JP2004359495A - エピタキシャル膜用アルミナ基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】エピタキシャル膜を形成する下地として適した多結晶アルミナを提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜を形成するための下地として使用可能なエピタキシャル膜用アルミナ基板1を提供する。基板1のX線回折測定による全軸配向度が50%以上である。
【選択図】 図1
【解決手段】エピタキシャル膜を形成するための下地として使用可能なエピタキシャル膜用アルミナ基板1を提供する。基板1のX線回折測定による全軸配向度が50%以上である。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エピタキシャル膜を形成するための下地として使用可能なアルミナ基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、様々な色の発光ダイオード(LED)の需要が増大している。LEDとしては、これまで、GaAs系、AlGaAs系、GaP系、GaAsP系、InGaAlP系などで、赤色から黄緑色までのLEDが実用化され、特に表示用として様々な用途に用いられてきた。近年、GaN系において青色、緑色のLEDが実現されたことから、LEDでほぼ全色がでそろい、全ての色で表示ができるようになった他、フルカラーディスプレイも実現できるようになった。例えば特許文献1では、サファイア基板上にGaN膜をエピタキシャル成長させる。
【特許文献1】
特開平5−63236号公報
【0003】特許文献2には、直線透過率が高い高圧放電灯用のアルミナ多結晶体が記載されている。この多結晶体は、三斜晶、単斜晶、斜方晶、正方晶、三方晶又は六方晶の結晶構造を有しており、結晶の平均粒径が5μm以上、50μm以下であり、直線透過率が8%以上である。
【特許文献2】
特開2002−293609号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、GaNなどの半導体膜をエピタキシャル成長させるための基板として、サファイア基板の代わりに多結晶アルミナ基板を使用することを検討した。エピタキシャル膜に適した多結晶アルミナ基板は従来検討されてきていない。
【0005】本発明の課題は、エピタキシャル膜を形成する下地として適した多結晶アルミナ基板を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、エピタキシャル膜を形成するための下地として使用可能なアルミナ基板であって、基板の全軸配向度が50%以上であることを特徴とする。
【0007】本発明者は、このような全軸配向度を有する多結晶アルミナ基板であれば、エピタキシャル膜成長が可能であることを見いだし、本発明に到達した。
【0008】多結晶アルミナ基板の全軸配向度について、図1に示すような多結晶アルミナ基板1を参照しつつ説明する。
(1) 無配向の多結晶アルミナ(α−アルミナ)のX線回折チャートを得、A軸、B軸、C軸の各ピーク強度を基準値として得る。各ピーク強度をI(A:無配向)、I(B:無配向)、I(C:無配向)とする。
(2) 次に、多結晶アルミナ平板からなる試料1を準備する(図1参照)。この基板1の主面1cはC軸配向しているものとする。この主面1cに向かって矢印CのようにX線を照射し、X線回折チャートを得る。この際、A軸、B軸、C軸の各ピーク強度を、I(A:C面)、I(B:C面)、I(C:C面)とする。
試料1において、C面配向が進めば進むほど、C軸ピーク強度I(C:C面)が大きくなり、A、B両軸ピーク強度I(A:C面)、I(B:C面)は同様の比率で低下する。
(3) また、試料のC面1cとは略垂直な面1aに向かって矢印AのようにX線を照射し、X線回折チャートを得る。この際、A軸、B軸、C軸の各ピーク強度を、I(A:A面)、I(B:A面)、I(C:A面)とする。
試料1のa面においては、A軸ピーク強度I(A:A面)がI(A:C面)よりも大きくなり、B軸、C軸ピーク強度I(B:A面)、I(C:A面)がI(B:C面)、I(C:C面)に比べて低下するはずである。
(4) 完全配向時は、C面1aではA、B軸ピーク強度I(A:C面)、I(B:C面)は0となる。また、完全配向時は、A面1aでは、B軸、C軸ピーク強度I(B:A面)、I(C:A面)は0となる。
(5) C面1cでのA軸ピーク強度I(A:C面)の無配向時のピーク強度に対する比率I(A:C面)/I(A:無配向)を百分率比として算出する。
C面配向度は、以下の式により算出される。
C面配向度(%)=100(1−I(A:C面)/I(A:無配向))
例えばC面配向平面1cでのA軸ピーク強度I(A:C面)の無配向時のピーク強度に対する比率I(A:C面)/I(A:無配向)が30%である場合には、C面配向度は100−30=70%である。
