JPH09251996A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH09251996A JPH09251996A JP8181297A JP18129796A JPH09251996A JP H09251996 A JPH09251996 A JP H09251996A JP 8181297 A JP8181297 A JP 8181297A JP 18129796 A JP18129796 A JP 18129796A JP H09251996 A JPH09251996 A JP H09251996A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】テーパー状のコンタクトホールを容易に形成す
る。 【構成】層間絶縁膜１１５の１層目には、プラズマＣＶ
Ｄ法より窒化珪素膜１１５ａを厚さ５００Åに成膜す
る。２層、３層目は、ＴＥＯＳガスを原料にして、プラ
ズマＣＤＶ法により酸化珪素膜を成膜する。この際に、
２層目はｒｆ出力を３００Ｗで、厚さ５０００Åに酸化
珪素膜１１５ｂを成膜し、３層目はｒｆ出力を５０Ｗ
で、厚さ１０００Åに酸化珪素膜１１５ｃを成膜する。
この多層構造の層間絶縁物１１５、及びゲイト電極の周
囲に形成された緻密な陽極酸化物１０８をそれぞれエッ
チングすることにより，ゲイト電極のコンタクトホール
がテーパー状に形成される。
る。 【構成】層間絶縁膜１１５の１層目には、プラズマＣＶ
Ｄ法より窒化珪素膜１１５ａを厚さ５００Åに成膜す
る。２層、３層目は、ＴＥＯＳガスを原料にして、プラ
ズマＣＤＶ法により酸化珪素膜を成膜する。この際に、
２層目はｒｆ出力を３００Ｗで、厚さ５０００Åに酸化
珪素膜１１５ｂを成膜し、３層目はｒｆ出力を５０Ｗ
で、厚さ１０００Åに酸化珪素膜１１５ｃを成膜する。
この多層構造の層間絶縁物１１５、及びゲイト電極の周
囲に形成された緻密な陽極酸化物１０８をそれぞれエッ
チングすることにより，ゲイト電極のコンタクトホール
がテーパー状に形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線構造を有する
半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、層間
絶縁膜にコンタクトホールを形成する方法に関するもの
である。
半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、層間
絶縁膜にコンタクトホールを形成する方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】多層配線構造を有する半導体装置は下層
の配線と上層の配線とを接続するために、下層の配線上
に形成された層間絶縁膜にコンタクトホールを開孔し、
このコンタクトホールに上層の配線を形成している。
の配線と上層の配線とを接続するために、下層の配線上
に形成された層間絶縁膜にコンタクトホールを開孔し、
このコンタクトホールに上層の配線を形成している。
【０００３】従来から、コンタクトホールにおける上層
の配線の段差被覆性を改善するために、コンタクトホー
ルの段差部をテーパー状にすることが要求されている。
特開昭５０−１２３２７４号には、熱酸化法とＣＶＤ法
により珪素膜を層間絶縁膜として形成することにより、
層間絶縁膜を２層構造にして、形成方法の違いによるエ
ッチング速度の差を利用して、コンタクトホールをテー
パー状にする方法が開示されている。
の配線の段差被覆性を改善するために、コンタクトホー
ルの段差部をテーパー状にすることが要求されている。
特開昭５０−１２３２７４号には、熱酸化法とＣＶＤ法
により珪素膜を層間絶縁膜として形成することにより、
層間絶縁膜を２層構造にして、形成方法の違いによるエ
ッチング速度の差を利用して、コンタクトホールをテー
パー状にする方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来例のように、熱酸
化法で層間絶縁膜を成膜する際には、５００℃以上で加
熱することになる。しかしながら、薄膜トランジスタの
ような半導体装置において、層間絶縁膜の下層の配線、
所謂ゲイト電極はアルミニウムで形成されており、アル
ミニウムは４５０℃以上で加熱すると周囲に拡散してし
まう。拡散したアルミニウムがゲイト電極の下層のゲイ
ト絶縁膜を通過して、更に下層の半導体層に侵入してし
まうと、動作不良やショートの原因となる。このため、
アルミニウムで下層の配線を作製する半導体装置におい
ては、従来例のように熱酸化法を採用することができな
いため、ＣＶＤ法のみにより層間絶縁膜を形成して、単
層構造としている。
化法で層間絶縁膜を成膜する際には、５００℃以上で加
熱することになる。しかしながら、薄膜トランジスタの
ような半導体装置において、層間絶縁膜の下層の配線、
所謂ゲイト電極はアルミニウムで形成されており、アル
ミニウムは４５０℃以上で加熱すると周囲に拡散してし
まう。拡散したアルミニウムがゲイト電極の下層のゲイ
ト絶縁膜を通過して、更に下層の半導体層に侵入してし
まうと、動作不良やショートの原因となる。このため、
アルミニウムで下層の配線を作製する半導体装置におい
ては、従来例のように熱酸化法を採用することができな
いため、ＣＶＤ法のみにより層間絶縁膜を形成して、単
層構造としている。
【０００５】単層構造の層間絶縁膜にコンタクトホール
をテーパー状に開孔するためには、エッチング時間等の
エッチング条件を厳密に制御しなければならない。例え
ば、エッチング時間が超過してしまうと、コンタクトホ
ールの側面が底面に対して垂直なってしまい、コンタク
トホールをテーパー状に形成することができないので、
配線が断線するおそれがある。
をテーパー状に開孔するためには、エッチング時間等の
エッチング条件を厳密に制御しなければならない。例え
ば、エッチング時間が超過してしまうと、コンタクトホ
ールの側面が底面に対して垂直なってしまい、コンタク
トホールをテーパー状に形成することができないので、
配線が断線するおそれがある。
【０００６】また、層間絶縁膜のエッチングを完全に行
なうために数十秒のオーバーエッチングを行なうのが一
般的であるが、これによりソース／ドレイン領域の半導
体層と層間絶縁膜との間にくさび型の抉れが形成される
問題が生じる。
なうために数十秒のオーバーエッチングを行なうのが一
般的であるが、これによりソース／ドレイン領域の半導
体層と層間絶縁膜との間にくさび型の抉れが形成される
問題が生じる。
【０００７】図４（Ａ）において、４０１は結晶性珪素
でなる半導体層、４０２は単層または複数層の酸化珪素
膜でなる層間絶縁膜である。この層間絶縁膜の所望の部
分をエッチングしてコンタクトホールを形成する際、半
導体層４０１と層間絶縁膜４０２との間にゴミ等の突起
物が存在すると、そこにエッチング液がしみ込み、くさ
び型の抉れ４０３が形成されることがある。
でなる半導体層、４０２は単層または複数層の酸化珪素
膜でなる層間絶縁膜である。この層間絶縁膜の所望の部
分をエッチングしてコンタクトホールを形成する際、半
導体層４０１と層間絶縁膜４０２との間にゴミ等の突起
物が存在すると、そこにエッチング液がしみ込み、くさ
び型の抉れ４０３が形成されることがある。
【０００８】この場合、図４（Ｂ）に示す様に配線電極
４０４を成膜すると、くさび型の抉れ４０３を被覆する
ことが困難となるため配線が断線するおそれがある。
４０４を成膜すると、くさび型の抉れ４０３を被覆する
ことが困難となるため配線が断線するおそれがある。
【０００９】アクティブマトリックス型の液晶表示装置
の画素領域や周辺回路を薄膜トランジスタで構成する場
合には、数１００〜数１０００個もの薄膜トランジスタ
を同時に同一基板上に形成するため、１個の薄膜トラン
ジスタで配線が断線すると、基板全体の不良につなが
り、歩留りが低下してしまう。
の画素領域や周辺回路を薄膜トランジスタで構成する場
合には、数１００〜数１０００個もの薄膜トランジスタ
を同時に同一基板上に形成するため、１個の薄膜トラン
ジスタで配線が断線すると、基板全体の不良につなが
り、歩留りが低下してしまう。
【００１０】本発明の目的は上述の問題点を解決し、Ｃ
ＶＤ法のみにより層間絶縁膜を形成し、一般的なエッチ
ング方法によりコンタクトホールをテーパー状に形成す
ることを可能にする半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
ＶＤ法のみにより層間絶縁膜を形成し、一般的なエッチ
ング方法によりコンタクトホールをテーパー状に形成す
ることを可能にする半導体装置の製造方法を提供するこ
とにある。
【００１１】また、抉れがなく、配線を良好に被覆でき
るコンタクトホールを形成することで、半導体装置の製
造歩留りを向上させることを課題とする。
るコンタクトホールを形成することで、半導体装置の製
造歩留りを向上させることを課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の問題点を解決する
ために第１の発明に係る半導体装置の製造方法の構成
は、金属導電層又は半導体層を形成する工程と、前記金
属導電層又は半導体層を覆うように絶縁膜をＣＶＤ法に
より形成する工程と、前記絶縁膜の所望の部分をエッチ
ングしてコンタクトホールを形成する工程と、を有する
半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜を形成する
工程は、成膜条件を段階的又は連続的に変化して、前記
絶縁膜のエッチングレートが上層に行くに従って段階的
に又は連続的に増加するようにする。
ために第１の発明に係る半導体装置の製造方法の構成
は、金属導電層又は半導体層を形成する工程と、前記金
属導電層又は半導体層を覆うように絶縁膜をＣＶＤ法に
より形成する工程と、前記絶縁膜の所望の部分をエッチ
ングしてコンタクトホールを形成する工程と、を有する
半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜を形成する
工程は、成膜条件を段階的又は連続的に変化して、前記
絶縁膜のエッチングレートが上層に行くに従って段階的
に又は連続的に増加するようにする。
【００１３】また、第２の発明に係る半導体装置の製造
方法の構成は、金属導電層又は半導体層を形成する工程
と、前記金属導電層又は半導体層を覆うように絶縁膜を
ＣＶＤ法により形成する工程と、前記絶縁膜の所望の部
