JPH09326391A - 素子分離酸化膜の製造方法 - Google Patents
素子分離酸化膜の製造方法Info
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- JPH09326391A JPH09326391A JP9039573A JP3957397A JPH09326391A JP H09326391 A JPH09326391 A JP H09326391A JP 9039573 A JP9039573 A JP 9039573A JP 3957397 A JP3957397 A JP 3957397A JP H09326391 A JPH09326391 A JP H09326391A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 工程が簡単で、かつ正確にフィールド絶縁膜
の成長スペースを確保でき、しかもバーズビークを減ら
し、ポリシリコンの酸化問題も解決できる素子分離酸化
膜の製造方法を提供すること。 【解決手段】 半導体基板３０上にパッド酸化膜３１、
ＣＶＤ窒化膜３２、ポリシリコン層３３およびＣＶＤ窒
化膜３４を形成した後、フィールド領域のそれらを除去
し、露出した基板３０表面に酸化膜３５を形成した後、
熱窒化でポリシリコン層３３の側面に窒化膜３６を形成
する。その後、フィールド酸化を行ってフィールド絶縁
膜３６を形成する。
の成長スペースを確保でき、しかもバーズビークを減ら
し、ポリシリコンの酸化問題も解決できる素子分離酸化
膜の製造方法を提供すること。 【解決手段】 半導体基板３０上にパッド酸化膜３１、
ＣＶＤ窒化膜３２、ポリシリコン層３３およびＣＶＤ窒
化膜３４を形成した後、フィールド領域のそれらを除去
し、露出した基板３０表面に酸化膜３５を形成した後、
熱窒化でポリシリコン層３３の側面に窒化膜３６を形成
する。その後、フィールド酸化を行ってフィールド絶縁
膜３６を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程の
一つである素子分離酸化膜の製造方法に関する。
一つである素子分離酸化膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスを製造するためには、半
導体ウェーハ上に多数の単位素子等を形成しなければな
らないし、これ等の単位素子等間を絶縁する必要があ
り、これ等の単位素子等間を絶縁する従来の方法として
は、特開平６−７７２１４号公報、特開平６−１６３５
２８号公報および特開平８−８２４５号公報などに開示
されるようにロコス（ＬＯＣＯＳ）方法が広く使用され
ている。
導体ウェーハ上に多数の単位素子等を形成しなければな
らないし、これ等の単位素子等間を絶縁する必要があ
り、これ等の単位素子等間を絶縁する従来の方法として
は、特開平６−７７２１４号公報、特開平６−１６３５
２８号公報および特開平８−８２４５号公報などに開示
されるようにロコス（ＬＯＣＯＳ）方法が広く使用され
ている。
【０００３】このロコス方法の中には、上記特開平６−
７７２１４号公報などに開示されるようなＰＢＲ（Ｐｏ
ｌｙ−Ｂｕｆｆｅｒ−Ｒｅｃｅｓｓｅｄ）ＬＯＣＯＳ方
法がある。この方法は、まず図５（ａ）に示すように、
半導体基板１０上にパッド酸化膜１１、ポリシリコン層
１２、ＣＶＤ窒化膜１３を順次形成してから、ロコスマ
スク（アクティブ領域とフィールド領域を区分するため
のマスク）を使用して、フィールド領域のＣＶＤ窒化膜
１３、ポリシリコン層１２、パッド酸化膜１１を順次乾
食刻し、さらに基板１０の表面の一部を食刻する。この
時、基板１０を食刻しない場合もある。
７７２１４号公報などに開示されるようなＰＢＲ（Ｐｏ
ｌｙ−Ｂｕｆｆｅｒ−Ｒｅｃｅｓｓｅｄ）ＬＯＣＯＳ方
法がある。この方法は、まず図５（ａ）に示すように、
