JPS6262579A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6262579A JPS6262579A JP60201545A JP20154585A JPS6262579A JP S6262579 A JPS6262579 A JP S6262579A JP 60201545 A JP60201545 A JP 60201545A JP 20154585 A JP20154585 A JP 20154585A JP S6262579 A JPS6262579 A JP S6262579A
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- JP
- Japan
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- layer
- laser
- stripe
- center
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、１本の出射ビームを有する光出力１００ｍＷ
以１−の高出力半導体レーザ装置に関するものである。
以１−の高出力半導体レーザ装置に関するものである。
光出力１００ｍＷ以上の半導体レーザを実現する１つの
候補として、複数の発光ストライプを有し、各ストライ
プ間に光結合を生じさせる、いわゆる、フェーズド・ア
レイ型半導体レーザがある。
候補として、複数の発光ストライプを有し、各ストライ
プ間に光結合を生じさせる、いわゆる、フェーズド・ア
レイ型半導体レーザがある。
このフェーズド・アレイ型半導体レーザの典型的な公知
例は、第３２回応用物理学関係ｉｌｌ演会予稿集ｐ１４
９に種谷他により開示されている。しかし、この構造に
おいては、高次のスーパーモードが発振するため、出射
ビームは２本となり応用上支障を生じる。
例は、第３２回応用物理学関係ｉｌｌ演会予稿集ｐ１４
９に種谷他により開示されている。しかし、この構造に
おいては、高次のスーパーモードが発振するため、出射
ビームは２本となり応用上支障を生じる。
スーパモードについては、オプティクス・レターズＰ１
２５ （１９８４，４，）にその概念が説明されている
。上記構造においてなぜ高次のスーパーモードが選択さ
れるのか、その理由を第２図を用いて以下に述べる。種
谷他の構造について屈折率と利得（損失）の関係を第２
図（ａ）、（ｂ）に示した。このように／＋−＋１折率
の大きい領域では利得が存在し、Ｊｉｌ折率の小さい領
域では大きな損失が発生している。この条件での基本ス
ーパーモードの電界分布を同図（ｃ）に、高次のスーパ
ーモードの電界分布を同図（ｄ）に示す。同図（ｂ）の
損失の大きい領域においては基本スーパーモードの電界
分布は零にならないのに対し、高次スーパーモードは零
レベルを横ぎる。すなわち、高次スーパーモードの受け
る損失は、基本スーパーモードの受ける損失よりも小さ
く、従って、高次スーパーモードの方がしきい値利得が
低下する。以上により上記構造では高次スーパーモー１
−が発振し、出射ビームは２本になってしまう。
２５ （１９８４，４，）にその概念が説明されている
。上記構造においてなぜ高次のスーパーモードが選択さ
れるのか、その理由を第２図を用いて以下に述べる。種
谷他の構造について屈折率と利得（損失）の関係を第２
図（ａ）、（ｂ）に示した。このように／＋−＋１折率
の大きい領域では利得が存在し、Ｊｉｌ折率の小さい領
域では大きな損失が発生している。この条件での基本ス
ーパーモードの電界分布を同図（ｃ）に、高次のスーパ
ーモードの電界分布を同図（ｄ）に示す。同図（ｂ）の
損失の大きい領域においては基本スーパーモードの電界
分布は零にならないのに対し、高次スーパーモードは零
レベルを横ぎる。すなわち、高次スーパーモードの受け
る損失は、基本スーパーモードの受ける損失よりも小さ
く、従って、高次スーパーモードの方がしきい値利得が
