JPH01214083A - 半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法Info
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- JPH01214083A JPH01214083A JP3754388A JP3754388A JPH01214083A JP H01214083 A JPH01214083 A JP H01214083A JP 3754388 A JP3754388 A JP 3754388A JP 3754388 A JP3754388 A JP 3754388A JP H01214083 A JPH01214083 A JP H01214083A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は電流狭窄効果と光導波効果を有する可視光半導
体レーザに係わり、特に有機金属を用いた化学気相成長
法(以下MOCVD法と酩記する)による製造に適した
半導体レーザ装置およびその製造方法に関する。
体レーザに係わり、特に有機金属を用いた化学気相成長
法(以下MOCVD法と酩記する)による製造に適した
半導体レーザ装置およびその製造方法に関する。
(従来の技術)
単結晶InGaAIPは■−■族化合物半導体の中でも
。
。
短波長半導体レーザを得るための重要な材料である。近
年、分子線エピタキシャル(MBE)法やMOCVD法
により成長したダブルヘテロウェハを使用した半導体レ
ーザの室温動作が報告されており、特にMOCVD法で
は1 、000時間を超える素子寿命が報告されている
。
年、分子線エピタキシャル(MBE)法やMOCVD法
により成長したダブルヘテロウェハを使用した半導体レ
ーザの室温動作が報告されており、特にMOCVD法で
は1 、000時間を超える素子寿命が報告されている
。
従来、MOCVD法ではn型ドーパントとしてSeが使
用され、その原料としてセレン化水素(H2Se)が使
用されていた。しかし、InGaAIP材料にSsをド
ーピングした場合の制御性に関してはほとんど調査され
ていなかった。第3図に、Seのドーピング原料として
tl、Seを使用し、GaAs、In、 −x−yGa
xAlyPをGaAs基板上にMOCVD法により成長
させた場合のドーピング効率を示す。また、第4図と第
5図に、InGaPとInAIPへのドーピング効率の
成長温度依存性を示す。
用され、その原料としてセレン化水素(H2Se)が使
用されていた。しかし、InGaAIP材料にSsをド
ーピングした場合の制御性に関してはほとんど調査され
ていなかった。第3図に、Seのドーピング原料として
tl、Seを使用し、GaAs、In、 −x−yGa
xAlyPをGaAs基板上にMOCVD法により成長
させた場合のドーピング効率を示す。また、第4図と第
5図に、InGaPとInAIPへのドーピング効率の
成長温度依存性を示す。
前記第3図、および第4図と第5図からSeドープIn
GaAIPをMOCVD法により成長させる場合、次に
あげる三つの問題があることがわかる。
GaAIPをMOCVD法により成長させる場合、次に
あげる三つの問題があることがわかる。
(i) ドーピング効率が組成により大きく変化し。
均一なドーピングが困難であり、特に組成の異なる層の
境界に顕著である。
境界に顕著である。
(i) ドーピング効率がGaAsよりInGaAI
Pが一桁程度大きいため、GaAs層上へInGaAI
Pを成長させると、GaAsへのSe濃度をI X 1
0”cm−’程度に設定した場合、メモリ効果、拡散等
によりGaAsff1に近接するInGaAIP材料で
は、Sea度がI X 10”c+a−’に近い非常に
大きな値となり、寿命の短縮化の大きな原因となってい
る。
Pが一桁程度大きいため、GaAs層上へInGaAI
Pを成長させると、GaAsへのSe濃度をI X 1
0”cm−’程度に設定した場合、メモリ効果、拡散等
によりGaAsff1に近接するInGaAIP材料で
は、Sea度がI X 10”c+a−’に近い非常に
大きな値となり、寿命の短縮化の大きな原因となってい
る。
(i)さらに、ドーピング効率が基板温度により変化し
、特にInAIPでは基板温度の微小変化によりキャリ
ア濃度が大きく変化するので、安定なドーピングが困難
である。
、特にInAIPでは基板温度の微小変化によりキャリ
ア濃度が大きく変化するので、安定なドーピングが困難
である。
(発明が解決しようとする課題)
斜上の如く、応用上不可欠なn型InGaAIP/Ga