半導体基板１０上にパッド酸化膜１１、ポリシリコン層
１２、ＣＶＤ窒化膜１３を順次形成してから、ロコスマ
スク（アクティブ領域とフィールド領域を区分するため
のマスク）を使用して、フィールド領域のＣＶＤ窒化膜
１３、ポリシリコン層１２、パッド酸化膜１１を順次乾
食刻し、さらに基板１０の表面の一部を食刻する。この
時、基板１０を食刻しない場合もある。
【０００４】次に、図５（ｂ）に示すように、露出した
フィールド領域の基板１０表面および側面ならびにポリ
シリコン層１２の側面に薄い酸化膜１４を成長させる。
このとき、酸化膜１４の形成は、露出された基板１０と
ポリシリコン層１２を自然酸化させたり、熱酸化させて
形成する。その後、ＣＶＤ窒化膜を蒸着し、乾食刻を行
うことにより、酸化膜１４を挟んで基板１０、パッド酸
化膜１１およびポリシリコン層１２の側面に窒化膜１５
を形成する。
フィールド領域の基板１０表面および側面ならびにポリ
シリコン層１２の側面に薄い酸化膜１４を成長させる。
このとき、酸化膜１４の形成は、露出された基板１０と
ポリシリコン層１２を自然酸化させたり、熱酸化させて
形成する。その後、ＣＶＤ窒化膜を蒸着し、乾食刻を行
うことにより、酸化膜１４を挟んで基板１０、パッド酸
化膜１１およびポリシリコン層１２の側面に窒化膜１５
を形成する。
【０００５】その後、窒化膜１３，１５をマスクとして
図５（ｃ）に示すようにフィールド酸化工程を実施する
ことにより、フィールド酸化膜１６を形成する。その後
は、基板１０表面にあるフィールド酸化膜以外の膜、す
なわち窒化膜１５，１３、ポリシリコン層１２およびパ
ッド酸化膜１１を除去する。
図５（ｃ）に示すようにフィールド酸化工程を実施する
ことにより、フィールド酸化膜１６を形成する。その後
は、基板１０表面にあるフィールド酸化膜以外の膜、す
なわち窒化膜１５，１３、ポリシリコン層１２およびパ
ッド酸化膜１１を除去する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、このような
従来の方法では、側面窒化膜１５をＣＶＤ法と乾食刻で
形成しているので、その際の窒化膜の食刻量を正確に調
節しなければならないし、酸化膜１４が普通薄いので、
窒化膜の乾式食刻時に酸化膜１４までもが食刻され、さ
らには基板１０が食刻される場合もあるので、食刻量の
より正確な調節が必要であるが、その調節が非常に難し
い。その結果、側面窒化膜１５の形成工程自体が複雑と
なる短所があり、また側面窒化膜１５の形成時に、食刻
後の窒化膜１５の傾きが緩やかになり窒化膜１５の幅が
広がることによって、０．３マイクロメートル以下に微
細にフィールド領域を決定する場合は、フィールド酸化
膜が成長するスペースを確保できなかったり、フィール
ド酸化膜が形成されるとしても、バーズビークのみ相対
的に大きくなって、単位素子を分離するのに足りない場
合もある。本発明は上記の点に鑑みなされたもので、上
記従来の方法が有する問題点を解決できる素子分離酸化
膜の製造方法を提供することを目的とする。
従来の方法では、側面窒化膜１５をＣＶＤ法と乾食刻で
形成しているので、その際の窒化膜の食刻量を正確に調
節しなければならないし、酸化膜１４が普通薄いので、
窒化膜の乾式食刻時に酸化膜１４までもが食刻され、さ
らには基板１０が食刻される場合もあるので、食刻量の
より正確な調節が必要であるが、その調節が非常に難し
い。その結果、側面窒化膜１５の形成工程自体が複雑と
なる短所があり、また側面窒化膜１５の形成時に、食刻
後の窒化膜１５の傾きが緩やかになり窒化膜１５の幅が
広がることによって、０．３マイクロメートル以下に微
細にフィールド領域を決定する場合は、フィールド酸化
膜が成長するスペースを確保できなかったり、フィール
ド酸化膜が形成されるとしても、バーズビークのみ相対
的に大きくなって、単位素子を分離するのに足りない場
合もある。本発明は上記の点に鑑みなされたもので、上