分をエッチングしてコンタクトホールを形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜
は、エッチングレートが上層に行くに従って段階的又は
連続的に増加するものである。
方法の構成は、金属導電層又は半導体層を形成する工程
と、前記金属導電層又は半導体層を覆うように絶縁膜を
ＣＶＤ法により形成する工程と、前記絶縁膜の所望の部
分をエッチングしてコンタクトホールを形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜
は、エッチングレートが上層に行くに従って段階的又は
連続的に増加するものである。
【００１４】更に、第３の発明に係る半導体装置の製造
方法の構成は、基板表面上に活性層を形成する工程と、
前記活性層上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第
１の絶縁膜上に配線層を形成する工程と、前記第１の絶
縁膜をエッチングして前記活性層の所望の表面を露出す
る工程と、前記活性層の露出された表面と前記配線層と
を覆うように第２の絶縁膜をＣＶＤ法により形成する工
程と、前記第２の絶縁膜の所望の部分をエッチングして
コンタクトホールを形成する工程とを有する半導体の製
造方法において、前記第２の絶縁膜は、エッチングレー
トが上層に行くに従って段階的又は連続的に増加するも
のである。
方法の構成は、基板表面上に活性層を形成する工程と、
前記活性層上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第
１の絶縁膜上に配線層を形成する工程と、前記第１の絶
縁膜をエッチングして前記活性層の所望の表面を露出す
る工程と、前記活性層の露出された表面と前記配線層と
を覆うように第２の絶縁膜をＣＶＤ法により形成する工
程と、前記第２の絶縁膜の所望の部分をエッチングして
コンタクトホールを形成する工程とを有する半導体の製
造方法において、前記第２の絶縁膜は、エッチングレー
トが上層に行くに従って段階的又は連続的に増加するも
のである。
【００１５】第４の発明に係る半導体装置の製造方法の
構成は、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする
金属により配線層を形成する工程と、前記配線層を覆う
ように絶縁膜をＣＶＤ法により形成する工程と、前記絶
縁膜の所望の部分をエッチングしてコンタクトホールを
形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法におい
て、前記絶縁膜は、エッチングレートが上層に行くに従
って段階的又は連続的に増加するものである。
構成は、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする
金属により配線層を形成する工程と、前記配線層を覆う
ように絶縁膜をＣＶＤ法により形成する工程と、前記絶
縁膜の所望の部分をエッチングしてコンタクトホールを
形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法におい
て、前記絶縁膜は、エッチングレートが上層に行くに従
って段階的又は連続的に増加するものである。
【００１６】第５の発明に係る半導体装置の製造方法の
構成は、金属導電層又は半導体層を形成する工程と、前
記金属導電層又は半導体層を覆うように絶縁膜をＣＶＤ
法により形成する工程と、前記絶縁膜の所望の部分をエ
ッチングしてコンタクトホールを形成する工程と、を有
する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜の最下
層を２００〜５００Åの厚さの窒化珪素膜とするもので
ある。
構成は、金属導電層又は半導体層を形成する工程と、前
記金属導電層又は半導体層を覆うように絶縁膜をＣＶＤ
法により形成する工程と、前記絶縁膜の所望の部分をエ
ッチングしてコンタクトホールを形成する工程と、を有
する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜の最下
層を２００〜５００Åの厚さの窒化珪素膜とするもので
ある。
【００１７】この窒化珪素膜の成膜は原料ガスとしてシ
ラン（ＳｉＨ4 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、窒素（Ｎ
2 ）を用いたプラズマＣＶＤ法によれば良い。また、バ
ッファードフッ酸によるエッチングレートが８００〜１
０００Å／分となるような緻密な膜質を有することが望
ましい。
ラン（ＳｉＨ4 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、窒素（Ｎ
2 ）を用いたプラズマＣＶＤ法によれば良い。また、バ
ッファードフッ酸によるエッチングレートが８００〜１
０００Å／分となるような緻密な膜質を有することが望
ましい。
【作用】上述の構成を有する第１の発明に係る半導体装
置の製造方法は、金属導電層又は半導体層を覆うように
絶縁膜をＣＶＤ法により形成する際に、成膜条件を段階
的又は連続的に変化して、前記絶縁膜のエッチングレー
トが上層に行くに従って段階的に又は連続的に増加する
ようにする。この絶縁膜をエッチングすることにより、
下層程開孔部が小さくなり、コンタクトホールがテーパ
ー状に形成される。
置の製造方法は、金属導電層又は半導体層を覆うように
絶縁膜をＣＶＤ法により形成する際に、成膜条件を段階
的又は連続的に変化して、前記絶縁膜のエッチングレー
トが上層に行くに従って段階的に又は連続的に増加する
ようにする。この絶縁膜をエッチングすることにより、
下層程開孔部が小さくなり、コンタクトホールがテーパ
ー状に形成される。
【００１８】また、第２の発明に係る半導体装置の製造
方法は、金属導電層又は半導体層を覆う絶縁膜をエッチ
ングレートが上層に行くに従って段階的又は連続的に増
加するようにＣＶＤ法により形成し、この絶縁膜をエッ
チングすることにより、下層程開孔部が小さくなり、コ
ンタクトホールがテーパー状に形成される。
方法は、金属導電層又は半導体層を覆う絶縁膜をエッチ
ングレートが上層に行くに従って段階的又は連続的に増
加するようにＣＶＤ法により形成し、この絶縁膜をエッ
チングすることにより、下層程開孔部が小さくなり、コ
ンタクトホールがテーパー状に形成される。
【００１９】更に、第３の発明に係る半導体装置の製造
方法は、配線層の下層の第１の絶縁膜をエッチングして
前記活性層の所望の表面を露出することにより、エッチ
ングレートが上層に行くに従って段階的又は連続的に増
加するような第２の絶縁膜のみで活性層と配線層とを覆
うようにして、同一のエッチング工程で、活性層、配線
層それぞれのコンタクトホールをテーパー状に形成す
る。例えば薄膜トランジスタを作製する場合には、ソー
ス／ドレイン領域、ゲイト電極それぞれのコンタクトホ
ールがテーパー状に形成されることになる。
方法は、配線層の下層の第１の絶縁膜をエッチングして
前記活性層の所望の表面を露出することにより、エッチ
ングレートが上層に行くに従って段階的又は連続的に増
加するような第２の絶縁膜のみで活性層と配線層とを覆
うようにして、同一のエッチング工程で、活性層、配線
層それぞれのコンタクトホールをテーパー状に形成す
る。例えば薄膜トランジスタを作製する場合には、ソー
ス／ドレイン領域、ゲイト電極それぞれのコンタクトホ
ールがテーパー状に形成されることになる。
【００２０】第４の発明に係る半導体装置の製造方法
は、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする金属
により配線層を形成し、この配線層を覆う絶縁膜をエッ
チングレートが上層に行くに従って段階的又は連続的に
増加するようにＣＶＤ法により形成する。この絶縁膜を
エッチングすることにより、下層程開孔部が小さくな
り、絶縁膜にはコンタクトホールがテーパー状に形成さ
れる。また、ＣＶＤ法を採用することにより、配線層を
形成するアルミニウムが拡散したり、アルミニウムの結
晶が異常成長することがない温度で、多層構造を有する
絶縁膜を形成する。
は、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする金属
により配線層を形成し、この配線層を覆う絶縁膜をエッ
チングレートが上層に行くに従って段階的又は連続的に
増加するようにＣＶＤ法により形成する。この絶縁膜を
エッチングすることにより、下層程開孔部が小さくな
り、絶縁膜にはコンタクトホールがテーパー状に形成さ
れる。また、ＣＶＤ法を採用することにより、配線層を
形成するアルミニウムが拡散したり、アルミニウムの結
晶が異常成長することがない温度で、多層構造を有する
絶縁膜を形成する。
【００２１】第５の発明に係る半導体装置の製造方法
は、層間絶縁膜の最下層を２００〜５００Åの厚さの窒
化珪素膜とする。この窒化珪素膜はエッチングレートが
酸化珪素膜に比べ遅いためコンタクトホールのテーパー
化に寄与するだけでなく、コンタクトホール下部にくさ
び型の抉れが形成されるのを防止する効果を有する。
は、層間絶縁膜の最下層を２００〜５００Åの厚さの窒
化珪素膜とする。この窒化珪素膜はエッチングレートが
酸化珪素膜に比べ遅いためコンタクトホールのテーパー
化に寄与するだけでなく、コンタクトホール下部にくさ
び型の抉れが形成されるのを防止する効果を有する。
【００２２】本明細書に開示する発明において、上記の
ようにエッチングレートの異なる絶縁膜を形成するため
に、成膜条件を段階的に又は連続的に変化するようにし
ている。例えば下層にプラズマＣＶＤ法により窒化珪素
膜を堆積し、その上層に、プラズマＣＶＤ法によりｒｆ
出力を段階的に又は連続的に変化しながら、酸化珪素膜
を堆積するという方法を採用する。また、他の方法とし
て、下層に窒化珪素膜を堆積せずに、プラズマＣＶＤ法
によりｒｆ出力を段階的に又は連続的に変化させながら
酸化珪素膜のみを堆積するという方法を採用する。
ようにエッチングレートの異なる絶縁膜を形成するため
に、成膜条件を段階的に又は連続的に変化するようにし
ている。例えば下層にプラズマＣＶＤ法により窒化珪素
膜を堆積し、その上層に、プラズマＣＶＤ法によりｒｆ
出力を段階的に又は連続的に変化しながら、酸化珪素膜
を堆積するという方法を採用する。また、他の方法とし
て、下層に窒化珪素膜を堆積せずに、プラズマＣＶＤ法
によりｒｆ出力を段階的に又は連続的に変化させながら
酸化珪素膜のみを堆積するという方法を採用する。
【００２３】即ち、エッチングレートの異なる多層構造
