DE602005018201D1 - Verfahren und Treiberschaltung für die Steuerung eines MOS Leistungshalbleiters - Google Patents

Verfahren und Treiberschaltung für die Steuerung eines MOS Leistungshalbleiters

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Fabrizio Cortigiani
Franco Mignoli
Silvia Solda
Gianluca Ragonesi
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    • H03K17/161Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4005999B2 (ja) * 2004-10-25 2007-11-14 株式会社東芝 半導体装置
TWI319653B (en) * 2006-09-22 2010-01-11 Richtek Technology Corp Switching regulator and control circuit and method therefor
US7746042B2 (en) * 2006-10-05 2010-06-29 Advanced Analogic Technologies, Inc. Low-noise DC/DC converter with controlled diode conduction
TWI337008B (en) * 2007-03-26 2011-02-01 Richtek Technology Corp Anti-ringing switching regulator and control method therefor
JP5138287B2 (ja) * 2007-06-27 2013-02-06 三菱電機株式会社 ゲート駆動装置
US8503146B1 (en) * 2007-10-16 2013-08-06 Fairchild Semiconductor Corporation Gate driver with short-circuit protection
US7944269B2 (en) 2008-09-26 2011-05-17 Infineon Technologies Ag Power transistor and method for controlling a power transistor
JP5035391B2 (ja) * 2010-01-12 2012-09-26 株式会社デンソー 信号出力回路
TW201210021A (en) * 2010-08-31 2012-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd MOSFET element
US8860398B2 (en) * 2011-02-11 2014-10-14 Fairchild Semiconductor Corporation Edge rate control gate driver for switching power converters
US8493146B2 (en) * 2011-03-10 2013-07-23 Silicon Laboratories Inc. Amplifier using fast discharging reference
JP2017028649A (ja) * 2015-07-28 2017-02-02 株式会社東芝 半導体集積回路
JP6549451B2 (ja) * 2015-09-02 2019-07-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置および電子装置
JP6796360B2 (ja) * 2016-11-11 2020-12-09 新電元工業株式会社 パワーモジュール
US10382032B2 (en) * 2017-03-20 2019-08-13 Texas Instruments Incorporated Low electromagnetic interference and switch loss motor driver
JP6889047B2 (ja) * 2017-06-30 2021-06-18 ローム株式会社 スイッチング制御回路
US11031932B2 (en) * 2017-12-22 2021-06-08 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Power module
DE102018104621A1 (de) * 2018-02-28 2019-08-29 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Betreiben eines Transistorbauelements und elektronische Schaltung mit einem Transistorbauelement

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE59308057D1 (de) * 1992-08-04 1998-03-05 Siemens Ag Ansteuerschaltung für einen Leistungs-MOSFET mit sourceseitiger Last
GB9424666D0 (en) * 1994-12-07 1995-02-01 Philips Electronics Uk Ltd A protected switch
JP3421507B2 (ja) * 1996-07-05 2003-06-30 三菱電機株式会社 半導体素子の駆動回路
DE19633367A1 (de) * 1996-08-19 1998-03-26 Siemens Ag Ansteuerschaltung für ein Feldeffekt gesteuertes Halbleiterbauelement
JP2001521312A (ja) * 1997-10-17 2001-11-06 コンチネンタル・テベス・アーゲー・ウント・コンパニー・オーハーゲー バッテリー供給ラインにおける電圧サグを減少するための方法および回路配置
DE19836577C1 (de) 1998-08-12 2000-04-20 Siemens Ag Leistungsschaltkreis mit verminderter Störstrahlung
EP1127409B1 (de) 1998-10-30 2014-04-23 Continental Automotive Systems US, Inc. Kombinierte spannungs- und stromanstiegsbegrenzung
DE19855604C5 (de) 1998-12-02 2004-04-15 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Ansteuern einer Leistungsendstufe
DE10240167C5 (de) 2002-08-30 2010-01-21 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung mit einem Leistungstransistor und einer Ansteuerschaltung für den Leistungstransistor

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