Asヘテロ接合を、ドーピング原料に!l、Seを用い
てMOCVD法により成長させる場合、制御性、品質等
に重大な問題がある。
Asヘテロ接合を、ドーピング原料に!l、Seを用い
てMOCVD法により成長させる場合、制御性、品質等
に重大な問題がある。
本発明は斜上の問題点に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、高品質のInGaAIP/GaAs
ヘテロ接合を有し、短波長、かつ、長寿命の高性能半導
体レーザ装置とその製造方法を提供することにある。
的とするところは、高品質のInGaAIP/GaAs
ヘテロ接合を有し、短波長、かつ、長寿命の高性能半導
体レーザ装置とその製造方法を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明はMOCVD法によりレーザ用ウェハを結晶成長
させる際に、n型クラッド層のドーパントとしてSiを
用い、これによりn型クラッド層のキャリア濃度制御の
困難性を解決する。すなわち、第1の発明は、半導体レ
ーザ装置にかかり、第1導電型GaAs基板上に形成さ
れた第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッ
ド層からなり、かつ前記GaAs基板上にこれに略格子
整合したIn、Ga1−x−yAlyP (1≦y≦1
)からなるダブルヘテロ接合構造部を含む半導体レーザ
装置において、第1導電型クラッド層、または第2導電
型クラッド層はSiがドープされていることを特徴とす
る。
させる際に、n型クラッド層のドーパントとしてSiを
用い、これによりn型クラッド層のキャリア濃度制御の
困難性を解決する。すなわち、第1の発明は、半導体レ
ーザ装置にかかり、第1導電型GaAs基板上に形成さ
れた第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッ
ド層からなり、かつ前記GaAs基板上にこれに略格子
整合したIn、Ga1−x−yAlyP (1≦y≦1
)からなるダブルヘテロ接合構造部を含む半導体レーザ
装置において、第1導電型クラッド層、または第2導電
型クラッド層はSiがドープされていることを特徴とす
る。
次に、第2の発明の半導体レーザ装置の製造方法は、結
晶成長に供される反応炉内にGaAs基板を配置し、反
応炉内に■族及びV族の原料ガスを導入するとともに基
板を加熱し、基板上に有機金属−化学気相成長法により
In、−、−yGaxAlyP層(0≦x≦1.0≦y
≦1)からなる第1導電型クラッド層、活性層、第2導
電型クラッド層を順次成長する工程において、第1導電
型クラッド層のドーピングにシランガスを用いることを
特徴とする。
晶成長に供される反応炉内にGaAs基板を配置し、反
応炉内に■族及びV族の原料ガスを導入するとともに基
板を加熱し、基板上に有機金属−化学気相成長法により
In、−、−yGaxAlyP層(0≦x≦1.0≦y
≦1)からなる第1導電型クラッド層、活性層、第2導
電型クラッド層を順次成長する工程において、第1導電
型クラッド層のドーピングにシランガスを用いることを
特徴とする。
斜上において、GaAs、 In、−x−yGaxAl
yPへのドーピングにMOCVD法でシランをドーピン
グ原料として用いる。このシリコンをドーパントに用い
ることは、第2図にシリコンのドーピング効率を示すよ
うにほとんど一定に得られることを認め、また。
yPへのドーピングにMOCVD法でシランをドーピン
グ原料として用いる。このシリコンをドーパントに用い
ることは、第2図にシリコンのドーピング効率を示すよ
うにほとんど一定に得られることを認め、また。
基板温度依存性も極めて低いことを認めて達成したもの
である。
である。
(作 用)
本発明は、半導体レーザ素子の各層のキャリア濃度を均
一、かつ再現性よく設定することが可能で、短波長、か
つ、長寿命の半導体レーザの製造が可能になる。
一、かつ再現性よく設定することが可能で、短波長、か
つ、長寿命の半導体レーザの製造が可能になる。
(実施例)
以下、本発明の一実施例につき第1図を参照して説明す
る。
る。
第1図に本発明の一実施例にかかる半導体レーザ素子の
構成の概略を断面図で示す。第1図に示すように、n−
GaAs基板11上にはSiドープn−GaAsバッフ
ァ層12、およびSiドープn−InGaPバッファ層
13が形成されている。このn−InGaPバッファ層
13上にはSiドープn−InAIPクラッド層14、
In、 @ 5 Ga、、 I s P活性層15、お
よびMgドープp−InAIPりランド層16.17.
