JPH0864865A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH0864865A JPH0864865A JP20205594A JP20205594A JPH0864865A JP H0864865 A JPH0864865 A JP H0864865A JP 20205594 A JP20205594 A JP 20205594A JP 20205594 A JP20205594 A JP 20205594A JP H0864865 A JPH0864865 A JP H0864865A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明により、ｐｎ接合を最適な位置に、再
現性よく設けることができる構造を提供する。 【構成】 半導体基板上に形成されたＩｎを構成元素と
するIII −Ｖ族化合物半導体からなるクラッド層及び活
性層を有し、かつ活性層の少なくとも片側にＩｎを構成
元素としないIII −Ｖ族半導体からなる層を具備し、前
記Ｉｎを構成元素としないIII −Ｖ族化合物半導体から
なる層の両側の界面を含む該層中にｐｎ接合を設けたこ
とを特徴とする半導体装置。
現性よく設けることができる構造を提供する。 【構成】 半導体基板上に形成されたＩｎを構成元素と
するIII −Ｖ族化合物半導体からなるクラッド層及び活
性層を有し、かつ活性層の少なくとも片側にＩｎを構成
元素としないIII −Ｖ族半導体からなる層を具備し、前
記Ｉｎを構成元素としないIII −Ｖ族化合物半導体から
なる層の両側の界面を含む該層中にｐｎ接合を設けたこ
とを特徴とする半導体装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ、Ｇａ
ＩｎＡｓＰおよびＡｌＩｎＡｓのようなＩｎを構成元素
とする半導体材料を用いた半導体発光装置に関する。
ＩｎＡｓＰおよびＡｌＩｎＡｓのようなＩｎを構成元素
とする半導体材料を用いた半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料を
用いた従来の発光ダイオード（ＬＥＤ）の断面図を示
す。ｎ−ＧａＡｓ基板２０１上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層２０２、ＡｌＧａＩｎＰ活性層２０３、ｐ−
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０４、ｐ−ＡｌＧａＡｓ電
流拡散層２０５、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０６が順
次エピタキシャル成長され、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
にｐ側電極２０７、ｎ−ＧａＡｓ基板にｎ側電極２０８
が形成される。ＡｌＧａＩｎＰ活性層２０３のエネルギ
ーギャップが、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２及び２
０４のエネルギーギャップより小さくなるよう混晶比が
設定されており、ダブルヘテロ構造をなしている。ま
た、ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２０５は、ｐ側電極２
０７から注入された電流を広げることにより、発光領域
を広げて光取り出し効率を向上させる目的で付加される
層であり、その混晶比は発光波長に対して透明になるよ
うに設定される。
用いた従来の発光ダイオード（ＬＥＤ）の断面図を示
す。ｎ−ＧａＡｓ基板２０１上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層２０２、ＡｌＧａＩｎＰ活性層２０３、ｐ−
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０４、ｐ−ＡｌＧａＡｓ電
流拡散層２０５、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２０６が順
次エピタキシャル成長され、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
にｐ側電極２０７、ｎ−ＧａＡｓ基板にｎ側電極２０８
が形成される。ＡｌＧａＩｎＰ活性層２０３のエネルギ
ーギャップが、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２及び２
