JPH09283515A - 酸化シリコン膜形成法 - Google Patents
酸化シリコン膜形成法Info
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- JPH09283515A JPH09283515A JP11702696A JP11702696A JPH09283515A JP H09283515 A JPH09283515 A JP H09283515A JP 11702696 A JP11702696 A JP 11702696A JP 11702696 A JP11702696 A JP 11702696A JP H09283515 A JPH09283515 A JP H09283515A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水素シルセスキオキサン樹脂膜をセラミック
化して酸化シリコン膜を形成する方法において、酸化シ
リコン膜の表面に微小突起が発生するのを防ぐ。 【解決手段】 基板３０の表面を覆って回転塗布法等に
より水素シルセスキオキサン樹脂膜を形成した後、該樹
脂膜にＮ2 雰囲気中で熱処理を施してプレセラミック状
の酸化シリコン膜４０を形成する。次に、Ｏ2 とＮ2 を
含む雰囲気中で２５０℃以上４００℃未満の範囲内の温
度で熱処理を行なうことで膜４０をセラミック状の酸化
シリコン膜にする。４００℃未満の温度でセラミック化
のための熱処理を行なうと、膜４０の表面に微小突起が
発生するのを防げる。膜４０は、プレセラミック化工程
なしでセラミック化してもよい。
化して酸化シリコン膜を形成する方法において、酸化シ
リコン膜の表面に微小突起が発生するのを防ぐ。 【解決手段】 基板３０の表面を覆って回転塗布法等に
より水素シルセスキオキサン樹脂膜を形成した後、該樹
脂膜にＮ2 雰囲気中で熱処理を施してプレセラミック状
の酸化シリコン膜４０を形成する。次に、Ｏ2 とＮ2 を
含む雰囲気中で２５０℃以上４００℃未満の範囲内の温
度で熱処理を行なうことで膜４０をセラミック状の酸化
シリコン膜にする。４００℃未満の温度でセラミック化
のための熱処理を行なうと、膜４０の表面に微小突起が
発生するのを防げる。膜４０は、プレセラミック化工程
なしでセラミック化してもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
における層間膜、保護膜等の絶縁膜として用いるに好適
な酸化シリコン膜を水素シルセスキオキサン樹脂膜のセ
ラミック化により形成する方法に関し、特にセラミック
化のための熱処理を４００℃未満の温度で行なうことに
より酸化シリコン膜の表面に微小突起が発生するのを防
止するようにしたものである。
における層間膜、保護膜等の絶縁膜として用いるに好適
な酸化シリコン膜を水素シルセスキオキサン樹脂膜のセ
ラミック化により形成する方法に関し、特にセラミック
化のための熱処理を４００℃未満の温度で行なうことに
より酸化シリコン膜の表面に微小突起が発生するのを防
止するようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、水素シルセスキオキサン樹脂膜を
用いて酸化シリコン膜を形成することが知られている
（例えば、特開平６−１８１２０４号公報参照）。
用いて酸化シリコン膜を形成することが知られている
（例えば、特開平６−１８１２０４号公報参照）。
【０００３】このような酸化シリコン膜形成法にあって
は、半導体基板等の基板の表面を覆って水素シルセスキ
オキサン樹脂膜を回転塗布法等により形成した後、樹脂
膜にＮ2 等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を施して樹脂
膜をプレセラミック状の酸化シリコン膜とし、更に酸化
シリコン膜にＯ2 ガス等の酸化性雰囲気中で熱処理を施
して酸化シリコン膜をセラミック状の酸化シリコン膜と
する。ここで、プレセラミック状の酸化シリコンとは、
セラミック状の酸化シリコンの前駆体であり、セラミッ
ク状の酸化シリコンよりも架橋が進行しておらず、しか
も有機溶剤に対して不溶なものである。
は、半導体基板等の基板の表面を覆って水素シルセスキ
オキサン樹脂膜を回転塗布法等により形成した後、樹脂
膜にＮ2 等の不活性ガス雰囲気中で熱処理を施して樹脂
膜をプレセラミック状の酸化シリコン膜とし、更に酸化
シリコン膜にＯ2 ガス等の酸化性雰囲気中で熱処理を施
して酸化シリコン膜をセラミック状の酸化シリコン膜と
する。ここで、プレセラミック状の酸化シリコンとは、
セラミック状の酸化シリコンの前駆体であり、セラミッ
ク状の酸化シリコンよりも架橋が進行しておらず、しか
も有機溶剤に対して不溶なものである。
【０００４】このような方法によれば、クラックのない
厚さ１μｍ以上の酸化シリコン膜を得ることができる。
このような酸化シリコン膜は、半導体デバイスにおける
層間膜、保護膜等の絶縁膜として用いるに好適なもので
ある。
厚さ１μｍ以上の酸化シリコン膜を得ることができる。
このような酸化シリコン膜は、半導体デバイスにおける
層間膜、保護膜等の絶縁膜として用いるに好適なもので
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】発明者の研究によれ
ば、上記した従来技術には、セラミック状の酸化シリコ
ン膜の表面に直径０．１μｍ程度の微小突起が発生する
ため、配線形成歩留りの低下を招くという問題点がある
ことが判明した。
ば、上記した従来技術には、セラミック状の酸化シリコ
ン膜の表面に直径０．１μｍ程度の微小突起が発生する
ため、配線形成歩留りの低下を招くという問題点がある
ことが判明した。
【０００６】図８〜１２は、従来技術を応用した多層配
線形成法を示すもので、この方法に関して問題点を説明
する。
線形成法を示すもので、この方法に関して問題点を説明
する。
【０００７】図８の工程では、半導体基板１０の表面を
覆うシリコンオキサイド等の絶縁膜１２の上に配線層１
４を形成した後、プラズマＣＶＤ（ケミカル・ベーパー
・デポジション）法により絶縁膜１２及び配線層１４を