(6) また、A面配向度は、以下の式により算出される。
A面配向平面1aでのB軸ピーク強度I(B:A面)の無配向時のピーク強度に対する比率I(B:A面)/I(B:無配向)を百分率比として算出する。
A面配向度は、以下の式により算出される。
A面配向度(%)=100(1−I(B:A面)/I(B:無配向))
例えばA面配向平面1aでのB軸ピーク強度I(B:A面)の無配向時のピーク強度に対する比率I(B:A面)/I(A:無配向)が50%である場合には、A面配向度は100−50=50%である。
(7) A面配向度(%)とC面配向度(%)とのうち低い方の値を全軸配向度とする。
上述の例では、C面配向度=70%であり、A面配向度=50%である。従って、全軸配向度は50%である。
X線回折チャートは、以下の条件で測定する。
CuKα、50kV、300mA 、2 θ=10〜70°
回転対陰極型X 線回折装置「理学電機製「RINT」」
【0009】
【発明の実施の形態】図2は、本発明によるアルミナ多結晶体の製造工程のフローチャートである。まず、α−アルミナ粉末に対して、適当な助剤や添加剤を添加し、混練物を得る。この際、助剤としては、MgO、ZrO2、希土類酸化物を例示できる。また、添加剤としては、例えばポリカルボン酸アンモニウムなどの分散剤を例示できる。これらの混合物をポットミルなどで解砕、混合する。次いで、混合物を混練し、例えば押し出し成形用のスラリーを得る。
【0010】この際、原料混合物中には、アルミナ源として、平板状のアルミナ粒子2(図3参照)を添加することが好ましい。この粒子2の最長辺の長さをxまたはyとし、厚さをzとしたとき、粒子の配向を促進する上で、x(またはy)/zは、10以上であることが好ましく、20以上であることが更に好ましい。
【0011】押し出し成形時には、図2に示すように、混練物を複数回スリットに通すことが、アルミナ粒子の配向を促進するという観点から好ましい。この際には、一度目に通すスリットの開口の向きと、二度目に通すスリットの開口の向きとが異なることが好ましく、略垂直であることが一層好ましい。
【0012】例えば、一回目に通すスリットは、図4(a)に示すスリット3のように、略水平方向に伸びる多数の開口3aを設けた形状とする。また、二回目に通すスリットは、図4(b)に示すスリット4のように、略垂直方向に伸びる多数の開口4aを設けた形状とする。一回目にスリット4を通し、二回目にスリット3を通すこともできる。
【0013】次いで、成形体を場合によってはスライスし、脱脂または仮焼し、焼結する。脱脂または仮焼時の条件は特に限定されない。
焼結工程においては、アルミナ成形体表面領域の助剤、例えばMgOの蒸発を促進することによって、アルミナ粒子の粒成長を促進し、特に基板の表面領域において、単結晶部分の面積を増大させることができる。
【0014】具体的には、連続還元雰囲気炉(H2:N2=60〜40:100〜0:mol比)において、焼成する際、成形体の製品間隔を60mm以上とすることで、成形体表面上のMgO蒸気分圧を下げ、MgOの蒸発を促進することができる。これによって、例えば、焼結体表面において、1cm2当りの表面粒子数を2個程度とできる。
【0015】焼成温度は特に限定されないが、通常は1700〜1950℃である。
【0016】多結晶アルミナ基板上のエピタキシャル膜の形成方法は限定されない。例えば、エピタキシャル膜は、有機金属気相成長法(MOCVD法)、Hydride Vapor Phase Epitaxy法 (HVPE法)などのCVD成長方法や分子線エピタキシー法(MBE法)によって成膜できる。
【0017】また、エピタキシャル膜の材質としてはGaN、InGaNを例示できる。
【0018】
【実施例】(実施例1)
図2に示すフローチャートに従い、多結晶アルミナ基板を製造した。ただし、高純度で配向した平板状のアルミナ粒子2(図3参照:最長部の平均粒径5μm)30重量%、および通常の粒形状で平均粒径0.6μmのアルミナ粒子70重量%を配合し、酸化マグネシウム750ppm、メチルセルロース4重量%、ポリエチレンオキサイド2重量%、ステアリン酸5重量%、水23重量%を混合し、混合物をニーダーで20分混練する。
【0019】この混合物を押出成形装置に圧入し、最初に図4(a)に示すようなスリット3に通した。スリット3においては、開口3aは略水平方向に伸びており、開口のピッチP1は2mmであり、各開口3aの幅T1は1mmである。そして、スリット3の寸法は、幅10cm、高さ10cm、長さ10cmであった。スリット数は50であり、開口部面積50cm2であった。
【0020】次いで、混練物を長さ5cmのジョイントに通し、図4(b)に示すスリット4に通す。スリット4においては、開口4aは略垂直方向に伸びており、開口のピッチP2は2mmであり、各開口4aの幅T2は1mmである。そして、スリット4の寸法は、幅10cm、高さ10cm、長さ10cmであった。スリット数は50であり、開口部面積は50cm2であった。
