JPH09301938A - 1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体の製造方法 - Google Patents

1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体の製造方法

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JPH09301938A
JPH09301938A JP8116545A JP11654596A JPH09301938A JP H09301938 A JPH09301938 A JP H09301938A JP 8116545 A JP8116545 A JP 8116545A JP 11654596 A JP11654596 A JP 11654596A JP H09301938 A JPH09301938 A JP H09301938A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−3
−フェニルプロピル誘導体を接触還元して、不純物少な
く品質良好な1−アルコキシカルボニル−3−フェニル
プロピル誘導体を簡便、効率的、生産性の高い方法で製
造する。 【解決手段】 強酸濃度0.4〜5Nのアルコールまた
はアルコールを含む溶媒中、対応する1−アルコキシカ
ルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル誘導体1
モルを1当量として、3当量以上の強酸の存在下で該誘
導体を接触還元して、一般式Iの1−アルコキシカルボ
ニル−3−フェニルプロピル誘導体を製造する。 (Rはアルキル基であり、Xは−Ala−,−Gly
−,−Leu−,−Ile−,Val−、またはω−ア
ミノ基がアシル型保護基で保護された−Orn−,−L
ys−、もしくは−Hly−であり、Yは水酸基、−A
la,−Gly,−Leu,−Ile,−Val,−P
ro等である)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般式(I):
【0002】
【化8】
【0003】(式中、Rはアルキル基であり、Xは−A
la−、−Gly−、−Leu−、−Ile−、−Va
l−、またはω−アミノ基がアシル型保護基で保護され
た−Orn−、−Lys−、もしくは−Hly−であ
り、Yは水酸基、−Ala、−Gly、−Leu、−I
le、−Val、−Pro、式:
【0004】
【化9】
【0005】で表わされる基である、なお、XとYとが
いっしょになって式:
【0006】
【化10】
【0007】で表わされる基になっていてもよい)で表
わされる1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−3−
フェニルプロピル誘導体(以下、1−アルコキシカルボ
ニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル誘導体(I)
ともいう)を接触還元して、一般式(II):
【0008】
【化11】
【0009】(式中、R、XおよびYは前記と同じ)で
表わされる1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプ
ロピル誘導体(以下、1−アルコキシカルボニル−3−
フェニルプロピル誘導体(II)ともいう)を製造する方
法において、不純物含有量の少ない1−アルコキシカル
ボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)を簡便かつ
効率的に生産性良く製造し、取り出す技術分野に属す
る。1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル
誘導体(II)、とりわけ、その1S体は、医薬品または
その中間体、とりわけ、エナラプリル、リジノプリルな
どの種々の血圧降下剤またはその中間体として、きわめ
て有用な化合物である。
【0010】
【従来の技術】1−アルコキシカルボニル−3−オキソ
−3−フェニルプロピル誘導体(I)をアルコールまた
はアルコールを含む溶媒中、還元触媒として、パラジウ
ム、ニッケルまたは白金などの遷移金属触媒を用いて接
触還元して1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプ
ロピル誘導体(II)を取得する方法は、たとえば特公平
3−22867号公報、特公平4−4308号公報や特
開平6−336495号公報に記載されている。
【0011】前記還元触媒のパラジウムの具体例として
は、たとえばPd−C、Pd黒などがあげられる。ま
た、ニッケルの具体例としては、たとえばラネーNi、
Niボライドなどがあげられる。さらに、白金の具体例
としては、たとえばPt−C、Pt黒などがあげられ
る。
【0012】たとえば、特開平6−336495号公報
には、N−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3
−フェニルプロピル)−L−アラニル−L−プロリンを
基質として、塩化水素を含有するpH1の水−エタノー
ル混合溶剤中、20℃、10kg/cm2の加圧下に3
5時間接触還元する実施例が開示されている。また、該
公報中には、pH0.5〜4、とくにpH1で接触還元
するのが好ましいと記載されている。なお、生成物の分
離方法に関しては開示されていない。
【0013】また、特公平4−4308号公報には、N
2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェ
ニルプロピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リ
ジンを基質として、塩化水素濃度約0.30Nの含水エ
タノール中、40℃、常圧下で接触還元したのち、水溶
液中でN2−(1−エトキシカルボニル−3−フェニル
プロピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジン
を結晶化して分離したのち、水−エタノールから再結晶
する例が開示されている。
【0014】さらに、特公平3−22867号公報に
は、N−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−
フェニルプロピル)−L−アラニン((1S/1R)=
95/5)を基質として、硫酸濃度約0.38Nの無水
エタノール中、室温、常圧下で接触還元したのち、ジク
ロロメタンによる抽出、酢酸エチルによる結晶化などを
経て、N−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプ
ロピル)−L−アラニン((1S/1R)=99/1)
を分離する例が開示されている。
【0015】前記の接触還元反応においては、一般に、
たとえば、ギ酸、塩酸、硫酸、リン酸などの酸を低濃度
含む、または、酸を全く含まないアルコールやアルコー
ルを含む溶媒中で、約0.1mol/L前後の低基質濃
度で、常圧からたとえば、50kg/cm2以下の加圧
下に実施されているのが現状である。
【0016】前記の接触還元反応は、 第1段階:ベンゼン環に直接結合したカルボニル基が水
素化されてアルコール体(水酸基)が形成される 第2段階:アルコール体(水酸基)がさらに水素化され
てメチレン基となる といった段階的な水素化過程で穏やかに収率良く進行す
ると考えられている。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らの検討の結果、前記の接触還元反応には、以下のよ
うな問題があることが判った。
【0018】すなわち、前記接触還元反応において
は、第1段階の反応は比較的良好に進行するものの、第
2段階の反応は、第1段階の反応に比較してかなり遅い
(第2段階が律速段階であり、反応所要時間は第2段階
の反応時間に大きく支配される)。
【0019】この接触還元反応中に副反応(ベンゼン
環の水素化によるシクロヘキサン環の形成)が進行し
て、一般式(III):
【0020】
【化12】
【0021】(式中、R、XおよびYは前記と同じ)で
表わされる1−アルコキシカルボニル−3−シクロヘキ
シルプロピル誘導体(以下、1−アルコキシカルボニル
−3−シクロヘキシルプロピル誘導体(III)またはシ
クロヘキシル体(III)ともいう)が副生し、品質面で
重大な悪影響を及ぼし、さらに、このシクロヘキシル誘
導体はきわめて精製除去が難しい。
【0022】前記1−アルコキシカルボニル−3−シ
クロヘキシルプロピル誘導体(シクロヘキシル体)(II
I)の副生を抑制するために、触媒使用量を減らした
り、触媒活性を低めると、別の副反応(アルコキシカル
ボニル基のカルボキシ基への変換)が進行して、一般式
(IV):
【0023】
【化13】
【0024】(式中、XおよびYは前記と同じ)で表わ
される1−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体
(以下、1−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体
(IV)またはカルボキシ体(IV)ともいう)の副生によ
る収率低下が大きな問題となる。
【0025】この品質および収率面での悪影響は、高
基質濃度において、より顕著になる傾向がある。
【0026】本発明者らの検討により、前記1−カルボ
キシ−3−フェニルプロピル誘導体(カルボキシ体)
(IV)の副生は、下記反応式に示すように、反応中間体
(アルコール体)から環化副生したラクトン体が水素化
されることによるものであることが明らかになってきて
いる。
【0027】
【化14】
【0028】(式中、R、XおよびYは前記と同じ) 前記シクロヘキシル体(III)やカルボキシ体(IV)な
どの不純物の副生は、品質や収率面での悪影響を生じ
る。このような不純物の製品中への混入は極力避けるべ
きである。とくに、前記シクロヘキシル体(III)は精
製除去がきわめて難しい構造類似不純物であることが判
った。
【0029】これらの不純物を精製除去するためには、
すぐれた精製効果を有する別工程が必要となる。この別
工程は、好ましくない有機溶剤の多量使用、工程の煩雑
さ(有機溶剤を用いる抽出、晶析や溶剤の除去)、それ
に伴う時間の消費、(高価な)製造装置の数や容量の増
大、収量の低下などを招く。
【0030】なお、前記特公平3−22867号公報、
特公平4−4308号公報および特開平6−33649
5号公報中には、接触還元反応における前記のシクロヘ
キシル体(III)やカルボキシ体(IV)の副生に関する
記述はなく、また、簡便かつ効果的な分離精製のための
別工程も開示されていない。
【0031】特公平3−22867号公報では、N−
(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニル
プロピル)−L−アラニン((1S/1R)=95/
5)を接触還元したのち、ジクロロメタンによる抽出、
酢酸エチルによる結晶化などを経て、N−(1−エトキ
シカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニン
((1S/1R)=99/1)を精製単離する別工程が
開示されているが、この別工程は、不純物除去効果が充
分ではないうえに、好ましくない有機溶剤の多量使用、
工程の煩雑さ(有機溶剤を用いる抽出、晶析や溶剤の除
去)、それに伴う時間の消費、(高価な)製造装置の数
や容量の増大などの難点を有している。
【0032】このように、前記N2−(1−エトキシカ
ルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−N6
−トリフルオロアセチル−L−リジンの接触還元による
2−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジンの製造
や、前記N−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−
3−フェニルプロピル)−L−アラニンの接触還元によ
るN−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル)−L−アラニンの製造などをはじめとして、1−ア
ルコキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピ
ル誘導体(I)の接触還元による1−アルコキシカルボ
ニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)の製造におい
て、1−アルコキシカルボニル−3−シクロヘキシルプ
ロピル誘導体(シクロヘキシル体)(III)や1−カル
ボキシ−3−フェニルプロピル誘導体(カルボキシ体)
(IV)などの混入量の少ない品質の良好な1−アルコキ
シカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)を簡
便、効率的に、生産性良く製造する方法を開発すること
は非常に重要である。
【0033】本発明の目的は、前記実情に鑑み、1−ア
ルコキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピ
ル誘導体(I)を接触還元して1−アルコキシカルボニ
ル−3−フェニルプロピル誘導体(II)を製造する方法
において、1−アルコキシカルボニル−3−シクロヘキ
シルプロピル誘導体(シクロヘキシル体)(III)や1
−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体(カルボキ
シ体)(IV)などの不純物の含有量が少なく、品質が良
好な1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル
誘導体(II)を製造するための非常に簡便で効率的で生
産性の高い方法を提供するところにある。
【0034】本発明の目的は、また、N−(1−エトキ
シカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−
L−アラニンを接触還元してえられるN−(1−エトキ
シカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニン
から、不純物の混入量の少ない品質が良好なN−(1
(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)
−L−アラニンをうるための非常に簡便で効率的で生産
性の高い方法を提供するところにもある。
【0035】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、1−アル
コキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル
誘導体(I)を接触還元して1−アルコキシカルボニル
−3−フェニルプロピル誘導体(II)を製造する方法に
関して、鋭意検討した結果、特定の強酸性条件下に接触