０４のエネルギーギャップより小さくなるよう混晶比が
設定されており、ダブルヘテロ構造をなしている。ま
た、ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２０５は、ｐ側電極２
０７から注入された電流を広げることにより、発光領域
を広げて光取り出し効率を向上させる目的で付加される
層であり、その混晶比は発光波長に対して透明になるよ
うに設定される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＡｌＧａＩｎＰ系、Ｇ
ａＩｎＡｓＰ系およびＡｌＧａＩｎＡｓ系のようなＩｎ
を構成元素とする化合物半導体のｐ型ドーパントとし
て、一般的に亜鉛（Ｚｎ）が用いられているが、Ｚｎの
活性化率が低いために抵抗率を下げるためには高濃度ド
ーピングを行う必要がある。しかしながら、この場合活
性化しなかったＺｎが成長中に結晶中を速い速度で拡散
していき、ｐｎ接合位置が発光層よりもｎ側にずれたり
することがある。このＺｎ拡散は、成長温度の上昇ある
いは前記ｐ型層の層厚またはＺｎドーピング量の増加に
伴って、顕著になる。場合によってはＳｅ、Ｔｅのよう
なｎ型ドーパントにおいても同様な問題が生じる。ま
た、拡散の防止として活性層近傍でのクラッド層への高
濃度ドーピングという手法もあるが、これには活性層界
面近傍での非発光センターの増加などの結晶品質の劣化
を招いてしまうという問題があり、実際にはあまり高濃
度にドーピングできないのが現状である。
ａＩｎＡｓＰ系およびＡｌＧａＩｎＡｓ系のようなＩｎ
を構成元素とする化合物半導体のｐ型ドーパントとし
て、一般的に亜鉛（Ｚｎ）が用いられているが、Ｚｎの
活性化率が低いために抵抗率を下げるためには高濃度ド
ーピングを行う必要がある。しかしながら、この場合活
性化しなかったＺｎが成長中に結晶中を速い速度で拡散
していき、ｐｎ接合位置が発光層よりもｎ側にずれたり
することがある。このＺｎ拡散は、成長温度の上昇ある
いは前記ｐ型層の層厚またはＺｎドーピング量の増加に
伴って、顕著になる。場合によってはＳｅ、Ｔｅのよう
なｎ型ドーパントにおいても同様な問題が生じる。ま
た、拡散の防止として活性層近傍でのクラッド層への高
濃度ドーピングという手法もあるが、これには活性層界
面近傍での非発光センターの増加などの結晶品質の劣化
を招いてしまうという問題があり、実際にはあまり高濃
度にドーピングできないのが現状である。
【０００４】一方このようなリモート接合をＬＥＤ作製
に用いた場合、光出力の増加、ブレーク電圧の増加及び
これらの特性の均一性向上といった大きな利点があるこ
とは以前に報告されている（特開平１−２２５１１５号
公報）。しかし実際には、ＬＥＤ用エピタキシャル・ウ
エハの作製には、高品質結晶を得るために比較的高温成
長であること、厚膜のため長時間の成長が必要とされる
ことなどにより、このときに亜鉛およびセレンのような
拡散係数の大きい不純物をドーパントに用いると、Ｚｎ
の拡散フロントすなわちｐｎ接合位置の制御は、従来技
術では困難である。そのためｐｎ接合位置のばらつき
が、光出力や電流電圧特性などの素子特性のウエハ内で
の均一性やバッチ毎の再現性の低下を招いてしまってい
た。
に用いた場合、光出力の増加、ブレーク電圧の増加及び
これらの特性の均一性向上といった大きな利点があるこ
とは以前に報告されている（特開平１−２２５１１５号
公報）。しかし実際には、ＬＥＤ用エピタキシャル・ウ
エハの作製には、高品質結晶を得るために比較的高温成
長であること、厚膜のため長時間の成長が必要とされる
ことなどにより、このときに亜鉛およびセレンのような
拡散係数の大きい不純物をドーパントに用いると、Ｚｎ
の拡散フロントすなわちｐｎ接合位置の制御は、従来技
術では困難である。そのためｐｎ接合位置のばらつき
が、光出力や電流電圧特性などの素子特性のウエハ内で
の均一性やバッチ毎の再現性の低下を招いてしまってい
た。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らはＺｎ
の拡散係数はＡｌＧａＩｎＰに比べてＡｌＧａＡｓＰの
方がＺｎの拡散係数が小さいために、ｎ型ＡｌＧａＡｓ
Ｐは、同程度のキャリア濃度を有するＩｎを構成元素と
するＡｌＧａＩｎＰよりもＺｎ拡散が起こりにくい。そ
こでｐ側から拡散してきたＺｎは、ｎ−ＡｌＧａＡｓＰ
層へ入り込みにくい性質を利用して、ｎ−ＡｌＧａＡｓ
ＰをＺｎ拡散のバリアとして使用するとともに、ｐｎ接
合の位置を制御することができることを見出し、本発明
に到達した。
の拡散係数はＡｌＧａＩｎＰに比べてＡｌＧａＡｓＰの