【0021】次いで、この混練物を押し出し、適宜スライス等行い、幅9cm×厚さ1mmのシート状成形体を得る。この成形体を1200℃で脱脂し、還元性雰囲気(H2:N2=75:25:mol比)で1850℃で4時間焼成し、多結晶アルミナを得る。
【0022】ここで、図3において、x:y:z=1:0.3:0.03とした。また、得られた基板の全軸配向度は90%であった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜可能であった。
【0023】(実施例2)
実施例1と同様にして多結晶アルミナ基板1を製造した。ただし、図3において、x:y:z=1:0.1:0.03とした。また、得られた基板の全軸配向度は50%であった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜可能であった。
【0024】(実施例3)
実施例1と同様にして多結晶アルミナ基板1を製造した。ただし、図3において、x:y:z=1:0.6:0.03とした。また、得られた基板の全軸配向度は70%であった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜可能であった。
【0025】(比較例1)
実施例1と同様にして多結晶アルミナ基板1を製造した。ただし、図3において、x:y:z=1:0.3:0.07とした。また、得られた基板の全軸配向度は40%であった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜することはできなかった。
【0026】(比較例2)
実施例1と同様にして多結晶アルミナ基板1を製造した。ただし、図3において、x:y:z=1:0.1:0.0006とした。また、得られた基板の全軸配向度は40%であった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜することはできなかった。
【0027】(実施例5)
高純度で配向した平板状のアルミナ粒子2(図3参照:最長部の平均粒径5μm)30重量%、および通常の粒形状で平均粒径0.6μmのアルミナ粒子70重量%とを配合し、酸化マグネシウム750ppm、メチルセルロース4重量%、ポリエチレンオキサイド2重量%、ステアリン酸5重量%、水を23重量%混合し、混合物をニーダーで20分混練する。
【0028】この混合物を押出成形装置に圧入し、図4(a)に示すようなスリット3に通す。スリット3においては、開口3aは略水平方向に伸びており、開口のピッチP1は2mmであり、各開口3aの幅T1は1mmである。そして、スリット3の寸法は、幅10cm、高さ10cm、長さ10cmであった。スリット数は50であり、開口部面積50cm2である。
【0029】次いで、この混練物を押し出し、幅9cm×厚さ1mmのシート状成形体を得る。この成形体を1200℃で脱脂し、還元性雰囲気(H2:N2=25:75:mol比)で1850℃で4時間焼成し、多結晶アルミナ基板1を得る。
【0030】ここで、図3において、x:y:z=1:0.3:0.03とした。また、得られた基板の全軸配向度は70%であった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜可能であった。
【0031】(比較例3)
実施例5と同様にして多結晶アルミナ基板を製造した。ただし、混練物をスリットに通さなかった。また、x:y:z=0.3:0.03とした。得られた基板の全軸配向度は20%となった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜することはできなかった。
【0032】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、エピタキシャル膜を形成する下地として適した多結晶アルミナを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】多結晶アルミナ基板1を示す正面図である。
【図2】多結晶アルミナ1の製造プロセス例を示すフローチャートである。
【図3】原料の平板状アルミナ粒子を模式的に示す斜視図である。
【図4】(a)、(b)は、それぞれ、押し出し形成時に使用可能なスリット3、4のパターン例を示す正面図である。
【符号の説明】1 多結晶アルミナ基板 1a A面 1c C面
2 原料となる平板状アルミナ粒子 3、4 スリット
【発明の属する技術分野】本発明は、エピタキシャル膜を形成するための下地として使用可能なアルミナ基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、様々な色の発光ダイオード(LED)の需要が増大している。LEDとしては、これまで、GaAs系、AlGaAs系、GaP系、GaAsP系、InGaAlP系などで、赤色から黄緑色までのLEDが実用化され、特に表示用として様々な用途に用いられてきた。近年、GaN系において青色、緑色のLEDが実現されたことから、LEDでほぼ全色がでそろい、全ての色で表示ができるようになった他、フルカラーディスプレイも実現できるようになった。例えば特許文献1では、サファイア基板上にGaN膜をエピタキシャル成長させる。