還元を実施することにより、1−アルコキシカルボニル
−3−シクロヘキシルプロピル誘導体(シクロヘキシル
体)(III)の副生を効果的に抑制でき、また、反応
後、1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル
誘導体(II)の分離を水の存在下に行なうことにより、
副生した1−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体
(カルボキシ体)(IV)を効果的に除去できることを見
出した。さらに、N−(1−エトキシカルボニル−3−
オキソ−3−フェニルプロピル)−L−アラニンを接触
還元してえられるN−(1−エトキシカルボニル−3−
フェニルプロピル)−L−アラニンから、副生したN−
(1−カルボキシ−3−フェニルプロピル)−L−アラ
ニンや共存してくるN−(1(R)−エトキシカルボニ
ル−3−フェニルプロピル)−L−アラニンを除去し
て、品質の良いN−(1(S)−エトキシカルボニル−
3−フェニルプロピル)−L−アラニンを取得するため
には、水溶液中で結晶化させることがきわめて効果的で
あることをも見出した。
【0036】本発明は、前記のごとき新しい知見に基づ
いてなされたものであり、一般式(I):
【0037】
【化15】
【0038】(式中、Rはアルキル基であり、Xは−A
la−、−Gly−、−Leu−、−Ile−、−Va
l−、またはω−アミノ基がアシル型保護基で保護され
た−Orn−、−Lys−、もしくは−Hly−であ
り、Yは水酸基、−Ala、−Gly、−Leu、−I
le、−Val、−Pro、式:
【0039】
【化16】
【0040】で表わされる基である、なお、、XとYと
がいっしょになって式:
【0041】
【化17】
【0042】で表わされる基になっていてもよい)で表
わされる1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−3−
フェニルプロピル誘導体を接触還元して、一般式(I
I):
【0043】
【化18】
【0044】(式中、R、XおよびYは前記と同じ)で
表わされる1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプ
ロピル誘導体を製造する方法において、一般式(I)で
表わされる1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−3
−フェニルプロピル誘導体を、強酸濃度0.4〜5Nの
アルコールまたはアルコールを含む溶媒中、該1−アル
コキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル
誘導体1モルを1当量として、それに対して3当量以上
の強酸の存在下、接触還元することにより、一般式(II
I):
【0045】
【化19】
【0046】(式中、R、XおよびYは前記と同じ)で
表わされる1−アルコキシカルボニル−3−シクロヘキ
シルプロピル誘導体の副生を抑制することを特徴とする
1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導
体の製造方法(請求項1)、接触還元することによりえ
られた反応液から一般式(II)で表わされる1−アルコ
キシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体を分離す
る際に、強酸を中和した水の存在下に、副生した一般式
(IV):
【0047】
【化20】
【0048】(式中、XおよびYは前記と同じ)で表わ
される1−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体を
水層に除去して、一般式(II)で表わされる1−アルコ
キシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体を分離す
る請求項1記載の製造方法(請求項2)、pH4.6±
1.5に中和する請求項2記載の製造方法(請求項
3)、Yが水酸基である請求項1、2または3記載の製
造方法(請求項4)、XがL型の−Ala−である請求
項4記載の製造方法(請求項5)、Xがω−アミノ基が
アシル型保護基で保護されたL型の−Lys−である請
求項4記載の製造方法(請求項6)、一般式(II)で表
わされる1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロ
ピル誘導体の分離を水溶液中からの結晶化により行なう
請求項4、5または6記載の製造方法(請求項7)、結
晶化を30℃以上の温度で行なう請求項7記載の製造方
法(請求項8)、β−ベンゾイルアクリル酸エステルと
アミノ酸もしくはその誘導体またはβ−ベンゾイルアク
リル酸エステルとジペプチドもしくはその誘導体とをマ
イケル付加反応させてえられる一般式(I)で表わされ
る1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニ
ルプロピル誘導体を含むマイケル付加反応液を接触還元
に用いる請求項1、2、3、4、5、6、7または8記
載の製造方法(請求項9)、反応溶媒として水分含量5
0%(w/w)以下のアルコールを用いる請求項1、
2、3、4、5、6、7、8または9記載の製造方法
(請求項10)、反応溶媒として水分含量2〜30%
(w/w)のアルコールを用いる請求項10記載の製造
方法(請求項11)、強酸として硫酸を用いる請求項
1、2、3、4、5、6、7、8、9、10または11
記載の製造方法(請求項12)、一般式(I)で表わさ
れる1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−3−フェ
ニルプロピル誘導体1モルを1当量として、それに対し
て3〜15当量の強酸を用いる請求項1、2、3、4、
5、6、7、8、9、10、11または12記載の製造
方法(請求項13)、還元触媒としてパラジウム触媒を
用いる請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、1
0、11、12または13記載の製造方法(請求項1
4)、還元触媒としてPd−C、Pd−アルミナまたは
Pd−ゼオライトを用いる請求項14記載の製造方法
(請求項15)、接触還元の反応温度が10〜35℃で
ある請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、1
0、11、12、13、14または15記載の製造方法
(請求項16)、接触還元時の水素圧が常圧〜2kg/
cm2Gである請求項1、2、3、4、5、6、7、
8、9、10、11、12、13、14、15または1
6記載の製造方法(請求項17)、一般式:
【0049】
【化21】
【0050】(式中、R、XおよびYは前記と同じ)で
表わされる反応中間体の消失前に接触還元反応を停止す
る請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、
11、12、13、14、15、16または17記載の
製造方法(請求項18)、一般式(IV)で表わされる1
−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体が共存する
一般式(II)で表わされる1−アルコキシカルボニル−
3−フェニルプロピル誘導体を水の存在下で結晶化また
は抽出して、一般式(II)で表わされる1−アルコキシ
カルボニル−3−フェニルプロピル誘導体を分離するこ
とにより、一般式(IV)で表わされる1−カルボキシ−
3−フェニルプロピル誘導体を除去することを特徴とす
る1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘
導体の取得方法(請求項19)、N−(1−カルボキシ
−3−フェニルプロピル)−L−アラニンおよびN−
(1(R)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル)−L−アラニンの少なくとも1種が共存するN−
(1(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル)−L−アラニンを、水溶液中で結晶化させてN−
(1(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル)−L−アラニンをうることにより、N−(1−カル
ボキシ−3−フェニルプロピル)−L−アラニンおよび
N−(1(R)−エトキシカルボニル−3−フェニルプ
ロピル)−L−アラニンを除去することを特徴とするN
−(1(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロ
ピル)−L−アラニンの取得方法(請求項20)および
pH4.6±1.5で行なう請求項19または20記載
の方法(請求項21)に関する。
【0051】
【発明の実施の形態】本発明の一般式(I)で表わされ
る1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニ
ルプロピル誘導体を接触還元して、一般式(II)で表わ
される1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル誘導体をうる製造方法について説明する。
【0052】本発明においては、一般式(I)で表わさ
れる1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−3−フェ
ニルプロピル誘導体が、強酸濃度0.4〜5Nのアルコ
ールまたはアルコールを含む溶媒中で、一般式(I)で
表わされる1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−3
−フェニルプロピル誘導体1モルを1当量として、それ
に対して3当量以上の強酸の存在下、接触還元され、一
般式(II)で表わされる1−アルコキシカルボニル−3
−フェニルプロピル誘導体が製造される。
【0053】本発明に使用される基質である一般式
(I):
【0054】
【化22】
【0055】で表わされる1−アルコキシカルボニル−
3−オキソ−3−フェニルプロピル誘導体において、R
としては、アルキル基があげられる。普通、炭素数1〜
8、好ましくは炭素数1〜4の直鎖または分岐したアル
キル基が、基質の調製の容易さや必要に応じ、加水分解
除去するばあいの除去の容易さなどの点から好ましい。
その具体例としては、たとえばメチル基、エチル基など
があげられる。なかでもエナラプリルをはじめとする各
種血圧降下剤またはその中間体として、共通に利用でき
る点でエチル基が好ましい。
【0056】一般式(I)中のXとしては、−Ala
−、−Gly−、−Leu−、−Ile−、−Val
−、またはω−アミノ基がアシル型保護基で保護された
−Orn−、−Lys−、もしくは−Hly−があげら
れる。これらは、それぞれ、アラニン、グリシン、ロイ
シン、イソロイシン、バリンまたはω−アミノ基がアシ
ル型保護基で保護されたオルニチン、リジンもしくはホ
モリジンのアミノ基から水素原子が1つ、およびカルボ
キシル基から水酸基が1つ取れたアミノ酸残基を意味す
る。
【0057】また、一般式(I)中のYとしては、水酸
基、−Ala、−Gly、−Leu、−Ile、−Va
l、−Pro、式:
【0058】
【化23】
【0059】で表わされる基があげられる。前記−Al
a、−Gly、−Leu、−Ile、−Valおよび−
Proは、それぞれ、アラニン、グリシン、ロイシン、
イソロイシン、バリンおよびプロリンのアミノ基から水
素原子が1つ取れたアミノ酸残基を意味する。
【0060】前記XとYとはいっしょになって1つの基
を形成していてもよく、XとYとがいっしょになって1
つの基を形成した基としては、式:
【0061】
【化24】
【0062】で表わされる基があげられる。
【0063】Xである−Orn−、−Lys−または−
Hly−などのω−アミノ基の保護基は、トリフルオロ
アセチル基、ホルミル基、フタロイル基などのアシル型
保護基が、接触還元時に除去されにくい、他の中性アミ
ノ酸基と同様求核性を示さない、接触還元時に添加する
強酸の濃度および当量への影響が小さいなどの点から好
ましく用いられる。とくに、トリフルオロアセチル基が
好ましい。
【0064】前記XおよびYの組み合わせとして、−A
la−および−Pro、とくにL型の−Ala−および
L型の−Proの組み合わせが、エナラプリルの製造上
有用である。また、ω−アミノ基がアシル型保護基で保
護された−Lys−および−Pro、またはω−アミノ
基がアシル型保護基で保護された−Lys−および水酸
基、とくにω−アミノ基がアシル型保護基で保護された
L型の−Lys−およびL型の−Pro、またはω−ア
ミノ基がアシル型保護基で保護されたL型の−Lys−
および水酸基、とりわけ、ω−アミノ基がトリフルオロ
アセチル基で保護されたL型の−Lys−およびL型の
−Proまたはω−アミノ基がトリフルオロアセチル基
で保護されたL型の−Lys−および水酸基の組み合わ
せが、リジノプリルの製造上有用である。さらに、−A
la−および水酸基、とくにL型の−Ala−および水
酸基の組み合わせは、エナラプリルをはじめとする各種
血圧降下剤を製造する上での共通中間体として有用であ
る。
【0065】なお、一般式(I)において、アルコキシ
カルボニル基の結合した1位の炭素原子がS配置を有
し、XがL型(すなわちS配置)、Y(ただし、水酸基
であるばあいを除く)がL型(すなわちS配置)である
もの、または、XとYがいっしょになって1つの基であ
って該基中のカルボキシ基の結合した炭素原子が不斉炭
素原子のばあいには、その炭素原子がS配置を有するも
のが、一般に、血圧降下剤またはその中間体の製造上有
用である(なお、その他の不斉炭素原子があるばあいに
は、その不斉炭素原子に関し所望の立体配置のものを使
用しうる)。
【0066】本発明においては、前記のいずれの基質も
好適であるが、とくに一般式(I)において、Xおよび
Yの組み合わせとして−Ala−および−Proまたは
−Ala−および水酸基、とくにL型の−Ala−およ
びL型の−ProまたはL型の−Ala−および水酸
基、また、ω−アミノ基がアシル型保護基で保護された
−Lys−および−Pro、またはω−アミノ基がアシ
ル型保護基で保護された−Lys−および水酸基、とく
に、ω−アミノ基がアシル型保護基で保護されたL型の
−Lys−およびL型の−Pro、またはω−アミノ基
がアシル型保護基で保護されたL型の−Lys−および
水酸基、とりわけ、ω−アミノ基がトリフルオロアセチ
ル基で保護されたL型の−Lys−およびL型の−Pr
o、またはω−アミノ基がトリフルオロアセチル基で保
護されたL型の−Lys−および水酸基である組み合わ
せを選び、Rとしてエチル基またはメチル基を選んだも
のが、好ましい一般式(I)で表わされる1−アルコキ
シカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル誘導
体になる。その具体例としては、N−(1−エトキシカ
ルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−
アラニン、N−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ
−3−フェニルプロピル)−L−アラニル−L−プロリ
ン、N2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3
−フェニルプロピル)−N6−トリフルオロアセチル−
L−リジンおよびN2−(1−エトキシカルボニル−3
−オキソ−3−フェニルプロピル)−N6−トリフルオ
ロアセチル−L−リジル−L−プロリンがあげられる。
とくに、これらの1S体または1S体に富むものが好ま
しい。
【0067】前記1−アルコキシカルボニル−3−オキ
ソ−3−フェニルプロピル誘導体(I)は、たとえば特
公平3−22867号公報、特公平4−4308号公報
および特開平6−336495号公報に記載されている
ように、β−ベンゾイルアクリル酸エステルとアミノ酸
もしくはその誘導体あるいはβ−ベンゾイルアクリル酸
エステルとジペプチドもしくはその誘導体とを、アルコ
ールまたはアルコールを含む溶媒中でマイケル付加反応
させることにより容易に合成することができる。
【0068】前記β−ベンゾイルアクリル酸エステルと
しては、エステル基が前記Rになるようにエステルを形
成しているものがあげられ、好ましいRは、前記と同様
である。
【0069】また、β−ベンゾイルアクリル酸エステル
には、トランス体とシス体の2種の異性体が存在する
が、基質の調製の容易さ、好ましい1S体の収率の向上
などの点からトランス−β−ベンゾイルアクリル酸エス
テルが好ましい。
【0070】前記アミノ酸としては、アラニン、グリシ
ン、ロイシン、イソロイシンまたはバリンがあげられ
る。また、前記アミノ酸誘導体としては、ω−アミノ基
がアシル型保護基で保護されたオルニチン、リジンまた
はホモリジンがあげられる。
【0071】前記ジペプチドとしては、前記アミノ酸の
1つと前記Y(ただし、水酸基を除く)の1つとがペプ
チド結合してできたものがあげられる。また、前記ジペ
プチド誘導体としては、前記アミノ酸誘導体の1つと前
記Y(ただし、水酸基を除く)の1つとがペプチド結合
してできたものがあげられる。
【0072】前記アミノ酸、ジペプチドおよびそれらの
誘導体のうち、アミノ酸またはその誘導体が好ましく、
なかでも、アラニンおよびω−アミノ基がアシル型保護
基で保護されたリジンが好ましく、とくにL−アラニン
およびω−アミノ基がアシル型保護基で保護されたL−
リジンが好ましい。
【0073】マイケル付加反応で使用する溶媒は、前記
のごとく、アルコールまたはアルコールを含む溶媒であ
るが、溶媒としてアルコールを使用するばあいには、反
応の進行が速い、好ましい1S体の収率が高いなどの点
から好ましい。アルコールを含む溶媒としては、とくに
アルコールと水との混合溶媒があげられ、アルコールと
水との混合溶媒を使用するばあいには、マイケル付加反
応に使用する塩基、とくに無機塩基の溶解性の向上、仕
込濃度の向上、反応速度の向上や好ましい1S体の収率
の向上などの点からとくに好ましい。
【0074】マイケル付加反応で使用される溶媒のアル
コールとしては、普通、炭素数1〜8、好ましくは炭素
数1〜4の直鎖または分岐した1価アルコールが用いら
れる。マイケル付加反応時にエステル基がエステル交換
されても、同じエステル基になるように、β−ベンゾイ
ルアクリル酸エステルのエステル基に対応するアルコー
ルを用いるのが好ましい。前記エステル基に対応するア
ルコールとは、たとえば、メチルエステルのばあいには
メタノールであり、エチルエステルのばあいにはエタノ
ールである。
【0075】前記アルコールと水との混合溶媒を使用す
るばあいの水分含量としては50%(w/w)以下、と
くに30%(w/w)以下、なかでも水分含量が2〜3
0%(w/w)、とりわけ5〜30%(w/w)のアル
コールが反応速度の向上、好ましい1S体の収率の向上
や引き続き接触還元を行なうばあいの反応収率の向上な
どの点から好ましい。
【0076】塩基としては、1級アミン、2級アミン、
3級アミン、4級アンモニウム水酸化物、これらを交換
基とするイオン交換樹脂、アルカリ金属水酸化物、アル
カリ土類金属水酸化物またはアルカリ金属炭酸塩などが
使用でき、なかでも、3級アミン、4級アンモニウム水
酸化物、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩が
好ましい。具体的には、トリエチルアミン、トリn−プ
ロピルアミン、テトラメチルアンモニウム水酸化物、水
酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、炭
酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素
カリウム、炭酸水素ナトリウムなどがあげられる。とく
に、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウ
ム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭
酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウムが好ましく、とり
わけ、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどのカリウム
化合物、リチウム化合物が好ましい。
【0077】β−ベンゾイルアクリル酸エステル、アミ
ノ酸もしくはその誘導体またはジペプチドもしくはその
誘導体のそれぞれ1モルを1当量として、それらと塩基
の使用量は、当量比でおよそ1〜3:1:1であり、普
通1:1:1付近である。
【0078】反応温度は、およそ−20〜40℃であ
り、反応速度の向上、好ましい1S体の収率の向上の点
からおよそ−20〜20℃、好ましくは−15〜10℃
である。
【0079】反応方法としては通常β−ベンゾイルアク
リル酸エステル、アミノ酸もしくはその誘導体またはジ
ペプチドもしくはその誘導体および溶媒を含む混合物中
に、充分に分散できるように撹拌しつつ、塩基を数分〜
24時間かけて添加する方法、またはβ−ベンゾイルア
クリル酸エステルと溶媒を含む混合物中に、充分に分散
できるように撹拌しつつ、アミノ酸もしくはその誘導体
またはジペプチドもしくはその誘導体と塩基、またはそ
の混合物を数分〜24時間かけて添加する方法が好まし
く用いられる。
【0080】反応濃度は、アミノ酸もしくはその誘導体
またはジペプチドもしくはその誘導体の濃度として、5
0〜1500mM、好ましくは100〜1000mMで
実施できる。
【0081】1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−
3−フェニルプロピル誘導体(I)は、マイケル付加反
応液から、一旦、抽出および(または)晶析により取り
出したものを使用することもできるが、簡便な方法とし
て、マイケル付加反応液を引き続き使用することもでき
る。引き続き使用するばあい、1−アルコキシカルボニ
ル−3−オキソ−3−フェニルプロピル誘導体(I)の
生成率が70%以上のものが好ましい。
【0082】前記一般式(I)で表わされる1−アルコ
キシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル誘
導体を還元することにより製造される一般式(II):
【0083】
【化25】
【0084】で表わされる1−アルコキシカルボニル−
3−フェニルプロピル誘導体におけるX、YおよびRそ
れぞれの具体例および好ましい例は、前記1−アルコキ
シカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル誘導
体について記載したR、XおよびYと同様である。ま
た、XおよびYの組み合わせについても同様である。
【0085】したがって、一般式(II)で表わされる1
−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体
の好ましい具体例としては、N−(1−エトキシカルボ
ニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニン、N−
(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)−
L−アラニル−L−プロリン、N2−(1−エトキシカ
ルボニル−3−フェニルプロピル)−N6−トリフルオ
ロアセチル−L−リジンおよびN2−(1−エトキシカ
ルボニル−3−フェニルプロピル)−N6−トリフルオ
ロアセチル−L−リジル−L−プロリンがあげられる。
とくに、これらの1S体または1S体に富むものが好ま
しい。
【0086】前記接触還元には還元触媒が使用される。
前記還元触媒としては、本発明の反応条件下、目的とす
る主反応を好適に進行させるために、触媒調製時に適切
な処理を施して、好ましい触媒活性や耐酸性を有するよ
うに調製されたものを用いることができる。
【0087】前記還元触媒としては、一般に使用しうる
還元触媒、たとえばパラジウム(Pd)触媒、ニッケル
触媒または白金触媒などが用いられる。具体的な、パラ
ジウム触媒としては、たとえばPd−C、Pd−アルミ
ナ、Pd黒、Pd−BaSO4、Pd−ゼオライト、P
d−シリカアルミナなどがあげられる。また、具体的な
ニッケル触媒としては、たとえばラネーNi、Niボラ
イドなどがあげられる。さらに具体的な白金触媒として
は、たとえばPt−C、Pt黒などがあげられる。これ
らのうちではパラジウム触媒が反応速度の向上、反応収
率の向上、副生物(後述する一般式(III)で表わされ
る1−アルコキシカルボニル−3−シクロヘキシルプロ
ピル誘導体および一般式(IV)で表わされる1−カルボ
キシ−3−フェニルプロピル誘導体など)の抑制などの
総合的観点から好ましい。さらに、前記の観点からPd
−C、Pd−アルミナ、Pd−ゼオライトが好ましく、
とくにPd−Cが最も好ましい。前記Pd−C、Pd−
アルミナまたはPd−ゼオライトとしては、たとえばパ
ラジウム含量が10%、5%、2%または高活性2%の
ものがあげられる。還元触媒はリサイクル使用してもよ
い。
【0088】前記還元触媒の使用量は、触媒の種類、担
持率、触媒の活性や反応条件などにより異なるので一律
に規定できないが、パラジウム触媒のばあい、乾体基準
で普通、基質に対して、たとえば100%(w/w)以
下を目安に使用される。Pd−Cのばあい、普通、5〜
50%(w/w)を目安に使用されるが、本発明におけ
る強酸性条件下では、還元触媒を多量に使用せずとも、
充分な反応速度をうることができる。
【0089】前記接触還元反応における反応溶媒として
は、前述のごとく、アルコールまたはアルコールを含む
溶媒が用いられる。溶媒としてアルコールを使用するば
あいには、基質の溶解性、反応収率の向上などの点から
好ましい。さらに前記アルコールを含む溶媒としては、
アルコールと水との混合溶媒があげられ、アルコールと
水との混合溶媒を使用するばあいには、反応収率の向上
などの点から好ましい。
【0090】前記アルコールとしては、普通、Rと同じ
アルキル基を有するアルキルアルコールが使用される
が、炭素数1〜8の直鎖または分岐したアルコールを使
用するのが基質の溶解性の向上や反応収率の向上などの
点から好ましく、炭素数1〜4の直鎖または分岐した1
価アルコールを使用するのが、安価であること、取り扱
いが容易であること、反応後の1−アルコキシカルボニ
ル−3−フェニルプロピル誘導体(II)の分離に際して
除去しやすいことなどの点から好ましい。一般には、ア
ルコキシル基がエステル交換されても、同じアルコキシ
ル基になるように、1−アルコキシカルボニル−3−オ
キソ−3−フェニルプロピル誘導体(I)のアルコキシ
ル基に対応するアルコールが好ましく用いられる。前記
アルコキシル基に対応するアルコールとしては、たとえ
ば、メトキシ基のばあいにはメタノールであり、エトキ
シ基のばあいにはエタノールである。また、エタノール
のばあい、トルエン、メタノールなどの変性剤を含有す
る、安価に入手できるものを使用することができ、たと
えば、トルエン変性エタノールなどを使用してもよい。
【0091】前記アルコールと水との混合溶媒を使用す
るばあいには、とくに、水分含量50%(w/w)以
下、とくに30%(w/w)以下のアルコールが好まし
く用いられる。なかでも水分含量2〜30%(w/
w)、とくに5〜30%(w/w)のアルコールが好ま
しい。反応条件にもよるが、概して、前記範囲よりも水
分含量が高すぎても低すぎても、一般式(III):
【0092】
【化26】
【0093】(式中、R、XおよびYは前記と同じ)で
表わされる1−アルコキシカルボニル−3−シクロヘキ
シルプロピル誘導体および一般式(IV):
【0094】
【化27】
【0095】(式中、XおよびYは前記と同じ)で表わ
される1−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体な
どの不純物が増加する傾向がある。
【0096】なお、前記溶媒は、他の溶媒を悪影響のな
い程度に含んでいてもよい。
【0097】接触還元反応は、強酸濃度として、普通
0.4〜5N、好ましくは0.4〜4N、より好ましく
は0.4〜3N、とりわけ0.5〜3Nで実施される。
前記範囲より、強酸濃度が低すぎると、反応速度の低下
およびそれにともなう前記不純物の副生が増加し、高す
ぎても1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル誘導体(II)の生成率が低下する。
【0098】なお、本発明において用いられる前記の強
酸濃度を表わす規定度「N」なる語は、通常、酸やアル
カリを含む水に対して用いられるのと同様、溶液1リッ
トル中に含まれる溶質(このばあいは、強酸)のグラム
当量数で表わす単位を意味し、たとえば1モルの硫酸を
含有するエタノール溶液1リットルは2N濃度であり、
また、1モルの塩化水素を含有するエタノール溶液1リ
ットルは1N濃度である。
【0099】前記強酸は基質1モルを1当量として、そ
れに対して、3当量以上、普通約3〜15当量、好まし
くは3〜12当量、より好ましくは3〜10当量の強酸
を存在させることにより、とくに1−アルコキシカルボ
ニル−3−シクロヘキシルプロピル誘導体(シクロヘキ
シル体)(III)の副生を抑制し、かつ、1−アルコキ
シカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)の収
率を最大化することができる。
【0100】前記強酸としては、塩化水素、硫酸などが
あげられる。塩化水素は、ガスまたは塩酸などの溶液と
して使用され、塩酸が取り扱いの容易さなどの点から好
ましく用いられる。しかし、1−アルコキシカルボニル
−3−シクロヘキシルプロピル誘導体(シクロヘキシル
体)(III)の副生抑制や目的物の反応収率向上などの
点から硫酸が最も好ましい。これらは2種以上併用して
もよい。