低下する。以上により上記構造では高次スーパーモー１
−が発振し、出射ビームは２本になってしまう。
本発明の目的は、出射ビームが１本で高出力、かつ信頼
性の高い半導体レーザを提供することにある。
性の高い半導体レーザを提供することにある。
本発明者らは、基本スーパーモードを選択する方法とし
て、レーザ光が伝搬する方向（ストライプ方向）に構造
を設けることにより制御することを考案した。その１つ
の方法が本発明であり、第２図を用いてその詳細を説明
する。まず、第１図（ａ）が上面図、同図（ｂ）は（、
）図のＡ−Ａ線断面図である。このように、ストライプ
方向に関して、ストライプの本数は同じであるが、ス１
へライブ幅とストライプ間隔が変化し、ストライプ全体
の幅が変化させ、レーザ中央部においてそのストライプ
全体の幅を狭くする。この中央部の全体のストライプ幅
を５μｍ程度以下にすると高次モードは全てカットオフ
になる。この結果、高次のスーパーモードはこのストラ
イプ全体幅の狭い領域を通過できなくなり、すなわち基
本横モードのみが発振することになる。つまりストライ
プ全体幅が広いレーザ端面部では、高次のスーパーモー
ドは存在可能であるが、中央部を通過できないため、発
振できなくなる。また、中央部分のストライプ全体の幅
が高次モードのカットオフが生じるほど狭くなくても基
本スーパーモードが選択される。これは、スＩ−ライブ
の全体幅の異なる２つの領域における電界分布の形の違
いが高次モードはど大きくなるため１両領域の境界にお
いて等価的な反射が生じるためである。第２図では、簡
便のためにストライプの数として３本の場合であるが、
本発明はストライプの本数に限定されないことは言うま
でもない。
て、レーザ光が伝搬する方向（ストライプ方向）に構造
を設けることにより制御することを考案した。その１つ
の方法が本発明であり、第２図を用いてその詳細を説明
する。まず、第１図（ａ）が上面図、同図（ｂ）は（、
）図のＡ−Ａ線断面図である。このように、ストライプ
方向に関して、ストライプの本数は同じであるが、ス１
へライブ幅とストライプ間隔が変化し、ストライプ全体
の幅が変化させ、レーザ中央部においてそのストライプ
全体の幅を狭くする。この中央部の全体のストライプ幅
を５μｍ程度以下にすると高次モードは全てカットオフ
になる。この結果、高次のスーパーモードはこのストラ
イプ全体幅の狭い領域を通過できなくなり、すなわち基
本横モードのみが発振することになる。つまりストライ
プ全体幅が広いレーザ端面部では、高次のスーパーモー
ドは存在可能であるが、中央部を通過できないため、発
振できなくなる。また、中央部分のストライプ全体の幅
が高次モードのカットオフが生じるほど狭くなくても基
本スーパーモードが選択される。これは、スＩ−ライブ
の全体幅の異なる２つの領域における電界分布の形の違
いが高次モードはど大きくなるため１両領域の境界にお
いて等価的な反射が生じるためである。第２図では、簡
便のためにストライプの数として３本の場合であるが、
本発明はストライプの本数に限定されないことは言うま
でもない。
以下、本発明の実施例を第１．；３および第４図を用い
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
実施例］
第１図は、本発明をＧａＡＱ、Ａｓ系学導体レーザに適
用した場合のレーザ装置の上面図（ａ）とＡ、 −Ａ、
’線断面図（ｂ）である。
用した場合のレーザ装置の上面図（ａ）とＡ、 −Ａ、
’線断面図（ｂ）である。
ｎＧａＡ、ｓ基板結晶１上にｎ−Ｇａｏ＋ａＡＱｏ、５
Ａｓクラッド層２、アンドープＧ ａ ｏ、５ａＡＱｏ
、ｔ４Ａｓ活性層３＋ ｐ Ｇａｏ、５ＡＱクラッド層
４．ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層５をＭＯＣＶＤ法により順
次形成する。ホトエツチング工程によりｎ−ＧａＡｓ層
５を完全に除去し、ｐ−Ｇａｏ、ｈＡ Ｑ ０．５Ａ、
