JPS62145792A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS62145792A JPS62145792A JP60285519A JP28551985A JPS62145792A JP S62145792 A JPS62145792 A JP S62145792A JP 60285519 A JP60285519 A JP 60285519A JP 28551985 A JP28551985 A JP 28551985A JP S62145792 A JPS62145792 A JP S62145792A
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- semiconductor laser
- laser device
- stripes
- light emitting
- stripe
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザに係わり、特に発光ビＩｓの出
射角度が可変であるものに関する。
射角度が可変であるものに関する。
高出力半導体レーザの一例として、複雑な発光ストライ
プを有し、各ストライプ間に光結合を生じさせる、いわ
ゆるフェーズド・アレイ形半導体レーザが知られている
（神谷他、第３２回応用物理学関係講演会予稿集、第１
４９頁（昭和６０年４Ｊ］）参照）。しかし、この構造
では、後述のように、１次（基本）モードが高次モード
番ご較べて発振しにくいため、高次モードで発振してし
まい、したがって、出射ビームは２本以１−になること
が知られている。スーパーモードについては、オプテイ
クス・レター、第１０巻第４号、第１２５頁（１９８４
年４月） （Ｅ、Ｋａｐｏｎ ｅｔ ａｌ 、１）Ｐ
ＴＴＣ５Ｉ、ＥＴＴＥＲＳ。
プを有し、各ストライプ間に光結合を生じさせる、いわ
ゆるフェーズド・アレイ形半導体レーザが知られている
（神谷他、第３２回応用物理学関係講演会予稿集、第１
４９頁（昭和６０年４Ｊ］）参照）。しかし、この構造
では、後述のように、１次（基本）モードが高次モード
番ご較べて発振しにくいため、高次モードで発振してし
まい、したがって、出射ビームは２本以１−になること
が知られている。スーパーモードについては、オプテイ
クス・レター、第１０巻第４号、第１２５頁（１９８４
年４月） （Ｅ、Ｋａｐｏｎ ｅｔ ａｌ 、１）Ｐ
ＴＴＣ５Ｉ、ＥＴＴＥＲＳ。
Ｖｏｌ、１０． Ｎａ４． ｐ、 １２５ （Ａ
ｐｒｉ、］ １９８４）に示されているが、ここで、そ
の概要を説明する。
ｐｒｉ、］ １９８４）に示されているが、ここで、そ
の概要を説明する。
フェーズド・アレイ形レーザにおける屈折率と利得（ま
たは損失）の関係を模式的に第 図（ａ）および（ｂ）
に示した。要するに発光ストライプ部のように屈折率の
大きい領域では利得が存在し、発光ストライプ間部のよ
うな屈折率の小さい領域では大きな損失が発生している
。第２図（ｃ）に示すような電界分布を有する１次モー
ド光は、損失の大きい領域にも電界があり、これが損失
されるので、全体として電界は強くなり発振しにくい。
たは損失）の関係を模式的に第 図（ａ）および（ｂ）
に示した。要するに発光ストライプ部のように屈折率の
大きい領域では利得が存在し、発光ストライプ間部のよ
うな屈折率の小さい領域では大きな損失が発生している
。第２図（ｃ）に示すような電界分布を有する１次モー
ド光は、損失の大きい領域にも電界があり、これが損失
されるので、全体として電界は強くなり発振しにくい。
すなわち、しきい電流が大きい。一方、第２図（ｄ）に
示す電界分布をもつ高次モード光は、損失の大きい領域
には電界がほぼ存在しないので、この領域での電界の損
失はなく、したがって発振しやすい。
示す電界分布をもつ高次モード光は、損失の大きい領域
には電界がほぼ存在しないので、この領域での電界の損
失はなく、したがって発振しやすい。
また、第２図（ｄ）かられかるように、高次モード光は
電光の電界の位相が１８０度異なっているので、出射角
度が０度近傍の発光は打消し合って消去され、出射角度
θ０の方向に発光が分布する（第１図（ｄ）参照）。
電光の電界の位相が１８０度異なっているので、出射角
度が０度近傍の発光は打消し合って消去され、出射角度
θ０の方向に発光が分布する（第１図（ｄ）参照）。
なお、出射角度θ０は、ストライプ間隔をＳ。
発光波長をλとすると、
０ｏ−Ｆｓｉｎ−’（λ／２Ｓ）
で与えられる。
（発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は、レーザ発光の出射角度を可変とする点
については配慮がされておらず、単なる大出力半導体レ
ーザに過ぎなかった。
については配慮がされておらず、単なる大出力半導体レ
ーザに過ぎなかった。
本発明の目的は、前記フェーズド・アレイ形半導体レー
ザの基本スーパー干−ドと高次スーパーモードを独立か
つ安定に発振せしめ、これらの出射角度が異なることを
利用して、これを切換えることにより出射角度を可変と
することにある。
ザの基本スーパー干−ドと高次スーパーモードを独立か
つ安定に発振せしめ、これらの出射角度が異なることを
利用して、これを切換えることにより出射角度を可変と
することにある。
出射角度を可変とした半導体レーザを用いれば、従来技
術では困難であった光スイッチングや光スキャニングを
、従来より容易に行うことができる。
術では困難であった光スイッチングや光スキャニングを
、従来より容易に行うことができる。
上記目的は、まず第１の手段として、第１図に示すよう
に、」二記フェーズド・アレイ形半導体しく６） −ザの発光ストライプ部と発光ストライプ間部に分離し
て電極７，８を設けることにより達成される。なお従来
技術におけるフェーズド・アレイ形半導体レーザにおけ
る電極は分離されておらず、はぼ全面１こ亘って連なっ
ているものである。
に、」二記フェーズド・アレイ形半導体しく６） −ザの発光ストライプ部と発光ストライプ間部に分離し
て電極７，８を設けることにより達成される。なお従来
技術におけるフェーズド・アレイ形半導体レーザにおけ
る電極は分離されておらず、はぼ全面１こ亘って連なっ
ているものである。
第２の手段は、第５図（、）に示すように、少なくとも
１以上のストライプ電極を分割して、電極部分１９を形
成し、全ての電極に電流を注入すると最高次モードで発
振し、前記Ｏｏの方向に光髪出射する。一方、電極部分
］９を除いた電極１８にのみ電流を注入すると基本モー
ドで発振し、光は端面に垂直方向に出射する。
１以上のストライプ電極を分割して、電極部分１９を形
成し、全ての電極に電流を注入すると最高次モードで発
振し、前記Ｏｏの方向に光髪出射する。一方、電極部分
］９を除いた電極１８にのみ電流を注入すると基本モー
ドで発振し、光は端面に垂直方向に出射する。
第３の手段は、第３図に示すように、フェーズドアレイ
レーザのストライプ領域の外側に電極１−１を設け、電
極１１に電界を印加した場合には基本スーパーモードで
発振し、印加しない場合には高次スーパーモード発振す
るようにしたものである。
レーザのストライプ領域の外側に電極１−１を設け、電
極１１に電界を印加した場合には基本スーパーモードで
発振し、印加しない場合には高次スーパーモード発振す
るようにしたものである。
以−１−述べた第１および第２の手段において、基本ス
ーパーモードと高次スーパーモードの電界による切換の
速度は、本質的に半導体レーザの緩和振動周波数できま
るので、１．０ Ｇ ＨＺ程度が期待され、第３の手段
においては損失を利用した切換のため、さらに高速の切
換が可能である。
ーパーモードと高次スーパーモードの電界による切換の
速度は、本質的に半導体レーザの緩和振動周波数できま
るので、１．０ Ｇ ＨＺ程度が期待され、第３の手段
においては損失を利用した切換のため、さらに高速の切
換が可能である。
また活性層に量子井戸構造を用いた場合には、電界によ
る禁制帯の変化が顕著なため、より効果的な切換が可能
となる。
る禁制帯の変化が顕著なため、より効果的な切換が可能
となる。
また、本発明の作用はストライプの本数に依存しないこ
とはいうまでもない。
とはいうまでもない。
第１の手段においては、発光ストライプ部の電極７に電
