JPH06224187A - Ｌｏｃｏｓ酸化膜の形成方法 - Google Patents
Ｌｏｃｏｓ酸化膜の形成方法Info
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- JPH06224187A JPH06224187A JP2727593A JP2727593A JPH06224187A JP H06224187 A JPH06224187 A JP H06224187A JP 2727593 A JP2727593 A JP 2727593A JP 2727593 A JP2727593 A JP 2727593A JP H06224187 A JPH06224187 A JP H06224187A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ＬＯＣＯＳ酸化の進行を停止させ
るサイドウォールを設けてＬＯＣＯＳ酸化膜形成の制御
性を高め、バーズビークを成長させる薄い酸化膜を形成
してシリコン系基板の素子形成領域の結晶欠陥をなく
す。 【構成】 第１の工程で、シリコン系基板11の上面に第
１の酸化シリコン膜12と窒化シリコン膜13とを積層し、
ＬＯＣＯＳ酸化膜の形成領域14上の窒化シリコン膜13と
第１の酸化シリコン膜12とに開口部15を設け、第２の工
程で、開口部15の側壁に非酸化性の第１のサイドウォー
ル17を形成し、第３の工程で、開口部15の底面に第２の
酸化シリコン膜18を形成し、第４の工程で、第１のサイ
ドウォール17を覆う非酸化性の第２のサイドウォール20
を形成し、第５の工程で、第２のサイドウォール20間の
シリコン系基板11に溝21を形成した後、第６の工程で、
溝21周囲のシリコン系基板11にＬＯＣＯＳ酸化膜22を成
長させる。
るサイドウォールを設けてＬＯＣＯＳ酸化膜形成の制御
性を高め、バーズビークを成長させる薄い酸化膜を形成
してシリコン系基板の素子形成領域の結晶欠陥をなく
す。 【構成】 第１の工程で、シリコン系基板11の上面に第
１の酸化シリコン膜12と窒化シリコン膜13とを積層し、
ＬＯＣＯＳ酸化膜の形成領域14上の窒化シリコン膜13と
第１の酸化シリコン膜12とに開口部15を設け、第２の工
程で、開口部15の側壁に非酸化性の第１のサイドウォー
ル17を形成し、第３の工程で、開口部15の底面に第２の
酸化シリコン膜18を形成し、第４の工程で、第１のサイ
ドウォール17を覆う非酸化性の第２のサイドウォール20
を形成し、第５の工程で、第２のサイドウォール20間の
シリコン系基板11に溝21を形成した後、第６の工程で、
溝21周囲のシリコン系基板11にＬＯＣＯＳ酸化膜22を成
長させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の素子分離
領域を形成するのに用いられるＬＯＣＯＳ酸化膜の形成
方法に関するものである。
領域を形成するのに用いられるＬＯＣＯＳ酸化膜の形成
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＯＣＯＳ酸化方法を図３により
説明する。図３の（１）に示すように、シリコン系基板
５１の上面に第１の酸化シリコン膜５２と窒化シリコン
膜５３とを積層して形成する。次いで上記シリコン系基
板５１のＬＯＣＯＳ酸化膜の形成領域５４上における第
１の酸化シリコン膜５２と窒化シリコン膜５３とに、開
口部５５を設ける。続いて開口部５５の底面側における
シリコン系基板５１の表層に第２の酸化シリコン膜５６
を形成する。さらに開口部５５の側壁に非酸化性のサイ
ドウォール５７を形成する。また非酸化性のサイドウォ
ール５７間における上記シリコン系基板５１に溝５８を
形成する。その後図３の（２）に示すように、ＬＯＣＯ
Ｓ法による熱処理によって、上記の如くに処理したシリ
コン系基板５１にＬＯＣＯＳ酸化膜５９を形成する。
説明する。図３の（１）に示すように、シリコン系基板