18からなるダブルヘテロ接合構造部が形成されている
。ここで前記p4nGaAIPクラッド層17は低A1
組成であり、後に述べるエツチング停止層として作用す
る。また、前記p−InGaAIPクラッド層18上の
狭窄部上に積層形成されたP−InGaAIPコンタク
トN19、 p−GaAs層20と、これらを囲むSe
ドープn−GaAlAs電流阻止層21を備え、上部全
面にp−GaAsコンタクト、l122が形成されてい
る。
構成の概略を断面図で示す。第1図に示すように、n−
GaAs基板11上にはSiドープn−GaAsバッフ
ァ層12、およびSiドープn−InGaPバッファ層
13が形成されている。このn−InGaPバッファ層
13上にはSiドープn−InAIPクラッド層14、
In、 @ 5 Ga、、 I s P活性層15、お
よびMgドープp−InAIPりランド層16.17.
18からなるダブルヘテロ接合構造部が形成されている
。ここで前記p4nGaAIPクラッド層17は低A1
組成であり、後に述べるエツチング停止層として作用す
る。また、前記p−InGaAIPクラッド層18上の
狭窄部上に積層形成されたP−InGaAIPコンタク
トN19、 p−GaAs層20と、これらを囲むSe
ドープn−GaAlAs電流阻止層21を備え、上部全
面にp−GaAsコンタクト、l122が形成されてい
る。
さらに、前記p−GaAs m12598層22と前記
n−GaAs基板11には夫々金属層で電極23.24
が設けられている。
n−GaAs基板11には夫々金属層で電極23.24
が設けられている。
この構造の特徴は、ダブルヘテロ接合部のn型りラッド
屡のドーパントにSiを用いたことである。
屡のドーパントにSiを用いたことである。
ダブルヘテロ接合部では、クラッド層と活性層のキャリ
ア濃度範囲がせまいのでキャリア濃度プロファイルの精
密制御が必要であるが、ドーパントとしてSiを用いた
場合、(+)ドーピング効率の組成依存性(特にGaA
sバッファとInGaAIPクラッドの間の組成依存性
)が小さい、(i)メモリ効果が小さい、(i)成長温
度によるキャリア濃度変化が小さい、等の効果があり、
従来のSeに比べてキャリア濃度プロファイルの制御性
が良い、一方、メサ状に加工されたクラッド層18上へ
MOCVD法による再成長によって電流阻止層を形成す
る場合には、再成長界面での欠陥の導入と成長面が(1
11)面に近づくため、Siをドーパントに使用した場
合(GaAsとInGaAIPとの間の偏析係数の差が
小さいので拡散は小さく形成領域の制御性は良いが)、
SiがV族原子位置に導入されるため再成長界面付近に
て電流阻止層がP型となり十分に機能しないという問題
が生じる場合がある。そこで、この実施例では、このよ
うな現象のないSeを電流阻止層のドーパントとして用
いている。SeはGaAsとInGaAIPとの間の偏
析係数の差が大きく、拡散が大きいが、高出力化のため
には電流阻止層のキャリア濃度は3 X 10”cm−
’以上必要であり、また、常に工1型とするために採用
している。
ア濃度範囲がせまいのでキャリア濃度プロファイルの精
密制御が必要であるが、ドーパントとしてSiを用いた
場合、(+)ドーピング効率の組成依存性(特にGaA
sバッファとInGaAIPクラッドの間の組成依存性
)が小さい、(i)メモリ効果が小さい、(i)成長温
度によるキャリア濃度変化が小さい、等の効果があり、
従来のSeに比べてキャリア濃度プロファイルの制御性
が良い、一方、メサ状に加工されたクラッド層18上へ
MOCVD法による再成長によって電流阻止層を形成す
る場合には、再成長界面での欠陥の導入と成長面が(1
11)面に近づくため、Siをドーパントに使用した場
合(GaAsとInGaAIPとの間の偏析係数の差が
小さいので拡散は小さく形成領域の制御性は良いが)、
SiがV族原子位置に導入されるため再成長界面付近に
て電流阻止層がP型となり十分に機能しないという問題
が生じる場合がある。そこで、この実施例では、このよ
うな現象のないSeを電流阻止層のドーパントとして用
いている。SeはGaAsとInGaAIPとの間の偏
析係数の差が大きく、拡散が大きいが、高出力化のため
には電流阻止層のキャリア濃度は3 X 10”cm−
’以上必要であり、また、常に工1型とするために採用
している。
又、コンタクト層(中間コンタクトM)19は、クラッ
ド層18とコンタクト層20との間の電気抵抗の低減を