圧を印加して発振させた時のモードは最高次モードとな
り、最高次モードにおいては各ストライプ間の光電界の
位相が逆相であるので光電界分布は第２図（ｄ）のよう
になり、したがって発光は第３図（ｃ）の３１のような
分布をして。
圧を印加して発振させた時のモードは最高次モードとな
り、最高次モードにおいては各ストライプ間の光電界の
位相が逆相であるので光電界分布は第２図（ｄ）のよう
になり、したがって発光は第３図（ｃ）の３１のような
分布をして。
出射方向は＋００度および一００度となる。
また、発光ストライプ部間部分の電Ｉ＠８に電圧を印加
した時の発振は１次モードとなり、第３図（ｃ ）の３
２に示す発光となり、その出射角度ははぼ０度である。
した時の発振は１次モードとなり、第３図（ｃ ）の３
２に示す発光となり、その出射角度ははぼ０度である。
したがって、電極７に電圧を印加するか、電極８に電圧
を印加するかによって、発光の出射角度を可変とするこ
とができる。
を印加するかによって、発光の出射角度を可変とするこ
とができる。
この切換の速度は、本質的に半導体レーザの緩和振動周
波数できまるので、１． ＯＣ３）Ｊ ｚ程度が期待さ
れる。
波数できまるので、１． ＯＣ３）Ｊ ｚ程度が期待さ
れる。
第２の手段においては、全ての電極に電流注入を行った
場合、高屈折率であるストライプ部の全ての電界分布が
大きくなり、第２図（ｄ）に示すような最高次スーパー
モードとなり、電極部分２２に電流注入を行わない場合
にはストライプ中央部において光が大きな損失を受けて
高次スーパーモードのしきい電流値が大きくなり、基本
スーパーモードで発振する。基本スーパーモードにおい
ては各ストライプでの光電界の位相は同相であるのでレ
ーザ端面に垂直な方向に光が出射する。
場合、高屈折率であるストライプ部の全ての電界分布が
大きくなり、第２図（ｄ）に示すような最高次スーパー
モードとなり、電極部分２２に電流注入を行わない場合
にはストライプ中央部において光が大きな損失を受けて
高次スーパーモードのしきい電流値が大きくなり、基本
スーパーモードで発振する。基本スーパーモードにおい
ては各ストライプでの光電界の位相は同相であるのでレ
ーザ端面に垂直な方向に光が出射する。
第３の手段においては、高次スーパーモードの電界分布
が第２図（ｄ）で示されるようにストライプ領域から大
きくしみ出し、一方基本スーパーモードは第２図（ｃ）
で示されるようにそのしみ出しが少ないことから、スト
ライプ領域外の領域に電界を印加するとフランツ・ケル
ディツシュ効果により活性層の禁制帯幅が大きくなり、
したがって光の吸収量が増大して、高次スーパー干−ド
が発振しにくくなり、その結果、基本スーパーモードで
発振し、該電界髪印加しない場合には高次スーパーモー
ドで発振するようになる。したがって第１および第２の
手段の場合と同様にレーザ光の出射角度を変えることが
できる。
が第２図（ｄ）で示されるようにストライプ領域から大
きくしみ出し、一方基本スーパーモードは第２図（ｃ）
で示されるようにそのしみ出しが少ないことから、スト
ライプ領域外の領域に電界を印加するとフランツ・ケル
ディツシュ効果により活性層の禁制帯幅が大きくなり、
したがって光の吸収量が増大して、高次スーパー干−ド
が発振しにくくなり、その結果、基本スーパーモードで
発振し、該電界髪印加しない場合には高次スーパーモー
ドで発振するようになる。したがって第１および第２の
手段の場合と同様にレーザ光の出射角度を変えることが
できる。
以下、本発明の実施例を図を用いて詳細に説明する。
実施例１
第１図は、本発明をＧａＡ Ｑ Ａｓ系半導体レーザに
適用した場合のレーザ装置の断面図（ａ）と発光分布図
（ｂ）である。
適用した場合のレーザ装置の断面図（ａ）と発光分布図
（ｂ）である。
ｎ−ＧａＡｓ基板１上にホトエツチング工程により、幅
３μｍ、深さ１μｍの溝を３本形成する。この時、スト
ライプ中心の間隔は５μｍとした。この後、液相成長法
により、ｎ −Ｇａｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、５Ａｓクラッド
層２．アンドープＧａｏ、ｓｅＡ Ｑ Ｏ，１４Ａ８活
性層３゜ｐ Ｇａｏ、５Ａ Ｑ ｏ、！ＩＡｓクラッ
ド層４．ｎ ＧａＡｓ層５を順次形成する。この後、
ストライプ状にＺｎ拡散を行い、ｐ −Ｇａｏ、ｇＡ
Ｉｌｏ、ａＡｓＡｓクララ４に達する拡散領域６を設け
る。この時、溝−上方拡散領域の幅は溝幅より１μｍ狭
く、また、溝間隙−上方の拡散領域の幅は溝間隙の幅よ
り０．５μｍ狭くなるようトコする。この後、各拡散ス
トライプ領域にのみ、ｐ電極７，８をリフトオフ法に形
成し続いてｎ電極ａを形成した後、へき開法により、共
振器長約３００μｍのレーザ素子を得た。この時、溝間
隙上のｎ −Ｇａｏ、ｆｌＡ Ｑ、 ｏ、ａｆクラッド
層の厚さが０ 、１〜０ 、５ ｔｔ ｍのとき、第２
図（ａ）のごとき屈折率分布が形成される。
３μｍ、深さ１μｍの溝を３本形成する。この時、スト
ライプ中心の間隔は５μｍとした。この後、液相成長法
により、ｎ −Ｇａｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、５Ａｓクラッド
層２．アンドープＧａｏ、ｓｅＡ Ｑ Ｏ，１４Ａ８活
性層３゜ｐ Ｇａｏ、５Ａ Ｑ ｏ、！ＩＡｓクラッ
ド層４．ｎ ＧａＡｓ層５を順次形成する。この後、
ストライプ状にＺｎ拡散を行い、ｐ −Ｇａｏ、ｇＡ
Ｉｌｏ、ａＡｓＡｓクララ４に達する拡散領域６を設け
る。この時、溝−上方拡散領域の幅は溝幅より１μｍ狭
く、また、溝間隙−上方の拡散領域の幅は溝間隙の幅よ
り０．５μｍ狭くなるようトコする。この後、各拡散ス
トライプ領域にのみ、ｐ電極７，８をリフトオフ法に形
成し続いてｎ電極ａを形成した後、へき開法により、共
振器長約３００μｍのレーザ素子を得た。この時、溝間
隙上のｎ −Ｇａｏ、ｆｌＡ Ｑ、 ｏ、ａｆクラッド
層の厚さが０ 、１〜０ 、５ ｔｔ ｍのとき、第２
図（ａ）のごとき屈折率分布が形成される。
試作した素子は、室温においてしきい電流１００− ’
Ｊ、 ５０ ｍ Ａ 、波長７８０ｎｍで連続発振し、
発振スペクトルは、縦単一モードを示した。その遠視野
像（接合面に平行な方向の発光分布）を第１図（ｃ）に
示す。まず、電極７に通電して高屈折率領域の溝部分に
のみ電流を注入した時の遠視野像を第１図（○）の破線
３１で示した。出射角度αが→−４，，５’、および−
４，５°において２本の出射ビームが観測され、その半
値幅は１．５ａ であった・これは、最高次のスーパー
干−ドが選択されていることを示している。次に電極８
に通電して低屈折率部領域の溝間部分にのみ電流を注入
した時の遠視野像を第１図（ｃ）の実線３２で示した。
Ｊ、 ５０ ｍ Ａ 、波長７８０ｎｍで連続発振し、
発振スペクトルは、縦単一モードを示した。その遠視野
像（接合面に平行な方向の発光分布）を第１図（ｃ）に
示す。まず、電極７に通電して高屈折率領域の溝部分に
のみ電流を注入した時の遠視野像を第１図（○）の破線
３１で示した。出射角度αが→−４，，５’、および−
４，５°において２本の出射ビームが観測され、その半
値幅は１．５ａ であった・これは、最高次のスーパー
干−ドが選択されていることを示している。次に電極８
に通電して低屈折率部領域の溝間部分にのみ電流を注入
した時の遠視野像を第１図（ｃ）の実線３２で示した。
±０°において１本の半値幅１．５° の出射ビームが
Ｉｔ！ １ｌｌＱされ、基本スーパー千−ドが選択され
たことを示している。すなわち、本構造により、基本ス
ーパーモードと最高次のスーパーモードを電流注入１、
こより独立に選択できることが判明した。この両スーパ
ーモードの選択は、光出力３００ｍＷまで可能であった
。
Ｉｔ！ １ｌｌＱされ、基本スーパー千−ドが選択され
たことを示している。すなわち、本構造により、基本ス
ーパーモードと最高次のスーパーモードを電流注入１、
こより独立に選択できることが判明した。この両スーパ
ーモードの選択は、光出力３００ｍＷまで可能であった
。
実施例２
第３図は本発明による他の実施例で、第３図（ａ）がレ
ーザの断面図、（ｂ）がその屈折率分布を示す。
ーザの断面図、（ｂ）がその屈折率分布を示す。
ｎ ＧａＡｓ基板１上にｎ −Ｇａｏ、ｓＡ Ｑ Ｏ
，ＢＡ８クラッド層２．アンドープＧａｏ、ａｅＡ Ｑ