方がＺｎの拡散係数が小さいために、ｎ型ＡｌＧａＡｓ
Ｐは、同程度のキャリア濃度を有するＩｎを構成元素と
するＡｌＧａＩｎＰよりもＺｎ拡散が起こりにくい。そ
こでｐ側から拡散してきたＺｎは、ｎ−ＡｌＧａＡｓＰ
層へ入り込みにくい性質を利用して、ｎ−ＡｌＧａＡｓ
ＰをＺｎ拡散のバリアとして使用するとともに、ｐｎ接
合の位置を制御することができることを見出し、本発明
に到達した。
【０００６】すなわち活性層の上下のいずれか少なくと
も片側に少し離れた所にＩｎを構成元素としないIII −
Ｖ族半導体からなる不純物拡散阻止層を設けることによ
り、ｐｎ接合を最適な位置に再現性よく制御できるリモ
ート接合型半導体発生装置を提供することが本発明の目
的である。そしてかかる目的は、半導体基板上に形成さ
れたＩｎを構成元素とするIII −Ｖ族化合物半導体から
なるクラッド層及び活性層を有し、かつ活性層の少なく
とも片側にＩｎを構成元素としないIII −Ｖ族半導体か
らなる層を具備し、前記Ｉｎを構成元素としないIII −
Ｖ族化合物半導体からなる層の両側の界面を含む該層中
にｐｎ接合を設けたことを特徴とする半導体発光装置に
より容易に達成される。以下本発明をより詳細に説明す
る。
も片側に少し離れた所にＩｎを構成元素としないIII −
Ｖ族半導体からなる不純物拡散阻止層を設けることによ
り、ｐｎ接合を最適な位置に再現性よく制御できるリモ
ート接合型半導体発生装置を提供することが本発明の目
的である。そしてかかる目的は、半導体基板上に形成さ
れたＩｎを構成元素とするIII −Ｖ族化合物半導体から
なるクラッド層及び活性層を有し、かつ活性層の少なく
とも片側にＩｎを構成元素としないIII −Ｖ族半導体か
らなる層を具備し、前記Ｉｎを構成元素としないIII −
Ｖ族化合物半導体からなる層の両側の界面を含む該層中
にｐｎ接合を設けたことを特徴とする半導体発光装置に
より容易に達成される。以下本発明をより詳細に説明す
る。
【０００７】本発明の半導体発光装置は、半導体基板上
に形成されたＩｎを構成元素とするIII −Ｖ族化合物半
導体からなるクラッド層及び活性層を有し、かつ活性層
の少なくとも片側にＩｎを構成元素としないIII −Ｖ族
化合物半導体からなる層を具備し、前記Ｉｎを構成元素
としないIII −Ｖ族化合物半導体からなる層の両側の界
面を含む該層中にｐｎ接合を設けていることを特徴とし
ており、これ以外の層については常法に従って適宜設け
ればよく、各層の厚さやドーパントの種類、キャリア濃
度についても、公知の種々の方法を用いればよいが、特
にＩｎを構成元素とするIII −Ｖ族化合物半導体からな
るクラッド層については、ドーパントとしてＺｎを使用
することが好ましく、また、Ｉｎを構成元素としないII
I −Ｖ族化合物半導体からなる層としては、ＡｌＧａＡ
ｓＰが好ましい。そして該ＡｌＧａＡｓＰの層は、超格
子構造を有していることが特に好ましい。
に形成されたＩｎを構成元素とするIII −Ｖ族化合物半
導体からなるクラッド層及び活性層を有し、かつ活性層
の少なくとも片側にＩｎを構成元素としないIII −Ｖ族
化合物半導体からなる層を具備し、前記Ｉｎを構成元素
としないIII −Ｖ族化合物半導体からなる層の両側の界
面を含む該層中にｐｎ接合を設けていることを特徴とし
ており、これ以外の層については常法に従って適宜設け
ればよく、各層の厚さやドーパントの種類、キャリア濃
度についても、公知の種々の方法を用いればよいが、特
にＩｎを構成元素とするIII −Ｖ族化合物半導体からな
るクラッド層については、ドーパントとしてＺｎを使用
することが好ましく、また、Ｉｎを構成元素としないII
I −Ｖ族化合物半導体からなる層としては、ＡｌＧａＡ
ｓＰが好ましい。そして該ＡｌＧａＡｓＰの層は、超格
子構造を有していることが特に好ましい。
【０００８】
【作用】本発明によれば、Ｉｎを構成元素とするIII −
Ｖ族化合物半導体からなる活性層及びクラッド層を有す
る半導体素子の作製において、活性層の上下のいずれか
少なくとも片側にＩｎを構成元素としないIII −Ｖ族半
導体からなる不純物拡散阻止層を設けることにより、ｐ
ｎ接合を最適な位置に再現性よく制御することができ、
かつ素子特性や素子作製の歩留りを大きく向上させるこ
とができる。
Ｖ族化合物半導体からなる活性層及びクラッド層を有す
る半導体素子の作製において、活性層の上下のいずれか
少なくとも片側にＩｎを構成元素としないIII −Ｖ族半
導体からなる不純物拡散阻止層を設けることにより、ｐ
ｎ接合を最適な位置に再現性よく制御することができ、
