JPH0897467A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPH0897467A JPH0897467A JP22828694A JP22828694A JPH0897467A JP H0897467 A JPH0897467 A JP H0897467A JP 22828694 A JP22828694 A JP 22828694A JP 22828694 A JP22828694 A JP 22828694A JP H0897467 A JPH0897467 A JP H0897467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- light emitting
- emitting device
- current diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 61
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 15
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910016920 AlzGa1−z Inorganic materials 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
御可能とし、p型電流拡散層中のp型ドーパントである
Znの拡散によって起こるp型クラッド層/活性層の劣
化及び活性層品質の劣化を防止し、これにより、発光強
度の向上を可能とした半導体発光装置を提供する。 【構成】 n型GaAs基板上に、AlGaInPダブ
ルヘテロ接合構造からなる発光層部が形成され、該発光
層部上にp型電流拡散層を形成してなる半導体発光装置
において、上記p型電流拡散層がアンドープ電流拡散層
と該アンドープ電流拡散層上に形成された高濃度ドープ
電流拡散層とからなる。
Description
いた半導体発光装置に関し、特にGaAs基板上に成長
したAlGaInPを発光層とする半導体発光装置に関
する。
除くIII −V族化合物半導体混晶中で最大の直接遷移型
エネルギーギャップを有し、550〜650nm帯(緑
色〜赤色域)の可視光発光装置の材料として注目されて
いる。斯かる大きな直接遷移型エネルギーギャップを有
するAlGaInP系材料を用いた発光装置は、従来の
GaP、GaAsP等の間接遷移型の材料を用いたもの
と比べて高輝度の発光が可能である。
の一例を示す概略断面説明図である。この従来のAlG
aInP系発光装置40は、n型GaAs基板11上
に、n型(Alx Ga1-x )0.51In0.49Pクラッド層
12(厚さ約1μm)、(Al y Ga1-y )0.51In
0.49P活性層13(厚さ約0.6μm)、p型(Alz
Ga1-z )0.51In0.49Pクラッド層14(厚さ約1μ
m)及びp型電流拡散層15(厚さ数μm)を順次積層
形成し、前記p型電流拡散層15上にp側電極(上面電
極)16、n型GaAs基板11の下面にn側電極(下
面電極)17を設けた構成になっている。
P活性層13と該活性層13より大きなエネルギーギャ
ップを有する2つのAlGaInPクラッド層すなわち
n型(Alx Ga1-x )0.51In0.49Pクラッド層12
及びp型(Alz Ga1-z ) 0.51In0.49Pクラッド層
14とで構成されるAlGaInPダブルヘテロ接合構
造は発光層部18を構成し、前記(Aly Ga1-y )
0.51In0.49P活性層13が発光層として機能する。ま
た、上記AlGaInPダブルヘテロ接合構造を構成す
る各AlGaInP層のAl組成x、y、zは0≦y≦
0.7、y<x及びy<zなる関係を満たす。
がない場合、前記(Alx Ga1-x)0.51In0.49P、
(Aly Ga1-y )0.51In0.49P及び(Alz Ga
1-z ) 0.51In0.49Pを総称して(AlB Ga1-B )
0.51In0.49P又は単にAlGaInPと表記する。
おいては、電流拡散層を設ける必要があり、特にAlG
aInP系混晶とは異なる材料からなる電流拡散層を設
ける必要がある。その理由を図5を参照しながら説明す
る。図5には、p側電極16からの電流分布19を矢印
で示してある。
いては、p側電極16からの電流をAlGaInP活性
層13の全域に効果的に拡散させて効率的に発光させる
ことが望ましい。そのためには、前記p側電極16とA
lGaInP活性層13との間の距離(層厚)を所定以
上(数μm以上)にする必要がある。
いては、通常は図5に示したように、GaAs基板11
上に、該GaAs基板11と格子整合させてAlGaI
nP系の前記各層12(厚さ約1μm)、13(厚さ約
0.6μm)、14(厚さ約1μm)を(AlB Ga
1-B )0.51In0.49Pなる組成で形成させるが、全厚で
4μmを超える厚さの(AlB Ga1-B )0.51In0.49
P混晶層を結晶性を損うことなく形成させることは極め
て困難である。
GaInP活性層13の全域に効果的に拡散させるため
には、p側電極16と前記活性層13との間の厚さが数
μm以上必要であるが、この厚さの層の形成はAlGa
InP系材料では上記理由により不可能に近い。
料からなる層を電流拡散層15として前記p型AlGa
InPクラッド層14上に形成し、p側電極16からの
電流を前記AlGaInP活性層13全域に効果的に拡
散させて、効率的な発光を得ることが行われている。
例えばp型ドーパントであるZnを高濃度(3×1018
atoms/cm3 程度)にドープしたAlGaAs、AlGa
AsP又はGaPが従来より用いられている。
aInP系発光装置40のダブルヘテロ接合構造は、p
型クラッド層14の厚さが1μm程度の厚さで作られ
る。しかし、Znの拡散係数が大きいことに起因して、
この構造ではp型電流拡散層15の成長時に該p型電流
拡散層15から高濃度にドープされたZnが、p型クラ
ッド層14、更には活性層13まで拡散してくる。この
p型ドーパントであるZnの拡散に伴い、p型クラッ
ド層14のキャリア濃度が安定して制御できない、p
型クラッド層14/活性層13の界面の劣化が起こる、
活性層品質の劣化が起こる、等の問題があり、発光強
