JPH10135209A - 多層配線形成法 - Google Patents
多層配線形成法Info
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 33
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 11
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
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- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/02129—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
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- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
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- H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
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- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
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Abstract
化を可能とし、配線形成歩留りを向上させる。 【解決手段】 基板30の表面を覆う絶縁膜34の上に
配線層36A,36Bを形成した後、膜34と層36
A,36Bを覆ってプラズマCVD−SiO2 等の絶縁
膜38を形成する。回転塗布法等により膜38上に水素
シルセスキオキサン樹脂膜を平坦状に形成した後、該樹
脂膜に不活性ガス雰囲気中で熱処理を施してプレセラミ
ック状の酸化シリコン膜40を形成する。膜40の上に
プラズマCVD−SiO2 等の絶縁膜を形成した後、該
絶縁膜の上に配線層を形成する。
Description
に用いるに好適な多層配線形成法に関し、特に水素シル
セスキオキサン樹脂膜を用いて層間絶縁膜を形成する際
に微小突起の発生を防止して層間絶縁膜の平坦化を可能
としたことにより配線形成歩留りの向上を図ったもので
ある。
用いて多層配線構造における層間絶縁膜を形成すること
が知られている(例えば、特開平6−181204号公
報参照)。
半導体デバイスの表面に水素シルセスキオキサン樹脂膜
を回転塗布法等により形成した後、樹脂膜にN2 等の不
活性ガス雰囲気中で熱処理を施して樹脂膜をプレセラミ
ック状の酸化シリコン膜とし、更に酸化シリコン膜にO
2 ガス等の酸化性雰囲気中で熱処理を施して酸化シリコ
ン膜をセラミック状の酸化シリコン膜とする。ここで、
プレセラミック状の酸化シリコンとは、セラミック状の
酸化シリコンの前駆体であり、セラミック状の酸化シリ
コンよりも架橋が進行しておらず、しかも有機溶剤に対
して不溶なものである。
厚さ1μm以上の酸化シリコン膜を得ることができる。
このような酸化シリコン膜は、層間絶縁膜として有用で
ある。
ば、上記した従来技術には、セラミック状の酸化シリコ
ン膜の表面に直径0.1μm程度の微小突起が発生する
ため、配線形成歩留りの低下を招くという問題点がある
ことが判明した。
線形成法を示すもので、この方法に関して問題点を説明
する。
覆うシリコンオキサイド等の絶縁膜12の上に配線層1
4を形成した後、プラズマCVD(ケミカル・ベーパー
・デポジション)法により絶縁膜12及び配線層14を
覆ってシリコンオキサイドからなる絶縁膜16を形成す
る。そして、水素シルセスキオキサン樹脂をMIBK
(メチル・イソブチル・ケトン)で溶解した溶液を回転
塗布法により基板上面に塗布することにより絶縁膜16
の上に水素シルセスキオキサン樹脂膜18Aを平坦状に
形成する。
ス雰囲気中で熱処理を施すことにより樹脂膜18Aをプ
レセラミック状の酸化シリコン膜18にする。そして、
酸化シリコン膜18にO2 ガス及び不活性ガスの混合雰
囲気中で熱処理を施すことにより酸化シリコン膜18を
セラミック状の酸化シリコン膜にする。このとき、セラ
ミック状の酸化シリコン膜18の表面には、直径0.1
μm程度の微小突起18aが発生する。
りセラミック状の酸化シリコン膜18を覆ってシリコン
オキサイドからなる絶縁膜20を形成する。このとき、
絶縁膜20には、酸化シリコン膜18の微小突起18a
を忠実に反映して凸部20aが形成される。
及び凸部20aに関連する問題点の1つは、図11,1
2に示すように接続孔形状が悪化することである。
の接続孔に対応する孔を有するレジスト層22を形成し
た後、レジスト層22をマスクとする選択的ウェットエ
ッチング(等方性エッチング)処理により浅い接続孔2
4aを形成する。接続孔24aは、図12に示す深い接
続孔24bの開口端縁の段差を緩和して配線の段差被覆
性を向上させるためのものである。
て、エッチング液として、例えばNH4 Fの水溶液とH
Fとを10:1の割合で混合したものを用いると、エッ
チング液は、凸部20aの膜質が疎であり、ウェットエ
ッチレートが速いため、凸部20aを介して微小突起1
8a及びその近傍個所(クロスハッチングを施した個
所)Qに浸入し、該個所を溶解する。
をマスクとする選択的ドライエッチング(異方性エッチ
ング)処理により接続孔24aから配線層14に達する