覆ってシリコンオキサイドからなる絶縁膜１６を形成す
る。そして、水素シルセスキオキサン樹脂をＭＩＢＫ
（メチル・イソブチル・ケトン）で溶解した溶液を回転
塗布法により基板上面に塗布することにより絶縁膜１６
の上に水素シルセスキオキサン樹脂膜１８Ａを平坦状に
形成する。
覆うシリコンオキサイド等の絶縁膜１２の上に配線層１
４を形成した後、プラズマＣＶＤ（ケミカル・ベーパー
・デポジション）法により絶縁膜１２及び配線層１４を
覆ってシリコンオキサイドからなる絶縁膜１６を形成す
る。そして、水素シルセスキオキサン樹脂をＭＩＢＫ
（メチル・イソブチル・ケトン）で溶解した溶液を回転
塗布法により基板上面に塗布することにより絶縁膜１６
の上に水素シルセスキオキサン樹脂膜１８Ａを平坦状に
形成する。
【０００８】図９の工程では、樹脂膜１８Ａに不活性ガ
ス雰囲気中で熱処理を施すことにより樹脂膜１８Ａをプ
レセラミック状の酸化シリコン膜１８にする。そして、
酸化シリコン膜１８にＯ2 ガス及び不活性ガスの混合雰
囲気中で熱処理を施すことにより酸化シリコン膜１８を
セラミック状の酸化シリコン膜にする。このとき、セラ
ミック状の酸化シリコン膜１８の表面には、直径０．１
μｍ程度の微小突起１８ａが発生する。
ス雰囲気中で熱処理を施すことにより樹脂膜１８Ａをプ
レセラミック状の酸化シリコン膜１８にする。そして、
酸化シリコン膜１８にＯ2 ガス及び不活性ガスの混合雰
囲気中で熱処理を施すことにより酸化シリコン膜１８を
セラミック状の酸化シリコン膜にする。このとき、セラ
ミック状の酸化シリコン膜１８の表面には、直径０．１
μｍ程度の微小突起１８ａが発生する。
【０００９】図１０の工程では、プラズマＣＶＤ法によ
りセラミック状の酸化シリコン膜１８を覆ってシリコン
オキサイドからなる絶縁膜２０を形成する。このとき、
絶縁膜２０には、酸化シリコン膜１８の微小突起１８ａ
を忠実に反映して凸部２０ａが形成される。
りセラミック状の酸化シリコン膜１８を覆ってシリコン
オキサイドからなる絶縁膜２０を形成する。このとき、
絶縁膜２０には、酸化シリコン膜１８の微小突起１８ａ
を忠実に反映して凸部２０ａが形成される。
【００１０】このようにして形成される微小突起１８ａ
及び凸部２０ａに関連する問題点の１つは、図１１，１
２に示すように接続孔形状が悪化することである。
及び凸部２０ａに関連する問題点の１つは、図１１，１
２に示すように接続孔形状が悪化することである。
【００１１】図１１の工程では、絶縁膜２０の上に所望
の接続孔に対応する孔を有するレジスト層２２を形成し
た後、レジスト層２２をマスクとする選択的ウェットエ
ッチング（等方性エッチング）処理により浅い接続孔２
４ａを形成する。接続孔２４ａは、図１１に示す深い接
続孔２４ｂの開口端縁の段差を緩和して配線の段差被覆
性を向上させるためのものである。
の接続孔に対応する孔を有するレジスト層２２を形成し
た後、レジスト層２２をマスクとする選択的ウェットエ
ッチング（等方性エッチング）処理により浅い接続孔２
４ａを形成する。接続孔２４ａは、図１１に示す深い接
続孔２４ｂの開口端縁の段差を緩和して配線の段差被覆
性を向上させるためのものである。
【００１２】図１１のウェットエッチング処理におい
て、エッチング液として、例えばＮＨ4 Ｆの水溶液とＨ
Ｆとを１０：１の割合で混合したものを用いると、エッ
チング液は、凸部２０ａの膜質が疎であり、ウェットエ
ッチレートが速いため、凸部２０ａを介して微小突起１
８ａ及びその近傍個所（クロスハッチングを施した個
所）Ｑに浸入し、該個所を溶解する。
て、エッチング液として、例えばＮＨ4 Ｆの水溶液とＨ
Ｆとを１０：１の割合で混合したものを用いると、エッ
チング液は、凸部２０ａの膜質が疎であり、ウェットエ
ッチレートが速いため、凸部２０ａを介して微小突起１
８ａ及びその近傍個所（クロスハッチングを施した個
所）Ｑに浸入し、該個所を溶解する。
【００１３】次に、図１２の工程では、レジスト層２２
をマスクとする選択的ドライエッチング（異方性エッチ
ング）処理により接続孔２４ａから配線層１４に達する
接続孔２４ｂを形成する。すると、微小突起１８ａ及び
その近傍の溶解個所Ｑがエッチング除去されるため、接
続孔２４ｂの側壁に凹部Ｒが生ずる。
をマスクとする選択的ドライエッチング（異方性エッチ
ング）処理により接続孔２４ａから配線層１４に達する
接続孔２４ｂを形成する。すると、微小突起１８ａ及び
その近傍の溶解個所Ｑがエッチング除去されるため、接
続孔２４ｂの側壁に凹部Ｒが生ずる。
【００１４】レジスト層２２を除去した後、基板上面に
配線材を被着してパターニングすることにより接続孔２
４ａ，２４ｂを介して配線層１４に達する配線層（図示
せず）を形成する。このとき形成される配線層は、接続
孔２４ｂの凹部Ｒに対応する個所で被覆性が悪化し、信
頼性が低下する。
配線材を被着してパターニングすることにより接続孔２
４ａ，２４ｂを介して配線層１４に達する配線層（図示
せず）を形成する。このとき形成される配線層は、接続
孔２４ｂの凹部Ｒに対応する個所で被覆性が悪化し、信
頼性が低下する。
【００１５】微小突起及び凸部に関連する他の問題点
は、図１３，１４に示すように微小突起１８ｂに対応す
る凸部２０ｂの近傍で配線層間に短絡が生ずることであ
る。微小突起１８ｂ及び凸部２０ｂは、それぞれ前述の
微小突起１８ａ及び凸部２０ａと同様に形成されたもの
である。
は、図１３，１４に示すように微小突起１８ｂに対応す
る凸部２０ｂの近傍で配線層間に短絡が生ずることであ
る。微小突起１８ｂ及び凸部２０ｂは、それぞれ前述の
微小突起１８ａ及び凸部２０ａと同様に形成されたもの
である。
【００１６】図１０の工程の後、基板上面に配線材を被
着し、その被着層を選択エッチング処理によりパターニ
ングして配線層を形成したとき、図１３，１４に示すよ
うに隣り合う配線層２６Ａ，２６Ｂが凸部２０ｂを挟む
形で形成されると、凸部２０ｂの周囲に配線材の一部が
エッチング残部２８として残存する。エッチング残部２
８は、配線層２６Ａ，２６Ｂを電気的に短絡した状態に
する。
着し、その被着層を選択エッチング処理によりパターニ
