JPH08307031A - 厚膜印刷基板及びその製造方法 - Google Patents
厚膜印刷基板及びその製造方法Info
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- JPH08307031A JPH08307031A JP7105675A JP10567595A JPH08307031A JP H08307031 A JPH08307031 A JP H08307031A JP 7105675 A JP7105675 A JP 7105675A JP 10567595 A JP10567595 A JP 10567595A JP H08307031 A JPH08307031 A JP H08307031A
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- H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 厚膜印刷基板において厚膜抵抗体の抵抗値を
適正に保つ。 【構成】 セラミック基板１上に、厚膜導体２とほう化
ランタン系（ＬａＢ6 系）の抵抗体３とを印刷し焼成し
て形成した厚膜印刷基板において、厚膜導体２とほう化
ランタン系の抵抗体３との間に、ほう化ランタン系の抵
抗体中間層４を設けた。ほう化ランタン系の抵抗体中間
層４を介在させることにより、焼成時に、厚膜導体２に
含まれるガラス中の成分と、ほう化ランタン系の抵抗体
３におけるＬａＢ6 とが反応するのが阻止され、抵抗値
異常となるのが防止される。
適正に保つ。 【構成】 セラミック基板１上に、厚膜導体２とほう化
ランタン系（ＬａＢ6 系）の抵抗体３とを印刷し焼成し
て形成した厚膜印刷基板において、厚膜導体２とほう化
ランタン系の抵抗体３との間に、ほう化ランタン系の抵
抗体中間層４を設けた。ほう化ランタン系の抵抗体中間
層４を介在させることにより、焼成時に、厚膜導体２に
含まれるガラス中の成分と、ほう化ランタン系の抵抗体
３におけるＬａＢ6 とが反応するのが阻止され、抵抗値
異常となるのが防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック基板上に厚
膜導体と厚膜抵抗体とを印刷形成した厚膜印刷基板及び
その製造方法に関する。
膜導体と厚膜抵抗体とを印刷形成した厚膜印刷基板及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、厚膜印刷基板は、セラミック基板
上に厚膜導体を焼成によってスクリーン印刷し、その上
に、回路に必要な複数のシート抵抗を個別に印刷し、一
括して焼成することによって形成される。その際、図１
０に示すように、厚膜抵抗体３と厚膜導体２とは、厚膜
導体２上に厚膜抵抗体３が適当量重なるように配置され
る。なお、図１０において（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
上に厚膜導体を焼成によってスクリーン印刷し、その上
に、回路に必要な複数のシート抵抗を個別に印刷し、一
括して焼成することによって形成される。その際、図１
０に示すように、厚膜抵抗体３と厚膜導体２とは、厚膜
導体２上に厚膜抵抗体３が適当量重なるように配置され
る。なお、図１０において（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【０００３】ここで、厚膜導体２をＣｕ系材料とした場
合、厚膜抵抗体３は、シート抵抗値が１０Ω／□〜１０
ｋΩ／□となるＬａＢ6 系（ほう化ランタン系）の抵抗
体ペーストが用いられる。このＬａＢ6 系の抵抗体ペー
ストにより形成した厚膜抵抗体３をＬａＢ6 抵抗体と以
下称する。
合、厚膜抵抗体３は、シート抵抗値が１０Ω／□〜１０
ｋΩ／□となるＬａＢ6 系（ほう化ランタン系）の抵抗
体ペーストが用いられる。このＬａＢ6 系の抵抗体ペー
ストにより形成した厚膜抵抗体３をＬａＢ6 抵抗体と以
下称する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような厚膜印刷基
板において、ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵抗値が１０Ω
／□〜５０Ω／□と小さい時、厚膜導体２が抵抗値異常
となり製造上の歩留りの低下や抵抗体の信頼性の低下を
引き起こす。また、ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵抗値が
５ｋΩ／□〜１０ｋΩ／□と大きい時にも同じく抵抗値
が著しく増加し抵抗値異常となることがあった。
板において、ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵抗値が１０Ω
／□〜５０Ω／□と小さい時、厚膜導体２が抵抗値異常
となり製造上の歩留りの低下や抵抗体の信頼性の低下を
引き起こす。また、ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵抗値が
５ｋΩ／□〜１０ｋΩ／□と大きい時にも同じく抵抗値
が著しく増加し抵抗値異常となることがあった。
【０００５】本発明は上記問題に鑑みたもので、厚膜印
刷基板において厚膜抵抗体の抵抗値を適正に保つことを
目的とする。
刷基板において厚膜抵抗体の抵抗値を適正に保つことを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】図１２
に、ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵抗値を１０Ω／□、５
０Ω／□、１００Ω／□と変化させたものについて、２
０個のサンプルの平均の抵抗値を調べた結果を示す。縦
軸は、その平均の抵抗値を示しており、１ｍｍ×１ｍｍ
の大きさでの焼成後の抵抗値である。なお、後述する図
３、図５、図８、図１３に示すグラフも、この図１２と
同様にして調べたものである。
に、ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵抗値を１０Ω／□、５
０Ω／□、１００Ω／□と変化させたものについて、２
０個のサンプルの平均の抵抗値を調べた結果を示す。縦
軸は、その平均の抵抗値を示しており、１ｍｍ×１ｍｍ
の大きさでの焼成後の抵抗値である。なお、後述する図
３、図５、図８、図１３に示すグラフも、この図１２と
同様にして調べたものである。
【０００７】図１２に示すように、ＬａＢ6 抵抗体３の
シート抵抗値を１０Ω／□、５０Ωとした場合には、設
