JPH01104034A - N↑2−(1−カルボキシ−3−フエニルプロピル)−l−リジン誘導体の製造法 - Google Patents
N↑2−(1−カルボキシ−3−フエニルプロピル)−l−リジン誘導体の製造法Info
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、N2−(1−カルボキシ−3−フェニルプロ
ピル)−L−リジン誘導体、とりわけ下記の光学活性な
N2− (1−(S)−カルボキシ−3−フェニルプロ
ピル)−L−リジン誘導体GV)の効率的な製造法に関
するものであり、 〔式中、R1は水素、アルキル基、アラルキル基または
それらの置換体を表わし R8はアシル型またはウレタ
ン型保護基を表わす。星印(→は不斉炭素について(S
)配置を表わす。〕 優れrこアンジオテンシン変換酵素(AC!E)阻害活
性のため、抗高血圧剤としての利用が期待されているN
2− (1−(S)−エトキシカルボニル−3−フェニ
ルプロピル)−L−リジル−L−プロリン(V′) 〔式中、星印体)は不斉炭素について(S)配置を示す
〕の製造中間体として極めて有用なN2− (1−(S
) −カルボキシ−3−フェニルプロピル)−L−リジ
ン誘導体を工業的に有利に製造することを目的とする。
ピル)−L−リジン誘導体、とりわけ下記の光学活性な
N2− (1−(S)−カルボキシ−3−フェニルプロ
ピル)−L−リジン誘導体GV)の効率的な製造法に関
するものであり、 〔式中、R1は水素、アルキル基、アラルキル基または
それらの置換体を表わし R8はアシル型またはウレタ
ン型保護基を表わす。星印(→は不斉炭素について(S
)配置を表わす。〕 優れrこアンジオテンシン変換酵素(AC!E)阻害活
性のため、抗高血圧剤としての利用が期待されているN
2− (1−(S)−エトキシカルボニル−3−フェニ
ルプロピル)−L−リジル−L−プロリン(V′) 〔式中、星印体)は不斉炭素について(S)配置を示す
〕の製造中間体として極めて有用なN2− (1−(S
) −カルボキシ−3−フェニルプロピル)−L−リジ
ン誘導体を工業的に有利に製造することを目的とする。
(従来の技術)
N2−(1−カルボキシ−8−フェニルプロピルニーL
−リジン誘導体の製造法としては、既に次式に示す如く
、β−ベンゾイルアクリル酸エチル(至)とL−リジン
エステル誘導体(N6−ベンジルオキシカルボニル−L
−リジンベンジルエステル(■))とを触媒量のトリエ
チルアミン存在下、いわゆるマイケル(Michael
)付加反応せしめ、ジアステレオマー混合物であるN
2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェ
ニルプロピル) N6−ベンジルオキシカルボニル−
L−リジンベンジルエステル(■)とした後、結晶化操
作によって目的とする立体配置を有するN2− (1−
(S)−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニ
ルプロピル) + N6−ベンジルオキシカルボニル−
L−リジンベンジルエステル(■−a)を得、更にこn
をパラジウム炭素を触媒とした接触還元に付してN2−
(1−(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプ
ロピル)−L−リジン■とした後、リジン側鎖のアミノ
基を保護するためにクロロ蟻酸ベンジルエステルと反応
せしめ、生成物をシリカゲルクロ) マドグラフィー
により精製してN2− (1−(S)−エトキシカルボ
ニル−8−フェニルプロピル)−N6−ベンジルオキシ
カルボニル−L−リジン■を得る方法(特開昭58−1
08364)が知られて(■) (
Vff)(S、8)・・・・・・(■−a) (R,S)・・・・・・(■−b) 曹2 ■ (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、このL−リジンエステル誘導体を用いる
方法では、L−リジン誘導体のエステル化操作に加え、
エステル化時に使用しtこ酸と塩を形成したN6−ベン
ジルオキシカルボニル−L−リジンベンジルエステルの
α−アミノ基部分を遊離化させる操作が必要であり、更
にこのエステル部 1分は最終的にβ−ベンゾイルア
クリル酸エチルに由来するエチルエステル部分を安定に
保ちつつ選択的に除去可能な基でなければならない!こ
め、自ずからベンジルエステルもしくはtert−ブチ
ルエステルなど比較的調製に手間どるエステルに限定さ
れる。まrこ、リジンは側鎖にアミノ基を有する塩基性
アミノ酸であるため、α位のアミノ基のみ反応せしめる
ためには、8位のアミノ基は通常ペプチド合成に利用さ
れる保護基により保護しておくことが好ましいが、保護
基としてベンジルオキシカルボニル基を用いると、(v
ll[−a)から■への還元反応の際に水素化分解され
て脱離する。
−リジン誘導体の製造法としては、既に次式に示す如く
、β−ベンゾイルアクリル酸エチル(至)とL−リジン
エステル誘導体(N6−ベンジルオキシカルボニル−L
−リジンベンジルエステル(■))とを触媒量のトリエ
チルアミン存在下、いわゆるマイケル(Michael
)付加反応せしめ、ジアステレオマー混合物であるN
2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェ
ニルプロピル) N6−ベンジルオキシカルボニル−
L−リジンベンジルエステル(■)とした後、結晶化操
作によって目的とする立体配置を有するN2− (1−
(S)−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニ
ルプロピル) + N6−ベンジルオキシカルボニル−
L−リジンベンジルエステル(■−a)を得、更にこn
をパラジウム炭素を触媒とした接触還元に付してN2−
(1−(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプ
ロピル)−L−リジン■とした後、リジン側鎖のアミノ
基を保護するためにクロロ蟻酸ベンジルエステルと反応
せしめ、生成物をシリカゲルクロ) マドグラフィー
により精製してN2− (1−(S)−エトキシカルボ
ニル−8−フェニルプロピル)−N6−ベンジルオキシ
カルボニル−L−リジン■を得る方法(特開昭58−1
08364)が知られて(■) (
Vff)(S、8)・・・・・・(■−a) (R,S)・・・・・・(■−b) 曹2 ■ (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、このL−リジンエステル誘導体を用いる
方法では、L−リジン誘導体のエステル化操作に加え、
エステル化時に使用しtこ酸と塩を形成したN6−ベン
ジルオキシカルボニル−L−リジンベンジルエステルの
α−アミノ基部分を遊離化させる操作が必要であり、更
にこのエステル部 1分は最終的にβ−ベンゾイルア
クリル酸エチルに由来するエチルエステル部分を安定に
保ちつつ選択的に除去可能な基でなければならない!こ
め、自ずからベンジルエステルもしくはtert−ブチ
ルエステルなど比較的調製に手間どるエステルに限定さ
れる。まrこ、リジンは側鎖にアミノ基を有する塩基性
アミノ酸であるため、α位のアミノ基のみ反応せしめる
ためには、8位のアミノ基は通常ペプチド合成に利用さ
れる保護基により保護しておくことが好ましいが、保護
基としてベンジルオキシカルボニル基を用いると、(v
ll[−a)から■への還元反応の際に水素化分解され
て脱離する。
@を更なる反応に共するためには、リジン残基のεアミ
ノ基部分を保護することが好ましいrこめ、再びクロロ
蟻酸ベンジルエステルを用いてベンジルオキシカルボニ
ル基の導入を実施しているが、■はりジン残基のε−ア
ミノ基の他、a−アミノ基も反応性を有するため副生成
物の生成は避は難い。そのためシリカゲルカラムで精製
して得られる■のWに対するモル収率は42%と低調で
あり、N6−ベンジルオキシカルボニル−L−リジンベ
ンジルエステルからの総合収率も15.8%と、加工度
の高い原料を使用するにもかかわらず低収率であり、N
2−(L−カルボキシ−3−フェニルプロピル)−L−
リジン誘導体の工業的製造法としては操作性および経済
性において種々の難点を有している。
ノ基部分を保護することが好ましいrこめ、再びクロロ
