JPH07320904A - 厚膜混成集積回路 - Google Patents
厚膜混成集積回路Info
- Publication number
- JPH07320904A JPH07320904A JP6107173A JP10717394A JPH07320904A JP H07320904 A JPH07320904 A JP H07320904A JP 6107173 A JP6107173 A JP 6107173A JP 10717394 A JP10717394 A JP 10717394A JP H07320904 A JPH07320904 A JP H07320904A
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- Japan
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- film resistor
- conductor
- tcr
- resistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は厚膜混成集積回路、特に厚膜抵抗
体に関し、厚膜抵抗体の設計時にＴＣＲを考慮した電極
用の導体および厚膜抵抗体の形状設計構造を有すること
により、ＴＣＲを満足することを目的とする。 【構成】 厚膜抵抗体１の両端に接続する導体２のパ
ターンに加えて、厚膜抵抗体１の中間部にも回路と導通
しない導体のパターンを設け、或いは、厚膜抵抗体１の
両端に接続する導体２との接続パターン巾を、厚膜抵抗
体１自体のパターン巾より変化させて、厚膜抵抗体１の
ＴＣＲの調整を行う。
体に関し、厚膜抵抗体の設計時にＴＣＲを考慮した電極
用の導体および厚膜抵抗体の形状設計構造を有すること
により、ＴＣＲを満足することを目的とする。 【構成】 厚膜抵抗体１の両端に接続する導体２のパ
ターンに加えて、厚膜抵抗体１の中間部にも回路と導通
しない導体のパターンを設け、或いは、厚膜抵抗体１の
両端に接続する導体２との接続パターン巾を、厚膜抵抗
体１自体のパターン巾より変化させて、厚膜抵抗体１の
ＴＣＲの調整を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜混成集積回路（ハ
イブリッドＩＣ）の特に厚膜抵抗体に関する。
イブリッドＩＣ）の特に厚膜抵抗体に関する。
【０００２】近年、厚膜抵抗の特性の中で、抵抗温度係
数（ＴＣＲ：Temperature Coefficiency Resistance)の
要求も厳しくなっており、絶対ＴＣＲ又は相対ＴＣＲ
等、その要求を満足させる必要がある。
数（ＴＣＲ：Temperature Coefficiency Resistance)の
要求も厳しくなっており、絶対ＴＣＲ又は相対ＴＣＲ
等、その要求を満足させる必要がある。
【０００３】
【従来の技術】図４は従来例の説明図であり、厚膜抵抗
体の一例を示す。図において、１は厚膜抵抗体、１’は
Agが拡散した領域、２は導体である。
体の一例を示す。図において、１は厚膜抵抗体、１’は
Agが拡散した領域、２は導体である。
【０００４】厚膜抵抗体１には、従来、パラジウム・銀
(Pb-Ag) や酸化パラジウム・銀(PbO-Ag)等色々なものが
使われてきたが、その後、酸化ルテニウム(RuO2)系のも
のが開発され、抵抗値範囲も広く、調整も容易で、安定
性、特に耐湿性が改善されている。すなわち、アルミナ
基板又は厚膜絶縁体上にAg等の導体２を電極として、Ru
O2の厚膜抵抗体１が印刷・乾燥・焼成して形成される。
(Pb-Ag) や酸化パラジウム・銀(PbO-Ag)等色々なものが
使われてきたが、その後、酸化ルテニウム(RuO2)系のも
のが開発され、抵抗値範囲も広く、調整も容易で、安定