記従来の方法が有する問題点を解決できる素子分離酸化
膜の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するために、次のような素子分離酸化膜の製造方法と
する。まず、基板上に第１緩衝膜を形成し、その上に薄
い第１酸化防止膜、第２緩衝膜、第２酸化防止膜を順次
に形成する。次に、ロコスマスクを利用して前記第２酸
化防止膜、第２緩衝膜、第１酸化防止膜および第１緩衝
膜の一部分を順次に乾食刻して、フィールド領域の基板
表面を露出させる。次に、露出したフィールド領域の基
板表面に絶縁膜を形成する。次に、前記乾食刻によって
露出した前記第２緩衝膜の側面に第３酸化防止膜として
熱窒化膜を形成する。その後、フィールド領域の基板表
面部にフィールド絶縁膜を形成する。
決するために、次のような素子分離酸化膜の製造方法と
する。まず、基板上に第１緩衝膜を形成し、その上に薄
い第１酸化防止膜、第２緩衝膜、第２酸化防止膜を順次
に形成する。次に、ロコスマスクを利用して前記第２酸
化防止膜、第２緩衝膜、第１酸化防止膜および第１緩衝
膜の一部分を順次に乾食刻して、フィールド領域の基板
表面を露出させる。次に、露出したフィールド領域の基
板表面に絶縁膜を形成する。次に、前記乾食刻によって
露出した前記第２緩衝膜の側面に第３酸化防止膜として
熱窒化膜を形成する。その後、フィールド領域の基板表
面部にフィールド絶縁膜を形成する。
【０００８】また、本発明は次のような素子分離酸化膜
の製造方法とする。まず、基板上に第１緩衝膜を形成
し、この第１緩衝膜上に第１酸化防止膜および第２緩衝
膜を順次に形成する。次に、ロコスマスクを利用して前
記第２緩衝膜、第１酸化防止膜および第１緩衝膜の一部
分を順次に乾食刻して、フィールド領域の基板表面を露
出させる。次に、露出したフィールド領域の基板表面に
絶縁膜を形成する。次に、前記乾食刻によって露出した
前記第２緩衝膜の側面および第２緩衝膜の表面に第２酸
化防止膜として熱窒化膜を形成する。その後、フィール
ド領域の基板表面部にフィールド絶縁膜を形成する。
の製造方法とする。まず、基板上に第１緩衝膜を形成
し、この第１緩衝膜上に第１酸化防止膜および第２緩衝
膜を順次に形成する。次に、ロコスマスクを利用して前
記第２緩衝膜、第１酸化防止膜および第１緩衝膜の一部
分を順次に乾食刻して、フィールド領域の基板表面を露
出させる。次に、露出したフィールド領域の基板表面に
絶縁膜を形成する。次に、前記乾食刻によって露出した
前記第２緩衝膜の側面および第２緩衝膜の表面に第２酸
化防止膜として熱窒化膜を形成する。その後、フィール
ド領域の基板表面部にフィールド絶縁膜を形成する。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して本発明に
よる素子分離酸化膜の製造方法の実施の形態を詳細に説
明する。図１および図２は第１の実施の形態を工程順に
示す断面図である。この第１の実施の形態では、まず図
１（ａ）に示すように、半導体基板３０上に、第１緩衝
膜としてのパッド酸化膜３１を形成する。続いて、パッ
ド酸化膜３１上に、第１酸化防止膜としての薄いＣＶＤ
窒化膜３２、第２緩衝膜としてのポリシリコン層３３、
第２酸化防止膜としてのＣＶＤ窒化膜３４を順次に蒸着
する。
よる素子分離酸化膜の製造方法の実施の形態を詳細に説
明する。図１および図２は第１の実施の形態を工程順に
示す断面図である。この第１の実施の形態では、まず図
１（ａ）に示すように、半導体基板３０上に、第１緩衝
膜としてのパッド酸化膜３１を形成する。続いて、パッ
ド酸化膜３１上に、第１酸化防止膜としての薄いＣＶＤ
窒化膜３２、第２緩衝膜としてのポリシリコン層３３、
第２酸化防止膜としてのＣＶＤ窒化膜３４を順次に蒸着
する。
【００１０】この時、パッド酸化膜３１は５０オングス
トローム乃至１０００オングストローム程度の厚みに、
