレベ
ルのアナログ信号をＡ／Ｄ変換回路３０７に出力するよ
うになっている。Ａ／Ｄ変換回路３０７は、コンライト
センサ１０からのアナログ信号をそのレベルに応じたパ
ルス幅のディジタル信号に変換し、このディジタル信号
を駆動信号としてＦＥＴＱＡ、ＦＥＴＱＢのゲート端子
に入力するようになっている。すなわち、ＦＥＴＱＡの
ゲート端子には、周囲の明るさに応じたパルス幅のＰＷ
Ｍ信号が駆動信号として入力されにようになっており、
ＦＥＴＱＡはＡ／Ｄ変換回路３０７からのＰＷＭ信号に
してオンオフ制御され、ヘッドライトＬ１をＰＷＭ信号
にしたがってオンオフ制御し、ヘッドライトＬ１に流れ
る平均電流を制御するように構成されている。
【００４３】上記構成において、周囲の明るさが明かる
いときにはコンライトセンサ１０の出力レベルが低いた
め、Ａ／Ｄ変換回路３０７からは駆動信号が出力され
ず、ヘッドライトＬ１は消灯状態にある。
いときにはコンライトセンサ１０の出力レベルが低いた
め、Ａ／Ｄ変換回路３０７からは駆動信号が出力され
ず、ヘッドライトＬ１は消灯状態にある。
【００４４】一方、周囲の明るさが徐々に暗くなると、
コンライトセンサ１０の出力レベルが増加し、Ａ／Ｄ変
換回路３０７からはコンライトセンサ１０の出力レベル
に応じたパルス幅のＰＷＭ信号が出力される。このＰＷ
Ｍ信号がＦＥＴＱＡ、ＦＥＴＱＢのゲート端子に入力さ
れると、ＦＥＴＱＡ、ＦＥＴＱＢがＰＷＭ信号にしたが
ってオンオフ制御され、ヘッドライトＬ１に流れる電流
の平均値がＰＷＭ信号のパルス幅に応じて制御される。
すなわち周囲の明るさに応じてヘッドライトＬ１の明る
さを自動的に制御することができる。
コンライトセンサ１０の出力レベルが増加し、Ａ／Ｄ変
換回路３０７からはコンライトセンサ１０の出力レベル
に応じたパルス幅のＰＷＭ信号が出力される。このＰＷ
Ｍ信号がＦＥＴＱＡ、ＦＥＴＱＢのゲート端子に入力さ
れると、ＦＥＴＱＡ、ＦＥＴＱＢがＰＷＭ信号にしたが
ってオンオフ制御され、ヘッドライトＬ１に流れる電流
の平均値がＰＷＭ信号のパルス幅に応じて制御される。
すなわち周囲の明るさに応じてヘッドライトＬ１の明る
さを自動的に制御することができる。
【００４５】本実施形態によれば、電源１０１とヘッド
ライトＬ１とを結ぶ電源回路中にＦＥＴＱＡを挿入し、
このＦＥＴＱＡをＡ／Ｄ変換回路３０７の出力信号によ
って制御するようにしたため、ＣＰＵのような制御系を
用いることなく、簡単な回路構成によっても、周囲の明
るさに応じてヘッドライトＬ１の明るさを調整すること
ができ、構成の簡素化に寄与することができる。また本
実施形態においては、半導体チップ１１０上に集積化さ
れたＦＥＴＱＡ、ＦＷＴＱＢと基準抵抗Ｒｒ１を用いて
ＦＥＴＱＡの作動状態を監視しているため、ＦＥＴＱＡ
を安定した状態で制御することができる。
ライトＬ１とを結ぶ電源回路中にＦＥＴＱＡを挿入し、
このＦＥＴＱＡをＡ／Ｄ変換回路３０７の出力信号によ
って制御するようにしたため、ＣＰＵのような制御系を
用いることなく、簡単な回路構成によっても、周囲の明
るさに応じてヘッドライトＬ１の明るさを調整すること
ができ、構成の簡素化に寄与することができる。また本
実施形態においては、半導体チップ１１０上に集積化さ
れたＦＥＴＱＡ、ＦＷＴＱＢと基準抵抗Ｒｒ１を用いて
ＦＥＴＱＡの作動状態を監視しているため、ＦＥＴＱＡ
を安定した状態で制御することができる。
【００４６】さらにヘッドライトＬ１が短絡などして負
荷に異常が生じたときには、コンパレータＣＭＰ１から
の信号によってＡ／Ｄ変換回路３０７の駆動を停止させ
ることで、ＦＥＴＱＡを非導通状態にラッチすることが
でき、負荷短絡に伴ってＦＥＴＱＡが損傷するのを防止
することができる。
荷に異常が生じたときには、コンパレータＣＭＰ１から
の信号によってＡ／Ｄ変換回路３０７の駆動を停止させ
ることで、ＦＥＴＱＡを非導通状態にラッチすることが
でき、負荷短絡に伴ってＦＥＴＱＡが損傷するのを防止
することができる。
【００４７】前記実施形態においては、負荷としてヘッ
ドライトＬ１を用いるものについて述べたが、ヘッドラ
イトの他に、クリアランプなど他のランプを負荷といて
用いることができるとともに、負荷としてヒータ、デフ
を対象とすることができる。この場合コンライトセンサ
の代わりに、感応素子としてサーミスタを用いること
で、周囲の温度に応じてヒータ、デフの出力を制御する
ことができる。
ドライトＬ１を用いるものについて述べたが、ヘッドラ
イトの他に、クリアランプなど他のランプを負荷といて
用いることができるとともに、負荷としてヒータ、デフ
を対象とすることができる。この場合コンライトセンサ
の代わりに、感応素子としてサーミスタを用いること
で、周囲の温度に応じてヒータ、デフの出力を制御する
ことができる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ライトセンサの出力をアナログ・ディジタル変換手段を
介して第１のスイッチング手段に与えて第１のスイッチ
ング手段を常時オンオフ制御することで、周囲の明るさ
に応じて負荷となるライトの明るさを制御することがで
き、ＣＰＵを用いることなく簡単な回路構成によっても
負荷、例えば、ライトの明るさを周囲の明るさに応じて
制御することができる。
ライトセンサの出力をアナログ・ディジタル変換手段を
