JPH0851104A - 区域性シリコン酸化法の酸化層を成長させる改良方法 - Google Patents
区域性シリコン酸化法の酸化層を成長させる改良方法Info
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- JPH0851104A JPH0851104A JP33142193A JP33142193A JPH0851104A JP H0851104 A JPH0851104 A JP H0851104A JP 33142193 A JP33142193 A JP 33142193A JP 33142193 A JP33142193 A JP 33142193A JP H0851104 A JPH0851104 A JP H0851104A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 区域性シリコン酸化法の酸化層を成長させる
改良方法であり、従来法が酸素ガスで酸化層を成長させ
ているのに代えて、亜酸化窒素(N2O）を用いることによ
り、バーズビーク効果を減少させる。 【構成】 （１）シリコンウェーハを高温度の炉内に送
り、亜酸化窒素(N2O）を通して酸化層を成長させてアニ
ールする工程； （２）前記酸化層の上に一層の窒化ケイ素膜を積層させ
る工程； （３）前記窒化ケイ素膜表面に一層の光抵抗剤を塗布す
る工程； （４）該光抵抗剤を塗布した窒化ケイ素膜上にホトマス
クを被せて不要の窒化ケイ素をエッチングして除去する
工程；及び （５）前記エッチングされた窒化ケイ素上に区域性シリ
コン酸化層を形成させる工程を含む。
改良方法であり、従来法が酸素ガスで酸化層を成長させ
ているのに代えて、亜酸化窒素(N2O）を用いることによ
り、バーズビーク効果を減少させる。 【構成】 （１）シリコンウェーハを高温度の炉内に送
り、亜酸化窒素(N2O）を通して酸化層を成長させてアニ
ールする工程； （２）前記酸化層の上に一層の窒化ケイ素膜を積層させ
る工程； （３）前記窒化ケイ素膜表面に一層の光抵抗剤を塗布す
る工程； （４）該光抵抗剤を塗布した窒化ケイ素膜上にホトマス
クを被せて不要の窒化ケイ素をエッチングして除去する
工程；及び （５）前記エッチングされた窒化ケイ素上に区域性シリ
コン酸化層を形成させる工程を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は区域性シリコン酸化法の
酸化層を成長させる改良法に関し、特に亜酸化窒素(N
20) により区域性シリコン酸化法の酸化層を成長させる
改良方法に関する。
酸化層を成長させる改良法に関し、特に亜酸化窒素(N
20) により区域性シリコン酸化法の酸化層を成長させる
改良方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】集積回
路（ＩＣ）の製造プロセスにおける、素子間の分離は主
として区域性シリコン酸化法（ＬＯＣＯＳプロセス）の
技術により達成される。この技術はウェーハの特定区域
中で窒化ケイ素を二酸化ケイ素上に積層させて酸化する
ものとして知られている。ところが、この従来技術はバ
ーズビークを形成して素子の占用面積を減少させるの
で、いかにしてバーズビーク効果を低減させるかが当業
者の努力の的となっていた。
路（ＩＣ）の製造プロセスにおける、素子間の分離は主
として区域性シリコン酸化法（ＬＯＣＯＳプロセス）の
技術により達成される。この技術はウェーハの特定区域
中で窒化ケイ素を二酸化ケイ素上に積層させて酸化する
ものとして知られている。ところが、この従来技術はバ
ーズビークを形成して素子の占用面積を減少させるの
で、いかにしてバーズビーク効果を低減させるかが当業
者の努力の的となっていた。
【０００３】このバーズビーク効果の抑制については、
従来から数多くの解決方法が提案されており、例えば半
凹式酸化層区域性シリコン酸化法（Semi-Recessed Oxid
e ＬＯＣＯＳ）、全凹式酸化層区域性シリコン酸化法
（Fully-Recessed Oxide ＬＯＣＯＳ）、ポリバッファ
区域性シリコン酸化法（Ploy Buffered ＬＯＣＯＳ）等
の方法が提案されている。これらの製造プロセスは多少
は従来のＬＯＣＯＳの問題を解決しているが、それらの