ＣＶＤ窒化膜３２は１００オングストローム乃至１００
０オングストローム程度の厚みに、ポリシリコン層３３
は１００オングストローム乃至５０００オングストロー
ム程度の厚みに、ＣＶＤ窒化膜３４は１００オングスト
ローム乃至２０００オングストローム程度の厚みに形成
される。
トローム乃至１０００オングストローム程度の厚みに、
ＣＶＤ窒化膜３２は１００オングストローム乃至１００
０オングストローム程度の厚みに、ポリシリコン層３３
は１００オングストローム乃至５０００オングストロー
ム程度の厚みに、ＣＶＤ窒化膜３４は１００オングスト
ローム乃至２０００オングストローム程度の厚みに形成
される。
【００１１】次いで、アクティブ領域とフィールド領域
を区分するためのロコスマスクを使用して、図１（ｂ）
に示すように写真食刻工程でＣＶＤ窒化膜３４、ポリシ
リコン層３３、ＣＶＤ窒化膜３２およびパッド酸化膜３
１の一部を順次に乾食刻して、フィールド領域Ｆの基板
３０表面を露出させる。その後、露出されたフィールド
領域Ｆの基板３０表面に薄い酸化膜（絶縁膜）３５を成
長させる。この薄い酸化膜３５の厚みは、５０オングス
トローム乃至１０００オングストローム程度とする。こ
の時、基板３０を表面から１０００オングストローム程
度まで食刻した後、酸化膜３５を形成してもよい。
を区分するためのロコスマスクを使用して、図１（ｂ）
に示すように写真食刻工程でＣＶＤ窒化膜３４、ポリシ
リコン層３３、ＣＶＤ窒化膜３２およびパッド酸化膜３
１の一部を順次に乾食刻して、フィールド領域Ｆの基板
３０表面を露出させる。その後、露出されたフィールド
領域Ｆの基板３０表面に薄い酸化膜（絶縁膜）３５を成
長させる。この薄い酸化膜３５の厚みは、５０オングス
トローム乃至１０００オングストローム程度とする。こ
の時、基板３０を表面から１０００オングストローム程
度まで食刻した後、酸化膜３５を形成してもよい。
【００１２】次は、摂氏９００度乃至１３００度程度の
アンモニア（ＮＨ3 ）ガス雰囲気下で、露出したポリシ
リコン層３３の側面を窒化させて、図２（ａ）に示すよ
うに、ポリシリコン層３３の側面に第３酸化防止膜とし
ての窒化膜（熱窒化膜）３６を形成する。このような高
温窒化工程を利用した窒化膜の形成時に、アクティブ領
域のパッド酸化膜３１とシリコン基板３０の界面に窒素
気が浸透して、フィールド絶縁膜の成長時に、バーズビ
ークの大きさを小さくすることができるようになる。な
お、多結晶シリコン層３３の側面には、５０オングスト
ローム乃至５００オングストロームの厚みで窒化膜３６
を成長させる。
アンモニア（ＮＨ3 ）ガス雰囲気下で、露出したポリシ
リコン層３３の側面を窒化させて、図２（ａ）に示すよ
うに、ポリシリコン層３３の側面に第３酸化防止膜とし
ての窒化膜（熱窒化膜）３６を形成する。このような高
温窒化工程を利用した窒化膜の形成時に、アクティブ領
域のパッド酸化膜３１とシリコン基板３０の界面に窒素
気が浸透して、フィールド絶縁膜の成長時に、バーズビ
ークの大きさを小さくすることができるようになる。な
お、多結晶シリコン層３３の側面には、５０オングスト
ローム乃至５００オングストロームの厚みで窒化膜３６
を成長させる。
【００１３】このようにした後、フィールド酸化工程を
実施して、図２（ｂ）に示すようにフィールド領域の基
板３０表面部にフィールド絶縁膜３９を形成する。その
後は、アクティブ領域のＣＶＤ窒化膜３４、窒化膜３
６、ポリシリコン層３３、ＣＶＤ窒化膜３２、パッド酸
化膜３１を除去する。
実施して、図２（ｂ）に示すようにフィールド領域の基
板３０表面部にフィールド絶縁膜３９を形成する。その
後は、アクティブ領域のＣＶＤ窒化膜３４、窒化膜３
６、ポリシリコン層３３、ＣＶＤ窒化膜３２、パッド酸
化膜３１を除去する。
【００１４】図３および図４は本発明の第２の実施の形
態を工程順に示す断面図である。この第２の実施の形態