性、特に耐湿性が改善されている。すなわち、アルミナ
基板又は厚膜絶縁体上にAg等の導体２を電極として、Ru
O2の厚膜抵抗体１が印刷・乾燥・焼成して形成される。
【０００５】抵抗値Ｒは、厚膜抵抗体１の比抵抗をρ
〔Ω・ｃｍ〕、厚さをｔ（ｃｍ）、長さをＬ（ｃｍ）、
巾をＷ〔ｃｍ〕として、次式で表される。
〔Ω・ｃｍ〕、厚さをｔ（ｃｍ）、長さをＬ（ｃｍ）、
巾をＷ〔ｃｍ〕として、次式で表される。
【０００６】
【数１】
【０００７】厚膜抵抗体１の使用電力、抵抗値、シート
抵抗値、膜厚などから厚膜抵抗体１の巾（Ｗ）と長さ
（Ｌ）を決めている。従来、上記厚膜抵抗体１のＴＣＲ
の要求に対しては、ＴＣＲの変動が出来るだけ少ないよ
うに、厚膜抵抗体の材料である抵抗ペースト材料の選
択、ペーストロットの選択、導体ペースト材料の選択、
抵抗体の焼成プロファイルの選択、製品の選別などを色
々組み合わせて対処してきた。
抵抗値、膜厚などから厚膜抵抗体１の巾（Ｗ）と長さ
（Ｌ）を決めている。従来、上記厚膜抵抗体１のＴＣＲ
の要求に対しては、ＴＣＲの変動が出来るだけ少ないよ
うに、厚膜抵抗体の材料である抵抗ペースト材料の選
択、ペーストロットの選択、導体ペースト材料の選択、
抵抗体の焼成プロファイルの選択、製品の選別などを色
々組み合わせて対処してきた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】一般に、厚膜抵抗の抵
抗温度係数は、抵抗体自身の材料によるＴＣＲ分と抵抗
体の電極となる導体の成分の影響による分により構成さ
れる。抵抗体自身は材料の選択により可能であり、ＴＣ
Ｒの要求が緩いときには、この選択で十分であった。
抗温度係数は、抵抗体自身の材料によるＴＣＲ分と抵抗
体の電極となる導体の成分の影響による分により構成さ
れる。抵抗体自身は材料の選択により可能であり、ＴＣ
Ｒの要求が緩いときには、この選択で十分であった。
【０００９】しかし、近年、ＴＣＲの要求が厳しくな
り、抵抗体の電極となる導体の成分の影響による分を考
慮する必要があり、従来の抵抗体材料の選択や導体成
分、或いはまた焼成プロファイルの設定等の対処方法で
は対応仕切れなくなっていた。
り、抵抗体の電極となる導体の成分の影響による分を考
慮する必要があり、従来の抵抗体材料の選択や導体成
分、或いはまた焼成プロファイルの設定等の対処方法で
は対応仕切れなくなっていた。
【００１０】更に、抵抗パターン、導体パターン、両者
の接触面積等も、導体から厚膜抵抗体への拡散成分の考
慮がなされておらず、ＴＣＲ変動の一因となっていた。
図４（ｂ）に示すような厚膜抵抗体Ｒ12の抵抗値は、Ｌ
／Ｗが図４（ａ）に示す厚膜抵抗体Ｒ12の１／３倍であ
っても、その抵抗値は１／３倍にはならず、抵抗値は−
の方向にシフトする。一方、ＴＣＲは＋の方にシフトし
てしまう。
の接触面積等も、導体から厚膜抵抗体への拡散成分の考
慮がなされておらず、ＴＣＲ変動の一因となっていた。
図４（ｂ）に示すような厚膜抵抗体Ｒ12の抵抗値は、Ｌ
／Ｗが図４（ａ）に示す厚膜抵抗体Ｒ12の１／３倍であ
っても、その抵抗値は１／３倍にはならず、抵抗値は−
の方向にシフトする。一方、ＴＣＲは＋の方にシフトし
てしまう。
【００１１】これは、導体２中の銀(Ag)が熱処理中に厚
膜抵抗体１の中に拡散するため、厚膜抵抗体１の比抵抗
ρが小さくなるので、その抵抗値は小さくなり、ＴＣＲ
が＋に大きいAgの影響で厚膜抵抗体１のＴＣＲは大きく
なってしまうからである。
膜抵抗体１の中に拡散するため、厚膜抵抗体１の比抵抗
ρが小さくなるので、その抵抗値は小さくなり、ＴＣＲ
が＋に大きいAgの影響で厚膜抵抗体１のＴＣＲは大きく
なってしまうからである。
【００１２】本発明は、このため、厚膜抵抗体の設計時
にＴＣＲを考慮した電極用の導体および厚膜抵抗体の形
状パターンを採用することにより、厚膜抵抗体のＴＣＲ