蟻酸ベンジルエステルを用いてベンジルオキシカルボニ
ル基の導入を実施しているが、■はりジン残基のε−ア
ミノ基の他、a−アミノ基も反応性を有するため副生成
物の生成は避は難い。そのためシリカゲルカラムで精製
して得られる■のWに対するモル収率は42%と低調で
あり、N6−ベンジルオキシカルボニル−L−リジンベ
ンジルエステルからの総合収率も15.8%と、加工度
の高い原料を使用するにもかかわらず低収率であり、N
2−(L−カルボキシ−3−フェニルプロピル)−L−
リジン誘導体の工業的製造法としては操作性および経済
性において種々の難点を有している。
(問題を解決するための手段及び作用効果)本発明者ら
は先に、多くのアンジオテンシン変換酵素阻害剤(AC
!EI)に共通の製造中間体として極めて有用なN−(
1−(S)−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フ
ェニルプロピル)−L−アラニン及びN−(1−(S)
−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−
アラニンを経済的かつ効率的に製造する方法を、特願昭
60−19483号として特許出願し、さらに各種AO
EHの合成に効率的に利用するための反応性誘導体とし
て、N−(1−(S)−エトキシカルボニル−3−フェ
ニルプロピル)−L−アラニルクロリド−無機酸塩と、
その効率的な製造法を特願昭60−188242号とし
て特許出願し、またN−(1−(S)−エトキシカルボ
ニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニンを利用し
て、AC!EIの1つで優れた効果が期待されているN
−(1−(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプ
ロピル)−L−アラニルーL−プロリン(エナラプリル
)を経済的かつ効率的に製造する方法を特願昭60−1
88248号として特許出願した。本発明者らは、これ
ら技術を背景にアンジオテンシン変換酵素阻害剤として
極めて優れた薬効が期待されているN2−(1−(S)
−カルボキシ−3−フェニルプロピル)−L−リジル−
L−プロリン(リジンプリル)の合成中間体として極め
て有用なN2−(1−(S)−力ルボキシ−3−オキソ
−3−フェニルプロピル)−L−リジン誘導体■及びこ
れを還元してなるN2−(1−(S)−カルボキシ−3
−フェニルプロピル)−L−リジン誘導体■の簡便かつ
経済性にすぐれ、効率的な工業的製造法を確立すべ(検
討を重ねた結果、−数式(1) 〔式中、几1は水素、アルキル基、アラルキル基または
それらの置換体を表わす〕で示されるβ−ベンゾイルア
クリル酸誘導体と、−数式α)〔式中、R2はアシル型
またはウレタン型保護基を表わす〕で示されるL−リジ
ン誘導体とを、L −リジン誘導体と当量の塩基を加え
て反応させることにより、極めて高収率にN2−(1−
カルボキシ−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L
−リジン誘導体■が得られること、さらに特定の制御さ
れた反応条件下で反応を行なうことにより新たに生成す
る不斉炭素の立体配置は、目的とする(S)配置を不用
の(6)配置に比較して極めて優先的に生成させうるこ
とを見い出すと共に、生成物であるN2−(1−カルボ
キシ−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−リジ
ン誘導体を接触水素化分解することにより容易にN2−
(1−カルボキシ−3−フェニルプロピル) −L−リ
ジン誘導体面を製造できることを明らかにし、本発明を
完成するに至った。本発明を式で示すと下記のようにな
る。
は先に、多くのアンジオテンシン変換酵素阻害剤(AC
!EI)に共通の製造中間体として極めて有用なN−(
1−(S)−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フ
ェニルプロピル)−L−アラニン及びN−(1−(S)
−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)−L−
アラニンを経済的かつ効率的に製造する方法を、特願昭
60−19483号として特許出願し、さらに各種AO
EHの合成に効率的に利用するための反応性誘導体とし
て、N−(1−(S)−エトキシカルボニル−3−フェ
ニルプロピル)−L−アラニルクロリド−無機酸塩と、
その効率的な製造法を特願昭60−188242号とし
て特許出願し、またN−(1−(S)−エトキシカルボ
ニル−3−フェニルプロピル)−L−アラニンを利用し
て、AC!EIの1つで優れた効果が期待されているN
−(1−(S)−エトキシカルボニル−3−フェニルプ
ロピル)−L−アラニルーL−プロリン(エナラプリル
)を経済的かつ効率的に製造する方法を特願昭60−1
88248号として特許出願した。本発明者らは、これ
ら技術を背景にアンジオテンシン変換酵素阻害剤として
極めて優れた薬効が期待されているN2−(1−(S)
−カルボキシ−3−フェニルプロピル)−L−リジル−
L−プロリン(リジンプリル)の合成中間体として極め
て有用なN2−(1−(S)−力ルボキシ−3−オキソ
−3−フェニルプロピル)−L−リジン誘導体■及びこ
れを還元してなるN2−(1−(S)−カルボキシ−3
−フェニルプロピル)−L−リジン誘導体■の簡便かつ
経済性にすぐれ、効率的な工業的製造法を確立すべ(検
討を重ねた結果、−数式(1) 〔式中、几1は水素、アルキル基、アラルキル基または
それらの置換体を表わす〕で示されるβ−ベンゾイルア
クリル酸誘導体と、−数式α)〔式中、R2はアシル型
またはウレタン型保護基を表わす〕で示されるL−リジ
ン誘導体とを、L −リジン誘導体と当量の塩基を加え
て反応させることにより、極めて高収率にN2−(1−
カルボキシ−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L
−リジン誘導体■が得られること、さらに特定の制御さ
れた反応条件下で反応を行なうことにより新たに生成す
る不斉炭素の立体配置は、目的とする(S)配置を不用
の(6)配置に比較して極めて優先的に生成させうるこ
とを見い出すと共に、生成物であるN2−(1−カルボ
キシ−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−リジ
ン誘導体を接触水素化分解することにより容易にN2−
(1−カルボキシ−3−フェニルプロピル) −L−リ
ジン誘導体面を製造できることを明らかにし、本発明を
完成するに至った。本発明を式で示すと下記のようにな
る。
(I) (1)■
Cn1j几2及び几8は前記と同じ基を表わす〕以下に
本発明の詳細な説明する。
本発明の詳細な説明する。
本発明の出発物質の1つであるβ−ベンゾイルアクリル
酸誘導体にはトランス体とシス体が存在するが、トラン
ス体はベンゼンと無水マレイン酸のフリーデルクラフッ
アシル化反応、或いはグリオキシル酸とアセトフェノン
の脱水縮合といった公知の方法により得られるtran
s−β−ベンゾイルアクリル酸をエステル化するなどし
て容易に得られる。またシス体はトランス体を光照射に
より異性化して調製することができる。トランス体及び
シス体いずれの異性体も本発明の付加反応に利用さnる
が、工業的利用の面からは加工度の低いトランス体が好
ましい。
酸誘導体にはトランス体とシス体が存在するが、トラン
ス体はベンゼンと無水マレイン酸のフリーデルクラフッ
アシル化反応、或いはグリオキシル酸とアセトフェノン
の脱水縮合といった公知の方法により得られるtran
s−β−ベンゾイルアクリル酸をエステル化するなどし
て容易に得られる。またシス体はトランス体を光照射に
より異性化して調製することができる。トランス体及び
シス体いずれの異性体も本発明の付加反応に利用さnる
が、工業的利用の面からは加工度の低いトランス体が好
ましい。
R1は、前記の基のうち、接触水素化分解に安定なアル
キル基が、3−オキソ基の接触水素化分解の際にも脱離
しないので化合物(ト)を更に反応に供する際にはとく
に有利である。これらの基としてはメチル基、エチル基
、n−プロピル基、 1so−プロピル基、n−ブチル
基、tert−ブチル基などのC1〜C4程度のアルキ