５１の上面に第１の酸化シリコン膜５２と窒化シリコン
膜５３とを積層して形成する。次いで上記シリコン系基
板５１のＬＯＣＯＳ酸化膜の形成領域５４上における第
１の酸化シリコン膜５２と窒化シリコン膜５３とに、開
口部５５を設ける。続いて開口部５５の底面側における
シリコン系基板５１の表層に第２の酸化シリコン膜５６
を形成する。さらに開口部５５の側壁に非酸化性のサイ
ドウォール５７を形成する。また非酸化性のサイドウォ
ール５７間における上記シリコン系基板５１に溝５８を
形成する。その後図３の（２）に示すように、ＬＯＣＯ
Ｓ法による熱処理によって、上記の如くに処理したシリ
コン系基板５１にＬＯＣＯＳ酸化膜５９を形成する。
【０００３】別の従来例におけるＬＯＣＯＳ酸化方法を
図４により説明する。図４の（１）に示すように、この
方法は、上記図３の（１）で説明したように、第１の酸
化シリコン膜５２，窒化シリコン膜５３を形成し、次い
で開口部５５を形成する。そして第２の酸化シリコン膜
（５６）を形成しないで、開口部５５の側壁に非酸化性
のサイドウォール５７を形成し、続いて非酸化性のサイ
ドウォール５７間における上記シリコン系基板５１に溝
５８を形成する。その後図４の（２）に示すように、Ｌ
ＯＣＯＳ法による熱処理によって、上記の如くに処理し
たシリコン系基板５１にＬＯＣＯＳ酸化膜５９を形成す
る。
図４により説明する。図４の（１）に示すように、この
方法は、上記図３の（１）で説明したように、第１の酸
化シリコン膜５２，窒化シリコン膜５３を形成し、次い
で開口部５５を形成する。そして第２の酸化シリコン膜
（５６）を形成しないで、開口部５５の側壁に非酸化性
のサイドウォール５７を形成し、続いて非酸化性のサイ
ドウォール５７間における上記シリコン系基板５１に溝
５８を形成する。その後図４の（２）に示すように、Ｌ
ＯＣＯＳ法による熱処理によって、上記の如くに処理し
たシリコン系基板５１にＬＯＣＯＳ酸化膜５９を形成す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記図３で説明したＬ
ＯＣＯＳ酸化方法では、形成した溝の側壁からの横方向
拡散によるバーズビークの成長によって、形成されるＬ
ＯＣＯＳ酸化膜の寸法の制御性が難しく、このため、設
計値通りにＬＯＣＯＳ酸化膜を形成することが困難であ
った。またこの方法では、ＬＯＣＯＳ酸化膜は広く形成
されるため、例えば素子形成領域になるＬＯＣＯＳ酸化
膜が形成されていないシリコン系基板の領域が狭くなる
ので、その領域に、例えばトランジスタを形成した場合
には、トランジスタのチャネル幅が狭くなり、狭チャネ
ル効果が発生する。
ＯＣＯＳ酸化方法では、形成した溝の側壁からの横方向
拡散によるバーズビークの成長によって、形成されるＬ
ＯＣＯＳ酸化膜の寸法の制御性が難しく、このため、設
計値通りにＬＯＣＯＳ酸化膜を形成することが困難であ
った。またこの方法では、ＬＯＣＯＳ酸化膜は広く形成
されるため、例えば素子形成領域になるＬＯＣＯＳ酸化
膜が形成されていないシリコン系基板の領域が狭くなる
ので、その領域に、例えばトランジスタを形成した場合
には、トランジスタのチャネル幅が狭くなり、狭チャネ
ル効果が発生する。
【０００５】また上記図４で説明したＬＯＣＯＳ酸化方
法では、ＬＯＣＯＳ酸化中に、窒化シリコン膜とシリコ
ン系基板とが接触している当該シリコン系基板中に結晶
欠陥が発生する。このため、素子間においてリーク電流
が発生するので、素子の信頼性が低下する。またサイド
ウォールの厚さが厚すぎる場合には、ＬＯＣＯＳ酸化膜
の幅が短くなり、サイドウォールの厚さが薄い場合に
は、ＬＯＣＯＳ酸化膜の幅が長くなる。このように、サ
イドウォールの膜厚によって、ＬＯＣＯＳ酸化膜の幅が
大きく変動する。
法では、ＬＯＣＯＳ酸化中に、窒化シリコン膜とシリコ
ン系基板とが接触している当該シリコン系基板中に結晶
欠陥が発生する。このため、素子間においてリーク電流