かつ素子特性や素子作製の歩留りを大きく向上させるこ
とができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いてより詳細に説
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、実施例に
限定されるものではない。本実施例では、結晶成長法と
して、膜厚、組成の制御性及び量産性に優れるＭＯＶＰ
Ｅ法を用いた。使用した原料ガスはトリメチルアルミニ
ウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリ
メチルインジウム（ＴＭＩ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）、
アルシン（ＡｓＨ3 ）であり、キャリアガスとして精製
により高純度化された水素（Ｈ2 ）ガスを使用した。結
晶成長により、図１に示すような発光ダイオード構造の
エピタキシャルウエハを下記の手順で作製した。まず、
ｎ型ＧａＡｓ（１００）基板１上にＳｉドープｎ型Ｇａ
Ａｓバッファー層２（厚み０．５μｍ）、Ｓｉドープｎ
型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層３（厚み０．５μｍ）、Ｓｉド
ープｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１クラ
ッド層４（厚み０．８μｍ）、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 Ａｓ拡散阻止層５（厚み１．０μｍ）、Ｓｉド
ープ（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラッド
層６（厚み０．２μｍ）、アンドープ（Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層７を（厚み０．３μｍ）、
Ｚｎドープｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層８（厚み１．０μｍ）、Ｚｎドープｐ型Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ電流拡散層９（厚み１０μｍ）、Ｚｎ
ドープｐ型ＧａＡｓキャップ層１０（厚み２μｍ）を順
次成長させた。このあと表面側にドット状のＡｕＺｎ／
Ａｕからなるｐ側電極１１、基板側全面にＡｕＧｅＮｉ
／Ａｕからなるｎ側電極１２を形成し、ＬＥＤ素子を作
製した。
明するが、本発明はその要旨を超えない限り、実施例に
限定されるものではない。本実施例では、結晶成長法と
して、膜厚、組成の制御性及び量産性に優れるＭＯＶＰ
Ｅ法を用いた。使用した原料ガスはトリメチルアルミニ
ウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリ
メチルインジウム（ＴＭＩ）、ホスフィン（ＰＨ3 ）、
アルシン（ＡｓＨ3 ）であり、キャリアガスとして精製
により高純度化された水素（Ｈ2 ）ガスを使用した。結
晶成長により、図１に示すような発光ダイオード構造の
エピタキシャルウエハを下記の手順で作製した。まず、
ｎ型ＧａＡｓ（１００）基板１上にＳｉドープｎ型Ｇａ
Ａｓバッファー層２（厚み０．５μｍ）、Ｓｉドープｎ
型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ層３（厚み０．５μｍ）、Ｓｉド
ープｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第１クラ
ッド層４（厚み０．８μｍ）、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 Ａｓ拡散阻止層５（厚み１．０μｍ）、Ｓｉド
ープ（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ第２クラッド
層６（厚み０．２μｍ）、アンドープ（Ａｌ0.5 Ｇａ
0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ活性層７を（厚み０．３μｍ）、
Ｚｎドープｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層８（厚み１．０μｍ）、Ｚｎドープｐ型Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 Ａｓ電流拡散層９（厚み１０μｍ）、Ｚｎ