では、まず図３（ａ）に示すように、半導体基板４０上
に、第１緩衝膜としてのパッド酸化膜４１を成長させ
る。次に、そのパッド酸化膜４１上に、第１酸化防止膜
としての薄いＣＶＤ窒化膜４２及び第２緩衝膜としての
ポリシリコン層４３を順次蒸着する。この時、パッド酸
化膜４１は５０オングストローム乃至１０００オングス
トローム程度の厚さに、窒化膜４２は１００オングスト
ローム乃至１０００オングストローム程度の厚さに、ポ
リシリコン層４３は１００オングストローム乃至５００
０オングストローム程度の厚さに形成する。
態を工程順に示す断面図である。この第２の実施の形態
では、まず図３（ａ）に示すように、半導体基板４０上
に、第１緩衝膜としてのパッド酸化膜４１を成長させ
る。次に、そのパッド酸化膜４１上に、第１酸化防止膜
としての薄いＣＶＤ窒化膜４２及び第２緩衝膜としての
ポリシリコン層４３を順次蒸着する。この時、パッド酸
化膜４１は５０オングストローム乃至１０００オングス
トローム程度の厚さに、窒化膜４２は１００オングスト
ローム乃至１０００オングストローム程度の厚さに、ポ
リシリコン層４３は１００オングストローム乃至５００
０オングストローム程度の厚さに形成する。
【００１５】次に、ロコスマスクを使用して、図３
（ｂ）に示すようにポリシリコン層４３、ＣＶＤ窒化膜
４２およびパッド酸化膜４１の一部を乾食刻し、フィー
ルド領域Ｆの基板４０表面を露出させる。この時、フィ
ールド領域Ｆの基板４０を表面から深さ１０００オング
ストローム程度まで食刻してもよい。その後、露出した
フィールド領域Ｆの基板４０表面に薄い酸化膜（絶縁
膜）４４を厚み約５０オングストローム乃至１０００オ
ングストローム程度に形成する。
（ｂ）に示すようにポリシリコン層４３、ＣＶＤ窒化膜
４２およびパッド酸化膜４１の一部を乾食刻し、フィー
ルド領域Ｆの基板４０表面を露出させる。この時、フィ
ールド領域Ｆの基板４０を表面から深さ１０００オング
ストローム程度まで食刻してもよい。その後、露出した
フィールド領域Ｆの基板４０表面に薄い酸化膜（絶縁
膜）４４を厚み約５０オングストローム乃至１０００オ
ングストローム程度に形成する。
【００１６】次いで、摂氏９００度乃至１３００度程度
のアンモニア（ＮＨ3 ）ガス雰囲気下で高温窒化工程を
実施し、図４（ａ）に示すように、ポリシリコン層４３
の露出面、すなわちポリシリコン層４３の表面および側
面に第２酸化防止膜としての窒化膜４５を形成する。こ
の時、窒化膜４５は、５０オングストローム乃至５００
オングストロームの厚みで成長させる。このような高温
窒化工程によって、アクティブ領域のパッド酸化膜４１
と半導体基板４０の界面に窒素気が浸透して、フィール
ド酸化工程時にバーズビーク成長を抑制する効果があ
る。
のアンモニア（ＮＨ3 ）ガス雰囲気下で高温窒化工程を
実施し、図４（ａ）に示すように、ポリシリコン層４３
の露出面、すなわちポリシリコン層４３の表面および側
面に第２酸化防止膜としての窒化膜４５を形成する。こ
の時、窒化膜４５は、５０オングストローム乃至５００
オングストロームの厚みで成長させる。このような高温
窒化工程によって、アクティブ領域のパッド酸化膜４１
と半導体基板４０の界面に窒素気が浸透して、フィール
ド酸化工程時にバーズビーク成長を抑制する効果があ
る。
【００１７】このようにした後、フィールド酸化工程を
実施して、図４（ｂ）に示すようにフィールド領域の基
板４０表面部にフィールド絶縁膜４７を形成する。その
後は、アクティブ領域の窒化膜４５、ポリシリコン層４
３、ＣＶＤ窒化膜４２、パッド酸化膜４１を除去する。
実施して、図４（ｂ）に示すようにフィールド領域の基
板４０表面部にフィールド絶縁膜４７を形成する。その
後は、アクティブ領域の窒化膜４５、ポリシリコン層４
３、ＣＶＤ窒化膜４２、パッド酸化膜４１を除去する。
【００１８】このような第２の実施の形態は、第１の実