ル基が使用できる。ベンジル基、ニトロベンジル基、メ
トキシベンジル基は接触水素化分解で脱離するので、こ
の目的にはそぐわない。
キル基が、3−オキソ基の接触水素化分解の際にも脱離
しないので化合物(ト)を更に反応に供する際にはとく
に有利である。これらの基としてはメチル基、エチル基
、n−プロピル基、 1so−プロピル基、n−ブチル
基、tert−ブチル基などのC1〜C4程度のアルキ
ル基が使用できる。ベンジル基、ニトロベンジル基、メ
トキシベンジル基は接触水素化分解で脱離するので、こ
の目的にはそぐわない。
もう一つの原料であるL−リジン誘導体はL−リジンの
α位とε位に2個のアミノ基を有するため、アミノ基を
保護しないで付加反応に使用すると反応は進行するが、
α位のアミノ基が付加反応しrコ目的物の他にε位のア
ミノ基が反応しrコ副生成物が多量生成し、目的化合物
の割合は50%程になる。従ってα位のアミノ基のみ反
応せしめるには、ε位のアミノ基は通常ペプチド合成に
利用される保護基により保護しておくことが好ましい。
α位とε位に2個のアミノ基を有するため、アミノ基を
保護しないで付加反応に使用すると反応は進行するが、
α位のアミノ基が付加反応しrコ目的物の他にε位のア
ミノ基が反応しrコ副生成物が多量生成し、目的化合物
の割合は50%程になる。従ってα位のアミノ基のみ反
応せしめるには、ε位のアミノ基は通常ペプチド合成に
利用される保護基により保護しておくことが好ましい。
この目的に利用される保護基としては、第3ブチルオキ
シカルボニル(BOC! )基、メチルスルホニルエチ
ルオキシカルボニル(MSOa )基、7ミロキシカル
ボニル(AOO)基、ベンジルオキシカルボニル基、p
−ニトロベンジルオキシカルボニル基といった置換ベン
ジルオキシカルボニル基、イソボルニルオキシカルボニ
ル(IBOC)基などのウレタン型保護基、およびトリ
フルオロアセチル基、フォルミル基、フタロイル基とい
ったアシル型保護基などがある。とくにN保護基として
、接触水素化分解に対して安定なアシル型保護基やBO
C基、MSOC基、AOC!基、IBOC!基といった
ウレタン型保護基は、3−オキソ基の接触水素化分解の
際にも脱離しないので、化合物(5)を更に反応に供す
る場合、有利である。
シカルボニル(BOC! )基、メチルスルホニルエチ
ルオキシカルボニル(MSOa )基、7ミロキシカル
ボニル(AOO)基、ベンジルオキシカルボニル基、p
−ニトロベンジルオキシカルボニル基といった置換ベン
ジルオキシカルボニル基、イソボルニルオキシカルボニ
ル(IBOC)基などのウレタン型保護基、およびトリ
フルオロアセチル基、フォルミル基、フタロイル基とい
ったアシル型保護基などがある。とくにN保護基として
、接触水素化分解に対して安定なアシル型保護基やBO
C基、MSOC基、AOC!基、IBOC!基といった
ウレタン型保護基は、3−オキソ基の接触水素化分解の
際にも脱離しないので、化合物(5)を更に反応に供す
る場合、有利である。
εアミノ基を保護しtこリジンは、他の中性アミノ酸と
同様に両性イオンとして存在し、α−アミノ基はプロト
ン化されているため求核性を有さず、そのままではβ−
ベンゾイルアクリル酸に対して反応性を示さない。一般
に両性イオンとして存在する中性アミノ酸は溶液のpH
によって下記のようにイオン化の状態が変化することが
知られてい〔Rはアミノ酸の側鎖を表わす〕 ε−アミノ基を保護したリジンは、塩基を添加すること
によりアニオン化し、アミン成分として働くようになる
。すなわち、この場合実質的に反応しうるのは、ε−ア
ミノ基を保護したリジンと塩基との塩であると考えられ
る。塩基の使用量としては、ε−アミノ基を保護したリ
ジンに対し化学量論的に当量用いることが好ましい。
同様に両性イオンとして存在し、α−アミノ基はプロト
ン化されているため求核性を有さず、そのままではβ−
ベンゾイルアクリル酸に対して反応性を示さない。一般
に両性イオンとして存在する中性アミノ酸は溶液のpH
によって下記のようにイオン化の状態が変化することが
知られてい〔Rはアミノ酸の側鎖を表わす〕 ε−アミノ基を保護したリジンは、塩基を添加すること
によりアニオン化し、アミン成分として働くようになる
。すなわち、この場合実質的に反応しうるのは、ε−ア
ミノ基を保護したリジンと塩基との塩であると考えられ
る。塩基の使用量としては、ε−アミノ基を保護したリ
ジンに対し化学量論的に当量用いることが好ましい。
反応に供する塩基としてはアルカリ金属水酸化物、アル
カリ土類金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、四級アン
モニウム水酸化物、アミンまたはアンモニアが挙げられ
る。四級アンモニウム水酸化物としてはテトラメチルア
ンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピ
ルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラア
ミルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、テト
ラオクチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニ
ウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、セチルトリメ
チルアンモニウム、デシルトリメチルアンモニウム、エ
チルトリメチルアンモニウム、オクチルトリメチルア″
ンモニウム、フェニルトリメチルアンモニウム、トリメ
チルステアリルアンモニウム、β−ヒドロキシエチルト
リメチルアンモニウム、トリオクチルメチルアンモニウ
ム、テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムなどが
、アミンとしてはメチルアミン、エチルアミン、プロピ
ルアミン、ブチルアミン、アミルアミン、ヘキシルアミ
ン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチル
アミン、アリルアミン、α−フ二ニルエチルアミン、β
−フェニルエチルアミンなどの一級アミン;ジメチルア
ミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルア
ミン、シアミルアミン、ジアリルアミン、ジシクロヘキ
シルアミン、ジアリルアミン、モルホリン、ピペリジン
、ヘキサメチレンイミンなどの二級アミン;トリメチル
アミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリ
ブチルアミン、トリアミルアミン、トリヘキシルアミン
、トリアリルアミン、トリエタノールアミン、N−メチ
ルモルホリン、N。
カリ土類金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、四級アン
モニウム水酸化物、アミンまたはアンモニアが挙げられ
る。四級アンモニウム水酸化物としてはテトラメチルア
ンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピ
ルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラア
ミルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、テト
ラオクチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニ
ウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、セチルトリメ
チルアンモニウム、デシルトリメチルアンモニウム、エ
チルトリメチルアンモニウム、オクチルトリメチルア″
ンモニウム、フェニルトリメチルアンモニウム、トリメ
チルステアリルアンモニウム、β−ヒドロキシエチルト
リメチルアンモニウム、トリオクチルメチルアンモニウ
ム、テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムなどが
、アミンとしてはメチルアミン、エチルアミン、プロピ
ルアミン、ブチルアミン、アミルアミン、ヘキシルアミ