が発生するので、素子の信頼性が低下する。またサイド
ウォールの厚さが厚すぎる場合には、ＬＯＣＯＳ酸化膜
の幅が短くなり、サイドウォールの厚さが薄い場合に
は、ＬＯＣＯＳ酸化膜の幅が長くなる。このように、サ
イドウォールの膜厚によって、ＬＯＣＯＳ酸化膜の幅が
大きく変動する。
【０００６】本発明は、シリコン系基板に結晶欠陥を発
生させることなく、寸法制御性に優れたＬＯＣＯＳ酸化
膜の形成方法を提供することを目的とする。
生させることなく、寸法制御性に優れたＬＯＣＯＳ酸化
膜の形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたＬＯＣＯＳ酸化膜の形成方法であ
る。すなわち、第１の工程で、シリコン系基板の上面に
第１の酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを積層して形
成し、シリコン系基板のＬＯＣＯＳ酸化膜の形成領域上
における窒化シリコン膜と第１の酸化シリコン膜とに開
口部を設ける。次いで第２の工程で、開口部の側壁に非
酸化性の第１のサイドウォールを形成し、第３の工程
で、開口部の底面側における前記シリコン系基板の表層
に第２の酸化シリコン膜を形成する。さらに第４の工程
で、第１のサイドウォールを覆う状態に、非酸化性の第
２のサイドウォールを形成し、次いで第５の工程で、第
２のサイドウォール間のシリコン系基板に溝を形成す
る。その後第６の工程で、溝周囲のシリコン系基板にＬ
ＯＣＯＳ酸化膜を形成する。または上記第１の工程ない
し上記第３の工程を行った後、第１のサイドウォール間
のシリコン系基板にＬＯＣＯＳ酸化膜を成長させて形成
する工程を行う。なお上記第３の工程で形成する第２の
酸化シリコン膜は上記第１の工程で形成する第１の酸化
シリコン膜よりも薄く形成することが望ましい。
成するためになされたＬＯＣＯＳ酸化膜の形成方法であ
る。すなわち、第１の工程で、シリコン系基板の上面に
第１の酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを積層して形
成し、シリコン系基板のＬＯＣＯＳ酸化膜の形成領域上
における窒化シリコン膜と第１の酸化シリコン膜とに開
口部を設ける。次いで第２の工程で、開口部の側壁に非
酸化性の第１のサイドウォールを形成し、第３の工程
で、開口部の底面側における前記シリコン系基板の表層
に第２の酸化シリコン膜を形成する。さらに第４の工程
で、第１のサイドウォールを覆う状態に、非酸化性の第
２のサイドウォールを形成し、次いで第５の工程で、第
２のサイドウォール間のシリコン系基板に溝を形成す
る。その後第６の工程で、溝周囲のシリコン系基板にＬ
ＯＣＯＳ酸化膜を形成する。または上記第１の工程ない
し上記第３の工程を行った後、第１のサイドウォール間
のシリコン系基板にＬＯＣＯＳ酸化膜を成長させて形成
する工程を行う。なお上記第３の工程で形成する第２の
酸化シリコン膜は上記第１の工程で形成する第１の酸化
シリコン膜よりも薄く形成することが望ましい。
【０００８】
【作用】上記ＬＯＣＯＳ酸化膜の形成方法では、開口部
の側壁に第１のサイドウォールを形成したことにより、
上記第１のサイドウォールとシリコン系基板とが接触す
る。このため、ＬＯＣＯＳ酸化時に上記第１のサイドウ
ォールによって、酸化の進行が阻止される。また第２の
サイドウォールに覆われた第２の酸化シリコン膜を形成
したことにより、ＬＯＣＯＳ酸化時において、酸化の一
部は当該第２のシリコン酸化膜にそって進行する。この
ため、第２の酸化シリコン膜によって酸化時の応力が緩
和されるので、シリコン系基板の素子形成領域側への結
晶欠陥の進展が抑制される。さらに上記第２の酸化シリ
コン膜を上記第１の酸化シリコン膜よりも薄く形成した
ことにより、酸化時の応力が緩和されやすくなるので、
結晶欠陥の発生は抑えるられる。
の側壁に第１のサイドウォールを形成したことにより、