ｏ、５ｎＡｓ活性層３ｙＰ−Ｇａｏ、ｓ６Ａ （Ａ
ｏ、１ＢＡｓクラッド層１．０ 、 ｐ −Ｇａｏ、ｉ
ｓＡ Ｑ Ｏ，＋１１１ＡＳ層１１をＭＯＣＶｒｌ法に
より順次形成する。
，ＢＡ８クラッド層２．アンドープＧａｏ、ａｅＡ Ｑ
ｏ、５ｎＡｓ活性層３ｙＰ−Ｇａｏ、ｓ６Ａ （Ａ
ｏ、１ＢＡｓクラッド層１．０ 、 ｐ −Ｇａｏ、ｉ
ｓＡ Ｑ Ｏ，＋１１１ＡＳ層１１をＭＯＣＶｒｌ法に
より順次形成する。
ホトエツチング工程により、Ｇａｏ、＋１５Ａ １．
ｏ、！、ｓＡｓ層１１を完全に除去し、ｐ −Ｇａｏ、
ｌｌ５Ａ Ｑ ｏ、ａａＡｓクラッド層１０層表０を露
出する幅３μｍの溝ストライプを４本形成する。この時
、ストライプ中心間隔は６μｍ、つまり、ストライプ間
隙は３μｍである。この後、ＭＯＣＶｒｌ法により、
ｐ −Ｇａｏ、Ｉ、ａＡ Ｑ ０．４ＦＩＡＳ埋めこみ
層１２ 、 ｎ−ＧａＡｓ層５を形成する。この後、ス
トライプ状にＺｎ拡散を行い、Ｐ −Ｇａｏ、ａｓＡ
Ｑ ０．４３ＡＳ層１２に達する拡散領域６を設ける。
ｏ、！、ｓＡｓ層１１を完全に除去し、ｐ −Ｇａｏ、
ｌｌ５Ａ Ｑ ｏ、ａａＡｓクラッド層１０層表０を露
出する幅３μｍの溝ストライプを４本形成する。この時
、ストライプ中心間隔は６μｍ、つまり、ストライプ間
隙は３μｍである。この後、ＭＯＣＶｒｌ法により、
ｐ −Ｇａｏ、Ｉ、ａＡ Ｑ ０．４ＦＩＡＳ埋めこみ
層１２ 、 ｎ−ＧａＡｓ層５を形成する。この後、ス
トライプ状にＺｎ拡散を行い、Ｐ −Ｇａｏ、ａｓＡ
Ｑ ０．４３ＡＳ層１２に達する拡散領域６を設ける。
この時、拡散領域の幅は、溝ストライプ上方、ストライ
プ間隙上方共、その幅より１μｍ狭くする。この後、各
拡散ストライプ領域にのみ、ｐ電極７，８をリフトオフ
法により形成し、ｎ電極９を形成した後、へき開法によ
り、共振器長約３００μｍのレーザ素子を得た。この時
、ｐ−Ｇａｏ、ｓａＡ Ｑ ０１４！ｌＡ８クラッド層
１０の厚さが０．０５〜０．６μｍのとき、第４図（ｂ
）のような屈折率分布が形成される。
プ間隙上方共、その幅より１μｍ狭くする。この後、各
拡散ストライプ領域にのみ、ｐ電極７，８をリフトオフ
法により形成し、ｎ電極９を形成した後、へき開法によ
り、共振器長約３００μｍのレーザ素子を得た。この時
、ｐ−Ｇａｏ、ｓａＡ Ｑ ０１４！ｌＡ８クラッド層
１０の厚さが０．０５〜０．６μｍのとき、第４図（ｂ
）のような屈折率分布が形成される。
試作した素子はしきい電流１００〜１６０ｍＡ、波長７
８０ｎｍにおいて室温連続発振した。まず、Ｐ電極７に
のみ電流注入を行い、高屈折率領域の溝ストライプにの
み利得を与えると、その遠視野像は＋４．０°、−４，
０°において２本の出射ビーム（半値幅は１．５°）が
Ｉ測され、最高次のスーパーモードが選択されているこ
とを確認した。
８０ｎｍにおいて室温連続発振した。まず、Ｐ電極７に
のみ電流注入を行い、高屈折率領域の溝ストライプにの
み利得を与えると、その遠視野像は＋４．０°、−４，
０°において２本の出射ビーム（半値幅は１．５°）が
Ｉ測され、最高次のスーパーモードが選択されているこ
とを確認した。
一方、ｐ電極８にのみ電流注入を行い、低ｉ１折串領域
の溝間隔の部分にのみ利得を与えるとその遠視野像は±
０°において１本の出射ビームが観測され、基本（１次
）スーパーモード発振を得た。
の溝間隔の部分にのみ利得を与えるとその遠視野像は±
０°において１本の出射ビームが観測され、基本（１次
）スーパーモード発振を得た。
つまり、実施例１と同様、良好な両モードの選択を可能
にし、出射ビームの角度光出力２０（’）ｍＷまでを可
変にできた。
にし、出射ビームの角度光出力２０（’）ｍＷまでを可
変にできた。
実施例３
第４図に本発明による別の実施例を示す。
１００がレーザ断面図で、（１））がその屈折率分布を
示す。
示す。
ｐ −ＧａＡｓ基板１３上にｐ −ｆｌａｏ、５Ａ Ｑ
ｎ、ｅＡｓＡｓクララ４） ド層４．アンドープＧａｏ、ｓｅＡ Ｑ ｏ、＋４Ａｓ
活性層３゜ｎ −［’ｉａｏ、ｓａＡ Ｑ、 ｏ、４ａ
Ａｓ光ガイド層１４．厚さ５０人のアンドープＩ’ｉａ
ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、＋Ａｓウェル層と厚さ１００人のア
ンドープＧａｏ、ｓＡ Ｄ、 ０．７Ａ８バリヤ層を交
互に３０層形成した超格子層１５． ｎ −Ｇ１３０．
＋ＩＡ Ｑ ｏ、ａ＾Ｓクラッド層２ 、 ｎ−ＧａＡ
ｓキャップ層１６を順次ＭＯＣＶｒｌ法により形成する
。この後、幅３μｍのストライプ状領域とフェーズドア
レイ領域の外側領域にｎ −Ｇａｏ、５５Ａ １１０．
４５Ａ８光ガイド層１４まで達する８１イオン注入］７
を行うことにより３本のストライプを形成する。この時
ストライプ中心間隔は７μｍである。この時、ストライ
プ中心間隔は７μｍである。この後、リフトオフ法によ
り、幅１μｍの間隙を設けたｎ側ストライプ電極１８．
１９を形成する。この後、このストライプ状ｎ側電極１
８．１９をマスクにして、Ｈ＋（プロトン）のイオン注
入を行い、各電極間の絶縁領域２０を形成した後、ｎ電
極２２を形成後、へき開法により共振器長約３００ Ｉ
ｔ ｍのレーザ素子を得た。本実施例においては、Ｓｉ
イオン注入領域内の超格子層の屈折率は、無秩序化し、
混晶化している。この無秩序化した超格子層の屈折率は
無秩序化していない超格子層の屈折率より小さい。この
結果ｎ −Ｇａｏ、ｒ＋ｒ＋Ａ １１０．４１）Ａｓ光
ガイド層１４の厚さが０．５μｍ以下である時、第４図
（ｃ）に示す屈折率分布が形成される。
ｎ、ｅＡｓＡｓクララ４） ド層４．アンドープＧａｏ、ｓｅＡ Ｑ ｏ、＋４Ａｓ
活性層３゜ｎ −［’ｉａｏ、ｓａＡ Ｑ、 ｏ、４ａ
Ａｓ光ガイド層１４．厚さ５０人のアンドープＩ’ｉａ
ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、＋Ａｓウェル層と厚さ１００人のア
ンドープＧａｏ、ｓＡ Ｄ、 ０．７Ａ８バリヤ層を交
互に３０層形成した超格子層１５． ｎ −Ｇ１３０．
＋ＩＡ Ｑ ｏ、ａ＾Ｓクラッド層２ 、 ｎ−ＧａＡ
ｓキャップ層１６を順次ＭＯＣＶｒｌ法により形成する
。この後、幅３μｍのストライプ状領域とフェーズドア
レイ領域の外側領域にｎ −Ｇａｏ、５５Ａ １１０．
４５Ａ８光ガイド層１４まで達する８１イオン注入］７
を行うことにより３本のストライプを形成する。この時
ストライプ中心間隔は７μｍである。この時、ストライ
プ中心間隔は７μｍである。この後、リフトオフ法によ
り、幅１μｍの間隙を設けたｎ側ストライプ電極１８．
１９を形成する。この後、このストライプ状ｎ側電極１
８．１９をマスクにして、Ｈ＋（プロトン）のイオン注
入を行い、各電極間の絶縁領域２０を形成した後、ｎ電
極２２を形成後、へき開法により共振器長約３００ Ｉ
ｔ ｍのレーザ素子を得た。本実施例においては、Ｓｉ
イオン注入領域内の超格子層の屈折率は、無秩序化し、
混晶化している。この無秩序化した超格子層の屈折率は
無秩序化していない超格子層の屈折率より小さい。この
結果ｎ −Ｇａｏ、ｒ＋ｒ＋Ａ １１０．４１）Ａｓ光
ガイド層１４の厚さが０．５μｍ以下である時、第４図
（ｃ）に示す屈折率分布が形成される。
試作した素子は、実施例１および２と同様の効果が現わ
れ、ｎ電極１８と１９を別々に電流を流すことにより、
基本スーパー干−ドと最高次スーパーモードを独立に選
択することができた。
れ、ｎ電極１８と１９を別々に電流を流すことにより、
基本スーパー干−ドと最高次スーパーモードを独立に選
択することができた。
なお、本発明において、各実施例中のストライプ構造と
しては、その本数として２〜２０本、ストライプ幅とし
て１〜１０μｍ、ストライプ間隙幅として１〜８μｍの
いずれの組み合わせにおいても同様の効果が得られた。
しては、その本数として２〜２０本、ストライプ幅とし
て１〜１０μｍ、ストライプ間隙幅として１〜８μｍの
いずれの組み合わせにおいても同様の効果が得られた。
また、本発明のストライプ基本構造としては、上記以外
にＢＨ構造。
にＢＨ構造。
リブ型構造など任意の形状が適用できることは、いうま
でもない。また、隣接したストライプ状電極の絶縁用拡
散不純物として上記の７． ｎ以外にＳｊ、Ｓも同様の
効果が得られ、さらに、イオン注入としてはＧａ、ＡＱ
、Ｆ、Ｂもほぼ同様の効果が得られた。
でもない。また、隣接したストライプ状電極の絶縁用拡