製造プロセスのいずれにおいても工程数が大巾に増加す
るため、製造コストがアップし、製造プロセス条件の調
整が容易でないという欠点がある。
従来から数多くの解決方法が提案されており、例えば半
凹式酸化層区域性シリコン酸化法（Semi-Recessed Oxid
e ＬＯＣＯＳ）、全凹式酸化層区域性シリコン酸化法
（Fully-Recessed Oxide ＬＯＣＯＳ）、ポリバッファ
区域性シリコン酸化法（Ploy Buffered ＬＯＣＯＳ）等
の方法が提案されている。これらの製造プロセスは多少
は従来のＬＯＣＯＳの問題を解決しているが、それらの
製造プロセスのいずれにおいても工程数が大巾に増加す
るため、製造コストがアップし、製造プロセス条件の調
整が容易でないという欠点がある。
【０００４】したがって、台湾の半導体工場などでは現
在でもなお従来のＬＯＣＯＳで以下のプロセスに順じて
ウェーハを製造している。 １. シリコンウェーハを洗浄した後、高温度の炉内に送
り、酸素ガスを通して１００〜３００オングストローム
の酸化層を成長させ、 ２. シリコンウェーハを窒化ケイ素の低圧化学気相堆積
系に送り、６５０〜８５０℃の温度において、１０００
〜２０００オングストロームの窒化ケイ素膜をその上に
積層させ、 ３. 一層のホトレジストを塗布し、ホトマスクによりＬ
ＯＣＯＳに必要な区域を現像させた後、ドライエッチン
グ法で不要な窒化ケイ素およびホトレジストをエッチン
グして除去し、 ４. 再度湿潤酸素により９５０〜１１００℃の温度にお
いて１〜３時間酸化すると区域性シリコン酸化層が形成
される。
在でもなお従来のＬＯＣＯＳで以下のプロセスに順じて
ウェーハを製造している。 １. シリコンウェーハを洗浄した後、高温度の炉内に送
り、酸素ガスを通して１００〜３００オングストローム
の酸化層を成長させ、 ２. シリコンウェーハを窒化ケイ素の低圧化学気相堆積
系に送り、６５０〜８５０℃の温度において、１０００
〜２０００オングストロームの窒化ケイ素膜をその上に
積層させ、 ３. 一層のホトレジストを塗布し、ホトマスクによりＬ
ＯＣＯＳに必要な区域を現像させた後、ドライエッチン
グ法で不要な窒化ケイ素およびホトレジストをエッチン
グして除去し、 ４. 再度湿潤酸素により９５０〜１１００℃の温度にお
いて１〜３時間酸化すると区域性シリコン酸化層が形成
される。
【０００５】このように従来の製法は、プロセスが簡単
であるという利点を有するが、素子の面積がそれにつれ
て減少し、０．５μｍよりも小さくなると、ＬＯＣＯＳ
を充分に適用することができない。例えば、Ｏ2 で成長
させた酸化基層（３１５〜４１５オングストローム）の
上にSi3N4(１０５０〜１３００オングストローム）を積
層し、しかる後、１０００℃〜１０５０℃の湿潤環境中
で酸化して、６０００〜７０００オングストロームの酸
化層を形成する。この条件下で成長したＬＯＣＯＳのバ
ーズビークの長さは図１に示されるように各辺約５００
０オングストロームである。このように、実際には約
１．２５〜１．５μｍの巾を残しておく必要があり、こ
の巾で始めて良好な分離操作がなされる。
であるという利点を有するが、素子の面積がそれにつれ
て減少し、０．５μｍよりも小さくなると、ＬＯＣＯＳ
を充分に適用することができない。例えば、Ｏ2 で成長
させた酸化基層（３１５〜４１５オングストローム）の
上にSi3N4(１０５０〜１３００オングストローム）を積
層し、しかる後、１０００℃〜１０５０℃の湿潤環境中
で酸化して、６０００〜７０００オングストロームの酸
化層を形成する。この条件下で成長したＬＯＣＯＳのバ
ーズビークの長さは図１に示されるように各辺約５００
０オングストロームである。このように、実際には約
１．２５〜１．５μｍの巾を残しておく必要があり、こ
の巾で始めて良好な分離操作がなされる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の主たる目的は、
製造工程を増加させることなく、バーズビークの長さを
縮小させて利用面積を増加させることができる、区域性
シリコン酸化法の酸化層を成長させる改良方法を提供す
ることにある。
製造工程を増加させることなく、バーズビークの長さを
縮小させて利用面積を増加させることができる、区域性