【特許文献1】
特開平5−63236号公報
【0003】特許文献2には、直線透過率が高い高圧放電灯用のアルミナ多結晶体が記載されている。この多結晶体は、三斜晶、単斜晶、斜方晶、正方晶、三方晶又は六方晶の結晶構造を有しており、結晶の平均粒径が5μm以上、50μm以下であり、直線透過率が8%以上である。
【特許文献2】
特開2002−293609号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、GaNなどの半導体膜をエピタキシャル成長させるための基板として、サファイア基板の代わりに多結晶アルミナ基板を使用することを検討した。エピタキシャル膜に適した多結晶アルミナ基板は従来検討されてきていない。
【0005】本発明の課題は、エピタキシャル膜を形成する下地として適した多結晶アルミナ基板を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、エピタキシャル膜を形成するための下地として使用可能なアルミナ基板であって、基板の全軸配向度が50%以上であることを特徴とする。
【0007】本発明者は、このような全軸配向度を有する多結晶アルミナ基板であれば、エピタキシャル膜成長が可能であることを見いだし、本発明に到達した。
【0008】多結晶アルミナ基板の全軸配向度について、図1に示すような多結晶アルミナ基板1を参照しつつ説明する。
(1) 無配向の多結晶アルミナ(α−アルミナ)のX線回折チャートを得、A軸、B軸、C軸の各ピーク強度を基準値として得る。各ピーク強度をI(A:無配向)、I(B:無配向)、I(C:無配向)とする。
(2) 次に、多結晶アルミナ平板からなる試料1を準備する(図1参照)。この基板1の主面1cはC軸配向しているものとする。この主面1cに向かって矢印CのようにX線を照射し、X線回折チャートを得る。この際、A軸、B軸、C軸の各ピーク強度を、I(A:C面)、I(B:C面)、I(C:C面)とする。
試料1において、C面配向が進めば進むほど、C軸ピーク強度I(C:C面)が大きくなり、A、B両軸ピーク強度I(A:C面)、I(B:C面)は同様の比率で低下する。
(3) また、試料のC面1cとは略垂直な面1aに向かって矢印AのようにX線を照射し、X線回折チャートを得る。この際、A軸、B軸、C軸の各ピーク強度を、I(A:A面)、I(B:A面)、I(C:A面)とする。
試料1のa面においては、A軸ピーク強度I(A:A面)がI(A:C面)よりも大きくなり、B軸、C軸ピーク強度I(B:A面)、I(C:A面)がI(B:C面)、I(C:C面)に比べて低下するはずである。
(4) 完全配向時は、C面1aではA、B軸ピーク強度I(A:C面)、I(B:C面)は0となる。また、完全配向時は、A面1aでは、B軸、C軸ピーク強度I(B:A面)、I(C:A面)は0となる。
(5) C面1cでのA軸ピーク強度I(A:C面)の無配向時のピーク強度に対する比率I(A:C面)/I(A:無配向)を百分率比として算出する。
C面配向度は、以下の式により算出される。
C面配向度(%)=100(1−I(A:C面)/I(A:無配向))
例えばC面配向平面1cでのA軸ピーク強度I(A:C面)の無配向時のピーク強度に対する比率I(A:C面)/I(A:無配向)が30%である場合には、C面配向度は100−30=70%である。
(6) また、A面配向度は、以下の式により算出される。
A面配向平面1aでのB軸ピーク強度I(B:A面)の無配向時のピーク強度に対する比率I(B:A面)/I(B:無配向)を百分率比として算出する。
A面配向度は、以下の式により算出される。
A面配向度(%)=100(1−I(B:A面)/I(B:無配向))
例えばA面配向平面1aでのB軸ピーク強度I(B:A面)の無配向時のピーク強度に対する比率I(B:A面)/I(A:無配向)が50%である場合には、A面配向度は100−50=50%である。
(7) A面配向度(%)とC面配向度(%)とのうち低い方の値を全軸配向度とする。
上述の例では、C面配向度=70%であり、A面配向度=50%である。従って、全軸配向度は50%である。
X線回折チャートは、以下の条件で測定する。
CuKα、50kV、300mA 、2 θ=10〜70°
回転対陰極型X 線回折装置「理学電機製「RINT」」
【0009】
【発明の実施の形態】図2は、本発明によるアルミナ多結晶体の製造工程のフローチャートである。まず、α−アルミナ粉末に対して、適当な助剤や添加剤を添加し、混練物を得る。この際、助剤としては、MgO、ZrO2、希土類酸化物を例示できる。また、添加剤としては、例えばポリカルボン酸アンモニウムなどの分散剤を例示できる。これらの混合物をポットミルなどで解砕、混合する。次いで、混合物を混練し、例えば押し出し成形用のスラリーを得る。