の絶縁膜を形成するために、窒化珪素と酸化珪素という
ように組成の違いによりエッチングレートが異なるこ
と、またｒｆ出力値が小さいほど酸化珪素膜のエッチン
グレートが速くなることを利用する。
の絶縁膜を形成するために、窒化珪素と酸化珪素という
ように組成の違いによりエッチングレートが異なるこ
と、またｒｆ出力値が小さいほど酸化珪素膜のエッチン
グレートが速くなることを利用する。
【００２４】
【実施例】本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
【００２５】〔実施例１〕図１（Ａ）〜（Ｆ）は第１の
実施例の作成工程に沿った半導体装置の断面構成図であ
り、本実施例はアルミニウムを主成分とするゲイト電極
を有する薄膜トランジスタに応用した例である。
実施例の作成工程に沿った半導体装置の断面構成図であ
り、本実施例はアルミニウムを主成分とするゲイト電極
を有する薄膜トランジスタに応用した例である。
【００２６】図１（Ａ）に示すように、ガラス基板１０
１上に、プラズマＣＶＤ法により、下地膜１０２を３０
００Åの厚さに成膜する。この後、下地膜１０２上に、
プラズマＣＶＤ法又は減圧ＣＶＤ法により非晶質珪素膜
を３００〜１０００Åの厚さに成膜する。ここでは５０
０Åの厚さに成膜する。非晶質珪素膜は薄膜トランジス
タの活性層を構成する出発膜である。非晶質珪素膜を結
晶化するために、レーザー光を照射する。ここでは、Ｋ
ｒＦエキシマレーザーを照射して非晶質珪素膜を結晶化
して、結晶性珪素膜を作成する。この結晶性珪素膜をエ
ッチングして島状珪素膜１０３を形成する。
１上に、プラズマＣＶＤ法により、下地膜１０２を３０
００Åの厚さに成膜する。この後、下地膜１０２上に、
プラズマＣＶＤ法又は減圧ＣＶＤ法により非晶質珪素膜
を３００〜１０００Åの厚さに成膜する。ここでは５０
０Åの厚さに成膜する。非晶質珪素膜は薄膜トランジス
タの活性層を構成する出発膜である。非晶質珪素膜を結
晶化するために、レーザー光を照射する。ここでは、Ｋ
ｒＦエキシマレーザーを照射して非晶質珪素膜を結晶化
して、結晶性珪素膜を作成する。この結晶性珪素膜をエ
ッチングして島状珪素膜１０３を形成する。
【００２７】この後に、プラズマＣＶＤ法又はスパッタ
法により、酸化珪素膜１０４を５００〜１５００Åの厚
さに成膜する。更に、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法
により、アルミニウム膜を２０００〜８０００Åの厚さ
に成膜する。ここでは、厚さを４０００Åとする。な
お、加熱や後述する陽極酸化工程において、アルミニウ
ム膜の結晶の異常成長を抑制するために、予めアルミニ
ウムには０．１〜０．５重量％のスカンジウム（Ｓｃ）
又はイットリウム（Ｙ）が混入されている。
法により、酸化珪素膜１０４を５００〜１５００Åの厚
さに成膜する。更に、電子ビーム蒸着法又はスパッタ法
により、アルミニウム膜を２０００〜８０００Åの厚さ
に成膜する。ここでは、厚さを４０００Åとする。な
お、加熱や後述する陽極酸化工程において、アルミニウ
ム膜の結晶の異常成長を抑制するために、予めアルミニ
ウムには０．１〜０．５重量％のスカンジウム（Ｓｃ）
又はイットリウム（Ｙ）が混入されている。
【００２８】そして、フォトレジストを良好に密着する
ために、アルミニウム膜の表面に図示しない陽極酸化膜
を極薄く、５０〜２００Åの厚さに形成した後に、フォ
トレジストを塗布する。公知のリソグラフィー法により
フォトレジストのマスク１０５を形成し、このフォトレ
ジストのマスク１０５を用いて、アルミニウム膜をエッ
チングしてゲイト電極１０６を形成する。一般に、ゲイ
ト電極１０６は第１の配線層と呼ばれている。上記の工
程を経て、図１（Ａ）に示す状態を得る。
ために、アルミニウム膜の表面に図示しない陽極酸化膜
を極薄く、５０〜２００Åの厚さに形成した後に、フォ
トレジストを塗布する。公知のリソグラフィー法により
フォトレジストのマスク１０５を形成し、このフォトレ
ジストのマスク１０５を用いて、アルミニウム膜をエッ
チングしてゲイト電極１０６を形成する。一般に、ゲイ
ト電極１０６は第１の配線層と呼ばれている。上記の工
程を経て、図１（Ａ）に示す状態を得る。
【００２９】図１（Ｂ）示すようにゲイト電極１０６の
表面にフォトレジストのマスク１０５を残した状態で、
電解液中でゲイト電極１０６を陽極にして電圧を印加す
ることにより、ゲイト電極１０６の側面のみに多孔質陽
極酸化物１０７を形成する。本実施例では、シュウ酸溶
液中で温度３０℃で１０Ｖの電圧を印加する。なお、多
孔質陽極酸化物１０７の厚さは電圧を印加する時間によ
り制御できる。
表面にフォトレジストのマスク１０５を残した状態で、
電解液中でゲイト電極１０６を陽極にして電圧を印加す
ることにより、ゲイト電極１０６の側面のみに多孔質陽
極酸化物１０７を形成する。本実施例では、シュウ酸溶
液中で温度３０℃で１０Ｖの電圧を印加する。なお、多
孔質陽極酸化物１０７の厚さは電圧を印加する時間によ
り制御できる。
【００３０】図１（Ｃ）に示すようにフォトレジストの
マスク１０５を剥離した後に、再び電解溶液中でゲイト
電極１０６に電圧を印加することにより、ゲイト電極１
０６の表面及び側面に緻密な陽極酸化物１０８が形成さ
れる。この緻密な陽極酸化物１０８の厚さは印加電圧値
に略比例するため、必要とする厚さの緻密な陽極酸化物
１０８が得られるように電圧を制御すればよい。印加電
圧が１５０Ｖのときに２０００Åの緻密な陽極酸化物１
０８が形成される。本実施例では、３〜１０％の酒石
酸、硼酸、硝酸を含有するエチレングリコール溶液中
で、電圧を１２０Ｖ印加して、厚さ１５００Åの緻密な
陽極酸化物１０８を形成する。
マスク１０５を剥離した後に、再び電解溶液中でゲイト
電極１０６に電圧を印加することにより、ゲイト電極１
０６の表面及び側面に緻密な陽極酸化物１０８が形成さ
れる。この緻密な陽極酸化物１０８の厚さは印加電圧値
に略比例するため、必要とする厚さの緻密な陽極酸化物
１０８が得られるように電圧を制御すればよい。印加電
圧が１５０Ｖのときに２０００Åの緻密な陽極酸化物１
０８が形成される。本実施例では、３〜１０％の酒石
酸、硼酸、硝酸を含有するエチレングリコール溶液中
で、電圧を１２０Ｖ印加して、厚さ１５００Åの緻密な
陽極酸化物１０８を形成する。
【００３１】ドライエッチング法により酸化珪素膜１０
４をエッチングする。この場合には、陽極酸化物１０
７、１０８はエッチングされずに、マスクの作用をし
て、酸化珪素膜１０４がエッチングされて、図１（Ｄ）
に示すようにゲイト絶縁膜１０９が形成される。
４をエッチングする。この場合には、陽極酸化物１０
７、１０８はエッチングされずに、マスクの作用をし
て、酸化珪素膜１０４がエッチングされて、図１（Ｄ）
に示すようにゲイト絶縁膜１０９が形成される。
【００３２】そして、燐酸、酢酸、硝酸の混酸を用い
て、多孔質陽極酸化物１０７をエッチングする。この際
には、多孔質陽極酸化物１０７のみがエッチングされ、
緻密な陽極酸化物１０８、ゲイト絶縁膜１０９はそのま
ま残存する。なお、多孔質陽極酸化物１０７のエッチン
グレートは約６００Å／分である。
て、多孔質陽極酸化物１０７をエッチングする。この際
には、多孔質陽極酸化物１０７のみがエッチングされ、
緻密な陽極酸化物１０８、ゲイト絶縁膜１０９はそのま
ま残存する。なお、多孔質陽極酸化物１０７のエッチン
グレートは約６００Å／分である。
【００３３】次に、図１（Ｅ）に示すようにイオンドー
ピング法により、ゲイト電極１０６、緻密な陽極酸化物
１０８、ゲイト絶縁膜１０９をそれぞれマスクにして島
状珪素膜１０３に不純物イオンを注入する。ここでは、
Ｎ型の伝導性を付与する燐イオンを注入する。
ピング法により、ゲイト電極１０６、緻密な陽極酸化物
１０８、ゲイト絶縁膜１０９をそれぞれマスクにして島
状珪素膜１０３に不純物イオンを注入する。ここでは、
Ｎ型の伝導性を付与する燐イオンを注入する。
【００３４】ドーピングガスとして水素希釈フォスフィ
ン（例えば、５％ＰＨ3 −９５％Ｈ2 ）を用いて、加速
電圧を１０〜３０ｋＶとし、ドーズ量を１×１０14〜８
×１０15原子／ｃｍとするとよい。本実施例では、加速
電圧を１０ｋＶとし、ドーズ量を５×１０14原子／ｃｍ
2 とする。
ン（例えば、５％ＰＨ3 −９５％Ｈ2 ）を用いて、加速
電圧を１０〜３０ｋＶとし、ドーズ量を１×１０14〜８
×１０15原子／ｃｍとするとよい。本実施例では、加速
電圧を１０ｋＶとし、ドーズ量を５×１０14原子／ｃｍ
2 とする。
【００３５】この結果、島状珪素膜１０３において、ゲ
イト絶縁膜１０９が上層に無い層は不純物イオンが高濃
度に注入されて、ソース領域１１０、ドレイン領域１１
１がそれぞれ形成され、ゲイト絶縁膜１０９が上層に有
る層には、ゲイト絶縁膜１０９を透過した不純物イオン
のみが注入されて、低濃度不純物領域１１２、１１３が
形成され、ゲイト電極１０６の下層の層には不純物イオ
ンが実質的に注入されずに、チャネル領域１１４が形成
される。即ち、緻密な陽極酸化物１０８、ゲイト絶縁膜
１０９がマスクの作用をして、ソース領域１１０、ドレ
イン領域１１１、低濃度不純物領域１１２、１１３、チ
ャネル領域１１４がそれぞれ自己整合的に形成される。
イト絶縁膜１０９が上層に無い層は不純物イオンが高濃
度に注入されて、ソース領域１１０、ドレイン領域１１
１がそれぞれ形成され、ゲイト絶縁膜１０９が上層に有
る層には、ゲイト絶縁膜１０９を透過した不純物イオン
のみが注入されて、低濃度不純物領域１１２、１１３が
形成され、ゲイト電極１０６の下層の層には不純物イオ
ンが実質的に注入されずに、チャネル領域１１４が形成
される。即ち、緻密な陽極酸化物１０８、ゲイト絶縁膜
１０９がマスクの作用をして、ソース領域１１０、ドレ
イン領域１１１、低濃度不純物領域１１２、１１３、チ
ャネル領域１１４がそれぞれ自己整合的に形成される。
【００３６】なお、ソース／ドレイン領域１１０、１１
１と低濃度不純物領域１１２、１１３との不純物イオン
の濃度の差はゲイト絶縁膜１０９の厚さにより決定さ
れ、低濃度不純物領域１１２、１１３の方が通常０．５
〜３桁程度小さくなるようにしている。また、低濃度不
純物領域１１２、１１３の長さはゲイト絶縁膜１０９が
緻密な陽極酸化物１０８の側面から突出している長さｙ
で決定される。この長さｙは図１（Ｂ）に示すように多
孔質陽極酸化物１０７の厚さで自己整合的に決定されて
いる。
１と低濃度不純物領域１１２、１１３との不純物イオン
の濃度の差はゲイト絶縁膜１０９の厚さにより決定さ