ン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチル
アミン、アリルアミン、α−フ二ニルエチルアミン、β
−フェニルエチルアミンなどの一級アミン;ジメチルア
ミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルア
ミン、シアミルアミン、ジアリルアミン、ジシクロヘキ
シルアミン、ジアリルアミン、モルホリン、ピペリジン
、ヘキサメチレンイミンなどの二級アミン;トリメチル
アミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリ
ブチルアミン、トリアミルアミン、トリヘキシルアミン
、トリアリルアミン、トリエタノールアミン、N−メチ
ルモルホリン、N。
N−ジメチル−シクロヘキシルアミン
N′−テトラメチルエチレンジアミン、4−ジメチルア
ミノピリジンなどの三級アミンが挙げられる。
ミノピリジンなどの三級アミンが挙げられる。
リジンのε−アミノ基の保護基がこれら塩基に対して安
定である場合は、予めこれら塩基とε−アミノ基を保護
したリジンとを、水またはアルコール類を溶媒として室
温或いは加温下撹拌するといった簡便な操作で塩とした
後、ベンゾイルアクリル酸誘導体と反応させることが可
能である。また、ベンゾイルアクリル酸誘導体とε−ア
ミノ基を保護したリジンの混合物中に、これら塩基を化
学量論的必要量添加して、反応系において、insit
uに塩を形成させながらマイルドに反応させることも可
能である。
定である場合は、予めこれら塩基とε−アミノ基を保護
したリジンとを、水またはアルコール類を溶媒として室
温或いは加温下撹拌するといった簡便な操作で塩とした
後、ベンゾイルアクリル酸誘導体と反応させることが可
能である。また、ベンゾイルアクリル酸誘導体とε−ア
ミノ基を保護したリジンの混合物中に、これら塩基を化
学量論的必要量添加して、反応系において、insit
uに塩を形成させながらマイルドに反応させることも可
能である。
β−ベンゾイルアクリル酸誘導体とε−アミノ基を保護
したリジンとを、塩基を使用して反応させるマイケル付
加反応の反応溶媒としては水あるいはメタノール、エタ
ノール、プロパツール、ブタノールなどのアルコール類
、ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類の
他、n−ヘキサン、アセトニトリルなど、ま1こはこれ
らの混合溶媒を使用することができるが、通常はアルコ
ール−水系溶媒を用いるのが適当である。反応はアルコ
ール−水系溶媒を用いた場合極めてすみやかに進行し、
通常室温上数分ないし1時間円に完結する。
したリジンとを、塩基を使用して反応させるマイケル付
加反応の反応溶媒としては水あるいはメタノール、エタ
ノール、プロパツール、ブタノールなどのアルコール類
、ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類の
他、n−ヘキサン、アセトニトリルなど、ま1こはこれ
らの混合溶媒を使用することができるが、通常はアルコ
ール−水系溶媒を用いるのが適当である。反応はアルコ
ール−水系溶媒を用いた場合極めてすみやかに進行し、
通常室温上数分ないし1時間円に完結する。
β−ベンゾイルアクリル酸誘導体とL−リジン誘導体と
のマイケル付加反応において、目的とする(Sea)配
置のN2− ( 1−(S)−カルボキシ−3−フェニ
ルプロピル)−L−リジン誘導体の生成率を選択的に高
める好ましい条件は、反応試剤の組み合せにより異なる
が、大きく影響を及ぼす要因としては、反応温度、pH
,L−リジン誘導体のε−アミノ基の保護基の種類及び
使用する塩基の種類が挙げられる。反応温度は特に限定
さnず広範囲で行なえるが、生成するN2−(1−カル
ボキシ−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−リ
ジン誘導体を反応系のようなアルカリ条件下に放置する
と、経時的な生成物の減少あるいはジアステレオマー間
の組成比の変化が認められる場合がある。ジアステレオ
マー間の組成比の変化は反応中にも充分起こり得るため
、(S,S)配置の■の生成率を維持するためには通常
反応温度を25°C以下、とりわけ15°C以下にする
のが好ましい。しかし反応終了後、使用したアルカリ、
四級アンモニウムあるいは弱塩基に対し当量以上の酸、
特に塩酸、硫酸のような鉱酸を加えて系を酸性化すると
生成物の変化は認められなくなり安定し、その後の操作
が容易となる。
のマイケル付加反応において、目的とする(Sea)配
置のN2− ( 1−(S)−カルボキシ−3−フェニ
ルプロピル)−L−リジン誘導体の生成率を選択的に高
める好ましい条件は、反応試剤の組み合せにより異なる
が、大きく影響を及ぼす要因としては、反応温度、pH
,L−リジン誘導体のε−アミノ基の保護基の種類及び
使用する塩基の種類が挙げられる。反応温度は特に限定
さnず広範囲で行なえるが、生成するN2−(1−カル
ボキシ−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−リ
ジン誘導体を反応系のようなアルカリ条件下に放置する
と、経時的な生成物の減少あるいはジアステレオマー間
の組成比の変化が認められる場合がある。ジアステレオ
マー間の組成比の変化は反応中にも充分起こり得るため
、(S,S)配置の■の生成率を維持するためには通常
反応温度を25°C以下、とりわけ15°C以下にする
のが好ましい。しかし反応終了後、使用したアルカリ、
四級アンモニウムあるいは弱塩基に対し当量以上の酸、
特に塩酸、硫酸のような鉱酸を加えて系を酸性化すると
生成物の変化は認められなくなり安定し、その後の操作
が容易となる。
N2−(1−カルボキシ−3−オキソ−3−)工ニルプ
ロピル)−L−リジン誘導体の単離は、常法どおり、ア
ルカリを酸で中和後、溶媒を減圧溜去することによって
容易になし得るが、必要とあらば中和後、溶媒を減圧溜
去して溶剤により抽出して単離することも可能である。
ロピル)−L−リジン誘導体の単離は、常法どおり、ア
ルカリを酸で中和後、溶媒を減圧溜去することによって
容易になし得るが、必要とあらば中和後、溶媒を減圧溜
去して溶剤により抽出して単離することも可能である。
また、その塩酸塩や硫酸塩として単離することも可能で
ある。さらに単離しないでそのまま還元作用に移り、N
2−(l−カルボキシ−3−フェニルプロピル)−り一
リジン誘導体として単離することも可能である。
ある。さらに単離しないでそのまま還元作用に移り、N
2−(l−カルボキシ−3−フェニルプロピル)−り一
リジン誘導体として単離することも可能である。
具体的な例としてs tranS−β−ベンゾイルアク
リル酸エチルとε−トリフルオロアセチル−L−リジン
をエタノール−水系で反応させる場合、アルカリ金属水
酸化物、アルカリ土類金属水酸化物としては水酸化リチ
ウ・ム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが適してお
り、とりわけ水酸化リチウムを使用すると(s,s)体
/ (R, S )体=8 2/1 8という極めて高
い選択性で目的とする(S,S)体のN −(1−(S
)−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプ
ロピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジンを
得ることができる。また反応温度は10°C以下にする
とジアステレオマー間の組成比の変化はほとんど認めら
れない。
リル酸エチルとε−トリフルオロアセチル−L−リジン
をエタノール−水系で反応させる場合、アルカリ金属水
酸化物、アルカリ土類金属水酸化物としては水酸化リチ
ウ・ム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが適してお
り、とりわけ水酸化リチウムを使用すると(s,s)体
/ (R, S )体=8 2/1 8という極めて高
い選択性で目的とする(S,S)体のN −(1−(S
)−エトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプ
ロピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジンを
得ることができる。また反応温度は10°C以下にする
とジアステレオマー間の組成比の変化はほとんど認めら
れない。
付加反応後は、反応系に速やかに塩酸、硫酸などの酸を
加え、生成したN2−(1−エトキシカルボニル−3−
フェニルプロピル) N6−トリフルオロアセチル−
L−リジンのアルカリ塩をN2−(1−エトキシカルボ
ニル−3−フェニルプロピル)−N6−1−リフルオロ
アセチル−L−リジンあるいはその塩酸塩、硫酸塩に変
換し、常法により安定的に単離できる。ま1こ、反応液
に使用したアルカリに対して当量以上の塩酸または硫酸
を加え、N2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ
−3−フェニルプロピル)−N6−1−リフルオロアセ
チル−L−リジンとして単離することなく、次の還元操
作を連続的に実施することもできる。
加え、生成したN2−(1−エトキシカルボニル−3−
フェニルプロピル) N6−トリフルオロアセチル−
L−リジンのアルカリ塩をN2−(1−エトキシカルボ
ニル−3−フェニルプロピル)−N6−1−リフルオロ
アセチル−L−リジンあるいはその塩酸塩、硫酸塩に変
換し、常法により安定的に単離できる。ま1こ、反応液
に使用したアルカリに対して当量以上の塩酸または硫酸
を加え、N2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ
−3−フェニルプロピル)−N6−1−リフルオロアセ
チル−L−リジンとして単離することなく、次の還元操
作を連続的に実施することもできる。
N2−(1−カルボキシ−3−オキソ−°3−フェニル
プロピル)−L−リジン誘導体のN2−(1−カルボキ
シ−3−フェニルプロピル)−L−リジン誘導体への接
触水素化分解は、適当量の酸(硫酸、塩酸、ギ酸など)
の存在下、例えば水、アルコール類、酢酸のような極性
のプロ・トン性溶媒中、穏やかに収率よく進行する。適
当な触媒としてはパラジウム、ラネーニッケル等が挙げ
られる。N2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ
−3−フェニル)−N6−トリフルオロアセチル−L−
リジンの場合、エタノール等のアルコールを溶媒とし、
酸の存在下、触媒としてパラジウムカーボンを適当量加
え、0°C〜60°C1好ましくは5 ”0〜40°C
で水素添加し、数時間〜24時間反応させることにより
ほぼ定量的にN2−(1−カルボキシ−3−フェニルプ
ロピル)−N6−1−リフルオロアセチル−L−リジン
に変換することができる。還元反応終了後は、触媒を分
離後、アルカリで酸を中和し、溶媒を除去後、抽出等の
操作により容易に単離することが可能であり、必要であ
nば再結晶操作により目的とする(S、S)配置の化合
物を得ることも可能である。
プロピル)−L−リジン誘導体のN2−(1−カルボキ
シ−3−フェニルプロピル)−L−リジン誘導体への接
触水素化分解は、適当量の酸(硫酸、塩酸、ギ酸など)
の存在下、例えば水、アルコール類、酢酸のような極性
のプロ・トン性溶媒中、穏やかに収率よく進行する。適
当な触媒としてはパラジウム、ラネーニッケル等が挙げ
られる。N2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ
−3−フェニル)−N6−トリフルオロアセチル−L−
リジンの場合、エタノール等のアルコールを溶媒とし、
酸の存在下、触媒としてパラジウムカーボンを適当量加
え、0°C〜60°C1好ましくは5 ”0〜40°C
で水素添加し、数時間〜24時間反応させることにより
ほぼ定量的にN2−(1−カルボキシ−3−フェニルプ
ロピル)−N6−1−リフルオロアセチル−L−リジン
に変換することができる。還元反応終了後は、触媒を分
離後、アルカリで酸を中和し、溶媒を除去後、抽出等の
操作により容易に単離することが可能であり、必要であ
nば再結晶操作により目的とする(S、S)配置の化合
物を得ることも可能である。
以上のようにして得られるN2−(1−カルボキシ−3
−フェニルプロピル)−L−リジン誘導体とりわけN2
−(1−(S)−カルボキシ−3−フェニルプロピル)
−L−リジン誘導体は、酸クロリド法、NCA法、活性
エステル法、混合酸無水物法など通常ペプチド合成に用
いられる公知の方法により容易にリジンプリル誘導体へ
と導くことが可能である。
−フェニルプロピル)−L−リジン誘導体とりわけN2
−(1−(S)−カルボキシ−3−フェニルプロピル)
−L−リジン誘導体は、酸クロリド法、NCA法、活性
エステル法、混合酸無水物法など通常ペプチド合成に用
いられる公知の方法により容易にリジンプリル誘導体へ
と導くことが可能である。
(発明の効果)
以上の説明で明らかな如く、本発明は抗高血圧剤として
その将来性が注目されているN2−(1−(S)−カル
ボキシ−3−フェニルプロピル)−L−リジル−L−プ
ロリン(リジンプリル)の合成中間体として極めて有用
なN2−(1−カルボキシ−3−オキソ−3−フェニル
プロピル)−L−リジン誘導体、とりわけその光学活性
体であるN2−(1−(S)−カルボキシ−3−オキソ
−3−フェニルプロピル)−L−リジン誘導体及びこれ
らを還元してなる化合物を安価にかつ高収率に与えるも
のであり、リジンプリルの経済的かつ効率的な工業的製
造に極めて有利な方法を提供するものである。
その将来性が注目されているN2−(1−(S)−カル
ボキシ−3−フェニルプロピル)−L−リジル−L−プ
ロリン(リジンプリル)の合成中間体として極めて有用
なN2−(1−カルボキシ−3−オキソ−3−フェニル
プロピル)−L−リジン誘導体、とりわけその光学活性
体であるN2−(1−(S)−カルボキシ−3−オキソ
−3−フェニルプロピル)−L−リジン誘導体及びこれ
らを還元してなる化合物を安価にかつ高収率に与えるも
のであり、リジンプリルの経済的かつ効率的な工業的製
造に極めて有利な方法を提供するものである。
(実施例)
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、もとより本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
定量分析は、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)
によって実施した。前記しrこ如く、N2−(1−カル
ボキシ−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−リ
ジン誘導体はアルカリ性で若干不安定で、(S、S)i
は(R,S)体に熱力学的に変換しやすいことから、被
検液は充分酸性化して組成変化を停止した後、分析に供
しrこ。まtこ分析には原則として下記条件を使用し、
(S、 S)体、(R,S)体を完全に分離定量し1こ
。但しN2−(1−カルボキシ−3−オキソ−3−フェ
ニルプロピル)−L−リジン誘導体の極性に応じ、移動
相の溶媒比は適宜調整して使用した。
によって実施した。前記しrこ如く、N2−(1−カル
ボキシ−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−リ
ジン誘導体はアルカリ性で若干不安定で、(S、S)i
は(R,S)体に熱力学的に変換しやすいことから、被
検液は充分酸性化して組成変化を停止した後、分析に供
しrこ。まtこ分析には原則として下記条件を使用し、
(S、 S)体、(R,S)体を完全に分離定量し1こ
。但しN2−(1−カルボキシ−3−オキソ−3−フェ
ニルプロピル)−L−リジン誘導体の極性に応じ、移動
相の溶媒比は適宜調整して使用した。
カラム: Finepak SIL Cts−s (
日本分光■製)4.6m*IDx250mII 移動相: 60 mMリン酸緩衝液(pH2,5) /
7セトニトリル=75/ 25 (v/v )流速:1
,2肩1 /min 検出: 210 nm 内部標準:5−ベンジルヒダントイン 実施例1 trans−β−ベンゾイルアクリル酸エチル(以下t
−EBAとする)40.89をエタノール/水=3/1
の溶液2. Ottttに溶解し、これにN6−トリフ
ルオロアセチル−L−リジン(以下L−Lys(Tfa
)とする)48.4qを加えrこ懸濁液に表1に示すア
ルカリ金属水酸化物(0,2mmole )またはアル