ングして配線層を形成したとき、図１３，１４に示すよ
うに隣り合う配線層２６Ａ，２６Ｂが凸部２０ｂを挟む
形で形成されると、凸部２０ｂの周囲に配線材の一部が
エッチング残部２８として残存する。エッチング残部２
８は、配線層２６Ａ，２６Ｂを電気的に短絡した状態に
する。
【００１７】上記のような問題点を解決するため、発明
者は、プレセラミック状の酸化シリコン膜の上に絶縁膜
を形成した状態でセラミック化のための熱処理を行なう
ことによりセラミック状の酸化シリコン膜の表面に微小
突起が発生するのを防止する方法を発明し、該方法の発
明については本願と同一出願人により既に特許出願（特
願平７−２０１５９０号）がなされている。
者は、プレセラミック状の酸化シリコン膜の上に絶縁膜
を形成した状態でセラミック化のための熱処理を行なう
ことによりセラミック状の酸化シリコン膜の表面に微小
突起が発生するのを防止する方法を発明し、該方法の発
明については本願と同一出願人により既に特許出願（特
願平７−２０１５９０号）がなされている。
【００１８】しかしながら、先行特許出願に係る方法に
よると、セラミック状の酸化シリコン膜の機械的強度が
低下するという問題点があることが判明した。
よると、セラミック状の酸化シリコン膜の機械的強度が
低下するという問題点があることが判明した。
【００１９】すなわち、図９の工程において、前述した
ようにプレセラミック状の酸化シリコン膜１８を形成し
た後、例えばプラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜１
８の上に５００ｎｍの厚さのシリコンオキサイド膜を形
成してから前述したようにセラミック化のための熱処理
を行なうと、酸化シリコン膜１８は、微小突起１８ａの
発生を伴うことなくセラミック状の酸化シリコン膜１８
となる。この後、シリコンオキサイド膜で覆われたセラ
ミック状の酸化シリコン膜１８を有する半導体（シリコ
ン）チップを樹脂体でモールド封止し、温度サイクル試
験を行なったところ、酸化シリコン膜１８にクラックが
生じ、更にはシリコンオキサイド膜と酸化シリコン膜１
８との界面に剥がれが生ずることが判明した。なお、温
度サイクル試験における温度サイクルの条件は、次の数
１に示す通りであった。
ようにプレセラミック状の酸化シリコン膜１８を形成し
た後、例えばプラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜１
８の上に５００ｎｍの厚さのシリコンオキサイド膜を形
成してから前述したようにセラミック化のための熱処理
を行なうと、酸化シリコン膜１８は、微小突起１８ａの
発生を伴うことなくセラミック状の酸化シリコン膜１８
となる。この後、シリコンオキサイド膜で覆われたセラ
ミック状の酸化シリコン膜１８を有する半導体（シリコ
ン）チップを樹脂体でモールド封止し、温度サイクル試
験を行なったところ、酸化シリコン膜１８にクラックが
生じ、更にはシリコンオキサイド膜と酸化シリコン膜１
８との界面に剥がれが生ずることが判明した。なお、温
度サイクル試験における温度サイクルの条件は、次の数
１に示す通りであった。
【００２０】
【数１】 この発明の目的は、酸化シリコン膜の機械的強度を低下
させることなく微小突起の発生を防止することができる
新規な酸化シリコン膜形成法を提供することにある。
させることなく微小突起の発生を防止することができる
新規な酸化シリコン膜形成法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】この発明に係る酸化シリ
コン膜形成法は、基板の表面を覆って水素シルセスキオ
キサン樹脂膜を平坦状に形成する工程と、前記水素シル
セスキオキサン樹脂膜に不活性ガス雰囲気中で第１の熱
処理を施すことにより該樹脂膜をプレセラミック状の酸
化シリコン膜にする工程と、前記酸化シリコン膜に酸化
性雰囲気中で第２の熱処理を施すことにより前記酸化シ
リコン膜をセラミック状の酸化シリコン膜にする工程と
を含む酸化シリコン膜形成法であって、前記第２の熱処
理を２５０℃以上４００℃未満の範囲内の温度で行なう
ことを特徴とするものである。
コン膜形成法は、基板の表面を覆って水素シルセスキオ
キサン樹脂膜を平坦状に形成する工程と、前記水素シル
セスキオキサン樹脂膜に不活性ガス雰囲気中で第１の熱
処理を施すことにより該樹脂膜をプレセラミック状の酸
化シリコン膜にする工程と、前記酸化シリコン膜に酸化
性雰囲気中で第２の熱処理を施すことにより前記酸化シ
リコン膜をセラミック状の酸化シリコン膜にする工程と
を含む酸化シリコン膜形成法であって、前記第２の熱処
理を２５０℃以上４００℃未満の範囲内の温度で行なう
ことを特徴とするものである。
【００２２】この発明の方法によれば、セラミック化の
ための熱処理の温度の上限を４００℃未満としたので、
微小突起の発生を防止することができる。これは、図７
を参照して後述するように発明者の実験結果に基づくも
のである。また、セラミック化のための熱処理の温度の
下限を２５０℃としたのは、２５０℃未満ではセラミッ
ク化が十分でなく、所望の機械的強度が得られないから
である。
ための熱処理の温度の上限を４００℃未満としたので、
微小突起の発生を防止することができる。これは、図７
を参照して後述するように発明者の実験結果に基づくも
のである。また、セラミック化のための熱処理の温度の
下限を２５０℃としたのは、２５０℃未満ではセラミッ
ク化が十分でなく、所望の機械的強度が得られないから
である。
【００２３】この発明の方法にあっては、プレセラミッ
ク化のための熱処理においても、２５０℃以上４００℃
未満の範囲内の温度にするのが好ましい。この温度範囲
内であれば、１分程度の加熱でプレセラミック化を達成
することができる。
ク化のための熱処理においても、２５０℃以上４００℃
未満の範囲内の温度にするのが好ましい。この温度範囲
内であれば、１分程度の加熱でプレセラミック化を達成
することができる。
【００２４】この発明の方法にあっては、プレセラミッ
ク化のための熱処理を省略し、１回の熱処理で水素シル