計値から大きく抵抗値が増加している。また、ＬａＢ6
抵抗体３のシート抵抗値を、図１３に示すように、１ｋ
Ω／□、５ｋΩ／□、１０ｋΩ／□と変化させたものに
ついても検討した。この図から分かるように、ＬａＢ6
抵抗体３のシート抵抗値を５ｋΩ／□、１０ｋΩ／□と
した場合には、抵抗値が設計値から大きく増加してい
る。
シート抵抗値を１０Ω／□、５０Ωとした場合には、設
計値から大きく抵抗値が増加している。また、ＬａＢ6
抵抗体３のシート抵抗値を、図１３に示すように、１ｋ
Ω／□、５ｋΩ／□、１０ｋΩ／□と変化させたものに
ついても検討した。この図から分かるように、ＬａＢ6
抵抗体３のシート抵抗値を５ｋΩ／□、１０ｋΩ／□と
した場合には、抵抗値が設計値から大きく増加してい
る。
【０００８】本発明者等は、上記の点について種々考察
したところ、上記のような抵抗値異常が生じている原因
として、図１１のように厚膜抵抗体２に亀裂（クラッ
ク）２ａが生じて断線を起こすこと、及び図１４のよう
に厚膜導体に含まれるガラス中の成分と厚膜抵抗体中の
成分とが反応することによるとの結論を得た。すなわ
ち、ＬａＢ6 抵抗体３の抵抗値が低い場合（少なくとも
５０Ω以下の場合）には、厚膜導体２中の成分と抵抗体
中のＬａＢ6 が反応し、厚膜導体２が変質する。これ
は、抵抗体の端部下で強く現れ、厚膜導体２に断線を引
き起こす。
したところ、上記のような抵抗値異常が生じている原因
として、図１１のように厚膜抵抗体２に亀裂（クラッ
ク）２ａが生じて断線を起こすこと、及び図１４のよう
に厚膜導体に含まれるガラス中の成分と厚膜抵抗体中の
成分とが反応することによるとの結論を得た。すなわ
ち、ＬａＢ6 抵抗体３の抵抗値が低い場合（少なくとも
５０Ω以下の場合）には、厚膜導体２中の成分と抵抗体
中のＬａＢ6 が反応し、厚膜導体２が変質する。これ
は、抵抗体の端部下で強く現れ、厚膜導体２に断線を引
き起こす。
【０００９】また、ＬａＢ6 抵抗体３の抵抗値が大きい
場合（少なくとも５ｋΩ／□以上の場合）には、厚膜導
体２中の成分とＬａＢ6 とが反応して、図１４に示すよ
うに、ＬａＢ6 抵抗体３側にガラス化した抵抗体層３ａ
が形成され、このガラス化した抵抗体層３ａの抵抗値が
大きいため、抵抗値異常が生じる。本発明は、上記した
検討に基づき、抵抗値異常が厚膜導体と厚膜抵抗体との
反応によって生じることに着目し、厚膜導体と厚膜抵抗
体との間に、厚膜抵抗体の焼成形成時に厚膜導体と厚膜
抵抗体とが反応するのを阻止する中間層を設けたことを
特徴としている。
場合（少なくとも５ｋΩ／□以上の場合）には、厚膜導
体２中の成分とＬａＢ6 とが反応して、図１４に示すよ
うに、ＬａＢ6 抵抗体３側にガラス化した抵抗体層３ａ
が形成され、このガラス化した抵抗体層３ａの抵抗値が
大きいため、抵抗値異常が生じる。本発明は、上記した
検討に基づき、抵抗値異常が厚膜導体と厚膜抵抗体との
反応によって生じることに着目し、厚膜導体と厚膜抵抗
体との間に、厚膜抵抗体の焼成形成時に厚膜導体と厚膜
抵抗体とが反応するのを阻止する中間層を設けたことを
特徴としている。
【００１０】従って、厚膜導体と厚膜抵抗体との間に中
間層を設けることによって、厚膜抵抗体の焼成形成時に
厚膜導体と厚膜抵抗体とが反応するのが阻止され、その
反応によって生じるクラックの発生、あるいはガラス化
した抵抗体層の形成が抑制され、厚膜抵抗体の抵抗値を
適正なものに維持することができる。なお、中間層とし
ては、厚膜導体及び厚膜抵抗体と反応しない抵抗体又は
導体を用いることができる。
間層を設けることによって、厚膜抵抗体の焼成形成時に
厚膜導体と厚膜抵抗体とが反応するのが阻止され、その
反応によって生じるクラックの発生、あるいはガラス化
した抵抗体層の形成が抑制され、厚膜抵抗体の抵抗値を
適正なものに維持することができる。なお、中間層とし
ては、厚膜導体及び厚膜抵抗体と反応しない抵抗体又は
導体を用いることができる。
【００１１】また、本発明は、シート抵抗値が５０Ω／
□以下のほう化ランタン系の抵抗体に対し、厚膜導体と
ほう化ランタン系の抵抗体との間に、シート抵抗値が１
００Ω／□以上のほう化ランタン系の抵抗体中間層を設
けたことを特徴としている。ほう化ランタン系の抵抗体
のシート抵抗値が５０Ω／□以下の場合には、図１２に
示すように抵抗値が増大するが、シート抵抗値が１００
Ω／□以上のほう化ランタン系の抵抗体中間層を介在さ
せることにより、後述する図３、図５の結果に示すよう
に抵抗値の増大を防ぐことができる。
□以下のほう化ランタン系の抵抗体に対し、厚膜導体と
ほう化ランタン系の抵抗体との間に、シート抵抗値が１
００Ω／□以上のほう化ランタン系の抵抗体中間層を設
けたことを特徴としている。ほう化ランタン系の抵抗体
のシート抵抗値が５０Ω／□以下の場合には、図１２に
示すように抵抗値が増大するが、シート抵抗値が１００
Ω／□以上のほう化ランタン系の抵抗体中間層を介在さ
せることにより、後述する図３、図５の結果に示すよう
に抵抗値の増大を防ぐことができる。
【００１２】これは、ほう化ランタン系の抵抗体のシー
ト抵抗値が５０Ω／□以下の場合には、抵抗体中にＬａ
Ｂ6 が過剰にあるため、厚膜導体中の成分とＬａＢ6 が
反応しやすくなるが、シート抵抗値が１００Ω／□以上
のほう化ランタン系の抵抗体では、その中のＬａＢ6 が
適量であるため、厚膜導体中の成分とＬａＢ6 との反応
が生じにくくなるからである。
ト抵抗値が５０Ω／□以下の場合には、抵抗体中にＬａ
Ｂ6 が過剰にあるため、厚膜導体中の成分とＬａＢ6 が
反応しやすくなるが、シート抵抗値が１００Ω／□以上
のほう化ランタン系の抵抗体では、その中のＬａＢ6 が
適量であるため、厚膜導体中の成分とＬａＢ6 との反応
が生じにくくなるからである。
【００１３】また、本発明は、ほう化ランタン系の抵抗
体の端部と厚膜導体との間に、ほう化ランタン系の抵抗
体中間層が形成され、厚膜抵抗体の端部以外の領域にお
いてほう化ランタン系の抵抗体と厚膜導体とが直接接触
していることを特徴としている。このように厚膜抵抗体
の端部以外の領域において、ほう化ランタン系の抵抗体
と厚膜導体とを直接接触させるように構成することによ
り、ほう化ランタン系の抵抗体中間層を介在させたこと
による抵抗値の増大を防ぐことができる。
体の端部と厚膜導体との間に、ほう化ランタン系の抵抗
体中間層が形成され、厚膜抵抗体の端部以外の領域にお
いてほう化ランタン系の抵抗体と厚膜導体とが直接接触
していることを特徴としている。このように厚膜抵抗体
の端部以外の領域において、ほう化ランタン系の抵抗体
と厚膜導体とを直接接触させるように構成することによ
