JPH0927636A - 化合物半導体装置及び化合物半導体発光装置 - Google Patents
化合物半導体装置及び化合物半導体発光装置Info
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- JPH0927636A JPH0927636A JP17603495A JP17603495A JPH0927636A JP H0927636 A JPH0927636 A JP H0927636A JP 17603495 A JP17603495 A JP 17603495A JP 17603495 A JP17603495 A JP 17603495A JP H0927636 A JPH0927636 A JP H0927636A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶欠陥の少ない窒化物系化合物半導体膜を
形成することができ、発光素子の信頼性向上をはかる。 【解決手段】 窒化物系化合物半導体結晶を用いた化合
物半導体発光ダイオードにおいて、結晶性基板としてＡ
ｌＮ配向性多結晶基板１１を用い、この基板１１上にｎ
型ＧａＮ層１２とｐ型ＧａＮ層１３を成長形成し、各層
１２，１３にＩｎ膜１４，１５からなるオーミック電極
を形成している。
形成することができ、発光素子の信頼性向上をはかる。 【解決手段】 窒化物系化合物半導体結晶を用いた化合
物半導体発光ダイオードにおいて、結晶性基板としてＡ
ｌＮ配向性多結晶基板１１を用い、この基板１１上にｎ
型ＧａＮ層１２とｐ型ＧａＮ層１３を成長形成し、各層
１２，１３にＩｎ膜１４，１５からなるオーミック電極
を形成している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶性基板上に形
成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体装
置及び化合物半導体発光装置に関する。
成された窒化物系化合物半導体からなる化合物半導体装
置及び化合物半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、青色或いは紫色の発光ダイオード
用の半導体材料として、ＡｌＧａｌｎＮで表わされる窒
化物系化合物半導体が知られている。従来、この材料系
は主として有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によ
り、サファイア基板上に成長されてきた。この方法によ
り成長された窒化物系化合物半導体は、基板との格子不
整合が１６％程度あることから、結晶欠陥が１０8 ｃｍ
-2から１０10ｃｍ-2の密度で発生している。
用の半導体材料として、ＡｌＧａｌｎＮで表わされる窒
化物系化合物半導体が知られている。従来、この材料系
は主として有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によ
り、サファイア基板上に成長されてきた。この方法によ
り成長された窒化物系化合物半導体は、基板との格子不
整合が１６％程度あることから、結晶欠陥が１０8 ｃｍ
-2から１０10ｃｍ-2の密度で発生している。
【０００３】このような結晶欠陥密度の低減に関して
は、特公平４−１５２００号公報、特開平２−８１４８
２号公報や特開平４−２９７０２３号公報などに記載さ
れているように、種々のバッファ層を用いた手法が試み
られている。しかし、いずれの場合においても、サファ
イアを基板として用いていることから、基板とバッファ
層との界面に発生する結晶欠陥を低減することができ
ず、基板上に成長した窒化物系化合物半導体膜へ欠陥が
伝播する。そのため、発光素子における発光強度の減少
や、高耐圧素子における耐圧不良などといった素子の信
頼性に不十分な点が多く、或いは素子の劣化が生じやす
く実用化するには問題があった。
は、特公平４−１５２００号公報、特開平２−８１４８
２号公報や特開平４−２９７０２３号公報などに記載さ
れているように、種々のバッファ層を用いた手法が試み
られている。しかし、いずれの場合においても、サファ
イアを基板として用いていることから、基板とバッファ
層との界面に発生する結晶欠陥を低減することができ
ず、基板上に成長した窒化物系化合物半導体膜へ欠陥が
伝播する。そのため、発光素子における発光強度の減少
や、高耐圧素子における耐圧不良などといった素子の信
頼性に不十分な点が多く、或いは素子の劣化が生じやす
く実用化するには問題があった。
【０００４】また、従来よりＡｌＮ多結晶体について
は、その熱伝導性が優れていることから、放熱を兼ねた
支持基板として用いられている。しかし、このような基
板は、熱伝導性にのみ着目して使用されているもので、
Ｘ線回折を測定した場合に特定の角度領域に高強度のピ
ークを持たない、いわゆる配向性を持たないものであっ
た。従って、このような多結晶体を窒化物系化合物半導
体の成長用基板として用いた場合には、基板上に成長さ
せた窒化物系化合物半導体が単結晶とはならず、素子が
形成できないという問題点があった。
は、その熱伝導性が優れていることから、放熱を兼ねた
支持基板として用いられている。しかし、このような基
板は、熱伝導性にのみ着目して使用されているもので、
Ｘ線回折を測定した場合に特定の角度領域に高強度のピ
ークを持たない、いわゆる配向性を持たないものであっ
た。従って、このような多結晶体を窒化物系化合物半導
体の成長用基板として用いた場合には、基板上に成長さ
せた窒化物系化合物半導体が単結晶とはならず、素子が
形成できないという問題点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、窒化
物系化合物半導体を用いた半導体装置或いは半導体発光
装置においては、基板上に形成された窒化物系化合物半
導体層中に基板と半導体層との間の格子不整合に起因す