れ、低濃度不純物領域１１２、１１３の方が通常０．５
〜３桁程度小さくなるようにしている。また、低濃度不
純物領域１１２、１１３の長さはゲイト絶縁膜１０９が
緻密な陽極酸化物１０８の側面から突出している長さｙ
で決定される。この長さｙは図１（Ｂ）に示すように多
孔質陽極酸化物１０７の厚さで自己整合的に決定されて
いる。
【００３７】そして、レーザー光を照射して、注入され
た不純物イオンを活性化すると共に、不純物イオンの注
入により損傷を受けたソース／ドレイン領域１１０、１
１１及び低濃度不純物領域１１２、１１３をそれぞれア
ニールする。
た不純物イオンを活性化すると共に、不純物イオンの注
入により損傷を受けたソース／ドレイン領域１１０、１
１１及び低濃度不純物領域１１２、１１３をそれぞれア
ニールする。
【００３８】次に、プラズマＣＶＤ法を採用して、多層
構造の層間絶縁物を形成する。この際に、最下層にエッ
チング速度が最も遅い膜を堆積し、上層に行くに従って
エッチング速度が速い膜を堆積して、最上層にエッチン
グ速度の最も速い膜を堆積している。本実施例では３層
構造の層間絶縁物を形成する。このような層間絶縁物を
エッチングすることにより、テーパー状のコンタクトホ
ールを得ることができる。
構造の層間絶縁物を形成する。この際に、最下層にエッ
チング速度が最も遅い膜を堆積し、上層に行くに従って
エッチング速度が速い膜を堆積して、最上層にエッチン
グ速度の最も速い膜を堆積している。本実施例では３層
構造の層間絶縁物を形成する。このような層間絶縁物を
エッチングすることにより、テーパー状のコンタクトホ
ールを得ることができる。
【００３９】図２はゲイト電極１０６のコンタクトホー
ルを拡大した断面構成図であり、ソース／ドレイン領域
１１０、１１１側のコンタクトホールは緻密な陽極酸化
物１０８が無いものに相当する。
ルを拡大した断面構成図であり、ソース／ドレイン領域
１１０、１１１側のコンタクトホールは緻密な陽極酸化
物１０８が無いものに相当する。
【００４０】先ず、層間絶縁物１１５の１層目には、プ
ラズマＣＶＤ法より窒化珪素膜１１５ａを厚さ５００Å
に成膜する。２層目、３層目には、窒化珪素膜よりもエ
ッチング速度が速い酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によ
り、ＴＥＯＳガスを原料にして成膜する。この際に、成
膜時のｒｆ出力値が小さいほど酸化珪素膜のエッチング
速度が速くなることを利用して、２層目と３層目とのエ
ッチングレートを異なるようにしている。本実施例で
は、２層目の酸化珪素膜１１５ｂをｒｆ出力を３００Ｗ
で、厚さ５０００Åに成膜し、３層目の酸化珪素膜１１
５ｃをｒｆ出力を５０Ｗで、厚さ１０００Åに成膜す
る。これにより層間絶縁物１１５は６５００Åの厚さに
形成されることになる。
ラズマＣＶＤ法より窒化珪素膜１１５ａを厚さ５００Å
に成膜する。２層目、３層目には、窒化珪素膜よりもエ
ッチング速度が速い酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法によ
り、ＴＥＯＳガスを原料にして成膜する。この際に、成
膜時のｒｆ出力値が小さいほど酸化珪素膜のエッチング
速度が速くなることを利用して、２層目と３層目とのエ
ッチングレートを異なるようにしている。本実施例で
は、２層目の酸化珪素膜１１５ｂをｒｆ出力を３００Ｗ
で、厚さ５０００Åに成膜し、３層目の酸化珪素膜１１
５ｃをｒｆ出力を５０Ｗで、厚さ１０００Åに成膜す
る。これにより層間絶縁物１１５は６５００Åの厚さに
形成されることになる。
【００４１】この多層構造の層間絶縁物１１５、及び緻
密な陽極酸化物１０８をエッチングして，コンタクトホ
ールを形成して、電極・配線を形成する。
密な陽極酸化物１０８をエッチングして，コンタクトホ
ールを形成して、電極・配線を形成する。
【００４２】コンタクトホールを形成する場合には、先
ず層間絶縁物１１５をエッチングする。エッチング液は
窒化珪素膜及び酸化珪素膜をエッチングできるものであ
ればよく、本実施例では、広く用いられているバッファ
ードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を
使用する。この場合のエッチングレートは温度２０℃下
で、１層目の窒化珪素膜１１５ａは約７５０Å／ｍｉｎ
であり、２層目の酸化珪素膜１１５ｂは約２７００Å／
ｍｉｎであり、３層目の酸化珪素膜１１５ｃは約４２７
０Å／ｍｉｎである。このようにエッチングレートに差
があるために、下層ほど開孔部が徐々に小さくなるの
で、図２に示すように層間絶縁物１１５がテーパー状に
エッチングされる。これにより、ソース／ドレイン領域
１１０、１１１側のコンタクトホールが形成される。
ず層間絶縁物１１５をエッチングする。エッチング液は
窒化珪素膜及び酸化珪素膜をエッチングできるものであ
ればよく、本実施例では、広く用いられているバッファ
ードフッ酸（ＢＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を
使用する。この場合のエッチングレートは温度２０℃下
で、１層目の窒化珪素膜１１５ａは約７５０Å／ｍｉｎ
であり、２層目の酸化珪素膜１１５ｂは約２７００Å／
ｍｉｎであり、３層目の酸化珪素膜１１５ｃは約４２７
０Å／ｍｉｎである。このようにエッチングレートに差
があるために、下層ほど開孔部が徐々に小さくなるの
で、図２に示すように層間絶縁物１１５がテーパー状に
エッチングされる。これにより、ソース／ドレイン領域
１１０、１１１側のコンタクトホールが形成される。
【００４３】他方、ゲイト電極１０６側のコンタクトホ
ールにおいて、緻密な陽極酸化物１０８はエッチングス
トッパーとして機能している。
ールにおいて、緻密な陽極酸化物１０８はエッチングス
トッパーとして機能している。
【００４４】なお、層間絶縁膜１１５のエッチング時間
は膜１１５ａ〜１１５ｃそれぞれの膜厚と上記のエッチ
ングレートとの関係から算出すればよいが、層間絶縁物
１１５を完全に除去するために、実際のエッチング時間
は理論上のエッチング時間よりも６０秒程度長くしてい
る。層間絶縁物１１５をエッチング終了後に、緻密な陽
極酸化物１０８をエッチングする。
は膜１１５ａ〜１１５ｃそれぞれの膜厚と上記のエッチ
ングレートとの関係から算出すればよいが、層間絶縁物
１１５を完全に除去するために、実際のエッチング時間
は理論上のエッチング時間よりも６０秒程度長くしてい
る。層間絶縁物１１５をエッチング終了後に、緻密な陽
極酸化物１０８をエッチングする。
【００４５】緻密な陽極酸化物１０８をエッチングする
場合には、エッチング液は酸化アルミニウムをエッチン
グする際に一般的に使用されているものを使用する。本
実施例では、３％燐酸と３％無水クロム酸との混酸を７
０℃に加熱して、４分間エッチングする。上層の層間絶
縁物１１５がテーパー状にエッチングされているため
に、緻密な陽極酸化物１０８は抉れずに、テーパー状に
エッチングされ、図２に示すようにゲイト電極１０６の
コンタクトホールがテーパー状に形成される。なお、緻
密な陽極酸化物１０８のエッチングレートは約４００Å
／ｍｉｎである。
場合には、エッチング液は酸化アルミニウムをエッチン
グする際に一般的に使用されているものを使用する。本
実施例では、３％燐酸と３％無水クロム酸との混酸を７
０℃に加熱して、４分間エッチングする。上層の層間絶
縁物１１５がテーパー状にエッチングされているため
に、緻密な陽極酸化物１０８は抉れずに、テーパー状に
エッチングされ、図２に示すようにゲイト電極１０６の
コンタクトホールがテーパー状に形成される。なお、緻
密な陽極酸化物１０８のエッチングレートは約４００Å
／ｍｉｎである。
【００４６】更に、１００分の１に希釈したフッ酸を用
いて６０秒程度エッチングする。このエッチングはクロ
ム混酸を用いてエッチングしたことにより、ゲイト電極
１０６の表面に生成した不動態層と呼ばれる高抵抗領域
を除去するために行うものである。この後に、第２の配
線層と呼ばれる金属配線層を連続成膜法により形成す
る。
いて６０秒程度エッチングする。このエッチングはクロ
ム混酸を用いてエッチングしたことにより、ゲイト電極
１０６の表面に生成した不動態層と呼ばれる高抵抗領域
を除去するために行うものである。この後に、第２の配
線層と呼ばれる金属配線層を連続成膜法により形成す
る。
【００４７】スパッタ法により、先ずチタン膜を１５０
０Åの厚さに成膜して、引き続いてアルミニウム膜を５
０００Åの厚さに成膜して、パターニングして、ゲイト
電極・配線１１６、ソース／ドレイン電極１１７、１１
８をそれぞれ形成する。更に、２００〜４００℃で水素
アニールする。以上の工程を経て、図１（Ｆ）に示す薄
膜トランジスタを得る。
０Åの厚さに成膜して、引き続いてアルミニウム膜を５
０００Åの厚さに成膜して、パターニングして、ゲイト
電極・配線１１６、ソース／ドレイン電極１１７、１１
８をそれぞれ形成する。更に、２００〜４００℃で水素
アニールする。以上の工程を経て、図１（Ｆ）に示す薄
膜トランジスタを得る。
【００４８】本実施例は、層間絶縁物１１５を形成する
際に、窒化珪素膜１１５ａと酸化珪素膜１１５ｂ、１１
５ｃという組成の違う膜を堆積して、かつｒｆ出力を変
化させて酸化珪素膜１１５ｂ、１１５ｃを成膜して、エ
ッチングレートの異なる多層構造の層間絶縁物１１５を
形成するようにしたため、一般的に広く採用されている
エッチング方法により、テーパー状のコンタクトホール
を形成することができる。このため、コンタクトホール
の段差部でゲイト電極・配線１１６、ソース／ドレイン
電極１１７、１１８がその部分だけ薄くなって、断線す
るようなことが無い。
際に、窒化珪素膜１１５ａと酸化珪素膜１１５ｂ、１１
５ｃという組成の違う膜を堆積して、かつｒｆ出力を変
化させて酸化珪素膜１１５ｂ、１１５ｃを成膜して、エ
ッチングレートの異なる多層構造の層間絶縁物１１５を
形成するようにしたため、一般的に広く採用されている
エッチング方法により、テーパー状のコンタクトホール
を形成することができる。このため、コンタクトホール
の段差部でゲイト電極・配線１１６、ソース／ドレイン
電極１１７、１１８がその部分だけ薄くなって、断線す
るようなことが無い。
【００４９】本実施例では、ゲイト電極１０６の周囲に
緻密な陽極酸化物１０８を形成したため、ゲイト電極１
０６のコンタクトホールを形成するために、エッチング
工程を２回行うことになるが、絶縁基板上に形成される
薄膜トランジスタの作成工程においては、緻密な陽極酸