散不純物として上記の７． ｎ以外にＳｊ、Ｓも同様の
効果が得られ、さらに、イオン注入としてはＧａ、ＡＱ
、Ｆ、Ｂもほぼ同様の効果が得られた。
なお、実施例においては波長０．６８〜０．８９μｍの
光に対して実施できた。
光に対して実施できた。
実施例４
実施例１〜３におけるＧａＡ Ｑ Ａｓ系半導体をＩｎ
ＧａＡｓＰ系半導体に替え、実施例１〜３と類似の方法
で実施した結果、発光波長が１．３〜１．５μｍの発光
について出射角度を変えることができた。
ＧａＡｓＰ系半導体に替え、実施例１〜３と類似の方法
で実施した結果、発光波長が１．３〜１．５μｍの発光
について出射角度を変えることができた。
実施例５
実施例１〜３におけるＧａＡ Ｑ Ａｓ系半導体をＴｎ
ＧａＰ系半導体に替えて実施例１〜３と類似の方法で実
施したところ、発光波長が０．５８〜０．７μｍの発光
について出射角度を変えることができた。
ＧａＰ系半導体に替えて実施例１〜３と類似の方法で実
施したところ、発光波長が０．５８〜０．７μｍの発光
について出射角度を変えることができた。
実施例６
第６図は、本発明をＧａＡ Ｑ Ａｓ系半導体レーザに
適用した場合のレーザ装置の上面図を（ａ）に。
適用した場合のレーザ装置の上面図を（ａ）に。
Ａ−Ａ’線断面図を（ｂ）に、Ｂ−Ｂ’線断面図を（ｃ
）に、Ｂ−Ｂ’線断面の屈折率分布を（ｄ）に示しであ
る。
）に、Ｂ−Ｂ’線断面の屈折率分布を（ｄ）に示しであ
る。
ｎ−ＧａＡｓ基板１上にホトエツチング工程により、幅
３μｍ、深さ１μｍの溝を３本形成する。この時、スト
ライプ中心の間隔は５μｍとした。つまり４溝間隙の幅
は、２μｍとなっている。この後、液相成長法により、
ｎ −Ｇａｏ、ｉＡ Ｑ ｏ、ｌｌＡｓクラッド層２．
アンドープＧａｏ、ｓｅＡ Ｑ Ｏ，１４八Ｓ活性層３
ｙＰ−Ｇａｏ、５Ａ Ｏｏ、Ｉ、Ａｓクラッド層４．
、 ｎ−ＧａＡｓ層５を順次形成する。この後、ストラ
イプ状にＺｎ拡散を行い、ｐ −（４ａｏ、ｓＡ Ｑ
ｏ、ｓＡｓクラッド層４に達する拡散領域６を設ける。
３μｍ、深さ１μｍの溝を３本形成する。この時、スト
ライプ中心の間隔は５μｍとした。つまり４溝間隙の幅
は、２μｍとなっている。この後、液相成長法により、
ｎ −Ｇａｏ、ｉＡ Ｑ ｏ、ｌｌＡｓクラッド層２．
アンドープＧａｏ、ｓｅＡ Ｑ Ｏ，１４八Ｓ活性層３
ｙＰ−Ｇａｏ、５Ａ Ｏｏ、Ｉ、Ａｓクラッド層４．
、 ｎ−ＧａＡｓ層５を順次形成する。この後、ストラ
イプ状にＺｎ拡散を行い、ｐ −（４ａｏ、ｓＡ Ｑ
ｏ、ｓＡｓクラッド層４に達する拡散領域６を設ける。
この時、溝−１一方拡散領域の幅は溝幅より１μｍ狭く
、また、溝間隙−上方の拡散領域の幅は溝間隙の幅より
０．５μｍ狭くなるようにする。この後、各拡散ストラ
イプ領域にのみ、ｎ電極７，８をリフトオフ法に形成し
、ｎ電極９を形成した後、へき開法により、共振器長約
３００μｍのレーザ素子を得た。この時、電極８すなわ
ち、独立電流ストライプの長さを５０μｍとした。以上
のストライプ状のＺｎ拡散と、その上のストライプ状の
電極により、隣接する電極同志の絶縁は保たれた。この
時、溝間隙上のｎ−Ｇａｏ、３Ａ Ｑ ｏ、３Ａｓクラ
ッド層の厚さが、０．１〜０．５ μｍのとき、第６図
（ｄ）のごとく屈折率分布が形成される。
、また、溝間隙−上方の拡散領域の幅は溝間隙の幅より
０．５μｍ狭くなるようにする。この後、各拡散ストラ
イプ領域にのみ、ｎ電極７，８をリフトオフ法に形成し
、ｎ電極９を形成した後、へき開法により、共振器長約
３００μｍのレーザ素子を得た。この時、電極８すなわ
ち、独立電流ストライプの長さを５０μｍとした。以上
のストライプ状のＺｎ拡散と、その上のストライプ状の
電極により、隣接する電極同志の絶縁は保たれた。この
時、溝間隙上のｎ−Ｇａｏ、３Ａ Ｑ ｏ、３Ａｓクラ
ッド層の厚さが、０．１〜０．５ μｍのとき、第６図
（ｄ）のごとく屈折率分布が形成される。
試作した素子は、室温においてしきい電流１００〜１．
５０ ｍ Ａ 、波長７８０ｎｍで連続発振し、発振ス
ペクトルは、縦畦−モードを示した。その遠視野像（接
合面に平行な方向を第６図（ｅ）に示す。まず、全ての
ストライプ部に電流を注入するためにｐｆｔｔ極７，８
に電流を注入した時の遠視野像を同図（ｅ）の破線で示
した。＋４５″、−４５゜において、２本の出射ビーム
が観測され、その半値幅は１ 、５ ″ であった。
５０ ｍ Ａ 、波長７８０ｎｍで連続発振し、発振ス
ペクトルは、縦畦−モードを示した。その遠視野像（接
合面に平行な方向を第６図（ｅ）に示す。まず、全ての
ストライプ部に電流を注入するためにｐｆｔｔ極７，８
に電流を注入した時の遠視野像を同図（ｅ）の破線で示
した。＋４５″、−４５゜において、２本の出射ビーム
が観測され、その半値幅は１ 、５ ″ であった。
これは、最高次のモードが選択されたことを示している
。一方、ｐ電極７にのみに電流注入した時の遠視野像を
同図（ｅ）の実線で示した。±００において、半値幅１
．５゜の１本の出射ビームが観測され、基本スーパーモ
ードが選択されたことを示している。すなわち、本構造
により、基本スーパーモードと最高次のスーパーモード
を電流注入により選択できることが判明した。この両ス
ーパーモードの選択は、光出力３００ｍｗまで可能であ
った。
。一方、ｐ電極７にのみに電流注入した時の遠視野像を
同図（ｅ）の実線で示した。±００において、半値幅１
．５゜の１本の出射ビームが観測され、基本スーパーモ
ードが選択されたことを示している。すなわち、本構造
により、基本スーパーモードと最高次のスーパーモード
を電流注入により選択できることが判明した。この両ス
ーパーモードの選択は、光出力３００ｍｗまで可能であ
った。
実施例７
第７図は、本発明による別の実施例で、（ａ）がレーザ
の一ヒ面図、（ｂ）はＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）はＢ−
Ｆｌ’線断面図、（ｄ）はＲ−Ｒ’線断面の屈折率分布
を示しである。
の一ヒ面図、（ｂ）はＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）はＢ−
Ｆｌ’線断面図、（ｄ）はＲ−Ｒ’線断面の屈折率分布
を示しである。
ｎ−ＱａＡｇ基板１−ににｎ −Ｇａｏ、ｓＡ Ｑ Ｏ
，！ｌＡ８クラッド層２．アンドープＧａｏ、ａｓＡ
Ｑ ｏ、 ｚａＡｓ活性層３゜ｐ −Ｇａｏ、ａｓＡ
Ｑ Ｏ，４６Ａｌｌクラッド層ＩＯ，ｎ−Ｇａｏ、＋ｓ
Ａ Ｑ ０．５１１ＡＳ層１１をＮｏ−ＣＶＤ法により
順次形成する。ホトエツチング工程によりｎ −Ｇａｏ
、４３Ａ Ｑ ０．５１５Ａ８層１１を完全に除去し、
ｐ −Ｇａｏ、ａｓＡ Ｑ ０．４１１Ａｌｌクラッド
層］０の表面を露出する幅３μｍの溝ストライプを４本
形成する。この時、ストライプ中心間隔は６μｍ、つま
りストライプ間隙は３μｍである。この後、ＭＯＣＶＤ
法により、ｐＧａｏ、５ａＡ ９０．４ＲＡＳ埋めこみ
層１２＋ＰＧａＡｓ２０を形成する。その後、ｐ電極７
，８をリフトオフ法により形成し、ｎ電極９を形成した
後、へき開法により、共振器長約３００μｍのレーザ素
子を得た。この時、電極８、すなわち、独立電流ストラ
イプの長さは、１００μｍとした。この時、ｐ −Ｇａ
ｏ、ＩＩＩＩＡ Ｑ ｏ、ａａＡｓクラッド層１０層厚
０が０．０５〜０．６ｐｍのとき、第７図（ｄ）のよう
な屈折率分布が形成される。
，！ｌＡ８クラッド層２．アンドープＧａｏ、ａｓＡ
Ｑ ｏ、 ｚａＡｓ活性層３゜ｐ −Ｇａｏ、ａｓＡ
Ｑ Ｏ，４６Ａｌｌクラッド層ＩＯ，ｎ−Ｇａｏ、＋ｓ
Ａ Ｑ ０．５１１ＡＳ層１１をＮｏ−ＣＶＤ法により
順次形成する。ホトエツチング工程によりｎ −Ｇａｏ
、４３Ａ Ｑ ０．５１５Ａ８層１１を完全に除去し、
ｐ −Ｇａｏ、ａｓＡ Ｑ ０．４１１Ａｌｌクラッド
層］０の表面を露出する幅３μｍの溝ストライプを４本
形成する。この時、ストライプ中心間隔は６μｍ、つま
りストライプ間隙は３μｍである。この後、ＭＯＣＶＤ
法により、ｐＧａｏ、５ａＡ ９０．４ＲＡＳ埋めこみ
層１２＋ＰＧａＡｓ２０を形成する。その後、ｐ電極７
，８をリフトオフ法により形成し、ｎ電極９を形成した
後、へき開法により、共振器長約３００μｍのレーザ素
子を得た。この時、電極８、すなわち、独立電流ストラ
イプの長さは、１００μｍとした。この時、ｐ −Ｇａ