上記第１のサイドウォールとシリコン系基板とが接触す
る。このため、ＬＯＣＯＳ酸化時に上記第１のサイドウ
ォールによって、酸化の進行が阻止される。また第２の
サイドウォールに覆われた第２の酸化シリコン膜を形成
したことにより、ＬＯＣＯＳ酸化時において、酸化の一
部は当該第２のシリコン酸化膜にそって進行する。この
ため、第２の酸化シリコン膜によって酸化時の応力が緩
和されるので、シリコン系基板の素子形成領域側への結
晶欠陥の進展が抑制される。さらに上記第２の酸化シリ
コン膜を上記第１の酸化シリコン膜よりも薄く形成した
ことにより、酸化時の応力が緩和されやすくなるので、
結晶欠陥の発生は抑えるられる。
【０００９】
【実施例】本発明の第１の実施例を図１に示す形成工程
図により説明する。図１の（１）に示すように、第１の
工程では、例えば熱酸化法または化学的気相成長法等に
よって、シリコン系基板１１の上面に第１の酸化シリコ
ン膜１２を、例えば２０ｎｍの厚さに形成する。続いて
例えば化学的気相成長法によって、上記酸化シリコン膜
１２の上面に窒化シリコン膜１３を、例えば２００ｎｍ
の厚さに形成する。その後、通常のホトリソグラフィー
技術とエッチングとによって、上記シリコン系基板１１
のＬＯＣＯＳ酸化膜の形成領域１４上における上記窒化
シリコン膜１３の２点鎖線で示す部分と上記第１の酸化
シリコン膜１２の１点鎖線で示す部分とを除去して開口
部１５を形成する。
図により説明する。図１の（１）に示すように、第１の
工程では、例えば熱酸化法または化学的気相成長法等に
よって、シリコン系基板１１の上面に第１の酸化シリコ
ン膜１２を、例えば２０ｎｍの厚さに形成する。続いて
例えば化学的気相成長法によって、上記酸化シリコン膜
１２の上面に窒化シリコン膜１３を、例えば２００ｎｍ
の厚さに形成する。その後、通常のホトリソグラフィー
技術とエッチングとによって、上記シリコン系基板１１
のＬＯＣＯＳ酸化膜の形成領域１４上における上記窒化
シリコン膜１３の２点鎖線で示す部分と上記第１の酸化
シリコン膜１２の１点鎖線で示す部分とを除去して開口
部１５を形成する。
【００１０】次いで図１の（２）に示す第２の工程を行
う。この工程では、例えば化学的気相成長法によって、
開口部１５の内壁と上記窒化シリコン膜１３の上面に、
第１の非酸化性の膜１６を、１０ｎｍの厚さに成膜す
る。この第１の非酸化性の膜１６は、例えば窒化シリコ
ン膜よりなる。その後、通常のエッチバック技術によっ
て、開口部１５の底面に形成された上記第１の非酸化性
の膜１６（２点鎖線で示す部分）が完全に除去されるま
で、エッチバックを行う。そして、開口部１５の側壁に
第１のサイドウォール１７を形成する。
う。この工程では、例えば化学的気相成長法によって、
開口部１５の内壁と上記窒化シリコン膜１３の上面に、
第１の非酸化性の膜１６を、１０ｎｍの厚さに成膜す
る。この第１の非酸化性の膜１６は、例えば窒化シリコ
ン膜よりなる。その後、通常のエッチバック技術によっ
て、開口部１５の底面に形成された上記第１の非酸化性
の膜１６（２点鎖線で示す部分）が完全に除去されるま
で、エッチバックを行う。そして、開口部１５の側壁に
第１のサイドウォール１７を形成する。
【００１１】続いて図１の（３）に示す第３の工程を行
う。この工程では、例えば熱酸化法によって、開口部１
５の底面側におけるシリコン系基板１１の表層（ＬＯＣ
ＯＳ酸化膜の形成領域１４）に第２の酸化シリコン膜１
８を、例えば８ｎｍの厚さに形成する。この酸化では、
ＬＯＣＯＳ酸化膜の形成領域１４以外のシリコン系基板
１１の表面側は、窒化シリコン膜１３および第１のサイ
ドウォール１７で覆われているので、酸化されない。
う。この工程では、例えば熱酸化法によって、開口部１
５の底面側におけるシリコン系基板１１の表層（ＬＯＣ
ＯＳ酸化膜の形成領域１４）に第２の酸化シリコン膜１
８を、例えば８ｎｍの厚さに形成する。この酸化では、
ＬＯＣＯＳ酸化膜の形成領域１４以外のシリコン系基板