化物１０８を形成することにより、低濃度不純物領域１
１２、１１３を自己整合的に形成できるという利点が生
ずると共に、加熱工程の際にゲイト電極１０６を保護で
きるという利点も生ずる。
緻密な陽極酸化物１０８を形成したため、ゲイト電極１
０６のコンタクトホールを形成するために、エッチング
工程を２回行うことになるが、絶縁基板上に形成される
薄膜トランジスタの作成工程においては、緻密な陽極酸
化物１０８を形成することにより、低濃度不純物領域１
１２、１１３を自己整合的に形成できるという利点が生
ずると共に、加熱工程の際にゲイト電極１０６を保護で
きるという利点も生ずる。
【００５０】他方、珪素基板上に作成される半導体集積
回路においては、広く知られているようにゲイト電極１
０６の側面に絶縁膜、所謂サイドウォールを形成し、表
面を露出した状態でゲイト電極１０６を層間絶縁物１１
５で覆うようにすれば、１回のエッチング工程でコンタ
クトホールを形成できる。
回路においては、広く知られているようにゲイト電極１
０６の側面に絶縁膜、所謂サイドウォールを形成し、表
面を露出した状態でゲイト電極１０６を層間絶縁物１１
５で覆うようにすれば、１回のエッチング工程でコンタ
クトホールを形成できる。
【００５１】本実施例では、層間絶縁物１１５を３層構
造としたが、層数はこれに限るものではなく、２層以上
であればよい。好ましくは、３層以上とするとよい。例
えば層間絶縁物１１５を４層構造とする場合には、プラ
ズマＣＶＤ法より、１層目は窒化珪素膜１１５ａで厚さ
５００Åに成膜し、２〜４層目はプラズマＣＶＤ法よ
り、ＴＥＯＳを原料にして、層毎にｒｆ出力を異ならせ
て酸化珪素膜１１５ｂを成膜する。この場合のｒｆ出力
は、例えば２層目は３００Ｗとし、３層目は１５０Ｗと
し、４層目は５０Ｗとすればよい。
造としたが、層数はこれに限るものではなく、２層以上
であればよい。好ましくは、３層以上とするとよい。例
えば層間絶縁物１１５を４層構造とする場合には、プラ
ズマＣＶＤ法より、１層目は窒化珪素膜１１５ａで厚さ
５００Åに成膜し、２〜４層目はプラズマＣＶＤ法よ
り、ＴＥＯＳを原料にして、層毎にｒｆ出力を異ならせ
て酸化珪素膜１１５ｂを成膜する。この場合のｒｆ出力
は、例えば２層目は３００Ｗとし、３層目は１５０Ｗと
し、４層目は５０Ｗとすればよい。
【００５２】また、本実施例は、層間絶縁物１１５を形
成する際に、酸化珪素膜１１５ｂ、酸化珪素膜１１５ｃ
の成膜時のｒｆ出力を段階的に減少して、エッチングレ
ートが層毎に異なるようにしたが、２層目以降を成膜す
る際に、ｒｆ出力を連続的に減少して、酸化珪素膜のエ
ッチングレートが上層に行くに従って連続的に増加する
ようにすることも可能である。
成する際に、酸化珪素膜１１５ｂ、酸化珪素膜１１５ｃ
の成膜時のｒｆ出力を段階的に減少して、エッチングレ
ートが層毎に異なるようにしたが、２層目以降を成膜す
る際に、ｒｆ出力を連続的に減少して、酸化珪素膜のエ
ッチングレートが上層に行くに従って連続的に増加する
ようにすることも可能である。
【００５３】本実施例では、層間絶縁物１１５のエッチ
ングレートを変化するために、ｒｆ出力を変化するよう
に説明したが、例えば成膜時に、原料ガスの種類、原料
ガスの流量、ガス比等を変化するようにしてもよい。
ングレートを変化するために、ｒｆ出力を変化するよう
に説明したが、例えば成膜時に、原料ガスの種類、原料
ガスの流量、ガス比等を変化するようにしてもよい。
【００５４】本実施例では、層間絶縁物１１５の厚さを
６５００Åとしたが、この厚さに限るものではなく、採
用するエッチング方法に対する層間絶縁物１１５のエッ
チングレートによって適宜に決定すればよい。
６５００Åとしたが、この厚さに限るものではなく、採
用するエッチング方法に対する層間絶縁物１１５のエッ
チングレートによって適宜に決定すればよい。
【００５５】従来より、コンタクトホールにおける配線
の段差被覆性を向上すると共に、層間絶縁物１１５の表
面を平坦化して、そこでの配線の段差被覆性を向上する
ことも要求されている。層間絶縁物１１５の表面を平坦
化するには、例えば層間絶縁物１１５の下層のゲイト絶
縁膜１０９等の凸部を相殺する程度に層間絶縁物１１５
を厚くすればよい。
の段差被覆性を向上すると共に、層間絶縁物１１５の表
面を平坦化して、そこでの配線の段差被覆性を向上する
ことも要求されている。層間絶縁物１１５の表面を平坦
化するには、例えば層間絶縁物１１５の下層のゲイト絶
縁膜１０９等の凸部を相殺する程度に層間絶縁物１１５
を厚くすればよい。
【００５６】層間絶縁物１１５を厚くするとエッチング
に長時間を要するため、従来例のように単層構造の層間
絶縁膜を厚くした場合には、コンタクトホールの側面が
大きく抉れたり、コンタクトホールが下層程大きくなっ
てしまい逆テーパー状になってしまう。このため、層間
絶縁膜の表面を平坦になる程度に層間絶縁膜を厚く成膜
して、５０００Å程度の厚さにエッチングバックした後
に、コンタクトホールを形成している。
に長時間を要するため、従来例のように単層構造の層間
絶縁膜を厚くした場合には、コンタクトホールの側面が
大きく抉れたり、コンタクトホールが下層程大きくなっ
てしまい逆テーパー状になってしまう。このため、層間
絶縁膜の表面を平坦になる程度に層間絶縁膜を厚く成膜
して、５０００Å程度の厚さにエッチングバックした後
に、コンタクトホールを形成している。
【００５７】他方、本実施例はエッチングレートが上層
程速い多層構造の層間絶縁膜を形成するようにしたた
め、層間絶縁膜の厚さに拘わらずに、コンタクトホール
をテーパー状に形成することができる。そのため、層間
絶縁物１１５を１μｍ程度に厚くして表面を平坦化して
も、エッチングバックをせずにコンタクトホールを形成
することができる。例えば成膜条件、エッチング条件を
実施例と同様にして、層間絶縁物１１５の１層目の窒化
珪素膜１１５ａを厚さ５００Åに成膜し、酸化珪素膜１
１５ｂを厚さ９０００Åの厚さに成膜し、酸化珪素膜１
１５ｃを１０００Åの厚さに成膜して、層間絶縁物１１
５を厚さ１μｍ程度に形成してもよい。
程速い多層構造の層間絶縁膜を形成するようにしたた
め、層間絶縁膜の厚さに拘わらずに、コンタクトホール
をテーパー状に形成することができる。そのため、層間
絶縁物１１５を１μｍ程度に厚くして表面を平坦化して
も、エッチングバックをせずにコンタクトホールを形成
することができる。例えば成膜条件、エッチング条件を
実施例と同様にして、層間絶縁物１１５の１層目の窒化
珪素膜１１５ａを厚さ５００Åに成膜し、酸化珪素膜１
１５ｂを厚さ９０００Åの厚さに成膜し、酸化珪素膜１
１５ｃを１０００Åの厚さに成膜して、層間絶縁物１１
５を厚さ１μｍ程度に形成してもよい。
【００５８】また、本実施例では、層間絶縁物１１５の
最下層を窒化珪素膜１１５ａとしたが、窒化珪素膜１１
５ａの代わりに、酸化珪素よりもエッチングレートが遅
い酸化窒化珪素膜を形成してもよい。酸化窒化珪素膜を
成膜するには、プラズマＣＶＤ法を使用して、原料ガス
として、シラン、Ｎ2 Ｏガス、Ｏ2 ガスを使用すればよ
い。または、原料ガスとして、ＴＥＯＳガスとＮ2 Ｏガ
スを使用すればよい。
最下層を窒化珪素膜１１５ａとしたが、窒化珪素膜１１
５ａの代わりに、酸化珪素よりもエッチングレートが遅
い酸化窒化珪素膜を形成してもよい。酸化窒化珪素膜を
成膜するには、プラズマＣＶＤ法を使用して、原料ガス
として、シラン、Ｎ2 Ｏガス、Ｏ2 ガスを使用すればよ
い。または、原料ガスとして、ＴＥＯＳガスとＮ2 Ｏガ
スを使用すればよい。
【００５９】なお、酸化窒化珪素膜の膜厚は、酸化窒化
珪素膜の膜質、酸化窒化珪素膜上に積層される酸化珪素
膜の膜厚等によって適宜に決定すればよい。
珪素膜の膜質、酸化窒化珪素膜上に積層される酸化珪素
膜の膜厚等によって適宜に決定すればよい。
【００６０】〔実施例２〕図３は第２の実施例のゲイト
電極のコンタクトホールの断面図であり、本実施例では
酸化珪素膜のみで多層構造の層間絶縁物を形成するよう
にしている。
電極のコンタクトホールの断面図であり、本実施例では
酸化珪素膜のみで多層構造の層間絶縁物を形成するよう
にしている。
【００６１】図１に示す第１の実施例の作成条件と同様
にして、図１（Ｅ）に示す状態を得る。即ち、下地膜１
０２を形成したガラス基板１０１上には、ソース／ドレ
イン領域１１０、１１１、低濃度不純物領域１１２、１
１３、及びチャネル領域１１４から成る活性層、ゲイト
絶縁膜１０９、周囲に陽極酸化物１０８が形成されたゲ
イト電極１０６が積層されている。
にして、図１（Ｅ）に示す状態を得る。即ち、下地膜１
０２を形成したガラス基板１０１上には、ソース／ドレ
イン領域１１０、１１１、低濃度不純物領域１１２、１
１３、及びチャネル領域１１４から成る活性層、ゲイト
絶縁膜１０９、周囲に陽極酸化物１０８が形成されたゲ
イト電極１０６が積層されている。
【００６２】この状態で、図３に示すように層間絶縁物
３０１をプラズマＣＶＤ法により、ＴＥＯＳガスを原料
にして酸化珪素膜のみで成膜する。この際に、成膜時の
ｒｆ出力値が小さいほど、酸化珪素膜のエッチング速度
が速くなることを利用して、１〜３層目のエッチングレ
ートを異なるようにしている。
３０１をプラズマＣＶＤ法により、ＴＥＯＳガスを原料
にして酸化珪素膜のみで成膜する。この際に、成膜時の
ｒｆ出力値が小さいほど、酸化珪素膜のエッチング速度
が速くなることを利用して、１〜３層目のエッチングレ
ートを異なるようにしている。
【００６３】１層目に酸化珪素膜３０１ａをｒｆ出力を
３００Ｗで、厚さ４０００Åに成膜し、２層目に酸化珪
素膜３０１ｂをｒｆ出力を１５０Ｗで、厚さ１０００Å
に成膜して、３層目に酸化珪素膜３０１ｃをｒｆ出力を
５０Ｗで、厚さ１０００Åに成膜する。
３００Ｗで、厚さ４０００Åに成膜し、２層目に酸化珪
素膜３０１ｂをｒｆ出力を１５０Ｗで、厚さ１０００Å
に成膜して、３層目に酸化珪素膜３０１ｃをｒｆ出力を
５０Ｗで、厚さ１０００Åに成膜する。
【００６４】従って、厚さ６０００Åで、エッチングレ
ートが段階的に異なる３層構造の層間絶縁物３０１が形
成されることになる。なお、成膜時にｒｆ出力を連続的
に減少させながら酸化珪素膜を成膜することにより、層
間絶縁物３０１のエッチング速度が上層に向かって連続
的に増加するようにしてもよい。
ートが段階的に異なる３層構造の層間絶縁物３０１が形
成されることになる。なお、成膜時にｒｆ出力を連続的
に減少させながら酸化珪素膜を成膜することにより、層
間絶縁物３０１のエッチング速度が上層に向かって連続
的に増加するようにしてもよい。
【００６５】この多層構造の層間絶縁物３０１、及び緻
