JP2016001738A - 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016001738A JP2016001738A JP2015126714A JP2015126714A JP2016001738A JP 2016001738 A JP2016001738 A JP 2016001738A JP 2015126714 A JP2015126714 A JP 2015126714A JP 2015126714 A JP2015126714 A JP 2015126714A JP 2016001738 A JP2016001738 A JP 2016001738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gallium nitride
- substrate
- standing substrate
- free
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】配向多結晶アルミナ焼結体上に、窒化ガリウムからなる種結晶層を、配向多結晶アルミナ焼結体の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成する工程と、種結晶層上に、厚さ20μm以上の窒化ガリウム系結晶から構成される層の形成がNaフラックス法により行われ、種結晶層の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成する工程と、配向多結晶アルミナ焼結体を除去する工程とを含む、窒化ガリウム自立基板12の製造方法。得られた窒化ガリウム自立基板12の表面に露出している窒化ガリウム系単結晶粒子の最表面における断面平均径DTに対する、窒化ガリウム自立基板12の厚さTの比として規定されるアスペクト比T/DTは0.7以上である。
【選択図】図1
Description
該基板上に形成され、略法線方向に単結晶構造を有する複数の半導体単結晶粒子で構成される層を一以上有する発光機能層と、
を備えた、発光素子が提供される。
前記配向多結晶焼結体上に、窒化ガリウムからなる種結晶層を、前記配向多結晶焼結体の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成する工程と、
前記種結晶層上に、厚さ20μm以上の窒化ガリウム系結晶から構成される層を、前記種結晶層の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成する工程と、
前記配向多結晶焼結体を除去して、窒化ガリウム自立基板を得る工程と、
を含む、窒化ガリウム自立基板の製造方法が提供される。
前記窒化ガリウム自立基板に、前記窒化ガリウム基板の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように、略法線方向に単結晶構造を有する複数の半導体単結晶粒子で構成される層を一つ以上形成して発光機能層を設ける工程と、
を含む、発光素子の製造方法が提供される。
本発明の窒化ガリウム基板は自立基板の形態を有しうる。本発明において「自立基板」とは、取り扱う際に自重で変形又は破損せず、固形物として取り扱うことのできる基板を意味する。本発明の窒化ガリウム自立基板は発光素子等の各種半導体デバイスの基板として使用可能であるが、それ以外にも、電極(p型電極又はn型電極でありうる)、p型層、n型層等の基材以外の部材又は層として使用可能なものである。なお、以下の説明においては、主たる用途の一つである発光素子を例に本発明の利点を記述することがあるが、同様ないし類似の利点は技術的整合性を損なわない範囲内で他の半導体デバイスにも当てはまる。
本発明の窒化ガリウム自立基板は、(1)配向多結晶焼結体を用意し、(2)配向多結晶焼結体上に、窒化ガリウムからなる種結晶層を、配向多結晶焼結体の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成し、(3)種結晶層上に、厚さ20μm以上の窒化ガリウム系結晶から構成される層を、種結晶層の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成し、(4)配向多結晶焼結体を除去して、窒化ガリウム自立基板を得ることにより製造することができる。
窒化ガリウム自立基板を作製するための下地基板として、配向多結晶焼結体を用意する。配向多結晶焼結体の組成は特に限定されないが、配向多結晶アルミナ焼結体、配向多結晶酸化亜鉛焼結体、配向多結晶窒化アルミニウム焼結体から選ばれる1種であるのが好ましい。配向多結晶焼結体は、商業的に入手可能な板状粉末を用いて成形及び焼成を経て効率的に製造できるため、低コストで製造できるだけでなく、成形しやすいが故に大面積化にも適する。そして、本発明者らの知見によれば、配向多結晶焼結体を下地基板として用い、その上に複数の半導体単結晶粒子を成長させることで、大面積の発光素子を低コストで製造するのに適した窒化ガリウム自立基板を製造できる。その結果、窒化ガリウム自立基板は、大面積の発光素子を低コストで製造するのに極めて適するものとなる。
配向多結晶焼結体上に、窒化ガリウムからなる種結晶層を、配向多結晶焼結体の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成する。なお、「配向多結晶焼結体の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成する」とは、配向多結晶焼結体の結晶方位の影響を受けた結晶成長によりもたらされた構造を意味し、必ずしも配向多結晶焼結体の結晶方位に完全に倣って成長した構造であるとは限らず、配向多結晶焼結体と異なる結晶方位に成長する構造も含む。種結晶層の作製方法は特に限定されないが、MOCVD(有機金属気相成長法)、MBE(分子線エピタキシー法)、HVPE(ハライド気相成長法)、スパッタリング等の気相法、Naフラックス法、アモノサーマル法、水熱法、ゾルゲル法等の液相法、粉末の固相成長を利用した粉末法、及びこれらの組み合わせが好ましく例示される。例えば、MOCVD法による種結晶層の形成は、450〜550℃にて低温GaN層を20〜50nm堆積させた後に、1000〜1200℃にて厚さ2〜4μmのGaN膜を積層させることにより行うのが好ましい。
種結晶層上に、厚さ20μm以上の窒化ガリウム系結晶から構成される層を、種結晶層の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成する。窒化ガリウム系結晶から構成される層の形成方法は配向多結晶焼結体及び/又は種結晶層の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有する限り特に限定がなく、MOCVD、HVPE等の気相法、Naフラックス法、アモノサーマル法、水熱法、ゾルゲル法等の液相法、粉末の固相成長を利用した粉末法、及びこれらの組み合わせが好ましく例示されるが、Naフラックス法により行われるのが特に好ましい。Naフラックス法によれば結晶性の高い厚肉の窒化ガリウム結晶層を種結晶層上に効率良く作製できる。Naフラックス法による窒化ガリウム系結晶層の形成は、種結晶基板を設置した坩堝に金属Ga、金属Na及び所望によりドーパント(例えばゲルマニウム(Ge)、シリコン(Si)、酸素(O)等のn型ドーパント、又はベリリウム(Be)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)等のp型ドーパント)を含む融液組成物を充填し、窒素雰囲気中で830〜910℃、3.5〜4.5MPaまで昇温加圧した後、温度及び圧力を保持しつつ回転することにより行うのが好ましい。保持時間は目的の膜厚によって異なるが、10〜100時間程度としてもよい。また、こうしてNaフラックス法により得られた窒化ガリウム結晶を砥石で研削して板面を平坦にした後、ダイヤモンド砥粒を用いたラップ加工により板面を平滑化するのが好ましい。