ｏ、ＩＩＩＩＡ Ｑ ｏ、ａａＡｓクラッド層１０層厚
０が０．０５〜０．６ｐｍのとき、第７図（ｄ）のよう
な屈折率分布が形成される。
試作した素子は、しきい電流１００〜１６０ｍＡ、波長
７８０ｎｍにおいて、室温連続発振した。まず、ストラ
イプ間隙てに電流を注入するために、ｐ電極７，８に電
流を注入した。すると、その遠視野像は、＋４．０’
、−４，０°において、２本の出射ビーム（半値幅各々
１．５°）が観測され、最高次のスーパーモードが選択
されていることを確認した。一方、ｐ電極７にのみ電流
注入を行うと、その遠視野像は、±Ｏ″において１本の
出射ビームが観測され、基本スーパーモード発振を得た
。つまり、実施例１と同様、良好な両モードの選択を可
能にし、出射ビームの角度を光出力２００ｍＷまで可変
にできた。
７８０ｎｍにおいて、室温連続発振した。まず、ストラ
イプ間隙てに電流を注入するために、ｐ電極７，８に電
流を注入した。すると、その遠視野像は、＋４．０’
、−４，０°において、２本の出射ビーム（半値幅各々
１．５°）が観測され、最高次のスーパーモードが選択
されていることを確認した。一方、ｐ電極７にのみ電流
注入を行うと、その遠視野像は、±Ｏ″において１本の
出射ビームが観測され、基本スーパーモード発振を得た
。つまり、実施例１と同様、良好な両モードの選択を可
能にし、出射ビームの角度を光出力２００ｍＷまで可変
にできた。
実施例８
第８図に本発明による別の実施例を示す。（ａ）がレー
ザの」二面図、（ｂ）がＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）がＢ
−Ｂ’線断面図、（（１）がＢ−Ｂ’線断面の活性層の
屈折率分布を示しである。
ザの」二面図、（ｂ）がＡ−Ａ’線断面図、（ｃ）がＢ
−Ｂ’線断面図、（（１）がＢ−Ｂ’線断面の活性層の
屈折率分布を示しである。
ｐ−ｒｉａＡｓ基板１３上にｐ −Ｇａｏ、ｅＡ Ｑ
Ｏｅ６＾Ｓクラッド層４ 、 ｐ −Ｇａｏ、ｇＢＡ
Ｑ ｏ、ａａＡｓ光ガイド層１４゜厚さ１．００人のア
ンドープＧａｏ、ｅＡ Ｑ ｏ、ＩＡｓＡｓウニ１と厚
さ５０ＡのアンドープＧａｏ、ｔＡ Ｑ ｏ、ｓＡｓバ
リヤ層を交互に５層形成した超格子活性層１５．ｎ−１
Ｅａｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ａＡｓクラッド層２．ｎ −［
ＥａＡｓキャップ層５を順次ＭＯＣＶＩ′１法により形
成する。この後、幅３μｍのストライプ状領域と、フェ
ーズド・アレイ領域の外側領域に、ｐ ｌ’ｉａｏ、
５ｉＡ Ｑ ｏ、＋ｓ八へ光ガイド層１４まで達するＳ
ｘイオン注入１７を行うことにより、４本のストライプ
を形成する。この時、ストライプ中心間隔は７μｍであ
る。この後、リフトオフ法により、ｎ側ストライプ電極
１８．１９を形成し、ｐ電極１６を形成後、へき開法に
より共振器長約３００μｍのレーザ素子を得た。
Ｏｅ６＾Ｓクラッド層４ 、 ｐ −Ｇａｏ、ｇＢＡ
Ｑ ｏ、ａａＡｓ光ガイド層１４゜厚さ１．００人のア
ンドープＧａｏ、ｅＡ Ｑ ｏ、ＩＡｓＡｓウニ１と厚
さ５０ＡのアンドープＧａｏ、ｔＡ Ｑ ｏ、ｓＡｓバ
リヤ層を交互に５層形成した超格子活性層１５．ｎ−１
Ｅａｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ａＡｓクラッド層２．ｎ −［
ＥａＡｓキャップ層５を順次ＭＯＣＶＩ′１法により形
成する。この後、幅３μｍのストライプ状領域と、フェ
ーズド・アレイ領域の外側領域に、ｐ ｌ’ｉａｏ、
５ｉＡ Ｑ ｏ、＋ｓ八へ光ガイド層１４まで達するＳ
ｘイオン注入１７を行うことにより、４本のストライプ
を形成する。この時、ストライプ中心間隔は７μｍであ
る。この後、リフトオフ法により、ｎ側ストライプ電極
１８．１９を形成し、ｐ電極１６を形成後、へき開法に
より共振器長約３００μｍのレーザ素子を得た。
この時、電極１９すなわち、独立電流ストライプの長さ
は１００μｍとした。本実施例においては、Ｓｉイオン
注入領域内の超格子層の屈折率は、無秩序し、混晶化し
ている。この無秩序化した超格子層の屈折率は無秩序化
していない超格子層の屈折率より小さい。この結果ｎ
−Ｇａｏ、ａａＡ Ｑ Ｏ，４１１Ａｓ光ガイド層］４
の厚さが０．５μｍ以下である時、第８図（ｄ）に示す
屈折率分布が形成される。
は１００μｍとした。本実施例においては、Ｓｉイオン
注入領域内の超格子層の屈折率は、無秩序し、混晶化し
ている。この無秩序化した超格子層の屈折率は無秩序化
していない超格子層の屈折率より小さい。この結果ｎ
−Ｇａｏ、ａａＡ Ｑ Ｏ，４１１Ａｓ光ガイド層］４
の厚さが０．５μｍ以下である時、第８図（ｄ）に示す
屈折率分布が形成される。
試作した素子は、実施例６，７と同様の効果が得られた
。すなわち、ストライプ部全てに電流注入を行うために
ｎ電極１８．１９に電流注入したときには最高次スーパ
ーモードが、ｎ電極１Ｂのみに電流注入したときには基
本スーパーモードが選択された。
。すなわち、ストライプ部全てに電流注入を行うために
ｎ電極１８．１９に電流注入したときには最高次スーパ
ーモードが、ｎ電極１Ｂのみに電流注入したときには基
本スーパーモードが選択された。
なお、本発明の実施例６〜８において、各実施例中のス
トライプ構造としては、その本数として２〜２０本の範
Ｉ１１？°゛友芳邑τ” ！ −７，。
トライプ構造としては、その本数として２〜２０本の範
Ｉ１１？°゛友芳邑τ” ！ −７，。
実施例９
第９図は、本発明をＧａＡ Ｑ Ａｓ系半導体レーザに
適用した場合のレーザ装置の断面図を示しである。
適用した場合のレーザ装置の断面図を示しである。
ｎ ＧａＡｓ基板結晶Ｉ Ｊ−にｎ −Ｇａ０．ＦＩ
Ａ Ｑ、 ｏ、ｓＡｓＡｓクララ２．厚さ８層ｍのＧａ
ｏ、ｅｏＡ Ｑ ｏ、１ｏＡｓ ウェル層と厚さ４ ｎ
ｍのＧａｏ、７ｏＡ Ｑ ｏ、ａｏＡｓバリヤ層を交
互に６層ずつ積み重ねた多重量子井戸活性層３３ 、
ｐ −Ｇａｏ、ａＡ Ｑ Ｏ，５Ａｌｌクラッド層４．
．ｎ −ＧａＡｓ電流狭搾層５をＭＯＣＶｒｌ法により
順次形成する。
Ａ Ｑ、 ｏ、ｓＡｓＡｓクララ２．厚さ８層ｍのＧａ
ｏ、ｅｏＡ Ｑ ｏ、１ｏＡｓ ウェル層と厚さ４ ｎ
ｍのＧａｏ、７ｏＡ Ｑ ｏ、ａｏＡｓバリヤ層を交
互に６層ずつ積み重ねた多重量子井戸活性層３３ 、
ｐ −Ｇａｏ、ａＡ Ｑ Ｏ，５Ａｌｌクラッド層４．
．ｎ −ＧａＡｓ電流狭搾層５をＭＯＣＶｒｌ法により
順次形成する。
ホトエツチング工程により１ｌ−ＧａＡｓ層５を完全に
除去し、ｐ −Ｇａｏ、ｇＡ Ｑ Ｏ，５Ａ８クラッド
層４の表面を請出する幅４μｍの溝ストライプを３本形
成する。この時、各ストライプの間隔（ストライプ中心
とストライプ中心の間隔）は６μｍとした。
除去し、ｐ −Ｇａｏ、ｇＡ Ｑ Ｏ，５Ａ８クラッド
層４の表面を請出する幅４μｍの溝ストライプを３本形
成する。この時、各ストライプの間隔（ストライプ中心
とストライプ中心の間隔）は６μｍとした。
この後、フェーズドアレイ領域以外の領域にプロトン（
Ｈ＋）をイオン注入しプロトン注入領域１０を形成する
。この時、プロトンを打ちこむ深さは、ｎ−ＧａＡｓ電
流狭辛層５あるいは、ｐ −Ｇａｏ、５Ａ Ｏ，ｏ、ｓ
ＡＢクラッド層６とする。このプロトン注入を行った領
域は絶縁層となり、その領域への電流注入は生じない。
Ｈ＋）をイオン注入しプロトン注入領域１０を形成する
。この時、プロトンを打ちこむ深さは、ｎ−ＧａＡｓ電
流狭辛層５あるいは、ｐ −Ｇａｏ、５Ａ Ｏ，ｏ、ｓ
ＡＢクラッド層６とする。このプロトン注入を行った領
域は絶縁層となり、その領域への電流注入は生じない。
この後フェーズドアレイ領域−ヒにｐ電極８、また、プ
ロトン注入領域２０上に電界印加電極４０を形成後ｎ電
極９を形成した後、へき開法により、共振器要約３００
μｍのレーザ素子を得た。この時、 ｐ Ｇａｏ、ｓ
Ａ Ｑ ｏ、１５Ａｓクラッド層４の厚さは、０．１〜
０．５μｍであり、この条件で屈折率導波型となり、低
収差で、高出力のフェーズド・アレイレーザを実現でき
た。
ロトン注入領域２０上に電界印加電極４０を形成後ｎ電
極９を形成した後、へき開法により、共振器要約３００
μｍのレーザ素子を得た。この時、 ｐ Ｇａｏ、ｓ
Ａ Ｑ ｏ、１５Ａｓクラッド層４の厚さは、０．１〜
０．５μｍであり、この条件で屈折率導波型となり、低