介して第１のスイッチング手段に与えて第１のスイッチ
ング手段を常時オンオフ制御することで、周囲の明るさ
に応じて負荷となるライトの明るさを制御することがで
き、ＣＰＵを用いることなく簡単な回路構成によっても
負荷、例えば、ライトの明るさを周囲の明るさに応じて
制御することができる。
【図１】本発明の基礎となる電流振動型遮断機能付きス
イッチング・デバイスのブロック構成図である。
イッチング・デバイスのブロック構成図である。
【図２】図１に示すスイッチング・デバイスの要部回路
構成図である。
構成図である。
【図３】図１に示すスイッチング・デバイスの作用を説
明するための波形図である。
明するための波形図である。
【図４】本発明の一実施形態を示すオートライトコント
ロールシステムの要部構成図である。
ロールシステムの要部構成図である。
【図５】従来のシステムの回路構成図である。
【図６】コンライトセンサとランプの点灯状態を説明す
るための図である。
るための図である。
１０ コンライトセンサ １１０ 半導体チップ １１１ 駆動回路 ３０４ ＯＮ／ＯＦ計数回路 ３０５ チャージポンプ回路 ３０６ 遮断ラッチ回路 ３０７ Ａ／Ｄ変換回路 ＱＡ、ＱＢ，ＱＣ ｎチャネルＦＥＴ Ｒｒ１ 第１の基準抵抗 Ｒｒ２ 第２の基準抵抗 ＣＭＰ１、ＣＭＰ２、ＣＭＰ３ コンパレータ Ｌ１ ヘッドライト
Claims (3)
- 【請求項１】 周囲の明るさに感応して周囲の明るさに
応じたアナログ信号を出力するライトセンサと、前記ラ
イトセンサの出力によるアナログ信号をそのレベルに応
じたパルス幅のディジタル信号に変換し、このディジタ
ル信号を駆動信号として出力するアナログ・ディジタル
変換手段と、負荷と電源を結ぶ電源回路中に挿入されて
前記駆動信号により導通して前記電源回路を閉じる第１
のスイッチング手段とを備えてなるオートライトコント
ロールシステム。 - 【請求項２】 周囲の明るさに感応して周囲の明るさに
応じたアナログ信号を出力するライトセンサと、前記ラ
イトセンサの出力によるアナログ信号をそのレベルに応
じたパルス幅のディジタル信号に変換し、このディジタ
ル信号を駆動信号として出力するアナログ・ディジタル
変換手段と、負荷と電源を結ぶ電源回路中に挿入されて
前記駆動信号により導通して前記電源回路を閉じる第１
のスイッチング手段と、前記電源から電流の供給を受け
て基準電圧を発生する基準抵抗と、前記電源と前記基準
抵抗とを結ぶ分流回路中に挿入されて前記駆動信号によ
り導通して前記分流回路を閉じる第２のスイッチング手
段とを備えてなるオートライトコントロールシステム。 - 【請求項３】 周囲の明るさに感応して周囲の明るさに
応じたアナログ信号を出力するライトセンサと、前記ラ
イトセンサの出力によるアナログ信号をそのレベルに応
じたパルス幅のディジタル信号に変換し、このディジタ
ル信号を駆動信号として出力するアナログ・ディジタル
変換手段と、負荷と電源を結ぶ電源回路中に挿入されて
前記駆動信号により導通して前記電源回路を閉じる第１
のスイッチング手段と、前記電源から電流の供給を受け
て基準電圧を発生する基準抵抗と、前記電源と前記基準
抵抗とを結ぶ分流回路中に挿入されて前記駆動信号によ
り導通して前記分流回路を閉じる第２のスイッチング手
段と、前記第１のスイッチング手段の出力電圧と前記基
準電圧とを比較して両者の電圧の差が許容値から外れた
ときに前記アナログ・ディジタル変換手段に駆動信号の
出力を停止させる駆動停止手段とを備えてなるオートラ
イトコントロールシステム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000017001A JP2000311789A (ja) | 1999-02-26 | 2000-01-26 | オートライトコントロールシステム |
| US09/514,315 US6441557B1 (en) | 1999-02-26 | 2000-02-28 | Auto light-control system |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4952499 | 1999-02-26 | ||
| JP11-49524 | 1999-02-26 | ||
| JP2000017001A JP2000311789A (ja) | 1999-02-26 | 2000-01-26 | オートライトコントロールシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000311789A true JP2000311789A (ja) | 2000-11-07 |
Family
ID=26389925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000017001A Pending JP2000311789A (ja) | 1999-02-26 | 2000-01-26 | オートライトコントロールシステム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6441557B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000311789A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030033140A (ko) * | 2001-10-17 | 2003-05-01 | 씨멘스 오토모티브 주식회사 | 차량의 연료 검출 시스템 |