配向多結晶焼結体を除去して、窒化ガリウム自立基板を得ることができる。配向多結晶焼結体を除去する方法は、特に限定されないが、研削加工、ケミカルエッチング、配向焼結体側からのレーザー照射による界面加熱(レーザーリフトオフ)、昇温時の熱膨張差を利用した自発剥離等が挙げられる。
上述した本発明による窒化ガリウム自立基板を用いて高品質の発光素子を作製することができる。本発明の窒化ガリウム自立基板を用いた発光素子の構造やその作製方法は特に限定されるものではない。典型的には、発光素子は、窒化ガリウム自立基板に発光機能層を設けることにより作製され、この発光機能層の形成は、窒化ガリウム基板の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように、略法線方向に単結晶構造を有する複数の半導体単結晶粒子で構成される層を一つ以上形成することに行われるのが好ましい。もっとも、窒化ガリウム自立基板を電極(p型電極又はn型電極でありうる)、p型層、n型層等の基材以外の部材又は層として利用して発光素子を作製してもよい。素子サイズに特に規定はなく、5mm×5mm以下の小素子としてもよいし、10cm×10cm以上の面発光素子としてもよい。
本発明の窒化ガリウム自立基板は、上述した発光素子のみならず、各種電子デバイス、パワーデバイス、受光素子、太陽電池用ウェハー等の種々の用途に好ましく利用することができる。
(1)c面配向アルミナ焼結体の作製
原料として、板状アルミナ粉末(キンセイマテック株式会社製、グレード00610)を用意した。板状アルミナ粒子100重量部に対し、バインダー(ポリビニルブチラール:品番BM−2、積水化学工業株式会社製)7重量部と、可塑剤(DOP:ジ(2−エチルヘキシル)フタレート、黒金化成株式会社製)3.5重量部と、分散剤(レオドールSP−O30、花王株式会社製)2重量部と、分散媒(2−エチルヘキサノール)を混合した。分散媒の量は、スラリー粘度が20000cPとなるように調整した。上記のようにして調製されたスラリーを、ドクターブレード法によって、PETフィルムの上に、乾燥後の厚さが20μmとなるように、シート状に成形した。得られたテープを口径50.8mm(2インチ)の円形に切断した後150枚積層し、厚さ10mmのAl板の上に載置した後、真空パックを行った。この真空パックを85℃の温水中で、100kgf/cm2の圧力にて静水圧プレスを行い、円盤状の成形体を得た。
(配向度の評価)
得られた配向アルミナ基板の配向度を確認するため、XRDにより本実験例における測定対象とする結晶面であるc面の配向度を測定した。XRD装置(株式会社リガク製、RINT−TTR III)を用い、配向アルミナ基板の板面に対してX線を照射したときの2θ=20〜70°の範囲でXRDプロファイルを測定した。c面配向度は、以下の式により算出した。この結果、本実験例におけるc面配向度の値は97%であった。
配向アルミナ基板の焼結体粒子について、板面の平均粒径を以下の方法により測定した。得られた配向アルミナ基板の板面を研磨し、1550℃で45分間サーマルエッチングを行った後、走査電子顕微鏡にて画像を撮影した。視野範囲は、得られる画像の対角線に直線を引いた場合に、いずれの直線も10個から30個の粒子と交わるような直線が引けるような視野範囲とした。得られた画像の対角線に引いた2本の直線において、直線が交わる全ての粒子に対し、個々の粒子の内側の線分の長さを平均したものに1.5を乗じた値を板面の平均粒径とした。この結果、板面の平均粒径は100μmであった。
(3a)種結晶層の成膜
次に、加工した配向アルミナ基板の上に、MOCVD法を用いて種結晶層を形成した。具体的には、530℃にて低温GaN層を40nm堆積させた後に、1050℃にて厚さ3μmのGaN膜を積層させて種結晶基板を得た。
上記工程で作製した種結晶基板を、内径80mm、高さ45mmの円筒平底のアルミナ坩堝の底部分に設置し、次いで融液組成物をグローブボックス内で坩堝内に充填した。融液組成物の組成は以下のとおりである。
・金属Ga:60g
・金属Na:60g
・四塩化ゲルマニウム:1.85g
ホール効果測定装置を用い、窒化ガリウム自立基板の面内の体積抵抗率を測定した。その結果、体積抵抗率は1×10−2Ω・cmであった。
窒化ガリウム自立基板の最表面におけるGaN単結晶粒子の断面平均径を測定するため、自立基板の表面を走査電子顕微鏡にて画像を撮影した。視野範囲は、得られる画像の対角線に直線を引いた場合に、10個から30個の柱状組織と交わるような直線が引けるような視野範囲とした。得られた画像の対角線に2本の直線を任意に引き、直線が交わる全ての粒子に対し、個々の粒子の内側の線分の長さを平均したものに1.5を乗じた値を、窒化ガリウム自立基板の最表面におけるGaN単結晶粒子の断面平均径とした。この結果、断面平均径は約100μmであった。なお、本例では表面の走査顕微鏡像で明瞭に界面を判別できたが、サーマルエッチングやケミカルエッチングによって界面を際立たせる処理を施した後に上記の評価を行ってもよい。
(4a)MOCVD法による発光機能層の成膜
MOCVD法を用いて、窒化ガリウム自立基板上にn型層として1050℃でSi原子濃度が5×1018/cm3になるようにドーピングしたn−GaN層を1μm堆積した。次に発光層として750℃で多重量子井戸層を堆積した。具体的にはInGaNによる2.5nmの井戸層を5層、GaNによる10nmの障壁層を6層にて交互に積層した。次にp型層として950℃でMg原子濃度が1×1019/cm3になるようにドーピングしたp−GaNを200nm堆積した。その後、MOCVD装置から取り出し、p型層のMgイオンの活性化処理として、窒素雰囲気中で800℃の熱処理を10分間行った。発光機能層の再表面における単結晶粒子の断面平均径を測定するため、発光機能層の表面を走査電子顕微鏡にて画像を撮影した。視野範囲は、得られる画像の対角線に直線を引いた場合に、10個から30個の柱状組織と交わるような直線が引けるような視野範囲とした。得られた画像の対角線に2本の直線を任意に引き、直線が交わる全ての粒子に対し、個々の粒子の内側の線分の長さを平均したものに1.5を乗じた値を、発光機能層の最表面における単結晶粒子の断面平均径とした。この結果、断面平均径は約100μmであった。