Ｓクララト層４の表面を露出する３本の溝ストライプ
を形成する。この時、レーザ両端面部近傍では、ストラ
イプ・福４μｍ、ストライプ中心と中心の間隔は７μｍ
とし、レーザ中央部では、ストライプ幅１μｍ、ストラ
イプ中心と中心の間隔は２μｍとした。また、中央部の
領域の長さは５０μｍ、端面部と中央部の境界のテーパ
一部分の長さは５０μｍとした。次にＭＯＣＶＤ法によ
りｐ Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓクラッド
層６、ｐ−Ｇａ Ａ ｓキャップ層７を形成する。この
後、ｐ電極、ｎ電極９を形成した後、へき開法により、
共振器長さ約３００μｍのレーザ素子を得た。この時、
ｐ −Ｇ ａ ｏ、ｎＡ Ｑ ０．５Ａ ９クラッド層
４の厚さは、０、】、〜０．５μｍであり、この条件で
屈折率導波型となり、低収差で、高出力のフェーズド・
アレイレーザを実現できる。
Ａｓクラッド層２、アンドープＧ ａ ｏ、５ａＡＱｏ
、ｔ４Ａｓ活性層３＋ ｐ Ｇａｏ、５ＡＱクラッド層
４．ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層５をＭＯＣＶＤ法により順
次形成する。ホトエツチング工程によりｎ−ＧａＡｓ層
５を完全に除去し、ｐ−Ｇａｏ、ｈＡ Ｑ ０．５Ａ、
Ｓクララト層４の表面を露出する３本の溝ストライプ
を形成する。この時、レーザ両端面部近傍では、ストラ
イプ・福４μｍ、ストライプ中心と中心の間隔は７μｍ
とし、レーザ中央部では、ストライプ幅１μｍ、ストラ
イプ中心と中心の間隔は２μｍとした。また、中央部の
領域の長さは５０μｍ、端面部と中央部の境界のテーパ
一部分の長さは５０μｍとした。次にＭＯＣＶＤ法によ
りｐ Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓクラッド
層６、ｐ−Ｇａ Ａ ｓキャップ層７を形成する。この
後、ｐ電極、ｎ電極９を形成した後、へき開法により、
共振器長さ約３００μｍのレーザ素子を得た。この時、
ｐ −Ｇ ａ ｏ、ｎＡ Ｑ ０．５Ａ ９クラッド層
４の厚さは、０、】、〜０．５μｍであり、この条件で
屈折率導波型となり、低収差で、高出力のフェーズド・
アレイレーザを実現できる。
また、レーザ中央部のストライプ全体の幅は５μｍであ
り、高次スーパーモードは、この部分を通過できないの
で発振することができない。
り、高次スーパーモードは、この部分を通過できないの
で発振することができない。
操作した素子は、波長７８０ｎｍにおいて、しきいｔ１
！Ｊε８０〜Ｌ ＯＯｍ Ａで室温連続発振し、発振ス
ペクトルは縦単一モードを示した。その遠視野像は単峰
性を示し、その半値幅は２゜３“×２５°であった。す
なわち１本構造により、基本スーパーモードのみ発振し
、光出力３００ｍＷまで安定した特性が得られた。さら
に５０℃において光出力３００ｍＷ定光出力動作時の寿
命も２０００時間経過後も顕著な劣化は見られず信頼性
も高かった。
！Ｊε８０〜Ｌ ＯＯｍ Ａで室温連続発振し、発振ス
ペクトルは縦単一モードを示した。その遠視野像は単峰
性を示し、その半値幅は２゜３“×２５°であった。す
なわち１本構造により、基本スーパーモードのみ発振し
、光出力３００ｍＷまで安定した特性が得られた。さら
に５０℃において光出力３００ｍＷ定光出力動作時の寿
命も２０００時間経過後も顕著な劣化は見られず信頼性
も高かった。
実施例２
実施例１とは別の型の本発明による実施例を第３図を用
いて説明する。（ａ）がレーザ上面図で（ｂ）が（ａ）
のＡ−Ａ線断面図である。
いて説明する。（ａ）がレーザ上面図で（ｂ）が（ａ）
のＡ−Ａ線断面図である。
ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板１ｏ上にｐ −Ｇ ａ ０．
３Ａ Ｑ ｏ、ａＡｓクラッド層４、ｐ −Ｇ ａ ｏ
、ｅＡ Ｑ ｏ、４Ａ ｓ光ガイド層１１、厚さ７０人