施の形態と比較して、ポリシリコン層の上にＣＶＤ窒化
膜を蒸着し食刻する工程が省かれるので、工程を簡単に
することができる長所がある。
施の形態と比較して、ポリシリコン層の上にＣＶＤ窒化
膜を蒸着し食刻する工程が省かれるので、工程を簡単に
することができる長所がある。
【００１９】
【発明の効果】このように本発明の素子分離酸化膜の製
造方法によれば、第２緩衝膜（ポリシリコン層）の側面
に熱窒化工程で窒化膜を形成するようにしたので、従来
のＣＶＤ法と乾食刻で窒化膜を形成する場合に比較し、
工程が簡単となる。また、熱窒化の場合は、窒化膜の幅
の拡がりによりフィールド絶縁膜の成長スペースが確保
できなくなるような問題点も除去できる。さらに、熱窒
化の場合は、熱窒化時に、アクティブ領域の第１緩衝膜
（パッド酸化膜）と基板との界面に窒素気が浸透する点
を利用して、バーズビークの大きさを減らすことができ
る効果もある。また、本発明の方法によれば、第２緩衝
膜（ポリシリコン層）が酸化防止膜（窒化膜）で完全に
囲まれた構造となるので、ＰＢＲ−ＬＯＣＯＳ法特有の
ポリシリコン層の酸化問題も解決できる。
造方法によれば、第２緩衝膜（ポリシリコン層）の側面
に熱窒化工程で窒化膜を形成するようにしたので、従来
のＣＶＤ法と乾食刻で窒化膜を形成する場合に比較し、
工程が簡単となる。また、熱窒化の場合は、窒化膜の幅
の拡がりによりフィールド絶縁膜の成長スペースが確保
できなくなるような問題点も除去できる。さらに、熱窒
化の場合は、熱窒化時に、アクティブ領域の第１緩衝膜
（パッド酸化膜）と基板との界面に窒素気が浸透する点
を利用して、バーズビークの大きさを減らすことができ
る効果もある。また、本発明の方法によれば、第２緩衝
膜（ポリシリコン層）が酸化防止膜（窒化膜）で完全に
囲まれた構造となるので、ＰＢＲ−ＬＯＣＯＳ法特有の
ポリシリコン層の酸化問題も解決できる。
【図１】本発明による素子分離酸化膜の製造方法の第１
の実施の形態を示す断面図。
の実施の形態を示す断面図。
【図２】同第１の実施の形態を示し、図１に続く工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図３】本発明による素子分離酸化膜の製造方法の第２
の実施の形態を示す断面図。
の実施の形態を示す断面図。
【図４】同第２の実施の形態を示し、図３に続く工程を
示す断面図。
示す断面図。
【図５】従来の素子分離酸化膜の製造方法を示す断面
図。
図。
３０，４０ 半導体基板 ３１，４１ パッド酸化膜 ３２，４２ ＣＶＤ窒化膜 ３３，４３ ポリシリコン層 ３４ ＣＶＤ窒化膜 ３５，４４ 酸化膜 ３６，４５ 窒化膜
Claims (12)
- 【請求項１】 基板上に第１緩衝膜を形成し、その上に
薄い第１酸化防止膜、第２緩衝膜、第２酸化防止膜を順
次に形成する工程と、 ロコスマスクを利用して前記第２酸化防止膜、第２緩衝
膜、第１酸化防止膜および第１緩衝膜の一部分を順次に
乾食刻して、フィールド領域の基板表面を露出させる工
程と、 露出したフィールド領域の基板表面に絶縁膜を形成する
工程と、 前記乾食刻によって露出した前記第２緩衝膜の側面に第
３酸化防止膜として熱窒化膜を形成する工程と、 その後、フィールド領域の基板表面部にフィールド絶縁
膜を形成する工程とを具備してなる素子分離酸化膜の製
造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の素子分離酸化膜の製造方
法において、第３酸化防止膜は、摂氏９００度乃至１３
００度程度のアンモニアガス雰囲気下で第２緩衝膜の側
面を窒化させて形成することを特徴とする素子分離酸化
膜の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の素子分離酸化膜の製造方
法において、第１緩衝膜は厚みが約５０オングストロー
ム乃至１０００オングストローム程度、第１酸化防止膜