１１の表面側は、窒化シリコン膜１３および第１のサイ
ドウォール１７で覆われているので、酸化されない。
【００１２】さらに図１の（４）に示す第４の工程を行
う。この工程では、例えば化学的気相成長法によって、
第１のサイドウォール１７の表面と開口部１５の底面と
窒化シリコン膜１３の上面とに、第２の非酸化性の膜１
９を、例えば１００ｎｍの厚さに形成する。この第２の
非酸化性の膜１９は、例えば窒化シリコン膜よりなる。
その後、通常のエッチバック技術によって、開口部１５
の底面に形成された上記第２の非酸化性の膜１９（２点
鎖線で示す部分）が完全に除去されるまで、エッチバッ
クを行う。そして、第１のサイドウォール１７を覆う状
態に開口部１５の側壁側に残した第２の非酸化性の膜
（１９）で第２のサイドウォール２０を形成する。さら
に、第２のサイドウォール２０間における第２の酸化シ
リコン膜１８の１点鎖線で示す部分も除去する。
う。この工程では、例えば化学的気相成長法によって、
第１のサイドウォール１７の表面と開口部１５の底面と
窒化シリコン膜１３の上面とに、第２の非酸化性の膜１
９を、例えば１００ｎｍの厚さに形成する。この第２の
非酸化性の膜１９は、例えば窒化シリコン膜よりなる。
その後、通常のエッチバック技術によって、開口部１５
の底面に形成された上記第２の非酸化性の膜１９（２点
鎖線で示す部分）が完全に除去されるまで、エッチバッ
クを行う。そして、第１のサイドウォール１７を覆う状
態に開口部１５の側壁側に残した第２の非酸化性の膜
（１９）で第２のサイドウォール２０を形成する。さら
に、第２のサイドウォール２０間における第２の酸化シ
リコン膜１８の１点鎖線で示す部分も除去する。
【００１３】続いて図１の（５）に示す第５の工程を行
う。この工程では、上記第２のサイドウォール２０と上
記窒化シリコン膜１３とをエッチングマスクにした通常
のエッチングによって、第２のサイドウォール２０間に
おけるシリコン系基板１１の２点鎖線で示す部分を除去
し、例えば深さが１００ｎｍの溝２１を形成する。
う。この工程では、上記第２のサイドウォール２０と上
記窒化シリコン膜１３とをエッチングマスクにした通常
のエッチングによって、第２のサイドウォール２０間に
おけるシリコン系基板１１の２点鎖線で示す部分を除去
し、例えば深さが１００ｎｍの溝２１を形成する。
【００１４】その後図１の（６）に示す第６の工程を行
う。この工程では、通常の熱酸化法によって、溝（２
１）の周囲のシリコン系基板１１にＬＯＣＯＳ酸化膜２
２を、例えば３００ｎｍ〜４００ｎｍの厚さに形成す
る。上記実施例で示した膜厚や深さ等の数値は一例であ
り、その値に限定されることはない。
う。この工程では、通常の熱酸化法によって、溝（２
１）の周囲のシリコン系基板１１にＬＯＣＯＳ酸化膜２
２を、例えば３００ｎｍ〜４００ｎｍの厚さに形成す
る。上記実施例で示した膜厚や深さ等の数値は一例であ
り、その値に限定されることはない。
【００１５】上記ＬＯＣＯＳ酸化膜２２の形成方法で
は、開口部１５の側壁に第１のサイドウォール１７を形
成したことにより、上記第１のサイドウォール１７とシ
リコン系基板１１とが接触する。このため、第６の工程
におけるＬＯＣＯＳ酸化時に、上記第１のサイドウォー
ル１７によって酸化の進行が阻止される。また第２のサ
イドウォール２０に覆われた第２の酸化シリコン膜１８
を形成したことにより、ＬＯＣＯＳ酸化時において、酸
化の一部は当該第２のシリコン酸化膜１８にそって進行
する。このため、ＬＯＣＯＳ酸化時の応力は第２のシリ
コン酸化膜１８によって緩和されるので、シリコン系基
板１１の素子形成領域側に結晶欠陥が進展しなくなる。
さらに上記第２の酸化シリコン膜１８を上記第１の酸化
シリコン膜１２よりも薄く形成したことにより、第２の
シリコン酸化膜１８の近傍のシリコン系基板１１が酸化
されやすくなるので、結晶欠陥の発生が抑えるられる。
は、開口部１５の側壁に第１のサイドウォール１７を形