シリコン酸化法の酸化層を成長させる改良方法を提供す
ることにある。
【０００７】本発明は、区域性シリコン酸化法の酸化層
を成長させる改良方法であって、 （１）シリコンウェーハを高温度の炉内に送り、亜酸化
窒素(N2O) を通して酸化層を成長させてアニールする工
程； （２）前記酸化層の上に一層の窒化ケイ素膜を積層させ
る工程； （３）前記窒化ケイ素膜表面に一層のホトレジストを塗
布する工程； （４）該ホトレジストを塗布した窒化ケイ素膜上にホト
マスクを被せ、不要の窒化ケイ素をエッチングして除去
する工程；及び （５）前記エッチングされた窒化ケイ素の上に区域性シ
リコン酸化層を形成させる工程を含んでなり、 前記工程（１）において、亜酸化窒素で成長させた酸化
層により前記ウェーハと前記酸化層との界面に一層の窒
素原子を形成させて酸化速度を低下させることでバーズ
ビークの長さを減少させるようにしたことを特徴とす
る。
を成長させる改良方法であって、 （１）シリコンウェーハを高温度の炉内に送り、亜酸化
窒素(N2O) を通して酸化層を成長させてアニールする工
程； （２）前記酸化層の上に一層の窒化ケイ素膜を積層させ
る工程； （３）前記窒化ケイ素膜表面に一層のホトレジストを塗
布する工程； （４）該ホトレジストを塗布した窒化ケイ素膜上にホト
マスクを被せ、不要の窒化ケイ素をエッチングして除去
する工程；及び （５）前記エッチングされた窒化ケイ素の上に区域性シ
リコン酸化層を形成させる工程を含んでなり、 前記工程（１）において、亜酸化窒素で成長させた酸化
層により前記ウェーハと前記酸化層との界面に一層の窒
素原子を形成させて酸化速度を低下させることでバーズ
ビークの長さを減少させるようにしたことを特徴とす
る。
【０００８】当然のことながら、本発明においては、工
程（１）においてシリコンウェーハを高温度の炉内に送
り込んだ後、さらに工程（５）を含み、Ｏ2 を通して酸
化層を成長させることもできる。
程（１）においてシリコンウェーハを高温度の炉内に送
り込んだ後、さらに工程（５）を含み、Ｏ2 を通して酸
化層を成長させることもできる。
【０００９】また、当然のことながら、本発明の工程
（１）における前記シリコンウェーハは清浄後に再度高
温度の炉内に送られることができ、その際の該高温度は
９００〜１１００℃の範囲内にある。また工程（１）に
おける酸化層の厚さは１００〜３００オングストローム
であり、アニール時間は１０〜６０分である。
（１）における前記シリコンウェーハは清浄後に再度高
温度の炉内に送られることができ、その際の該高温度は
９００〜１１００℃の範囲内にある。また工程（１）に
おける酸化層の厚さは１００〜３００オングストローム
であり、アニール時間は１０〜６０分である。
【００１０】本発明の工程（２）における窒化ケイ素膜
は６５０〜８５０℃の温度環境下で低圧化学気相堆積法
により形成され、その厚さは１０００〜２０００オング
ストロームである。
は６５０〜８５０℃の温度環境下で低圧化学気相堆積法
により形成され、その厚さは１０００〜２０００オング
ストロームである。
【００１１】本発明の工程（４）における前記エッチン
グ操作はドライエッチング技術により実施され、そして
工程（５）における区域性シリコン酸化層は湿潤酸素に
よって９５０〜１１００℃の温度下で１〜３時間成長さ
せて完成する。
グ操作はドライエッチング技術により実施され、そして
工程（５）における区域性シリコン酸化層は湿潤酸素に
よって９５０〜１１００℃の温度下で１〜３時間成長さ
せて完成する。
【００１２】
【実施例】以下、本発明のより明確な理解のために図面
を参照しながら本発明の実施例を説明する。しかし、下
記実施例はあくまで本発明の一実施態様を示すものに過
ぎず、本発明の技術的思想又は特許請求の範囲を逸脱し
ないかぎり、種々の変更および修飾が可能であることは
当然である。
を参照しながら本発明の実施例を説明する。しかし、下
記実施例はあくまで本発明の一実施態様を示すものに過
ぎず、本発明の技術的思想又は特許請求の範囲を逸脱し
ないかぎり、種々の変更および修飾が可能であることは
当然である。
【００１３】図２は本発明の実施例を示す概略図であ
る。本実施例においては、（１）シリコンウェーハを清
浄した後、高温度の炉内に送り、９００〜１１００℃に