度を低下させる原因となっている。
みてなされたもので、p型クラッド層のキャリア濃度を
安定して制御可能とし、p型電流拡散層中のp型ドーパ
ントであるZnの拡散によって起こるp型クラッド層/
活性層の界面の劣化及び活性層品質の劣化を防止し、こ
れにより、発光強度の向上を可能とした半導体発光装置
を提供することを目的とする。
に、本発明は、n型GaAs基板上に、AlGaInP
ダブルヘテロ接合構造からなる発光層部が形成され、該
発光層部上にp型電流拡散層を形成してなる半導体発光
装置において、上記p型電流拡散層が、アンドープ電流
拡散層と該アンドープ電流拡散層上に形成された高濃度
ドープ電流拡散層とからなるようにした。
VPE法(有機金属気相成長法)により、V族元素とII
I 族元素との供給量比(V/III 比)を30以下かつア
ンドープの状態で形成された炭素(C)のオートドープ
層が用いられる。MOVPE法では、例えばAlGaA
s、AlGaAsP、GaP等を低V/III 比で成長す
るとアンドープでもCのオートドーピングによって図8
に示すごとくp型の層が形成出来、しかもCは拡散係数
が非常に小さい為、ほとんど拡散しない。
5μm以上であるのが好適である。
atoms/cm3 程度)にZnがドープされたp型電流拡散層
とp型クラッド層との間に、Cのオートドーピングによ
りp型ではあるがZnがドープされていない層(アンド
ープ電流拡散層)が存在するため、Znの拡散はこのア
ンドープ電流拡散層にほとんど留まり、p型クラッド
層、活性層への拡散が著しく抑制できるとともに、アン
ドープ電流拡散層中にオートドーピングされたCは拡散
係数が非常に小さい為、品質に影響を及ぼす程にはp型
クラッド層及び活性層に拡散しない。このことにより、
p型クラッド層のキャリア濃度を、拡散を考慮に入れず
安定して制御できるとともに、発光強度に影響を与える
p型クラッド層/活性層界面及び活性層の品質の劣化が
抑制できる。
ついて、図1〜図4を参照して説明する。
の一実施例を示す概略断面説明図である。図1におい
て、図5と同一部材又は類似部材は同一符号を用いる。
この発光装置10はn型GaAs基板11上にn型(A
l0.7 Ga0.3 )0.51In0.49Pクラッド層12(厚さ
約1μm)、(Aly Ga1-y )0.51In0.49P活性層
13(0≦y≦0.7、厚さ約0.6μm)、p型(A
l0.7 Ga0.3 )0.51In0.49クラッド層14(厚さ約
1μm)を順次積層形成した後、アンドープのAl0.7
Ga0.3 As電流拡散層32を約0.5μm、Znドー
プのp型Al0.7Ga0.3 As電流拡散層34を約10
μm積層形成し、前記p型電流拡散層34上にp側電極
16、n型GaAs基板11の下面にn側電極17を設
けた構成になっている。
の成長にはMOVPE法(有機金属気相成長法)を用い
る。Al、Ga、In及びP、Asの原料としてはそれ
ぞれトリメチルアルミニウム〔Al(CH3 )3 、TM
Al〕、トリメチルガリウム〔Ga(CH3 )3 、TM
Ga〕、トリメチルインジウム〔In(CH3 )3 、T
MIn〕、アルシン(AsH3 )及びホスフィン(PH
3 )を用いる。更にn型及びp型のドーパント源として
は、それぞれセレン化水素(H2 Se)、ジメチル亜鉛
〔Zn(CH3 )2 、DMZn〕を用いる。
に用いる成長装置の構成例を示す。すなわち、各種III
族金属元素の有機物の蒸気と、気相のV族元素の水素化
物とを、成長層の組成に応じて分圧及び流量を選択して
混合し、得られた混合ガスを反応室25に供給し、反応
室25内に配置したn型GaAs基板11上に所望の成
長層を順次積層形成する。
ための方法を具体的に示す。50Torrの減圧下で、
V族元素とIII 族元素との供給量比(V/III比)が1
00となるように混合したガスを成長層の原料ガスとし
て用い、成長温度710℃、成長速度4μm/時の成長
条件で、n型GaAs基板11上に前記各層12、1
3、14を最初に順次積層形成させる。
層32は、Al、Ga、As原料のみを反応管内に導入
して成長を行うが、その時のV族元素(As)とIII 族
元素(Al+Ga)との供給量比(V/III 比)が20
となる様に混合したガスを原料ガスとして用いる。実験
に用いた装置では、上記の成長条件(成長温度710
℃、成長圧力50torr、V/III 比20)でアンド
ープAlGaAs電流拡散層32を成長した場合の導電
型とキャリア濃度は、p型で約3×1017cm-3になる事
が確認できている(図8)。
Zn原料を同時に流しp型Al0.7Ga0.3 As層34
を成長する。このp型AlGaAs層34の成長を行う
時は、前記各層12,13,14の成長の場合と同様
に、上記V/III 比が100になる様に混合したガスを
原料ガスとして用いる。このようにして得られたエピタ
キシャルウェーハを素子化することにより、図1に示す
構造のAlGaInP系発光装置10が得られる。
の概略断面説明図を示す。図6において、図1と同一又
は類似部材は同一符号で示した。図6のAlGaInP
系発光装置40aの構造は、図1に示した実施例1のA
lGaInP系発光装置10の構造と比較するとアンド
ープAlGaAs電流拡散層32のみを積層しない構造
となっている。アンドープAlGaAs電流拡散層32
以外の層、即ち層12,13,14及び34の成長条件
については実施例1と全く同じ方法で成長した。
系発光装置10と比較例1のAlGaInP系発光装置
40aの2次イオン質量分析法(SIMS法)によるZ
n濃度分析の結果を示す。比較例1の構造(図6)では
Znが高濃度にドープされているp型AlGaAs電流
拡散層34からp型AlGaInPクラッド層14へZ
nが拡散しており、p型AlGaInPクラッド層14
のZn濃度が所望のドーピングレベル(3×1017atom
s/cm3程度 )に制御されていない(図7)。実施例1の
構造(図1)では、Znの拡散がほぼアンドープAlG
aAs電流拡散層32に制限され、p型AlGaInP
クラッド層14のZn濃度がドーピングにより制御され
ている事がわかる(図3)。
AlGaAs層電流拡散32の厚さのみを0μm(比較
例1)から0.5μmまで変化させた場合のAlGaI
nP系発光装置の発光出力をアンドープAlGaAs電