成したことにより、上記第１のサイドウォール１７とシ
リコン系基板１１とが接触する。このため、第６の工程
におけるＬＯＣＯＳ酸化時に、上記第１のサイドウォー
ル１７によって酸化の進行が阻止される。また第２のサ
イドウォール２０に覆われた第２の酸化シリコン膜１８
を形成したことにより、ＬＯＣＯＳ酸化時において、酸
化の一部は当該第２のシリコン酸化膜１８にそって進行
する。このため、ＬＯＣＯＳ酸化時の応力は第２のシリ
コン酸化膜１８によって緩和されるので、シリコン系基
板１１の素子形成領域側に結晶欠陥が進展しなくなる。
さらに上記第２の酸化シリコン膜１８を上記第１の酸化
シリコン膜１２よりも薄く形成したことにより、第２の
シリコン酸化膜１８の近傍のシリコン系基板１１が酸化
されやすくなるので、結晶欠陥の発生が抑えるられる。
【００１６】次に上記第１の実施例を簡単化した形成方
法を第２の実施例として、図２の形成工程図により説明
する。図２の（１）に示すように、第１の工程では、上
記図１の（１）〜（３）により説明したと同様にして、
シリコン系基板１１の上面に第１の酸化シリコン膜１２
を形成し、さらにその上面に窒化シリコン膜１３を形成
する。次いで、上記シリコン系基板１１のＬＯＣＯＳ酸
化膜の形成領域１４上における上記窒化シリコン膜１３
と上記第１の酸化シリコン膜１２とに開口部１５を形成
する。続いて開口部１５の内壁と上記窒化シリコン膜１
３の上面とに、第１の非酸化性の膜１６を成膜した後、
通常のエッチバック技術によって、開口部１５の側壁
に、上記第１の非酸化性の膜１６よりなる第１のサイド
ウォール１７を形成する。さらに開口部１５の底面側に
おけるシリコン系基板１１の表層（ＬＯＣＯＳ酸化膜の
形成領域１４）に第２の酸化シリコン膜１８を形成す
る。その後図２の（２）に示すように、通常の熱酸化法
によって、シリコン系基板１１に、ＬＯＣＯＳ酸化膜３
１を形成する。
法を第２の実施例として、図２の形成工程図により説明
する。図２の（１）に示すように、第１の工程では、上
記図１の（１）〜（３）により説明したと同様にして、
シリコン系基板１１の上面に第１の酸化シリコン膜１２
を形成し、さらにその上面に窒化シリコン膜１３を形成
する。次いで、上記シリコン系基板１１のＬＯＣＯＳ酸
化膜の形成領域１４上における上記窒化シリコン膜１３
と上記第１の酸化シリコン膜１２とに開口部１５を形成
する。続いて開口部１５の内壁と上記窒化シリコン膜１
３の上面とに、第１の非酸化性の膜１６を成膜した後、
通常のエッチバック技術によって、開口部１５の側壁
に、上記第１の非酸化性の膜１６よりなる第１のサイド
ウォール１７を形成する。さらに開口部１５の底面側に
おけるシリコン系基板１１の表層（ＬＯＣＯＳ酸化膜の
形成領域１４）に第２の酸化シリコン膜１８を形成す
る。その後図２の（２）に示すように、通常の熱酸化法
によって、シリコン系基板１１に、ＬＯＣＯＳ酸化膜３
１を形成する。
【００１７】上記第２の実施例の形成方法では、第１の
サイドウォール１７を設けたことにより、ＬＯＣＯＳ酸
化膜の幅の制御性は向上する。また第２の酸化シリコン
膜１８を形成したことにより、酸化時の応力が緩和さ
れ、シリコン系基板１１の素子形成領域に発生する結晶
欠陥は低減される。
サイドウォール１７を設けたことにより、ＬＯＣＯＳ酸
化膜の幅の制御性は向上する。また第２の酸化シリコン
膜１８を形成したことにより、酸化時の応力が緩和さ
れ、シリコン系基板１１の素子形成領域に発生する結晶
欠陥は低減される。
【００１８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
開口部の側壁に第１のサイドウォールを形成したので、
ＬＯＣＯＳ酸化時には第１のサイドウォールが酸化の進
行を阻止する。この結果、ＬＯＣＯＳ酸化膜の幅の制御
性が高まり、寸法精度の向上が図れる。また第２のサイ
ドウォールに覆われた第２の酸化シリコン膜を形成した
ので、ＬＯＣＯＳ酸化時に、酸化の一部は当該第２のシ