収差で、高出力のフェーズド・アレイレーザを実現でき
た。
試作した素子は、波長７８０ｎｍにおいて、しきい電流
１００〜１．２０ ｍ Ａで室温連続発振し、発振スペ
クトルは縦単一モードを示した。まず、電界印加電極４
０の電圧が零の時の遠視野像は、＋４，０°、−４，Ｏ
＠において２本の出射ビーム（半値幅各々１．５°）が
観測され、最高次のスーパーモードが選択されているこ
とを確認した。
１００〜１．２０ ｍ Ａで室温連続発振し、発振スペ
クトルは縦単一モードを示した。まず、電界印加電極４
０の電圧が零の時の遠視野像は、＋４，０°、−４，Ｏ
＠において２本の出射ビーム（半値幅各々１．５°）が
観測され、最高次のスーパーモードが選択されているこ
とを確認した。
一方、電界印加電極４０の電圧を＋５ｖにすると、その
遠視野像は、±０″において１本の出射ビーム（半値幅
１．５°）が観測され、基本スーパーモード発振を得た
。
遠視野像は、±０″において１本の出射ビーム（半値幅
１．５°）が観測され、基本スーパーモード発振を得た
。
以上から、電界印加により、多重量子井戸層３３の実効
的な禁制帯幅が狭くなり、レーザ光の損失が大きくなっ
たことにより基本スーパーモードが選択されることを確
認した。さらに電界印加用電極４０に＋３ｖを印加する
と＋１．５°。
的な禁制帯幅が狭くなり、レーザ光の損失が大きくなっ
たことにより基本スーパーモードが選択されることを確
認した。さらに電界印加用電極４０に＋３ｖを印加する
と＋１．５°。
−１，５°において２本の出射ビーム半値幅１．５°
が１ｌｉＩ！測され、二次のスーパーモードであること
が判明した。このように電界印加用電極４０の電圧を変
化させることにより、３種類のスーパーモードの全てを
自由に選択できることが判明した。
が１ｌｉＩ！測され、二次のスーパーモードであること
が判明した。このように電界印加用電極４０の電圧を変
化させることにより、３種類のスーパーモードの全てを
自由に選択できることが判明した。
実施例１０
実施例９とは別の型の本発明による実施例を第１０図を
用いて説明する。第１０図は、レーザ装置の断面図であ
る。
用いて説明する。第１０図は、レーザ装置の断面図であ
る。
ｐ ＧａＡｓ基板４１上にｐ −Ｇａｏ、＋ｓＡ １
１０．５Ａ８クラッド層４ 、 ｐ −Ｇａｏ、ｅＡ
Ｑ ｏ、ａＡｓＡｓイガ１１層４２さ７０人のＧａｏ、
ｅｚＡ Ｑ ｏ、ｏａＡｓウェル層、厚さ４０人のＧａ
ｏ、ｑｘＡ Ｑ ｏ、２ａＡｓバリヤ層を５層交互に配
置しである超格子構造の多重量子井戸活性層３３、ｎ
−Ｇａｏ、ＩＩＡ Ｑ ｏ、ａＡｓＡｓクララ２．ｎ−
ＧａＡｓキャップ層１６を順次５ｏｃｖｎ法により形成
する。この後、ホトエツチング工程により、幅５μｍの
ストライプ状に３本のｎ−ＧａＡｓキャップ層１−６を
残し、それ以外の領域に活性層３３に達するＳｉのイオ
ン注入を行い、無秩序化し混晶化した層］７を形成する
。ここで、各ストライプの中心と中心の間隔は８μｍと
した。その後、ストライプ状のｎ ＧａＡｓキャップ
層の間隙に８ ］、 ０２膜４３を被着する。この後ｐ
−電極８．ｎ電極９を形成する。この後、フェーズドア
レイ領域の外側領域にプロトンのイオン注入を行い、プ
ロトン注入領域２０を形成し、その上に電界印加用電極
４０を形成する。この後、へき開法により、共振器長駒
３００μｍのレーザ素子を得た。試作した素子は、実施
例９と同様の効果が現われ、電界印加用電極４０への電
圧印加の有無により、基本スーパーモードと最高次のス
ーパーモードを独立に選択することができた。
１０．５Ａ８クラッド層４ 、 ｐ −Ｇａｏ、ｅＡ
Ｑ ｏ、ａＡｓＡｓイガ１１層４２さ７０人のＧａｏ、
ｅｚＡ Ｑ ｏ、ｏａＡｓウェル層、厚さ４０人のＧａ
ｏ、ｑｘＡ Ｑ ｏ、２ａＡｓバリヤ層を５層交互に配
置しである超格子構造の多重量子井戸活性層３３、ｎ
−Ｇａｏ、ＩＩＡ Ｑ ｏ、ａＡｓＡｓクララ２．ｎ−
ＧａＡｓキャップ層１６を順次５ｏｃｖｎ法により形成
する。この後、ホトエツチング工程により、幅５μｍの
ストライプ状に３本のｎ−ＧａＡｓキャップ層１−６を
残し、それ以外の領域に活性層３３に達するＳｉのイオ
ン注入を行い、無秩序化し混晶化した層］７を形成する
。ここで、各ストライプの中心と中心の間隔は８μｍと
した。その後、ストライプ状のｎ ＧａＡｓキャップ
層の間隙に８ ］、 ０２膜４３を被着する。この後ｐ
−電極８．ｎ電極９を形成する。この後、フェーズドア
レイ領域の外側領域にプロトンのイオン注入を行い、プ
ロトン注入領域２０を形成し、その上に電界印加用電極
４０を形成する。この後、へき開法により、共振器長駒
３００μｍのレーザ素子を得た。試作した素子は、実施
例９と同様の効果が現われ、電界印加用電極４０への電
圧印加の有無により、基本スーパーモードと最高次のス
ーパーモードを独立に選択することができた。
なお１本発明において、各実施例中のストライプ構造と
しては、その本数として２〜２０本ストライプ幅として
１〜１０μｍ、ストライプ間隙幅として１〜８μｍのい
ずれかの組み合わせにおいても同様の効果が得られた。
しては、その本数として２〜２０本ストライプ幅として
１〜１０μｍ、ストライプ間隙幅として１〜８μｍのい
ずれかの組み合わせにおいても同様の効果が得られた。
また１本発明のスト（ｚ７）
ライブ基本構造としては、上記以外にＦＩＨ構造。
リブ型構造など任意の形状が適用できることは、いうま
でもない。
でもない。
なお本発明は実施例に示した波長０．７８μｍ前後に限
らず、波長０．６８〜０．８９μｍのＧａＡ Ｑ Ａｓ
系半導体レーザ装置で、室温連続発振できる全範囲にわ
たり同様の結果が得られた。本発明による半導体レーザ
装置はＧａＡ Ｑ Ａｓ系以外のレーザ材料、例えばｒ
ｒ＋ＱａＡｓＰ系やＩｎＧａＰ系の材料に対しても同様
に適用できる。またレーザの構造としては上記各実施例
で示した３層導波路を基本にするものに限らず、活性層
の片側に隣接して光ガイド層を設ける丁、 ｏ ｃ構造
や、活性層の両側にそれぞれ隣接して光ガイド層を設け
る５ＣＨ９造およびこれらの光ガイド層の屈折率および
禁制帯幅が膜厚方向に分布しているＧＲＴＮ−８ＣＨ′
ａ造等に対しても同様に適用することができる。
らず、波長０．６８〜０．８９μｍのＧａＡ Ｑ Ａｓ
系半導体レーザ装置で、室温連続発振できる全範囲にわ
たり同様の結果が得られた。本発明による半導体レーザ
装置はＧａＡ Ｑ Ａｓ系以外のレーザ材料、例えばｒ
ｒ＋ＱａＡｓＰ系やＩｎＧａＰ系の材料に対しても同様
に適用できる。またレーザの構造としては上記各実施例
で示した３層導波路を基本にするものに限らず、活性層
の片側に隣接して光ガイド層を設ける丁、 ｏ ｃ構造
や、活性層の両側にそれぞれ隣接して光ガイド層を設け
る５ＣＨ９造およびこれらの光ガイド層の屈折率および
禁制帯幅が膜厚方向に分布しているＧＲＴＮ−８ＣＨ′
ａ造等に対しても同様に適用することができる。
また上記各実施例Ｌｍおいて導電形を全て反対にした構
造（ｐをｎに、ｎをｐに置換えた構造）においても同様
の効果が得られた。
造（ｐをｎに、ｎをｐに置換えた構造）においても同様
の効果が得られた。
なお、本願発明の各実施例において、ストライプ構造は
その本数が２〜２０本、ストライプ幅として１〜１０μ
ｍ、ストライプ間隙幅として１〜８μｍの範囲において
、それらのいずれの組み合わせにおいても同様の効果が
得られた。また、本発明のストライプ基本構造としては
、上記以外にＲＨ構造、リブ型構造など任意の形状が適
用できることは、いうまでもない。また、隣接したスト
ライプ状電極の絶縁用拡散不純物として上記の２ｎ以外
にＳｉ、Ｓも同様の効果が得られ、さらに、イオン注入
としては、Ｇ ａ 、Ａ Ｑ Ｉ Ｆ、Ｂもほぼ同様の
効果が得られた。
その本数が２〜２０本、ストライプ幅として１〜１０μ
ｍ、ストライプ間隙幅として１〜８μｍの範囲において
、それらのいずれの組み合わせにおいても同様の効果が
得られた。また、本発明のストライプ基本構造としては
、上記以外にＲＨ構造、リブ型構造など任意の形状が適
用できることは、いうまでもない。また、隣接したスト
ライプ状電極の絶縁用拡散不純物として上記の２ｎ以外
にＳｉ、Ｓも同様の効果が得られ、さらに、イオン注入
としては、Ｇ ａ 、Ａ Ｑ Ｉ Ｆ、Ｂもほぼ同様の
効果が得られた。
また、本発明は、その技術的手段から判断して、室温連