【0010】この際、原料混合物中には、アルミナ源として、平板状のアルミナ粒子2(図3参照)を添加することが好ましい。この粒子2の最長辺の長さをxまたはyとし、厚さをzとしたとき、粒子の配向を促進する上で、x(またはy)/zは、10以上であることが好ましく、20以上であることが更に好ましい。
【0011】押し出し成形時には、図2に示すように、混練物を複数回スリットに通すことが、アルミナ粒子の配向を促進するという観点から好ましい。この際には、一度目に通すスリットの開口の向きと、二度目に通すスリットの開口の向きとが異なることが好ましく、略垂直であることが一層好ましい。
【0012】例えば、一回目に通すスリットは、図4(a)に示すスリット3のように、略水平方向に伸びる多数の開口3aを設けた形状とする。また、二回目に通すスリットは、図4(b)に示すスリット4のように、略垂直方向に伸びる多数の開口4aを設けた形状とする。一回目にスリット4を通し、二回目にスリット3を通すこともできる。
【0013】次いで、成形体を場合によってはスライスし、脱脂または仮焼し、焼結する。脱脂または仮焼時の条件は特に限定されない。
焼結工程においては、アルミナ成形体表面領域の助剤、例えばMgOの蒸発を促進することによって、アルミナ粒子の粒成長を促進し、特に基板の表面領域において、単結晶部分の面積を増大させることができる。
【0014】具体的には、連続還元雰囲気炉(H2:N2=60〜40:100〜0:mol比)において、焼成する際、成形体の製品間隔を60mm以上とすることで、成形体表面上のMgO蒸気分圧を下げ、MgOの蒸発を促進することができる。これによって、例えば、焼結体表面において、1cm2当りの表面粒子数を2個程度とできる。
【0015】焼成温度は特に限定されないが、通常は1700〜1950℃である。
【0016】多結晶アルミナ基板上のエピタキシャル膜の形成方法は限定されない。例えば、エピタキシャル膜は、有機金属気相成長法(MOCVD法)、Hydride Vapor Phase Epitaxy法 (HVPE法)などのCVD成長方法や分子線エピタキシー法(MBE法)によって成膜できる。
【0017】また、エピタキシャル膜の材質としてはGaN、InGaNを例示できる。
【0018】
【実施例】(実施例1)
図2に示すフローチャートに従い、多結晶アルミナ基板を製造した。ただし、高純度で配向した平板状のアルミナ粒子2(図3参照:最長部の平均粒径5μm)30重量%、および通常の粒形状で平均粒径0.6μmのアルミナ粒子70重量%を配合し、酸化マグネシウム750ppm、メチルセルロース4重量%、ポリエチレンオキサイド2重量%、ステアリン酸5重量%、水23重量%を混合し、混合物をニーダーで20分混練する。
【0019】この混合物を押出成形装置に圧入し、最初に図4(a)に示すようなスリット3に通した。スリット3においては、開口3aは略水平方向に伸びており、開口のピッチP1は2mmであり、各開口3aの幅T1は1mmである。そして、スリット3の寸法は、幅10cm、高さ10cm、長さ10cmであった。スリット数は50であり、開口部面積50cm2であった。
【0020】次いで、混練物を長さ5cmのジョイントに通し、図4(b)に示すスリット4に通す。スリット4においては、開口4aは略垂直方向に伸びており、開口のピッチP2は2mmであり、各開口4aの幅T2は1mmである。そして、スリット4の寸法は、幅10cm、高さ10cm、長さ10cmであった。スリット数は50であり、開口部面積は50cm2であった。
【0021】次いで、この混練物を押し出し、適宜スライス等行い、幅9cm×厚さ1mmのシート状成形体を得る。この成形体を1200℃で脱脂し、還元性雰囲気(H2:N2=75:25:mol比)で1850℃で4時間焼成し、多結晶アルミナを得る。
【0022】ここで、図3において、x:y:z=1:0.3:0.03とした。また、得られた基板の全軸配向度は90%であった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜可能であった。
【0023】(実施例2)
実施例1と同様にして多結晶アルミナ基板1を製造した。ただし、図3において、x:y:z=1:0.1:0.03とした。また、得られた基板の全軸配向度は50%であった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜可能であった。
【0024】(実施例3)
実施例1と同様にして多結晶アルミナ基板1を製造した。ただし、図3において、x:y:z=1:0.6:0.03とした。また、得られた基板の全軸配向度は70%であった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜可能であった。
【0025】(比較例1)
実施例1と同様にして多結晶アルミナ基板1を製造した。ただし、図3において、x:y:z=1:0.3:0.07とした。また、得られた基板の全軸配向度は40%であった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜することはできなかった。
【0026】(比較例2)
実施例1と同様にして多結晶アルミナ基板1を製造した。ただし、図3において、x:y:z=1:0.1:0.0006とした。また、得られた基板の全軸配向度は40%であった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜することはできなかった。
【0027】(実施例5)
高純度で配向した平板状のアルミナ粒子2(図3参照:最長部の平均粒径5μm)30重量%、および通常の粒形状で平均粒径0.6μmのアルミナ粒子70重量%とを配合し、酸化マグネシウム750ppm、メチルセルロース4重量%、ポリエチレンオキサイド2重量%、ステアリン酸5重量%、水を23重量%混合し、混合物をニーダーで20分混練する。
【0028】この混合物を押出成形装置に圧入し、図4(a)に示すようなスリット3に通す。スリット3においては、開口3aは略水平方向に伸びており、開口のピッチP1は2mmであり、各開口3aの幅T1は1mmである。そして、スリット3の寸法は、幅10cm、高さ10cm、長さ10cmであった。スリット数は50であり、開口部面積50cm2である。
【0029】次いで、この混練物を押し出し、幅9cm×厚さ1mmのシート状成形体を得る。この成形体を1200℃で脱脂し、還元性雰囲気(H2:N2=25:75:mol比)で1850℃で4時間焼成し、多結晶アルミナ基板1を得る。
【0030】ここで、図3において、x:y:z=1:0.3:0.03とした。また、得られた基板の全軸配向度は70%であった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜可能であった。
【0031】(比較例3)
実施例5と同様にして多結晶アルミナ基板を製造した。ただし、混練物をスリットに通さなかった。また、x:y:z=0.3:0.03とした。得られた基板の全軸配向度は20%となった。
この基板のC面上にGaN膜をMOCVDによって成膜することはできなかった。
【0032】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、エピタキシャル膜を形成する下地として適した多結晶アルミナを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】多結晶アルミナ基板1を示す正面図である。
【図2】多結晶アルミナ1の製造プロセス例を示すフローチャートである。
【図3】原料の平板状アルミナ粒子を模式的に示す斜視図である。
【図4】(a)、(b)は、それぞれ、押し出し形成時に使用可能なスリット3、4のパターン例を示す正面図である。
【符号の説明】1 多結晶アルミナ基板 1a A面 1c C面
2 原料となる平板状アルミナ粒子 3、4 スリット
Claims (2)
- エピタキシャル膜を形成するための下地として使用可能なアルミナ基板であって、
前記基板の全軸配向度が50%以上であることを特徴とする、アルミナ基板。 - 酸化マグネシウムを含有することを特徴とする、請求項1記載のアルミナ基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003159304A JP2004359495A (ja) | 2003-06-04 | 2003-06-04 | エピタキシャル膜用アルミナ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003159304A JP2004359495A (ja) | 2003-06-04 | 2003-06-04 | エピタキシャル膜用アルミナ基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004359495A true JP2004359495A (ja) | 2004-12-24 |
Family
ID=34052405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003159304A Pending JP2004359495A (ja) | 2003-06-04 | 2003-06-04 | エピタキシャル膜用アルミナ基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004359495A (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081216 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090408 |