り、ほう化ランタン系の抵抗体中間層を介在させたこと
による抵抗値の増大を防ぐことができる。
【００１４】また、本発明は、シート抵抗値が５ｋΩ／
□以上のほう化ランタン系の抵抗体に対し、厚膜導体と
ほう化ランタン系の抵抗体との間に、シート抵抗値が１
ｋΩ／□以下のほう化ランタン系の抵抗体層を設けたこ
とを特徴としている。ほう化ランタン系の抵抗体のシー
ト抵抗値が５ｋΩ／□以上の場合には、図１３に示すよ
うに抵抗値が増大するが、シート抵抗値が１ｋΩ／□以
下のほう化ランタン系の抵抗体中間層を介在させること
により、ガラス化抵抗体層の形成が抑制され、後述する
図８の結果に示すように抵抗値の増大を防ぐことができ
る。なお、この図８において抵抗体にはシート抵抗値と
して１０ｋΩ／□を用いた。
□以上のほう化ランタン系の抵抗体に対し、厚膜導体と
ほう化ランタン系の抵抗体との間に、シート抵抗値が１
ｋΩ／□以下のほう化ランタン系の抵抗体層を設けたこ
とを特徴としている。ほう化ランタン系の抵抗体のシー
ト抵抗値が５ｋΩ／□以上の場合には、図１３に示すよ
うに抵抗値が増大するが、シート抵抗値が１ｋΩ／□以
下のほう化ランタン系の抵抗体中間層を介在させること
により、ガラス化抵抗体層の形成が抑制され、後述する
図８の結果に示すように抵抗値の増大を防ぐことができ
る。なお、この図８において抵抗体にはシート抵抗値と
して１０ｋΩ／□を用いた。
【００１５】これは、ほう化ランタン系の抵抗体のシー
ト抵抗値が５ｋΩ／□以上の場合には、その中のＬａＢ
6 は少なく、厚膜導体中のガラス中の成分とＬａＢ6 と
が反応すると、ＬａＢ6 が非常に少なくなり、抵抗値が
増大するのに対し、１ｋΩ以下のほう化ランタン系の抵
抗体ではＬａＢ6 が減少してもその影響が少ないため、
抵抗値の増加が防止されるからである。
ト抵抗値が５ｋΩ／□以上の場合には、その中のＬａＢ
6 は少なく、厚膜導体中のガラス中の成分とＬａＢ6 と
が反応すると、ＬａＢ6 が非常に少なくなり、抵抗値が
増大するのに対し、１ｋΩ以下のほう化ランタン系の抵
抗体ではＬａＢ6 が減少してもその影響が少ないため、
抵抗値の増加が防止されるからである。
【００１６】また、本発明は、厚膜導体とほう化ランタ
ン系の抵抗体とはオーバーラップしない状態でセラミッ
ク基板上に形成され、ほう化ランタン系の抵抗体中間層
は、厚膜導体とほう化ランタン系の抵抗体のそれぞれに
電気的接続のための重なり部をもって形成されているこ
とを特徴としている。このように厚膜導体、抵抗体及び
中間層の全てが重なり合うことを無くすことにより、表
面の凹凸段差を通常の基板と同等にすることができる。
ン系の抵抗体とはオーバーラップしない状態でセラミッ
ク基板上に形成され、ほう化ランタン系の抵抗体中間層
は、厚膜導体とほう化ランタン系の抵抗体のそれぞれに
電気的接続のための重なり部をもって形成されているこ
とを特徴としている。このように厚膜導体、抵抗体及び
中間層の全てが重なり合うことを無くすことにより、表
面の凹凸段差を通常の基板と同等にすることができる。
【００１７】さらに、本発明は、厚膜導体とほう化ラン
タン系の抵抗体との間に、シート抵抗値が１００Ω／□
以上１ｋΩ／□以下のほう化ランタン系の抵抗体中間層
を設けたことを特徴している。ほう化ランタン系の抵抗
体中間層のシート抵抗値を１００Ω／□以上１ｋΩ／□
以下にすることにより、その上に形成されるほう化ラン
タン系の抵抗体の抵抗値がどのようなものであっても、
ほう化ランタン系の抵抗体の抵抗値を適正なものに維持
することができる。
タン系の抵抗体との間に、シート抵抗値が１００Ω／□
以上１ｋΩ／□以下のほう化ランタン系の抵抗体中間層
を設けたことを特徴している。ほう化ランタン系の抵抗
体中間層のシート抵抗値を１００Ω／□以上１ｋΩ／□
以下にすることにより、その上に形成されるほう化ラン
タン系の抵抗体の抵抗値がどのようなものであっても、
ほう化ランタン系の抵抗体の抵抗値を適正なものに維持
することができる。
【００１８】また、本発明に係る厚膜印刷基板の製造方
法においては、抵抗体ペーストを印刷する前に、その抵
抗体ペーストの焼成により抵抗体ペーストと焼成された
導体とが反応するのを阻止する中間層を介在させたこと
を特徴としている。このような製造方法を用いることに
より、請求項１に記載と同様、厚膜抵抗体の抵抗値を適
正なものに維持することができる。
法においては、抵抗体ペーストを印刷する前に、その抵
抗体ペーストの焼成により抵抗体ペーストと焼成された
導体とが反応するのを阻止する中間層を介在させたこと
を特徴としている。このような製造方法を用いることに
より、請求項１に記載と同様、厚膜抵抗体の抵抗値を適
正なものに維持することができる。
【００１９】また、本発明は、抵抗体ペーストを印刷す
る工程において、抵抗体ペーストと同じ材料の抵抗体ペ
ーストで、焼成された導体と抵抗体ペーストとの間に、
その抵抗体ペーストの焼成により導体と抵抗体ペースト
とが反応するのを阻止する中間層をも印刷するものであ
ることを特徴としている。このように、中間層を、厚膜
抵抗体を形成するための抵抗体ペーストと同じ材料で形
成することにより、中間層形成のための製造工程を簡略
化することができる。
る工程において、抵抗体ペーストと同じ材料の抵抗体ペ
ーストで、焼成された導体と抵抗体ペーストとの間に、
その抵抗体ペーストの焼成により導体と抵抗体ペースト
とが反応するのを阻止する中間層をも印刷するものであ
ることを特徴としている。このように、中間層を、厚膜
抵抗体を形成するための抵抗体ペーストと同じ材料で形
成することにより、中間層形成のための製造工程を簡略
化することができる。
【００２０】
【実施例】以下本発明を図に示す実施例について説明す
る。 （第１実施例）図１は本発明の第１実施例に係る厚膜印
刷基板の構成を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）中のＡ−Ａ’断面図である。
る。 （第１実施例）図１は本発明の第１実施例に係る厚膜印
刷基板の構成を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）中のＡ−Ａ’断面図である。
【００２１】この第１実施例は、シート抵抗値が小さい
厚膜抵抗体を用いた場合の実施例である。図１におい
て、セラミック基板１上にＣｕ系の厚膜導体２が形成さ
れ、厚膜導体２とＬａＢ6 抵抗体３との間に、それぞれ
に電気的接続のための重なり部をもつ中間層４が形成さ
れている。この中間層４の材料としては、厚膜導体２及
びＬａＢ6 抵抗体３と反応しない抵抗体又は導体を用い
ることができる。しかし、セラミック基板１に印刷され