セスキオキサン樹脂膜をセラミック状の酸化シリコン膜
にしてもよい。この場合、熱処理の雰囲気は、不活性ガ
ス及び酸素ガスのうち少なくとも一方のものを含む雰囲
気とし、熱処理の温度範囲は、２５０℃以上４００℃未
満とする。この方法によれば、所望の機械的強度を有し
且つ微小突起がないセラミック状の酸化シリコン膜を少
ない工程数で得ることができる。
ク化のための熱処理を省略し、１回の熱処理で水素シル
セスキオキサン樹脂膜をセラミック状の酸化シリコン膜
にしてもよい。この場合、熱処理の雰囲気は、不活性ガ
ス及び酸素ガスのうち少なくとも一方のものを含む雰囲
気とし、熱処理の温度範囲は、２５０℃以上４００℃未
満とする。この方法によれば、所望の機械的強度を有し
且つ微小突起がないセラミック状の酸化シリコン膜を少
ない工程数で得ることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】図１〜６は、この発明に係る多層
配線形成法を示すもので、各々の図に対応する工程
（１）〜（６）を順次に説明する。
配線形成法を示すもので、各々の図に対応する工程
（１）〜（６）を順次に説明する。
【００２６】（１）シリコン等の半導体基板３０の表面
を覆うシリコンオキサイド等の絶縁膜３２の表面には、
常圧ＣＶＤ法等により厚さ７５０ｎｍのＢＰＳＧ（ボロ
ン・リン・ケイ酸ガラス）からなる絶縁膜３４を形成
し、絶縁膜３４には緻密化を目的としてランプアニール
処理を施す。絶縁膜３４の形成は、一例として次のよう
な条件で行なわれた。
を覆うシリコンオキサイド等の絶縁膜３２の表面には、
常圧ＣＶＤ法等により厚さ７５０ｎｍのＢＰＳＧ（ボロ
ン・リン・ケイ酸ガラス）からなる絶縁膜３４を形成
し、絶縁膜３４には緻密化を目的としてランプアニール
処理を施す。絶縁膜３４の形成は、一例として次のよう
な条件で行なわれた。
【００２７】基板温度：４００℃ 原料ガス：ＳｉＨ4 （４６．２５ｓｃｃｍ）＋ＰＨ3
（８．７５ｓｃｃｍ）＋Ｂ2 Ｈ6 （７．５ｓｃｃｍ）＋
Ｏ2 （７０００ｓｃｃｍ）＋Ｎ2 （５００００ｓｃｃ
ｍ） また、ランプアニール処理は、一例として次のような条
件で行なわれた。
（８．７５ｓｃｃｍ）＋Ｂ2 Ｈ6 （７．５ｓｃｃｍ）＋
Ｏ2 （７０００ｓｃｃｍ）＋Ｎ2 （５００００ｓｃｃ
ｍ） また、ランプアニール処理は、一例として次のような条
件で行なわれた。
【００２８】基板温度：８５０℃ ８５０℃までの昇温時間：１０秒 ８５０℃での維持時間：１０秒 次に、基板上面にスパッタ法等により配線材を被着し、
その被着層を選択的ドライエッチング処理によりパター
ニングして配線層３６Ａ，３６Ｂを形成する。配線材と
しては、一例として下から順にＴｉ（２０ｎｍ）、Ｔｉ
ＯＮ（１００ｎｍ）、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ（４００ｎｍ）
及びＴｉＮ（４０ｎｍ）をスパッタ法で被着した。ドラ
イエッチング処理は、一例として次のような条件で行な
われた。
その被着層を選択的ドライエッチング処理によりパター
ニングして配線層３６Ａ，３６Ｂを形成する。配線材と
しては、一例として下から順にＴｉ（２０ｎｍ）、Ｔｉ
ＯＮ（１００ｎｍ）、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ（４００ｎｍ）
及びＴｉＮ（４０ｎｍ）をスパッタ法で被着した。ドラ
イエッチング処理は、一例として次のような条件で行な
われた。
【００２９】エッチングガス：Ｃｌ2 （３０ｓｃｃｍ）
＋ＢＣｌ3 （３０ｓｃｃｍ） エッチング室内圧力：１０ｍＴｏｒｒ 次に、絶縁膜３４の上に配線層３６Ａ，３６Ｂを覆って
プラズマＣＶＤ法により厚さ３００ｎｍのシリコンオキ
サイド（ＳｉＯ2 ）からなる絶縁膜３８を形成する。絶
縁膜３８の形成は、一例として次のような条件で行なわ
れた。
＋ＢＣｌ3 （３０ｓｃｃｍ） エッチング室内圧力：１０ｍＴｏｒｒ 次に、絶縁膜３４の上に配線層３６Ａ，３６Ｂを覆って
プラズマＣＶＤ法により厚さ３００ｎｍのシリコンオキ
サイド（ＳｉＯ2 ）からなる絶縁膜３８を形成する。絶
縁膜３８の形成は、一例として次のような条件で行なわ
れた。
【００３０】基板温度：４００℃ 原料ガス：ＳｉＨ4 （２４０ｓｃｃｍ）＋Ｎ2 Ｏ（５０
００ｓｃｃｍ）＋Ｎ2 （２８００ｓｃｃｍ） 反応室内圧力：２．２Ｔｏｒｒ 次に、絶縁膜３８を覆って水素シルセスキオキサン樹脂
膜４０Ａを平坦状に形成する。樹脂膜４０Ａの形成は、
一例として、水素シルセスキオキサン樹脂（ダウ・コー
ニング社製で商品名「ＦＯx −１５」として販売されて
いるもの）をＭＩＢＫに溶解した溶液をスピンコータを
用いて４００ｎｍの厚さに塗布することにより行なわれ
た。樹脂膜４０Ａの厚さは、３００〜６００ｎｍの範囲
で任意に選定可能である。
００ｓｃｃｍ）＋Ｎ2 （２８００ｓｃｃｍ） 反応室内圧力：２．２Ｔｏｒｒ 次に、絶縁膜３８を覆って水素シルセスキオキサン樹脂
膜４０Ａを平坦状に形成する。樹脂膜４０Ａの形成は、
一例として、水素シルセスキオキサン樹脂（ダウ・コー
ニング社製で商品名「ＦＯx −１５」として販売されて
いるもの）をＭＩＢＫに溶解した溶液をスピンコータを
用いて４００ｎｍの厚さに塗布することにより行なわれ
た。樹脂膜４０Ａの厚さは、３００〜６００ｎｍの範囲
で任意に選定可能である。
【００３１】（２）樹脂膜４０Ａを不活性ガス雰囲気中
で熱処理することにより樹脂膜４０Ａをプレセラミック
状の酸化シリコン膜４０とする。熱処理では、不活性ガ
スとして、例えばＮ2 ガスを用い、１５０℃以上４００
℃未満の温度で１〜６０分間加熱する。一例として、Ｎ
2 ガス雰囲気中でホットプレートを用いて１５０℃１分
間＋２００℃１分間＋３００℃１分間の熱処理を行なっ
た。
で熱処理することにより樹脂膜４０Ａをプレセラミック
状の酸化シリコン膜４０とする。熱処理では、不活性ガ
スとして、例えばＮ2 ガスを用い、１５０℃以上４００
℃未満の温度で１〜６０分間加熱する。一例として、Ｎ
2 ガス雰囲気中でホットプレートを用いて１５０℃１分
間＋２００℃１分間＋３００℃１分間の熱処理を行なっ
た。