流拡散層32無し(比較例1)の場合を基準にして示
す。アンドープAlGaAs電流拡散層32を形成する
ことにより発光出力は向上し、特にアンドープAlGa
As電流拡散層32の厚さが0.25μm以上であると
約20%の発光出力の向上をみ、本発明の有効性が立証
された。
装置によれば、p型クラッド層のキャリア濃度が安定し
て制御可能となり、p型電流拡散層中のp型ドーパント
であるZnの拡散によって起こるp型クラッド層/活性
層の界面の劣化及び活性層品質の劣化が防止され、これ
により、発光強度の向上が可能となるという大きな効果
を奏する。
断面説明図である。
装置の一例を示す概略説明図である。
MS法)によるZn濃度分析の結果を示すグラフであ
る。
を0μmから0.5μmまで変化させた場合のAlGa
InP系発光装置の発光出力の測定結果を示すグラフで
ある。
明図である。
面説明図である。
MS法)によるZn濃度分析の結果を示すグラフであ
る。
を示すグラフである。
Claims (4)
- 【請求項1】 n型GaAs基板上に、AlGaInP
ダブルヘテロ接合構造からなる発光層部が形成され、該
発光層部上にp型電流拡散層を形成してなる半導体発光
装置において、上記p型電流拡散層が、アンドープ電流
拡散層と該アンドープ電流拡散層上に形成された高濃度
ドープ電流拡散層とからなることを特徴とする半導体発
光装置。 - 【請求項2】 上記アンドープ電流拡散層が、MOVP
E法(有機金属気相成長法)により、V族元素とIII 族
元素との供給量比を30以下かつアンドープの状態で形
成された炭素(C)のオートドープ層であることを特徴
とする請求項1記載の半導体発光装置。 - 【請求項3】 上記アンドープ電流拡散層が、AlGa
As、AlGaAsP又はGaP材料により形成される
ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体発
光装置。 - 【請求項4】 上記アンドープ電流拡散層の厚さが0.
25μm以上であることを特徴とする請求項1ないし請
求項3のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22828694A JP2871477B2 (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
US08/514,628 US5600158A (en) | 1994-09-22 | 1995-08-14 | Semiconductor light emitting device with current spreading layer |
DE69525700T DE69525700T2 (de) | 1994-09-22 | 1995-08-17 | Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung |
EP95112979A EP0703630B1 (en) | 1994-09-22 | 1995-08-17 | Method of producing a semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22828694A JP2871477B2 (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0897467A true JPH0897467A (ja) | 1996-04-12 |
JP2871477B2 JP2871477B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=16874096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22828694A Expired - Lifetime JP2871477B2 (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5600158A (ja) |
EP (1) | EP0703630B1 (ja) |
JP (1) | JP2871477B2 (ja) |
DE (1) | DE69525700T2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997045881A1 (fr) * | 1996-05-30 | 1997-12-04 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif luminescent a semi-conducteur et procede de fabrication de ce dispositif |
JP2007042751A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2008066514A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ及び半導体発光素子 |
US7675072B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-03-09 | Hitachi Cable, Ltd. | Light emitting diode |
KR20150145949A (ko) * | 2014-06-20 | 2015-12-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3122324B2 (ja) * | 1995-02-20 | 2001-01-09 | 三菱電線工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP3233569B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2001-11-26 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
US5835521A (en) * | 1997-02-10 | 1998-11-10 | Motorola, Inc. | Long wavelength light emitting vertical cavity surface emitting laser and method of fabrication |