る結晶欠陥が多く、発光強度の低下や耐圧の不良などと
いった素子の信頼性に問題点があった。
物系化合物半導体を用いた半導体装置或いは半導体発光
装置においては、基板上に形成された窒化物系化合物半
導体層中に基板と半導体層との間の格子不整合に起因す
る結晶欠陥が多く、発光強度の低下や耐圧の不良などと
いった素子の信頼性に問題点があった。
【０００６】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、結晶欠陥の少ない良質
の窒化物系化合物半導体膜を形成することができ、素子
の信頼性向上をはかり得る化合物半導体装置及び化合物
半導体発光装置を提供することにある。
ので、その目的とするところは、結晶欠陥の少ない良質
の窒化物系化合物半導体膜を形成することができ、素子
の信頼性向上をはかり得る化合物半導体装置及び化合物
半導体発光装置を提供することにある。
【０００７】
（概要）上記課題を解決するために本発明は、次のよう
な構成を採用している。即ち本発明は、結晶性基板と、
この基板上に成長形成された化合物半導体膜とを備えた
化合物半導体装置において、結晶性基板は配向性多結晶
基板からなり、化合物半導体膜は窒化物系化合物半導体
膜からなることを特徴とする。
な構成を採用している。即ち本発明は、結晶性基板と、
この基板上に成長形成された化合物半導体膜とを備えた
化合物半導体装置において、結晶性基板は配向性多結晶
基板からなり、化合物半導体膜は窒化物系化合物半導体
膜からなることを特徴とする。
【０００８】また本発明は、窒化物系化合物半導体結晶
を用いた化合物半導体発光装置において、配向性多結晶
からなる結晶性基板と、この基板上に複数層の窒化物系
化合物半導体膜を成長形成してなり、かつ一部に発光層
となるｐｎ接合又はヘテロ接合を有する半導体積層部と
を具備してなることを特徴とする。
を用いた化合物半導体発光装置において、配向性多結晶
からなる結晶性基板と、この基板上に複数層の窒化物系
化合物半導体膜を成長形成してなり、かつ一部に発光層
となるｐｎ接合又はヘテロ接合を有する半導体積層部と
を具備してなることを特徴とする。
【０００９】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) 結晶性基板は、ＡｌＮ，ＧａＮ，ＳｉＣ又はこれら
の固溶体からなる配向性多結晶基板であること。 (2) 結晶性基板は、ｃ軸方向に配向性を有する配向性多
結晶基板であること。 (3) 発光層は、３６５ｎｍから５３０ｎｍまでの領域を
発光波長として有すること。 (4) 結晶成長法として、ＭＯＣＶＤ法を用いること。 （作用）本発明によれば、結晶性基板としてＡｌＮ，Ｇ
ａＮ，ＳｉＣ等の配向性多結晶基板を用いることから、
基板とその上に形成された窒化物系化合物半導体膜との
間の格子不整合が小さくなる。このため、窒化物系化合
物半導体膜の欠陥密度が減少し、これにより素子の信頼
性が向上する。具体的には、発光素子における発光強度
の向上や高耐圧素子における耐圧向上等をはかることが
できる。また、この基板は特定の方向に配向性を有する
ことから、窒化物系化合物半導体膜の成長においても単
結晶が形成される。
は、次のものがあげられる。 (1) 結晶性基板は、ＡｌＮ，ＧａＮ，ＳｉＣ又はこれら
の固溶体からなる配向性多結晶基板であること。 (2) 結晶性基板は、ｃ軸方向に配向性を有する配向性多
結晶基板であること。 (3) 発光層は、３６５ｎｍから５３０ｎｍまでの領域を
発光波長として有すること。 (4) 結晶成長法として、ＭＯＣＶＤ法を用いること。 （作用）本発明によれば、結晶性基板としてＡｌＮ，Ｇ
ａＮ，ＳｉＣ等の配向性多結晶基板を用いることから、
基板とその上に形成された窒化物系化合物半導体膜との
間の格子不整合が小さくなる。このため、窒化物系化合
物半導体膜の欠陥密度が減少し、これにより素子の信頼
性が向上する。具体的には、発光素子における発光強度
の向上や高耐圧素子における耐圧向上等をはかることが
できる。また、この基板は特定の方向に配向性を有する
ことから、窒化物系化合物半導体膜の成長においても単
結晶が形成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照しながら説明する。 （実施形態１）図１は、本発明の第１の実施形態に係わ
る発光ダイオードの素子構造を示す断面図である。
参照しながら説明する。 （実施形態１）図１は、本発明の第１の実施形態に係わ
る発光ダイオードの素子構造を示す断面図である。
【００１１】結晶性基板としてｃ軸に配向したＡｌＮ多
結晶基板が用いられ、このＡｌＮ多結晶基板１１の一主
面１１ａ上に、厚さ４μｍのｎ型ＧａＮ層１２と厚さ１
μｍのｐ型ＧａＮ層１３が積層されている。ｐ型ＧａＮ
層１３は発光層として働く。ｐ型ＧａＮ層１３の一部は
ｎ型ＧａＮ層１２が露出するまでエッチング除去されて
いる。そして、オーミック電極として、ｐ型ＧａＮ層１
３上にＩｎ膜１４が形成され、ｎ型ＧａＮ層１２の露出
部分にＩｎ膜１５が形成されている。
結晶基板が用いられ、このＡｌＮ多結晶基板１１の一主
面１１ａ上に、厚さ４μｍのｎ型ＧａＮ層１２と厚さ１
μｍのｐ型ＧａＮ層１３が積層されている。ｐ型ＧａＮ
層１３は発光層として働く。ｐ型ＧａＮ層１３の一部は
ｎ型ＧａＮ層１２が露出するまでエッチング除去されて
いる。そして、オーミック電極として、ｐ型ＧａＮ層１
３上にＩｎ膜１４が形成され、ｎ型ＧａＮ層１２の露出
部分にＩｎ膜１５が形成されている。
【００１２】次に、本実施形態における発光ダイオード
の製造方法について説明する。結晶成長法としては、Ｍ
ＯＣＶＤ法を用いた。このＭＯＣＶＤ法では、キャリア
ガスとして水素（Ｈ2 ）、原料ガスとしてトリメチルガ
リウム（（ＣＨ3 ）3Ｇａ：ＴＭＧ），アンモニア（Ｎ
Ｈ3 ），シラン（ＳｉＨ4 ），ビスシクロペンタジエニ
ルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ：Ｃｐ2 Ｍｇ）を