【００３２】なお、加熱温度は、水素シルセスキオキサ
ン樹脂の流動性を保ち且つ微小突起の発生を確実に抑制
するために４００℃未満とするのが好ましい。プレセラ
ミック化は、２５０℃以上４００℃未満の範囲内の温度
であれば、１分程度の加熱で十分である。
ン樹脂の流動性を保ち且つ微小突起の発生を確実に抑制
するために４００℃未満とするのが好ましい。プレセラ
ミック化は、２５０℃以上４００℃未満の範囲内の温度
であれば、１分程度の加熱で十分である。
【００３３】プレセラミック化のための熱処理の後、プ
レセラミック状の酸化シリコン膜４０をセラミック状の
酸化シリコン膜にするための熱処理を行なう。すなわ
ち、酸素ガス（又は酸素ガスと不活性ガスの混合ガス）
等の酸化性雰囲気中で２５０℃以上４００℃未満の範囲
内の温度で５〜１２０分間の熱処理を行なう。一例とし
て、Ｏ2 及びＮ2 の混合ガス雰囲気中で３８５℃６０分
の熱処理を行なった。
レセラミック状の酸化シリコン膜４０をセラミック状の
酸化シリコン膜にするための熱処理を行なう。すなわ
ち、酸素ガス（又は酸素ガスと不活性ガスの混合ガス）
等の酸化性雰囲気中で２５０℃以上４００℃未満の範囲
内の温度で５〜１２０分間の熱処理を行なう。一例とし
て、Ｏ2 及びＮ2 の混合ガス雰囲気中で３８５℃６０分
の熱処理を行なった。
【００３４】このような熱処理の結果として得られるセ
ラミック状の酸化シリコン膜４０には、図９の１８ａの
ような微小突起の発生が認められなかった。
ラミック状の酸化シリコン膜４０には、図９の１８ａの
ような微小突起の発生が認められなかった。
【００３５】（３）セラミック状の酸化シリコン膜４０
を覆ってプラズマＣＶＤ法により厚さ５００ｎｍのシリ
コンオキサイド（ＳｉＯ2 ）からなる絶縁膜４２を形成
する。絶縁膜４２の形成は、一例として次のような条件
で行なわれた。
を覆ってプラズマＣＶＤ法により厚さ５００ｎｍのシリ
コンオキサイド（ＳｉＯ2 ）からなる絶縁膜４２を形成
する。絶縁膜４２の形成は、一例として次のような条件
で行なわれた。
【００３６】基板温度：４００℃ 原料ガス：ＳｉＨ4 （２４０ｓｃｃｍ）＋Ｎ2 Ｏ（５０
００ｓｃｃｍ）＋Ｎ2 （２８００ｓｃｃｍ） 反応室内圧力：２．２Ｔｏｒｒ （４）絶縁膜４２の上に所望の接続孔に対応する孔を有
するレジスト層４４を周知のホトリソグラフィ処理によ
り形成した後、レジスト層４４をマスクとする選択的ウ
ェットエッチング（等方性エッチング）処理により浅い
接続孔４６ａを形成する。接続孔４６ａは、図５に示す
深い接続孔４６ｂの開口端縁の段差を緩和して配線の段
差被覆性を向上させるためのものである。
００ｓｃｃｍ）＋Ｎ2 （２８００ｓｃｃｍ） 反応室内圧力：２．２Ｔｏｒｒ （４）絶縁膜４２の上に所望の接続孔に対応する孔を有
するレジスト層４４を周知のホトリソグラフィ処理によ
り形成した後、レジスト層４４をマスクとする選択的ウ
ェットエッチング（等方性エッチング）処理により浅い
接続孔４６ａを形成する。接続孔４６ａは、図５に示す
深い接続孔４６ｂの開口端縁の段差を緩和して配線の段
差被覆性を向上させるためのものである。
【００３７】ウェットエッチング処理では、エッチング
液として、ＮＨ4 Ｆの水溶液とＨＦとを１０：１の割合
で混合したものを用いた。図３までの工程では、酸化シ
リコン膜４０に微小突起が形成されず、しかも絶縁膜４
２にも微小突起に対応する凸部が形成されていないの
で、図１１に示したように酸化シリコン膜４０の一部が
エッチング液の浸入により溶解することはなかった。
液として、ＮＨ4 Ｆの水溶液とＨＦとを１０：１の割合
で混合したものを用いた。図３までの工程では、酸化シ
リコン膜４０に微小突起が形成されず、しかも絶縁膜４
２にも微小突起に対応する凸部が形成されていないの
で、図１１に示したように酸化シリコン膜４０の一部が
エッチング液の浸入により溶解することはなかった。
【００３８】（５）レジスト層４４をマスクとする選択
的ドライエッチング（異方性エッチング）処理により接
続孔４６ａから配線層３６Ａに達する接続孔４６ｂを形
成する。酸化シリコン膜４０の部分的溶解がないので、
接続孔４６ｂは、図１２のＲのような凹部を有すること
なく正常な形で形成される。
的ドライエッチング（異方性エッチング）処理により接
続孔４６ａから配線層３６Ａに達する接続孔４６ｂを形
成する。酸化シリコン膜４０の部分的溶解がないので、
接続孔４６ｂは、図１２のＲのような凹部を有すること
なく正常な形で形成される。
【００３９】（６）基板上面にスパッタ法等により配線
材を被着し、その被着層を選択的ドライエッチング（異
方性エッチング）処理によりパターニングして絶縁膜４
２の上に配線層４８Ａ，４８Ｂを形成する。配線層４８
Ａは、接続孔４６ａ，４６ｂを介して配線層３６Ａに接
続されるものである。配線材としては、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ（４００ｎｍ）をスパッタ法で被着した。ドライエッ
チング処理は、一例として次のような条件で行なわれ
た。
材を被着し、その被着層を選択的ドライエッチング（異
方性エッチング）処理によりパターニングして絶縁膜４
２の上に配線層４８Ａ，４８Ｂを形成する。配線層４８
Ａは、接続孔４６ａ，４６ｂを介して配線層３６Ａに接
続されるものである。配線材としては、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ（４００ｎｍ）をスパッタ法で被着した。ドライエッ
チング処理は、一例として次のような条件で行なわれ
た。
【００４０】エッチングガス：Ｃｌ2 （３０ｓｃｃｍ）
＋ＢＣｌ3 （３０ｓｃｃｍ） エッチング室内圧力：１０ｍＴｏｒｒ 接続孔４６ａ，４６ｂが正常な形で形成されたので、配
線層４８Ａも段差被覆性よく形成される。また、配線層
４８Ａ，４８Ｂが互いに接近して配置されることがあっ
ても、図１３，１４に示したような微小突起対応の凸部
が形成されないので、配線層４８Ａ，４８Ｂ間が配線材
のエッチング残りで短絡されることもなくなる。