【0101】とくに硫酸を4〜10当量、好ましくは5
〜8当量用いると、概して、その他の反応条件などが多
少変動しても、安定した1−アルコキシカルボニル−3
−シクロヘキシルプロピル誘導体(シクロヘキシル体)
(III)の副生抑制と1−アルコキシカルボニル−3−
フェニルプロピル誘導体(II)の高収量が期待できる。
【0102】前記強酸の存在は、不安定な基質の安定化
(分解抑制)、接触還元反応の反応速度向上、基質なら
びに生成物の溶解性向上(反応液量の少量化)および不
純物、とくに1−アルコキシカルボニル−3−シクロヘ
キシルプロピル誘導体(シクロヘキシル体)(III)の
副生抑制などに寄与する。
【0103】前記の強酸性条件は、強酸性すぎるため
に、pH計は正しい指示値を与えない。このような強酸
性条件下における反応の実施が、不純物の副生抑制、反
応液量の少量化、反応時間の短縮を図り、かつ、目的物
の高収率を確保するうえで非常に重要である。
【0104】前記の強酸性条件において、とくに、反応
溶媒として水分含量2〜30%(w/w)のアルコール
を、および、強酸として硫酸を使用するのがとくに好ま
しい。
【0105】還元反応の仕込濃度は、反応溶媒に対する
1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニル
プロピル誘導体(I)の濃度として、普通、0.1〜1
mol/L、好ましくは0.1〜0.8mol/L、よ
り好ましくは0.2〜0.7mol/Lで実施される。
前記濃度範囲で行なうと高収率、高品質の1−アルコキ
シカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体の取得や高
生産性といった本発明の有利性が大きく発揮できる。な
お、基質濃度により、至適な強酸性条件は若干変動する
ので、仕込濃度向上とともに、強酸濃度を高め、基質に
対する強酸量を減らすのが好ましい方法である。
【0106】接触還元反応における反応温度は0〜60
℃、とくに5〜50℃、とりわけ10〜35℃が好まし
く、15〜30℃が最も好ましい。前記範囲よりも反応
温度が高いと1−アルコキシカルボニル−3−シクロヘ
キシルプロピル誘導体(シクロヘキシル体)(III)や
1−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体(カルボ
キシ体)(IV)の副生が増加する。また、反応温度が低
すぎると反応速度が低下する。
【0107】前記接触還元反応は、撹拌強度として、
0.2kW/m3以上、とくに0.4kW/m3以上、と
りわけ0.5kW/m3以上で実施するのが、水素供給
(接触)不足による反応速度低下や副生物増加を避ける
上で好ましい。撹拌強度の上限はとくにないが、普通2
kW/m3以下で支障なく実施できる。
【0108】前記接触還元反応は、およそ常圧〜加圧
下、たとえば常圧〜20kg/cm2Gで実施できる
が、本発明の前記強酸性条件によれば、およそ常圧〜1
0kg/cm2G、好ましくは常圧〜5kg/cm2G、
とくに常圧〜2kg/cm2Gの水素圧でさえ、充分な
反応速度をうることができ、特殊で高価な加圧反応設備
を使用しなくてもよい。低い水素圧での反応の実施は、
むしろ1−アルコキシカルボニル−3−シクロヘキシル
プロピル誘導体(シクロヘキシル体)(III)の副生の
抑制を助成する。
【0109】なお、接触還元反応において、一般式:
【0110】
【化28】
【0111】(式中、R、XおよびYは前記と同じ)で
表わされる反応中間体(アルコール体)が消失する前に
反応を停止することが好ましい。反応中間体が消失した
のちまで反応をつづけると、1−アルコキシカルボニル
−3−シクロヘキシルプロピル誘導体(シクロヘキシル
体)(III)の増加が著しく、副生物の増加を招く。反
応停止の目安は、反応中間体の残存率が、たとえば1〜
15%、さらには2〜10%である。反応推移(反応中
間体の消費)は、HPLCやGCなどを用いて反応推移
(反応中間体の消費)をモニターすることにより知るこ
とができる。また、反応を完結するための必要量〜必要
量より若干少ない量程度の水素吸収が起こった時点で反
応を停止する方法も採用でき、このばあい、たとえば9
割前後の水素吸収が起こった時点で反応を停止するのが
好ましい。
【0112】本発明の接触還元反応方法により、高価な
還元触媒を多量に用いることなく、また、特殊で高価な
加圧反応設備を用いることなく、短時間で、精製除去の
難しい1−アルコキシカルボニル−3−シクロヘキシル
プロピル誘導体(シクロヘキシル体)(III)などの不
純物が少なく、反応後の分離に適した濃度、普通0.1
〜1mol/L程度の1−アルコキシカルボニル−3−
フェニルプロピル誘導体(II)の高濃度反応液をうるこ
とができる。
【0113】つぎに、接触還元反応後の反応液からの1
−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体
(II)の分離プロセスについて説明する。
【0114】反応後、まず、還元触媒の濾過あるいは分
離および反応液中の強酸の中和あるいは除去(たとえ
ば、強酸が塩酸のばあいには、減圧下にある程度除去す
ることもできる)が行なわれる。反応液中に存在する1
−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体
(II)の分離にあたって好ましくない(不要な)酸成分
を除き、反応液のpHを1−アルコキシカルボニル−3
−フェニルプロピル誘導体(II)の等電点付近に調整す
る。1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル
誘導体(II)の等電点は、各々多少異なるが、多くのば
あいpH4.6±1.5、さらにはpH4.6±1.0
である。前記範囲のpH域において、1−アルコキシカ
ルボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)の水溶液
中への溶解度が最小になる。
【0115】前記のpH調整に使用する塩基は、無機塩
基が廃水処理が容易である、塩析効果により1−アルコ
キシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)の
廃水へのロスを少量化できるなどの点から好ましく、通
常、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アル
カリ金属炭酸水素塩などが好ましく用いられる。とく
に、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウ
ムといったアルカリ金属水酸化物が取り扱いの容易さの
点から好ましく、水酸化ナトリウムが最も好ましい。前
記塩基は、たとえば2〜20Nの水酸化ナトリウム水溶
液などのように、水溶液として使用するのが操作性など
の点から好ましい。とくに、9〜10Nの水酸化ナトリ
ウム水溶液が好ましく用いられる。使用する塩基は必ず
しもこれらに限定されるものではない。これらは単独で
用いてもよく、2種以上併用してもよい。
【0116】前記pH調整時に生成する塩を水溶液中に
溶解させるために、前記pH調整前または調整後に、適
宜、必要に応じ、反応液中のアルコールの除去や水の添
加が行なわれる。最終的に、水溶液中のアルコールの含
量が0〜20%(w/w)程度、好ましくは0〜10%
(w/w)程度になるようにするのが好ましい。普通
は、生成物の安定性の面から、前記pH調整後に実施す
るのが好ましい。
【0117】前記水溶液は、生成した塩の塩析効果によ
り1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘
導体(II)の溶解度を最小化するために、一般に、塩の
飽和濃度付近に調整するのが好ましい。しかし、中和反
応により生成した塩が含まれるため、新たな塩の添加
は、通常必要ない。
【0118】接触還元反応では、反応条件にもよるが、
普通、1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル誘導体(II)に対して、10%(w/w)程度または
それ以下の量の1−カルボキシ−3−フェニルプロピル
誘導体(カルボキシ体)(IV)が副生するが、この1−
カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体(カルボキシ
体)(IV)は前記のpH域で水溶液への溶解度が比較的
高く、中和またはpH調整により生成した塩とともに水
溶液中に残存させることができるので、接触還元反応で
生成した1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロ
ピル誘導体(II)を、前記水溶液中で結晶化させるか、
または、前記水溶液から有機溶剤に分配もしくは抽出す
ることにより、水溶液中にのこる前記1−カルボキシ−
3−フェニルプロピル誘導体(カルボキシ体)(IV)と
分離することができる。
【0119】前記1−アルコキシカルボニル−3−フェ
ニルプロピル誘導体(II)を前記水溶液中から結晶化さ
せる方法としては、pH調整後の濃縮晶析法(他の溶媒
からなる溶液(たとえば反応液)を水に置換することに
よる溶媒置換晶析法を含む)、pH調整後の冷却晶析
法、前記pH域へpHを調整していく中和晶析法または
これら晶析方法を組み合わせた方法などがあげられる。
前記の結晶化方法のうち、とくに、pH調整後の濃縮晶
析法が操作性やえられる結晶の品質、濾過性および乾燥
性などの点から好ましく用いられる。
【0120】前記1−アルコキシカルボニル−3−フェ
ニルプロピル誘導体(II)を前記水溶液から抽出する方
法としては、回分式抽出法、連続式抽出法などがあげら
れる。
【0121】前記抽出に用いる有機溶剤としては、たと
えばハロゲン化炭化水素、酢酸エステル、エーテル、ケ
トンなどがあげられる。必要に応じて、たとえばトルエ
ンなどの他の有機溶剤を併用してもよい。
【0122】前記ハロゲン化炭化水素としては、たとえ
ば塩化メチレン、クロロホルムなどがあげられる。ま
た、前記酢酸エステルとしては、たとえば1−アルコキ
シカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)の溶
解性の向上などの点から直鎖または分岐した炭素数1〜
5のアルキルエステルが好ましく、とくに汎用的な溶媒
であり、取り扱い易く、また、沸点も比較的低くて除去
が容易な点から酢酸エチルが最も好ましい。前記エーテ
ルとしては、たとえばテトラヒドロフラン、メチルt−
ブチルエーテルなどがあげられる。前記ケトンとして
は、たとえばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケ
トン、アセトンなどがあげられる。なかでも、一般に、
抽出効率のよさ、除去の容易さ、取り扱い易さの点から
塩化メチレン、酢酸エチル、または塩化メチレンもしく
は酢酸エチルとトルエンとの混合溶剤が好ましい。
【0123】なお、分離に際しては、結晶化時または抽
出時、不純物の痕跡量の混入を避ける目的で、あらかじ
め、水溶液を前記pH域以外のpH域、たとえばpH
3.1より下またはpH6.1より上に調整して、不純
物の抽出除去を行なってもよく、抽出後の有機層を前記
pH域において水洗してもよい。
【0124】1−アルコキシカルボニル−3−フェニル
プロピル誘導体(II)がアミノ酸誘導体である(前記一
般式(II)において、Yが水酸基である)ばあいには、
一般に水溶液中からの結晶化が行なわれ易い傾向にあ
り、前記結晶化方法による分離方法が好ましく用いられ
る。とくに、pH調整後の濃縮晶析法(他の溶媒からな
る溶液(たとえば反応液)を水に置換することによる溶
媒置換晶析法を含む)が好ましく用いられる。1−アル
コキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)
がジペプチド誘導体である(前記一般式(II)におい
て、Yが水酸基以外である)ばあいには、一般に、水溶
液中からの結晶化が難しい傾向にあり、前記抽出方法に
よる分離方法が好ましく用いられる。
【0125】前記の分離操作は、100℃以下、普通は
5〜90℃、好ましくは10〜80℃で実施される。
【0126】なお、1−アルコキシカルボニル−3−フ
ェニルプロピル誘導体(II)がアミノ酸誘導体である
(前記一般式(II)において、Yが水酸基である)ばあ
い、その結晶化は30℃以上、好ましくは40〜70℃
の高温で実施するのが好ましい。前記範囲のような高温
での結晶化は、純度が高く、分離性のよい結晶の取得に
寄与する。
【0127】1−アルコキシカルボニル−3−フェニル
プロピル誘導体(II)がジペプチド誘導体である(前記
一般式(II)においてYが水酸基以外である)ばあいに
は、ジケトピペラジン誘導体の副生を抑制するために、
普通、60℃以下、好ましくは50℃以下、より好まし
くは40℃以下、一般に0〜20℃で実施される。
【0128】なお、本発明の分離方法における水溶液と
は、本質的に水を溶媒とする(溶媒のうちの水の割合が
70%以上、好ましくは80%以上、より好ましくは9
0%以上)水溶液を意味しており、たとえば反応に使用
したエタノールなどのアルコールなど、少量の他の溶剤
を悪影響のない程度含んでいてもよい。
【0129】前記結晶化操作ののちは、遠心分離、加圧
あるいは減圧濾過などの公知の方法により結晶を分離、
洗浄し、また、前記抽出操作ののちは、公知の方法によ
り常圧もしくは減圧下に濃縮し、1−アルコキシカルボ
ニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)を取得するこ
とができる。
【0130】このようにして、1−アルコキシカルボニ
ル−3−フェニルプロピル誘導体(II)が収率70〜9
0%の高収率でえられる。
【0131】本発明によれば、接触還元時の1−アルコ
キシカルボニル−3−シクロヘキシルプロピル誘導体
(シクロヘキシル体)(III)の副生を抑制するととも
に、副生した1−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘
導体(カルボキシ体)(IV)は効果的に水溶液中に除去
され、一方、目的とする1−アルコキシカルボニル−3
−フェニルプロピル誘導体(II)は、中和により生成し
た塩水溶液中から高収量で取り出すことができる。とく
に、1−アルコキシカルボニル−3−シクロヘキシルプ
ロピル誘導体(シクロヘキシル体)(III)や1−カル
ボキシ−3−フェニルプロピル誘導体(カルボキシ体)
(IV)を精製除去するための別工程は通常は必要ない
が、より純度の高いものにするために精製してもよい。
【0132】本発明の前記方法を適用するのに、好まし
い1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニ
ルプロピル誘導体(I)として、前記XおよびYの組み
合わせがL型の−Ala−および水酸基、またはω−ア
ミノ基がアシル型保護基で保護されたL型の−Lys−
および水酸基であるものがあげられる。このばあい、と