フォトリソグラフィープロセスと真空蒸着法とを用いて、窒化ガリウム自立基板のn−GaN層及びp−GaN層とは反対側の面にカソード電極としてのTi/Al/Ni/Au膜をそれぞれ15nm、70nm、12nm、60nmの厚みでパターニングした。その後、オーム性接触特性を良好なものとするために、窒素雰囲気中での700℃の熱処理を30秒間行った。さらに、フォトリソグラフィープロセスと真空蒸着法とを用いて、p型層に透光性アノード電極としてNi/Au膜をそれぞれ6nm、12nmの厚みにパターニングした。その後、オーム性接触特性を良好なものとするために窒素雰囲気中で500℃の熱処理を30秒間行った。さらに、フォトリソグラフィープロセスと真空蒸着法とを用いて、透光性アノード電極としてのNi/Au膜の上面の一部領域に、アノード電極パッドとなるNi/Au膜をそれぞれ5nm、60nmの厚みにパターニングした。こうして得られたウェハーを切断してチップ化し、さらにリードフレームに実装して、縦型構造の発光素子を得た。
カソード電極とアノード電極間に通電し、I−V測定を行ったところ、整流性が確認された。また、順方向の電流を流したところ、波長450nmの発光が確認された。
(1)Mgドープ窒化ガリウム自立基板の作製
例1の(1)〜(3)と同様の方法で配向アルミナ基板の上に厚さ3μmのGaN膜を積層させた種結晶基板を作製した。この種結晶基板上に、融液組成物を下記組成としたこと以外は例1の(3b)と同様にしてMgドープGaN膜を成膜した。
・金属Ga:60g
・金属Na:60g
・金属Mg:0.02g
(2a)MOCVD法によるp型層の成膜
MOCVD法を用いて、基板上にp型層として950℃でMg原子濃度が1×1019/cm3になるようにドーピングしたp−GaNを200nm堆積した。その後、MOCVD装置から取り出し、p型層のMgイオンの活性化処理として、窒素雰囲気中で800℃の熱処理を10分間行った。
(2b−1)RS−MBE法による種結晶層の成膜
RS−MBE(ラジカルソース分子線成長)装置にて、金属材料である亜鉛(Zn)とアルミニウム(Al)をクヌーセンセルで照射し、p型層上に供給した。ガス材料である酸素(O)は、RFラジカル発生装置にてそれぞれO2ガスを原料とし、酸素ラジカルとして供給した。各種原料の純度はZnが7N、O2が6Nのものを用いた。基板は抵抗加熱ヒーターを用いて700℃に加熱し、膜中のAl濃度が2×1018/cm3となり、ZnとO原子濃度の比が1対1となるように各種ガスソースのフラックスを制御しながら厚さ20nmのAlがドープされたn−ZnOからなる種結晶層を成膜した。
硝酸亜鉛を純水中に0.1Mとなるように溶解させて溶液Aとした。次に1Mのアンモニア水を準備し、溶液Bとした。次に硫酸アルミニウムを純水中に0.1Mとなるように溶解させて溶液Cとした。これらの溶液を容積比で、溶液A:溶液B:溶液C=1:1:0.01となるように混合及び撹拌して、育成用水溶液を得た。
フォトリソグラフィープロセスと真空蒸着法とを用いて、n型層にカソード電極としてTi/Al/Ni/Au膜をそれぞれ15nm、70nm、12nm、60nmの厚みでパターニングした。カソード電極のパターンは、電極が形成されていない箇所から光が取り出せるように開口部を有する形状とした。その後、オーム性接触特性を良好なものとするために、窒素雰囲気中での700℃の熱処理を30秒間行った。さらに、フォトリソグラフィープロセスと真空蒸着法とを用いて、窒化ガリウム自立基板のp−GaN層及びn−ZnO層とは反対側の面にアノード電極として、Ni/Au膜をそれぞれ50nm、100nmの厚みにパターニングした。その後、オーム性接触特性を良好なものとするために窒素雰囲気中で500℃の熱処理を30秒間行った。こうして得られたウェハーを切断してチップ化し、さらにリードフレームに実装して、縦型構造の発光素子を得た。
カソード電極とアノード電極間に通電し、I−V測定を行ったところ、整流性が確認された。また、順方向の電流を流したところ、波長約380nmの発光が確認された。
(1)Mgドープ窒化ガリウム自立基板を用いた発光素子の作製
(1a)RS−MBE法による活性層の成膜
例2の(1)及び(2a)と同様の方法でMgドープ窒化ガリウム自立基板を作製し、基板上にp型層としてp−GaNを200nm体積した。次にRS−MBE(ラジカルソース分子線成長)装置にて、金属材料である亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)をクヌーセンセルで照射し、p型層上に供給した。ガス材料である酸素(O)は、RFラジカル発生装置にてそれぞれO2ガスを原料とし、酸素ラジカルとして供給した。各種原料の純度はZn、Cdが7N、O2が6Nのものを用いた。基板は抵抗加熱ヒーターを用いて700℃に加熱し、Cd0.2Zn0.8O層となるように各種ガスソースのフラックスを制御しながら厚さ1.5nmの活性層を成膜した。
次にRFマグネトロンスパッタ法を用いて、活性層上にn型ZnO層を500nm成膜した。成膜にはAlが2重量部添加されたZnOターゲットを使用し、成膜条件は純Ar雰囲気、圧力0.5Pa、投入電力150W、成膜時間5分間とした。また、例1の(4a)と同様の方法を用いて発光機能層の断面平均径を評価した結果、発光機能層の板面の平均粒径は約100μmであった。
フォトリソグラフィープロセスと真空蒸着法とを用いて、n型層にカソード電極としてTi/Al/Ni/Au膜をそれぞれ15nm、70nm、12nm、60nmの厚みでパターニングした。カソード電極のパターンは、電極が形成されていない箇所から光が取り出せるように開口部を有する形状とした。その後、オーム性接触特性を良好なものとするために、窒素雰囲気中での700℃の熱処理を30秒間行った。さらに、フォトリソグラフィープロセスと真空蒸着法とを用いて、窒化ガリウム自立基板のp−GaN層及びn−ZnO層とは反対側の面にアノード電極として、Ni/Au膜をそれぞれ5nm、100nmの厚みにパターニングした。その後、オーム性接触特性を良好なものとするために窒素雰囲気中で500℃の熱処理を30秒間行った。こうして得られたウェハーを切断してチップ化し、さらにリードフレームに実装して、縦型構造の発光素子を得た。
カソード電極とアノード電極間に通電し、I−V測定を行ったところ、整流性が確認された。また、順方向の電流を流したところ、波長約400nmの発光が確認された。
(1)c面配向アルミナ焼結体の作製
例1の(1)と同様にして円盤状の成形体を得た。得られた成形体を脱脂炉中に配置し、600℃で10時間の条件で脱脂を行った。得られた脱脂体を黒鉛製の型を用い、ホットプレスにて窒素中1700℃で4時間、面圧200kgf/cm2の条件で焼成した。
例1の(3a)と同様にして配向アルミナ基板の上に厚さ3μmのGaN膜を積層させた種結晶基板を作製した。この種結晶基板上に、保持時間を20時間とした以外は例1の(3b)と同様にしてGeドープGaN膜を成膜した。得られた試料は、50.8mm(2インチ)の種結晶基板の全面上にGeドープ窒化ガリウム結晶が成長しており、結晶の厚さは約0.2mmであった。クラックは確認されなかった。
例1の(4a)と同様にして窒化ガリウム自立基板上に発光機能層を作製し、最表面における単結晶粒子の断面平均径を測定したところ、断面平均径は約50μmであった。また例1の(4b)と同様にして縦型の発光素子を作製した結果、カソード電極とアノード電極間のI−V測定より整流性が確認され、順方向の通電により波長450nmの発光が確認された。
(1)c面配向アルミナ焼結体の作製