＋ＢＣｌ3 （３０ｓｃｃｍ） エッチング室内圧力：１０ｍＴｏｒｒ 接続孔４６ａ，４６ｂが正常な形で形成されたので、配
線層４８Ａも段差被覆性よく形成される。また、配線層
４８Ａ，４８Ｂが互いに接近して配置されることがあっ
ても、図１３，１４に示したような微小突起対応の凸部
が形成されないので、配線層４８Ａ，４８Ｂ間が配線材
のエッチング残りで短絡されることもなくなる。
【００４１】絶縁膜３８を設けると、配線層３６Ａ，３
６Ｂからのヒロック発生を抑制できる利点がある。場合
によっては、絶縁膜３８を省略し、絶縁膜３４及び配線
層３６Ａ，３６Ｂを直接的に覆って前述の水素シルセス
キオキサン樹脂膜４０Ａを形成することもできる。
６Ｂからのヒロック発生を抑制できる利点がある。場合
によっては、絶縁膜３８を省略し、絶縁膜３４及び配線
層３６Ａ，３６Ｂを直接的に覆って前述の水素シルセス
キオキサン樹脂膜４０Ａを形成することもできる。
【００４２】配線層３６Ａ，３６Ｂ及び配線層４８Ａ，
４８Ｂの間の層間絶縁膜における最上層の絶縁膜４２と
しては、クラックが生じにくいこと、吸湿性が低いこ
と、低温で形成できることなどの条件を満たすものであ
ることが望まれる。プラズマＣＶＤ法、スパッタ法等の
段差被覆性が良好でない方法で形成した絶縁膜は、上記
した条件を満たすものであり、絶縁膜４２として用いる
のに好適である。
４８Ｂの間の層間絶縁膜における最上層の絶縁膜４２と
しては、クラックが生じにくいこと、吸湿性が低いこ
と、低温で形成できることなどの条件を満たすものであ
ることが望まれる。プラズマＣＶＤ法、スパッタ法等の
段差被覆性が良好でない方法で形成した絶縁膜は、上記
した条件を満たすものであり、絶縁膜４２として用いる
のに好適である。
【００４３】次に、セラミック化のための熱処理におい
て温度を４００℃未満に設定する根拠を説明する。
て温度を４００℃未満に設定する根拠を説明する。
【００４４】微小突起は、直径が０．１μｍ程度と非常
に小さいので、直接観察するのは困難である。そこで、
次のような実験をして微小突起の発生頻度を定量化し
た。
に小さいので、直接観察するのは困難である。そこで、
次のような実験をして微小突起の発生頻度を定量化し
た。
【００４５】図１に示したようなシリコンからなる半導
体基板３０の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ３００
ｎｍのシリコンオキサイド膜を形成した後、このシリコ
ンオキサイド膜の上に前述したと同様にして水素シルセ
スキオキサン樹脂膜（図１の４０Ａに対応）を形成し
た。このような樹脂膜を有するサンプルを、樹脂膜の厚
さが３００〜６００ｎｍの範囲内で種々異なるようにし
て多数作製した。
体基板３０の表面にプラズマＣＶＤ法により厚さ３００
ｎｍのシリコンオキサイド膜を形成した後、このシリコ
ンオキサイド膜の上に前述したと同様にして水素シルセ
スキオキサン樹脂膜（図１の４０Ａに対応）を形成し
た。このような樹脂膜を有するサンプルを、樹脂膜の厚
さが３００〜６００ｎｍの範囲内で種々異なるようにし
て多数作製した。
【００４６】次に、多数のサンプルに対してＮ2 ガスを
含む雰囲気中で樹脂膜をプレセラミック化するための熱
処理を施した。この熱処理の条件は、１５０℃１分間＋
２００℃１分間＋３００℃１分間であった。
含む雰囲気中で樹脂膜をプレセラミック化するための熱
処理を施した。この熱処理の条件は、１５０℃１分間＋
２００℃１分間＋３００℃１分間であった。
【００４７】次に、多数のサンプルに対してプレセラミ
ック状の酸化シリコン膜をセラミック化するための熱処
理を施した。この場合、多数のサンプルは、樹脂膜の厚
さが同じものを１グループとして複数グループに分け、
各グループ毎に３５０℃、３８５℃、４００℃、４２０
℃の４つの温度区分でいずれも６０分間ずつ熱処理を行
なった。
ック状の酸化シリコン膜をセラミック化するための熱処
理を施した。この場合、多数のサンプルは、樹脂膜の厚
さが同じものを１グループとして複数グループに分け、
各グループ毎に３５０℃、３８５℃、４００℃、４２０
℃の４つの温度区分でいずれも６０分間ずつ熱処理を行
なった。
【００４８】次に、多数のサンプルについてセラミック
状の酸化シリコン膜の上にプラズマＣＶＤ法により５０
０ｎｍの厚さのシリコンオキサイド膜（図３の４２に対
応）を形成した。そして、ＮＨ4 Ｆの水溶液とＨＦとを
１０：１の割合で混合したエッチング液を用いて各サン
プル毎に５００ｎｍの厚さのシリコンオキサイド膜を３
５０ｎｍの厚さにだけエッチバックした。
状の酸化シリコン膜の上にプラズマＣＶＤ法により５０
０ｎｍの厚さのシリコンオキサイド膜（図３の４２に対
応）を形成した。そして、ＮＨ4 Ｆの水溶液とＨＦとを
１０：１の割合で混合したエッチング液を用いて各サン
プル毎に５００ｎｍの厚さのシリコンオキサイド膜を３
５０ｎｍの厚さにだけエッチバックした。
【００４９】このようなエッチバック処理は、図９の１
８ａに示したような微小突起の計数を容易にするために
行なわれるものである。すなわち、セラミック状の酸化
シリコン膜に微小突起が存在すると、その上に形成した
５００ｎｍの厚さのシリコンオキサイド膜には図１０の
２０ａに示したような凸部が形成される。この凸部は、
膜質が疎で、エッチレートが速いので、図１１のＱに示
したようにセラミック状の酸化シリコン膜において微小
突起及びその近傍個所が直径１〜５μｍの範囲にわたっ
て溶解する。このように溶解した個所は、金属顕微鏡で
容易に目視して数えることができる。
８ａに示したような微小突起の計数を容易にするために
行なわれるものである。すなわち、セラミック状の酸化
シリコン膜に微小突起が存在すると、その上に形成した
５００ｎｍの厚さのシリコンオキサイド膜には図１０の
２０ａに示したような凸部が形成される。この凸部は、
膜質が疎で、エッチレートが速いので、図１１のＱに示
したようにセラミック状の酸化シリコン膜において微小
突起及びその近傍個所が直径１〜５μｍの範囲にわたっ
て溶解する。このように溶解した個所は、金属顕微鏡で
容易に目視して数えることができる。
【００５０】図７は、このような方法で各サンプル毎に