るＬａＢ6 抵抗体３と同じ材料で中間層４を形成するの
が製造上好ましい。すなわち、セラミック基板１上には
種々の抵抗値のＬａＢ6 抵抗体３が個別に印刷形成され
るので、中間層４をそのうちの１つのＬａＢ6 抵抗体と
すれば、他のＬａＢ 6 抵抗体と同じようにして形成する
ことができ、印刷回数及び焼成回数を増加することなく
中間層４を形成することができるという効果を有する。
厚膜抵抗体を用いた場合の実施例である。図１におい
て、セラミック基板１上にＣｕ系の厚膜導体２が形成さ
れ、厚膜導体２とＬａＢ6 抵抗体３との間に、それぞれ
に電気的接続のための重なり部をもつ中間層４が形成さ
れている。この中間層４の材料としては、厚膜導体２及
びＬａＢ6 抵抗体３と反応しない抵抗体又は導体を用い
ることができる。しかし、セラミック基板１に印刷され
るＬａＢ6 抵抗体３と同じ材料で中間層４を形成するの
が製造上好ましい。すなわち、セラミック基板１上には
種々の抵抗値のＬａＢ6 抵抗体３が個別に印刷形成され
るので、中間層４をそのうちの１つのＬａＢ6 抵抗体と
すれば、他のＬａＢ 6 抵抗体と同じようにして形成する
ことができ、印刷回数及び焼成回数を増加することなく
中間層４を形成することができるという効果を有する。
【００２２】以下、中間層４としてＬａＢ6 抵抗体を用
い、それをＬａＢ6 中間抵抗体４と称して説明する。図
２に、図１に示す厚膜印刷基板の概略製造工程を示す。
まず、セラミック基板１上にＣｕ系の厚膜導体を印刷し
乾燥させ（ステップ１０１）、その後、導体を９００℃
で焼成する（ステップ１０２）。その上にＬａＢ6 系の
抵抗体ペーストを印刷し乾燥させる。この抵抗体の印刷
・乾燥は、ＬａＢ6 中間抵抗体を含み必要なシート抵抗
分繰り返し行う（ステップ１０３）。その後、一括して
抵抗体を焼成する（ステップ１０４）。従って、中間層
としてＬａＢ6 抵抗体を用いれば、他のＬａＢ6 抵抗体
の形成と同時に製造することができる。
い、それをＬａＢ6 中間抵抗体４と称して説明する。図
２に、図１に示す厚膜印刷基板の概略製造工程を示す。
まず、セラミック基板１上にＣｕ系の厚膜導体を印刷し
乾燥させ（ステップ１０１）、その後、導体を９００℃
で焼成する（ステップ１０２）。その上にＬａＢ6 系の
抵抗体ペーストを印刷し乾燥させる。この抵抗体の印刷
・乾燥は、ＬａＢ6 中間抵抗体を含み必要なシート抵抗
分繰り返し行う（ステップ１０３）。その後、一括して
抵抗体を焼成する（ステップ１０４）。従って、中間層
としてＬａＢ6 抵抗体を用いれば、他のＬａＢ6 抵抗体
の形成と同時に製造することができる。
【００２３】図３に、ＬａＢ6 抵抗体３としてシート抵
抗値が１０Ω／□のものを用い、中間層４の無いものと
ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート抵抗値を１００Ω／□、
１ｋΩ／□、１０ｋΩ／□としたものそれぞれについて
検討を行った結果を示す。この図に示すように、中間層
４の無いものでは、平均の抵抗値が１０Ωから大きく増
加しているが、ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート抵抗値を
１００Ω／□、１ｋΩ／□とした場合には、安定した所
望の抵抗値を得ることができた。しかし、ＬａＢ6 中間
抵抗体４のシート抵抗値を１０ｋΩ／□とした場合に
は、抵抗値が増加した。
抗値が１０Ω／□のものを用い、中間層４の無いものと
ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート抵抗値を１００Ω／□、
１ｋΩ／□、１０ｋΩ／□としたものそれぞれについて
検討を行った結果を示す。この図に示すように、中間層
４の無いものでは、平均の抵抗値が１０Ωから大きく増
加しているが、ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート抵抗値を
１００Ω／□、１ｋΩ／□とした場合には、安定した所
望の抵抗値を得ることができた。しかし、ＬａＢ6 中間
抵抗体４のシート抵抗値を１０ｋΩ／□とした場合に
は、抵抗値が増加した。
【００２４】これは、図１のように厚膜導体２とＬａＢ
6 抵抗体３の接合部全体にＬａＢ6中間抵抗体４を形成
すると、中間抵抗体４の抵抗値の影響がでるためであ
る。従って、図１のように構成した場合には、ＬａＢ6
中間抵抗体４のシート抵抗値は、１００Ω／□〜１ｋΩ
／□とする必要がある。 （第２実施例）この第２実施例は、上述したＬａＢ6 中
間抵抗体４の抵抗値の影響をなくすように構成したもの
である。
6 抵抗体３の接合部全体にＬａＢ6中間抵抗体４を形成
すると、中間抵抗体４の抵抗値の影響がでるためであ
る。従って、図１のように構成した場合には、ＬａＢ6
中間抵抗体４のシート抵抗値は、１００Ω／□〜１ｋΩ
／□とする必要がある。 （第２実施例）この第２実施例は、上述したＬａＢ6 中
間抵抗体４の抵抗値の影響をなくすように構成したもの
である。
【００２５】厚膜導体２に発生するクラックは、抵抗体
中の成分との反応によってＬａＢ6抵抗体３の端部下に
発生する。この点に着目して、この第２実施例では、図
４に示すように、ＬａＢ6 抵抗体３の端部と厚膜導体２
との間にのみＬａＢ6 中間抵抗体４を形成している。こ
の場合、ＬａＢ6 中間抵抗体４の形成されていない部分
においてはＬａＢ6 抵抗体３と厚膜導体２とが直接接触
するため、抵抗値は変化しない。なお、図４（ａ）は平
面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図である。
中の成分との反応によってＬａＢ6抵抗体３の端部下に
発生する。この点に着目して、この第２実施例では、図
４に示すように、ＬａＢ6 抵抗体３の端部と厚膜導体２
との間にのみＬａＢ6 中間抵抗体４を形成している。こ
の場合、ＬａＢ6 中間抵抗体４の形成されていない部分
においてはＬａＢ6 抵抗体３と厚膜導体２とが直接接触
するため、抵抗値は変化しない。なお、図４（ａ）は平
面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図である。
【００２６】図５に、そのように構成した場合の実験結
果を示す。ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート抵抗値を１０
０Ω／□、１ＫΩ／□、１０ＫΩ／□のいずれにしても
安定した所望の抵抗値を得ることができた。上述した第
１、第２実施例における図３、図５の実験結果から分か