カリ土類金属水酸化物(0,i mmole )を含む
水溶液あるいは懸濁液0.2 telを、水冷下、迅速
に加えて、そのまま30分間撹拌後、酸を添加して反応
を停止させて、HPLOにて生成物の分析を実施し、以
下に示すようなN2−(1−エトキシカルボニル−a−
、tキソ−3−フェニルプロピル) N6−トリフル
オロアセチル)−L−リジンの生成を認めrこ。
日本分光■製)4.6m*IDx250mII 移動相: 60 mMリン酸緩衝液(pH2,5) /
7セトニトリル=75/ 25 (v/v )流速:1
,2肩1 /min 検出: 210 nm 内部標準:5−ベンジルヒダントイン 実施例1 trans−β−ベンゾイルアクリル酸エチル(以下t
−EBAとする)40.89をエタノール/水=3/1
の溶液2. Ottttに溶解し、これにN6−トリフ
ルオロアセチル−L−リジン(以下L−Lys(Tfa
)とする)48.4qを加えrこ懸濁液に表1に示すア
ルカリ金属水酸化物(0,2mmole )またはアル
カリ土類金属水酸化物(0,i mmole )を含む
水溶液あるいは懸濁液0.2 telを、水冷下、迅速
に加えて、そのまま30分間撹拌後、酸を添加して反応
を停止させて、HPLOにて生成物の分析を実施し、以
下に示すようなN2−(1−エトキシカルボニル−a−
、tキソ−3−フェニルプロピル) N6−トリフル
オロアセチル)−L−リジンの生成を認めrこ。
表 1
実施例2
t ran s−β−ベンゾイルアクリル酸エチル(以
下、t−EBAとする)204.0〜とN6−トリフル
オロアセチル−L−リジン254.0’19と水−Et
OH5,0肩tとからなる懸濁液に、表2に示す各種ア
ミン1.0 m mole をOoCにおいてマグネ
チツクメターラーで撹拌しながら瞬時に添加し、そのま
ま60分間撹拌後、酸を添加して反応を停止させて、H
PLOにて生成物の分析を実施し以下に示すようなN2
−(1−エトキシカルボニル−3−、tキソ−a−フェ
ニルプロピル)−N” トIJフルオロアセチルーL−
リジンの生成を認めた。
下、t−EBAとする)204.0〜とN6−トリフル
オロアセチル−L−リジン254.0’19と水−Et
OH5,0肩tとからなる懸濁液に、表2に示す各種ア
ミン1.0 m mole をOoCにおいてマグネ
チツクメターラーで撹拌しながら瞬時に添加し、そのま
ま60分間撹拌後、酸を添加して反応を停止させて、H
PLOにて生成物の分析を実施し以下に示すようなN2
−(1−エトキシカルボニル−3−、tキソ−a−フェ
ニルプロピル)−N” トIJフルオロアセチルーL−
リジンの生成を認めた。
表 2
表 2 (続き)
実施例3
t−EI3A40.8ダをエタノール/水=3/1の溶
液2.0 mlに溶解し、これにL −Lys (’I
’fa )48.4ff!9を加えた懸濁液に表3に示
すアルカリ金属水酸化物(0,2mmole)を含む水
溶液0.2 mlを水冷下または20”Cにおいて迅速
に加え、そのまま30分間撹拌後、実施例1と同様に操
作して生成物の分析を実施し、以下に示すようなN2−
(1−ニトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニル
プロピル) −N6−1−リフルオロアセチル−L−リ
ジンの生成を認めtこ。
液2.0 mlに溶解し、これにL −Lys (’I
’fa )48.4ff!9を加えた懸濁液に表3に示
すアルカリ金属水酸化物(0,2mmole)を含む水
溶液0.2 mlを水冷下または20”Cにおいて迅速
に加え、そのまま30分間撹拌後、実施例1と同様に操
作して生成物の分析を実施し、以下に示すようなN2−
(1−ニトキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニル
プロピル) −N6−1−リフルオロアセチル−L−リ
ジンの生成を認めtこ。
表 3
実施例4
t−EBA2.4FMをエタノール/水=3/1の溶液
50.0 zlに溶解し、こnにL −Lys (Tf
a)2.421を加えて懸濁し、30℃に加温した。こ
nに炭酸カリウム2,451を迅速に加え、そのまま撹
拌を続けrコ。20分後、反応液はほぼ均一となり、6
0分後、濃塩酸L67tptlを加えて反応を停止しH
PLCjによる分析を実施してN2−(1−エトキシカ
ルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル) N
6−トリフルオロアセチル−L−リジン8.481の生
成を認めた。また生成したジアステレオマーの比は(S
、S)体/(R,S)体=61.0/39.0であった
。次に、この反応液の溶媒を減圧溜去し、得られた残渣
にエタノール50zlを加え、水冷下、撹拌しながら2
.5 N −NaOH4、Omlを徐々に加えた後、室
温下、溶媒を減圧溜去した。残渣に酢エチを加えて抽出
し、濾過後、酢エチ抽出液を水洗し、硫酸ナトリウムに
て乾燥後、減圧濃縮し、これにエーテル−n−ヘキサン
を加えて結晶化させ、N2−(1−エトキシカルボ二ル
ー3−オキソ−3−フェニルプロピル) N6−トリ
フルオロアセチル−L−リジン3.08Fを得た。((
S、S)体/(R,S)体=60.5/89.5)。
50.0 zlに溶解し、こnにL −Lys (Tf
a)2.421を加えて懸濁し、30℃に加温した。こ
nに炭酸カリウム2,451を迅速に加え、そのまま撹
拌を続けrコ。20分後、反応液はほぼ均一となり、6
0分後、濃塩酸L67tptlを加えて反応を停止しH
PLCjによる分析を実施してN2−(1−エトキシカ
ルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル) N
6−トリフルオロアセチル−L−リジン8.481の生
成を認めた。また生成したジアステレオマーの比は(S
、S)体/(R,S)体=61.0/39.0であった
。次に、この反応液の溶媒を減圧溜去し、得られた残渣
にエタノール50zlを加え、水冷下、撹拌しながら2
.5 N −NaOH4、Omlを徐々に加えた後、室
温下、溶媒を減圧溜去した。残渣に酢エチを加えて抽出
し、濾過後、酢エチ抽出液を水洗し、硫酸ナトリウムに
て乾燥後、減圧濃縮し、これにエーテル−n−ヘキサン
を加えて結晶化させ、N2−(1−エトキシカルボ二ル
ー3−オキソ−3−フェニルプロピル) N6−トリ
フルオロアセチル−L−リジン3.08Fを得た。((
S、S)体/(R,S)体=60.5/89.5)。
実施例5
t−EBA81.6Fをエタノール/水=3/1の溶液
1.01に溶解し、これにL −Ly−s (’[’f
a )4B、4fを加えて懸濁し、氷冷して内温3°C
迄冷却した。こnにN −LiOH水溶液200.0r
alヲ撹拌下20分間で滴下し、滴下終了後、さらに4
0分間撹拌を続けた。濃塩酸88.8yxlを添加して
反応を停止し、HPLOによる分析を実施し、N2−(
1−エトキシカルボニル−8−オキソ−3−フェニルプ
ロピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジン8
4.99の生成を認めtこ。((S、 S)体/CR,
S)体= 78.0/22.0 、)。この反応液を実
施例4と同様に処理し、N2−(1−エトキシカルボニ
ル−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−N6−)リ
フルオロアセチル−L−リジン75.8gを結晶として
得1こ。((S、S)体/(R,S)体=79.0/2
1.0 )。
1.01に溶解し、これにL −Ly−s (’[’f
a )4B、4fを加えて懸濁し、氷冷して内温3°C
迄冷却した。こnにN −LiOH水溶液200.0r
alヲ撹拌下20分間で滴下し、滴下終了後、さらに4
0分間撹拌を続けた。濃塩酸88.8yxlを添加して
反応を停止し、HPLOによる分析を実施し、N2−(
1−エトキシカルボニル−8−オキソ−3−フェニルプ
ロピル)−N6−トリフルオロアセチル−L−リジン8
4.99の生成を認めtこ。((S、 S)体/CR,
S)体= 78.0/22.0 、)。この反応液を実
施例4と同様に処理し、N2−(1−エトキシカルボニ
ル−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−N6−)リ
フルオロアセチル−L−リジン75.8gを結晶として