密な陽極酸化物１０８をエッチングして，コンタクトホ
ールを形成して、電極・配線を形成する。なお、図３に
おいてソース／ドレイン領域１１０、１１１側のコンタ
クトホールは緻密な陽極酸化物１０８が無いものに相当
する。
密な陽極酸化物１０８をエッチングして，コンタクトホ
ールを形成して、電極・配線を形成する。なお、図３に
おいてソース／ドレイン領域１１０、１１１側のコンタ
クトホールは緻密な陽極酸化物１０８が無いものに相当
する。
【００６６】コンタクトホールを形成する場合には、先
ず層間絶縁物３０１をエッチングする。エッチング液は
酸化珪素膜をエッチングできるものであればよく、本実
施例では、広く用いられているバッファードフッ酸（Ｂ
ＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用する。
ず層間絶縁物３０１をエッチングする。エッチング液は
酸化珪素膜をエッチングできるものであればよく、本実
施例では、広く用いられているバッファードフッ酸（Ｂ
ＨＦ）（ＮＨ3 Ｆ：ＨＦ＝１０：１）を使用する。
【００６７】この場合のエッチングレートは温度２０℃
下で１層目の酸化珪素膜３０１ａは約２７００Å／ｍｉ
ｎであり、２層目の酸化珪素膜３０１ｂは約４２２０Å
／ｍｉｎであり、３層目の酸化珪素膜３０１ｃは約４２
７０Å／ｍｉｎである。このエッチングレートの差のた
めに、下層ほど開孔部が徐々に小さくなるので、層間絶
縁物３０１はテーパー状にエッチングされる。これによ
り、ソース／ドレイン領域１１０、１１１側のコンタク
トホールが形成される。層間絶縁物３０１をエッチング
終了後に、緻密な陽極酸化物１０８をエッチングする。
下で１層目の酸化珪素膜３０１ａは約２７００Å／ｍｉ
ｎであり、２層目の酸化珪素膜３０１ｂは約４２２０Å
／ｍｉｎであり、３層目の酸化珪素膜３０１ｃは約４２
７０Å／ｍｉｎである。このエッチングレートの差のた
めに、下層ほど開孔部が徐々に小さくなるので、層間絶
縁物３０１はテーパー状にエッチングされる。これによ
り、ソース／ドレイン領域１１０、１１１側のコンタク
トホールが形成される。層間絶縁物３０１をエッチング
終了後に、緻密な陽極酸化物１０８をエッチングする。
【００６８】緻密な陽極酸化物１０８をエッチングする
場合には、エッチング液は酸化アルミニウムをエッチン
グする際に一般的に使用されているものを使用する。本
実施例では、、３％燐酸と３％無水クロム酸との混酸を
７０℃に加熱して、４分間エッチングをする。上層の層
間絶縁物３０１がテーパー状にエッチングされているた
め、緻密な陽極酸化物１０８は抉れずに、テーパー状に
エッチングされ、図３に示すようにゲイト電極１０６の
コンタクトホールがテーパー状に形成される。なお、緻
密な陽極酸化物１０８のエッチングレートは約４００Å
／ｍｉｎである。
場合には、エッチング液は酸化アルミニウムをエッチン
グする際に一般的に使用されているものを使用する。本
実施例では、、３％燐酸と３％無水クロム酸との混酸を
７０℃に加熱して、４分間エッチングをする。上層の層
間絶縁物３０１がテーパー状にエッチングされているた
め、緻密な陽極酸化物１０８は抉れずに、テーパー状に
エッチングされ、図３に示すようにゲイト電極１０６の
コンタクトホールがテーパー状に形成される。なお、緻
密な陽極酸化物１０８のエッチングレートは約４００Å
／ｍｉｎである。
【００６９】コンタクトホールを開孔した後に、スパッ
タ法により、チタン膜を１５００Åの厚さに成膜し、引
き続いてアルミニウム膜を５０００Åの厚さに成膜した
後に、パターニングして、ゲイト電極・配線３０２、ソ
ース／ドレイン電極をそれぞれ形成する。
タ法により、チタン膜を１５００Åの厚さに成膜し、引
き続いてアルミニウム膜を５０００Åの厚さに成膜した
後に、パターニングして、ゲイト電極・配線３０２、ソ
ース／ドレイン電極をそれぞれ形成する。
【００７０】本実施例は、層間絶縁物３０１を形成する
際に、ｒｆ出力値を層毎に変化させながら、酸化珪素膜
３０１ａ〜３０１ｃを成膜することにより、エッチング
レートの異なる３層構造の層間絶縁物３０１を形成する
ことができる。このため、一般的に広く採用されている
エッチング方法により、図３に示すようにテーパー状の
コンタクトホールを形成することができる。このため、
コンタクトホールの段差部でゲイト電極・配線３０２、
ソース／ドレイン電極がその部分だけ薄くなって、断線
することが無い。
際に、ｒｆ出力値を層毎に変化させながら、酸化珪素膜
３０１ａ〜３０１ｃを成膜することにより、エッチング
レートの異なる３層構造の層間絶縁物３０１を形成する
ことができる。このため、一般的に広く採用されている
エッチング方法により、図３に示すようにテーパー状の
コンタクトホールを形成することができる。このため、
コンタクトホールの段差部でゲイト電極・配線３０２、
ソース／ドレイン電極がその部分だけ薄くなって、断線
することが無い。
【００７１】本実施例では、層間絶縁物３０１のエッチ
ングレートを変化するために、ｒｆ出力を変化するよう
に説明したが、例えば成膜時に、原料ガスの種類、原料
ガスの流量、ガス比等を変化するようにしてもよい。
ングレートを変化するために、ｒｆ出力を変化するよう
に説明したが、例えば成膜時に、原料ガスの種類、原料
ガスの流量、ガス比等を変化するようにしてもよい。
【００７２】なお、層間絶縁物３０１の層数や厚さ等は
本実施例において説明したものに限らず、採用するエッ
チング方法に対するエッチングレートを考慮して適宜に
決定すればよい。
本実施例において説明したものに限らず、採用するエッ
チング方法に対するエッチングレートを考慮して適宜に
決定すればよい。
【００７３】〔実施例３〕図５は第３の実施例のソース
／ドレイン領域のコンタクトホールの断面図であり、層
間絶縁膜の最下層に２００〜５００Åの窒化珪素膜を形
成するようにしている。構造的には実施例１と同様であ
るが、果たす効果が異なるので本実施例で説明すること
とする。
／ドレイン領域のコンタクトホールの断面図であり、層
間絶縁膜の最下層に２００〜５００Åの窒化珪素膜を形
成するようにしている。構造的には実施例１と同様であ
るが、果たす効果が異なるので本実施例で説明すること
とする。
【００７４】図５において、５０１は結晶性珪素膜でな
る島状珪素膜、５０２は２５０Åの厚さの窒化珪素膜で
ある。この窒化珪素膜５０２はプラズマＣＶＤ法により
成膜され、成膜条件は以下の通りである。 原料ガス ＳｉＨ4 ：１０sccm、ＮＨ3 ：７５sccm、Ｎ2 ：５００sccm 成膜圧力 ０．７torr 印加電力 ３００Ｗ 成膜温度 ３５０℃
る島状珪素膜、５０２は２５０Åの厚さの窒化珪素膜で
ある。この窒化珪素膜５０２はプラズマＣＶＤ法により
成膜され、成膜条件は以下の通りである。 原料ガス ＳｉＨ4 ：１０sccm、ＮＨ3 ：７５sccm、Ｎ2 ：５００sccm 成膜圧力 ０．７torr 印加電力 ３００Ｗ 成膜温度 ３５０℃
【００７５】その上には、それぞれエッチングレートの
異なる酸化珪素膜５０３ａ、５０３ｂで構成される層間
絶縁膜５０３を堆積する。この層間絶縁膜５０３の成膜
条件等に関しては実施例１及び実施例２で述べたのでこ
こでは省略する。
異なる酸化珪素膜５０３ａ、５０３ｂで構成される層間
絶縁膜５０３を堆積する。この層間絶縁膜５０３の成膜
条件等に関しては実施例１及び実施例２で述べたのでこ
こでは省略する。
【００７６】次に、層間絶縁膜５０３をバッファードフ
ッ酸溶液でエッチングしてコンタクトホールを形成す
る。この時、窒化珪素膜５０２および各層間絶縁膜５０
３ａ、５０３ｂのエッチングレートの違いからテーパー
形状を有するコンタクトホールが形成される。（図５）
ッ酸溶液でエッチングしてコンタクトホールを形成す
る。この時、窒化珪素膜５０２および各層間絶縁膜５０
３ａ、５０３ｂのエッチングレートの違いからテーパー
形状を有するコンタクトホールが形成される。（図５）
【００７７】このように、図４で説明したような構造
（島状珪素膜と酸化珪素膜でなる層間絶縁膜が直接接す
る構造）ではなく、本実施例のように島状珪素膜５０１
と層間絶縁膜５０３の間に窒化珪素膜５０２を挟み込む
構造とすると、くさび型の抉れが形成されない。
（島状珪素膜と酸化珪素膜でなる層間絶縁膜が直接接す
る構造）ではなく、本実施例のように島状珪素膜５０１
と層間絶縁膜５０３の間に窒化珪素膜５０２を挟み込む
構造とすると、くさび型の抉れが形成されない。
【００７８】この理由は現状において不明であるが、本
実施例による構造を採ることで配線で被覆しやすい形状
のコンタクトホールを得られる。このことは、断線のな
い配線を形成する上で非常に有益である
実施例による構造を採ることで配線で被覆しやすい形状
のコンタクトホールを得られる。このことは、断線のな
い配線を形成する上で非常に有益である
【００７９】
【効果】本発明において、成膜条件を変化させて、絶縁
膜をエッチングレートが上層に行くに従って段階的又は
連続的に増加するように形成したため、エッチング条件
を特別に制御することなく、絶縁膜にテーパー状のコン
タクトホールを形成することが可能になる。これによ
り、コンタクトホールに形成される配線の段差被覆性を
良好にすることができる。
膜をエッチングレートが上層に行くに従って段階的又は
連続的に増加するように形成したため、エッチング条件
を特別に制御することなく、絶縁膜にテーパー状のコン
タクトホールを形成することが可能になる。これによ
り、コンタクトホールに形成される配線の段差被覆性を
良好にすることができる。
【００８０】具体的には、窒化珪素と酸化珪素というよ
うに組成の違いによりエッチングレートが異なること
と、ｒｆ出力値が小さいほど酸化珪素膜のエッチングレ
ートが速くなることを利用することで、エッチングレー
トの異なる多層構造の絶縁膜を形成することができる。
うに組成の違いによりエッチングレートが異なること
と、ｒｆ出力値が小さいほど酸化珪素膜のエッチングレ
ートが速くなることを利用することで、エッチングレー
トの異なる多層構造の絶縁膜を形成することができる。
【００８１】特に、層間絶縁膜の最下層を窒化珪素膜と
することでくさび型の抉れが形成されないコンタクトホ
ールを形成することが可能となる。これにより、コンタ
クトホールに形成される配線の段差被覆性を良好にする
ことができる。
することでくさび型の抉れが形成されないコンタクトホ
ールを形成することが可能となる。これにより、コンタ
クトホールに形成される配線の段差被覆性を良好にする
ことができる。
【００８２】更に、絶縁膜の厚さに拘わらず、コンタク