るように、ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵抗値が小さい場
合には、ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート抵抗値を１００
Ω／□以上とすることによりクラックの発生を防止する
ことができる。
果を示す。ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート抵抗値を１０
０Ω／□、１ＫΩ／□、１０ＫΩ／□のいずれにしても
安定した所望の抵抗値を得ることができた。上述した第
１、第２実施例における図３、図５の実験結果から分か
るように、ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵抗値が小さい場
合には、ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート抵抗値を１００
Ω／□以上とすることによりクラックの発生を防止する
ことができる。
【００２７】これは、ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート抵
抗値が５０Ω／□以下の場合には、ＬａＢ6 中間抵抗体
４中にＬａＢ6 が過剰にあることになり、厚膜導体２に
含まれる成分とＬａＢ6 とが反応しやすくなるのに対
し、シート抵抗値が１００Ω／□以上であればＬａＢ6
中間抵抗体４中のＬａＢ6 が適量になり、厚膜導体２に
含まれるガラス中の成分とＬａＢ6 との反応が生じにく
くなるからである。 （第３実施例）図６に、上記第２実施例を変形させた例
を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面
図、（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図である。この実施例は、厚
膜導体２がセラミック基板１上に平行に形成されている
時に、２つの厚膜導体２を覆うようにしてＬａＢ6 抵抗
体３を形成し、厚膜導体２上でＬａＢ6 抵抗体３の端部
が存在する領域のみにＬａＢ6 中間抵抗体４を形成して
いる。
抗値が５０Ω／□以下の場合には、ＬａＢ6 中間抵抗体
４中にＬａＢ6 が過剰にあることになり、厚膜導体２に
含まれる成分とＬａＢ6 とが反応しやすくなるのに対
し、シート抵抗値が１００Ω／□以上であればＬａＢ6
中間抵抗体４中のＬａＢ6 が適量になり、厚膜導体２に
含まれるガラス中の成分とＬａＢ6 との反応が生じにく
くなるからである。 （第３実施例）図６に、上記第２実施例を変形させた例
を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面
図、（ｃ）はＢ−Ｂ’断面図である。この実施例は、厚
膜導体２がセラミック基板１上に平行に形成されている
時に、２つの厚膜導体２を覆うようにしてＬａＢ6 抵抗
体３を形成し、厚膜導体２上でＬａＢ6 抵抗体３の端部
が存在する領域のみにＬａＢ6 中間抵抗体４を形成して
いる。
【００２８】このように構成することによって、第２実
施例と同様、抵抗値変動を防止することができるととも
に、ＬａＢ6 中間抵抗体４を形成したことによる抵抗体
長手方向（図の左右方向）のサイズを小さくすることが
できる。すなわち、第２実施例のように厚膜導体２とＬ
ａＢ6 抵抗体３の間にＬａＢ6中間抵抗体４を形成した
場合には、図７に示すような形状になるが、この場合、
Ｌ1 〜Ｌ4 の重なり部が必要となる。これは、厚膜印刷
基板の製造において、印刷ずれ等を考慮する必要がある
からである。Ｌ1 〜Ｌ4 としては、それぞれ例えば０．
２ｍｍ程度である。これに対し、図６のように、厚膜導
体２を覆うようにＬａＢ6 抵抗体３を形成した場合に
は、厚膜導体２の配線方向にＬａＢ6 中間抵抗体４が部
分的に形成され、抵抗体長手方向においては厚膜導体２
とＬａＢ6 抵抗体３が並ぶのみとなるので、ＬａＢ6 中
間抵抗体４を設けたことによる重なり部が不要となり、
その分サイズを小さくすることができる。 （第４実施例）この第４実施例は、シート抵抗値が大き
い（５ｋ／□〜１０ｋΩ／□程度）ＬａＢ6 抵抗体３を
用いた場合の実施例である。構成は図１に示すものと同
じである。
施例と同様、抵抗値変動を防止することができるととも
に、ＬａＢ6 中間抵抗体４を形成したことによる抵抗体
長手方向（図の左右方向）のサイズを小さくすることが
できる。すなわち、第２実施例のように厚膜導体２とＬ
ａＢ6 抵抗体３の間にＬａＢ6中間抵抗体４を形成した
場合には、図７に示すような形状になるが、この場合、
Ｌ1 〜Ｌ4 の重なり部が必要となる。これは、厚膜印刷
基板の製造において、印刷ずれ等を考慮する必要がある
からである。Ｌ1 〜Ｌ4 としては、それぞれ例えば０．
２ｍｍ程度である。これに対し、図６のように、厚膜導
体２を覆うようにＬａＢ6 抵抗体３を形成した場合に
は、厚膜導体２の配線方向にＬａＢ6 中間抵抗体４が部
分的に形成され、抵抗体長手方向においては厚膜導体２
とＬａＢ6 抵抗体３が並ぶのみとなるので、ＬａＢ6 中
間抵抗体４を設けたことによる重なり部が不要となり、
その分サイズを小さくすることができる。 （第４実施例）この第４実施例は、シート抵抗値が大き
い（５ｋ／□〜１０ｋΩ／□程度）ＬａＢ6 抵抗体３を
用いた場合の実施例である。構成は図１に示すものと同
じである。
【００２９】ＬａＢ6 抵抗体３としてシート抵抗値１０
ｋΩ／□のものを用い、中間層４の無いものとＬａＢ6
中間抵抗体４のシート抵抗値を１００Ω／□及び１ｋΩ
／□としたものそれぞれについて、平均の抵抗値を調べ
た結果を図８に示す。中間層４の無いものでは、抵抗値
が著しく大きくなるが、ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート
抵抗値を１００Ω／□、１ｋΩ／□とした場合には、い
ずれも安定した所望の抵抗値を得ている。
ｋΩ／□のものを用い、中間層４の無いものとＬａＢ6
中間抵抗体４のシート抵抗値を１００Ω／□及び１ｋΩ
／□としたものそれぞれについて、平均の抵抗値を調べ
た結果を図８に示す。中間層４の無いものでは、抵抗値
が著しく大きくなるが、ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート
抵抗値を１００Ω／□、１ｋΩ／□とした場合には、い
ずれも安定した所望の抵抗値を得ている。
【００３０】従って、ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵抗値