特性を満足することを目的とする。
にＴＣＲを考慮した電極用の導体および厚膜抵抗体の形
状パターンを採用することにより、厚膜抵抗体のＴＣＲ
特性を満足することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において、１は厚膜抵抗体、２は導体であ
る。
図である。図において、１は厚膜抵抗体、２は導体であ
る。
【００１４】上記のように、厚膜抵抗体１はアルミナ基
板又は厚膜絶縁体上に導体２を電極として、厚膜抵抗体
１を印刷・乾燥・焼成して形成されるが、厚膜抵抗体１
の巾（Ｗ）と長さ（Ｌ）を決めた一意的な決定方法では
ＴＣＲの影響は考慮されていない。
板又は厚膜絶縁体上に導体２を電極として、厚膜抵抗体
１を印刷・乾燥・焼成して形成されるが、厚膜抵抗体１
の巾（Ｗ）と長さ（Ｌ）を決めた一意的な決定方法では
ＴＣＲの影響は考慮されていない。
【００１５】このため、本発明では、厚膜抵抗体の設計
時にＴＣＲを考慮した電極および抵抗体の構造により、
ＴＣＲを満足させる。すなわち、導体２からの銀等の拡
散を考慮して、厚膜抵抗体１の所望のＴＣＲに合わせた
パターン設計を行うようにする。
時にＴＣＲを考慮した電極および抵抗体の構造により、
ＴＣＲを満足させる。すなわち、導体２からの銀等の拡
散を考慮して、厚膜抵抗体１の所望のＴＣＲに合わせた
パターン設計を行うようにする。
【００１６】抵抗値は従来例の図４に示すように長さＬ
が同じで、巾Ｗが３倍の場合に抵抗値も１／３倍となる
はずだが、導体からのＴＣＲ特性の大きいAg等の拡散に
より図４（ｂ）に示す短い抵抗体の方が、二重斜線で示
すようなAgの拡散領域の比率が、図４（ａ）に示す長い
抵抗体より大きいため、その分ＴＣＲの変動が大きくな
る。
が同じで、巾Ｗが３倍の場合に抵抗値も１／３倍となる
はずだが、導体からのＴＣＲ特性の大きいAg等の拡散に
より図４（ｂ）に示す短い抵抗体の方が、二重斜線で示
すようなAgの拡散領域の比率が、図４（ａ）に示す長い
抵抗体より大きいため、その分ＴＣＲの変動が大きくな
る。
【００１７】また、同じ巾と長さの比率の場合、導体と
厚膜抵抗体の接触面積の大きい方が銀の拡散量が大き
く、ＴＣＲもより大きく影響を受ける。すなわち、Ｌ／
Ｗの比率の他、抵抗体と導体との接触面積や接触長の影
響を考慮する必要があり、図１（ａ）に示すような従来
の抵抗体のパターン設計においては、図１（ｂ）に示す
ように、抵抗巾を大きくし、しかも導体と抵抗体との接
触面積を小さくして、銀の拡散量を押さえ、抵抗体の抵
抗値の低下及びＴＣＲの増加を防ぐようにする。
厚膜抵抗体の接触面積の大きい方が銀の拡散量が大き
く、ＴＣＲもより大きく影響を受ける。すなわち、Ｌ／
Ｗの比率の他、抵抗体と導体との接触面積や接触長の影
響を考慮する必要があり、図１（ａ）に示すような従来
の抵抗体のパターン設計においては、図１（ｂ）に示す
ように、抵抗巾を大きくし、しかも導体と抵抗体との接
触面積を小さくして、銀の拡散量を押さえ、抵抗体の抵
抗値の低下及びＴＣＲの増加を防ぐようにする。
【００１８】すなわち、本発明の目的は、図１（ｂ）に
示すように、厚膜抵抗体１と該厚膜抵抗体１の両端に接
続された回路と導通する導体２のパターンと、該厚膜抵
抗体１の中間部に形成された回路と導通しない導体のパ
ターンとを有することにより、また、図２（ｂ）に示す
ように、厚膜抵抗体１と該厚膜抵抗体１の両端に接続さ
れた、回路と導通する導体２のパターンとを有し、前記
厚膜抵抗体１の前記導体２との接続パターン巾が、該厚
膜抵抗体１自体のパターン巾よりも大きく形成されてい
ることにより、或いはまた、図３（ｂ）に示すように、
厚膜抵抗体１と該厚膜抵抗体１の両端に接続された、回
路と導通する導体２のパターンとを有し、前記厚膜抵抗
体１の前記導体２との接続パターン巾が、該厚膜抵抗体