得1こ。((S、S)体/(R,S)体=79.0/2
1.0 )。
1H−NMR(90MHz、 0DOIB +DMSO
−d6) :δ(ppm);1.15〜1.4 (t、
8H)、0.9〜1.9 (m、 6H)、3.0〜
8.55(m、5H)、8.6〜8.85(m、IH)
、8.95〜4.8(q、2H)、7.8〜8.1 (
m、 5H)、8.18〜8.53 (m。
−d6) :δ(ppm);1.15〜1.4 (t、
8H)、0.9〜1.9 (m、 6H)、3.0〜
8.55(m、5H)、8.6〜8.85(m、IH)
、8.95〜4.8(q、2H)、7.8〜8.1 (
m、 5H)、8.18〜8.53 (m。
IH)
IR(n 、KBrdisk): 8875,29
50,1710゜1680.1600,1550,12
10,1185.690〔α)25=+28.7°(0
= 1.0. N−HC!l)実施例6 t−EBA40.81をエタノール500++ttに溶
解し、これにr、 −Lys (Tfa) 48.4
fを加えて懸濁し、内温を一5℃迄冷却した。これにN
−LiOH水溶液200.0+tを撹拌下150分間で
連続添加し、添加終了後、さらに30分間撹拌を続けr
こ。
50,1710゜1680.1600,1550,12
10,1185.690〔α)25=+28.7°(0
= 1.0. N−HC!l)実施例6 t−EBA40.81をエタノール500++ttに溶
解し、これにr、 −Lys (Tfa) 48.4
fを加えて懸濁し、内温を一5℃迄冷却した。これにN
−LiOH水溶液200.0+tを撹拌下150分間で
連続添加し、添加終了後、さらに30分間撹拌を続けr
こ。
内温は反応中−5℃に保った。これに濃塩酸83.3t
ttlを添加して反応を停止し、HPLOによる分析を
実施し、N2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ
−8−フェニルプロ2ル)−N’−トリフルオロアセチ
ル−L−リジン81.4Fの生成を認めた。((S、
S)体/CR,S)体=82.1/17.9)。
ttlを添加して反応を停止し、HPLOによる分析を
実施し、N2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ
−8−フェニルプロ2ル)−N’−トリフルオロアセチ
ル−L−リジン81.4Fの生成を認めた。((S、
S)体/CR,S)体=82.1/17.9)。
この反応液を実施例4と同様に処理し、N2−(L−エ
トキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル
)−N6−)リフルオロアセチル−L −リジン65.
0gを結晶として得た。((S、S)K/(R,S)体
=81.9/18.1 )。
トキシカルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル
)−N6−)リフルオロアセチル−L −リジン65.
0gを結晶として得た。((S、S)K/(R,S)体
=81.9/18.1 )。
実施例7
エタノール500y/に濃塩酸18.1m/を加え、こ
れに実施例6で得たN2−(1−エトキシカルボニル−
3−オキソ−3−フェニルプロピル) N6−トリフ
ルオロアセチル−L−リジン85.Ofを加えて溶解し
、これに10%パラジウムカーボン10、!Mを加えて
40“C1常圧下で水素添加を実施した。反応後、触媒
を吸引濾過し、このエタノール溶液を水酸化ナトリウム
でpH4,5に調整した後、水を加え、減圧濃縮してエ
タノールを溜去し、水に置換した。析出した白色結晶を
濾過してN2−(1−エトキシカルボニル−3−フェニ
ルプロピル) N6−トリフルオロアセチル−L−リ
ジン82.Ofを得た。((S、S)体/(几、S)体
=81.9/18.1 〕。これを〕水−エタノーから
再結晶してN2−(1−(S)−エトキシカルボニル−
3−フェニルプロピル) N6−トリフルオロアセチ
ル−L−リジンを得rこ。
れに実施例6で得たN2−(1−エトキシカルボニル−
3−オキソ−3−フェニルプロピル) N6−トリフ
ルオロアセチル−L−リジン85.Ofを加えて溶解し
、これに10%パラジウムカーボン10、!Mを加えて
40“C1常圧下で水素添加を実施した。反応後、触媒
を吸引濾過し、このエタノール溶液を水酸化ナトリウム
でpH4,5に調整した後、水を加え、減圧濃縮してエ
タノールを溜去し、水に置換した。析出した白色結晶を
濾過してN2−(1−エトキシカルボニル−3−フェニ
ルプロピル) N6−トリフルオロアセチル−L−リ
ジン82.Ofを得た。((S、S)体/(几、S)体
=81.9/18.1 〕。これを〕水−エタノーから
再結晶してN2−(1−(S)−エトキシカルボニル−
3−フェニルプロピル) N6−トリフルオロアセチ
ル−L−リジンを得rこ。
’H−NMR(90MHz、 CDCl8) :δ(p
pm) ; 1.2〜1.48(t、8H)、1.42
〜2.25 (m、 8H)、2.5〜2.85 (m
。
pm) ; 1.2〜1.48(t、8H)、1.42
〜2.25 (m、 8H)、2.5〜2.85 (m
。
2H)1.8.0〜8.55 (m、 4H)、4.0
5〜4.85 (q、 2H)、6.9〜7.4 (m
、 5H) IR(CIPI 、KBr disk): 3320,
1740,1700゜1615.1205,1170,
750,700mp 135.5〜137.0℃ 〔α、125=+7.8°(C=2.0 、EtOH)
実施例8 t−EBA8.16Fをエタノール100+++/に溶
解し、これにL −Lys (Tfa) 9.69 f
’を加えて懸濁し、−5°Cに呆ちながらN −Lio
n水溶液20.0mlを撹拌下150分間で連続添加し
1こ。添加終了後、さらに30分間撹拌を続けた後、濃
塩酸10.0mlを加えて反応を停止した。これにエタ
ノール130m/、10%パラジウムカーボン5.01
を加えて40°C1常圧下で水素添加を実施した。反応
後、触媒を除去し、実施例7と同様に処理してN2−(
1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)−N
6−トリフルオロアセチル−L−リジン14.1fを得
fこ。((S、S)不/(R,、S)体=82.0/1
8.0 、l。
5〜4.85 (q、 2H)、6.9〜7.4 (m
、 5H) IR(CIPI 、KBr disk): 3320,
1740,1700゜1615.1205,1170,
750,700mp 135.5〜137.0℃ 〔α、125=+7.8°(C=2.0 、EtOH)
実施例8 t−EBA8.16Fをエタノール100+++/に溶
解し、これにL −Lys (Tfa) 9.69 f
’を加えて懸濁し、−5°Cに呆ちながらN −Lio
n水溶液20.0mlを撹拌下150分間で連続添加し
1こ。添加終了後、さらに30分間撹拌を続けた後、濃
塩酸10.0mlを加えて反応を停止した。これにエタ
ノール130m/、10%パラジウムカーボン5.01
を加えて40°C1常圧下で水素添加を実施した。反応
後、触媒を除去し、実施例7と同様に処理してN2−(
1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)−N
6−トリフルオロアセチル−L−リジン14.1fを得
fこ。((S、S)不/(R,、S)体=82.0/1
8.0 、l。
実施例9
t−EBA4.08Fをエタノール/水=10/1の溶
液50axeに洛解し、これにN6−ベンジルオキシカ
ルボニル−L−リジン(L−Lys(z)) 5. O
fを加えて懸濁し、室温下、水酸化リチウム・1水塩0
.75fを瞬時に添加し、そのまま1時間撹拌を続けた
。反応終了後、濃塩酸5.94m1を加え、10%パラ
ジウムカーボン2.Ofを加えて40”C1常圧下で水
素添加を実施した。反応後、触媒を除去し、水酸化ナト
リウムでpH8,9に調整後、溶媒を減圧溜去し、残留
物にエタノールを加えて抽出を行ない、不溶物を濾過に
より除去しrこ。炉液のpHを塩酸で4.6に調整し、
減圧濃縮して得られた残留物をエーテルで結晶化させ、
N2−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル)−L−リジン・塩酸塩4.0yを得た。