が大きい場合には、ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート抵抗
値を１ｋΩ／□以下とすることにより抵抗値の増加を防
ぐことができる。これは、ＬａＢ6 中間抵抗体４のシー
ト抵抗値を大きくすると、ＬａＢ6 中間抵抗体４中のＬ
ａＢ6 は少なくなり、厚膜導体２に含まれる成分とＬａ
Ｂ6 とが反応してＬａＢ6 が一層少なくなり、抵抗値が
増大するからである。従って、ＬａＢ6 中間抵抗体４の
シート抵抗値を１ｋΩ／□以下とすれば、ＬａＢ6 中間
抵抗体４中のＬａＢ6 の減少の影響がそれほどなく、抵
抗値の増大を抑制することができる。 （第５実施例）ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵抗値が大き
い場合には、厚膜導体２とＬａＢ6 抵抗体３の接合部全
体にＬａＢ6 中間抵抗体４を形成してもそれによる抵抗
値変動への影響は少ない。このため、図１に示すような
構成としてもよいが、その場合には、ＬａＢ6 中間抵抗
体４を設けた分だけ表面の凹凸段差が大きくなる。
が大きい場合には、ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート抵抗
値を１ｋΩ／□以下とすることにより抵抗値の増加を防
ぐことができる。これは、ＬａＢ6 中間抵抗体４のシー
ト抵抗値を大きくすると、ＬａＢ6 中間抵抗体４中のＬ
ａＢ6 は少なくなり、厚膜導体２に含まれる成分とＬａ
Ｂ6 とが反応してＬａＢ6 が一層少なくなり、抵抗値が
増大するからである。従って、ＬａＢ6 中間抵抗体４の
シート抵抗値を１ｋΩ／□以下とすれば、ＬａＢ6 中間
抵抗体４中のＬａＢ6 の減少の影響がそれほどなく、抵
抗値の増大を抑制することができる。 （第５実施例）ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵抗値が大き
い場合には、厚膜導体２とＬａＢ6 抵抗体３の接合部全
体にＬａＢ6 中間抵抗体４を形成してもそれによる抵抗
値変動への影響は少ない。このため、図１に示すような
構成としてもよいが、その場合には、ＬａＢ6 中間抵抗
体４を設けた分だけ表面の凹凸段差が大きくなる。
【００３１】そこで、この実施例においては、図９に示
すように、厚膜導体２とＬａＢ6 抵抗体３とがオーバラ
ップしないように構成し、その間にＬａＢ6 中間抵抗体
４を介在させるようにしている。このように構成したこ
とにより、表面の凹凸段差を小さくすることができる。
なお、図９（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図で
ある。
すように、厚膜導体２とＬａＢ6 抵抗体３とがオーバラ
ップしないように構成し、その間にＬａＢ6 中間抵抗体
４を介在させるようにしている。このように構成したこ
とにより、表面の凹凸段差を小さくすることができる。
なお、図９（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図で
ある。
【００３２】上記した実施例によれば、ＬａＢ6 抵抗体
３のシート抵抗値が小さい場合にはＬａＢ6 中間抵抗体
４のシート抵抗値を１００Ω／□以上とし、ＬａＢ6 抵
抗体３のシート抵抗値が大きい場合にはＬａＢ6 中間抵
抗体４のシート抵抗値を１ｋΩ／□以下とした。従っ
て、ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート抵抗値を１００Ω／
□〜１ｋΩ／□とすれば、ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵
抗値がどのようなものであっても、クラックの発生ある
いはガラス化抵抗体層の形成による抵抗値の異常を防ぐ
ことができる。 （第６実施例）この第６実施例は、第１実施例あるいは
第２実施例を変形させたもので、ＬａＢ6 抵抗体３の横
方向の４つの端部と厚膜導体２間に、ＬａＢ6 中間抵抗
体４を形成し、ＬａＢ6 抵抗体３の縦方向の端部を厚膜
導体２と直接接触するようにしている。
３のシート抵抗値が小さい場合にはＬａＢ6 中間抵抗体
４のシート抵抗値を１００Ω／□以上とし、ＬａＢ6 抵
抗体３のシート抵抗値が大きい場合にはＬａＢ6 中間抵
抗体４のシート抵抗値を１ｋΩ／□以下とした。従っ
て、ＬａＢ6 中間抵抗体４のシート抵抗値を１００Ω／
□〜１ｋΩ／□とすれば、ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵
抗値がどのようなものであっても、クラックの発生ある
いはガラス化抵抗体層の形成による抵抗値の異常を防ぐ
ことができる。 （第６実施例）この第６実施例は、第１実施例あるいは
第２実施例を変形させたもので、ＬａＢ6 抵抗体３の横
方向の４つの端部と厚膜導体２間に、ＬａＢ6 中間抵抗
体４を形成し、ＬａＢ6 抵抗体３の縦方向の端部を厚膜
導体２と直接接触するようにしている。
【００３３】この実施例では、ＬａＢ6 抵抗体３の横方
向に電流を流すようにしたものであるため、ＬａＢ6 抵
抗体３の縦方向の端部下の厚膜導体２中にクラックが発
生したとしても、ＬａＢ6 抵抗体３に流れる電流には影
響せず、従って抵抗値の異常を防ぐことができる。な
お、上記いずれの実施例においても厚膜導体２としてＣ
ｕ系の材料を用いるものを示したが、Ａｇ系の材料を用
いてもよく、また厚膜抵抗４においてもＬａＢ6 抵抗体
に限らずＲｕＯ2 （酸化ルテニウム）を用いるようにし
てもよい。
向に電流を流すようにしたものであるため、ＬａＢ6 抵
抗体３の縦方向の端部下の厚膜導体２中にクラックが発
生したとしても、ＬａＢ6 抵抗体３に流れる電流には影
響せず、従って抵抗値の異常を防ぐことができる。な
お、上記いずれの実施例においても厚膜導体２としてＣ
ｕ系の材料を用いるものを示したが、Ａｇ系の材料を用
いてもよく、また厚膜抵抗４においてもＬａＢ6 抵抗体
に限らずＲｕＯ2 （酸化ルテニウム）を用いるようにし
てもよい。
【図１】本発明の第１実施例に係る厚膜印刷基板の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る厚膜印刷基板の製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図３】図１に示す構成に対し、中間層の無いものとＬ
ａＢ6 中間抵抗体のシート抵抗値を１００Ω／□、１ｋ
Ω／□、１０ｋΩ／□としたものそれぞれについて平均
の抵抗値を調べた結果を示す図である。
ａＢ6 中間抵抗体のシート抵抗値を１００Ω／□、１ｋ