１自体のパターン巾よりも小さく形成されていることに
より達成される。
示すように、厚膜抵抗体１と該厚膜抵抗体１の両端に接
続された回路と導通する導体２のパターンと、該厚膜抵
抗体１の中間部に形成された回路と導通しない導体のパ
ターンとを有することにより、また、図２（ｂ）に示す
ように、厚膜抵抗体１と該厚膜抵抗体１の両端に接続さ
れた、回路と導通する導体２のパターンとを有し、前記
厚膜抵抗体１の前記導体２との接続パターン巾が、該厚
膜抵抗体１自体のパターン巾よりも大きく形成されてい
ることにより、或いはまた、図３（ｂ）に示すように、
厚膜抵抗体１と該厚膜抵抗体１の両端に接続された、回
路と導通する導体２のパターンとを有し、前記厚膜抵抗
体１の前記導体２との接続パターン巾が、該厚膜抵抗体
１自体のパターン巾よりも小さく形成されていることに
より達成される。
【００１９】
【作用】上記のように、本発明では、図１に示すように
厚膜抵抗体のＴＣＲは導体の電極材料に含まれるAg等、
ＴＣＲの大きい材料の拡散による影響を受けて、厚膜抵
抗体１の比抵抗ρが小さくなるので、その抵抗値は小さ
くなり、ＴＣＲが＋に大きいAgの影響で厚膜抵抗体１の
ＴＣＲは大きくなってしまう。
厚膜抵抗体のＴＣＲは導体の電極材料に含まれるAg等、
ＴＣＲの大きい材料の拡散による影響を受けて、厚膜抵
抗体１の比抵抗ρが小さくなるので、その抵抗値は小さ
くなり、ＴＣＲが＋に大きいAgの影響で厚膜抵抗体１の
ＴＣＲは大きくなってしまう。
【００２０】このため、本発明のように、厚膜抵抗体設
計時に導体の電極材料の拡散を考慮して、厚膜抵抗体の
設計時にＴＣＲを考慮した電極用の導体および厚膜抵抗
体の形状パターンを採用する。
計時に導体の電極材料の拡散を考慮して、厚膜抵抗体の
設計時にＴＣＲを考慮した電極用の導体および厚膜抵抗
体の形状パターンを採用する。
【００２１】すなわち、図１（ｂ）に示すように、厚膜
抵抗体１の両端に接続する導体２のパターンに加えて、
厚膜抵抗体１の中間部にも回路と導通しない導体２のパ
ターンを設けたり、或いは、図２（ｂ）に示すように、
厚膜抵抗体１の両端に接続する導体２との接続パターン
巾を、厚膜抵抗体１自体のパターン巾より大きく、広く
したり、また反対に、図３（ｂ）に示すように、厚膜抵
抗体１の両端に接続する導体２との接続パターン巾を、
厚膜抵抗体１自体のパターン巾より小さく、狭くして、
導体２の材料である銀が厚膜抵抗体１へ拡散して、ＴＣ
Ｒを変動させる量を減らしたり、増加したりして、厚膜
抵抗体１の抵抗温度係数の調整を行い、所望のＴＣＲを
得る事が出来る。
抵抗体１の両端に接続する導体２のパターンに加えて、
厚膜抵抗体１の中間部にも回路と導通しない導体２のパ
ターンを設けたり、或いは、図２（ｂ）に示すように、
厚膜抵抗体１の両端に接続する導体２との接続パターン
巾を、厚膜抵抗体１自体のパターン巾より大きく、広く
したり、また反対に、図３（ｂ）に示すように、厚膜抵
抗体１の両端に接続する導体２との接続パターン巾を、
厚膜抵抗体１自体のパターン巾より小さく、狭くして、
導体２の材料である銀が厚膜抵抗体１へ拡散して、ＴＣ
Ｒを変動させる量を減らしたり、増加したりして、厚膜
抵抗体１の抵抗温度係数の調整を行い、所望のＴＣＲを
得る事が出来る。
【００２２】
【実施例】図１は本発明の原理説明図兼第１の実施例の
説明図、図２、図３は本発明の第２、第３の実施例の説
明図である。
説明図、図２、図３は本発明の第２、第３の実施例の説
明図である。
【００２３】図において、１は厚膜抵抗体、２は導体で
ある。図１により、本発明の第１の実施例を説明する。
第１の実施例において、本発明の方法により設計したパ
ターンを図１に示す。厚膜抵抗体１の抵抗値は図１
（ａ）に示したＲ１及び図１（ｂ）に示したＲ２がそれ
ぞれ１００ｋΩで、図１（ｃ）に示したＲ３は３３ｋΩ