原料として、板状アルミナ粉末(キンセイマテック株式会社製、グレード02025)、微細アルミナ粉末(大明化学工業株式会社製、グレードTM−DAR)、及び酸化マグネシウム粉末(宇部マテリアルズ株式会社、グレード500A)を用意し、板状アルミナ粉末5重量部、微細アルミナ粉末95重量部、酸化マグネシウム粉末0.025重量部を混合してアルミナ原料を得た。次に、アルミナ原料100重量部に対し、バインダー(ポリビニルブチラール:品番BM−2、積水化学工業株式会社製)8重量部と、可塑剤(DOP:ジ(2−エチルヘキシル)フタレート、黒金化成株式会社製)4重量部と、分散剤(レオドールSP−O30、花王株式会社製)2重量部と、分散媒(キシレンと1−ブタノールを重量比1:1で混合したもの)を混合した。分散媒の量は、スラリー粘度が20000cPとなるように調整した。上記のようにして調製されたスラリーを、ドクターブレード法によって、PETフィルムの上に、乾燥後の厚さが100μmとなるように、シート状に成形した。得られたテープを口径50.8mm(2インチ)の円形に切断した後30枚積層し、厚さ10mmのAl板の上に載置した後、真空パックを行った。この真空パックを85℃の温水中で、100kgf/cm2の圧力にて静水圧プレスを行い、円盤状の成形体を得た。
例1の(3a)と同様にして配向アルミナ基板の上に厚さ3μmのGaN膜を積層させた種結晶基板を作製した。この種結晶基板上に、保持時間を30時間とした以外は例1の(3b)と同様にしてGeドープGaN膜を成膜した。得られた試料は、50.8mm(2インチ)の種結晶基板の全面上にGeドープ窒化ガリウム結晶が成長しており、結晶の厚さは約0.3mmであった。クラックは確認されなかった。
例1の(4a)と同様にして窒化ガリウム自立基板上に発光機能層を作製し、最表面における単結晶粒子の断面平均径を測定したところ、断面平均径は約150μmであった。また例1の(4b)と同様にして縦型の発光素子を作製した結果、カソード電極とアノード電極間のI−V測定より整流性が確認され、順方向の通電により波長450nmの発光が確認された。
(1)Geドープ窒化ガリウム自立基板の作製
例5と同様にしてc面配向アルミナ基板を作製し、厚さ3μmのGaN膜を積層させた種結晶基板を作製した。この種結晶基板上に、保持時間を40時間とした以外は例1の(3b)と同様にしてGeドープGaN膜を成膜した。得られた試料は、50.8mm(2インチ)の種結晶基板の全面上にGeドープ窒化ガリウム結晶が成長しており、結晶の厚さは約0.4mmであった。クラックは確認されなかった。
例1の(4a)と同様にして窒化ガリウム自立基板上に発光機能層を作製し、最表面における単結晶粒子の断面平均径を測定したところ、断面平均径は約220μmであった。また例1の(4b)と同様にして縦型の発光素子を作製した結果、カソード電極とアノード電極間のI−V測定より整流性が確認され、順方向の通電により波長450nmの発光が確認された。発光輝度はある程度高かったが、例5の素子より低いことがわかった。
(1)c面配向アルミナ焼結体の作製
ホットプレスでの焼成温度を1750℃とした以外は例5と同様にしてc面配向アルミナ基板を作製した。このようにして得た焼結体をセラミックスの定盤に固定し、砥石を用いて#2000まで研削して板面を平坦にした。次いで、ダイヤモンド砥粒を用いたラップ加工により、板面を平滑化し、口径50.8mm(2インチ)、厚さ1mmの配向アルミナ焼結体を配向アルミナ基板として得た。砥粒のサイズを3μmから0.5μmまで段階的に小さくしつつ、平坦性を高めた。加工後の平均粗さRaは4nmであった。また、例1と同様の方法でc面配向度と板面の平均粒径を評価したところ、c面配向度は96%、平均粒径は14μmであった。
例1の(3a)と同様にして配向アルミナ基板の上に厚さ3μmのGaN膜を積層させた種結晶基板を作製した。この種結晶基板上に、保持時間を30時間とした以外は例1の(3b)と同様にしてGeドープGaN膜を成膜した。得られた試料は、50.8mm(2インチ)の種結晶基板の全面上にGeドープ窒化ガリウム結晶が成長しており、結晶の厚さは約0.3mmであった。クラックは確認されなかった。
例1の(4a)と同様にして窒化ガリウム自立基板上に発光機能層を作製し、最表面における単結晶粒子の断面平均径を測定した結果を表1に示す。また例1の(4b)と同様にして縦型の発光素子を作製した結果、いずれの試料もカソード電極とアノード電極間のI−V測定より整流性が確認され、順方向の通電により波長450nmの発光が確認された。発光輝度はいずれもある程度高かったが、例7−1>例7−2>例7−3>例7−4>例7−5の関係であった。
(1)c面配向アルミナ焼結体の作製
原料として、板状アルミナ粉末(キンセイマテック株式会社製、グレード02025)、微細アルミナ粉末(大明化学工業株式会社製、グレードTM−DAR)、フッ化アルミニウム(関東化学製)、及び酸化マグネシウム粉末(宇部マテリアルズ株式会社、グレード500A)を用意し、板状アルミナ粉末5重量部、微細アルミナ粉末95重量部、フッ化アルミニウム粉末0.05重量部、酸化マグネシウム粉末0.025重量部を混合してアルミナ原料を得た。次に、アルミナ原料100重量部に対し、バインダー(ポリビニルブチラール:品番BM−2、積水化学工業株式会社製)8重量部と、可塑剤(DOP:ジ(2−エチルヘキシル)フタレート、黒金化成株式会社製)4重量部と、分散剤(レオドールSP−O30、花王株式会社製)2重量部と、分散媒(キシレンと1−ブタノールを重量比1:1で混合したもの)を混合した。分散媒の量は、スラリー粘度が20000cPとなるように調整した。上記のようにして調製されたスラリーを、ドクターブレード法によって、PETフィルムの上に、乾燥後の厚さが100μmとなるように、シート状に成形した。得られたテープを口径50.8mm(2インチ)の円形に切断した後30枚積層し、厚さ10mmのAl板の上に載置した後、真空パックを行った。この真空パックを85℃の温水中で、100kgf/cm2の圧力にて静水圧プレスを行い、円盤状の成形体を得た。
例1の(3a)と同様にして配向アルミナ基板の上に厚さ3μmのGaN膜を積層させた種結晶基板を作製した。この種結晶基板上に、保持時間を30時間とした以外は例1の(3b)と同様にしてGeドープGaN膜を成膜した。得られた試料は、50.8mm(2インチ)の種結晶基板の全面上にGeドープ窒化ガリウム結晶が成長しており、結晶の厚さは約0.3mmであった。クラックは確認されなかった。
例1の(4a)と同様にして窒化ガリウム自立基板上に発光機能層を作製し、最表面における単結晶粒子の断面平均径を測定したところ、断面平均径は約80μmであった。また例1の(4b)と同様にして縦型の発光素子を作製した結果、カソード電極とアノード電極間のI−V測定より整流性が確認され、順方向の通電により波長450nmの発光が確認された。
(1)c面配向アルミナ焼結体の作製
フッ化アルミニウム粉末の量を0.02重量部とした以外は例8と同様にしてc面配向アルミナ基板を作製した。このようにして得た焼結体をセラミックスの定盤に固定し、砥石を用いて#2000まで研削して板面を平坦にした。次いで、ダイヤモンド砥粒を用いたラップ加工により、板面を平滑化し、口径50.8mm(2インチ)、厚さ1mmの配向アルミナ焼結体を配向アルミナ基板として得た。砥粒のサイズを3μmから0.5μmまで段階的に小さくしつつ、平坦性を高めた。加工後の平均粗さRaは4nmであった。また、例1と同様の方法でc面配向度と板面の平均粒径を評価したところ、c面配向度は94%、平均粒径は41μmであった。