目的とするものであり、コンタクト層20よりもバンド
ギャップが大きく、かつ、クラッド層18よりもバンド
ギャップの小さい結晶、もしくは、等価なバンドギャッ
プを有する超格子であればよい。
ド層18とコンタクト層20との間の電気抵抗の低減を
目的とするものであり、コンタクト層20よりもバンド
ギャップが大きく、かつ、クラッド層18よりもバンド
ギャップの小さい結晶、もしくは、等価なバンドギャッ
プを有する超格子であればよい。
さらに、中間コンタクト層19のバンドキャップをクラ
ッド層18及びコンタクト層20に接する部分でこれら
と同様にして、クラッド層18からコンタクト層20ま
で徐々に変化させるようにしてもよい。
ッド層18及びコンタクト層20に接する部分でこれら
と同様にして、クラッド層18からコンタクト層20ま
で徐々に変化させるようにしてもよい。
ここで第6図に本実施例による半導体レーザでn−クラ
ッド層のキャリア濃度を変化させた場合の40℃、3m
Wの通電試験における通電時間と動作電流の関係を示す
。尚、P−クラッド層のキャリア濃度は2 X 10”
c+*−’、活性層のキャリア濃度は1×1016以下
であり、レーザのストライプ幅は7μm、共振器長は3
00μmとした。その結果、n−クラッド層のキャリア
濃度が5 X 101017a’を越えると、初期の通
電によって急激に動作電流が上昇し、安定な連続発振は
不可能となった。しかし、n−クラッド層のキャリア濃
度が5 X 10”am−3未満であれば動作電流はほ
ぼ70mAで安定しており、これらの半導体レーザは1
000時間以上にわたり安定に動作した。従って、n−
クラッド層側の不純物としてSiを用いキャリア濃度を
5 X 10”c+s−’未満とすれば、低しきい値で
高信頼の半導体レーザを得ることができる。
ッド層のキャリア濃度を変化させた場合の40℃、3m
Wの通電試験における通電時間と動作電流の関係を示す
。尚、P−クラッド層のキャリア濃度は2 X 10”
c+*−’、活性層のキャリア濃度は1×1016以下
であり、レーザのストライプ幅は7μm、共振器長は3
00μmとした。その結果、n−クラッド層のキャリア
濃度が5 X 101017a’を越えると、初期の通
電によって急激に動作電流が上昇し、安定な連続発振は
不可能となった。しかし、n−クラッド層のキャリア濃
度が5 X 10”am−3未満であれば動作電流はほ
ぼ70mAで安定しており、これらの半導体レーザは1
000時間以上にわたり安定に動作した。従って、n−
クラッド層側の不純物としてSiを用いキャリア濃度を
5 X 10”c+s−’未満とすれば、低しきい値で
高信頼の半導体レーザを得ることができる。
次に上記構成の半導体レーザ素子の製造方法について説
明する。
明する。
成長方法は原料にメチル系■族有機金属のトリメチルイ
ンジウム(TMIn)、トリメチルガリウム(TMGa
)、トリメチルアルミニウム(TMAI)と、■放水素
化物のアルシン(Astl、)、フォスフイン(PH,
)の各々から選択し用い、減圧下でMOCVD(有機金
属気相成長)法が用いられる。そして実施は、圧力15
〜35Torr、 GaAs基板温度745−755℃
、成長速度2μm/h以上で行なった。また、ドーピン
グ原料には、シラン(SiH,)、セレン化水素(H2
Se)、ジメチルジンク(DMZn)、シクロペンタジ
ェニルマグネシウム(CpJg)を用いた。
ンジウム(TMIn)、トリメチルガリウム(TMGa
)、トリメチルアルミニウム(TMAI)と、■放水素
化物のアルシン(Astl、)、フォスフイン(PH,
)の各々から選択し用い、減圧下でMOCVD(有機金
属気相成長)法が用いられる。そして実施は、圧力15
〜35Torr、 GaAs基板温度745−755℃
、成長速度2μm/h以上で行なった。また、ドーピン
グ原料には、シラン(SiH,)、セレン化水素(H2
Se)、ジメチルジンク(DMZn)、シクロペンタジ
ェニルマグネシウム(CpJg)を用いた。
まず、(100)n−GaAs基板11 (Siドープ
、3 X 10”cm−3)上に厚さ0.5 p wr
のn−GaAs第1バッファ層12(Siドープ、5X
10”cm−3)、厚さ0.5μのn−InGaP第2
バッファ層13 (Siドープ、 5X10”c+m−
’)、厚さ1.0 μraのn−In、、、Al、、、
P第1クラッド層14(Siドープ、5X1017cm
−”)、厚さ0.06 μtaのIn、、5All1.