おいて亜酸化窒素(N2O) ガスを通してシリコン基板２０
の上に１００〜３００オングストロームの酸化層２２を
形成させ（図２の（ａ）参照）、（２）シリコンウェー
ハを窒化ケイ素の低圧化学気相堆積系に送り、６５０〜
８５０℃の温度において１０００〜２０００オングスト
ロームの窒化ケイ素膜２３を酸化層２２上に積層させ
（図２の（ｂ）参照）、（３）一層のホトレジストを塗
布し、ホストマスクによりＬＯＣＯＳに必要な区域を現
像させた後、不要の窒化ケイ素２３およびホトレジスト
をエッチングして除去し（図２の（ｃ）参照）、（４）
再度湿潤酸素により９５０〜１１００℃の温度下で酸化
すると区域性シリコン酸化層２４が形成される。（図２
の（ｄ）参照）
る。本実施例においては、（１）シリコンウェーハを清
浄した後、高温度の炉内に送り、９００〜１１００℃に
おいて亜酸化窒素(N2O) ガスを通してシリコン基板２０
の上に１００〜３００オングストロームの酸化層２２を
形成させ（図２の（ａ）参照）、（２）シリコンウェー
ハを窒化ケイ素の低圧化学気相堆積系に送り、６５０〜
８５０℃の温度において１０００〜２０００オングスト
ロームの窒化ケイ素膜２３を酸化層２２上に積層させ
（図２の（ｂ）参照）、（３）一層のホトレジストを塗
布し、ホストマスクによりＬＯＣＯＳに必要な区域を現
像させた後、不要の窒化ケイ素２３およびホトレジスト
をエッチングして除去し（図２の（ｃ）参照）、（４）
再度湿潤酸素により９５０〜１１００℃の温度下で酸化
すると区域性シリコン酸化層２４が形成される。（図２
の（ｄ）参照）
【００１４】亜酸化窒素により成長させた酸化層は以下
の反応： N2O → XH2 ＋YO2 ＋ZNO Ｏ2 ＋ Si → SiO2 NO ＋ Si → SiO2 ＋1/2 Ｎ2 を生ずる。この反応によりSiO2／Siの界面２１に一層の
Ｎ原子が堆積され、これらＮ原子が酸素原子の拡散を阻
止し、これにより酸化速度が低下してバーズビークの長
さが減少する。
の反応： N2O → XH2 ＋YO2 ＋ZNO Ｏ2 ＋ Si → SiO2 NO ＋ Si → SiO2 ＋1/2 Ｎ2 を生ずる。この反応によりSiO2／Siの界面２１に一層の
Ｎ原子が堆積され、これらＮ原子が酸素原子の拡散を阻
止し、これにより酸化速度が低下してバーズビークの長
さが減少する。
【００１５】ひき続き図３を参照して説明するに、図３
はそれぞれＯ2 及びN2O により成長させてなる酸化層の
酸化速度曲線を示す図である。図３は、同一長さの、Ｏ
2 によって成長させた酸化層と、N2O によって成長させ
た酸化層との２つのテストピースを同一時間、同一温度
下でもう一度酸化すると、本来N2O により成長させた酸
化層の成長速度の方が比較的小さいことを示している。
この発見により、発明者は従来のＯ2 で酸化底層を成長
させる工程の代りにN2O 酸化層の特性を利用してバーズ
ビーク効果を減少させることに成功した。
はそれぞれＯ2 及びN2O により成長させてなる酸化層の
酸化速度曲線を示す図である。図３は、同一長さの、Ｏ
2 によって成長させた酸化層と、N2O によって成長させ
た酸化層との２つのテストピースを同一時間、同一温度
下でもう一度酸化すると、本来N2O により成長させた酸
化層の成長速度の方が比較的小さいことを示している。
この発見により、発明者は従来のＯ2 で酸化底層を成長
させる工程の代りにN2O 酸化層の特性を利用してバーズ
ビーク効果を減少させることに成功した。
【００１６】さらに従来方法と本発明方法とを比較する
ために発明者は１つの実験を試みた。すなわち、２片の
方位（１００）、Ｐ−タイプ、抵抗値１５〜２５Ω−cm
の６インチシリコンウェーハを清浄した後、一片につい
ては９００℃、１０％Ｏ2 ／９０％Ｎ2 の炉パイプ中で
１００オングストロームの酸化層を成長させ、他の一片
については９００℃、N2O の環境中で１００分成長さ
せ、同一の厚さの酸化層を得た。この二片のウェーハに
再度１２００オングストロームのSi3N4(７８０℃）を積
層させ、不要のSi3N4 膜を除去した後、再度テストピー
スを９８０℃の湿潤酸素下に送り８０分酸化した後、Ｓ
ＥＭ切片を作成してその切断面を観察した。図４はこの
２つのテストピースのＳＥＭ図である。
ために発明者は１つの実験を試みた。すなわち、２片の