Ω／□、１０ｋΩ／□としたものそれぞれについて平均
の抵抗値を調べた結果を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例に係る厚膜印刷基板の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図５】図４に示す構成に対し、中間層の無いものとＬ
ａＢ6 中間抵抗体のシート抵抗値を１００Ω／□、１ｋ
Ω／□、１０ｋΩ／□としたものそれぞれについて平均
の抵抗値を調べた結果を示す図である。
ａＢ6 中間抵抗体のシート抵抗値を１００Ω／□、１ｋ
Ω／□、１０ｋΩ／□としたものそれぞれについて平均
の抵抗値を調べた結果を示す図である。
【図６】本発明の第３実施例に係る厚膜印刷基板の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図７】図６に示す構成のものがサイズ的に小さくなる
ことを比較説明するための図である。
ことを比較説明するための図である。
【図８】本発明の第４実施例に係る厚膜印刷基板の構成
において、中間層の無いものとＬａＢ6 中間抵抗体のシ
ート抵抗値を１００Ω／□及び１ｋΩ／□としたものそ
れぞれについて平均の抵抗値を調べた結果を示す図であ
る。
において、中間層の無いものとＬａＢ6 中間抵抗体のシ
ート抵抗値を１００Ω／□及び１ｋΩ／□としたものそ
れぞれについて平均の抵抗値を調べた結果を示す図であ
る。
【図９】本発明の第５実施例に係る厚膜印刷基板の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図１０】従来の厚膜印刷基板の構成を示す図である。
【図１１】ＬａＢ6 抵抗体３のシート抵抗値が小さい時
に厚膜導体２にクラックが生じて断線が生じることを示
す説明図である。
に厚膜導体２にクラックが生じて断線が生じることを示
す説明図である。
【図１２】ＬａＢ6 抵抗体のシート抵抗値を１０Ω／
□、５０Ω／□、１００Ω／□と変化させた場合に抵抗
値が増大していることを示す図である。
□、５０Ω／□、１００Ω／□と変化させた場合に抵抗
値が増大していることを示す図である。
【図１３】ＬａＢ6 抵抗体のシート抵抗値を１ｋΩ／
□、５ｋΩ／□、１０ｋΩ／□と変化させたに抵抗値が
増大していることを示す図である。
□、５ｋΩ／□、１０ｋΩ／□と変化させたに抵抗値が
増大していることを示す図である。
【図１４】ＬａＢ6 抵抗体の抵抗値が大きい場合にＬａ
Ｂ6 抵抗体３側にガラス化した抵抗体層が形成されるこ
とを示す図である。
Ｂ6 抵抗体３側にガラス化した抵抗体層が形成されるこ
とを示す図である。
【図１５】本発明の第６実施例に係る厚膜印刷基板の構
成を示す図である。
成を示す図である。
１…セラミック基板、２…厚膜導体、３…ＬａＢ6 抵抗
体、４…ＬａＢ6 中間抵抗体。
体、４…ＬａＢ6 中間抵抗体。
Claims (8)
- 【請求項１】 セラミック基板上に厚膜導体と厚膜抵抗
体とを印刷し焼成して形成した厚膜印刷基板において、 前記厚膜導体と前記厚膜抵抗体との間に、前記厚膜導体
と前記厚膜抵抗体との反応を阻止する中間層を設けたこ
とを特徴とする厚膜印刷基板。 - 【請求項２】 セラミック基板上に厚膜導体とほう化ラ
ンタン系の抵抗体とを印刷し焼成して形成した厚膜印刷
基板において、 シート抵抗値が５０Ω／□以下の前記ほう化ランタン系
の抵抗体に対し、前記厚膜導体と前記ほう化ランタン系
の抵抗体との間に、シート抵抗値が１００Ω／□以上の
ほう化ランタン系の抵抗体中間層を設けたことを特徴と
する厚膜印刷基板。 - 【請求項３】 前記ほう化ランタン系の抵抗体の端部と
前記厚膜導体との間に前記ほう化ランタン系の抵抗体中
間層が形成され、前記厚膜抵抗体の端部以外の領域にお
いて前記ほう化ランタン系の抵抗体と前記厚膜導体とが
直接接触していることを特徴とする請求項２に記載の厚
膜印刷基板。 - 【請求項４】 セラミック基板上に厚膜導体とほう化ラ
ンタン系の抵抗体とを印刷し焼成して形成した厚膜印刷
基板において、 シート抵抗値が５ｋΩ／□以上のほう化ランタン系の抵
抗体に対し、前記厚膜導体と前記ほう化ランタン系の抵
抗体との間に、シート抵抗値が１ｋΩ／□以下のほう化
ランタン系の抵抗体中間層を設けたことを特徴とする厚
膜印刷基板。 - 【請求項５】 前記厚膜導体と前記ほう化ランタン系の
抵抗体とはオーバーラップしない状態で前記セラミック
基板上に形成され、前記ほう化ランタン系の抵抗体中間
層は、前記厚膜導体と前記ほう化ランタン系の抵抗体の
それぞれに電気的接続のための重なり部をもって形成さ
れていることを特徴とする請求項４に記載の厚膜印刷基
板。 - 【請求項６】 セラミック基板上に厚膜導体とほう化ラ
ンタン系の抵抗体とを印刷し焼成して形成した厚膜印刷
基板において、 前記厚膜導体と前記ほう化ランタン系の抵抗体との間
に、シート抵抗値が１００Ω／□以上１ｋΩ／□以下の
ほう化ランタン系の抵抗体中間層を設けたことを特徴と
する厚膜印刷基板。 - 【請求項７】 セラミック基板上に導体ペーストを印刷
して焼成し、その上に抵抗体ペーストを印刷して焼成す
ることにより厚膜印刷基板を製造するようにした方法に
おいて、 前記抵抗体ペーストを印刷する前に、その抵抗体ペース
トの焼成により前記抵抗体ペーストと前記焼成された導
体とが反応するのを阻止する中間層を介在させたことを
特徴とする厚膜印刷基板の製造方法。 - 【請求項８】 セラミック基板上に導体ペーストを印刷
し焼成する工程と、複数のほう化ランタン系の抵抗体ペ
ーストを個別に印刷する工程と、この印刷された複数の
抵抗体ペーストを一括して焼成する工程とを有する厚膜
印刷基板の製造方法において、 前記抵抗体ペーストを印刷する工程は、前記抵抗体ペー
ストと同じ材料の抵抗体ペーストで、前記焼成された導
体と前記抵抗体ペーストとの間に、その抵抗体ペースト
の焼成により前記導体と前記抵抗体ペーストとが反応す
るのを阻止する中間層をも印刷するものであることを特
徴とする厚膜印刷基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10567595A JP3633028B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 厚膜印刷基板及びその製造方法 |
| US08/638,145 US5754093A (en) | 1995-04-28 | 1996-04-26 | Thick-film printed substrate including an electrically connecting member and method for fabricating the same |