用いた。
の製造方法について説明する。結晶成長法としては、Ｍ
ＯＣＶＤ法を用いた。このＭＯＣＶＤ法では、キャリア
ガスとして水素（Ｈ2 ）、原料ガスとしてトリメチルガ
リウム（（ＣＨ3 ）3Ｇａ：ＴＭＧ），アンモニア（Ｎ
Ｈ3 ），シラン（ＳｉＨ4 ），ビスシクロペンタジエニ
ルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ：Ｃｐ2 Ｍｇ）を
用いた。
【００１３】まず、有機洗浄及び酸洗浄によって表面を
洗浄したＡｌＮ多結晶基板１１をＭＯＣＶＤ装置の反応
室に載置された加熱可能なサセプタ上に装着する。そし
て、常圧でＨ2 を１０Ｌ／分流しなから、温度１１００
℃で約１０分間、ＡｌＮ多結晶基板１１の一主面１１ａ
を気相エッチングした。なお、ＡｌＮの配向性多結晶基
板の作成方法については後述する。
洗浄したＡｌＮ多結晶基板１１をＭＯＣＶＤ装置の反応
室に載置された加熱可能なサセプタ上に装着する。そし
て、常圧でＨ2 を１０Ｌ／分流しなから、温度１１００
℃で約１０分間、ＡｌＮ多結晶基板１１の一主面１１ａ
を気相エッチングした。なお、ＡｌＮの配向性多結晶基
板の作成方法については後述する。
【００１４】次いで、ＡｌＮ多結晶基板１１を１０５０
℃に降温・保温し、Ｈ2 を１０Ｌ／分、ＮＨ3 を５Ｌ／
分、ＴＭＧを２５ｃｃ／分、ＳｉＨ4 を１０ｃｃ／分、
それぞれ流すことによりＧａＮ層１２を約１時間形成し
た。
℃に降温・保温し、Ｈ2 を１０Ｌ／分、ＮＨ3 を５Ｌ／
分、ＴＭＧを２５ｃｃ／分、ＳｉＨ4 を１０ｃｃ／分、
それぞれ流すことによりＧａＮ層１２を約１時間形成し
た。
【００１５】次いで、ＡｌＮ多結晶基板１１を１０５０
℃で保温したまま、Ｈ2 を１０Ｌ／分、ＮＨ3 を５Ｌ／
分、ＴＭＧを２５ｃｃ／分、ＳｉＨ4 を１０ｃｃ／分、
Ｃｐ2 Ｍｇを１００ｃｃ／分、それぞれ流すことにより
ｐ型ＧａＮ層１３を約１５分形成した。
℃で保温したまま、Ｈ2 を１０Ｌ／分、ＮＨ3 を５Ｌ／
分、ＴＭＧを２５ｃｃ／分、ＳｉＨ4 を１０ｃｃ／分、
Ｃｐ2 Ｍｇを１００ｃｃ／分、それぞれ流すことにより
ｐ型ＧａＮ層１３を約１５分形成した。
【００１６】ＧａＮ層１２及び１３が成長したＡｌＮ多
結晶基板１１を室温まで降温した後にＭＯＣＶＤ装置か
ら取り出し、ＳｉＯ2 等をマスクとし、高温の酸又はア
ルカリによってｎ型ＧａＮ層１２が露出するまでｐ型Ｇ
ａＮ層１３を選択エッチングした。
結晶基板１１を室温まで降温した後にＭＯＣＶＤ装置か
ら取り出し、ＳｉＯ2 等をマスクとし、高温の酸又はア
ルカリによってｎ型ＧａＮ層１２が露出するまでｐ型Ｇ
ａＮ層１３を選択エッチングした。
【００１７】次いで、Ｉｎを周知の真空蒸着法によって
約１μｍ形成し、窒素雰囲気中、３００℃の加熱処理に
より良好なオーミック電極とした。なお、各層のキャリ
ア濃度は、ｎ型ＧａＮ層１２が３×１０18ｃｍ-3、ｐ型
ＧａＮ層１３が６×１０16ｃｍ-3であった。
約１μｍ形成し、窒素雰囲気中、３００℃の加熱処理に
より良好なオーミック電極とした。なお、各層のキャリ
ア濃度は、ｎ型ＧａＮ層１２が３×１０18ｃｍ-3、ｐ型
ＧａＮ層１３が６×１０16ｃｍ-3であった。
【００１８】このようにして形成された発光ダイオード
を３５０μｍ角の大きさに切り分け、ステム上にマウン
トし、モールドすることにより、ランプが完成する。こ
のようにして形成された発光ダイオードにおいては、ｎ
型ＧａＮ層１２やｐ型ＧａＮ層１３における結晶欠陥は
極めて少ないものであった。そして、従来のサファイア
基板を用いた場合の同様の構造の発光ダイオードと比較
して、通電劣化が起こりにくく、寿命を約１桁改善する
ことができた。
を３５０μｍ角の大きさに切り分け、ステム上にマウン
トし、モールドすることにより、ランプが完成する。こ
のようにして形成された発光ダイオードにおいては、ｎ
型ＧａＮ層１２やｐ型ＧａＮ層１３における結晶欠陥は
極めて少ないものであった。そして、従来のサファイア
基板を用いた場合の同様の構造の発光ダイオードと比較
して、通電劣化が起こりにくく、寿命を約１桁改善する
ことができた。
【００１９】なお、ＡｌＮの配向性多結晶基板は次のよ
うにして作成すれば良い。ＡｌＮやＳｉＣなどの配向性
多結晶基板は、これらの材料系に常圧においては液相が
見られないことから、昇華法によって作成することがで
きる。例えば、ＳｉＣでは、周知のレーリー法を用いる
ことによって作成することができる。これは、ＳｉＣの
粉末を２４００℃程度の高温で熱することによってＳｉ
Ｃが気化（昇華）し、これに対して２２００℃程度の低
温部を作ることによって、その低温部分に結晶が析出す
るものである。このとき、これらの材料系はある種の方
向に配列の規則性を持ちやすいことから、配向性多結晶
体を作成することが可能である。このような方法は、Ａ
ｌＮやＧａＮにも適用できる。この場合には、窒素が非
常に解離しやすいことから、窒素雰囲気中で作成するこ
とが望ましい。 （実施形態２）図２は、本発明の第２の実施形態に係わ
る発光ダイオードの素子構造を示す断面図である。
うにして作成すれば良い。ＡｌＮやＳｉＣなどの配向性
多結晶基板は、これらの材料系に常圧においては液相が
見られないことから、昇華法によって作成することがで
きる。例えば、ＳｉＣでは、周知のレーリー法を用いる
ことによって作成することができる。これは、ＳｉＣの
粉末を２４００℃程度の高温で熱することによってＳｉ
Ｃが気化（昇華）し、これに対して２２００℃程度の低
温部を作ることによって、その低温部分に結晶が析出す
るものである。このとき、これらの材料系はある種の方
向に配列の規則性を持ちやすいことから、配向性多結晶
体を作成することが可能である。このような方法は、Ａ
ｌＮやＧａＮにも適用できる。この場合には、窒素が非
常に解離しやすいことから、窒素雰囲気中で作成するこ
とが望ましい。 （実施形態２）図２は、本発明の第２の実施形態に係わ