| WO2004060716A1 (en) * | 2003-01-02 | 2004-07-22 | Young-Bong Kim | Autolights system for vehicle |
| JP2011011593A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Koito Mfg Co Ltd | 車両用前照灯装置 |
| JP2014162245A (ja) * | 2013-02-21 | 2014-09-08 | Wen Sung Lee | 車両用知能灯光装置 |
| KR101556459B1 (ko) * | 2013-02-04 | 2015-10-01 | 웬-성 리 | 운송수단을 위한 지능적인 조명 장치 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030062841A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-04-03 | Thor Norling | Method of operating a dimmable fluorescent light |
| CN100531486C (zh) | 2003-05-07 | 2009-08-19 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于发光二极管的电流控制方法和电路 |
| US7211960B2 (en) * | 2005-03-25 | 2007-05-01 | Arc Technology Co., Ltd. | Burglar-proof wireless light adjusting module |
| US8570699B2 (en) * | 2005-04-22 | 2013-10-29 | Lear Corporation | Relayless and fuseless junction box |
| ITTO20060129A1 (it) * | 2006-02-24 | 2007-08-25 | Fiat Auto Spa | Dispositivo di pilotaggio di una utenza elettrica di un veicolo |
| US7781987B2 (en) * | 2008-03-10 | 2010-08-24 | The Hong Kong Polytechnic University | Method and system for automatically controlling power supply to a lamp of a vehicle |
| CN101720153B (zh) * | 2009-12-01 | 2014-05-07 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种应用于机场下滑灯的led调光控制系统 |
| CN102404901A (zh) | 2010-09-14 | 2012-04-04 | 扬光绿能股份有限公司 | 照明装置及其控制方法 |
| JP6120799B2 (ja) * | 2013-05-21 | 2017-04-26 | オムロンオートモーティブエレクトロニクス株式会社 | 光検出装置 |
| CN109743824A (zh) * | 2019-03-03 | 2019-05-10 | 山西工程技术学院 | 基于定时、光敏的智能路灯照明控制系统及实现方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01227520A (ja) | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Nippon Denso Co Ltd | 電力用半導体装置 |
| US5012392A (en) * | 1989-02-13 | 1991-04-30 | Hochstein Peter A | Automatic battery powered video light |
| JP2745663B2 (ja) | 1989-04-04 | 1998-04-28 | 松下電器産業株式会社 | 充電制御回路 |
| JPH03262209A (ja) | 1990-03-12 | 1991-11-21 | Nec Kansai Ltd | 電流検出回路 |
| JPH04134271A (ja) | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Nec Corp | 出力回路 |
| JP2570523B2 (ja) | 1991-08-23 | 1997-01-08 | 日本モトローラ株式会社 | 電流検出回路 |
| JP2527875B2 (ja) | 1992-02-07 | 1996-08-28 | 富士通テン株式会社 | 誘導性負荷の電流検出回路 |
| JPH06244693A (ja) | 1992-03-03 | 1994-09-02 | Nec Corp | Ｍｏｓ電界効果トランジスタスイッチ回路 |