| DE19616847A DE19616847B4 (de) | 1995-04-28 | 1996-04-26 | Gedrucktes Dickschichtsubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10567595A JP3633028B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 厚膜印刷基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08307031A true JPH08307031A (ja) | 1996-11-22 |
| JP3633028B2 JP3633028B2 (ja) | 2005-03-30 |
Family
ID=14414018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10567595A Expired - Fee Related JP3633028B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 厚膜印刷基板及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3633028B2 (ja) |
| DE (1) | DE19616847B4 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2006190701A (ja) * | 2003-02-26 | 2006-07-20 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック回路基板及びこれに用いられる導体ペースト |
| DE102010038851B4 (de) * | 2010-08-03 | 2016-03-31 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Elektrische Erfassungsvorrichtung für elektrisch antreibbare Fahrzeuge und Herstellungsverfahren für dieselbe |
| GB2616734B (en) | 2022-03-16 | 2024-06-05 | Nokia Solutions & Networks Oy | Resistive device |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2786925A (en) * | 1952-12-31 | 1957-03-26 | Sprague Electric Co | Metal film resistor |
| US3649945A (en) * | 1971-01-20 | 1972-03-14 | Fairchild Camera Instr Co | Thin film resistor contact |
| US4225468A (en) * | 1978-08-16 | 1980-09-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Temperature coefficient of resistance modifiers for thick film resistors |
| JPS59227101A (ja) * | 1983-06-07 | 1984-12-20 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 厚膜抵抗 |
| US4512917A (en) * | 1983-08-22 | 1985-04-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Hexaboride resistor composition |
| JPH0714105B2 (ja) * | 1986-05-19 | 1995-02-15 | 日本電装株式会社 | 混成集積回路基板及びその製造方法 |
| US5119272A (en) * | 1986-07-21 | 1992-06-02 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Circuit board and method of producing circuit board |
| US4728534A (en) * | 1986-08-04 | 1988-03-01 | Motorola, Inc. | Thick film conductor structure |
| JP2760035B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1998-05-28 | 株式会社デンソー | 厚膜回路基板 |
| JP2750992B2 (ja) * | 1992-08-12 | 1998-05-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH06326246A (ja) * | 1993-05-13 | 1994-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | 厚膜回路基板及びその製造方法 |
| JP2783751B2 (ja) * | 1993-12-21 | 1998-08-06 | 富士通株式会社 | 多層セラミック基板の製造方法 |
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1995
- 1995-04-28 JP JP10567595A patent/JP3633028B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-04-26 DE DE19616847A patent/DE19616847B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-04-26 US US08/638,145 patent/US5754093A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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