は厚みが１００オングストローム乃至１０００オングス
トローム程度、第２緩衝膜は厚みが約１００オングスト
ローム乃至５０００オングストローム程度、第２酸化防
止膜は厚みが約１００オングストローム乃至２０００オ
ングストローム程度に形成されることを特徴とする素子
分離酸化膜の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の素子分離酸化膜の製造方
法において、露出したフィールド領域の基板表面に形成
する絶縁膜は、厚みが約５０オングストローム乃至１０
００オングストローム程度であることを特徴とする素子
分離酸化膜の製造方法。 - 【請求項５】 請求項２記載の素子分離酸化膜の製造方
法において、窒化工程によって形成される第３酸化防止
膜は、第２緩衝膜の側面に約５０オングストローム乃至
５００オングストローム程度の厚みに形成されることを
特徴とする素子分離酸化膜の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１記載の素子分離酸化膜の製造方
法において、ロコスマスクを利用して乾食刻を行った
際、フィールド領域の基板表面を１０００オングストロ
ーム程度、食刻することを特徴とする素子分離酸化膜の
製造方法。 - 【請求項７】 基板上に第１緩衝膜を形成し、この第１
緩衝膜上に第１酸化防止膜および第２緩衝膜を順次に形
成する工程と、 ロコスマスクを利用して前記第２緩衝膜、第１酸化防止
膜および第１緩衝膜の一部分を順次に乾食刻して、フィ
ールド領域の基板表面を露出させる工程と、 露出したフィールド領域の基板表面に絶縁膜を形成する
工程と、 前記乾食刻によって露出した前記第２緩衝膜の側面およ
び第２緩衝膜の表面に第２酸化防止膜として熱窒化膜を
形成する工程と、 その後、フィールド領域の基板表面部にフィールド絶縁
膜を形成する工程とを具備してなる素子分離酸化膜の製
造方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の素子分離酸化膜の製造方
法において、第２酸化防止膜は、摂氏９００度乃至１３
００度程度のアンモニアガス雰囲気下で第２緩衝膜の側
面および表面を窒化させて形成することを特徴とする素
子分離酸化膜の製造方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の素子分離酸化膜の製造方
法において、窒化工程によって形成する第２酸化防止膜
は、第２緩衝膜の側面および表面に約５０オングストロ
ーム乃至５００オングストローム程度の厚みに形成され
ることを特徴とする素子分離酸化膜の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項７記載の素子分離酸化膜の製造
方法において、第１緩衝膜は厚みが約５０オングストロ
ーム乃至１０００オングストローム程度、第１酸化防止
膜は厚みが約１００乃至１０００オングストローム程
度、第２緩衝膜は厚みが約１００乃至５０００オングス
トローム程度に形成されることを特徴とする素子分離酸
化膜の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項７記載の素子分離酸化膜の製造
方法において、露出したフィールド領域の基板表面に形
成する絶縁膜は厚みが約５０オングストローム乃至１０
００オングストローム程度であることを特徴とする素子
分離酸化膜の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項７記載の素子分離酸化膜の製造
方法において、ロコスマスクを利用して乾食刻を行った
際、フィールド領域の基板表面を１０００オングストロ
ーム程度、食刻することを特徴とする素子分離酸化膜の
製造方法。
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