トホールをテーパー状に形成することが可能になるの
で、絶縁膜の表面が平坦化できる程度に絶縁膜を厚く堆
積しても、エッチングバックすることなく、テーパー状
のコンタクトホールを形成することが可能になる。従っ
て、コンタクトホールに形成される配線の段差被覆性を
良好にすることと共に、絶縁膜の表面に形成される配線
の段差被覆性をも良好にすることができる。
トホールをテーパー状に形成することが可能になるの
で、絶縁膜の表面が平坦化できる程度に絶縁膜を厚く堆
積しても、エッチングバックすることなく、テーパー状
のコンタクトホールを形成することが可能になる。従っ
て、コンタクトホールに形成される配線の段差被覆性を
良好にすることと共に、絶縁膜の表面に形成される配線
の段差被覆性をも良好にすることができる。
【００８３】また、ＣＶＤ法のみにより絶縁膜を形成す
るようにしたため、アルミニウムが拡散したり、アルミ
ニウムの結晶が異常成長することがない温度で、絶縁膜
を形成することができる。このため、アルミニウムで電
極を形成するような薄膜トランジスタにおいて、上記の
ようにエッチングレートが異なる多層構造を有する層間
絶縁膜を形成することが可能になる。
るようにしたため、アルミニウムが拡散したり、アルミ
ニウムの結晶が異常成長することがない温度で、絶縁膜
を形成することができる。このため、アルミニウムで電
極を形成するような薄膜トランジスタにおいて、上記の
ようにエッチングレートが異なる多層構造を有する層間
絶縁膜を形成することが可能になる。
【図１】第１の実施例の作成工程毎の半導体の断面構成
図である。
図である。
【図２】ゲイト電極のコンタクトホールの断面構成図で
ある。
ある。
【図３】第２実施例のゲイト電極のコンタクトホールの
断面構成図である。
断面構成図である。
【図４】ソース／ドレイン領域のコンタクトホールの断
面構成図である。
面構成図である。
【図５】第３実施例のソース／ドレイン領域のコンタク
トホールの断面構成図である。
トホールの断面構成図である。
【符号の説明】 １０６ ゲイト電極 １０７ 多孔質陽極酸化物 １０８ 緻密な陽極酸化物 １０９ ゲイト絶縁膜 １１０ ソース領域 １１１ トレイン領域 １１２、１１３ 低濃度不純物領域 １１５、３０１ 層間絶縁物 １１６、３０２ ゲイト電極 ４０３ くさび型の抉れ ５０２ 窒化珪素膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ２３Ｃ 16/50 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｃ (72)発明者 小沼 利光 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 (72)発明者 山崎 舜平 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内
Claims (12)
- 【請求項１】金属導電層又は半導体層を形成する工程
と、 前記金属導電層又は半導体層を覆うように絶縁膜をＣＶ
Ｄ法により形成する工程と、 前記絶縁膜の所望の部分をエッチングしてコンタクトホ
ールを形成する工程と、 を有する半導体装置の製造方法において、 前記絶縁膜を形成する工程は、成膜条件を段階的又は連
続的に変化して、前記絶縁膜のエッチングレートが上層
に行くに従って段階的に又は連続的に増加するようにし
たことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記絶縁膜を形成する工程は、ｒｆ出力を
段階的に又は連続的に減少するようにした請求項１に記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】金属導電層又は半導体層を形成する工程
と、 前記金属導電層又は半導体層を覆うように絶縁膜をＣＶ
Ｄ法により形成する工程と、 前記絶縁膜の所望の部分をエッチングしてコンタクトホ
ールを形成する工程と、 を有する半導体装置の製造方法において、 前記絶縁膜は、エッチングレートが上層に行くに従って
段階的又は連続的に増加することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項４】前記絶縁膜を形成する工程は、プラズマＣ
ＶＤ法により窒化珪素を堆積する工程と、 プラズマＣＶＤ法によりｒｆ出力を段階的に又は連続的
に減少しながら前記窒化珪素膜上に酸化珪素を堆積する
工程と、 から成る請求項３に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】前記絶縁膜を形成する工程は、プラズマＣ
ＶＤ法によりｒｆ出力を段階的に又は連続的に減少しな
がら酸化珪素を堆積する工程とする請求項３に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項６】基板表面上に活性層を形成する工程と、 前記活性層上に第１の絶縁膜を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜上に配線層を形成する工程と、 前記第１の絶縁膜をエッチングして前記活性層の所望の
表面を露出する工程と、 前記活性層の露出された表面と前記配線層とを覆うよう
に第２の絶縁膜をＣＶＤ法により形成する工程と、 前記第２の絶縁膜の所望の部分をエッチングしてコンタ
クトホールを形成する工程と、 を有する半導体装置の製造方法において、 前記第２の絶縁膜は、エッチングレートが上層に行くに
従って段階的又は連続的に増加することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項７】前記第２の絶縁膜を形成する工程は、プラ
ズマＣＶＤ法により窒化珪素膜を堆積する工程と、 プラズマＣＶＤ法によりｒｆ出力を段階的に又は連続的
に減少しながら、前記窒化珪素膜上に酸化珪素を堆積す
る工程と、 から成る請求項６に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】前記第２の絶縁膜を形成する工程は、プラ
ズマＣＶＤ法によりｒｆ出力を段階的に又は連続的に減
少しながら酸化珪素を堆積する工程とする請求項６に記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】アルミニウム又はアルミニウムを主成分と
する金属により配線層を形成する工程と、 前記配線層を覆うように絶縁膜をＣＶＤ法により形成す
る工程と、 前記絶縁膜の所望の部分をエッチングしてコンタクトホ
ールを形成する工程と、 を有する半導体装置の製造方法において、 前記絶縁膜は、エッチングレートが上層に行くに従って
段階的又は連続的に増加することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項１０】金属導電層又は半導体層を形成する工程
と、 前記金属導電層又は半導体層を覆うように絶縁膜をＣＶ
Ｄ法により形成する工程と、 前記絶縁膜の所望の部分をエッチングしてコンタクトホ
ールを形成する工程と、 を有する半導体装置の製造方法において、 前記絶縁膜の最下層は２００〜５００Åの厚さの窒化珪
素膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】前記窒化珪素膜は原料ガスとしてシラン
（ＳｉＨ4 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、窒素（Ｎ2 ）を
用いたプラズマＣＶＤ法により形成されることを特徴と
する請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】前記窒化珪素膜のバッファードフッ酸に
よるエッチングレートは８００〜１０００Å／分である
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18129796A JP3565993B2 (ja) | 1995-06-20 | 1996-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17680195 | 1995-06-20 | ||
| JP7-176801 | 1995-06-20 | ||
| JP8-20540 | 1996-01-10 | ||
| JP2054096 | 1996-01-10 | ||
| JP18129796A JP3565993B2 (ja) | 1995-06-20 | 1996-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09251996A true JPH09251996A (ja) | 1997-09-22 |
| JP3565993B2 JP3565993B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=27283088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18129796A Expired - Fee Related JP3565993B2 (ja) | 1995-06-20 | 1996-06-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3565993B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007053355A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-03-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US7315076B2 (en) | 2003-06-18 | 2008-01-01 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
| US7411211B1 (en) * | 1999-07-22 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