US6410943B1 (en) | 1997-05-14 | 2002-06-25 | Research Triangle Institute | Light emitting device contact layers having substantially equal spreading resistance and method of manufacture |
US6107647A (en) * | 1997-05-15 | 2000-08-22 | Rohm Co. Ltd. | Semiconductor AlGaInP light emitting device |
GB2344457B (en) * | 1998-12-02 | 2000-12-27 | Arima Optoelectronics Corp | Semiconductor devices |
JP3472714B2 (ja) * | 1999-01-25 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
JP4903643B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2012-03-28 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
US9293622B2 (en) | 2009-05-05 | 2016-03-22 | 3M Innovative Properties Company | Re-emitting semiconductor carrier devices for use with LEDs and methods of manufacture |
JP2012526391A (ja) | 2009-05-05 | 2012-10-25 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | インジウム空乏機構を利用してインジウム含有基板上で成長した半導体素子 |
CN102473817A (zh) | 2009-06-30 | 2012-05-23 | 3M创新有限公司 | 无镉再发光半导体构造 |
JP5728007B2 (ja) | 2009-06-30 | 2015-06-03 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 電流集中に基づく色調整を伴うエレクトロルミネセント素子 |
CN102474932B (zh) | 2009-06-30 | 2015-12-16 | 3M创新有限公司 | 具有可调节色温的白光电致发光器件 |
KR101622309B1 (ko) | 2010-12-16 | 2016-05-18 | 삼성전자주식회사 | 나노구조의 발광소자 |
SG11201408080UA (en) | 2012-06-20 | 2015-01-29 | Univ Nanyang Tech | A light-emitting device |
KR102163987B1 (ko) * | 2014-05-30 | 2020-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
CN114420814A (zh) * | 2022-04-01 | 2022-04-29 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种led外延片、外延生长方法及led芯片 |
CN115305566A (zh) * | 2022-10-12 | 2022-11-08 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 外延层的制备方法以及含外延层的半导体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2681352B2 (ja) * | 1987-07-31 | 1997-11-26 | 信越半導体 株式会社 | 発光半導体素子 |
US5048035A (en) * | 1989-05-31 | 1991-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
JP2900754B2 (ja) * | 1993-05-31 | 1999-06-02 | 信越半導体株式会社 | AlGaInP系発光装置 |
JPH0794781A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-07 | Toshiba Corp | 面発光型半導体発光ダイオード |
-
1994
- 1994-09-22 JP JP22828694A patent/JP2871477B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-08-14 US US08/514,628 patent/US5600158A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-17 EP EP95112979A patent/EP0703630B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-17 DE DE69525700T patent/DE69525700T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997045881A1 (fr) * | 1996-05-30 | 1997-12-04 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif luminescent a semi-conducteur et procede de fabrication de ce dispositif |
CN1114959C (zh) * | 1996-05-30 | 2003-07-16 | 罗姆股份有限公司 | 半导体发光器件及其制造方法 |