である。
ある。図１により、本発明の第１の実施例を説明する。
第１の実施例において、本発明の方法により設計したパ
ターンを図１に示す。厚膜抵抗体１の抵抗値は図１
（ａ）に示したＲ１及び図１（ｂ）に示したＲ２がそれ
ぞれ１００ｋΩで、図１（ｃ）に示したＲ３は３３ｋΩ
である。
【００２４】導体ペーストに銀パラジウム(AgPd)を用
い、抵抗ペーストに105 Ω/ □で且つ、ＴＣＲが０±10
0ppm／℃のルテニウム酸化物(RuO2)を用いオーバーコー
トガラスに主成分がPbO/SiO2/B2O3 からなる非晶質ガラ
スを用いる。
い、抵抗ペーストに105 Ω/ □で且つ、ＴＣＲが０±10
0ppm／℃のルテニウム酸化物(RuO2)を用いオーバーコー
トガラスに主成分がPbO/SiO2/B2O3 からなる非晶質ガラ
スを用いる。
【００２５】先ず、スクリーン印刷により導体パターン
を乾燥後の厚さが20μｍの厚さになるようにスクリーン
印刷したあと、150 ℃で10〜15分乾燥し、続いて導体ペ
ーストを焼成する。
を乾燥後の厚さが20μｍの厚さになるようにスクリーン
印刷したあと、150 ℃で10〜15分乾燥し、続いて導体ペ
ーストを焼成する。
【００２６】焼成は導体ペーストを印刷した基板をベル
トコンベア式の焼成炉に入れ、基板の加熱温度を上昇速
度55℃／分の割合で昇温し、ピーク温度850 ℃で10分間
焼成したあと60℃／分で徐々に温度を下げ、その間47分
間が焼成時間となる。基板を載置して搬送するベルトの
速度は110mm/分の割合で進行する。
トコンベア式の焼成炉に入れ、基板の加熱温度を上昇速
度55℃／分の割合で昇温し、ピーク温度850 ℃で10分間
焼成したあと60℃／分で徐々に温度を下げ、その間47分
間が焼成時間となる。基板を載置して搬送するベルトの
速度は110mm/分の割合で進行する。
【００２７】次に、抵抗ペーストを20μｍの厚さに導体
２の間に抵抗体１としてスクリーン印刷したあと、150
℃で10〜15分乾燥し、続いて抵抗ペーストを焼成する。
焼成条件は前記と同様で、上昇速度55℃／分で昇温しピ
ーク温度850 ℃で10分間焼成したあと60℃／分で徐々に
温度を下げ、その間47分間が焼成時間である。ベルト速
度も同じく110mm/分の割合で進行する。
２の間に抵抗体１としてスクリーン印刷したあと、150
℃で10〜15分乾燥し、続いて抵抗ペーストを焼成する。
焼成条件は前記と同様で、上昇速度55℃／分で昇温しピ
ーク温度850 ℃で10分間焼成したあと60℃／分で徐々に
温度を下げ、その間47分間が焼成時間である。ベルト速
度も同じく110mm/分の割合で進行する。
【００２８】続いて、オーバーコートペーストを、厚膜
抵抗体１と導体２を印刷した基板の全面に20μｍの厚さ
に印刷する。そして、クリーンエア中、150 ℃で10〜15
分乾燥し、ピーク温度514 ℃で24分間焼成する。ベルト
速度は240mm/分と速くする。
抵抗体１と導体２を印刷した基板の全面に20μｍの厚さ
に印刷する。そして、クリーンエア中、150 ℃で10〜15
分乾燥し、ピーク温度514 ℃で24分間焼成する。ベルト
速度は240mm/分と速くする。
【００２９】この結果、図１に示す厚膜抵抗体Ｒ１〜Ｒ
３のパターンにおいて、ＴＣＲ値はＲ１が−７０ｐｐｍ
／℃、Ｒ２が−５０ｐｐｍ／℃、Ｒ３が−５５ｐｐｍ／
℃の値が得られた。
３のパターンにおいて、ＴＣＲ値はＲ１が−７０ｐｐｍ
／℃、Ｒ２が−５０ｐｐｍ／℃、Ｒ３が−５５ｐｐｍ／
℃の値が得られた。
【００３０】従って、１００ｋΩと３３ｋΩの２本の厚
膜抵抗体を必要とし、且つ厳しいＴＣＲが必要とされる
時にはＲ１の変わりにＲ２を使用する。これによりＲ３
との相対ＴＣＲを小さくすることが出来る。
膜抵抗体を必要とし、且つ厳しいＴＣＲが必要とされる