のＧ ａ ｏ、ｅ２Ａ Ｑ ｏ、ｏｓＡ ｓウニ１層、
厚さ４０人のＧ ａ ０．７２Ａ Ｑ ｏ、２ａＡ ｓ
バリヤ層を５層交互に配置しである超格子構造の多重量
子井戸活性層１２、ｎ −Ｇ ａ Ｏ，５Ａ Ｑ ｏ、
ａＡ ｓクラッド層２、ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓキャップ
層１４を順次ＭＯＣＶＤ法により成形する。この後、ホ
トエツチング工程により、３本のストライプの部分だけ
、ｎ−ＧａＡｓキャップ層１４を残し、それ以外の領域
に活性層１２に達するＳｌのイオン注入を行い、無秩序
化し混晶化した領域１３を形成する。この時、レーザ両
端面近傍部分では、ストライプ幅３μｍ、ストライプ中
心と中心の間隔を６μｍとし、レーザ中央部ではストラ
イプ幅１．５μｍ、ストライプ中心と中心の間隔を３．
０μｍとした。また、中央部の領域の長さは３０μｍ、
端面部と中央部の境界のテーパ一部の長さは７０μｍと
した。その後ストライプ状のｎ −Ｇ ａ Ａ ｓキャ
ップ層１４以外にＳｉ○２膜１５を被着する。
３Ａ Ｑ ｏ、ａＡｓクラッド層４、ｐ −Ｇ ａ ｏ
、ｅＡ Ｑ ｏ、４Ａ ｓ光ガイド層１１、厚さ７０人
のＧ ａ ｏ、ｅ２Ａ Ｑ ｏ、ｏｓＡ ｓウニ１層、
厚さ４０人のＧ ａ ０．７２Ａ Ｑ ｏ、２ａＡ ｓ
バリヤ層を５層交互に配置しである超格子構造の多重量
子井戸活性層１２、ｎ −Ｇ ａ Ｏ，５Ａ Ｑ ｏ、
ａＡ ｓクラッド層２、ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓキャップ
層１４を順次ＭＯＣＶＤ法により成形する。この後、ホ
トエツチング工程により、３本のストライプの部分だけ
、ｎ−ＧａＡｓキャップ層１４を残し、それ以外の領域
に活性層１２に達するＳｌのイオン注入を行い、無秩序
化し混晶化した領域１３を形成する。この時、レーザ両
端面近傍部分では、ストライプ幅３μｍ、ストライプ中
心と中心の間隔を６μｍとし、レーザ中央部ではストラ
イプ幅１．５μｍ、ストライプ中心と中心の間隔を３．
０μｍとした。また、中央部の領域の長さは３０μｍ、
端面部と中央部の境界のテーパ一部の長さは７０μｍと
した。その後ストライプ状のｎ −Ｇ ａ Ａ ｓキャ
ップ層１４以外にＳｉ○２膜１５を被着する。
この後、ｐ電極８、ｎ電極９を形成する。この後、へき
開法により、共振器長約３００μｍのレーザ素子を得た
。試作した素子はレーザ中央部のストライプ全体の幅は
７．５ μｍであり、高次モードをカットオフできる条
件には、なっていないが実施例１とほぼ同様の特性が得
られ、基本スーパーモードのみが発振した。
開法により、共振器長約３００μｍのレーザ素子を得た
。試作した素子はレーザ中央部のストライプ全体の幅は
７．５ μｍであり、高次モードをカットオフできる条
件には、なっていないが実施例１とほぼ同様の特性が得
られ、基本スーパーモードのみが発振した。
実施例３
第４図は本発明の別の実施例で、（ａ）がレバー上面図
、（ｂ）が（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
、（ｂ）が（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板結晶１上にｎ−Ｇ ａ Ｏ，
４５Ａ Ｑ ０．５３Ａ Ｓクラッド層１６．アンドー
プＧａｏ、ａｓＡ Ｑ ０．１４Ａ ｓ活性層３、Ｐ
−Ｇ ａ Ｏ，Ｆ１６Ａ Ｑ ０．４６Ａｓクラッド層
１７、ｎ −Ｇ ａ ０．４５Ａ Ｑ ｏ、ｇｇＡ ｓ
電流狭窄層１８をＭ ＯＣＶ Ｄ法により順次形成する
。ホトエツチング工程によりｎ−Ｇａｏ、４ａＡ Ｑ
ｏ、５５Ａ ｓ層１８を完全に除去し、ｐ−Ｇａｏ、ｓ
［）Ａ Ｑ ０．４５Ａ Ｓクラッド層１７の表面を霧
出する３本のストライプを形成する。この時、レーザ両
端面部近傍では、ストライプ幅４μｍ、ストライプ中心
と中心の間隔は７μｍ、としレーザ中央部では、ストラ