る発光ダイオードの素子構造を示す断面図である。
【００２０】結晶性基板としてｃ軸に配向性を有したＡ
ｌＮ多結晶基板２１を用い、この基板２１上に、基板側
から順に厚さ２０ｎｍのＧａＮバッファ層２２、厚さ４
μｍのｎ型ＧａＮ層２３、厚さ１μｍのｐ型ＧａＮ層２
４が積層されている。ＧａＮバッファ層２２は、ＡｌＮ
配向性多結晶基板とＧａＮ層との間にある２．２％の格
子不整合を緩和し、格子欠陥の発生を抑制するために形
成したものである。また、ｐ型ＧａＮ層２４の一部はｎ
型ＧａＮ層２３が露出するまでエッチング除去され、各
層２３，２４にオーミック電極としてのＩｎ層２５，２
６が形成されている。
ｌＮ多結晶基板２１を用い、この基板２１上に、基板側
から順に厚さ２０ｎｍのＧａＮバッファ層２２、厚さ４
μｍのｎ型ＧａＮ層２３、厚さ１μｍのｐ型ＧａＮ層２
４が積層されている。ＧａＮバッファ層２２は、ＡｌＮ
配向性多結晶基板とＧａＮ層との間にある２．２％の格
子不整合を緩和し、格子欠陥の発生を抑制するために形
成したものである。また、ｐ型ＧａＮ層２４の一部はｎ
型ＧａＮ層２３が露出するまでエッチング除去され、各
層２３，２４にオーミック電極としてのＩｎ層２５，２
６が形成されている。
【００２１】このような構造で素子を形成した結果、Ａ
ｌＮ配向性多結晶基板上に直接窒化物系化合物半導体層
を形成した第１の実施形態と比較して、窒化物系化合物
半導体層の結晶性がさらに向上しており、素子の寿命に
も改善が見られた。このようにして形成された発光ダイ
オード２０では、同様の構造を従来のサファイア基板を
用いて作製した場合と比較して、寿命を１桁以上改善す
ることができた。 （実施形態３）図３は、本発明の第３の実施形態に係わ
る発光ダイオードの素子構造を示す断面図である。
ｌＮ配向性多結晶基板上に直接窒化物系化合物半導体層
を形成した第１の実施形態と比較して、窒化物系化合物
半導体層の結晶性がさらに向上しており、素子の寿命に
も改善が見られた。このようにして形成された発光ダイ
オード２０では、同様の構造を従来のサファイア基板を
用いて作製した場合と比較して、寿命を１桁以上改善す
ることができた。 （実施形態３）図３は、本発明の第３の実施形態に係わ
る発光ダイオードの素子構造を示す断面図である。
【００２２】結晶性基板としてｃ軸に配向性を有したＡ
ｌＮ多結晶基板３１を用い、この基板３１上に、基板側
から順に厚さ２０ｎｍのＧａＮバッファ層３２、厚さ４
μｍのｐ型ＧａＮ層３３、厚さ１μｍのｎ型ＧａＮ層３
４が積層されている。また、ｎ型ＧａＮ層３４の一部は
ｐ型ＧａＮ層３３が露出するまで除去され、各層３３，
３４にオーミック電極としてのＩｎ層３５，３６が形成
されている。
ｌＮ多結晶基板３１を用い、この基板３１上に、基板側
から順に厚さ２０ｎｍのＧａＮバッファ層３２、厚さ４
μｍのｐ型ＧａＮ層３３、厚さ１μｍのｎ型ＧａＮ層３
４が積層されている。また、ｎ型ＧａＮ層３４の一部は
ｐ型ＧａＮ層３３が露出するまで除去され、各層３３，
３４にオーミック電極としてのＩｎ層３５，３６が形成
されている。
【００２３】このような構造では、同じキャリア濃度を
有していても移動度の差異によって比較的低抵抗になり
やすいｎ型ＧａＮ層が表面に形成されているため、電流
の広がりが生じやすく、従って発光領域を広くとること
ができる。そのため、第３の実施形態と比較して発光強
度に３〜５倍の増加が見られるようになった。 （実施形態４）図４は、本発明の第４の実施形態に係わ
る発光ダイオードの素子構造を示す断面図である。
有していても移動度の差異によって比較的低抵抗になり
やすいｎ型ＧａＮ層が表面に形成されているため、電流
の広がりが生じやすく、従って発光領域を広くとること
ができる。そのため、第３の実施形態と比較して発光強
度に３〜５倍の増加が見られるようになった。 （実施形態４）図４は、本発明の第４の実施形態に係わ
る発光ダイオードの素子構造を示す断面図である。
【００２４】結晶性基板としてｃ軸に配向したＡｌＮ多
結晶基板４１を用い、この基板４１上に、基板側から順
に厚さ２０ｎｍのＧａＮバッファ層４２、Ｓｉを添加し
た厚さ３μｍのｎ型ＡｌＧａＮ（Ａｌの組成比＝１５
％）層４３、ＳｉとＺｎとを同時に添加した厚さ５０ｎ
ｍのｎ型ＩｎＧａＮ（Ｉｎの組成比＝６％）発光層４
４、Ｍｇを添加した厚さ３００ｎｍのｐ型ＧａＮ層４５
が第１の実施形態と同様のＭＯＣＶＤ法を用いて形成さ
れている。
結晶基板４１を用い、この基板４１上に、基板側から順
に厚さ２０ｎｍのＧａＮバッファ層４２、Ｓｉを添加し
た厚さ３μｍのｎ型ＡｌＧａＮ（Ａｌの組成比＝１５
％）層４３、ＳｉとＺｎとを同時に添加した厚さ５０ｎ
ｍのｎ型ＩｎＧａＮ（Ｉｎの組成比＝６％）発光層４
４、Ｍｇを添加した厚さ３００ｎｍのｐ型ＧａＮ層４５
が第１の実施形態と同様のＭＯＣＶＤ法を用いて形成さ
れている。
【００２５】ＭＯＣＶＤ法において、キャリアガスとし
てＨ2 及び窒素（Ｎ2 ）、原料ガスとしてＴＭＧ、トリ
メチルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ：ＴＭＡ）、ト
リメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ：ＴＭＩ）、Ｎ
Ｈ3 、ＳｉＨ4 、Ｃｐ2 Ｍｇ、ジエチル亜鉛（（Ｃ2 Ｈ
5 ）2 Ｚｎ：ＤＥＺ）を用いた。
てＨ2 及び窒素（Ｎ2 ）、原料ガスとしてＴＭＧ、トリ
メチルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ：ＴＭＡ）、ト
リメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ：ＴＭＩ）、Ｎ
Ｈ3 、ＳｉＨ4 、Ｃｐ2 Ｍｇ、ジエチル亜鉛（（Ｃ2 Ｈ
5 ）2 Ｚｎ：ＤＥＺ）を用いた。
【００２６】本実施形態の発光ダイオードでは、ダブル
ヘテロ構造が形成されているため、第１から第３までの