方位（１００）、Ｐ−タイプ、抵抗値１５〜２５Ω−cm
の６インチシリコンウェーハを清浄した後、一片につい
ては９００℃、１０％Ｏ2 ／９０％Ｎ2 の炉パイプ中で
１００オングストロームの酸化層を成長させ、他の一片
については９００℃、N2O の環境中で１００分成長さ
せ、同一の厚さの酸化層を得た。この二片のウェーハに
再度１２００オングストロームのSi3N4(７８０℃）を積
層させ、不要のSi3N4 膜を除去した後、再度テストピー
スを９８０℃の湿潤酸素下に送り８０分酸化した後、Ｓ
ＥＭ切片を作成してその切断面を観察した。図４はこの
２つのテストピースのＳＥＭ図である。
【００１７】その結果、従来方法により成長させたＬＯ
ＣＯＳ（図４の（ａ））においてバーズビークＸ1 ＝５
４７．７μｍであるのに対し、N2O での酸化により成長
させたＬＯＣＯＳ（図４の（ｂ））ではバーズビークＸ
2 ＝４６２．０μｍとなり、従来の方法よりも短いこと
が判った。
ＣＯＳ（図４の（ａ））においてバーズビークＸ1 ＝５
４７．７μｍであるのに対し、N2O での酸化により成長
させたＬＯＣＯＳ（図４の（ｂ））ではバーズビークＸ
2 ＝４６２．０μｍとなり、従来の方法よりも短いこと
が判った。
【００１８】また、本発明をより明確に説明するため
に、本発明はＳＵＰＥＭ４(StanfordUniversity Proces
s Engineering Model IV ）を利用して製造方法を模擬
したが、図５に示されるように、テストピース（１５０
０オングストロームSi3N4 , ２００オングストロームハ
ッファオキサイド）を９８０℃、１４０分酸化したとこ
ろ、酸化層が厚ければ厚いほどバーズビークの長さがま
すます長くなり（８５０〜１９００オングストロームの
差）、一方N2O 酸化物では明らかな変化が見られなかっ
た。７０分の酸化状況においても同様なことが確認され
た（９５０〜１９５０オングストロームの差）。このこ
とから、酸化基層としてN2O を利用すれば極めて良好な
結果が得られることが分った。
に、本発明はＳＵＰＥＭ４(StanfordUniversity Proces
s Engineering Model IV ）を利用して製造方法を模擬
したが、図５に示されるように、テストピース（１５０
０オングストロームSi3N4 , ２００オングストロームハ
ッファオキサイド）を９８０℃、１４０分酸化したとこ
ろ、酸化層が厚ければ厚いほどバーズビークの長さがま
すます長くなり（８５０〜１９００オングストロームの
差）、一方N2O 酸化物では明らかな変化が見られなかっ
た。７０分の酸化状況においても同様なことが確認され
た（９５０〜１９５０オングストロームの差）。このこ
とから、酸化基層としてN2O を利用すれば極めて良好な
結果が得られることが分った。
【００１９】図６はＸ＝０の模擬の下における欠陥の分
布状況を示す。図は空位欠陥に対するもので、二種の製
造プロセスには大きな差がない。一方、割れ目欠陥にあ
ってはN2O 酸化物は比較的大きな値を有するが大して多
くもないためN2O 酸化物を採用しても過多な欠陥を引き
起さない。
布状況を示す。図は空位欠陥に対するもので、二種の製
造プロセスには大きな差がない。一方、割れ目欠陥にあ
ってはN2O 酸化物は比較的大きな値を有するが大して多
くもないためN2O 酸化物を採用しても過多な欠陥を引き
起さない。
【図１】従来のＬＯＣＯＳにより発生するバーズビーク
効果を示す図である。
効果を示す図である。
【図２】本発明の実施例を示す概略図である。
【図３】Ｏ2 及びN2O により成長させた酸化層の酸化速
度曲線を示す図である。
度曲線を示す図である。
【図４】Ｏ2 及びN2O で成長させたＬＯＣＯＳ酸化層の
ＳＥＭ写真である。
ＳＥＭ写真である。
【図５】ＳＵＰＥＭ４を利用してＯ2 酸化物及びN2O 酸
化物を模擬した結果を示す図である。
化物を模擬した結果を示す図である。
【図６】Ｏ2 及びN2O で成長させたＬＯＣＯＳ酸化層の
欠陥分布図である。
欠陥分布図である。
２０ シリコン基板 ２１ SiO2／Si界面 ２２ 酸化層 ２３ 窒化ケイ素膜 ２４ 区域性シリコン酸化層
Claims (5)
- 【請求項１】（１）シリコンウェーハを高温度の炉内に