イブ幅１μｍ、ストライプ中心と中心の間隔は２μｍと
した。また、中央部の領域の長さは５０μｍ、端面部と
中央部の境界のテーパ部分の長さは６０μｍとした。
４５Ａ Ｑ ０．５３Ａ Ｓクラッド層１６．アンドー
プＧａｏ、ａｓＡ Ｑ ０．１４Ａ ｓ活性層３、Ｐ
−Ｇ ａ Ｏ，Ｆ１６Ａ Ｑ ０．４６Ａｓクラッド層
１７、ｎ −Ｇ ａ ０．４５Ａ Ｑ ｏ、ｇｇＡ ｓ
電流狭窄層１８をＭ ＯＣＶ Ｄ法により順次形成する
。ホトエツチング工程によりｎ−Ｇａｏ、４ａＡ Ｑ
ｏ、５５Ａ ｓ層１８を完全に除去し、ｐ−Ｇａｏ、ｓ
［）Ａ Ｑ ０．４５Ａ Ｓクラッド層１７の表面を霧
出する３本のストライプを形成する。この時、レーザ両
端面部近傍では、ストライプ幅４μｍ、ストライプ中心
と中心の間隔は７μｍ、としレーザ中央部では、ストラ
イブ幅１μｍ、ストライプ中心と中心の間隔は２μｍと
した。また、中央部の領域の長さは５０μｍ、端面部と
中央部の境界のテーパ部分の長さは６０μｍとした。
次にＭＯＣＶＤ法によりｐ −Ｇ ａ ｏ、５５Ａ Ｑ
Ｏ，４５Ａｓクラット層１９、ｐ−ＧａＡｓキャップ
層７を形成する。この後、ｐ＠極、ｎ？ｌｊ極９を形成
した後、へき開法により共振器長約３００μｍのレーザ
素子を得た。この時、ｐ −Ｇ ａ ｏ、ａａＡ Ｑ
Ｏ，４５Ａｓクラッド層１７の厚さは、Ｏ、１〜０ 、
５ ｐ ｍであり、この条件で屈折率導波型となり、低
収差で、高出力のフェーズド・アレイレーザを実現でき
る。試作した素子は実施例１とほぼ同様の特性を示し、
基本スーパーモートのみが発振した。
Ｏ，４５Ａｓクラット層１９、ｐ−ＧａＡｓキャップ
層７を形成する。この後、ｐ＠極、ｎ？ｌｊ極９を形成
した後、へき開法により共振器長約３００μｍのレーザ
素子を得た。この時、ｐ −Ｇ ａ ｏ、ａａＡ Ｑ
Ｏ，４５Ａｓクラッド層１７の厚さは、Ｏ、１〜０ 、
５ ｐ ｍであり、この条件で屈折率導波型となり、低
収差で、高出力のフェーズド・アレイレーザを実現でき
る。試作した素子は実施例１とほぼ同様の特性を示し、
基本スーパーモートのみが発振した。
なお、本発明において各実施例中のストライプ構造とし
てはその本数として２〜２０本ストライプ幅としてレー
ザ端面部で１．５〜１０μｍ、 中央部で１〜５μｍ（
ただしレーザ端面部のストライプ幅〉中央部のストライ
プ幅）、ストライプ中心と中心の間隔としてレーザ端面
部で２〜１２１１ ｍ、中央部で１．５〜１０μｍのい
ずれかの組み合わせにおいても同様の効果が得られた。
てはその本数として２〜２０本ストライプ幅としてレー
ザ端面部で１．５〜１０μｍ、 中央部で１〜５μｍ（
ただしレーザ端面部のストライプ幅〉中央部のストライ
プ幅）、ストライプ中心と中心の間隔としてレーザ端面
部で２〜１２１１ ｍ、中央部で１．５〜１０μｍのい
ずれかの組み合わせにおいても同様の効果が得られた。
また本発明のストライプ基本構造としては上記以外にＢ
Ｈ構造、リブ導波路構造など任意の形状が適用できる
ことはいうまでもない。
Ｈ構造、リブ導波路構造など任意の形状が適用できる
ことはいうまでもない。
なお本発明は実施例に示した波長０．７８μｍｆｆ１ｔ
後に限らず、波長０．６８−０．８９μｍのＧ ａ Ａ
ＱＡＳ系半導体レーザ装置で、室温連続発振できろ全
範囲にわたり同様の結果が得られた。
後に限らず、波長０．６８−０．８９μｍのＧ ａ Ａ
ＱＡＳ系半導体レーザ装置で、室温連続発振できろ全
範囲にわたり同様の結果が得られた。
本発明によるｔ導体レーザ装置はＧａＡＱＡｓ系以外の
レーザ材料、例えばＴｎＧａＡｑＰ系やＩ ｒｉ Ｇ
１１Ｔ’系の材料に対しても同様に適用できる。
レーザ材料、例えばＴｎＧａＡｑＰ系やＩ ｒｉ Ｇ
１１Ｔ’系の材料に対しても同様に適用できる。
またレーザの構造としては上記各実施例で示した３層導
波路を基本にするものに限らず、活性層の片側に隣接し
て光ガイド層を設けるＬＯＧ構造や、活性層の両側にそ
れぞれ隣接して光ガイド層を設けるＳ Ｃ）１４Ｗ造お