例1の(3a)と同様にして配向アルミナ基板の上に厚さ3μmのGaN膜を積層させた種結晶基板を作製した。この種結晶基板上に、保持時間を30時間とした以外は例1の(3b)と同様にしてGeドープGaN膜を成膜した。得られた試料は、50.8mm(2インチ)の種結晶基板の全面上にGeドープ窒化ガリウム結晶が成長しており、結晶の厚さは約0.3mmであった。クラックは確認されなかった。
例1の(4a)と同様にして窒化ガリウム自立基板上に発光機能層を作製し、最表面における単結晶粒子の断面平均径を測定したところ、断面平均径は約81μmであった。また例1の(4b)と同様にして縦型の発光素子を作製した結果、カソード電極とアノード電極間のI−V測定より整流性が確認され、順方向の通電により波長450nmの発光が確認された。しかし、発光輝度はある程度高かったが、例8より弱いことがわかった。
(1)c面配向アルミナ焼結体の作製
原料として、板状アルミナ粉末(キンセイマテック株式会社製、グレード10030)、微細アルミナ粉末(大明化学工業株式会社製、グレードTM−DAR)、及び酸化マグネシウム粉末(宇部マテリアルズ株式会社、グレード500A)を用意し、板状アルミナ粉末5重量部、微細アルミナ粉末95重量部、酸化マグネシウム粉末0.025重量部を混合してアルミナ原料を得た。次に、アルミナ原料100重量部に対し、バインダー(ポリビニルブチラール:品番BM−2、積水化学工業株式会社製)8重量部と、可塑剤(DOP:ジ(2−エチルヘキシル)フタレート、黒金化成株式会社製)4重量部と、分散剤(レオドールSP−O30、花王株式会社製)2重量部と、分散媒(キシレンと1−ブタノールを重量比1:1で混合したもの)を混合した。分散媒の量は、スラリー粘度が20000cPとなるように調整した。上記のようにして調製されたスラリーを、ドクターブレード法によって、PETフィルムの上に、乾燥後の厚さが100μmとなるように、シート状に成形した。得られたテープを口径50.8mm(2インチ)の円形に切断した後30枚積層し、厚さ10mmのAl板の上に載置した後、真空パックを行った。この真空パックを85℃の温水中で、100kgf/cm2の圧力にて静水圧プレスを行い、円盤状の成形体を得た。
例1の(3a)と同様にして配向アルミナ基板の上に厚さ3μmのGaN膜を積層させた種結晶基板を作製した。この種結晶基板上に、保持時間を30時間とした以外は例1の(3b)と同様にしてGeドープGaN膜を成膜した。得られた試料は、50.8mm(2インチ)の種結晶基板の全面上にGeドープ窒化ガリウム結晶が成長しており、結晶の厚さは約0.3mmであった。クラックは確認されなかった。
例1の(4a)と同様にして窒化ガリウム自立基板上に発光機能層を作製し、最表面における単結晶粒子の断面平均径を測定したところ、断面平均径は約75μmであった。また例1の(4b)と同様にして縦型の発光素子を作製した結果、カソード電極とアノード電極間のI−V測定より整流性が確認され、順方向の通電により波長450nmの発光が確認された。但し、発光輝度はある程度高かったが、例8及び9より弱いことが分かった。
[項1]
略法線方向に単結晶構造を有する複数の窒化ガリウム系単結晶粒子で構成される板からなる、窒化ガリウム自立基板。
[項2]
前記基板の最表面における前記窒化ガリウム系単結晶粒子の断面平均径が0.3μm以上である、項1に記載の窒化ガリウム自立基板。
[項3]
前記断面平均径が3μm以上である、項2に記載の窒化ガリウム自立基板。
[項4]
前記断面平均径が20μm以上である、項2に記載の窒化ガリウム自立基板。
[項5]
20μm以上の厚さを有する、項1〜4のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
[項6]
直径100mm以上の大きさを有する、項1〜5のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
[項7]
前記窒化ガリウム系単結晶粒子が、略法線方向に概ね揃った結晶方位を有する、項1〜6のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
[項8]
前記窒化ガリウム系単結晶粒子がn型ドーパント又はp型ドーパントでドープされている、項1〜7のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
[項9]
前記窒化ガリウム系単結晶粒子がドーパントを含まない、項1〜7のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
[項10]
前記窒化ガリウム系単結晶粒子が混晶化されている、項1〜9のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
[項11]
前記窒化ガリウム自立基板の表面に露出している前記窒化ガリウム系単結晶粒子が、該窒化ガリウム自立基板の裏面に粒界を介さずに連通してなる、項1〜10のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
[項12]
窒化ガリウム自立基板の裏面に露出している窒化ガリウム系単結晶粒子の最表面における断面平均径DBに対する、窒化ガリウム自立基板の表面に露出している窒化ガリウム系単結晶粒子の最表面における断面平均径DTの比DT/DBが1.0よりも大きい、項1〜11のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
[項13]
前記窒化ガリウム自立基板の表面に露出している前記窒化ガリウム系単結晶粒子の最表面における断面平均径DTに対する、前記窒化ガリウム自立基板の厚さTの比として規定されるアスペクト比T/DTが0.7以上である、項1〜12のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
[項14]
項1〜13のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板と、
該基板上に形成され、略法線方向に単結晶構造を有する複数の半導体単結晶粒子で構成される層を一以上有する発光機能層と、
を備えた、発光素子。
[項15]
前記発光機能層の最表面における前記半導体単結晶粒子の断面平均径が0.3μm以上である、項14に記載の自立した発光素子。
[項16]
前記断面平均径が3μm以上である、項15に記載の発光素子。
[項17]
前記半導体単結晶粒子が、前記窒化ガリウム自立基板の結晶方位に概ね倣って成長した構造を有する、項14〜16のいずれか一項に記載の発光素子。
[項18]
前記発光機能層が窒化ガリウム系材料で構成される、項14〜17のいずれか一項に記載の発光素子。
[項19]
配向多結晶焼結体を用意する工程と、
前記配向多結晶焼結体上に、窒化ガリウムからなる種結晶層を、前記配向多結晶焼結体の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成する工程と、
前記種結晶層上に、厚さ20μm以上の窒化ガリウム系結晶から構成される層を、前記種結晶層の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成する工程と、
前記配向多結晶焼結体を除去して、窒化ガリウム自立基板を得る工程と、
を含む、窒化ガリウム自立基板の製造方法。
[項20]
前記配向多結晶焼結体が配向多結晶アルミナ焼結体である、項19に記載の方法。
[項21]