くに、生成した前記XおよびYの組み合わせがL型の−
Ala−および水酸基、またはω−アミノ基がアシル型
保護基で保護されたL型の−Lys−および水酸基であ
る1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘
導体(II)を分離するには前記のように水溶液中で結晶
化させてこれを分離する方法が好ましい。このばあい、
中和により生成した塩水溶液中から、高い晶出量でえら
れる、工程が簡便である、新たに有機溶媒を用いない、
効率的に1−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体
(カルボキシ体)(IV)が除去できるなどの効果がえら
れる。とくに、N−(1−エトキシカルボニル−3−オ
キソ−3−フェニルプロピル)−L−アラニンを用いて
生成したN−(1−エトキシカルボニル−3−フェニル
プロピル)−L−アラニンを分離するのに好ましい。
【0133】前記XおよびYの組み合わせがL型の−A
la−および水酸基、またはω−アミノ基がアシル型保
護基で保護されたL型の−Lys−および水酸基である
1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導
体(II)の水溶液中からの結晶化方法としては、前記の
ように、pH調整後の濃縮晶析法(他の溶媒からなる溶
液(たとえば反応液)を水に置換することによる溶媒置
換晶析法を含む)、pH調整後の冷却晶析法、前記pH
域へpHを調整していく中和晶析法またはこれら晶析方
法を組み合わせた方法などを使用できる。普通、pH調
整後の濃縮晶析(他の溶媒からなる溶液(たとえば反応
液)を水に置換することによる溶媒置換晶析法を含む)
が好ましい。なお、結晶化に際しては、結晶中への不純
物の痕跡量の混入を避ける目的で、あらかじめ、水溶液
を前記pH域以外のpH域、たとえばpH3.1より下
またはpH6.1より上に調整して不純物の抽出除去を
行なってもよい。
【0134】結晶化は0〜100℃、通常は5〜90
℃、好ましくは10〜80℃で実施できるが、30℃以
上、とくに40〜70℃で実施するのが最も好ましい。
前記範囲のような高温での結晶化は、純度が高く、分離
性のよい結晶の取得に寄与する。最終的に、25℃以
下、好ましくは20℃に冷却して晶出量を高めるとよ
い。
【0135】つぎに、本発明の一般式(IV)で表わされ
る1−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体が共存
する一般式(II)で表わされる1−アルコキシカルボニ
ル−3−フェニルプロピル誘導体から1−アルコキシカ
ルボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)を取得す
る方法について説明する。
【0136】1−アルコキシカルボニル−3−フェニル
プロピル誘導体(II)に不純物として1−カルボキシ−
3−フェニルプロピル誘導体(IV)が共存するばあいに
は、水の存在下で結晶化または抽出して、1−カルボキ
シ−3−フェニルプロピル誘導体(IV)を除去し、1−
アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体
(II)を分離して、1−アルコキシカルボニル−3−フ
ェニルプロピル誘導体を取得することができる。
【0137】前記取得方法は、本発明の1−アルコキシ
カルボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)の製造
方法における分離方法と同様に行なわれてもよい。
【0138】また、前記取得方法は、1−アルコキシカ
ルボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)の等電点
付近にpHを調整した水の存在下で行なわれるのが好ま
しく、1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル誘導体(II)の等電点は、各々多少異なるが、多くの
ばあいpH4.6±1.5、さらにはpH4.6±1.
0である。前記範囲のpH域において、1−アルコキシ
カルボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)の水溶
液中への溶解度が最小になる。
【0139】1−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘
導体(IV)が共存する1−アルコキシカルボニル−3−
フェニルプロピル誘導体(II)をいったん酸またはアル
カリで溶解して、1−アルコキシカルボニル−3−フェ
ニルプロピル誘導体(II)の等電点付近にpHを調整
し、それから再結晶させる、または抽出して抽出により
取り出したものを再結晶もしくは溶媒を交換して分配さ
せるなどして、取得することができる。
【0140】前記再結晶および抽出は前記分離方法の結
晶化方法または抽出方法と同様に行なうことができる。
【0141】また、1−カルボキシ−3−フェニルプロ
ピル誘導体(IV)が不純物として共存する1−アルコキ
シカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)を有
機溶剤に溶解し、有機溶剤を水で希釈あるいは置換する
ことにより1−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導
体(IV)を水中に除去し、1−アルコキシカルボニル−
3−フェニルプロピル誘導体(II)を結晶化させて取り
出すことができる。
【0142】また、1−カルボキシ−3−フェニルプロ
ピル誘導体(IV)が不純物として共存する1−アルコキ
シカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)を有
機溶剤に溶解し、溶解液を水で洗浄することにより、1
−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体(IV)を除
去して、1−カルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体
(II)を洗浄後の有機層から結晶化するなどして取り出
すこともできる。
【0143】前記取得方法によれば、1−カルボキシ−
3−フェニルプロピル誘導体(カルボキシ体)(IV)は
水の存在下に、効果的に除去され、1−アルコキシカル
ボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)を収率よく
取得することができる。
【0144】また、1−アルコキシカルボニル−3−フ
ェニルプロピル誘導体(II)が不純物として1−カルボ
キシ−3−フェニルプロピル誘導体(IV)を含有するば
あいには、1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプ
ロピル誘導体(II)の純度をさらにあげるために、前記
取得方法を用いて、水の存在下に1−カルボキシ−3−
フェニルプロピル誘導体(IV)を除去し、1−アルコキ
シカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体(II)を分
離して、1−アルコキシカルボニル−3−フェニルプロ
ピル誘導体(II)を精製してもよい。
【0145】つぎに、本発明のN−(1−カルボキシ−
3−フェニルプロピル)−L−アラニンおよびN−(1
(R)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)
−L−アラニンの少なくとも1種が共存するN−(1
(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)
−L−アラニンから、結晶化により、N−(1(S)−
エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−ア
ラニンを取得する方法について説明する。
【0146】水溶液中でN−(1(S)−エトキシカル
ボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニンを結晶
化させることにより、N−(1−カルボキシ−3−フェ
ニルプロピル)−L−アラニン(カルボキシ誘導体)な
どを効果的に除去することができる。
【0147】本発明の製造方法を用いて、接触還元によ
り生成した目的とするN−(1(S)−エトキシカルボ
ニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニンは、本発
明の製造方法における前記水溶液中での結晶化方法によ
り分離すると、中和により生成した塩の水溶液中で低い
溶解度を示し、高い晶出量でえられる。また、接触還元
により副生したN−(1−カルボキシ−3−フェニルプ
ロピル)−L−アラニンは、水溶液中に除去される。
【0148】前記塩としては、硫酸ナトリウム、塩化ナ
トリウムなどが、塩析効果により、N−(1(S)−エ
トキシカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラ
ニンの晶出量が増大するなどの点から好ましく、とくに
硫酸ナトリウムが好ましい。
【0149】前記結晶化方法においてはN−(1−エト
キシカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニ
ンの等電点付近にpHを調整する。N−(1−エトキシ
カルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニンの
等電点はpH4.6であるが、pH4.6±1.5、好
ましくはpH4.6±1.0に調整されれば高い晶出量
でえられる。
【0150】晶出した結晶は、遠心分離、加圧または減
圧濾過などの方法を用いて、結晶を分離、洗浄して採取
される。
【0151】N−(1(R)−エトキシカルボニル−3
−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−アラニン異性
体が共存するN−(1(S)−エトキシカルボニル−3
−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−アラニンを使
用して、本発明の接触還元反応によりえられた反応液を
用いるばあいには、水溶液中での結晶化方法により、カ
ルボキシ体であるN−(1−カルボキシ−3−フェニル
プロピル)−L−アラニンとともに生成したN−(1
(R)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)
−L−アラニン異性体も水溶液中にきわめて効果的に除
去できることがわかった。なお、前記結晶化方法を用い
れば、反応中間体も容易に除去できる。
【0152】前記のN−(1(R)−エトキシカルボニ
ル−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−アラニ
ン異性体が共存するN−(1(S)−エトキシカルボニ
ル−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−アラニ
ンは、たとえば、特公平3−22867号公報や特開昭
62−129260号公報などに記載されるようなβ−
ベンゾイルアクリル酸エチルと(S)−アラニンとをア
ルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金
属炭酸水素塩またはアミンなどの塩基によりマイケル付
加反応させて容易にうることができる。
【0153】N−(1−エトキシカルボニル−3−オキ
ソ−3−フェニルプロピル)−L−アラニンとしては、
1S体に富むもの、好ましくは1R体含有量30%以下
のものを使用すると、1R異性体の含有量の少ない高品
質のN−(1(S)−エトキシカルボニル−3−フェニ
ルプロピル)−L−アラニンを取得することができる。
【0154】また、前記取得方法における結晶化では、
N−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル)−L−アラニンの等電点付近、pH4.6±1.
5、好ましくはpH4.6±1.0に調製するのがよ
い。
【0155】前記本発明のN−(1(S)−エトキシカ
ルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニンの結
晶化による取得方法を用いることにより、N−(1
(R)−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニ
ルプロピル)−L−アラニン異性体が共存するN−(1
(S)−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニ
ルプロピル)−L−アラニンを基質として用いて接触還
元反応を行なっても、N−(1(R)−エトキシカルボ
ニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニン異性体の
含有量の少ない、高品質のN−(1(S)−エトキシカ
ルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニンを簡
便かつ効率的に、生産性よく結晶として取得することが
できる。
【0156】以下に、本発明の好ましい基本的な実施態
様を説明するが、これらの実施態様に限定されるもので
はない。
【0157】N−(1−エトキシカルボニル−3−オキ
ソ−3−フェニルプロピル)−L−アラニンからのN−
(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)−
L−アラニンの製造を説明する。
【0158】(1S/1R)=90/10のN−(1−
エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピ
ル)−L−アラニン100g(0.34モル)を、2N
濃度の硫酸を含有する5〜15%(w/w)含水エタノ
ール1100mlに溶解させる(基質濃度0.3mol
/L、基質に対する硫酸量6当量)。5%Pd−C20
gを加えて、直ちに常圧〜0.5kg/cm2G加圧の
水素圧下、撹拌強度0.5〜1kW/m3で充分量の水
素を供給しつつ充分に混合分散させ、20〜25℃で反
応させる。反応をHPLCでモニターしつつ、水素必要
量の9割〜9割強の吸収時点で水素供給を停止し、速や
かに窒素ガスなどの不活性ガスに置換し反応を停止す
る。反応所要時間は10時間以下である。速やかに、P
d−Cを濾過し、Pd−Cケーキと同容量〜2倍容量の
5〜10%(w/w)含水エタノールで洗浄する。えら
れた濾液に水250mlを加えたのち、内温が20〜3
0℃を越さないように30%(w/w)水酸化ナトリウ
ム水溶液をゆっくりと滴下してpH4.5に中和する。
内温50〜60℃下、減圧濃縮し、さらに水を適宜添加
しながら減圧濃縮して、水に置換しながら、徐々に結晶
化させる。最終的にエタノール含量2%(w/w)以
下、硫酸ナトリウム含量10%(w/w)、pHは5.