よびこれらの光ガイド層の屈折率および禁制４１１幅が
膜厚方向に分布しているＧ ＲＩ Ｎ Ｓ ＣＨ構造
等に対しても同様に適用することができる。さらに活性
層が量子井戸構造をしているものに対しても有効であり
、また上記各実施例において導電形を全て反対にした構
造（ｐをｎに、ｎをｐに置換えた構造）においても同様
の結果が得られた。
波路を基本にするものに限らず、活性層の片側に隣接し
て光ガイド層を設けるＬＯＧ構造や、活性層の両側にそ
れぞれ隣接して光ガイド層を設けるＳ Ｃ）１４Ｗ造お
よびこれらの光ガイド層の屈折率および禁制４１１幅が
膜厚方向に分布しているＧ ＲＩ Ｎ Ｓ ＣＨ構造
等に対しても同様に適用することができる。さらに活性
層が量子井戸構造をしているものに対しても有効であり
、また上記各実施例において導電形を全て反対にした構
造（ｐをｎに、ｎをｐに置換えた構造）においても同様
の結果が得られた。
本発明によれば、出射ビームの数が１本で、つまり、単
峰性の出射ビームが出るフェーズドアレイ型半導体レー
ザを製作できるので、光出力１００ｍＷ以上の横モード
の安定した高出力半導体レーザの実現に大いなる効果が
ある。
峰性の出射ビームが出るフェーズドアレイ型半導体レー
ザを製作できるので、光出力１００ｍＷ以上の横モード
の安定した高出力半導体レーザの実現に大いなる効果が
ある。
第１，３および４図は、本発明の実施例を示す図で（ａ
）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第２図
は、従来のフェーズドアレイ型レーザのスーパーモード
を示す図である。 １− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２− ｎ −Ｇ ａ
ｏ、ａＡ Ｑ ｎ、５Ａｓクラッド層、３・・・アン
ドープＧａｏ、δ６Ａｕｏ、ｚｔ活性層、４− ｐ −
Ｇ ａ ｏ、ａＡ Ｑ ｏ、ｇＡ ｓクラッド層、５・
・・ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層、６・・・ｐ−Ｇ
ａ Ｏ，ＦＩＡ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓクラッド層、７−
ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層、８・・・ｎ電極、９
・・・ｎ電極、１０− ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、１
１ ・・・ｐ −Ｇ ａｏ、。 ＡＱｏ、ａＡｓ光ガイド層、１２・・・多重量子井戸活
性層、１３− Ｓ ｉ注入領域、１４− ｎ −Ｇ ａ
Ａ ｓキャップ層、１５−８ｉ○２膜、１６−ｎ−Ｇ
ａｏ、ｔａＡ Ｑ Ｏ，５６Ａ ｓクラッド層、１７−
ｐ−Ｇａｏ、５ｒｓＡ Ｑ Ｏ，４！ＩＡ Ｓクラッド
層、１８−ｎ−Ｇａｏ、４ｓＡ ｎ ０．８３Ａ Ｓ電
流狭窄層、１９− ｐ −Ｇ ａ ｏ、５ａＡＱｏ、、
δＡｓクラッド層。
）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第２図
は、従来のフェーズドアレイ型レーザのスーパーモード
を示す図である。 １− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２− ｎ −Ｇ ａ
ｏ、ａＡ Ｑ ｎ、５Ａｓクラッド層、３・・・アン
ドープＧａｏ、δ６Ａｕｏ、ｚｔ活性層、４− ｐ −
Ｇ ａ ｏ、ａＡ Ｑ ｏ、ｇＡ ｓクラッド層、５・
・・ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層、６・・・ｐ−Ｇ
ａ Ｏ，ＦＩＡ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓクラッド層、７−
ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層、８・・・ｎ電極、９
・・・ｎ電極、１０− ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、１
１ ・・・ｐ −Ｇ ａｏ、。 ＡＱｏ、ａＡｓ光ガイド層、１２・・・多重量子井戸活
性層、１３− Ｓ ｉ注入領域、１４− ｎ −Ｇ ａ
Ａ ｓキャップ層、１５−８ｉ○２膜、１６−ｎ−Ｇ
ａｏ、ｔａＡ Ｑ Ｏ，５６Ａ ｓクラッド層、１７−
ｐ−Ｇａｏ、５ｒｓＡ Ｑ Ｏ，４！ＩＡ Ｓクラッド
層、１８−ｎ−Ｇａｏ、４ｓＡ ｎ ０．８３Ａ Ｓ電
流狭窄層、１９− ｐ −Ｇ ａ ｏ、５ａＡＱｏ、、
δＡｓクラッド層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、相互に光結合を有する少なくとも２本以上のレーザ
発光ストライプを有する半導体レーザ装置において、上
記レーザ発光ストライプの全体の幅が異なる領域を少な
くとも１カ所有することを特徴とする半導体レーザ装置
。 ２、特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザにおいて
、上記レーザ発光ストライプの全体の幅はレーザの両端
面近傍の方がレーザ中央部よりも広いことを特徴とする
半導体レーザ装置。 ３、特許請求の範囲第１項および第２項記載の半導体レ
ーザ装置において、上記ストライプの本数がストライプ
方向にわたり、一定本数であることを特徴とする半導体
レーザ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60201545A JPS6262579A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体レ−ザ装置 |
| KR1019860005978A KR900000021B1 (ko) | 1985-07-26 | 1986-07-23 | 반도체 레이저 |
| US06/895,843 US4811354A (en) | 1985-09-04 | 1986-08-12 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60201545A JPS6262579A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262579A true JPS6262579A (ja) | 1987-03-19 |
Family
ID=16442824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60201545A Pending JPS6262579A (ja) | 1985-07-26 | 1985-09-13 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6262579A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102087A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6235689A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP60201545A patent/JPS6262579A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61102087A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6235689A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
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