実施形態に示したような単純なホモ接合と比較して発光
層におけるキャリアの閉じ込め効果が強く生じ、従って
発光強度が著しく増加する。
ヘテロ構造が形成されているため、第１から第３までの
実施形態に示したような単純なホモ接合と比較して発光
層におけるキャリアの閉じ込め効果が強く生じ、従って
発光強度が著しく増加する。
【００２７】また、本実施形態において、ＩｎＧａＮ発
光層４４はＩｎとＧａとの間の組成比が６％と設定した
が、この組成比によって発光波長を変えることができ
る。しかしながら、Ｉｎの組成比が大きくなり、長波長
に発光波長を設定しようとすると発光層４４の結晶性に
低下が見られることから、発光波長が３６５ｎｍから５
３０ｎｍまでの範囲に入るＩｎの組成比が望ましい。さ
らにはＩｎの組成比が発光波長が３６５ｎｍから４８０
ｎｍにはいる範囲にあることが望ましい。 （実施形態５）図５は、本発明の第５の実施形態に係わ
るレーザダイオードの素子構造を示す断面図である。
光層４４はＩｎとＧａとの間の組成比が６％と設定した
が、この組成比によって発光波長を変えることができ
る。しかしながら、Ｉｎの組成比が大きくなり、長波長
に発光波長を設定しようとすると発光層４４の結晶性に
低下が見られることから、発光波長が３６５ｎｍから５
３０ｎｍまでの範囲に入るＩｎの組成比が望ましい。さ
らにはＩｎの組成比が発光波長が３６５ｎｍから４８０
ｎｍにはいる範囲にあることが望ましい。 （実施形態５）図５は、本発明の第５の実施形態に係わ
るレーザダイオードの素子構造を示す断面図である。
【００２８】本実施形態においては、結晶性基板として
ｍ軸（＜１-1００＞軸）に配向したＡｌＮ多結晶基板５
１を用い、その上にＧａＮバッファ層５２を厚さ２０ｎ
ｍ、ｎ型ＧａＮ層５３を４μｍ、アンドープＩｎＧａＮ
層５４を１００ｎｍ、ｐ型ＧａＮ層５５を３００ｎｍ形
成している。そして、ｐ型ＧａＮ層５５上にＳｉＯ2膜
５６をパターンニングして形成した幅１０μｍのストラ
イプに、Ｉｎ−Ｚｎ電極５７を形成している。さらに、
ｎ型ＧａＮ層５３にはＩｎ電極５８を形成している。
ｍ軸（＜１-1００＞軸）に配向したＡｌＮ多結晶基板５
１を用い、その上にＧａＮバッファ層５２を厚さ２０ｎ
ｍ、ｎ型ＧａＮ層５３を４μｍ、アンドープＩｎＧａＮ
層５４を１００ｎｍ、ｐ型ＧａＮ層５５を３００ｎｍ形
成している。そして、ｐ型ＧａＮ層５５上にＳｉＯ2膜
５６をパターンニングして形成した幅１０μｍのストラ
イプに、Ｉｎ−Ｚｎ電極５７を形成している。さらに、
ｎ型ＧａＮ層５３にはＩｎ電極５８を形成している。
【００２９】このような構造の半導体レーザでは、発光
波長はＩｎＧａＮ層５４中のＩｎの組成によって変化す
るが、波長３６５ｎｍから４８０ｎｍの間でレーザ発振
を起こすことができる。 （実施形態６）図６は、本発明の第６の実施形態に係わ
る高速素子ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）を示
す素子構造断面図である。
波長はＩｎＧａＮ層５４中のＩｎの組成によって変化す
るが、波長３６５ｎｍから４８０ｎｍの間でレーザ発振
を起こすことができる。 （実施形態６）図６は、本発明の第６の実施形態に係わ
る高速素子ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）を示
す素子構造断面図である。
【００３０】本実施形態では、ｃ軸に配向したＡｌＮ多
結晶基板６１を結晶性基板として用いており、その上に
アンドープのｎ型ＧａＮ層６２とＳｉドープのｎ型Ａｌ
0.15 Ｇａ 0.85 Ｎ層６３をこの順で積層した構造にな
っている。ソース電極６４及びドレイン電極６６はＴｉ
／Ａｕの積層構造からなり、熱処理によりｎ型ＧａＮ層
６２に接触をとっている。ゲート電極６５はＴｉＷから
なる。ｎ型ＧａＮ層６２の膜厚は０．６μｍで、キャリ
ア濃度は１×１０17ｃｍ-3である。ｎ型ＡｌＧａＮ層６
３の膜厚は２５ｎｍであり、キャリア濃度は４×１０18
ｃｍ-3である。
結晶基板６１を結晶性基板として用いており、その上に
アンドープのｎ型ＧａＮ層６２とＳｉドープのｎ型Ａｌ
0.15 Ｇａ 0.85 Ｎ層６３をこの順で積層した構造にな
っている。ソース電極６４及びドレイン電極６６はＴｉ
／Ａｕの積層構造からなり、熱処理によりｎ型ＧａＮ層
６２に接触をとっている。ゲート電極６５はＴｉＷから
なる。ｎ型ＧａＮ層６２の膜厚は０．６μｍで、キャリ
ア濃度は１×１０17ｃｍ-3である。ｎ型ＡｌＧａＮ層６
３の膜厚は２５ｎｍであり、キャリア濃度は４×１０18
ｃｍ-3である。
【００３１】このような素子においては、その素子特性
であるカットオフ周波数ｆT が２０ＧＨｚ、最大振動周
波数ｆmax が５０ＧＨｚの特性を持っている。また、デ
バイスの寿命もそれまでのサファイア基板上に形成した
場合と比べて、３倍程度の改善を見ることができた。 （実施形態７）図７は、本発明の第７の実施形態に係わ
るレーザダイオードを示す素子構造断面図である。
であるカットオフ周波数ｆT が２０ＧＨｚ、最大振動周
波数ｆmax が５０ＧＨｚの特性を持っている。また、デ
バイスの寿命もそれまでのサファイア基板上に形成した
場合と比べて、３倍程度の改善を見ることができた。 （実施形態７）図７は、本発明の第７の実施形態に係わ
るレーザダイオードを示す素子構造断面図である。
【００３２】本実施形態においては、ｃ軸に配向したＧ
ａＮ多結晶７１を基板として用い、この上に周知のＭＯ
ＣＶＤ法において、厚さ１００ｎｍのＳｉドープｎ型Ｇ
ａＮ層７２を成長した。さらにその上に厚さ０．１μｍ
のアンドープＧａＮ層７４を、厚さ１μｍのＳｉドープ
ｎ型ＡｌＧａＮ層７３及びｐ型ＡｌＧａＮ層７５（いず
れもＡｌ組成比は０．２５）で挟み込んだ形で成長し
た。さらにその上に、ＡｌＧａＮ層の表面酸化を抑制す
ることを目的とするキャップ層として、ｐ型ＧａＮ層７
６を０．３μｍの厚さで形成した。
ａＮ多結晶７１を基板として用い、この上に周知のＭＯ
ＣＶＤ法において、厚さ１００ｎｍのＳｉドープｎ型Ｇ
ａＮ層７２を成長した。さらにその上に厚さ０．１μｍ
のアンドープＧａＮ層７４を、厚さ１μｍのＳｉドープ
ｎ型ＡｌＧａＮ層７３及びｐ型ＡｌＧａＮ層７５（いず
れもＡｌ組成比は０．２５）で挟み込んだ形で成長し
た。さらにその上に、ＡｌＧａＮ層の表面酸化を抑制す
ることを目的とするキャップ層として、ｐ型ＧａＮ層７
６を０．３μｍの厚さで形成した。
【００３３】キャリア濃度はそれぞれ、ｎ型ＧａＮ層７
２が１×１０19ｃｍ-3、ｎ型ＡｌＧａＮ層７３が３×１
０18ｃｍ-3、ｐ型ＡｌＧａＮ層７５が１×１０18ｃ
ｍ-3、ｐ型ＧａＮ層７６が１×１０18ｃｍ-3とした。ｎ
型ＧａＮ層７２を露出させる手段としてはＣｌ2 ガスに
よる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法を用いた。
２が１×１０19ｃｍ-3、ｎ型ＡｌＧａＮ層７３が３×１
０18ｃｍ-3、ｐ型ＡｌＧａＮ層７５が１×１０18ｃ
ｍ-3、ｐ型ＧａＮ層７６が１×１０18ｃｍ-3とした。ｎ
型ＧａＮ層７２を露出させる手段としてはＣｌ2 ガスに
よる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法を用いた。
【００３４】電極としては、ｎ型に対してはＴｉ／Ａｕ
の積層構造７７を、ｐ型層に対してＮｉ／Ａｕの積層構
造７８を用い、７００℃の熱処理を施すことによりオー
ミック電極とした。なお、電流狭窄のために、ｐ型Ｇａ
Ｎ層７６の上にＳｉＯ2 膜７９を形成し、積層構造７８
はｐ型ＧａＮ層７６の一部に接触するようにした。
の積層構造７７を、ｐ型層に対してＮｉ／Ａｕの積層構
造７８を用い、７００℃の熱処理を施すことによりオー
ミック電極とした。なお、電流狭窄のために、ｐ型Ｇａ
Ｎ層７６の上にＳｉＯ2 膜７９を形成し、積層構造７８
はｐ型ＧａＮ層７６の一部に接触するようにした。
【００３５】このような構成のレーザダイオードにおい
ては、電圧約５Ｖ、しきい値電流密度８×１０3 Ａ／ｃ
ｍでレーザ発振が生じた。 （実施形態８）図８は、本発明の第８の実施形態に係わ
る発光ダイオードを示す素子構造断面図である。
ては、電圧約５Ｖ、しきい値電流密度８×１０3 Ａ／ｃ
ｍでレーザ発振が生じた。 （実施形態８）図８は、本発明の第８の実施形態に係わ
る発光ダイオードを示す素子構造断面図である。
【００３６】本実施形態においては、ｃ軸に配向したＳ
ｉＣ多結晶基板８１を結晶性基板として用い、この上に
周知のＣＶＤ法においてジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）及びア
セチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）を用いて、約５００ｎｍのＳｉＣ
バッファ層８２、さらにＴＭＧ及びＮＨ3 を用いて厚さ
約１００ｎｍのＧａＮバッファ層８３を形成した。この
上に連続してｎ型ＡｌＧａＮ層８４（厚さ３μｍ，キャ
リア濃度２×１０18ｃｍ-3，Ａｌ組成比０．３）、アン
ドープＧａＮ層８５（厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＡｌＧａ
Ｎ層８６（厚さ１μｍ，キャリア濃度２×１０17ｃ
ｍ-3，Ａｌ組成比０．３）、ｐ型ＧａＮ層８７（厚さ３
００ｎｍ，キャリア濃度２×１０18ｃｍ-3）をこの順で
積層した。
ｉＣ多結晶基板８１を結晶性基板として用い、この上に
周知のＣＶＤ法においてジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）及びア
セチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）を用いて、約５００ｎｍのＳｉＣ
バッファ層８２、さらにＴＭＧ及びＮＨ3 を用いて厚さ
約１００ｎｍのＧａＮバッファ層８３を形成した。この
上に連続してｎ型ＡｌＧａＮ層８４（厚さ３μｍ，キャ
リア濃度２×１０18ｃｍ-3，Ａｌ組成比０．３）、アン
ドープＧａＮ層８５（厚さ０．２μｍ）、ｐ型ＡｌＧａ
Ｎ層８６（厚さ１μｍ，キャリア濃度２×１０17ｃ
ｍ-3，Ａｌ組成比０．３）、ｐ型ＧａＮ層８７（厚さ３
００ｎｍ，キャリア濃度２×１０18ｃｍ-3）をこの順で
積層した。
【００３７】また、ｎ型ＡｌＧａＮ層８４への電気的な
接触をする手段として、ｎ型層８４までの各層をＢＣｌ
3 ガスによってドライエッチングした。電極には、ｎ型
ＡｌＧａＮ層８４に対してはＩｎ層８８を、ｐ型ＧａＮ
層８７に対してはＩｎ−Ｚｎ層８９を用いた。
接触をする手段として、ｎ型層８４までの各層をＢＣｌ
3 ガスによってドライエッチングした。電極には、ｎ型
ＡｌＧａＮ層８４に対してはＩｎ層８８を、ｐ型ＧａＮ
層８７に対してはＩｎ−Ｚｎ層８９を用いた。
【００３８】このような構成のレーザダイオードにおい
ては、電圧約５Ｖで光出力１ｍＷの波長３８０ｎｍの発
振を得た。 （実施形態９）図９は、本発明の第９の実施形態に係わ
るレーザダイオードを示す構造断面図である。本実施形
態においては、ｃ軸に配向したＳｉＣ多結晶９１を基板
として用いている。この基板９１は、基板形成の過程に
おいて窒素を添加することによりｎ型の導電性を強く持
たせている。この基板９１上に周知のＣＶＤ法において
厚さ約１００ｎｍのＳｉＣバッファ層９２、周知のＭＯ
ＣＶＤ法において連続して厚さ３μｍのｎ型ＧａＮ層９
３、厚さ５００ｎｍのｎ型ＡｌＧａＮクラッド層９４
（Ａｌ組成比＝３０％）、厚さ１００ｎｍのアンドープ
にＩｎＧａＮ活性層９５（Ｉｎ組成比＝１０％）、厚さ
５００ｎｍのｐ型ＧａＮコンタクト層９７をこの順で積
層した。また、電極としてはＳｉＣ多結晶基板９１及び
ｐ型ＧａＮ層９７に対して、それぞれ厚さ３００ｎｍの
Ｎｉと厚さ１μｍのＡｕとの積層構造９９をＳｉＯ2 膜
９８によってストライプ幅を制御することによって形成
した。