| JP3313773B2 (ja) | 1992-08-06 | 2002-08-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| JPH06188704A (ja) | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Fujitsu Ten Ltd | 負荷駆動装置 |
| JP3018816B2 (ja) | 1993-02-22 | 2000-03-13 | 株式会社日立製作所 | 半導体素子の保護回路ならびにこれを有する半導体装置 |
| JPH09145749A (ja) | 1995-11-29 | 1997-06-06 | Toyota Motor Corp | 電流検出回路 |
-
2000
- 2000-01-26 JP JP2000017001A patent/JP2000311789A/ja active Pending
- 2000-02-28 US US09/514,315 patent/US6441557B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030033140A (ko) * | 2001-10-17 | 2003-05-01 | 씨멘스 오토모티브 주식회사 | 차량의 연료 검출 시스템 |
| WO2004060716A1 (en) * | 2003-01-02 | 2004-07-22 | Young-Bong Kim | Autolights system for vehicle |
| JP2011011593A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Koito Mfg Co Ltd | 車両用前照灯装置 |
| KR101556459B1 (ko) * | 2013-02-04 | 2015-10-01 | 웬-성 리 | 운송수단을 위한 지능적인 조명 장치 |
| JP2014162245A (ja) * | 2013-02-21 | 2014-09-08 | Wen Sung Lee | 車両用知能灯光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6441557B1 (en) | 2002-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7969206B2 (en) | Semiconductor element drive circuit | |
| JP2000312143A (ja) | スイッチング・デバイス | |
| US8390341B2 (en) | Output circuit | |
| US8040162B2 (en) | Switch matrix drive circuit for a power element | |
| JP4619812B2 (ja) | ゲート駆動回路 | |
| US7068082B2 (en) | Gate driving circuit and semiconductor device | |
| JP4319362B2 (ja) | 逆レベルシフト回路およびパワー用半導体装置 | |
| JP2000311789A (ja) | オートライトコントロールシステム | |
| US6369556B2 (en) | Power supply control device and method | |
| JP3633522B2 (ja) | 負荷駆動回路 | |
| JP4229656B2 (ja) | 電流制限回路およびそれを備えた出力回路 | |
| JP2000312433A (ja) | スイッチング・デバイス | |
| US6891708B2 (en) | Reduced current and power consumption structure of drive circuit | |
| US6975122B2 (en) | Protection of an A.C. switch | |
| US20050162189A1 (en) | Current limiter of output transistor | |
| JP2007088599A (ja) | 絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路 | |
| JP2000299624A (ja) | スイッチングデバイス | |
| JP3802412B2 (ja) | Ｍｏｓトランジスタ出力回路 | |
| JP2000244294A (ja) | 過熱保護装置 | |
| JP2000253564A (ja) | 電源供給制御装置 | |
| JP2000299925A (ja) | 電源供給制御装置 | |
| JP2000250632A (ja) | 流体流量制御システム | |
| JP2000253562A (ja) | 電源供給制御装置と電源供給制御システム | |
| JP2000242342A (ja) | スイッチング・デバイス | |
| JP2000247213A (ja) | ウインドウォッシャ装置 |