ドープｐ型ＧａＡｓキャップ層１０（厚み２μｍ）を順
次成長させた。このあと表面側にドット状のＡｕＺｎ／
Ａｕからなるｐ側電極１１、基板側全面にＡｕＧｅＮｉ
／Ａｕからなるｎ側電極１２を形成し、ＬＥＤ素子を作
製した。
【００１０】この時の結晶成長条件は、成長温度７００
℃、圧力１０2 ｈＰａ、Ｖ／III 比２５〜５０（ＡｌＧ
ａＡｓ）及び５００〜７５０（ＡｌＧａＩｎＰ）、各層
成長速度２〜５μｍ／ｈｒ（ＡｌＧａＡｓ）及び１〜２
μｍ／ｈｒ（ＡｌＧａＩｎＰ）であった。このときのＺ
ｎドープｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層８へのキャリア濃度は５×１０17ｃｍ-3〜１×１
０18ｃｍ-3、Ａｌ0.7Ｇａ0.3 Ａｓ拡散阻止層５、第１
クラッド層４、第２クラッド層６のＳｉのキャリア濃度
をいずれも５×１０17ｃｍ-3、２×１０18ｃｍ-3とし
た。
℃、圧力１０2 ｈＰａ、Ｖ／III 比２５〜５０（ＡｌＧ
ａＡｓ）及び５００〜７５０（ＡｌＧａＩｎＰ）、各層
成長速度２〜５μｍ／ｈｒ（ＡｌＧａＡｓ）及び１〜２
μｍ／ｈｒ（ＡｌＧａＩｎＰ）であった。このときのＺ
ｎドープｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層８へのキャリア濃度は５×１０17ｃｍ-3〜１×１
０18ｃｍ-3、Ａｌ0.7Ｇａ0.3 Ａｓ拡散阻止層５、第１
クラッド層４、第２クラッド層６のＳｉのキャリア濃度
をいずれも５×１０17ｃｍ-3、２×１０18ｃｍ-3とし
た。
【００１１】エピタキシャル・ウエハのｐｎ接合位置を
２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）や電子線誘導電流法
（ＥＢＩＣ）で容易に調べることができる。ｎ−ＡｌＧ
ａＡｓ拡散阻止層を導入しない従来構造のサンプルでは
ｐｎ接合の位置はｎ側ＡｌＧａＩｎＰクラッド層内でば
らついて分布し、かつ再現性も悪かったが、本発明のｎ
型ＡｌＧａＡｓ拡散阻止層を導入することにより、ｐｎ
接合の位置は再現性良く、活性層直下のＡｌＧａＩｎＰ
層６とＡｌＧａＡｓ層７との界面に安定して存在した。
２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）や電子線誘導電流法
（ＥＢＩＣ）で容易に調べることができる。ｎ−ＡｌＧ
ａＡｓ拡散阻止層を導入しない従来構造のサンプルでは
ｐｎ接合の位置はｎ側ＡｌＧａＩｎＰクラッド層内でば
らついて分布し、かつ再現性も悪かったが、本発明のｎ
型ＡｌＧａＡｓ拡散阻止層を導入することにより、ｐｎ
接合の位置は再現性良く、活性層直下のＡｌＧａＩｎＰ
層６とＡｌＧａＡｓ層７との界面に安定して存在した。
【００１２】上述の結果は、本発明によりｐｎ接合の位
置を再現性よく制御することができ、かつ素子特性や素
子作製の歩留りを大きく向上させることができることを
意味している。活性層との拡散阻止層との間隔は、キャ
リアの拡散長以下すなわち数μｍ以下が好ましく、０．
１μｍ以上０．５μｍ以下がより好ましい。また、拡散
阻止層の導入による光学的特性への影響を抑えるには、
クラッド層とほぼ同一の屈折率になるようにＡｌＧａＡ
ｓＰの組成を決定するか、あるいはＡｌＧａＡｓＰを超
格子にすることが好ましい。
置を再現性よく制御することができ、かつ素子特性や素
子作製の歩留りを大きく向上させることができることを
意味している。活性層との拡散阻止層との間隔は、キャ
リアの拡散長以下すなわち数μｍ以下が好ましく、０．
１μｍ以上０．５μｍ以下がより好ましい。また、拡散
阻止層の導入による光学的特性への影響を抑えるには、
クラッド層とほぼ同一の屈折率になるようにＡｌＧａＡ
ｓＰの組成を決定するか、あるいはＡｌＧａＡｓＰを超
格子にすることが好ましい。
【００１３】上記実施例では基板側をｎ型の基板を用い
たが、ｐ型基板を用いて上記の構造の各層の導電型を反
転させてエピタキシャルウエハを作製させてもよい。ま
た、結晶成長法はＭＯＶＰＥ法に限定されるものではな
く、ＬＰＥ法、ハイドライドＶＰＥ法、ＭＢＥ法、ＣＢ
Ｅ法等の他の結晶成長法においても本発明は大いに有効
である。材料系については、Ｉｎを構成元素としていれ
ばＡｌＧａＩｎＰ系に限定されるものではなく、ＧａＩ
ｎＡｓＰ系、ＡｌＧａＩｎＡｓ系等においても有効であ
る。ドーパントについても、ｐ型のＺｎに限定されるも
のではなく、ｎ型においても拡散し易いＳｅやＴｅなど
のドーパントにおいても有効である。
たが、ｐ型基板を用いて上記の構造の各層の導電型を反