| JP2009053034A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| US8558238B2 (en) | 2006-06-01 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| WO2013190838A1 (ja) * | 2012-06-21 | 2013-12-27 | パナソニック株式会社 | Ｔｆｔ基板およびその製造方法並びに有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| US9099395B2 (en) | 2005-07-22 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| GB2539231A (en) * | 2015-06-10 | 2016-12-14 | Semblant Ltd | Coated electrical assembly |
| US11786930B2 (en) | 2016-12-13 | 2023-10-17 | Hzo, Inc. | Protective coating |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62291064A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPS63131542A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63112337U (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-19 | ||
| JPH02201940A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 層間絶縁膜およびその製造方法 |
| JPH0336769A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-18 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタとその製造方法ならびにそれを用いたマトリクス回路基板と画像表示装置 |
| JPH04177765A (ja) * | 1990-11-10 | 1992-06-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH04330783A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-11-18 | Canon Inc | 薄膜半導体装置及び受光素子及び光センサ |
| JPH05181159A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Toshiba Corp | アクティブマトリックス型液晶表示素子 |
| JPH06330322A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁膜の作製方法 |
| JPH0778996A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Sony Corp | 表示素子基板用半導体装置の製造方法 |
| JPH07153971A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP18129796A patent/JP3565993B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62291064A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPS63131542A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63112337U (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-19 | ||
| JPH02201940A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 層間絶縁膜およびその製造方法 |
| JPH0336769A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-18 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタとその製造方法ならびにそれを用いたマトリクス回路基板と画像表示装置 |
| JPH04177765A (ja) * | 1990-11-10 | 1992-06-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH04330783A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-11-18 | Canon Inc | 薄膜半導体装置及び受光素子及び光センサ |
| JPH05181159A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Toshiba Corp | アクティブマトリックス型液晶表示素子 |
| JPH06330322A (ja) * | 1993-05-20 | 1994-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁膜の作製方法 |
| JPH0778996A (ja) * | 1993-09-07 | 1995-03-20 | Sony Corp | 表示素子基板用半導体装置の製造方法 |
| JPH07153971A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8624253B2 (en) | 1999-07-22 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
| US7411211B1 (en) * | 1999-07-22 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
| US8368076B2 (en) | 1999-07-22 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
| US7626202B2 (en) | 1999-07-22 | 2009-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
| US7956359B2 (en) | 1999-07-22 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
| US8258515B2 (en) | 1999-07-22 | 2012-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
| US7315076B2 (en) | 2003-06-18 | 2008-01-01 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
| US9917201B2 (en) | 2005-07-22 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2007053355A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-03-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US9099395B2 (en) | 2005-07-22 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10103270B2 (en) | 2005-07-22 | 2018-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8791461B2 (en) | 2006-06-01 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US8558238B2 (en) | 2006-06-01 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2009053034A (ja) * | 2007-08-27 | 2009-03-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| JPWO2013190838A1 (ja) * | 2012-06-21 | 2016-02-08 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | Ｔｆｔ基板およびその製造方法並びに有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| US9564474B2 (en) | 2012-06-21 | 2017-02-07 | Joled Inc. | TFT substrate, method for producing same, organic EL display device, and method for manufacturing organic EL display device |
| WO2013190838A1 (ja) * | 2012-06-21 | 2013-12-27 | パナソニック株式会社 | Ｔｆｔ基板およびその製造方法並びに有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| GB2539231A (en) * | 2015-06-10 | 2016-12-14 | Semblant Ltd | Coated electrical assembly |
| GB2539231B (en) * | 2015-06-10 | 2017-08-23 | Semblant Ltd | Coated electrical assembly |
| US11786930B2 (en) | 2016-12-13 | 2023-10-17 | Hzo, Inc. | Protective coating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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