、P活性層15、厚さ0.2μlのp−InAIP第2
クラッド層16 (Mgドープ、I X 10”cm″
′3)、エツチング停止層として作用する厚さ0.01
μ戴のp−InGaP第3クラツド暦17(Mgドープ
、I X 10”cm−3)、厚さ1μmのp−Ino
、sAl。、、P第4クラッド層18(Mgドープ、I
X 10”c「3)、中間コンタクト層としての厚さ
0.01μlのp−In0.5Alo、、P第1コンタ
クト層19、および厚さ0.5μ+mのp−GaAs第
2コンタクト層20 (Mgドープ、IX 10”cm
−3)を順次成長してダブルヘテロウェハを形成した。
、3 X 10”cm−3)上に厚さ0.5 p wr
のn−GaAs第1バッファ層12(Siドープ、5X
10”cm−3)、厚さ0.5μのn−InGaP第2
バッファ層13 (Siドープ、 5X10”c+m−
’)、厚さ1.0 μraのn−In、、、Al、、、
P第1クラッド層14(Siドープ、5X1017cm
−”)、厚さ0.06 μtaのIn、、5All1.
、P活性層15、厚さ0.2μlのp−InAIP第2
クラッド層16 (Mgドープ、I X 10”cm″
′3)、エツチング停止層として作用する厚さ0.01
μ戴のp−InGaP第3クラツド暦17(Mgドープ
、I X 10”cm−3)、厚さ1μmのp−Ino
、sAl。、、P第4クラッド層18(Mgドープ、I
X 10”c「3)、中間コンタクト層としての厚さ
0.01μlのp−In0.5Alo、、P第1コンタ
クト層19、および厚さ0.5μ+mのp−GaAs第
2コンタクト層20 (Mgドープ、IX 10”cm
−3)を順次成長してダブルヘテロウェハを形成した。
続いて、SiO□をマスク(図示省略)としてエツチン
グおよび選択成長により前記第2コンタクト層20上を
除きSeドープGaAs電流阻止層21(Seドープ、
5X10”c+*−’)を厚さ0.5μ脂成長した。つ
いでマスクを除きp−GaAs第3コンタクト層22(
Znドープ。
グおよび選択成長により前記第2コンタクト層20上を
除きSeドープGaAs電流阻止層21(Seドープ、
5X10”c+*−’)を厚さ0.5μ脂成長した。つ
いでマスクを除きp−GaAs第3コンタクト層22(
Znドープ。
I X 10”cm−’)を成長形成したのち1通常の
工程により共振器長250μl、ストライプ幅5μmの
レーザ素子を形成してしきい値電流40!IAの低いし
きい値が得られた。光出力は駆動電流に従って30mW
以上まで直線的に増大し、キングのない良好な電流−光
出力特性を示した。また、しきい値電流のウェハ内、ウ
ェハ間の分布も±10%以内であり、極めて良好な再現
性が達成されていることが確認された。
工程により共振器長250μl、ストライプ幅5μmの
レーザ素子を形成してしきい値電流40!IAの低いし
きい値が得られた。光出力は駆動電流に従って30mW
以上まで直線的に増大し、キングのない良好な電流−光
出力特性を示した。また、しきい値電流のウェハ内、ウ
ェハ間の分布も±10%以内であり、極めて良好な再現
性が達成されていることが確認された。
本発明によれば、可視光半導体レーザ用高品質ダブルヘ
テロウェハを再現性よく成長形成でき、素子特性の向上
、および信頼性、再現性の向上をはかることができる顕
著な利点を備える。
テロウェハを再現性よく成長形成でき、素子特性の向上
、および信頼性、再現性の向上をはかることができる顕
著な利点を備える。
第1図は本発明の一実施例に係る半導体レーザ素子の断
面図、第2図は本発明にかかるシリコンのドーピング効
率を示す図、第3図はH2SeによるMOCVDのドー
ピング効率を示す図、第4図および第5図はいずれもI
nGaPとInAIPへのドーピングにおける成長温度
依存性を示す図、第6図はn−クラッド層のキャリア濃
度を変化させた場合の通電時間を示す図である。 11−−−−− n7GaAs基板 12−−−−− n−GaAsバッファ層13−−−一
−n−InGaPバッファ層14−−−−− n−In
AIPクラッド層(第1導電型クラッド層)15−−−
−− InGaP活性層 16、18−−−−− p−InAIPクラッド層(第
2導電型クラッドM)17−−−−− p−InGaP
エツチング停止層19−−−−− p−InGaPコン
タクト層20、22−−−−− p−GaAsコンタク
ト層21−−−−− n−GaAs電流阻止層23、2
4−−−−一電極
面図、第2図は本発明にかかるシリコンのドーピング効
率を示す図、第3図はH2SeによるMOCVDのドー
ピング効率を示す図、第4図および第5図はいずれもI
nGaPとInAIPへのドーピングにおける成長温度
依存性を示す図、第6図はn−クラッド層のキャリア濃
度を変化させた場合の通電時間を示す図である。 11−−−−− n7GaAs基板 12−−−−− n−GaAsバッファ層13−−−一
−n−InGaPバッファ層14−−−−− n−In
AIPクラッド層(第1導電型クラッド層)15−−−
−− InGaP活性層 16、18−−−−− p−InAIPクラッド層(第
2導電型クラッドM)17−−−−− p−InGaP
エツチング停止層19−−−−− p−InGaPコン
タクト層20、22−−−−− p−GaAsコンタク
ト層21−−−−− n−GaAs電流阻止層23、2
4−−−−一電極
Claims (3)
- (1)第1導電型GaAs基板上にIn_xGa_1_
−_x_−_yAl_yP(0≦y≦1)からなるダブ
ルヘテロ接合構造部を含む半導体レーザ装置において、
第1導電型クラッド層、または第2導電型クラッド層は
Siがドープされていることを特徴とする半導体レーザ
装置。 - (2)Siがドープされた第1導電型クラッド層、また
は第2導電型クラッド層のキャリア濃度は5×10^1
^7cm^−^3未満であることを特徴とする請求項1
記載の半導体レーザ装置。 - (3)結晶成長に供される反応炉内にGaAs基板を配
置し、反応炉内にIII族及びV族の原料ガスを導入する
とともに基板を加熱し、基板上に有機金属化学気相成長
法によりIn_1_−_x_−_yGa_xAl_yP
層(0≦x≦1、0≦y≦1)からなる第1導電型クラ
ッド層、活性層、第2導電型クラッド層を形成する工程
において、第1導電型クラッド層のドーピングにシラン
ガスを用いることを特徴とする半導体レーザ装置の製造
方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63037543A JP2728672B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 |
US07/307,278 US5034957A (en) | 1988-02-10 | 1989-02-07 | Semiconductor laser device |
DE68925219T DE68925219T2 (de) | 1988-02-10 | 1989-02-10 | Halbleiterlaser-Vorrichtung und Herstellungsverfahren für die Halbleiterlaser-Vorrichtung |
EP89102326A EP0328134B1 (en) | 1988-02-10 | 1989-02-10 | Semiconductor laser device and method of manufacturing semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63037543A JP2728672B2 (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01214083A true JPH01214083A (ja) | 1989-08-28 |
JP2728672B2 JP2728672B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=12500439
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63037543A Expired - Lifetime JP2728672B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-22 | 半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2728672B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0805533A1 (en) * | 1994-12-28 | 1997-11-05 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Semiconductor laser element |
EP0877455A2 (en) * | 1997-05-07 | 1998-11-11 | SHARP Corporation | Semiconductor light emitting device and method for producing the same |
JP2005175340A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Hitachi Cable Ltd | 半導体レーザ用エピタキシャルウェハ |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62139319A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-23 | Nec Corp | 化合物半導体結晶成長方法 |
JPS62145792A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
JPS63153887A (ja) * | 1986-08-08 | 1988-06-27 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
JPS63164484A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
JPH01120085A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP63037543A patent/JP2728672B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0805533A4 (en) * | 1994-12-28 | 1998-04-08 | Mitsui Petrochemical Ind | SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT |
EP0877455A2 (en) * | 1997-05-07 | 1998-11-11 | SHARP Corporation | Semiconductor light emitting device and method for producing the same |
EP0877455A3 (en) * | 1997-05-07 | 2002-08-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device and method for producing the same |
JP2005175340A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Hitachi Cable Ltd | 半導体レーザ用エピタキシャルウェハ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2728672B2 (ja) | 1998-03-18 |
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