US7675072B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-03-09 | Hitachi Cable, Ltd. | Light emitting diode |
JP2007042751A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2008066514A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ及び半導体発光素子 |
KR20150145949A (ko) * | 2014-06-20 | 2015-12-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2871477B2 (ja) | 1999-03-17 |
DE69525700D1 (de) | 2002-04-11 |
EP0703630B1 (en) | 2002-03-06 |
US5600158A (en) | 1997-02-04 |
EP0703630A3 (en) | 1996-07-31 |
DE69525700T2 (de) | 2002-08-01 |
EP0703630A2 (en) | 1996-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2871477B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
US5904549A (en) | Methods for growing semiconductors and devices thereof from the alloy semiconductor GaInNAs | |
JPH0770755B2 (ja) | 高輝度led用エピタキシャル基板及びその製造方法 | |
JP3368452B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
US5381756A (en) | Magnesium doping in III-V compound semiconductor | |
JP2900754B2 (ja) | AlGaInP系発光装置 | |
JP2000101133A (ja) | 発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法 | |
JP4199835B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 | |
JP2645055B2 (ja) | ダブルヘテロウェハ及びダブルヘテロ接合型半導体レーザ装置 | |
JP2937054B2 (ja) | AlGaInP系発光装置 | |
JP2004356600A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2937060B2 (ja) | AlGaInP系発光装置 | |
JP4376373B2 (ja) | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ、その製造方法および半導体発光素子 | |
JP3622292B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP3703927B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JPH08102567A (ja) | Beドーピング方法,エピタキシャル成長方法,半導体光素子の製造方法,及び半導体光素子 | |
JP3146637B2 (ja) | エピタキシャルウェーハ及び黄色発光ダイオード | |
JP3767621B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JPH10256667A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP4592966B2 (ja) | Iii−v族化合物半導体結晶膜及びその成膜方法 | |
JP2003347231A (ja) | 化合物半導体の製造方法及び半導体素子 | |
JPH0864865A (ja) | 半導体発光装置 | |
JPS6242415A (ja) | 半導体エピタキシヤルウエハの製造方法 | |
JPH0521355A (ja) | 気相成長方法 | |
JP2001044489A (ja) | 半導体結晶の成長方法および半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080108 Year of fee payment: 9 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080108 Year of fee payment: 9 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090108 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090108 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100108 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110108 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110108 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120108 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120108 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140108 Year of fee payment: 15 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |