JPH08502385A - pH制御した電気化学的エネルギー貯蔵及び/または配給セル - Google Patents

pH制御した電気化学的エネルギー貯蔵及び/または配給セル

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Abstract

(57)【要約】 エネルギー貯蔵及び/または電力発生の電気化学的方法及び単位セル(10)のアレーからなる装置であって、各セルは+ve電極(12)及び−ve電極(14)を有し、各セルの膜は、セルを正電解質及び陽電解質溶液(22、24)用の+ve及び−veチャンバー(22C及び24C)に分割しており、その電解質溶液は、離間したポンプ(26、28)及びタンク(32、34)を通して再循環され、チャンバーに戻される。アレーにおいて隣接するセルの間の中間電極は、+ve側及び−ve側の両方を備える。臭素−イオウの組み合わせが採用される。pH変化及び/またはヒドロキシルイオン濃度変化を補償する手段が、セルのアレーの+ve及び/または−ve側に備えられる。臭素、イオウ及び/または水の膜を介した泳動または他の損失の発生を幾分抑制する手段、及び長期間に渡る安定した作動を有する高エネルギー貯蔵及び高電力を生じるように、臭素の酸性化の影響を制限する手段、及び実質的に全放電サイクルを通して出力電力及び電圧を高レベルに保持する手段が備えられる。

Description

【発明の詳細な説明】 pH制御した電気化学的エネルギー貯蔵及び/または配給セル 本発明は、エネルギー貯蔵及び電力発生システム全般に関し、正(以後+ve とする)及び負(以後−veとする)という相対する電極において可逆的電気化 学反応が起こり、充電及び放電サイクルにある電解質にエネルギーが貯蔵され、 また引き出されるシステムに関する。本発明の目的にとって重要な反応は、実質 的に可逆であるので、そのようなシステムへのドライビング(driving)電流が 、化学試薬にエネルギーを貯蔵することによってシステムを充電する。電気化学 反応は、選択的電荷キャリアがその膜を通して配給されるイオン交換膜のいずれ かの側で起こる。電力発生中、これらの反応が反転し、負荷に電流(電力)を供 給する。本発明は、特に、電解質のpHが制御されたシステムに関する。 セルを再貯蔵するために、ドライビング電流をセルに入れるのに匹敵するよう に、いくつかのシステムが、セル(cell)の外部でその試薬を再構築または再生 する。 そのようなエネルギー貯蔵及び電力発生システムは、数年来知られている。こ れらのシステムの主な限界は、単純な直接的化学反応と見えるものの実用への応 用から生じていた。危険な材料、効率、システムの大きさ、プラギング(pluggi ng)及びクロッギング(clogging)、ガス発生、材料の”プレーティング・アウ ト(plating out)”または沈澱、材料コスト及び運転コストが、実用上の問題 の重要事項である。そのようなシステムの他の限界は、システム放電時の電力出 力の損失である。 これらのシステムの根本をなす化学反応は、システムの充電時には一方の方向 に反応が進行し、システムによって電力が発生している間は逆方向に反応が進行 する化学反応式によって特徴づけられる。このレドックス系の一例が以下の式に よって与えられるが、この「レドックス」という用語は、還元と、それに対応す る酸化とが同時に起こる反応と定義される。 (式1) Cr2+ + Fe3+ ←→ Cr3+ + Fe2+ この系では、クロムが高価であり、クロムと鉄、即ち膜の両側が他の側を汚染 するという欠点があった。これは、電解質の頻繁な再処理を必要とする。しかも 、反応を進行させるために貴金属触媒を必要とする。われわれの、1978年1 月17日に発行された「エネルギー変換」という名称の米国特許番号40693 71には、pHの上昇傾向があることを記載している。 電気を製造する電気化学的セルの他の例は、亜鉛−臭素セルであり、全化学反 応は次の式で表される。 (式1a) Zn + Br2 ←→ Zn2+ + 2Br- この系の主要な欠点は、電極上への亜鉛の不均一な析出であり、それは、セル のアレー(array)をサイクルさせたときに不均衡をもたらす。 US−A−4485154は、電気的再充電可能なアニオン性活性エネルギー 貯蔵及び電力配給システムを開示しており、それは、スルフィド−ポリスルフィ ドカソード反応及びヨウ素−ポリヨウ素、塩化物−塩素、または臭化物−臭素ア ノード反応を用い、再循環電解質をともなっている。 臭素/スルフィドの組み合わせを用いたUS−A−4485154の系を作動 する上での欠点は、周期的にサイクルさせるとカソード電解質のpHが低下する ことであり、これはH+イオンのアノードへの拡散及び電気的配給を招き、また 、H2Sの形成を促してアノードのpHの低下も招くことである。 US−A−4343868は、亜鉛−臭素バッテリーを開示しており、亜鉛が 負電極を形成し、セルの電気化学反応に参加している。副反応のひとつが水素の 発生であり、負電極での水素イオンの損失を促してpHを上昇させる。水素イオ ンを発生させて負電極でのpHを下方に調製するための手段が、US−A−43 43868に開示されている。 本発明の目的は、セルの一方または両方のチャンバー(chamber)におけるp H変化及び/またはヒドロキシルイオン濃度変化を、水素イオンの発生によって 補償するエネルギー貯蔵及び/または電力配給方法及び装置を提供することにあ る。 本発明の他の目的は、一方または両方の電解質をセルの外部から置き換えるか 再構成し、セルを連続的に作動可能にすることにより、化学的に再充電できる方 法を提供することにある。 本発明のさらに他の目的は、電気的に充電可能で、経済的な電力発生を提供す ることにある。 本発明のさらに他の目的は、実用に当たって十分な電力密度を有する方法を提 供することにある。 本発明の他の目的は、システムが低い充電状態であっても、実質的に最大電力 を提供することにある。即ち、電力発生が合理的に一定にとどまり、完全放電近 くになるまで実質的に同じに維持されることである。 上述の目的は、電解質のpH変化を補償するpH手段を備えるシステムで解決 される。 従って、一の実施態様にあっては、本発明はエネルギー貯蔵/及びまたは電力 配給のための電気化学的装置を提供する。その装置は以下の手段からなる。 (a)全液体系において電解質の流動を保持し循環する手段であって、活性成分 はすべて単一セルまたはセル構造を繰り返したアレーに可溶であり、各セルは不 活性+ve電極を持つチャンバー(+veチャンバー)と、不活性−ve電極を 持つチャンバー(−veチャンバー)とを有し、前記チャンバーは、イオン交換 膜で互いに隔絶されており、電力配給中に−veチャンバー内を循環する電解質 はスルフィドを含み、電力配給中に+veチャンバー内を循環する電解質は液体 酸化試薬を含む手段、 (b)各チャンバーから、セル体積のみとした場合より長い放電サイクルに渡っ て、延長された電力配給をするのための、セル体積より大きな体積を持つ電解質 の貯蔵手段に電解質を循環させることにより、前記+veチャンバー及び−ve チャンバー内の電解質を貯蔵または補充する手段、及び、 (c)水の分解によってOH-イオンを生成する手段からなる、+ve及び/ま たは−veチャンバー内のpH変化及び/またはヒドロキシルイオン濃度の変化 を補償する手段。 さらなる実施態様にあっては、本発明はエネルギー貯蔵/及びまたは電力配給 のための電気化学的方法を提供する。その方法は以下の工程からなる。 (a)活性成分が単一セルまたはセル構造の繰り返しのアレーにすべて可溶であ り、各セルが不活性+ve電極を持つチャンバー(+veチャンバー)と、不活 性−ve電極を持つチャンバー(−veチャンバー)とを有し、前記チャンバー が、イオン交換膜で互いに隔絶されており、電力配給中に−veチャンバー内を 循環する電解質はスルフィドを含み、電力配給中に+veチャンバー内を循環す る電解質は液体酸化試薬を含む全液体システムにおいて、電解質の流動を保持及 び循環し、 (b)各チャンバーから、セル体積のみとした場合より長い放電サイクルに渡っ て、延長された電力配給をするのための、セル体積より大きな体積を持つ電解質 の貯蔵手段に電解質を循環させることにより、前記+veチャンバー及び−ve チャンバー内の電解質を貯蔵または補充し、及び、 (c)水の分解によってOH-イオンを生成することにより、+ve及び/また は−veチャンバー内のpH変化及び/またはヒドロキシルイオン濃度の変化を 補償する。 本発明の好ましい実施態様にあっては、電力発生の間に+veチャンバー内を 循環する液体酸化試薬は臭素であり、含まれる化学反応は、次の式で表される。 (式2) Br2 + S2- ←→ 2Br- + S ここで、イオンはそれらの試薬の塩から供給される。式2に好適な塩はKBr及 びK2Sというカリウム塩であるが、ナトリウム塩も、Na2SがK2Sより溶解 性が低いことを除けばほぼ同様に働く。構造はセルのアレーからなり、各セルは +ve電極と−ve電極とを有する。各セルのイオン交換膜は、セルを+ve及 び−veチャンバーに分割している。式2の電気化学反応は、実際には別々に起 こるが、臭素及びイオウの反応に依存している。臭素反応は膜の+ve側で起こ り、イオウ反応は膜の−ve側で起こる。 充電(セルの貯蔵)が起こると、式2の反応は右から左に進行する。一方、放 電(負荷への電力供給)のときは、式2は左から右に進む。 臭素反応について、充電の間、Na+イオンが+ve側から−ve側へ膜を介 して輸送されて電荷を均衡させ、Na25をNa2Sに変換する。2価に荷電し たポリスルフィドイオン(S2-・Sx、Xは4以下)として存在するイオウは、 最初はS-2・Sx-1に、ついでS2-に還元される。Br-はBr2に酸化され、ト リブロマイドイオンBr3 -として溶液に入るが、それは、放電中にS2-イオンを イオウに再酸化する。フリーの臭素は、水に非常によく溶けるわけではない。水 100c cに3から4グラムである。しかし臭化物塩溶液には非常に溶け易く、ポリブロ マイドイオンを形成する。臭素の主要な源は海水である。 臭素分子(Br2)は、電気化学反応の必須部分として形成されるが、このB r2は、水と反応して酸を形成する傾向がある。例えば、(簡単に書けば) (式3) Br2 + H20 ←→ HBr + HBrO +ve電極表面の活性炭素は、この酸生成反応を促進(触媒)するので、+v e電極上には用いられない。しかし、−ve側ではそのような問題は生じないの で、活性炭素は−ve電極上に用いられる。 また、+ve側電極が充電中に部分的にスターブ(starve)されたとき、そし て充電電圧が十分高いときは、その電極で酸素が発生して放出され、電解質中に H+イオン(酸)が生まれる。 H+はカチオン膜を通して拡散または電気的に輸送されるので、そのような酸 の生成は避けるか最小にするべきである。これらすべては−ve側のpHの低下 を招き、H2Sの形成を促す。従ってシステムの作動性を悪化させる。本発明は +ve側でのpH(H+生成)の調節機構を提供する。 膜の両側での電解質の流動が提供されるが、好ましくは、一度使用したものの 多くを再循環させる。これらの再循環電解質は独立したコンテナに貯蔵されるが 、このコンテナは、好ましい実施態様での特別な要求に対して十分大きな量であ る。 循環は、電解質をろ過してもよい、また、システムをオフ・ラインにしなくても 、日常的に再構成させてもよい。 臭素系では、+ve側で電解質が循環されると、臭素は溶液から+ve電極表 面及び/またはその多孔質基質に吸収される。これは温和な多孔質構造を与え、 そこでは臭素が高濃度(即ち、高い電流供給における大きな出現性)に維持され る。多孔性は、大きな表面積を提供するので、放電中の効率を向上させる。多孔 質材料は、好ましくは二酸化ケイ素または二酸化ケイ素/活性炭素混合物の粒子 からなり、その粒子は大きな表面積を与える。活性炭素単独でも使用してよいが 、その使用はBr2の水による加水分解を増大させ、HBrを生成させてpHを 極度に低下させる。二酸化ケイ素は、酸の生成を低減する。二酸化ケイ素の多孔 質表面は、放電の要求に対して即座に臭素を供給するので、実質的に完全放電に なる まで最大電力が供給される。この放電の間、セルの出力電圧は、ほぼ一定であり 、分極損失はほとんど無い。 電力配給中に+veチャンバー内に循環される電解質は、臭素以外の液体酸化 試薬を含んでよいと理解される。電気化学反応の最中に+veチャンバーのpH が低下したときは、+veチャンバー内の電解質のpHは、本発明の従って調整 される。+veチャンバーのpHが低下しないならば、OH-イオンの生成によ るこのチャンバーのpHの調整は必要ない。 本発明の方法及び装置は、セルの−veチャンバーのみのpH及び/またはヒ ドロキシルイオン濃度の調整に用いてもよい。−veチャンバーでのpH変化及 び/またはヒドロキシルイオン濃度変化の補償は、OH-イオンの生成を含んで いる。一般に、セルの−ve側の作動は、−ve電解質に含まれるスルフィドか らのHS-イオンの生成を防止するために、高いpH及び/またはフリーのヒド ロキシルイオンの存在下で行う必要があるからである。 系の−ve側は電極を有し、その電極は、+ve電極で述べたのと同様に、引 き続く放電でS2-溶液を吸収し、性能を向上させる。多孔質活性炭素が一般に採 用される。−ve電極における多孔質活性炭素は、スルフィドの反応速度を向上 させる働きをする。 中間電極(媒介またはバイポーラー(bipolar)電極とも定義される)は、上 記の同じ基質から形成された−ve電極を一方の表面に、+ve電極を他方の表 面に結合される。 −ve側から+ve側への膜を介したスルフィドの幾分の漏れがあるかもしれ ない。その結果としての電解質中のフリーなイオウは、その電解質の循環中にろ 過される。そのような漏れによる系の劣化を克服するひとつの方法は、フィルタ ーを−ve電極側の循環に周期的に切り換えることである。ここで、イオウは、 ポリスルフィドとして再溶解されて再貯蔵され、再利用のために電解質に与えら れる。 臭素系では、臭素イオンの−ve電極側への幾分の拡散があり、+ve側での 試薬の損失、電解質組成の不均衡、及びクーロン損失を招くことがある。この状 況は、−ve電極側に適当な(初期の)濃度のNaBrを導入してBr-イオン を 供給し、それが+ve側に拡散して+ve側からの臭素の泳動と均衡することに よって補正される。 装置は、その中にイオン輸送手段を有するが、臭素系で好ましいのは膜であり 、その膜はフッ化炭素ポリマー構造(臭素に対して高い化学耐性を有する)であ って、ガンマ線照射によってスチレンで分岐され、硫酸またはカルボン酸末端基 で機能化されて電荷キャリアを与えられたものが好ましい。この膜はカチオン選 択性(Na+のような正イオンが膜を通して移動する)であり、膜を介したS2- の泳動を有効に妨害する。 この系では、セルの作動を中断することなく、電解質の全部または一部を周期 的に交換することが可能である。これは、セル外部で電解質を処理または補充す ることを可能にする。 また、他の好ましい実施態様では、臭素及びスルフィド溶液の一方または両方 において、ナトリウムがカリウム、リチウム、またはアンモニウム、あるいはそ れらの混合物、または他の適当な置換体と置き換えられている。 他の目的、特徴及び利点は、添付した図面を参照した好ましい実施態様の以下 の詳細な説明から明らかになる。 図1Aは、本発明の好ましい実施態様で使用されるセルの基本要素の模式図で ある。 図1Bは、図1Aのシステムを使用したセル・アレーの図であり、その製造工 程を図1Cに示している。 図2は、図1Aのセルを用いた流体フロー・システムのブロック図である。 図3Aは、図1Aのセルの+ve及び−veの両方におけるpH制御のブロッ ク図である。 図3Bは、pH制御セルの代替型である。 図3Cは、pH制御セルのさらなる代替型である。 図4Aは、セルの−ve側におけるpH制御のブロック図である。 図5は、単一セルの典型的なサイクルであり、図6Aから6Cは、実施例2に 記載したセルにおけるpH制御を例示している。 図1Aはセル10を示し、このセル10は、+ve電極12、−ve電極14 、 及び電荷キャリアを与えるスチレンスルホン酸官能基を持つフッ化炭素からなる カチオン膜16を有している。この膜16は、セル10の+ve及び−ve側を 分離する役目をはたし、+ve側から−ve側への臭化物イオンの泳動を最小に し、−ve側から+ve側へのS--イオンの泳動を最小にするように選択されて いる。NaBr水溶液22は、+ve電極12と膜16との間に形成されたチャ ンバー22Cに供給され、Na2x水溶液は、−ve電極14と膜16との間に 形成されたチャンバー24Cに供給される。他の実施態様においては、Na2x 溶液より溶解性が高くて高価なK2x溶液が用いられる。 セルが放電状態にあるとき、6.0モル濃度までのNaBr溶液が、セルのチ ャンバー22Cに存在し、0.5から1.0モル濃度のNa2x溶液が、セルの チャンバー24Cに存在する。K25では、さらに高いモル濃度が可能である。 セルが充電されるとき、Na+イオンは、図1Aに示すように、セルの+ve 側から−ve側へカチオン膜16を通して輸送される。自由な臭素が+ve電極 における臭化物イオンの酸化により生成され、トリブロマイド(三臭化物)イオ ンまたはペンタブロマイド(五臭化物)イオンとして溶解する。イオウは−ve 電極において還元され、充電の完了まで進行すると、ペンタスルフィド(pentas ulfide)塩、Na25が結局はモノスルフィドになる。+ve側では、次の反応 が起こる。 (式4) 2Br- → Br2 + 2e- そして、−ve側では次の反応が起こる。 (式5) S + 2e- → S2- 膜は2つの電解質を分離し、バルク混合(bulk mixing)を防止し、また、− ve側からのS2-の泳動、及び+veから−ve側へのBr-及びBr2の泳動( 拡散)を妨げる。S2-の拡散は、クーロン損失(coulombic loss)及び+ve電 極での沈澱による懸濁をもたらす。+ve側に存在するすべてのS2-イオンは、 充電中に生成されるBr2によって酸化される。イオウは水またはNaBr溶液 に不溶であり、微小粉末懸濁または沈澱として出現する。 サイクルを延長すると、セルの+ve側にイオウの蓄積が生ずることもある。 イオウをラインに組み込んだフィルターで捕捉すれば、−ve側に戻すことが可 能で、作動中に適当な回数の再溶解をすることができる。 電力を供給しているとき、セルは放電される。この動作の間は、2つの電極で 逆の反応が生じている。+ve側電極12では、臭素がBr-に還元され、−v e電極では、S2-イオンが酸化されてS分子になる。−ve電極で生成された電 子は負荷を通して電流を形成する。+ve電極での化学反応は、1.06から1 .09ボルトを発生し、−ve電極での化学反応は、0.48から0.52ボル トを発生する。組み合わされた化学反応は、セル当たりに、1.54から1.6 1ボルトの開回路電圧を発生する。 臭素/イオウの組み合わせでのエネルギー密度は、+ve側のBr2の透過可 能な最大濃度によって制限され、NaBr及びNa2Sのような塩の(高い)溶 解度によっては制限されない。 酸化/還元過程における正逆の素反応で反応するイオンはS2-とBr-である 。それらと共同するカチオンは、エネルギー生成過程に実質的に参加しない。よ って、「便利な」カチオンが選ばれる。ナトリウムまたはカリウムが好ましい選 択である。ナトリウム及びカリウム化合物は、豊富であり、安価であり、水溶性 が高い。リチウム及びアンモニウム塩もまた可能であるが、コストが高い。 図1Bは、電気的に連続して接続された複数のセル及び平行な流体のアレー2 0を示す。すべてのセル・チャンバー22C、24Cにおいて、複数の中間電極 (mid-electrode)13(各々が、+ve電極側12A及び−ve電極側12B を有する)、及び末端電極12E(+ve)、及び末端電極14E(−ve)は 、膜16、及びスクリーンまたはメッシュのスペーサー(22D、24D)によ って互いに隔絶されている(22D、24Dの2つの部分に例を示した)。これ らが、末端セルCE1及びCE2及びn#の中間セル(mid cell)CM(典型的には 10から20個だが、それより多くも少なくも調整できる)のアレーを形成して いる。末端電極12E(+ve)及び14E(−ve)は、それらの内部にカプ セル化された導電体12F及び14F(通常は銅スクリーン(screen))を有し 、それらの導電体12F、14Fは外部の端子12G及び14Gに導かれ、それ らの端子12G、14Gは、外部負荷(例えば、制御回路を介したモーター、車 を作動させるモーター)または電源(例えば、ロード・レベリング・デバイス( load-levellin g device)として用いられるときのユーティリティ・パワー・グリッド(utilit ypower grid))に接続されている。 図1Cは、図1Bのようなセル・アレーをカプセル化する方法を示す。(図1 Bに示したような)セル・アレー20は、クランピング(clumping)ブロックC Bの間に保持され、その一端が、液体エポキシ樹脂(図示せず)のバスを有する 浅いコンテナ中に浸漬される。そのエポキシ樹脂が硬化してバッテリーの壁を形 成する。NaBr溶液を供給するための供給管22Nを有する多岐管(マニホル ド)のような流水路が備えられる(図示しないが、類似の配置が硫化ナトリウム 溶液の供給のために備えられる)。これらの流水路は、電極及び膜の縁部と同時 にカプセル化される。 バッテリーを90度ずつ回転させて上記の工程を3回繰り返し、4枚の長い壁 を形成させる。電解質の回収のための多岐管及び管は、上面に配置される。さら に、末端電極12E及び14Eの裏側でもカプセル化する事ができる。 カプセル化の別の方法は、可溶性または低融点の固体を用い、その固体で、バ ッテリー20のすべてのセルのセル・チャンバー22C、24C及び多岐管及び 管を満たす。次いで、バッテリー全体を、深いエポキシ樹脂バスに浸漬する。エ ポキシ樹脂が硬化した後、バッテリーの循環通路に水または他の溶媒を供給する か、加熱して固体を溶融させる。 他の有効なカプセル化方法は、板と枠の構造体(図示せず)であり、それは十 分短時間の完全なシーリング(sealing)を持ち、ケース化(encasing)ポリマ ー(エポキシ)が一回注入できる。そのポリマーが、電極と膜のすべての縁部に 沿って長時間のシーリングを与える。 カプセル化のいかなる実施態様においても、目指すところは、(a)セルとセ ル間の漏れ、(b)管間及び多岐管間の漏れ、(c)環境への漏れを防止し、( d)短く狭い断面の管を提供することである。 図2は、ひとつまたはそれ以上のバッテリー即ちセル・アレー構成(format) 20を用いた自由流動システム、電力発生/貯蔵システムを示す。各セル10は 、NaBr及びNa25溶液(各々22及び24)用のポンプ26及び28を通 して電解質を受容する。電解質22及び24は、コンテナ−32及び34に貯蔵 さ れている。タンク32、34は、新たな電解質を入れたタンクと入れ換える、及 び/または、浪費した(放電した)試薬を排出する図示しないラインを持つライ ン23R、34Rを通して、充電した供給源から新たな電解質を再充填すること により、新たに充電された電解質と置き換えることができる。 図3Aは、セルチャンバー22C及び24C両方からの電解質のpH制御を有 する完全なシステムを示す。チャンバー22Cは、その中に+ve電極12を有 し、チャンバー24Cは、その中に−ve電極14を有する。後に理解されるが 、いくつかの条件下では、pH制御はセルの一方の側でのみ必要とされる。電解 質22及び24は、ポンプ26及び28によって、各々タンク32及び34から 汲み出され、各々のチャンバー22C及び24Cに供給される。 セルのチャンバー22Cを離れた電解質22は、ライン35を通過してpH補 償セル36に至る。このpH補償セル36は、その中に、+ve電極38と−v e電極39を備えている。pH補償セルを流れる電解質のpHは、H2ガスの発 生によって上昇する。その発生した水素ガスは、タンク32に設けられた通気孔 37を通して排出される。このH2ガスは、水の分解によって放出され、残され たOH-が、+ve電極で生成されるH+イオンを補償する。 +ve電極側で用いられる代替的pH補償セルを図3Bに示す。この実施態様 では、セル36’は、+ve電極38’及び−ve電極39’を備えている。セ ルは、マイクロポーラスセパレーター40によって、2つの区画41及び42に 分けられている。水の分解で生成されたH2は、通気孔43によりセル36’か ら直接排出されるので、タンク32の通気孔37は余分になる。 pH補償に適用できる半電池反応は以下の式である。 (式6) H2O + e ←→ 1/2H2 + OH- pH補償セルにおいて、その+ve電極でBr2が生成され、−ve電極では H2が生成され、全反応は次の式で表される。 (式7) H2O + NaBr ←→ NaOH + 1/2Br2 + 1/2H2 図3Aを参照すると、臭素は単に+ve電解質に溶解して、放電に役立つよう になる。H2は、タンク32の通気孔37から放出されるか、または図3Bに示 したような膜を採用すれば、pHセル36自体から排気される。 図3Aに示したように+ve電極ラインにpHセル36を配置すると、問題の 電源側での酸生成を補償し、副生成物としてのBr2の生成を増加させてそのユ ニット(unit)の全効率を向上させるという利点を持つ。 +ve電極を二酸化ケイ素で被覆すると、+ve側での過剰な酸性化を防止し 、+ve側のpHの下降ではなく上昇を招く。これは、+ve側のpHが、膜を 通して−ve側に輸送されるにつれて上昇するからである。−ve側に移動した H+ィォンは水を生成し、システムから消失する。+ve電極の二酸化ケイ素被 覆に活性炭素を混合することにより、+ve側におけるpHの上昇を修正するこ とができる。二酸化ケイ素はpHに直接影響を与えないが、上述したようにpH 上昇する傾向があるのに対し、活性炭素はpHを下降させる傾向がある。そのよ うにしてpHの緩慢な下降が得られ、それは、上記式6で与えられる半電池反応 によって補償される。そのようなpH補償の代替的方法は、+ve電解質の少な くとも一部を活性炭素を含むチャンバー中を通過させることである。その通過中 に、活性炭素が上記式5の反応を促進するので、+ve電解質のpHは低下する 。よって、活性炭素を含むチャンバーを通過させる電解質の量を変えることによ り、または、+ve電解質を、活性炭素を含むチャンバーに断続的に通過させる ことにより、H+(即ちHBr)の生成が制御される。 +ve側のpHの上昇を制御する他の方法は、図3Cに示すような違う型のp H制御セルを採用することである。 このセルは、Br-イオンがスターブされた構成に設計されており、+ve電 極でO2ガスが生成され、放出されるようにされている。全反応は、次の式で表 される。 (式8a) 2H2O + 2Br2 → O2+ 4H++ 4Br- +ve電極での反応は次の通りである。 (式8b) H2O → 2H++1/2O2+2e- また、−ve電極での反応は次の通りである。 (式8c) 2e- + Br2 → 2Br- 図3Cを参照すると、セル36’’は、+ve電極38’’と−ve電極39 ’’を備えている。このセルは、マイクロポーラス膜セパレータ40によって、 二つの区画41’及び42’に分割されている。+ve電解質の流れは、2つに 分流され、一方はセルの+ve側41’を通過し、他方は−ve側42’を通過 するようにされている。分流された流れがセルから出た後、それらは再び合流す る。+ve電極での水の分解により生成されたO2は、通気孔49’を通してセ ル36’’から直接放出されてもよい。 図3Aを参照すると、pH補償セルは、セル流体回路の−ve側にも配設され ている。 このセル45は、その中に+ve電極46と−ve電極47を備えている。セ ルのチャンバー24Cを離れた電解質24は、ライン44を介してpH補償セル 45に至る。このセル45の+ve電極から−ve電極へ電流を流すことにより 、水が分解されてH+とOH-イオンが生成される。タンク34へのOH-イオン の流れが、電解質24のpHを高く保つのを助けるが、−ve電極において水か ら放出されたH2は、タンク34に備えられた通気孔48を通して排出される。 +ve電極においては、スルフィドイオンが酸化されてイオウになり、システム の放電を招く。 全反応は、次の式で表される。 (式9) 2Na2S + 2H2O 2NaOH + H2 + Na22 自由なイオウは、Na2Sを重合し上記の二硫化ナトリウムを形成する。 pHセルは、マイクロポーラス膜を採用してもしなくてもよく、性能の多面性 (versatility)及び設計されたシステムのレスト(rest)からのH2ガスの分離 の型による。膜を有して作動するように設計した場合は、そのセルは図3Bのセ ルと類似したデザインを有し、セルの−ve電極側からH2ガスを逃がす通気孔 を持ち、電解質24は、セルの+ve側の中を通過する。そのような代替的配置 では、電解質タンク34の通気孔48は不要である。 図4は、−ve側のセル流体回路で用いられる代替的pH補償を例示する。 pH制御セル80は、セルの−veチャンバー24Cからの電解質24の流路 に配置される。セル80の−ve側は、”スターブした(starved)”カソード 86を有する。