前記配向多結晶焼結体を構成する粒子の板面における平均粒径が0.3〜1000μmである、項19又は20に記載の方法。
[項22]
前記窒化ガリウム系結晶から構成される層の形成がNaフラックス法により行われる、項19〜21のいずれか一項に記載の方法。
[項23]
前記配向多結晶焼結体が透光性を有する、項19〜22のいずれか一項に記載の方法。
[項24]
項1〜13のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板を用意する、又は項19〜23のいずれか一項に記載の方法により前記窒化ガリウム自立基板を用意する工程と、
前記窒化ガリウム自立基板に、前記窒化ガリウム基板の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように、略法線方向に単結晶構造を有する複数の半導体単結晶粒子で構成される層を一つ以上形成して発光機能層を設ける工程と、
を含む、発光素子の製造方法。
[項25]
前記発光機能層が窒化ガリウム系材料で構成される、項24に記載の方法。
Claims (25)
- 略法線方向に単結晶構造を有する複数の窒化ガリウム系単結晶粒子で構成される板からなる窒化ガリウム自立基板であって、前記窒化ガリウム自立基板の表面に露出している前記窒化ガリウム系単結晶粒子の最表面における断面平均径DTに対する、前記窒化ガリウム自立基板の厚さTの比として規定されるアスペクト比T/DTが0.7以上である、窒化ガリウム自立基板。
- 前記基板の最表面における前記窒化ガリウム系単結晶粒子の断面平均径が0.3μm以上である、請求項1に記載の窒化ガリウム自立基板。
- 前記断面平均径が3μm以上である、請求項2に記載の窒化ガリウム自立基板。
- 前記断面平均径が20μm以上である、請求項2に記載の窒化ガリウム自立基板。
- 20μm以上の厚さを有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
- 直径100mm以上の大きさを有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
- 前記窒化ガリウム系単結晶粒子が、略法線方向に概ね揃った結晶方位を有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
- 前記窒化ガリウム系単結晶粒子がn型ドーパント又はp型ドーパントでドープされている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
- 前記窒化ガリウム系単結晶粒子がドーパントを含まない、請求項1〜7のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
- 前記窒化ガリウム系単結晶粒子が混晶化されている、請求項1〜9のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
- 前記窒化ガリウム自立基板の表面に露出している前記窒化ガリウム系単結晶粒子が、該窒化ガリウム自立基板の裏面に粒界を介さずに連通してなる、請求項1〜10のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
- 窒化ガリウム自立基板の裏面に露出している窒化ガリウム系単結晶粒子の最表面における断面平均径DBに対する、窒化ガリウム自立基板の表面に露出している窒化ガリウム系単結晶粒子の最表面における断面平均径DTの比DT/DBが1.0よりも大きい、請求項1〜11のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
- 前記アスペクト比T/DTが1.0以上である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板。
- 請求項1〜13のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板と、
該基板上に形成され、略法線方向に単結晶構造を有する複数の半導体単結晶粒子で構成される層を一以上有する発光機能層と、を備えた、発光素子。 - 前記発光機能層の最表面における前記半導体単結晶粒子の断面平均径が0.3μm以上である、請求項14に記載の自立した発光素子。
- 前記断面平均径が3μm以上である、請求項15に記載の発光素子。
- 前記半導体単結晶粒子が、前記窒化ガリウム自立基板の結晶方位に概ね倣って成長した構造を有する、請求項14〜16のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記発光機能層が窒化ガリウム系材料で構成される、請求項14〜17のいずれか一項に記載の発光素子。
- 配向多結晶焼結体を用意する工程と、
前記配向多結晶焼結体上に、窒化ガリウムからなる種結晶層を、前記配向多結晶焼結体の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成する工程と、
前記種結晶層上に、厚さ20μm以上の窒化ガリウム系結晶から構成される層を、前記種結晶層の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように形成する工程と、
前記配向多結晶焼結体を除去して、窒化ガリウム自立基板を得る工程であって、前記窒化ガリウム自立基板の表面に露出している窒化ガリウム系単結晶粒子の最表面における断面平均径DTに対する、前記窒化ガリウム自立基板の厚さTの比として規定されるアスペクト比T/DTが0.7以上である工程と、
を含む、窒化ガリウム自立基板の製造方法。 - 前記配向多結晶焼結体が配向多結晶アルミナ焼結体である、請求項19に記載の方法。
- 前記配向多結晶焼結体を構成する粒子の板面における平均粒径が0.3〜1000μmである、請求項19又は20に記載の方法。
- 前記窒化ガリウム系結晶から構成される層の形成がNaフラックス法により行われる、請求項19〜21のいずれか一項に記載の方法。
- 前記配向多結晶焼結体が透光性を有する、請求項19〜22のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1〜13のいずれか一項に記載の窒化ガリウム自立基板を用意する、又は請求項19〜23のいずれか一項に記載の方法により前記窒化ガリウム自立基板を用意する工程と、
前記窒化ガリウム自立基板に、前記窒化ガリウム基板の結晶方位に概ね倣った結晶方位を有するように、略法線方向に単結晶構造を有する複数の半導体単結晶粒子で構成される層を一つ以上形成して発光機能層を設ける工程と、
を含む、発光素子の製造方法。 - 前記発光機能層が窒化ガリウム系材料で構成される、請求項24に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015126714A JP2016001738A (ja) | 2013-12-18 | 2015-06-24 | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013260868 | 2013-12-18 | ||
JP2013260868 | 2013-12-18 | ||
JP2014071342 | 2014-03-31 | ||
JP2014071342 | 2014-03-31 | ||