0となる。内温20〜25℃に冷却し、晶出している結
晶を遠心分離して、濾液を充分に振り切る。ケーキの2
倍容量の水で洗浄したのち、充分に振り切り、品質の良
好なN−(1(S)−エトキシカルボニル−3−フェニ
ルプロピル)−L−アラニン結晶(水分含量15〜20
%(w/w)(湿体基準))をうる(収率75〜80
%)。真空乾燥(40〜70℃、30mmHg→0.1
mmHg)後の品質は、HPLC純度:99%(w/
w)以上、N−(1(R)−エトキシカルボニル−3−
フェニルプロピル)−L−アラニン含量:0.1%(w
/w)以下、N−(1−エトキシカルボニル−3−シク
ロヘキシルプロピル)−L−アラニン含量:0.1%
(w/w)以下、N−(1−カルボキシ−3−フェニル
プロピル)−L−アラニン含量:0.1%(w/w)以
下、強熱残分(約600℃の温度で灰化して、残存する
燃え残りの物質):0.1%(w/w)以下である。
【0159】つぎに、マイケル付加反応によりえられた
反応液を引き続き用いたN2−(1−エトキシカルボニ
ル−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−N6−トリ
フルオロアセチル−L−リジンからのN2−(1−エト
キシカルボニル−3−フェニルプロピル)−N6−トリ
フルオロアセチル−L−リジンの製造を説明する。
【0160】Nω−トリフルオロアセチル−L−リジン
140g(0.58モル)とトランス−β−ベンゾイル
アクリル酸エチル120g(0.59モル)を5〜10
%(w/w)含水エタノール1300mlに加える。−
10℃下、4N水酸化リチウム水溶液145ml(0.
58モル)を5時間かけて添加し、さらに1時間撹拌を
続けた。アルカリの中和分に加えて接触還元時の強酸分
として、97%(w/w)硫酸138g(1.37モ
ル)を内温5℃以下に維持しながら15分かけて添加す
る。不溶物を濾過して除き、5〜10%(w/w)含水
エタノール100mlで洗浄して、えられた洗浄液を濾
液に混ぜた。濾液と洗浄液の混合物に10%Pd−C4
2gを添加し、常圧〜1kg/cm2Gの水素圧下、撹
拌強度0.5〜1kW/m3で充分量の水素を供給しつ
つ充分に混合分散させ、25〜30℃で反応させる(基
質濃度0.3mol/L、硫酸濃度1.3N、基質に対
する硫酸量4当量)。反応をHPLCでモニターしつ
つ、水素必要量の9割〜9割強の吸収時点で水素供給を
停止し、速やかに窒素ガスなどの不活性ガスに置換し反
応を停止する。反応所要時間は10時間以下である。速
やかに、Pd−Cを濾過し、Pd−Cケーキと同容量〜
2倍容量の5〜10%(w/w)含水エタノールで洗浄
する。えられた濾液に400mlの水を加えたのち、内
温が20〜30℃を越さないように30%(w/w)水
酸化ナトリウム水溶液をゆっくりと滴下してpH5に中
和する。内温50〜70℃下、減圧濃縮し、さらに水を
適宜添加しながら減圧濃縮して水に置換しながら、徐々
に結晶化させる。最終的にエタノール含量3%(w/
w)以下、pHは5.1となる。内温20〜30℃に冷
却し、晶出している結晶を遠心分離して濾液を充分に振
り切る。ケーキの2倍容量の水で洗浄したのち、充分に
振り切り、品質の良好なN2−(1−エトキシカルボニ
ル−3−フェニルプロピル)−N6−トリフルオロアセ
チル−L−リジン結晶(1S/1R=75〜85/15
〜25)(水分含量20〜30%(w/w)(湿体基
準))をうる(収率60〜70%)。真空乾燥(40〜
70℃、30mmHg→0.1mmHg)後の品質は、
HPLC純度:96%(w/w)以上、N2−(1−エ
トキシカルボニル−3−シクロヘキシルプロピル)−N
6−トリフルオロアセチル−L−リジン含量:0.3%
(w/w)以下、N2−(1−カルボキシ−3−フェニ
ルプロピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジ
ン含量:0.2%(w/w)以下である。
【0161】
【実施例】以下に実施例をあげて本発明をさらに詳しく
説明するが、本発明は、これら実施例のみに限定される
ものではない。
【0162】なお、本発明の実施例における、接触還元
中の反応推移(反応中間体の消費)および、分離した生
成物の定量は基本的には以下のHPLC分析方法で行な
った。また、1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−
3−フェニルプロピル誘導体(I)(基質)に対する強
酸の当量とは、1−アルコキシカルボニル−3−オキソ
−3−フェニルプロピル誘導体(I)1モルを1当量と
したばあいの強酸の当量である。
【0163】N−(1−エトキシカルボニル−3−オキ
ソ−3−フェニルプロピル)−L−アラニンの接触還元
によるN−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプ
ロピル)−L−アラニンの製造 反応推移(反応中間体の消費)および生成物の定量 (HPLC) カラム:日本分光 FINEPAK SIL−C18−
5 4.6mmφ×250mm カラム温度:40℃ 流速:1.5ml/min 検出:UV210nm 溶離液:60mMリン酸バッファー(pH2.5)/ア
セトニトリル=85/15(v/v) N−(1−エトキシカルボニル−3−シクロヘキシルプ
ロピル)−L−アラニンの定量 (HPLC) カラム:山村化学 YMC−ODS−A−302 4.6mmφ×150mm カラム温度:25℃ 流速:1.0ml/min 検出:示差屈折計(RI)Shodex RI−71 溶離液:KH2PO4 6.8gを純水900mlに溶解
したのち、85%(w/w)H3PO4水溶液でpH2.
5に調整し、純水を加えて1000mlにした溶液とメ
タノール1500mlとの混合液
【0164】N2−(1−エトキシカルボニル−3−オ
キソ−3−フェニルプロピル)−N6−トリフルオロア
セチル−L−リジンの接触還元によるN2−(1−エト
キシカルボニル−3−フェニルプロピル)−N6−トリ
フルオロアセチル−L−リジンの製造 反応推移(反応中間体の消費)および生成物の定量 (HPLC) カラム:日本分光 FINEPAK SIL−C18−
5 4.6mmφ×250mm カラム温度:40℃ 流速:1.0ml/min 検出:UV210nm 溶離液:60mMリン酸バッファー(pH2.5)/ア
セトニトリル=65/35(v/v) N2−(1−エトキシカルボニル−3−シクロヘキシル
プロピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジン
の定量 (HPLC) カラム:nacalai tesque COSMOS
IL 5C−18−AR 4.6mmφ×250mm カラム温度:50℃ 流速:2.0ml/min 検出:UV210nm 溶離液:60mMリン酸バッファー(pH2.5)/ア
セトニトリル=72/28(v/v)
【0165】N2−(1−エトキシカルボニル−3−オ
キソ−3−フェニルプロピル)−N6−トリフルオロア
セチル−L−リジル−L−プロリンの接触還元によるN
2−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジル−L−
プロリンの製造 反応推移(反応中間体の消費)および生成物の定量 (HPLC) カラム:日本分光 FINEPAK SIL−C18−
5 4.6mmφ×250mm カラム温度:45℃ 流速:1.0ml/min 検出:UV210nm 溶離液:60mMリン酸バッファー(pH2.5)/ア
セトニトリル=65/35(v/v) N2−(1−エトキシカルボニル−3−シクロヘキシル
プロピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジル
−L−プロリンの定量 (HPLC) カラム:日本分光 FINEPAK SIL−C18−
5 4.6mmφ×250mm カラム温度:45℃ 流速:0.8ml/min 検出:UV210nm 溶離液:60mMリン酸バッファー(pH2.5)/ア
セトニトリル=50/50(v/v) 実施例1 N−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェ
ニルプロピル)−L−アラニン((1S/1R)=9.