DC電流が+ve電極82から−ve電極86に通され、水が電 解されてカソード86でH2が発生し、また、生成されたOH-イオンが電解質溶 液の pHを上昇させ、よってセル10の−ve側から+ve側へのOH-イオンの泳 動によって補償される。セル80のカソード86は、OH-イオン生成を最大に し、硫化ナトリウムの生成を最小にするために”スターブ”される。カソード8 6のスターブは、カソードを、薄いポーラス層に対面させて、−ve電極表面で のナトリウムポリスルフィドの出現を低減し、よって、水の電解を促進すること により達成される。カソード86に対面させる好ましい多孔性物質は、ケンダー ル社(Kendall Co.)製のウェブリル(Webril)布のようなポリプロピレン不織 布である。 pH制御セル80の+ve電極では、以下の反応が起こっている。 (式10A) S + Na2x → Na2X+1 pH制御セル80の−ve電極では、以下の反応が起こっている。 (式10B) H2O + e- → OH- + 1/2H22ガスは、通気孔85により、タンク34から排出することができる。 pH制御セル80は、必要に応じて、セルを+veチャンバーと−veチャン バーとに分割するための膜を採用してもよい。そのような実施態様では、生成さ れたH2ガスは、セルの−veチャンバーから直接放出される。 電極の製造 末端電極は中間電極とは異なる。なぜなら末端電極は、電極領域を越えて通じ た(running across)構造物内に埋め込まれた金属導体を有していなければない からである。この金属導体は、それらが作られる原料となる基質原料(substrat e material)の抵抗が、外部電気コネクタへ十分に電気伝導させるためには高す ぎるという理由により必要とされる。例えば0.25cm(0.10インチ)厚 の基質原料の25cm×25cm平方(10インチ×10インチ平方)のものは 、約10オームの抵抗を有するであろうが、対応するセルは約0.01オームの 内部抵抗を有している。およそ同じ面積を有し電極に埋め込まれた0.025c m(0.010インチ)厚の銅のシートは、有効な抵抗を約100マイクロオー ムまで低減させるであろう。末端電極はユニポーラー(unipolar)であるが、中 間電極はバイポーラー(bipolar)である。導電体シートは、薄いスクリーン構 造であり、末端電極の長さ方向に沿って配設され、電流路に沿って機械的に良好 な接 触がなされている。 バイポーラーの中間電極を作製する方法は以下の通りである。基質は、プラス チックバインダーあるいは他の適当なバインダーと混合したグラファイト薄片( flakes)から形成され、通常その化合物の重量比は1:1である。その混合物は 加熱および/または乾燥法により水分を除去され、シート状に形成され、使用さ れる原料に適当な温度と圧力で高温プレスされる。 次いで、その基質の−ve側を活性炭素粒子で、+ve側を二酸化ケイ素また は二酸化ケイ素/活性炭素粒子の混合物で被覆するが、それは、成型プレート表 面に活性炭粒子を散布して配置し、その基質を高温プレスし、基質の全ボイドを 完全にシールしてその表面に上記粒子を埋め込むことによって行われる。電極の 表面処理に使用するために適当なタイプの活性炭は、ノース・アメリカン・カー ボン社(North America Carbon Co.)のG212、バーナベイーチェニイ社(Ba rnebey-Cheney Co.)のUU、カルゴン・カーボン社(Calgon Carbon Co.)のG AC、またはカルゴン・カーボン社のPCBである。 各プレス工程の後、プレス成型とその内容物は、曲がり(bowing)やゆがみ( warping)に対して保護し、さらにコンパクトで非多孔質の構造を確保するため に、水冷熱交換体によって加圧下で冷却される。 末端電極は、バイポーラー中間電極を作製した方法として記載したものと同様 の一般的方法で、グラファイト薄片とプラスチックバインダーを合わせて混合し て基質を作製することにより調製される。 これらの基質は、ついで、導電性スクリーン、例えば銅スクリーンを用い、そ の間に入れてサンドイッチ状に形成される。この組立品(assembly)は、高温プ レスされて末端電極基質を形成し、ゆがみを最小限にするために加圧下で冷却さ れる。 ついで、−ve電極あるいは+ve電極のどちらが形成されるのかによって、 この基質の一表面は、活性炭あるいは二酸化シリコン粒子、あるいは二酸化シリ コン/活性炭粒子の混合物で表面処理される。このことは、必要な粒子(活性炭 または二酸化シリコン)を散布したものを電極表面におき、高温プレスしてその 表面に粒子を埋め込むことにより達成される。各プレス工程の後、プレス成型と その内容物は、曲がりやゆがみに対して保護するために、例えば水冷熱交換体を 用いて冷却される。 膜 本発明で記載した臭素システムで用いられる膜の一例は、ガンマ線放射により スチレンを分岐し、硫酸またはカルボン酸末端基で機能化したフッ化炭素ポリマ ーからなるカチオン交換膜である。このフッ化炭素は、好ましくはフッ素化した エチレン−プロピレンコポリマーである。この膜は、フッ化炭素ポリマー上に、 ガンマ線放射によりスチレンをグラフト化し、そのグラフト化ポリマーを、例え ばクロロ硫酸を用いて硫酸化したり、カルボン酸基で機能化することにより調整 される。 この膜は、好ましくは0.005から0.0175cm(0.002から0. 007インチ)の厚さ、さらに好ましくは約0.0125cm(0.005イン チ)の厚さである。この膜は、好適な厚さのエチレン−プロピレンコポリマー・ ベースフィルムから調整されるが、それは、例えばコバルト−60源からのガン マ線照射によりスチレンをグラフト化される。ビニル置換モノマーを放射グラフ ト化しポリオレフィンフィルムとするのは、この分野で周知であり、米国特許番 号4230549及び4339473を参照できる。 本発明で用いられる典型的な膜の調整においては、フッ化炭素フィルムが吸収 性紙の内層とともに巻いてバルクロール(bulk roll)とし、それを、ステンレ ス・スチール製反応容器に入れる。次いで、塩化メチレン等の適当な溶媒中のス チレンを反応容器に移し、前記バルクロールを例えば24時間浸しておく。系を 脱気して酸素を除去し、バルクロールを、例えばコバルト−60源からのガンマ 線に予め設定したドーズ量(dose)まで曝す。その後、バルクロールを洗浄し、 例えばクロロ硫酸と反応させて硫酸化する。硫酸化は、発煙硫酸を用いても達成 される。 フッ化炭素ポリマーのガンマ線照射は、フリー・ラジカル部位を形成し、それ はスチレンモノマーと反応することができる。イオン交換膜の電気抵抗は、そこ にグラフとされるスチレンの割合に直接関係しており、引き続いて硫酸化された とき、電気抵抗は、その割合が増加するにつれて低下する。一般に、グラフト化 割合の有用な範囲は、10%から35%であり、好ましくは10%から20%で ある。グラフト化割合は、グラフト化による重量増加を最初のポリマーフィルム の重量で割り、100をかけた値と定義される。電気抵抗は、硫酸化の割合にも 関係し、一般にその範囲は5%から30%、好ましくは12%から20%である が、硫酸化割合が増加するにつれて電気抵抗は低下する。 本発明で用いられる上述した膜は、炭素−フッ素結合を有し、それは臭素、臭 化物イオン、臭素フリーラジカルに抵抗する。