液50axeに洛解し、これにN6−ベンジルオキシカ
ルボニル−L−リジン(L−Lys(z)) 5. O
fを加えて懸濁し、室温下、水酸化リチウム・1水塩0
.75fを瞬時に添加し、そのまま1時間撹拌を続けた
。反応終了後、濃塩酸5.94m1を加え、10%パラ
ジウムカーボン2.Ofを加えて40”C1常圧下で水
素添加を実施した。反応後、触媒を除去し、水酸化ナト
リウムでpH8,9に調整後、溶媒を減圧溜去し、残留
物にエタノールを加えて抽出を行ない、不溶物を濾過に
より除去しrこ。炉液のpHを塩酸で4.6に調整し、
減圧濃縮して得られた残留物をエーテルで結晶化させ、
N2−(1−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピ
ル)−L−リジン・塩酸塩4.0yを得た。
特許出願人 鐘淵化学工業株式会社
Claims (9)
- (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R^1は水素、アルキル基、アラルキル基また
はそれらの置換体を表わす〕 で示されるβ−ベンゾイルアクリル酸誘導体と、一般式
(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、R^2はアシル型またはウレタン型保護基を表
わす〕 で示されるL−リジンの誘導体とを、(II)と当量の塩
基を使用して反応させることを特徴とする、一般式(I
II) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中、R^1およびR^2は前記と同じ〕 で示されるN^2−(1−カルボキシ−3−オキソ−3
−フェニル)−L−リジン誘導体の製造法。 - (2)塩基として、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金
属炭酸塩、アルカリ土類金属水酸化物、四級アンモニウ
ム水酸化物、アミンまたはアンモニアを用いる特許請求
の範囲第1項記載の製造法。 - (3)L−リジン誘導体としてN^6−トリフルオロア
セチル−L−リジンを、β−ベンゾイルアクリル酸誘導
体としてtrans−β−ベンゾイルアクリル酸エチル
を用いる特許請求の範囲第1項または第2項記載の製造
法。 - (4)水酸化リチウム、水酸化ナトリウムまたは水酸化
カリウムを使用してN^6−トリフルオロアセチル−L
−リジンとtrans−β−ベンゾイルアクリル酸エチ
ルとを反応せしめ、N^2−(1−(S)−エトキシカ
ルボニル−3−オキソ−3−フェニルプロピル)−L−
リジンを優先的に合成する特許請求の範囲第1項乃至第
3項の何れかの項記載の製造法。 - (5)付加反応後、当量以上の鉱酸を添加し生成物を安
定化させる特許請求の範囲第1項乃至第4項の何れかの
項記載の製造法。 - (6)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中、R^1は水素、アルキル基、アラルキル基また
はそれらの置換体を表わす〕 で示されるβ−ベンゾイルアクリル酸誘導体と、一般式
(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、R^2はアシル型またはウレタン型保護基を表
わす〕 で示されるL−リジンの誘導体とを、(II)と当量の塩
基を使用して反応させ、生じる一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) 〔式中、R^1およびR^2は前記と同じ〕で示される
N^2−(1−カルボキシ−3−オキソ−3−フェニル
)−L−リジン誘導体を接触水素化分解した後、一般式
(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) 〔式中、R^1は前記と同じ、R^3は水素もしくはR
^2と同じ基を表わす〕 で示されるN^2−(1−カルボキシ−3−フェニルプ
ロピル)−L−リジン誘導体を製造する方法。 - (7)N^2−(1−エトキシカルボニル−3−オキソ
−3−フェニルプロピル)−N^6−トリフルオロアセ
チル−L−リジンを接触水素化分解して、N^2−(1
−エトキシカルボニル−3−フェニルプロピル)−N^
6−トリフルオロアセチル−L−リジンに変換する特許
請求の範囲第6項記載の製造法。 - (8)R^1がアルキル基であり、R^2がアシル型保
護基であり、R^3がR^2に同じである特許請求の範
囲第6項記載の製造法。 - (9)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^1はアルキル基、R^2はアシル基、X、
Yは各々水素原子か、一緒に酸素原子を表す〕で表わさ
れるN^2−(1−カルボキシ−3−フェニルプロピル
)−L−リジン誘導体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62072589A JPH01104034A (ja) | 1986-03-27 | 1987-03-26 | N↑2−(1−カルボキシ−3−フエニルプロピル)−l−リジン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61-68970 | 1986-03-27 | ||
JP6897086 | 1986-03-27 | ||
JP62072589A JPH01104034A (ja) | 1986-03-27 | 1987-03-26 | N↑2−(1−カルボキシ−3−フエニルプロピル)−l−リジン誘導体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Cited By (1)
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EP0903337A1 (en) * | 1996-05-10 | 1999-03-24 | Kaneka Corporation | Process for the preparation of 1-alkoxycarbonyl-3-phenylpropyl derivatives |
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JPS59118766A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-07-09 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | シス,エンド−2−アザビシクロ〔5.3.0〕デカン−3−カルボン酸の誘導体およびその製法 |
-
1987
- 1987-03-26 JP JP62072589A patent/JPH01104034A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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JPS59118766A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-07-09 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | シス,エンド−2−アザビシクロ〔5.3.0〕デカン−3−カルボン酸の誘導体およびその製法 |
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EP0903337A4 (en) * | 1996-05-10 | 2001-02-28 | Kaneka Corp | PROCESS FOR THE PREPARATION OF 1-ALCOXYCARBONYL-3-PHENYLPROPYL DERIVATIVES |
EP1679303A1 (en) * | 1996-05-10 | 2006-07-12 | Kaneka Corporation | Process for preparing 1-alkoxycarbonyl-3-phenylpropyl derivative |
Also Published As
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