PCT/JP2014/064388 WO2014192911A1 (ja) | 2013-05-31 | 2014-05-30 | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 |
WOPCT/JP2014/064388 | 2014-05-30 | ||
JP2015126714A JP2016001738A (ja) | 2013-12-18 | 2015-06-24 | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014199217A Division JP5770905B1 (ja) | 2013-12-18 | 2014-09-29 | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016001738A true JP2016001738A (ja) | 2016-01-07 |
JP2016001738A5 JP2016001738A5 (ja) | 2017-10-26 |
Family
ID=54187194
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014199217A Active JP5770905B1 (ja) | 2013-12-18 | 2014-09-29 | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 |
JP2015126714A Pending JP2016001738A (ja) | 2013-12-18 | 2015-06-24 | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014199217A Active JP5770905B1 (ja) | 2013-12-18 | 2014-09-29 | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5770905B1 (ja) |
TW (2) | TWI662163B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2015093335A1 (ja) * | 2013-12-18 | 2017-03-16 | 日本碍子株式会社 | 発光素子用複合基板及びその製造方法 |
CN111607825A (zh) * | 2020-06-02 | 2020-09-01 | 无锡吴越半导体有限公司 | 衬底、基于所述衬底的自支撑GaN单晶及其制备方法 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107208312B (zh) | 2015-01-29 | 2019-10-01 | 日本碍子株式会社 | 自立基板、功能元件及其制造方法 |
WO2017057271A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル成長用配向アルミナ基板 |
JP6681406B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-04-15 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル成長用配向アルミナ基板 |
WO2017086026A1 (ja) | 2015-11-16 | 2017-05-26 | 日本碍子株式会社 | 配向焼結体の製法 |
JP6688109B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2020-04-28 | 日本碍子株式会社 | 面発光素子、外部共振器型垂直面発光レーザー、および面発光素子の製造方法 |
JP6648253B2 (ja) | 2016-02-25 | 2020-02-14 | 日本碍子株式会社 | 多結晶窒化ガリウム自立基板及びそれを用いた発光素子 |
WO2017169622A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 日本碍子株式会社 | 自立基板および積層体 |
JP6639317B2 (ja) * | 2016-04-21 | 2020-02-05 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物結晶の製造方法および種結晶基板 |
JP6846913B2 (ja) * | 2016-11-11 | 2021-03-24 | 日本碍子株式会社 | 広波長域発光素子および広波長域発光素子の作製方法 |
TWI621249B (zh) | 2017-03-27 | 2018-04-11 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 微型發光二極體及顯示面板 |
TWI632673B (zh) * | 2017-07-11 | 2018-08-11 | 錼創科技股份有限公司 | 微型發光元件與顯示裝置 |
CN111052414B (zh) | 2017-08-24 | 2023-07-21 | 日本碍子株式会社 | 13族元素氮化物层、自立基板以及功能元件 |
US11309455B2 (en) | 2017-08-24 | 2022-04-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Group 13 element nitride layer, free-standing substrate and functional element |
DE112017007796B4 (de) | 2017-08-24 | 2023-09-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Schichten eines Kristalls aus einem Nitrid eines Elements der Gruppe 13, selbsttragende Substrate, funktionelle Vorrichtungen und Verbundsubstrate |
WO2019039246A1 (ja) | 2017-08-24 | 2019-02-28 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 |
JP7185123B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2022-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部材及び発光装置 |
JP7147644B2 (ja) * | 2019-03-18 | 2022-10-05 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体の製造方法 |
CN114651092B (zh) * | 2019-11-21 | 2024-08-23 | 日本碍子株式会社 | 13族元素氮化物结晶层、自立基板及功能元件 |