よってその膜は、+veチャンバ ーの電解質が、電力配給時には臭素を含み、−veチャンバーの電解質が、電力 配給時にはスルフィドイオンを含むエネルギー貯蔵及び/または電力配給システ ムの厳しい環境内でも長寿命を有する。さらに、この膜では、臭化物及びスルフ ィドイオンの拡散速度が非常に低い。好ましい実施態様では、膜の厚さは0.0 125cm(0.005インチ)であり、拡散を低下させる(従って、セルは自 己放電しない)。2NのNaOH溶液での抵抗は、約0.10から0.20オー ム毎平方センチメートル、即ち、約0.015から0.03オーム毎平方インチ である。 この膜の他の特性値(specifications)は、1NのKC1中での透過選択性( permselectivity)が約85%であり、0.60NのKC1中の抵抗が0.20 から1.0オーム毎平方センチメートルであることである。 この膜は、上記の臭素とイオウの反応に基づく本発明の、完全充電でのBr2 濃度が2モルの好適なプロセスで、目に見える劣化なしに100サイクル作動す る。さらに、使用中において+ve側電解質へのイオウの泳動がほとんどなく、 この膜は実質的にイオウに対して不透過である。 本発明で用いられる他の膜は、テトラフルオロエチレンと硫酸化またはカルボ ン酸化したビニルエーテルとのコポリマーからなるカチオン交換膜であり、ナフ オン(Nafion)(デュポン(Du Pont))またはフレミオン(Flemion)(旭ガラ ス)の商品名で販売されているようなものである。 これらの膜は、炭素−フッ素結合を有し、それは臭素、臭化物イオン、臭素フリ ーラジカルに抵抗する。よってこれらの膜は、ここに述べたようなエネルギー貯 蔵及び/または電力配給システムでも長寿命を有する。 低コストの代替品は、鉄系で使用されるもので、シブロン・ケミカル社(sybr o n Chemical Co.)製の、イオナック・エムシー3470(IONAC MC3470)と呼ば れる不均一構造である。これは、カイナー(Kynar)に結合された機能材料とし ての硫酸化樹脂を含むカチオン交換構造である。この材料は、ガラス布または他 のポリマー繊維からなる繊維状の支持体シートに結合されている。この膜の特性 値は:厚さ0.040cm(0.016インチ)、96%の選択透過性、及び1 NのNaC1中での抵抗が5オーム毎平方センチメートルである。最初に述べた 膜と比較して、コストは低いが電気抵抗は高い。 泳動の補償 臭素系の−ve側の電解質のリサイクルにおける関心事は、+ve側から−v e側への臭素イオンの泳動の均衡をとることである。図1Aを参照すると、−v e電極側への臭素イオンのいくらかの拡散があり、+ve側での試薬の損失、電 解質組成の不均衡、及びクーロン損失を招く。この状況は、適当な濃度のNaB rを−ve電極側に導入してBr-イオンを供給し、+ve側に逆拡散させて、 +ve側からの臭素の泳動と均衡させることによって補正される。図2を参照す ると、NaBrをライン30に導入し、タンク34から来る電解質24に混合す ることができる。 膜の−ve側から+ve側へのイオウイオンの泳動に対応する関心事は、以下 のように取り扱われる。イオウイオンは、+ve側電解質中ではイオウとして沈 降する。図2を参照すると、イオウを含む+ve電解質は、バルブ27を通って ポンプ26により汲み出されるが、これはアセンブリ25において物理的にろ過 される。負側の電解質は、バルブ29によりフィルター25をバイパスするよう アレンジされる。しかし、その応用に特徴的に決められた時間によって、周期的 に、バルブ27、29及び31が−ve側の電解質がフィルター25を通り、+ ve側の電解質がフィルター25をバイパスするように切り換えらる。このよう にすると、フィルター中のフリーなイオウが溶液中に入り、−ve側電解質でリ サイクルされる。すべてのイオウが溶解したとき、バルブは最初に述べた配置に 戻される。 両方のシステムにおいて、水は浸透圧または電気浸透圧により膜を介して移動 するので、このことが起こることの補正が必要である。これは、減少した側に、 例えば逆浸透圧によって水を移動させることにより達成される。 電力強化 +ve及び−ve側の電極表面は、大きな表面積を有する多孔質材料で被覆す る。−ve電極には、活性炭素が用いられ、臭素系の+ve電極には二酸化ケイ 素または活性炭素/二酸化ケイ素混合物が用いられるが、鉄系の+ve電極には 活性炭素粒子が用いられる。二酸化ケイ素粒子は、+ve側の溶液からの臭素を 吸着し、電極表面と電解質とのより良好な接触を与えるように作用する。活性炭 素は、システムの−ve側のS2-溶液を吸収する。この多孔質材料は、大きな表 面積を与えるので、放電時におけるイオウの出現を強化する。この強化は、セル が完全放電に近いときでも出力電圧及び電力を保持することにより、よりよいパ フォーマンスを提供する。分極損失は低い。 錯体形成試薬の使用 いくつかの応用にあっては、臭素を制御するのが好ましい。臭素と錯体または 配位化合物を形成する多くの試薬があるが、そのほとんどは電気化学的環境に適 合しないか、または即座に臭素の酸化による攻撃を受ける。 高いモル濃度の溶液中の臭素との錯体形成に最も適した材料のひとつは、ポリ エチレングリコールなどのポリアルキレングリコールである。これは、脂肪族エ ーテル鎖であり、Br2は、この構造に高い重量比で捕捉及び/または攻撃され る。この臭素の捕捉及び/または攻撃は、部分的には、弱い静電力を伴ったポリ マー鎖のもつれの隙間における臭素の機械的捕捉であると考えられる。フリーな 臭素蒸気の使用は実質的に減少し、従って、システムはより安全で取扱い易くな る。 ポリエチレングリコールは、広い範囲の分子量で得ることができるが、高分子 量(4000)であってもこの材料は水に可溶である。好ましい比率は、放電状 態の電解質1リットル当たり300から500グラムのNaBrに対して、ポリ エチレングリコール25から100グラムである。 錯体形成試薬の添加は電解質の粘度を高め、電解質の汲みだしを幾分困難にす る。しかし、より重要なのは、錯体形成試薬の添加が電解質の抵抗、即ちセルの 初期抵抗を上昇させることである。よって、完全充電ですべての臭素に結合でき る十分な錯体形成試薬の添加とセルの初期抵抗の上昇との間の取引がある。 セルの充電は、余剰の臭素が生成されないようにした所定の値に制限すること ができる。さらに、試薬は、貯蔵タンク中で臭素と錯体形成するように、しかし セル自身では錯体形成せずに、セルの初期抵抗を低く保つように用いることがで きる。 また、錯体形成試薬は、ワックス様(まだ水に可溶)の析出物を形成するかも しれないが、セルの放電に際して完全に溶解する。実用では、セルは、その用途 に応じて、通常のベースに放電される。 錯体形成試薬を使用しても現れるエネルギーはほとんど減少せず、臭素が錯体 形成試薬から自由に遠ざかるとき、エネルギー変換は妨害されない。さらに、錯 体形成試薬のpH補償モジュール(module)に対する悪影響は最小である。 錯体形成試薬の他の例は、テトラ−アルキル−アンモニウムハライド、2−ピ ロリドン、n−メチルピロリドン等を含む。さらに、他のヘテロ環化合物、例え ば、ピリジン化合物のように環構造中に窒素を含む環状体が、臭素に対して使用 可能である。 特別な実施態様 以下の非限定的な実施例を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。 実施例1 [末端電極の製造] グラファイト薄片(アスバリー・カーボン社(Asbury Carbon Co.)