0)10.0g(34ミリモル)を1.9N濃度の硫酸
を含有する7%(w/w)含水エタノール105mlに
加えた。50%(w/w)含水5%Pd−C5.0gを
加え、常圧の水素雰囲気下、内温約20℃、撹拌強度
0.5〜1kW/m3で接触還元を実施した(基質に対
する硫酸量は6当量である)。水素必要量の9割強を吸
収した時点で水素供給を停止し、速やかに窒素に置換し
反応を停止した。速やかに、Pd−Cを濾過し、Pd−
Cケーキを7%(w/w)含水エタノール10mlおよ
び水5mlで丁寧に洗浄した。えられた濾液に水30m
lを加えたのち、30%(w/w)水酸化ナトリウム水
溶液を徐々に滴下してpH4.5に中和した。内温40
〜60℃で減圧濃縮し、さらに水を適宜添加しながら減
圧濃縮して水に置換して、スラリーをえた。スラリー中
のエタノール含量は3%(w/w)、硫酸ナトリウム含
量は9%(w/w)、pHは5.0であった。内温20
℃に冷却し、晶出している結晶を濾過し、ケーキの2倍
容量の水で洗浄した。えられた結晶を40〜60℃で真
空乾燥(30mmHg→0.1mmHg)し、N−(1
(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)
−L−アラニン6.3g(23ミリモル)をえた。収率
は75%であった。HPLC純度:99.3%(w/
w)、N−(1(R)−エトキシカルボニル−3−フェ
ニルプロピル)−L−アラニン含量:不検出、N−(1
−エトキシカルボニル−3−シクロヘキシルプロピル)
−L−アラニン含量:0.1%(w/w)、N−(1−
カルボキシ−3−フェニルプロピル)−L−アラニン含
量:0.1%(w/w)未満、強熱残分:0.1%であ
った。
【0166】実施例2 N2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フ
ェニルプロピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−
リジン((1S/1R)=79/21)7.0g(1
5.7ミリモル)を0.9N濃度の硫酸を含有する10
%(w/w)含水エタノール100mlに加えた。50
%(w/w)含水5%Pd−C5.6gを加え、常圧の
水素雰囲気下、内温35℃、撹拌強度0.5〜1kW/
3で接触還元を実施した(基質に対する硫酸量は6当
量である)。水素必要量の9割強を吸収した時点で水素
供給を停止し、速やかに窒素に置換し反応を停止した。
2−(1−カルボキシ−3−フェニルプロピル)−N6
−トリフルオロアセチル−L−リジンの副生量は、N2
−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)
−N6−トリフルオロアセチル−L−リジンに対して7
%(w/w)であった。速やかに、Pd−Cを濾過し、
Pd−Cケーキを7%(w/w)含水エタノール10m
lおよび水5mlで丁寧に洗浄した。えられた濾液に水
100mlを加えたのち、30%(w/w)水酸化ナト
リウム水溶液を徐々に滴下してpH4.6に中和した。
内温40〜60℃で減圧濃縮し、さらに水を適宜添加し
ながら減圧濃縮して水に置換して、スラリーをえた。ス
ラリー中のエタノール含量は2%(w/w)、硫酸ナト
リウム含量は6%(w/w)、pHは5.1であった。
内温25℃に冷却し、晶出しているN2−(1−エトキ
シカルボニル−3−フェニルプロピル)−N6−トリフ
ルオロアセチル−L−リジンの結晶を濾過し、ケーキの
2倍容量の水で洗浄した。えられた結晶を40〜60℃
で真空乾燥(30mmHg→0.1mmHg)し、N2
−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)
−N6−トリフルオロアセチル−L−リジン((1S/
1R)=79/21)5.4g(12.6ミリモル)を
えた。収率は80%であった。HPLC純度:98.6
%(w/w)、N2−(1−エトキシカルボニル−3−
シクロヘキシルプロピル)−N6−トリフルオロアセチ
ル−L−リジン含量:0.2%(w/w)、N2−(1
−カルボキシ−3−フェニルプロピル)−N6−トリフ
ルオロアセチル−L−リジン含量:0.1%(w/
w)、強熱残分:0.2%(w/w)であった。
【0167】実施例3 N2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フ
ェニルプロピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−
リジル−L−プロリン((1S/1R)=2)5.0g
(9.4ミリモル)を用いて、1.4N濃度の硫酸を含
有する7%(w/w)含水エタノール70ml中で、実
施例1と同様に接触還元した(基質に対する硫酸量は5
当量である)。Pd−Cを濾過し、Pd−Cケーキを7
%(w/w)含水エタノール20mlで洗浄し、えられ
た濾液に水10mlを加え、30%(w/w)水酸化ナ
トリウム水溶液を徐々に滴下してpH4.6に中和し
た。内温20℃で減圧濃縮してエタノールを除去し、1
0℃に冷却した。冷水50mlを加え、5〜15℃で塩
化メチレン50mlで3回抽出した。えられた塩化メチ
レン層を5〜15℃で冷水20mlで洗浄したのち、2
日間、フリーザーで保存した。氷を除去し、内温20℃
以下で減圧濃縮し、N2−(1−エトキシカルボニル−
3−フェニルプロピル)−N6−トリフルオロアセチル
−L−リジル−L−プロリン((1S/1R)=2)を
含有する濃縮物をえた。収率は80%であった。N2
(1−エトキシカルボニル−3−シクロヘキシルプロピ
ル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジル−L−
プロリン含量:0.2%(w/w)、N2−(1−カル
ボキシ−3−フェニルプロピル)−N6−トリフルオロ
アセチル−L−リジル−L−プロリン含量:0.1%
(w/w)であった。えられた濃縮物を完全に濃縮乾固
し、メチルt−ブチルエーテル20mlに溶解したの
ち、半分量までエバポレーター(バス温20℃)で濃縮
した。N2−(1(S)−エトキシカルボニル−3−フ
ェニルプロピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−
リジル−L−プロリンの種晶を加え、冷蔵庫中にて放置
し結晶化させた。析出した結晶を速やかに濾過し、直ち
に、冷却したメチルt−ブチルエーテル/メチルシクロ
ヘキサン(7/3(v/v))2mlで洗浄した。えら
れた湿結晶を、メチルt−ブチルエーテル10mlに溶
解し、冷蔵庫中にて放置し結晶化させた。スラリーを1
0℃下で激しく撹拌しつつ、メチルシクロヘキサン3m
lを徐々に加えた。析出した結晶を速やかに濾過し、直
ちに、冷却したメチルt−ブチルエーテル/メチルシク
ロヘキサン(7/3(v/v))2mlで洗浄した。え
られた結晶を20〜45℃で真空乾燥(30mmHg→
1mmHg)したのち、水10mlと炭酸ナトリウム
0.24gの混合物と混合した。40℃下、10%(w
/w)水酸化ナトリウム水溶液を徐々に加え、pH1
2.5以上に維持した。4時間後、35%(w/w)塩
酸でpH8とし、塩化メチレン10mlを加え、さらに
35%(w/w)塩酸でpH5に調整した。塩化メチレ
ン層を分離し、水層をエバポレーター(バス温45℃)
で減圧濃縮した。1/4量に濃縮し、室温下、4時間撹
拌し、濃厚なスラリーをえた。析出した結晶を濾過し、
水2mlで洗浄した。えられた湿結晶を50℃で真空乾
燥(30mmHg→1mmHg)し、N2−(1(S)
−カルボキシ−3−フェニルプロピル)−L−リジル−
L−プロリン・2水和物(リジノプリル・2水和物)
0.9g(2.1ミリモル)をえた。収率は33%であ
った。HPLC純度:98%(w/w)、ジケトピペラ
ジン誘導体含有量:0.1%(w/w)未満であった。
【0168】実施例4 N−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェ
ニルプロピル)−L−アラニン((1S/1R)=9.
0)5.0g(17ミリモル)を0.5N濃度のHCl
を含有する10%(w/w)含水エタノール100ml
に加えた。50%(w/w)含水5%Pd−C5.0g
を加え、常圧の水素雰囲気下、内温15〜25℃、撹拌
強度0.5〜1kW/m3で接触還元を実施した(基質
に対するHCl量は3当量である)。水素必要量の9割
を吸収した時点で水素供給を停止し、速やかに窒素に置
換し反応を停止した。反応中間体の残存率:10%、N
−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)
−L−アラニンの生成率:82%、N−(1−エトキシ
カルボニル−3−シクロヘキシルプロピル)−L−アラ
ニン含量:0.2%(w/w)、N−(1−カルボキシ
−3−フェニルプロピル)−L−アラニン含量:7%
(w/w)であった。速やかに、Pd−Cを濾過し、P
d−Cケーキを7%(w/w)含水エタノール10ml
および水5mlで丁寧に洗浄した。えられた濾液に水3
0mlを加えたのち、30%(w/w)水酸化ナトリウ
ム水溶液を徐々に滴下してpH4.5に中和した。内温
50℃で減圧濃縮し、さらに水を適宜添加しながら減圧
濃縮して水に置換して、スラリーをえた。スラリー中の
エタノール含量は2%(w/w)、硫酸ナトリウム含量
は9%(w/w)、pHは5.0であった。内温20℃
に冷却し、晶出している結晶を濾過し、ケーキの2倍容
量の水で洗浄した。えられた結晶を40〜60℃で真空
乾燥(30mmHg→1mmHg)し、N−(1(S)
−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−
アラニン3.1g(11ミリモル)をえた。収率は73
%であった。HPLC純度:99.1%(w/w)、N
−(1(R)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロ
ピル)−L−アラニン含量:0.1%(w/w)、N−
(1−エトキシカルボニル−3−シクロヘキシルプロピ
ル)−L−アラニン含量:0.2%(w/w)、N−
(1−カルボキシ−3−フェニルプロピル)−L−アラ
ニン含量:0.1%(w/w)であった。
【0169】実施例5 Nω−トリフルオロアセチル−L−リジン12.1g
(50ミリモル)とトランス−β−ベンゾイルアクリル
酸エチル10.2g(50ミリモル)を6%含水エタノ
ール125mlに加えた。−8℃下、4Nの水酸化リチ
ウム水溶液12.5ml(50ミリモル)を2時間かけ
て添加し、さらに30分間撹拌を続けた。N2−(1−
エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピ
ル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジンの生成
率は90%であった。アルカリの中和分に加えて接触還
元時の強酸分として、97%(w/w)硫酸17.7g
(175ミリモル)を内温0℃以下に維持しながら15
分かけて添加した。不溶物を濾過して除き、6%含水エ
タノール125mlで洗浄して、えられた洗浄液を濾液
に混ぜた。濾液と洗浄液の混合物に50%(w/w)含
水5%Pd−C15gを添加し、常圧〜1kg/cm2
Gの水素雰囲気下、内温35℃、撹拌強度1kW/m3
で接触還元を実施した(硫酸濃度1.1N、N2−(1
−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロ
ピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジンに対
する硫酸量は6当量である)。水素必要量の9割を吸収
した時点で水素供給を停止し、速やかに窒素に置換し反
応を停止した。反応中間体の残存率:5%、N2−(1
−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)−N6
−トリフルオロアセチル−L−リジン((1S/1R)
=79/21)の生成率:80%、N2−(1−エトキ
シカルボニル−3−シクロヘキシルプロピル)−N6
トリフルオロアセチル−L−リジン含量:0.2%(w
/w)、N2−(1−カルボキシ−3−フェニルプロピ
ル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジン含量:
14%(w/w)であった。速やかに、Pd−Cを濾過
し、Pd−Cケーキを6%(w/w)含水エタノール3
0mlで洗浄した。えられた濾液に水125mlを加え
たのち、30%(w/w)水酸化ナトリウム水溶液を徐
々に滴下してpH4.6に中和した。内温60℃で1/
2量まで減圧濃縮し、さらに水50mlを添加した。内
温25℃に冷却し、晶出しているN2−(1−エトキシ
カルボニル−3−フェニルプロピル)−N6−トリフル
オロアセチル−L−リジンの結晶を濾過し、ケーキの2
倍容量の水で洗浄した。えられた結晶を60℃で真空乾
燥(30mmHg→1mmHg)し、N2−(1−エト
キシカルボニル−3−フェニルプロピル)−N6−トリ
フルオロアセチル−L−リジン((1S/1R)=79
/21)13.0g(30ミリモル)をえた。収率は6
0%であった。HPLC純度:97%(w/w)、N2
−(1−エトキシカルボニル−3−シクロヘキシルプロ
ピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジン含
量:0.2%(w/w)、N2−(1−カルボキシ−3
−フェニルプロピル)−N6−トリフルオロアセチル−
L−リジン含量:0.1%(w/w)であった。
【0170】実施例6 N−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェ
ニルプロピル)−L−アラニン((1S/1R)=9.
0)10.0g(34ミリモル)を1.9N濃度の硫酸
を含有する7%(w/w)含水エタノール105mlに
加えた。5%Pd−アルミナ2.0gを加え、常圧の水
素雰囲気下、内温15〜25℃、撹拌強度0.5〜1k
W/m3で接触還元を実施した(基質に対する硫酸量は
6当量である)。水素必要量の9割を吸収した時点で水
素供給を停止し、速やかに窒素に置換し反応を停止し
た。N−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロ
ピル)−L−アラニンの生成率は80%、N−(1−エ
トキシカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラ
ニンに対するN−(1−エトキシカルボニル−3−シク
ロヘキシルプロピル)−L−アラニン(シクロヘキシル
体)の副生量は0.2%(w/w)、N−(1−カルボ
キシ−3−フェニルプロピル)−L−アラニンの副生量
は14%(w/w)であった。
【0171】実施例7 N−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェ
ニルプロピル)−L−アラニン((1S/1R)=9.
0)5.0g(17ミリモル)を1.0N濃度の硫酸を
含有するトルエン変性無水エタノール100mlに加え
た。5%Pd−C1.5gを加え、常圧の水素雰囲気
下、内温15〜25℃、撹拌強度0.5〜1kW/m3
で接触還元を実施した(基質に対する硫酸量は6当量で
ある)。水素必要量の9割を吸収した時点で水素供給を
停止し、速やかに窒素に置換し反応を停止した。N−
(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)−
L−アラニンの生成率は80%、N−(1−エトキシカ
ルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニンに対
するN−(1−エトキシカルボニル−3−シクロヘキシ
ルプロピル)−L−アラニン(シクロヘキシル体)の副
生量は0.1%(w/w)、N−(1−カルボキシ−3
−フェニルプロピル)−L−アラニンの副生量は11%
(w/w)であった。
【0172】実施例8および比較例1 N2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フ
ェニルプロピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−
リジン((1S/1R)=79/21)7.0g(1
5.7ミリモル)を所定量の硫酸を含有する30%(w
/w)含水エタノール100mlに加えた。その溶液の
硫酸濃度およびN−(1−エトキシカルボニル−3−オ
キソ−3−フェニルプロピル)−L−アラニン(基質)
に対する当量を表1に示す。5%Pd−C2.8gを加
え、常圧の水素雰囲気下、内温20℃、撹拌強度1kW
/m3で接触還元を実施した。反応の進行をHPLCに
て経時的にモニターし、反応中間体残存率10%時点で
反応を停止した。反応所要時間、N2−(1−エトキシ
カルボニル−3−フェニルプロピル)−N6−トリフル
オロアセチル−L−リジンの生成率、N2−(1−エト
キシカルボニル−3−フェニルプロピル)−N6−トリ
フルオロアセチル−L−リジンに対するN2−(1−エ
トキシカルボニル−3−シクロヘキシルプロピル)−N
6−トリフルオロアセチル−L−リジン(シクロヘキシ
ル体)の副生量を表1に示す。
【0173】
【表1】
【0174】えられた反応液から、実施例2と同様に分
離したところ、シクロヘキシル体の精製除去効果は認め
られなかった。
【0175】実施例9 N−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェ
ニルプロピル)−L−アラニン((1S/1R)=9.