転させてエピタキシャルウエハを作製させてもよい。ま
た、結晶成長法はＭＯＶＰＥ法に限定されるものではな
く、ＬＰＥ法、ハイドライドＶＰＥ法、ＭＢＥ法、ＣＢ
Ｅ法等の他の結晶成長法においても本発明は大いに有効
である。材料系については、Ｉｎを構成元素としていれ
ばＡｌＧａＩｎＰ系に限定されるものではなく、ＧａＩ
ｎＡｓＰ系、ＡｌＧａＩｎＡｓ系等においても有効であ
る。ドーパントについても、ｐ型のＺｎに限定されるも
のではなく、ｎ型においても拡散し易いＳｅやＴｅなど
のドーパントにおいても有効である。
【００１４】
【発明の効果】半導体基板上に形成されたＩｎを構成元
素とするIII −Ｖ族化合物半導体からなるクラッド及び
活性層を有し、かつ活性層から上下のいずれか少なくと
も片側にＩｎを構成元素としないIII −Ｖ族半導体から
なる不純物拡散阻止層を設けることにより、ｐｎ接合を
最適な位置に再現性よく制御することができ、かつ素子
特性や素子作製の歩留りを大きく向上させることができ
る。
素とするIII −Ｖ族化合物半導体からなるクラッド及び
活性層を有し、かつ活性層から上下のいずれか少なくと
も片側にＩｎを構成元素としないIII −Ｖ族半導体から
なる不純物拡散阻止層を設けることにより、ｐｎ接合を
最適な位置に再現性よく制御することができ、かつ素子
特性や素子作製の歩留りを大きく向上させることができ
る。
【図１】本発明の半導体発光装置の一例を示す説明図で
ある。
ある。
【図２】従来の半導体発光装置の一例を示す説明図であ
る。
る。
１ 基板 ２ バッファー層 ３ ｎ型ＧａＩｎＰ層 ４ ｎ型第１クラッド層 ５ 拡散阻止層 ６ ｎ型第２クラッド層 ７ 活性層 ８ ｐ型クラッド層 ９ 電流拡散層 １０ キャップ層 １１ ｐ側電極 １２ ｎ側電極 ２０１ 基板 ２０２ ｎ型クラッド層 ２０３ 活性層 ２０４ クラッド層 ２０５ 電流拡散層 ２０６ コンタクト層 ２０７ ｐ側電極 ２０８ ｎ側電極
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成されたＩｎを構成元
素とするIII −Ｖ族化合物半導体からなるクラッド層及
び活性層を有し、かつ活性層の少なくとも片側にＩｎを
構成元素としないIII −Ｖ族半導体からなる層を具備
し、前記Ｉｎを構成元素としないIII −Ｖ族化合物半導
体からなる層の両側の界面を含む該層中にｐｎ接合を設
けたことを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 前記Ｉｎを構成元素とするIII −Ｖ族化
合物半導体層からなるクラッド層において、ｐ型ドーパ
ントとしてＺｎを用いていることを特徴とする請求項１
記載の半導体発光装置。 - 【請求項３】 前記Ｉｎを構成元素としないIII −Ｖ族
化合物半導体層がＡｌＧａＡｓＰからなることを特徴と
する請求項１又は２記載の半導体発光装置。 - 【請求項４】 前記ＡｌＧａＡｓＰが超格子からなるこ
とを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20205594A JPH0864865A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20205594A JPH0864865A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864865A true JPH0864865A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16451199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20205594A Pending JPH0864865A (ja) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864865A (ja) |
-
1994
- 1994-08-26 JP JP20205594A patent/JPH0864865A/ja active Pending
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Legal Events
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| A02 | Decision of refusal |
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