の#40 12グラファイト薄片)をポリフッ化ビニリデン、PVDF、バインダー(ペン ワルツ#461(Penwalt's #461))と1:1の重量比で混合することにより、 2つの基質を調製した。この混合物を、加熱して水分を除去し、シート状に成型 し、温度177℃(350゜F)および圧力1723kPa(250psi)で 10分間高温プレスし、ついで同じ圧力下で水冷圧版の間で冷却した。 ついで、下から上の順に、アルミニウム基板(base plate)、テフロンシート 、一方の基質、銅のスクリーン(0.025cm厚)、他方の基質、テフロンシ ート、高温ゴムシート(high temperature rubber sheet)、および最後にもう 1つのアルミニウム基板を重ねたスタック(stack)を形成した。ついで、この 組立品を1034kPa(150psi)、177℃(350゜F)で10分間 プレス し、ついで、水冷圧版の間で同じ圧力下で冷却した。 表面処理される基質は、縁をテープで被覆し、テフロンシートで被覆されたア ルミニウム基板上に配置し、その表面上に80%グラファイトと20%カイナー の混合物を散布した。ついでこの基質の表面に活性炭素粒子(ノース・アメリカ ン・カーボン社のG212、あるいはバーナベイ・チェニイ社のUU)の層を散 布した。 高温ゴムシートを表面処理された基質の上に置き、ついでテフロンシート、ア ルミニウム基板を置いた。次いで、この構造物を517kPa(75psi)、 177℃(350゜F)で10分間プレスし、ついで水冷圧版の間で同じ圧力下 で冷却した。 次いで、前記テープを表面処理された側の縁からはずし、ゴムの”ピクチャー (picture)”フレームを、清浄化された縁(cleared border)の上に置いた。 次いで電極を、表面処理された面が最上になるように、テフロンシートで被覆さ れたアルミニウム基板の上に置き、この構造物の上面をテフロンシート及びアル ミニウム基板で被覆した。この組立品の縁を、2413kPa(350psi) で210分間プレスし、次いで同じ圧力下で水冷圧版の間で冷却した。この工程 は、基質を縁に沿ってシールすることによって、銅スクリーンは完全にカプセル 化されて電解質による腐食が確実に防止される。 [セルの製造] シールした単独セルは、+ve電極と−ve電極とを、その間にIONACM C3470膜を備えて配設される。セルの4つの端面には、セルをカプセル化す るエポキシ樹脂がキャストされ、電解質がセルに供給され及び排出されるポート が形成される。 プラスチック支持板が、電極の上側に配置され、これらの板がセルの外壁をな し、前記ポートはこの板を貫通して設けられる。プラスチックスクリーンが、膜 の一方の側に配設され、電極間の厳格な隔絶を維持し、電解質の流動領域を提供 している。このスクリーンは、電極の表面を越える流動の大荒れを確実にするた めに構成されている。 セルの構造は、接続された銅スクリーン及びワイヤーが、セルと電気的に接続 され、電解質に接しないようにされている。 電極間の全間隔は、約0.16インチであった。24平方インチの活性セル面 積を有するセルの内部抵抗は、約0.060オームであった。 [セル性能] PCB炭素で表面処理した電極を有する上述したセルを、下記の循環させる電 解質とともに用いた。 正極側・・・200ccの6モル濃度のNaBr溶液 負極側・・・200ccの1.5モル濃度のNa25溶液 セル抵抗・・・0.06オーム 負の溶液は、1.6モル濃度のNa2S溶液200cc中に、粉末のイオウ約 60グラムを溶解させて調整した。イオウは、硫化ナトリウム溶液を約90℃に 加熱し、撹拌しながらイオウを徐々に添加して溶解させた。すべてのイオウが溶 液中に導入されたので、最終的なナトリウムのポリスルフィド溶液は、Na25 形態を越えることが示された。 セル溶液は、サイクル#1の開始時に電荷モード(charge mode)が最初に開 始されるとき、まず完全放電状態にされた。 +ve電解質のpH制御の作動における、pH補償セルのあるときと無いとき のpH変化を一般的に特徴づけるために、セルは8サイクルを繰り返された。セ ルは、4アンペアの一定電流で4時間充電され、次いで電気的負荷に接続されて 4アンペアの一定電流で0.5ボルトのカットオフ(cut-off)に達するまで放 電された。この方法で、pH補償無しの6サイクルが行われ、−ve及び+ve 溶液タンクのpHの読みを記録した。 7回目のサイクルの初期に、pH制御セルを+ve溶液タンクに挿入し、作動 に戻して0.5アンペアDCで続く2回のサイクル、即ち7回及び8回目を行っ た。 pH制御セルを、表面処理しない電極で構成した。それは、7.74平方cm (1.2平方インチ)の活性面積を有し、電極間間隔は0.94cm(3/8イ ンチ)であった。このセルを約1.7ボルトで作動させた。 セルの条件は、以下のようにまとめられる。 +ve側pH 初期 7.7 6サイクル後 0.3 pH補正後2サイクル 5.5 −ve側pH 初期 13.1 6サイクル後 11 pH補正後2サイクル 12 図5は、サイクルを進めたときのpH変化を示す。各完全なサイクルは8時間 であった。よって、実験を完了するのに64時間を要した。 pH補償(制御)セルで生ずる反応は、以下のように表される。 (式13A) +ve電極では、2Br-→ Br2+2e- (式13B) −ve電極では、2e- + 2H2O → H2 + 2OH- 臭素は、pH制御セルの+ve電極で生成され、単に充電過程に加えられただ けである。ヒドロキシルイオンは、pH制御セルの−ve電極で生成され、よっ てpHを上昇させ、セルの正しい作動に必要な均衡を保っ。もし−ve溶液中で pHが極度に低下すると、電解質中に望まれないH2Sが生ずる。 セルのpH値を保持するために、全時間に渡って、約8AHの電荷が消費され た。しかし、これは、4アンペアで32時間充電する間に入力される128AH の電荷のわずか3%に過ぎないことを示している。 実施例2 PCB炭素で表面処理した−ve電極とケイソウ土で表面処理した+ve電極 、及びカチオン交換膜を配置してシールされた単一セルを作製した。このカチオ ン交換膜は、ガンマ線照射でスチレンをグラフトし、硫酸基で機能化したフッ化 炭素ポリマー(RAI S24 4010−5)からなるものである。膜と各電 極との間隔は0.5cmであった。 このセルを、下記の循環電解質とともに用いた。 正極側・・・300ccの4モル濃度のNaBr溶液 負極側・・・300ccの0.25モル濃度のNa25及び1モル濃度のNa2 S溶液 各区分を通過する電解質の流動速度は約0.5リットル/分であった。セルの 活性表面積は155cm2であつた。 このセルは、実施例1で記載した型のpH制御セルを、+veと−veの両方 のタンクに挿入して作動させた。pH制御セルは、2アンペアの一定速度でセル が充電及び放電される2サイクルに渡って、+ve側では約0.85アンペアD Cで、−ve側では1.5から2アンペアDCで作動させた。 図6Aは、セルのサイクル中におけるセル電圧を示す。図6Bは、セルの作動 中の正及び負の電解質のpHを示す。このグラフから、+ve電解質のpH制御 セルにより、+ve電解質のpH値が合理的に高いレベルに維持されていること を記しておく。さらに、−ve電解質のpH制御セルにより、−ve電解質のp H値は、サイクルのほとんどに渡って、合理的に高いレベルに維持されている。 次に、+ve及び−ve電解質にpH制御セル無しで、さらに2回の同等のサ イクルを行った。図6Cは、セル電圧及び+veと−ve電解質のpHの両方を 示す。pHを制御する手段が無い場合は、+veと−veの両方の電解質におい て、pHが非常に重大に低下していることを記しておく。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AT,AU,BB,BG,BR,BY, CA,CH,CZ,DE,DK,ES,FI,GB,H U,JP,KP,KR,KZ,LK,LU,LV,MG ,MN,MW,NL,NO,NZ,PL,PT,RO, RU,SD,SE,SK,UA,US,UZ,VN