接続孔24bを形成する。すると、微小突起18a及び
その近傍の溶解個所Qがエッチング除去されるため、接
続孔24bの側壁に凹部Rが生ずる。
配線材を被着してパターニングすることにより接続孔2
4a,24bを介して配線層14に達する配線層(図示
せず)を形成する。このとき形成される配線層は、接続
孔24bの凹部Rに対応する個所で被覆性が悪化し、信
頼性が低下する。
は、図13,14に示すように微小突起18bに対応す
る凸部20bの近傍で配線層間に短絡が生ずることであ
る。微小突起18b及び凸部20bは、それぞれ前述の
微小突起18a及び凸部20aと同様に形成されたもの
である。
着し、その被着層を選択エッチング処理によりパターニ
ングして配線層を形成したとき、図13,14に示すよ
うに隣り合う配線層26A,26Bが凸部20bを挟む
形で形成されると、凸部20bの周囲に配線材の一部が
エッチング残部28として残存する。エッチング残部2
8は、配線層26A,26Bを電気的に短絡した状態に
する。
させることができる新規な多層配線形成法を提供するこ
とにある。
形成法は、基板を覆う第1の絶縁膜の上に第1の配線層
を形成する工程と、前記第1の絶縁膜及び前記第1の配
線層を覆って水素シルセスキオキサン樹脂膜を平坦状に
形成する工程と、前記水素シルセスキオキサン樹脂膜に
不活性ガス雰囲気中で熱処理を施すことにより該樹脂膜
をプレセラミック状の酸化シリコン膜にする工程と、前
記酸化シリコン膜を覆って第2の絶縁膜を形成する工程
と、前記第2の絶縁膜の上に第2の配線層を形成する工
程とを含むものである。
状の酸化シリコン膜にセラミック化のための熱処理を施
さないので、微小突起の発生を防止することができる。
態に係る多層配線形成法を示すもので、各々の図に対応
する工程(1)〜(7)を順次に説明する。
を覆うシリコンオキサイド等の絶縁膜32の表面には、
常圧CVD法等により厚さ750nmのBPSG(ボロ
ン・リン・ケイ酸ガラス)からなる絶縁膜34を形成
し、絶縁膜34には緻密化を目的としてランプアニール
処理を施す。絶縁膜34の形成は、一例として次のよう
な条件で行なわれた。
(8.75sccm)+B2 H6 (7.5sccm)+
O2 (7000sccm)+N2 (50000scc
m) また、ランプアニール処理は、一例として次のような条
件で行なわれた。
その被着層を選択的ドライエッチング処理によりパター
ニングして配線層36A,36Bを形成する。配線材と
しては、一例として下から順にTi(20nm)、Ti
ON(100nm)、Al−Si−Cu(400nm)
及びTiN(40nm)をスパッタ法で被着した。ドラ
イエッチング処理は、一例として次のような条件で行な
われた。
+BCl3 (30sccm) エッチング室内圧力:10mTorr 次に、絶縁膜34の上に配線層36A,36Bを覆って
プラズマCVD法により厚さ300nmのシリコンオキ
サイド(SiO2 )からなる絶縁膜38を形成する。絶
縁膜38の形成は、一例として次のような条件で行なわ
れた。
00sccm)+N2 (2800sccm) 反応室内圧力:2.2Torr 次に、絶縁膜38を覆って水素シルセスキオキサン樹脂
膜40Aを平坦状に形成する。樹脂膜40Aの形成は、
一例として、水素シルセスキオキサン樹脂をMIBKに
溶解した溶液をスピンコータを用いて500nmの厚さ
に塗布することにより行なわれた。樹脂膜40Aの厚さ
は、300〜600nmの範囲で任意に選定可能であ
る。
で熱処理することにより樹脂膜40Aをプレセラミック
状の酸化シリコン膜40とする。熱処理では、不活性ガ
スとして、例えばN2 ガスを用い、150℃以上350
℃未満の温度で1〜60分間加熱する。一例として、N
2 ガス雰囲気中でホットプレートを用いて150℃1分
間+200℃1分間+300℃1分間の熱処理を行なっ
た。
ン樹脂の流動性を保ち且つ微小突起の発生を確実に抑制
するために300℃以下とするのが好ましい。
40を覆ってプラズマCVD法により厚さ500nmの
シリコンオキサイド(SiO2 )からなる絶縁膜42を
形成する。絶縁膜42の形成は、一例として次のような
条件で行なわれた。
00sccm)+N2 (2800sccm) 反応室内圧力:2.2Torr 絶縁膜42としては、次の(イ)又は(ロ)の方法で形
成したシリコンオキサイド膜を用いてもよい。
cate[Si(OC2 H5 )4 ])及びO2 を原料とする
プラズマCVD法:この方法による成膜は、一例として
次のような条件で行なわれた。
給])+O2 (8000sccm) 反応室内圧力:2.2Torr (ロ)SiO2 をターゲットとするスパッタ法:この方
法による成膜は、一例として次のような条件で行なわれ
た。
MHz) 基板温度:200℃ ターゲット:SiO2 反応室内圧力:6mTorr 反応室内雰囲気;アルゴン及び酸素の混合ガス RFパワー:1kW 上記した絶縁膜42の形成方法は、いずれも基板温度が
400℃又はそれ以下に設定されている。このような条
件下では、プレセラミック状の酸化シリコン膜40は、
セラミック化されず、プレセラミック状態を維持してい
る。
応する孔を有するレジスト層44を周知のホトリソグラ
フィ処理により形成した後、レジスト層44をマスクと
する選択的ウェットエッチング(等方性エッチング)処
理により浅い接続孔46aを形成する。接続孔46a
は、図5に示す深い接続孔46bの開口端縁の段差を緩
和して配線の段差被覆性を向上させるためのものであ
る。
液として、NH4 Fの水溶液とHFとを10:1の割合
で混合したものを用いた。図3までの工程では、酸化シ
リコン膜40に微小突起が形成されず、しかも絶縁膜4
2にも微小突起に対応する凸部が形成されていないの
で、従来のように酸化シリコン膜40の一部がエッチン
グ液の浸入により溶解することはなかった。
的ドライエッチング(異方性エッチング)処理により接
続孔46aから配線層36Aに達する接続孔46bを形
成する。酸化シリコン膜40の部分的溶解がないので、
接続孔46bは、図12のRのような凹部を有すること
なく正常な形で形成される。
材を被着し、その被着層を選択的ドライエッチング処理
によりパターニングして絶縁膜42の上に配線層48
A,48Bを形成する。配線層48Aは、接続孔46
a,46bを介して配線層36Aに接続されるものであ
る。配線材としては、Al−Si−Cu(400nm)
をスパッタ法で被着した。ドライエッチング処理は、一
例として次のような条件で行なわれた。
+BCl3 (30sccm) エッチング室内圧力:10mTorr 接続孔46a,46bが正常な形で形成されたので、配
線層48Aも段差被覆性よく形成される。また配線層4
8A,48Bが互いに接近して配置されることがあって
も、図13,14に示したような微小突起対応の凸部が
形成されないので、配線層48A,48B間が配線材の
エッチング残りで短絡されることもなくなる。
後、基板30を縦型炉内に挿入し、窒素雰囲気中で40
0℃、30分の熱処理を基板30上の配線構造に施す。
この後、絶縁膜42の上に配線層48A,48Bを覆っ
てプラズマCVD法等によりシリコンナイトライド等の
保護膜50を形成する。プラズマCVD法でシリコンナ
イトライド膜を形成する場合、形成条件は、一例とし
て、 基板温度:400℃ 原料ガス:SiH4 (300sccm)+NH3 (18
00sccm)+N2 (1000sccm) 反応室圧力:2.6Torr とすることができる。
囲気中に酸素を含ませておらず、しかも該熱処理中及び
保護膜50の形成中に絶縁膜42が酸化シリコン膜40
を覆っているので、酸化シリコン膜40は、保護膜50
を形成した後でもプレセラミック状態を維持している。
ク状の酸化シリコン膜40をセラミック化せずに層間絶
縁膜の一部として使用するので、微小突起のない平坦な
層間絶縁膜を得ることができる。また、セラミック化の
ための熱処理工程が不要であり、工程が簡単となる。
6Bからのヒロック発生を抑制できる利点がある。場合
によっては、絶縁膜38を省略し、絶縁膜34及び配線
層36A,36Bを直接的に覆って前述の水素シルセス
キオキサン樹脂膜40Aを形成することもできる。
48Bの間の層間絶縁膜における最上層の絶縁膜42と
しては、クラックが生じにくいこと、吸湿性が低いこ
と、低温で形成できることなどの条件を満たすものであ
ることが望まれる。上記したプラズマCVD法、スパッ
タ法等の段差被覆性が良好でない方法で形成した絶縁膜
は、上記した条件を満たすものであり、絶縁膜42とし
て用いるのに好適である。
セラミック状の酸化シリコン膜にセラミック化のための
熱処理を施さないことで微小突起の発生を防止したの
で、層間絶縁膜に設ける接続孔の形状悪化を回避できる
と共に層間絶縁膜の平坦化が可能となり、配線形成歩留
りが向上する効果が得られるものである。
要としないので、工程の簡略化が可能となる利点もあ
る。
における樹脂膜形成工程を示す基板断面図である。
す基板断面図である。
断面図である。
示す基板断面図である。
す基板断面図である。
面図である。
断面図である。
程を示す基板断面図である。
ミック化工程を示す基板断面図である。
板断面図である。
程を示す基板断面図である。
を示す基板断面図である。
況を示す基板断面図である。
36A,36B,48A,48B:配線層、40A:水
素シルセスキオキサン樹脂膜、40:プレセラミック状
の酸化シリコン膜。
Claims (1)
- 【請求項1】基板を覆う第1の絶縁膜の上に第1の配線
層を形成する工程と、 前記第1の絶縁膜及び前記第1の配線層を覆って水素シ
ルセスキオキサン樹脂膜を平坦状に形成する工程と、 前記水素シルセスキオキサン樹脂膜に不活性ガス雰囲気
中で熱処理を施すことにより該樹脂膜をプレセラミック
状の酸化シリコン膜にする工程と、 前記酸化シリコン膜を覆って第2の絶縁膜を形成する工
程と、 前記第2の絶縁膜の上に第2の配線層を形成する工程と
を含む多層配線形成法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08306975A JP3123449B2 (ja) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | 多層配線形成法 |
US08/961,276 US5904576A (en) | 1996-11-01 | 1997-10-30 | Method of forming wiring structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08306975A JP3123449B2 (ja) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | 多層配線形成法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10135209A true JPH10135209A (ja) | 1998-05-22 |
JP3123449B2 JP3123449B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=17963523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08306975A Expired - Fee Related JP3123449B2 (ja) | 1996-11-01 | 1996-11-01 | 多層配線形成法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5904576A (ja) |
JP (1) | JP3123449B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020031294A (ko) * | 2000-10-18 | 2002-05-01 | 가네꼬 히사시 | 반도체장치의 제조방법 |
KR100358545B1 (ko) * | 1998-08-14 | 2002-10-25 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 공정 |
US6596639B1 (en) * | 1999-10-08 | 2003-07-22 | Agere Systems Inc. | Method for chemical/mechanical planarization of a semiconductor wafer having dissimilar metal pattern densities |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6323549B1 (en) * | 1996-08-29 | 2001-11-27 | L. Pierre deRochemont | Ceramic composite wiring structures for semiconductor devices and method of manufacture |
JP3082688B2 (ja) * | 1996-11-05 | 2000-08-28 | ヤマハ株式会社 | 配線形成法 |
US6555465B2 (en) * | 1997-12-05 | 2003-04-29 | Yamaha Corp. | Multi-layer wiring structure of integrated circuit and manufacture of multi-layer wiring |
KR100265772B1 (ko) * | 1998-07-22 | 2000-10-02 | 윤종용 | 반도체 장치의 배선구조 및 그 제조방법 |
US6541863B1 (en) * | 2000-01-05 | 2003-04-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor device having a reduced signal processing time and a method of fabricating the same |
JP2005331619A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Sharp Corp | パターン部材およびその製造方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61101109A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平衡・不平衡変換器 |
US4756977A (en) * | 1986-12-03 | 1988-07-12 | Dow Corning Corporation | Multilayer ceramics from hydrogen silsesquioxane |
US5336532A (en) * | 1989-02-21 | 1994-08-09 | Dow Corning Corporation | Low temperature process for the formation of ceramic coatings |
US5085893A (en) * | 1989-07-28 | 1992-02-04 | Dow Corning Corporation | Process for forming a coating on a substrate using a silsesquioxane resin |
CA2027031A1 (en) * | 1989-10-18 | 1991-04-19 | Loren A. Haluska | Hermetic substrate coatings in an inert gas atmosphere |
US5059448A (en) * | 1990-06-18 | 1991-10-22 | Dow Corning Corporation | Rapid thermal process for obtaining silica coatings |
US5118530A (en) * | 1990-11-28 | 1992-06-02 | Dow Corning Corporation | Use of hydrogen silsesquioxane resin fractions as coating materials |
JPH04253309A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バランコイル |
JPH04277910A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 面貼り平衡不平衡変換器 |
US5369795A (en) * | 1991-05-29 | 1994-11-29 | Hewlett-Packard Company | High frequency transformer and mixer using the same |
US5145723A (en) * | 1991-06-05 | 1992-09-08 | Dow Corning Corporation | Process for coating a substrate with silica |
JP3174416B2 (ja) * | 1992-12-10 | 2001-06-11 | ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション | 酸化ケイ素膜の形成方法 |
JP3174417B2 (ja) * | 1992-12-11 | 2001-06-11 | ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション | 酸化ケイ素膜の形成方法 |
JP3210457B2 (ja) * | 1992-12-14 | 2001-09-17 | ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション | 酸化ケイ素膜の形成方法 |
US5387480A (en) * | 1993-03-08 | 1995-02-07 | Dow Corning Corporation | High dielectric constant coatings |
BE1007216A3 (nl) * | 1993-06-11 | 1995-04-25 | Philips Electronics Nv | Optisch transmissiesysteem. |
US5567661A (en) * | 1993-08-26 | 1996-10-22 | Fujitsu Limited | Formation of planarized insulating film by plasma-enhanced CVD of organic silicon compound |
DE4333253A1 (de) * | 1993-09-30 | 1995-04-06 | Deutsche Aerospace | Schaltungsanordnung zur Anpassung eines erdunsymmetrischen Leitungssystems an ein erdsymmetrisches Leitungssystem |
JP3214186B2 (ja) * | 1993-10-07 | 2001-10-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2751820B2 (ja) * | 1994-02-28 | 1998-05-18 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5399441A (en) * | 1994-04-12 | 1995-03-21 | Dow Corning Corporation | Method of applying opaque coatings |
US5548159A (en) * | 1994-05-27 | 1996-08-20 | Texas Instruments Incorporated | Porous insulator for line-to-line capacitance reduction |
US5607773A (en) * | 1994-12-20 | 1997-03-04 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming a multilevel dielectric |
JPH08181276A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3070450B2 (ja) * | 1995-07-14 | 2000-07-31 | ヤマハ株式会社 | 多層配線形成法 |
-
1996
- 1996-11-01 JP JP08306975A patent/JP3123449B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-10-30 US US08/961,276 patent/US5904576A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100358545B1 (ko) * | 1998-08-14 | 2002-10-25 | 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 공정 |
US6596639B1 (en) * | 1999-10-08 | 2003-07-22 | Agere Systems Inc. | Method for chemical/mechanical planarization of a semiconductor wafer having dissimilar metal pattern densities |
KR20020031294A (ko) * | 2000-10-18 | 2002-05-01 | 가네꼬 히사시 | 반도체장치의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3123449B2 (ja) | 2001-01-09 |
US5904576A (en) | 1999-05-18 |
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