続発振ができる全範囲の半導体レーザの構成に適用でき
ることは当業者が容易に理解し得るところである。
続発振ができる全範囲の半導体レーザの構成に適用でき
ることは当業者が容易に理解し得るところである。
本発明によれば、発光の出射角度が可変である半導体レ
ーザ装置が簡単に得られるので、レーザ・プリンタ等情
報端末機器用スキャニング光源、あるいは光通信、光計
測等におけるレーザ光の光ファイバや光導波路への新規
な切換可能な結合方式などの従来、実用化が困難であっ
た技術が容易に実用化できる効果がある。
ーザ装置が簡単に得られるので、レーザ・プリンタ等情
報端末機器用スキャニング光源、あるいは光通信、光計
測等におけるレーザ光の光ファイバや光導波路への新規
な切換可能な結合方式などの従来、実用化が困難であっ
た技術が容易に実用化できる効果がある。
第１図は本発明の第１の手段の概要および実施例を説明
する図、第２図はスーパーモードを説明する図、および
第３および４図は本発明の詳細な説明する図、第５図は
本願発明の第２の手段の概念を説明する図、第６から第
８図は本願発明の実施例を示す図で、（ａ）は上面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図、（Ｃ）は（ａ）のＢ
−Ｂ′断面図、（ｄ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面における
屈折率分布図、第９図は本願発明の第３の手段の概念を
説明する図、および第１０図は本願発明の実施例１０を
説明する図である。 １、− ｎ −ＧａＡｓ基板、 ２ ”・ｎ −Ｇａｏ
、ＩＩＡ Ｑ ｏ＋ｓＡｓクラッド層、３・・・アンド
ープＧａｏ、ｓＢＡ Ｑ ０１１４Ａ１１活性層、４−
ｐ −Ｇａｏ、ｓＡ Ｑ ｏ＋ｌｌＡｓクラッド層、
５− ｎ −ＧａＡｓ層、６− Ｚ ｎ拡散領域、７
＃ ８ ”’ Ｐ電極、９”’ｎ電極、１．０−ｐ −
Ｇａｏ、ｓ３Ａ Ｑ Ｏ，４ＦＩＡ８クラッド層、Ｉ
Ｌ −ｐ −Ｇａｏ、ｔ５Ａ Ｑ ｏ、６！ＩＡｓ層、
１．２−ｐ −Ｇａｏ、ａａＡ Ｑ ｏ、１５Ａｓ埋め
こみクラッド層、１−３−ｐＧａＡｓ基板、１４− ｎ
−Ｇａｏ、ｌｌ５Ａ Ｑ ｏ、ａｓＡｓ光ガイド層、
１５・・・超格子層、１６・・・ｎ ＧａＡｓキャッ
プ層、１７・・・Ｓｘイオン注入領域、１８．１９・・
・ｎ電極、２０・・・Ｈ＋イオン注入領域、２１・・・
Ｓｉ。 Ｈ千両イオン注入領域、２２・・・ｐ電極、３０・・・
発光ストライプ部、３１・・・高次モードの発光分布、
３２・・・基本（１次）モードの発光分布、３３・・・
多重量子井戸活性層、４０・・・電界印加用電極、４１
・＝ ｐ−ＧａＡｓ基板、４２− ｐ −Ｇａｏ、ｅＡ
Ｑ Ｏ，４Ａ８光ガイド層、４３・・・５ｉＯｚ膜。
する図、第２図はスーパーモードを説明する図、および
第３および４図は本発明の詳細な説明する図、第５図は
本願発明の第２の手段の概念を説明する図、第６から第
８図は本願発明の実施例を示す図で、（ａ）は上面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図、（Ｃ）は（ａ）のＢ
−Ｂ′断面図、（ｄ）は（ａ）のＢ−Ｂ’断面における
屈折率分布図、第９図は本願発明の第３の手段の概念を
説明する図、および第１０図は本願発明の実施例１０を
説明する図である。 １、− ｎ −ＧａＡｓ基板、 ２ ”・ｎ −Ｇａｏ
、ＩＩＡ Ｑ ｏ＋ｓＡｓクラッド層、３・・・アンド
ープＧａｏ、ｓＢＡ Ｑ ０１１４Ａ１１活性層、４−
ｐ −Ｇａｏ、ｓＡ Ｑ ｏ＋ｌｌＡｓクラッド層、
５− ｎ −ＧａＡｓ層、６− Ｚ ｎ拡散領域、７
＃ ８ ”’ Ｐ電極、９”’ｎ電極、１．０−ｐ −
Ｇａｏ、ｓ３Ａ Ｑ Ｏ，４ＦＩＡ８クラッド層、Ｉ
Ｌ −ｐ −Ｇａｏ、ｔ５Ａ Ｑ ｏ、６！ＩＡｓ層、
１．２−ｐ −Ｇａｏ、ａａＡ Ｑ ｏ、１５Ａｓ埋め
こみクラッド層、１−３−ｐＧａＡｓ基板、１４− ｎ
−Ｇａｏ、ｌｌ５Ａ Ｑ ｏ、ａｓＡｓ光ガイド層、
１５・・・超格子層、１６・・・ｎ ＧａＡｓキャッ
プ層、１７・・・Ｓｘイオン注入領域、１８．１９・・
・ｎ電極、２０・・・Ｈ＋イオン注入領域、２１・・・
Ｓｉ。 Ｈ千両イオン注入領域、２２・・・ｐ電極、３０・・・
発光ストライプ部、３１・・・高次モードの発光分布、
３２・・・基本（１次）モードの発光分布、３３・・・
多重量子井戸活性層、４０・・・電界印加用電極、４１
・＝ ｐ−ＧａＡｓ基板、４２− ｐ −Ｇａｏ、ｅＡ
Ｑ Ｏ，４Ａ８光ガイド層、４３・・・５ｉＯｚ膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、相互に光結合をする少なくとも２本以上のレーザ発
光ストライプ列を有する半導体レーザ装置において、該
発光ストライプ部分の屈折率が発光ストライプ間部分の
屈折率より大きく、且つ該発光ストライプ部分の電流注
入量を制御する少なくとも１以上の電極と、該発光スト
ライプ間部分の電流注入量を制御する少なくとも１以上
の電極を有し、該発光ストライプ部分への電流注入量と
該発光ストライプ間部分への電流注入量を制御すること
により、レーザ発光の出射角度を可変とすることができ
ることを特徴とする半導体レーザ装置。 ２、上記発光ストライプ部分への電流注入量を制御する
ための電極と、上記発光ストライプ間部分への電流注入
量を制御するための電極を有することを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載の半導体レーザ装置。 ３、上記半導体レーザ装置を構成する半導体が、ＧａＡ
ｌＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系もしくはＩｎＧａＰ系であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１もしくは２項に
記載の半導体レーザ装置。 ４、上記電極間の絶縁領域を、不純物の選択拡散法もし
くは該電極をマスクとするイオン注入法により構成され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１もしくは２
項に記載の半導体レーザ装置。 ５、相互に光結合する少なくとも２本以上のレーザ発光
ストライプ列を有する半導体レーザ装置において、少な
くとも１以上の該発光ストライプが、独立に電流注入量
を制御し得る部分からなり、該部分に独立に電流を注入
することにより、レーザ発光の出射角度を可変とするこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 ６、上記部分からなるストライプが、上記ストライプ列
の両側にあることを特徴とする特許請求の範囲第５項記
載の半導体レーザ装置。 ７、上記部分が、基板と反対側に形成した電極を分割す
ることにより構成されることを特徴とする特許請求の範
囲第５もしくは６項記載の半導体レーザ装置。 ８、上記発光ストライプ列の各ストライプ電極間および
上記電極間の絶縁が不純物の空間的選択拡散もしくは該
電極をマスクとしたイオン注入により形成されてなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第５もしくは７項記載の
半導体レーザ装置。 ９、活性層および相互に光結合をする少なくとも２本以
上のレーザ発光ストライプ列を有する半導体レーザ装置
において、該ストライプ列領域の外部領域に電界を印加
することによりレーザ発光の出射角度を可変とすること
を特徴とする半導体レーザ装置。 １０、上記活性層が、電子のド・ブロイ波長以下の厚さ
を有する量子井戸層の少なくとも１層を含むことを特徴
とする特許請求の範囲第９項に記載の半導体レーザ装置
。 １１、上記活性層が多重量子井戸構造もしくはＧＲ１Ｎ
−ＳＣＨ構造であることを特徴とする特許請求の範囲第
９もしくは１０項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285519A JP2539368B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体レ−ザ装置 |
| US06/941,842 US4797891A (en) | 1985-12-20 | 1986-12-15 | Semiconductor laser |