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.(a)全液体系において電解質の流動を保持し循環する手段であって、活性 成分はすべて単一セルまたはセル構造を繰り返したアレーに可溶であり、各セル は不活性+ve電極を持つチャンバー(+veチャンバー)と、不活性−ve電 極を持つチャンバー(−veチャンバー)とを有し、前記チャンバーは、イオン 交換膜で互いに隔絶されており、電力配給中に−veチャンバー内を循環する電 解質はスルフィドを含み、電力配給中に+veチャンバー内を循環する電解質は 液体酸化試薬を含む手段、 (b)各チャンバーから、セル体積のみとした場合より長い放電サイクルに渡っ て、延長された電力配給をするのための、セル体積より大きな体積を持つ電解質 の貯蔵手段に電解質を循環させることにより、前記+veチャンバー及び−ve チャンバー内の電解質を貯蔵または補充する手段、及び、 (c)水の分解によってOH-イオンを生成する手段からなる、+veチャンバ ー内のpH変化及び/またはヒドロキシルイオン濃度の変化を補償する手段から なることを特徴とするエネルギー貯蔵及び/または電力配給用の電気化学的装置 。 2.前記OH-を生成する手段が、+ve電解質に電流を流し、水を水素ガスと OH-イオンとに分解することと、及びその水素ガスを排気する手段とからなる ことを特徴とする請求項1記載の装置。 3.さらに、pH補償手段を2つの側に分離するマイクロポーラス膜を備え、生 成された水素ガスがその膜の一方の側から排気され、OH-イオンがその膜を介 して他の側へ移動することを特徴とする請求項2記載の装置。 4.さらに、前記セルのアレーが、そのセルアレーの4つの縁を電解質に不活性 な樹脂でカプセル化してアレーをシールする手段、及び、電解質が入り、+ve 及び−veチャンバーを通って循環し、次いで+ve及び−veチャンバーから 出る多岐管手段手段を備え、すべての+veチャンバーが、すべての+ve電極 反応を分担するように平行な流体であり、すべての−veチャンバーが、すべて の−ve電極反応を分担するように平行な流体であることを特徴とする請求項1 から3のいずれかに記載の装置。 5.さらに、セル構造の繰り返しのアレーに、交互の充電/放電サイクルを与え る手段を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の装置。 6.(a)全液体系において電解質の流動を保持し循環する手段であって、活性 成分はすべて単一セルまたはセル構造を繰り返したアレーに可溶であり、各セル は不活性+ve電極を持つチャンバー(+veチャンバー)と、不活性−ve電 極を持つチャンバー(−veチャンバー)とを有し、前記チャンバーは、イオン 交換膜で互いに隔絶されており、電力配給中に−veチャンバー内を循環する電 解質はスルフィドを含み、電力配給中に+veチャンバー内を循環する電解質は 液体酸化試薬を含む手段、 (b)各チャンバーから、セル体積のみとした場合より長い放電サイクルに渡っ て、延長された電力配給をするのための、セル体積より大きな体積を持つ電解質 の貯蔵手段に電解質を循環させることにより、前記+veチャンバー及び−ve チャンバー内の電解質を貯蔵または補充する手段、及び、 (c)水の分解によってOH-イオンを生成する手段からなる、−veチャンバ ー内のpH変化及び/またはヒドロキシルイオン濃度の変化を補償する手段から なることを特徴とするエネルギー貯蔵及び/または電力配給用の電気化学的装置 。 7.pH補償セルを備え、そのpH補償セルが2つのチャンバーに分離するマイ クロポーラス膜を有し、生成された水素ガスがその膜の一方の側から排気され、 OH-イオンがその膜を介して他の側へ移動することを特徴とする請求項6記載 の装置。 8.前記OH-イオンを生成する手段が、セルの、−ve電極を有する−ve電 解質を通して電流を流すことからなり、前記−ve電極が、−ve電極表面にお けるポ リスルフィドの出現率を低下させるための薄い多孔質層に面していることによっ て水の電解を促進することを特徴とする請求項6または7のいずれかに記載の装 置。 9.(a)活性成分が単一セルまたはセル構造の繰り返しのアレーにすべて可溶 であり、各セルが不活性+ve電極を持つチャンバー(+veチャンバー)と、 不活性−ve電極を持つチャンバー(−veチャンバー)とを有し、前記チャン バーが、イオン交換膜で互いに隔絶されており、電力配給中に−veチャンバー 内を循環する電解質はスルフィドを含み、電力配給中に+veチャンバー内を循 環する電解質は液体酸化試薬を含む全液体システムにおいて、電解質の流動を保 持及び循環し、 (b)各チャンバーから、セル体積のみとした場合より長い放電サイクルに渡っ て、延長された電力配給をするのための、セル体積より大きな体積を持つ電解質 の貯蔵手段に電解質を循環させることにより、前記+veチャンバー及び−ve チャンバー内の電解質を貯蔵または補充し、及び、 (c)水の分解によってOH-イオンを生成することにより、+veチャンバー 内のpH変化及び/またはヒドロキシルイオン濃度の変化を補償するという工程 からなることを特徴とするエネルギー貯蔵及び/または電力配給のための電気化 学的方法。 10.前記液体酸化試薬が、臭素からなることを特徴とする請求項9記載の方法 。 11.(a)活性成分が単一セルまたはセル構造の繰り返しのアレーにすべて可 溶であり、各セルが不活性+ve電極を持つチャンバー(+veチャンバー)と 、不活性−ve電極を持つチャンバー(−veチャンバー)とを有し、前記チャ ンバーが、イオン交換膜で互いに隔絶されており、電力配給中に−veチャンバ ー内を循環する電解質はスルフィドを含み、電力配給中に+veチャンバー内を 循環する電解質は液体酸化試薬を含む全液体システムにおいて、電解質の流動を 保持及び循環し、 (b)各チャンバーから、セル体積のみとした場合より長い放電サイクルに渡っ て、延長された電力配給をするのための、セル体積より大きな体積を持つ電解質 の貯蔵手段に電解質を循環させることにより、前記+veチャンバー及び−ve チャンバー内の電解質を貯蔵または補充し、及び、 (c)水の分解によってOH-イオンを生成することにより、−veチャンバー 内のpH変化及び/またはヒドロキシルイオン濃度の変化を補償するという工程 からなることを特徴とするエネルギー貯蔵及び/または電力配給のための電気化 学的方法。 12.前記液体酸化試薬が、臭素からなることを特徴とする請求項11記載の方 法。
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