リコン酸化膜にそって進行する。このため、ＬＯＣＯＳ
酸化時に応力が緩和されるので、シリコン系基板の素子
形成領域側に結晶欠陥が進展しない。したがって、素子
形成領域間のリーク電流の発生が無くなるので、信頼性
の向上が図れる。さらに上記第２の酸化シリコン膜を上
記第１の酸化シリコン膜よりも薄く形成したことによ
り、酸化時の応力が緩和されやすくなるので、結晶欠陥
の発生が抑えられる。
開口部の側壁に第１のサイドウォールを形成したので、
ＬＯＣＯＳ酸化時には第１のサイドウォールが酸化の進
行を阻止する。この結果、ＬＯＣＯＳ酸化膜の幅の制御
性が高まり、寸法精度の向上が図れる。また第２のサイ
ドウォールに覆われた第２の酸化シリコン膜を形成した
ので、ＬＯＣＯＳ酸化時に、酸化の一部は当該第２のシ
リコン酸化膜にそって進行する。このため、ＬＯＣＯＳ
酸化時に応力が緩和されるので、シリコン系基板の素子
形成領域側に結晶欠陥が進展しない。したがって、素子
形成領域間のリーク電流の発生が無くなるので、信頼性
の向上が図れる。さらに上記第２の酸化シリコン膜を上
記第１の酸化シリコン膜よりも薄く形成したことによ
り、酸化時の応力が緩和されやすくなるので、結晶欠陥
の発生が抑えられる。
【図１】第１の実施例の形成工程図である。
【図２】第２の実施例の形成工程図である。
【図３】従来例の形成工程図である。
【図４】別の従来例の形成工程図である。
１１ シリコン系基板 １２ 第１の酸化シリコン膜 １３ 窒化シリコン膜 １４ ＬＯＣＯＳ酸化膜の形成領域 １５ 開口部 １７ 第１のサイドウォール １８ 第２の酸化シリコン膜 ２０ 第２のサイドウォール ２１ 溝 ２２ ＬＯＣＯＳ酸化膜 ３１ ＬＯＣＯＳ酸化膜
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン系基板の上面に第１の酸化シリ
コン膜と窒化シリコン膜とを積層して形成し、前記シリ
コン系基板のＬＯＣＯＳ酸化膜の形成領域上における前
記窒化シリコン膜と前記第１の酸化シリコン膜とに開口
部を設ける第１の工程と、 前記開口部の側壁に非酸化性の第１のサイドウォールを
形成する第２の工程と、 前記開口部の底面側における前記シリコン系基板の表層
に第２の酸化シリコン膜を形成する第３の工程と、 前記第１のサイドウォールを覆う状態に、非酸化性の第
２のサイドウォールを形成する第４の工程と、 前記第２のサイドウォール間の前記シリコン系基板に溝
を形成する第５の工程と、 前記溝周囲のシリコン系基板にＬＯＣＯＳ酸化膜を成長
させて形成する第６の工程とを行うことを特徴とするＬ
ＯＣＯＳ酸化膜の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のＬＯＣＯＳ酸化膜の形成
方法において、 前記第１の工程ないし前記第３の工程を行った後、第１
のサイドウォール間のシリコン系基板にＬＯＣＯＳ酸化
膜を成長させて形成する工程を行うことを特徴とするＬ
ＯＣＯＳ酸化膜の形成方法。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載のＬＯＣＯ
Ｓ酸化膜の形成方法において、 前記第３の工程で形成する第２の酸化シリコン膜を前記
第１の工程で形成する第１のシリコン酸化膜よりも薄く
形成することを特徴とするＬＯＣＯＳ酸化膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2727593A JPH06224187A (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | Ｌｏｃｏｓ酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2727593A JPH06224187A (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | Ｌｏｃｏｓ酸化膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224187A true JPH06224187A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12216531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2727593A Pending JPH06224187A (ja) | 1993-01-22 | 1993-01-22 | Ｌｏｃｏｓ酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224187A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5972773A (en) * | 1995-03-23 | 1999-10-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | High quality isolation for high density and high performance integrated circuits |
| KR100418299B1 (ko) * | 1996-10-09 | 2004-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의필드산화막형성방법 |
| KR100439109B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2004-07-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 |
| US10014300B2 (en) | 2016-04-29 | 2018-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit devices having inter-device isolation regions and methods of manufacturing the same |
-
1993
- 1993-01-22 JP JP2727593A patent/JPH06224187A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5972773A (en) * | 1995-03-23 | 1999-10-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | High quality isolation for high density and high performance integrated circuits |
| KR100418299B1 (ko) * | 1996-10-09 | 2004-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의필드산화막형성방법 |
| KR100439109B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2004-07-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 |
| US10014300B2 (en) | 2016-04-29 | 2018-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit devices having inter-device isolation regions and methods of manufacturing the same |
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