| KR1019860010753A KR940011107B1 (ko) | 1985-12-20 | 1986-12-16 | 반도체 레이저장치 |
| DE3689742T DE3689742T2 (de) | 1985-12-20 | 1986-12-17 | Halbleiterlaser. |
| EP86309843A EP0227426B1 (en) | 1985-12-20 | 1986-12-17 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285519A JP2539368B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145792A true JPS62145792A (ja) | 1987-06-29 |
| JP2539368B2 JP2539368B2 (ja) | 1996-10-02 |
Family
ID=17692581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60285519A Expired - Lifetime JP2539368B2 (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4797891A (ja) |
| EP (1) | EP0227426B1 (ja) |
| JP (1) | JP2539368B2 (ja) |
| KR (1) | KR940011107B1 (ja) |
| DE (1) | DE3689742T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6489491A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-03 | Hitachi Ltd | Surface luminous semiconductor laser |
| JPH0196629A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光波長変換モジュール |
| JPH01214083A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 |
| JPWO2018043229A1 (ja) * | 2016-08-30 | 2019-06-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2011155C (en) * | 1989-03-06 | 1994-04-19 | Misuzu Sagawa | Semiconductor laser device |
| US4903275A (en) * | 1989-03-20 | 1990-02-20 | General Electric Company | Phase modulation semiconductor laser array |
| US5082595A (en) * | 1990-01-31 | 1992-01-21 | Adhesives Research, Inc. | Method of making an electrically conductive pressure sensitive adhesive |
| DE10239003A1 (de) | 2001-09-17 | 2003-04-03 | Heidelberger Druckmasch Ag | Mehrstrahllaserlichtquelle mit variablem Laserlichtquellenabstand zur Bebilderung von Druckformen |
| US7555896B2 (en) | 2004-03-19 | 2009-07-07 | Ford Global Technologies, Llc | Cylinder deactivation for an internal combustion engine |
| JP2018182306A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光半導体素子、及び光半導体素子の駆動方法 |
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| JPS57198680A (en) * | 1981-05-30 | 1982-12-06 | Fujitsu Ltd | Optical semiconductor device |
| JPS61121380A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Canon Inc | 半導体装置 |
Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
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| US4445218A (en) * | 1981-09-28 | 1984-04-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Semiconductor laser with conductive current mask |
| US4730326A (en) * | 1984-09-12 | 1988-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array device |
| US4674096A (en) * | 1985-03-04 | 1987-06-16 | California Institute Of Technology | Lateral coupled cavity semiconductor laser |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60285519A patent/JP2539368B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-12-15 US US06/941,842 patent/US4797891A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-12-16 KR KR1019860010753A patent/KR940011107B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-12-17 EP EP86309843A patent/EP0227426B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-17 DE DE3689742T patent/DE3689742T2/de not_active Expired - Fee Related
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| JPWO2018043229A1 (ja) * | 2016-08-30 | 2019-06-24 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0227426A3 (en) | 1988-07-27 |
| KR940011107B1 (ko) | 1994-11-23 |
| KR870006688A (ko) | 1987-07-14 |
| US4797891A (en) | 1989-01-10 |
| DE3689742T2 (de) | 1994-06-30 |
| DE3689742D1 (de) | 1994-04-28 |
| EP0227426B1 (en) | 1994-03-23 |
| EP0227426A2 (en) | 1987-07-01 |
| JP2539368B2 (ja) | 1996-10-02 |
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