ては、電圧約５Ｖで光出力１ｍＷの波長３８０ｎｍの発
振を得た。 （実施形態９）図９は、本発明の第９の実施形態に係わ
るレーザダイオードを示す構造断面図である。本実施形
態においては、ｃ軸に配向したＳｉＣ多結晶９１を基板
として用いている。この基板９１は、基板形成の過程に
おいて窒素を添加することによりｎ型の導電性を強く持
たせている。この基板９１上に周知のＣＶＤ法において
厚さ約１００ｎｍのＳｉＣバッファ層９２、周知のＭＯ
ＣＶＤ法において連続して厚さ３μｍのｎ型ＧａＮ層９
３、厚さ５００ｎｍのｎ型ＡｌＧａＮクラッド層９４
（Ａｌ組成比＝３０％）、厚さ１００ｎｍのアンドープ
にＩｎＧａＮ活性層９５（Ｉｎ組成比＝１０％）、厚さ
５００ｎｍのｐ型ＧａＮコンタクト層９７をこの順で積
層した。また、電極としてはＳｉＣ多結晶基板９１及び
ｐ型ＧａＮ層９７に対して、それぞれ厚さ３００ｎｍの
Ｎｉと厚さ１μｍのＡｕとの積層構造９９をＳｉＯ2 膜
９８によってストライプ幅を制御することによって形成
した。
【００３９】このような構成のレーザダイオードにおい
ては、エピタキシャル成長層９３から９７に対してエッ
チング処理を施す必要がないため、低抵抗の素子を形成
することができる。即ち、低しきい値でレーザ発振を生
じさせることができた。 （実施形態１０）図１０は、本発明の第１０の実施形態
に係わる発光ダイオードを示す構造断面図である。本実
施形態においては、ｃ軸に配向したＳｉＣとＡｌＮとの
固溶体１０１を基板として用い、この上に周知のＭＯＣ
ＶＤ法を用いて連続して、厚さ５０ｎｍのＧａＮバッフ
ァ層１０２、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮ層１０３、厚さ１
００ｎｍのＩｎＧａＮ（Ｉｎ組成比＝６％）層１０４、
厚さ５００ｎｍのｐ型ＧａＮ層１０５をこの順で積層す
る。また、電極として基板１０１及びｐ型ＧａＮ層１０
５に対してそれぞれ厚さ３００ｎｍのＮｉと厚さ１μｍ
のＡｕとの積層構造１０６を形成している。
ては、エピタキシャル成長層９３から９７に対してエッ
チング処理を施す必要がないため、低抵抗の素子を形成
することができる。即ち、低しきい値でレーザ発振を生
じさせることができた。 （実施形態１０）図１０は、本発明の第１０の実施形態
に係わる発光ダイオードを示す構造断面図である。本実
施形態においては、ｃ軸に配向したＳｉＣとＡｌＮとの
固溶体１０１を基板として用い、この上に周知のＭＯＣ
ＶＤ法を用いて連続して、厚さ５０ｎｍのＧａＮバッフ
ァ層１０２、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮ層１０３、厚さ１
００ｎｍのＩｎＧａＮ（Ｉｎ組成比＝６％）層１０４、
厚さ５００ｎｍのｐ型ＧａＮ層１０５をこの順で積層す
る。また、電極として基板１０１及びｐ型ＧａＮ層１０
５に対してそれぞれ厚さ３００ｎｍのＮｉと厚さ１μｍ
のＡｕとの積層構造１０６を形成している。
【００４０】このような発光ダイオード１００において
は、基板の電子親和力が小さいことから容易に低抵抗の
オーミック電極を形成することができる。そのため、素
子にかかる電力を低減することができる。
は、基板の電子親和力が小さいことから容易に低抵抗の
オーミック電極を形成することができる。そのため、素
子にかかる電力を低減することができる。
【００４１】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。例えば、実施形態に
ついてはｃ軸及びｍ軸に配向した多結晶を基板として用
いたが、ａ軸（＜１１-2０＞軸）やＲ軸（＜１-1０２＞
軸）などに配向したものを基板とした場合でも同様の効
果を得ることができる。
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種
々変形して実施することができる。例えば、実施形態に
ついてはｃ軸及びｍ軸に配向した多結晶を基板として用
いたが、ａ軸（＜１１-2０＞軸）やＲ軸（＜１-1０２＞
軸）などに配向したものを基板とした場合でも同様の効
果を得ることができる。
【００４２】また、窒化物系化合物半導体膜の成長法も
ＭＯＣＶＤ法に限られるものではなく、ＭＢＥ法（分子
線エピタキシー法）や、ハイドライド気相成長法など一
般に知られている結晶成長法を用いることも可能であ
る。
ＭＯＣＶＤ法に限られるものではなく、ＭＢＥ法（分子
線エピタキシー法）や、ハイドライド気相成長法など一
般に知られている結晶成長法を用いることも可能であ
る。
【００４３】また、実施形態では発光素子及び光速素子
ＨＥＭＴについて説明したが、格子定数が近いＡｌＮ，
ＧａＮ，ＳｉＣの配向性多結晶を窒化物系化合物半導体
成長用の基板に用いることにより、高耐圧のパワーデバ
イスなどを作成することも可能である。
ＨＥＭＴについて説明したが、格子定数が近いＡｌＮ，
ＧａＮ，ＳｉＣの配向性多結晶を窒化物系化合物半導体
成長用の基板に用いることにより、高耐圧のパワーデバ
イスなどを作成することも可能である。
【００４４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、窒
化物系化合物半導体の結晶成長用基板として、ＡｌＮ，
ＧａＮ，ＳｉＣ等の配向性多結晶を用いることにより、
結晶欠陥の発生が抑制され、結晶性の向上をはかること
ができた。これにより、素子特性の向上及び長寿命化を
達成することが可能となる。
化物系化合物半導体の結晶成長用基板として、ＡｌＮ，
ＧａＮ，ＳｉＣ等の配向性多結晶を用いることにより、
結晶欠陥の発生が抑制され、結晶性の向上をはかること
ができた。これにより、素子特性の向上及び長寿命化を
達成することが可能となる。
【図１】第１の実施形態に係わる発光ダイオードの素子
構造を示す断面図。
構造を示す断面図。
【図２】第２の実施形態に係わる発光ダイオードの素子
構造を示す断面図。
構造を示す断面図。