溶解個所を数えた結果を示すもので、横軸にはセラミッ
ク化のための熱処理温度を示し、縦軸には溶解個所の発
生率を微小突起発生率として示す。Ｐ1 〜Ｐ4 は、前述
した４つの温度区分における代表的な微小突起発生率を
示す。
溶解個所を数えた結果を示すもので、横軸にはセラミッ
ク化のための熱処理温度を示し、縦軸には溶解個所の発
生率を微小突起発生率として示す。Ｐ1 〜Ｐ4 は、前述
した４つの温度区分における代表的な微小突起発生率を
示す。
【００５１】図７によれば、セラミック化温度が４００
℃以上になると、微小突起が発生することがわかる。換
言すれば、４００℃未満では微小突起が発生しない。
℃以上になると、微小突起が発生することがわかる。換
言すれば、４００℃未満では微小突起が発生しない。
【００５２】原料としての水素シルセスキオキサン樹脂
中のＳｉ−Ｈ（シリコン原子結合水素原子）含有率を１
００％としたとき、上記のようにして形成されたセラミ
ック状の酸化シリコン膜中のＳｉ−Ｈ含有率は、Ｐ1 ，
Ｐ2 ，Ｐ3 ，Ｐ4 のサンプルについてそれぞれ７０．２
％（Ｎ2 流量１［ｌ／ｍｉｎ］）、６３．０％（Ｎ2流
量３［ｌ／ｍｉｎ］）、６０．５％（Ｎ2 流量５［ｌ／
ｍｉｎ］）、６０．５％（Ｎ2 流量５［ｌ／ｍｉｎ］）
であった。このことから、セラミック状の酸化シリコン
膜中のＳｉ−Ｈ含有率を８０％以下に低下させても、微
小突起の発生が起りうることがわかる。
中のＳｉ−Ｈ（シリコン原子結合水素原子）含有率を１
００％としたとき、上記のようにして形成されたセラミ
ック状の酸化シリコン膜中のＳｉ−Ｈ含有率は、Ｐ1 ，
Ｐ2 ，Ｐ3 ，Ｐ4 のサンプルについてそれぞれ７０．２
％（Ｎ2 流量１［ｌ／ｍｉｎ］）、６３．０％（Ｎ2流
量３［ｌ／ｍｉｎ］）、６０．５％（Ｎ2 流量５［ｌ／
ｍｉｎ］）、６０．５％（Ｎ2 流量５［ｌ／ｍｉｎ］）
であった。このことから、セラミック状の酸化シリコン
膜中のＳｉ−Ｈ含有率を８０％以下に低下させても、微
小突起の発生が起りうることがわかる。
【００５３】なお、Ｐ1 〜Ｐ4 のような微小突起発生率
は、水素シルセスキオキサン樹脂膜の塗布膜厚に依存し
ないことがわかった。セラミック化のための熱処理時間
については、４００℃２０分の熱処理でも微小突起の発
生が認められた。また、熱処理雰囲気については、酸化
性雰囲気であっても、不活性ガス雰囲気であっても、４
００℃以上で加熱すれば微小突起が発生することが認め
られた。
は、水素シルセスキオキサン樹脂膜の塗布膜厚に依存し
ないことがわかった。セラミック化のための熱処理時間
については、４００℃２０分の熱処理でも微小突起の発
生が認められた。また、熱処理雰囲気については、酸化
性雰囲気であっても、不活性ガス雰囲気であっても、４
００℃以上で加熱すれば微小突起が発生することが認め
られた。
【００５４】この発明の他の実施形態としては、図１〜
６について前述した実施形態において、図２の工程でプ
レセラミック化のための熱処理を省略し、セラミック化
のための熱処理だけ行なうようにしてもよい。この場
合、熱処理は、不活性ガス雰囲気中又は酸素ガスと不活
性ガスの混合ガス雰囲気中にて２５０℃以上４００℃未
満の範囲内の温度で６０分間行なうことができる。
６について前述した実施形態において、図２の工程でプ
レセラミック化のための熱処理を省略し、セラミック化
のための熱処理だけ行なうようにしてもよい。この場
合、熱処理は、不活性ガス雰囲気中又は酸素ガスと不活
性ガスの混合ガス雰囲気中にて２５０℃以上４００℃未
満の範囲内の温度で６０分間行なうことができる。
【００５５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、４０
０℃未満の温度でセラミック化のための熱処理を行なう
ようにしたので、酸化シリコン膜の表面に微小突起が発
生するのを防止することができる。この発明に係る酸化
シリコン膜を半導体デバイスにおける層間膜や保護膜と
して用いると、接続孔形状の悪化を回避できると共に良
好な平坦性を得ることができる。
０℃未満の温度でセラミック化のための熱処理を行なう
ようにしたので、酸化シリコン膜の表面に微小突起が発
生するのを防止することができる。この発明に係る酸化
シリコン膜を半導体デバイスにおける層間膜や保護膜と
して用いると、接続孔形状の悪化を回避できると共に良
好な平坦性を得ることができる。
【図１】 この発明に係る多層配線形成法における樹脂
膜形成工程を示す基板断面図である。
膜形成工程を示す基板断面図である。
【図２】 図１の工程に続くプレセラミック化及びセラ
ミック化工程を示す基板断面図である。
ミック化工程を示す基板断面図である。
【図３】 図２の工程に続く絶縁膜形成工程を示す基板
断面図である。
断面図である。
【図４】 図３の工程に続くウェットエッチング工程を
示す基板断面図である。
示す基板断面図である。
【図５】 図４の工程に続くドライエッチング工程を示
す基板断面図である。
す基板断面図である。
【図６】 図５の工程に続く配線形成工程を示す基板断
面図である。
面図である。
【図７】 セラミック化温度と微小突起発生率との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図８】 従来の多層配線形成法における樹脂膜形成工
程を示す基板断面図である。
程を示す基板断面図である。
【図９】 図８の工程に続くプレセラミック化及びセラ
ミック化工程を示す基板断面図である。
ミック化工程を示す基板断面図である。
【図１０】 図９の工程に続く絶縁膜形成工程を示す基
板断面図である。
板断面図である。
【図１１】 図１０の工程に続くウェットエッチング工
程を示す基板断面図である。
程を示す基板断面図である。
【図１２】 図１１の工程に続くドライエッチング工程
を示す基板断面図である。
を示す基板断面図である。
【図１３】 層間絶縁膜の凸部近傍における配線形成状
況を示す基板断面図である。
況を示す基板断面図である。
【図１４】 図１３の配線構造の上面図である。
３０：半導体基板、３２，３４，３８，４２：絶縁膜、
３６Ａ，３６Ｂ，４８Ａ，４８Ｂ：配線層、４０Ａ：水
素シルセスキオキサン樹脂膜、４０：酸化シリコン膜。
３６Ａ，３６Ｂ，４８Ａ，４８Ｂ：配線層、４０Ａ：水
素シルセスキオキサン樹脂膜、４０：酸化シリコン膜。
Claims (3)
- 【請求項１】基板の表面を覆って水素シルセスキオキサ
ン樹脂膜を平坦状に形成する工程と、 前記水素シルセスキオキサン樹脂膜に不活性ガス雰囲気
中で第１の熱処理を施すことにより該樹脂膜をプレセラ
ミック状の酸化シリコン膜にする工程と、 前記酸化シリコン膜に酸化性雰囲気中で第２の熱処理を
施すことにより前記酸化シリコン膜をセラミック状の酸
化シリコン膜にする工程とを含む酸化シリコン膜形成法
であって、 前記第２の熱処理を２５０℃以上４００℃未満の範囲内
の温度で行なうことを特徴とする酸化シリコン膜形成
法。 - 【請求項２】 前記第１の熱処理を２５０℃以上４００
℃未満の範囲内の温度で行なうことを特徴とする請求項
１記載の酸化シリコン膜形成法。 - 【請求項３】基板の表面を覆って水素シルセスキオキサ
ン樹脂膜を平坦状に形成する工程と、 前記水素シルセスキオキサン樹脂膜に不活性ガス及び酸
素ガスのうちの少なくとも一方のものを含む雰囲気中で
熱処理を施すことにより前記水素シルセスキオキサン樹
脂膜をセラミック状の酸化シリコン膜にする工程とを含
む酸化シリコン膜形成法であって、 前記熱処理を２５０℃以上４００℃未満の範囲内の温度
で行なうことを特徴とする酸化シリコン膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11702696A JPH09283515A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 酸化シリコン膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11702696A JPH09283515A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 酸化シリコン膜形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283515A true JPH09283515A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14701614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11702696A Pending JPH09283515A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 酸化シリコン膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283515A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6503849B1 (en) | 1999-12-28 | 2003-01-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming insulating film |
| US6509277B1 (en) | 1999-03-31 | 2003-01-21 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device having insulatro film formed from liquid containing polymer of silicon, oxygen, and hydrogen |
| US6573603B2 (en) | 2000-12-20 | 2003-06-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, and method of manufacturing the same |
-
1996
- 1996-04-15 JP JP11702696A patent/JPH09283515A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6509277B1 (en) | 1999-03-31 | 2003-01-21 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device having insulatro film formed from liquid containing polymer of silicon, oxygen, and hydrogen |
| US6833331B2 (en) | 1999-03-31 | 2004-12-21 | Hitachi Ltd. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device having insulating film formed from liquid substance containing polymer of silicon, oxygen, and hydrogen |
| US6503849B1 (en) | 1999-12-28 | 2003-01-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming insulating film |
| KR100423741B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2004-03-24 | 샤프 가부시키가이샤 | 절연막의 형성방법 |
| US6573603B2 (en) | 2000-12-20 | 2003-06-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, and method of manufacturing the same |
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