CN116364819B (zh) * | 2023-05-31 | 2023-12-15 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、led |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0927636A (ja) * | 1995-07-12 | 1997-01-28 | Toshiba Corp | 化合物半導体装置及び化合物半導体発光装置 |
JP2004359495A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル膜用アルミナ基板 |
JP2009004569A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物系半導体発光素子 |
JP2009073710A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | 窒化ガリウム基板の製造方法、および窒化ガリウム基板ならびに半導体装置 |
WO2009044638A1 (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaNエピタキシャル基板、半導体デバイス、GaNエピタキシャル基板及び半導体デバイスの製造方法 |
US20110147772A1 (en) * | 2009-12-16 | 2011-06-23 | Micron Technology, Inc. | Gallium nitride wafer substrate for solid state lighting devices, and associated systems and methods |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3864870B2 (ja) * | 2001-09-19 | 2007-01-10 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法 |
US7221037B2 (en) * | 2003-01-20 | 2007-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device |
-
2014
- 2014-09-29 JP JP2014199217A patent/JP5770905B1/ja active Active
-
2015
- 2015-06-24 JP JP2015126714A patent/JP2016001738A/ja active Pending
- 2015-06-25 TW TW105136228A patent/TWI662163B/zh active
- 2015-06-25 TW TW104120459A patent/TW201627544A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0927636A (ja) * | 1995-07-12 | 1997-01-28 | Toshiba Corp | 化合物半導体装置及び化合物半導体発光装置 |
JP2004359495A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル膜用アルミナ基板 |
JP2009004569A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物系半導体発光素子 |
JP2009073710A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | 窒化ガリウム基板の製造方法、および窒化ガリウム基板ならびに半導体装置 |
WO2009044638A1 (ja) * | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaNエピタキシャル基板、半導体デバイス、GaNエピタキシャル基板及び半導体デバイスの製造方法 |
US20110147772A1 (en) * | 2009-12-16 | 2011-06-23 | Micron Technology, Inc. | Gallium nitride wafer substrate for solid state lighting devices, and associated systems and methods |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2015093335A1 (ja) * | 2013-12-18 | 2017-03-16 | 日本碍子株式会社 | 発光素子用複合基板及びその製造方法 |
CN111607825A (zh) * | 2020-06-02 | 2020-09-01 | 无锡吴越半导体有限公司 | 衬底、基于所述衬底的自支撑GaN单晶及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI662163B (zh) | 2019-06-11 |
TWI563133B (ja) | 2016-12-21 |
TW201627544A (zh) | 2016-08-01 |
JP5770905B1 (ja) | 2015-08-26 |
JP2015199635A (ja) | 2015-11-12 |
TW201708635A (zh) | 2017-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5770905B1 (ja) | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 | |
US9548418B2 (en) | Gallium nitride self-supported substrate, light-emitting device and manufacturing method therefor | |
JP6474734B2 (ja) | 発光素子用複合基板及びその製造方法 | |
JP6480398B2 (ja) | 多結晶窒化ガリウム自立基板及びそれを用いた発光素子 | |
WO2014192911A1 (ja) | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 | |
JP6868606B2 (ja) | 多結晶13族元素窒化物からなる自立基板及びそれを用いた発光素子 | |
US10707373B2 (en) | Polycrystalline gallium nitride self-supported substrate and light emitting element using same | |
KR102172356B1 (ko) | 질화갈륨 자립 기판, 발광 소자 및 이들의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170912 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180815 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181002 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190308 |