送り、亜酸化窒素(N2O）を通して酸化層を成長させてア
ニールする工程； （２）前記酸化層の上に一層の窒化ケイ素膜を積層させ
る工程； （３）前記窒化ケイ素膜表面に一層のホトレジストを塗
布する工程； （４）該ホトレジストを塗布した窒化ケイ素膜上にホト
マスクを被せ、不要の窒化ケイ素をエッチングして除去
する工程；及び （５）前記エッチングされた窒化ケイ素の上に区域性シ
リコン酸化層を形成させる工程を含んでなり、 前記工程（１）において、亜酸化窒素(N2O）で成長させ
た酸化層により、前記ウェーハと前記酸化層との界面に
一層の窒素原子を形成させて酸化速度を低下させること
でバーズビークの長さを減少させるようにしたことを特
徴とする、区域性シリコン酸化法の酸化層を成長させる
改良方法。 - 【請求項２】 前記工程（１）において、シリコンウェ
ーハを高温度の炉内に送り込んだ後、さらに工程（５）
を含み、Ｏ2 を通して酸化層を成長させる請求項１に記
載の方法。 - 【請求項３】 前記シリコンウェーハを清浄後に再度高
温度の炉内に送り込む請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記窒化ケイ素膜が低圧化学気相堆積法
により形成され、ここで、工程（２）は６５０〜８５０
℃の温度において実施され、該窒化ケイ素膜の厚さが１
０００〜２０００オングストロームであり、エッチング
がドライエッチングである請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 前記工程（５）の区域性シリコン酸化層
が湿潤酸素で酸化され、９５０〜１１００℃の温度にお
いて１〜３時間成長させて完成される請求項１に記載の
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5331421A JP2625372B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 区域性シリコン酸化法の酸化層を成長させる改良方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5331421A JP2625372B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 区域性シリコン酸化法の酸化層を成長させる改良方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851104A true JPH0851104A (ja) | 1996-02-20 |
| JP2625372B2 JP2625372B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=18243486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5331421A Expired - Lifetime JP2625372B2 (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 区域性シリコン酸化法の酸化層を成長させる改良方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2625372B2 (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58147041A (ja) * | 1982-02-24 | 1983-09-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS5951576A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電誘導トランジスタおよびその製造方法 |
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-
1993
- 1993-12-27 JP JP5331421A patent/JP2625372B2/ja not_active Expired - Lifetime
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