【図３】第３の実施形態に係わる発光ダイオードの素子
構造を示す断面図。
構造を示す断面図。
【図４】第４の実施形態に係わる発光ダイオードの素子
構造を示す断面図。
構造を示す断面図。
【図５】第５の実施形態に係わるレーザダイオードの素
子構造を示す断面図。
子構造を示す断面図。
【図６】第６の実施形態に係わるＨＥＭＴの素子構造を
示す断面図。
示す断面図。
【図７】第７の実施形態に係わるレーザダイオードの素
子構造を示す断面図。
子構造を示す断面図。
【図８】第８の実施形態に係わるレーザダイオードの素
子構造を示す断面図。
子構造を示す断面図。
【図９】第９の実施形態に係わるレーザダイオードの素
子構造を示す断面図。
子構造を示す断面図。
【図１０】第１０の実施形態に係わる発光ダイオードの
素子構造を示す断面図。
素子構造を示す断面図。
１１…ＡｌＮ多結晶基板（結晶性基板） １２…ｎ型ＧａＮ層 １３…ｐ型ＧａＮ層 １４，１５…Ｉｎ膜（電極）
Claims (7)
- 【請求項１】配向性多結晶からなる結晶性基板と、この
基板上に成長形成された窒化物系化合物半導体膜とを具
備してなることを特徴とする化合物半導体装置。 - 【請求項２】前記結晶性基板は、ＡｌＮ，ＧａＮ，Ｓｉ
Ｃ又はこれらの固溶体からなる配向性多結晶基板である
ことを特徴する請求項１記載の化合物半導体装置。 - 【請求項３】前記結晶性基板は、ｃ軸方向に配向性を有
する配向性多結晶基板であることを特徴する請求項１又
は２記載の化合物半導体装置。 - 【請求項４】配向性多結晶からなる結晶性基板と、この
基板上に複数層の窒化物系化合物半導体膜を成長形成し
てなり、かつ一部に発光層となるｐｎ接合又はヘテロ接
合を有する半導体積層部とを具備してなることを特徴と
する化合物半導体発光装置。 - 【請求項５】前記結晶性基板は、ＡｌＮ，ＧａＮ，Ｓｉ
Ｃ又はこれらの固溶体からなる配向性多結晶基板である
ことを特徴する請求項４記載の化合物半導体発光装置。 - 【請求項６】前記結晶性基板は、ｃ軸方向に配向性を有
する配向性多結晶基板であることを特徴する請求項４又
は５記載の化合物半導体発光装置。 - 【請求項７】前記発光層は、３６５ｎｍから５３０ｎｍ
までの領域を発光波長として有することを特徴する請求
項４記載の化合物半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17603495A JP3410863B2 (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | 化合物半導体装置及び化合物半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17603495A JP3410863B2 (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | 化合物半導体装置及び化合物半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927636A true JPH0927636A (ja) | 1997-01-28 |
| JP3410863B2 JP3410863B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=16006575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17603495A Expired - Lifetime JP3410863B2 (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | 化合物半導体装置及び化合物半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3410863B2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002094110A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-29 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオードの構造 |
| JP2005179167A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-07-07 | Kenichiro Miyahara | 薄膜形成用基板、薄膜基板及び発光素子 |
| JP2007227912A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Samsung Electronics Co Ltd | リッジ構造を有する半導体レーザダイオード |
| JPWO2007135772A1 (ja) * | 2006-05-19 | 2009-10-01 | 日本電気株式会社 | 発光素子 |
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| JPWO2010100942A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2012-09-06 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット |
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| US8664687B2 (en) | 2004-03-31 | 2014-03-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device and process for producing the same |
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