0)10.0g(34ミリモル)を所定量の硫酸を含有
する7%(w/w)含水エタノールの混合液に加えた。
その溶液の硫酸濃度およびN−(1−エトキシカルボニ
ル−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−アラニ
ン(基質)に対する当量を表2に示す。50%(w/
w)含水5%Pd−C4.0gを加え、常圧の水素雰囲
気下、内温20℃、撹拌強度0.5〜1kW/m3で接
触還元を実施した。反応の進行をHPLCにて経時的に
モニターし、N−(1−エトキシカルボニル−3−フェ
ニルプロピル)−L−アラニンの生成率が80%前後で
反応を停止した。N−(1−エトキシカルボニル−3−
フェニルプロピル)−L−アラニンの生成率(%)およ
びN−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル)−L−アラニンに対するN−(1−エトキシカルボ
ニル−3−シクロヘキシルプロピル)−L−アラニン
(シクロヘキシル体)の副生量(%(w/w))を調べ
た。その結果を表2に示す。
【0176】
【表2】
【0177】えられた反応液から、実施例1と同様に分
離したところ、シクロヘキシル体の精製除去効果は認め
られなかった。
【0178】比較例2 N−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェ
ニルプロピル)−L−アラニン((1S/1R)=9.
0)10.0g(34ミリモル)を所定量の硫酸を含有
する7%(w/w)含水エタノールの混合液に加えた。
その溶液の硫酸濃度およびN−(1−エトキシカルボニ
ル−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−アラニ
ン(基質)に対する当量を表3に示す。50%(w/
w)含水5%Pd−C4.0gを加え、常圧の水素雰囲
気下、内温20℃、撹拌強度0.5〜1kW/m3で接
触還元を実施した。反応の進行をHPLCにて経時的に
モニターし、N−(1−エトキシカルボニル−3−フェ
ニルプロピル)−L−アラニンの生成率が80%前後で
反応を停止した。N−(1−エトキシカルボニル−3−
フェニルプロピル)−L−アラニンの生成率(%)およ
びN−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル)−L−アラニンに対するN−(1−エトキシカルボ
ニル−3−シクロヘキシルプロピル)−L−アラニン
(シクロヘキシル体)の副生量(%(w/w))を調べ
た。その結果を表3に示す。
【0179】
【表3】
【0180】えられた反応液から、実施例1と同様に分
離したところ、シクロヘキシル体の精製除去効果は認め
られなかった。
【0181】実施例10 実施例1と同様の方法で接触還元を実施し、N−(1
(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)
−L−アラニンに対して、N−(1(R)−エトキシカ
ルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニン10
%(w/w)、N−(1−エトキシカルボニル−3−シ
クロヘキシルプロピル)−L−アラニン0.1%(w/
w)、N−(1−カルボキシ−3−フェニルプロピル)
−L−アラニン7%(w/w)を含む反応液をえた。反
応収率は85%であった。この反応液から実施例1と同
様の方法で結晶化を行ない、N−(1(S)−エトキシ
カルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニン
6.3g(23ミリモル)をえた。N−(1(S)−エ
トキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピ
ル)−L−アラニンからの収率:75%、HPLC純
度:99.0%(w/w)、N−(1(R)−エトキシ
カルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニン含
量:不検出、N−(1−エトキシカルボニル−3−シク
ロヘキシルプロピル)−L−アラニン含量:0.1%
(w/w)、N−(1−カルボキシ−3−フェニルプロ
ピル)−L−アラニン含量:0.1%(w/w)、強熱
残分0.1%(w/w)であった。
【0182】実施例11 N−(1(R)−エトキシカルボニル−3−フェニルプ
ロピル)−L−アラニン3.0%(w/w)、N−(1
−カルボキシ−3−フェニルプロピル)−L−アラニン
1.0%(w/w)を含有するN−(1(S)−エトキ
シカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニン
40.0g(純度95%(w/w)、純分量38.0
g)を水400mlに加えた。撹拌しつつ、35%(w
/w)塩酸15mlを添加した。えられた溶解液に50
%(w/w)含水活性炭8.0gを加え、30分間、撹
拌を続けた。減圧濾過して活性炭を除き、水100ml
で洗浄した。えられた濾液と洗浄液を混合し、撹拌しつ
つ、内温25〜30℃で、30%(w/w)水酸化ナト
リウム水溶液を1時間かけて添加しながら晶析させたと
ころpH1で析出を開始した。最終的にpH4.7と
し、25℃で1時間撹拌を続けた。晶出しているN−
(1(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル)−L−アラニンの結晶を濾過し、水80mlで洗浄
した。えられた結晶を40〜60℃で真空乾燥(30m
mHg→0.1mmHg)し、N−(1(S)−エトキ
シカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニン
33.8gをえた。収率は89%であった。HPLC純
度:99.5%(w/w)、N−(1(R)−エトキシ
カルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニン含
量0.1%(w/w)、N−(1−カルボキシ−3−フ
ェニルプロピル)−L−アラニン含量0.1%(w/
w)未満であった。
【0183】
【発明の効果】本発明により、1−アルコキシカルボニ
ル−3−シクロヘキシルプロピル誘導体(シクロヘキシ
ル体)(III)や1−カルボキシ−3−フェニルプロピ
ル誘導体(カルボキシ体)(IV)などの不純物含有量が
少ない、品質良好な1−アルコキシカルボニル−3−フ
ェニルプロピル誘導体(II)を非常に簡便、効率的に、
生産性良く製造することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07D 209/42 C07D 209/42 209/52 209/52 215/48 215/48 217/26 217/26 223/16 223/16 B 233/36 233/36 285/12 453/02 453/02 495/10 495/10 C07K 1/113 C07K 1/113 5/062 5/062 C07B 61/00 300 // C07B 61/00 300 C07D 285/12 B C07M 7:00

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(I): 【化1】 (式中、Rはアルキル基であり、Xは−Ala−、−G
    ly−、−Leu−、−Ile−、−Val−、または
    ω−アミノ基がアシル型保護基で保護された−Orn
    −、−Lys−、もしくは−Hly−であり、Yは水酸
    基、−Ala、−Gly、−Leu、−Ile、−Va
    l、−Pro、式: 【化2】 で表わされる基である、なお、XとYとがいっしょにな
    って式: 【化3】 で表わされる基になっていてもよい)で表わされる1−
    アルコキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロ
    ピル誘導体を接触還元して、一般式(II): 【化4】 (式中、R、XおよびYは前記と同じ)で表わされる1
    −アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体
    を製造する方法において、一般式(I)で表わされる1
    −アルコキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプ
    ロピル誘導体を、強酸濃度0.4〜5Nのアルコールま
    たはアルコールを含む溶媒中、該1−アルコキシカルボ
    ニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル誘導体1モル
    を1当量として、それに対して3当量以上の強酸の存在
    下、接触還元することにより、一般式(III): 【化5】 (式中、R、XおよびYは前記と同じ)で表わされる1
    −アルコキシカルボニル−3−シクロヘキシルプロピル
    誘導体の副生を抑制することを特徴とする1−アルコキ
    シカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体の製造方
    法。
  2. 【請求項2】 接触還元することによりえられた反応液
    から一般式(II)で表わされる1−アルコキシカルボニ
    ル−3−フェニルプロピル誘導体を分離する際に、強酸
    を中和した水の存在下に、副生した一般式(IV): 【化6】 (式中、XおよびYは前記と同じ)で表わされる1−カ
    ルボキシ−3−フェニルプロピル誘導体を水層に除去し
    て、一般式(II)で表わされる1−アルコキシカルボニ
    ル−3−フェニルプロピル誘導体を分離する請求項1記
    載の製造方法。
  3. 【請求項3】 pH4.6±1.5に中和する請求項2
    記載の製造方法。
  4. 【請求項4】 Yが水酸基である請求項1、2または3
    記載の製造方法。
  5. 【請求項5】 XがL型の−Ala−である請求項4記
    載の製造方法。
  6. 【請求項6】 Xがω−アミノ基がアシル型保護基で保
    護されたL型の−Lys−である請求項4記載の製造方
    法。
  7. 【請求項7】 一般式(II)で表わされる1−アルコキ
    シカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体の分離を水
    溶液中からの結晶化により行なう請求項4、5または6
    記載の製造方法。
  8. 【請求項8】 結晶化を30℃以上の温度で行なう請求
    項7記載の製造方法。
  9. 【請求項9】 β−ベンゾイルアクリル酸エステルとア
    ミノ酸もしくはその誘導体またはβ−ベンゾイルアクリ
    ル酸エステルとジペプチドもしくはその誘導体とをマイ
    ケル付加反応させてえられる一般式(I)で表わされる
    1−アルコキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニル
    プロピル誘導体を含むマイケル付加反応液を接触還元に
    用いる請求項1、2、3、4、5、6、7または8記載
    の製造方法。
  10. 【請求項10】 反応溶媒として水分含量50%(w/
    w)以下のアルコールを用いる請求項1、2、3、4、
    5、6、7、8または9記載の製造方法。
  11. 【請求項11】 反応溶媒として水分含量2〜30%
    (w/w)のアルコールを用いる請求項10記載の製造
    方法。
  12. 【請求項12】 強酸として硫酸を用いる請求項1、
    2、3、4、5、6、7、8、9、10または11記載
    の製造方法。
  13. 【請求項13】 一般式(I)で表わされる1−アルコ
    キシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル誘
    導体1モルを1当量として、それに対して3〜15当量
    の強酸を用いる請求項1、2、3、4、5、6、7、
    8、9、10、11または12記載の製造方法。
  14. 【請求項14】 還元触媒としてパラジウム触媒を用い
    る請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、
    11、12または13記載の製造方法。
  15. 【請求項15】 還元触媒としてPd−C、Pd−アル
    ミナまたはPd−ゼオライトを用いる請求項14記載の
    製造方法。
  16. 【請求項16】 接触還元の反応温度が10〜35℃で
    ある請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、1
    0、11、12、13、14または15記載の製造方
    法。
  17. 【請求項17】 接触還元時の水素圧が常圧〜2kg/
    cm2Gである請求項1、2、3、4、5、6、7、
    8、9、10、11、12、13、14、15または1
    6記載の製造方法。
  18. 【請求項18】 一般式: 【化7】 (式中、R、XおよびYは前記と同じ)で表わされる反
    応中間体の消失前に接触還元反応を停止する請求項1、
    2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、
    13、14、15、16または17記載の製造方法。
  19. 【請求項19】 一般式(IV)で表わされる1−カルボ
    キシ−3−フェニルプロピル誘導体が共存する一般式
    (II)で表わされる1−アルコキシカルボニル−3−フ
    ェニルプロピル誘導体を水の存在下で結晶化または抽出
    して、一般式(II)で表わされる1−アルコキシカルボ
    ニル−3−フェニルプロピル誘導体を分離することによ
    り、一般式(IV)で表わされる1−カルボキシ−3−フ
    ェニルプロピル誘導体を除去することを特徴とする1−
    アルコキシカルボニル−3−フェニルプロピル誘導体の
    取得方法。
  20. 【請求項20】 N−(1−カルボキシ−3−フェニル
    プロピル)−L−アラニンおよびN−(1(R)−エト
    キシカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニ
    ンの少なくとも1種が共存するN−(1(S)−エトキ
    シカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニン
    を、水溶液中で結晶化させてN−(1(S)−エトキシ
    カルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニンを
    うることにより、N−(1−カルボキシ−3−フェニル
    プロピル)−L−アラニンおよびN−(1(R)−エト
    キシカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニ
    ンを除去することを特徴とするN−(1(S)−エトキ
    シカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニン
    の取得方法。
  21. 【請求項21】 pH4.6±1.5で行なう請求項1
    9または20記載の方法。
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