時にはＲ１の変わりにＲ２を使用する。これによりＲ３
との相対ＴＣＲを小さくすることが出来る。
【００３１】次に、図２により本発明の第２の実施例を
説明する。厚膜抵抗体１ならびに導体２の製造条件は第
１の実施例と同じである。図２（ａ）に示す厚膜抵抗体
Ｒ４と、図２（ｂ）に示す厚膜抵抗体Ｒ５とも、同一の
抵抗値（Ｌ／Ｗ＝１／２）であるが、Ｒ５はＲ４に対し
て導体２と厚膜抵抗体１の接触面積を小さくしてある。
このため、Ｒ４よりもＲ５の方が導体の拡散の影響が小
さいために、ＴＣＲは−方向にシフトする。
説明する。厚膜抵抗体１ならびに導体２の製造条件は第
１の実施例と同じである。図２（ａ）に示す厚膜抵抗体
Ｒ４と、図２（ｂ）に示す厚膜抵抗体Ｒ５とも、同一の
抵抗値（Ｌ／Ｗ＝１／２）であるが、Ｒ５はＲ４に対し
て導体２と厚膜抵抗体１の接触面積を小さくしてある。
このため、Ｒ４よりもＲ５の方が導体の拡散の影響が小
さいために、ＴＣＲは−方向にシフトする。
【００３２】続いて、図３により本発明の第３の実施例
を説明する。厚膜抵抗体１ならびに導体２の製造条件は
第１の実施例と同じである。図３（ａ）に示す厚膜抵抗
体Ｒ６と、図３（ｂ）に示す厚膜抵抗体Ｒ７とも、同一
の抵抗値（Ｌ／Ｗ＝１／２）であるが、Ｒ７はＲ６に対
して導体２と厚膜抵抗体１の接触面積を大きくしてあ
る。このため、Ｒ６よりもＲ７の方が導体の拡散の影響
が大きいために、ＴＣＲは＋方向にシフトする。
を説明する。厚膜抵抗体１ならびに導体２の製造条件は
第１の実施例と同じである。図３（ａ）に示す厚膜抵抗
体Ｒ６と、図３（ｂ）に示す厚膜抵抗体Ｒ７とも、同一
の抵抗値（Ｌ／Ｗ＝１／２）であるが、Ｒ７はＲ６に対
して導体２と厚膜抵抗体１の接触面積を大きくしてあ
る。このため、Ｒ６よりもＲ７の方が導体の拡散の影響
が大きいために、ＴＣＲは＋方向にシフトする。
【００３３】上記の実施例のように、厚膜抵抗体１の途
中に導体２を形成したり、厚膜抵抗体１と導体２の接触
面積を加減する等の方法で厚膜抵抗体１のパターン設計
を行ない、所望のＴＣＲを得ることができる。
中に導体２を形成したり、厚膜抵抗体１と導体２の接触
面積を加減する等の方法で厚膜抵抗体１のパターン設計
を行ない、所望のＴＣＲを得ることができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
厚膜抵抗体の厳しいＴＣＲ要求に対して、従来からの導
体や抵抗体のペーストを使用し、従来の印刷・焼成条件
にて、厚膜抵抗体のパターン設計により、より精度良く
所望のＴＣＲを容易に得ることができる。
厚膜抵抗体の厳しいＴＣＲ要求に対して、従来からの導
体や抵抗体のペーストを使用し、従来の印刷・焼成条件
にて、厚膜抵抗体のパターン設計により、より精度良く
所望のＴＣＲを容易に得ることができる。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の第２の実施例の説明図
【図３】 本発明の第３の実施例の説明図
【図４】 従来例の説明図
図において １ 厚膜抵抗体 ２ 導体
Claims (3)
- 【請求項１】 厚膜抵抗体(1) と該厚膜抵抗体(1) の両
端に接続された回路と導通する導体(2) のパターンと、
該厚膜抵抗体(1) の中間部に形成された回路と導通しな
い導体のパターンとを有することを特徴とする厚膜混成
集積回路。 - 【請求項２】 厚膜抵抗体(1) と該厚膜抵抗体(1) の両
端に接続された、回路と導通する導体(2) のパターンと
を有し、前記厚膜抵抗体(1) の前記導体(2)との接続パ
ターン巾が、該厚膜抵抗体(1) 自体のパターン巾よりも
大きく形成されていることを特徴とする厚膜混成集積回
路。 - 【請求項３】 厚膜抵抗体(1) と該厚膜抵抗体(1) の両
端に接続された、回路と導通する導体(2) のパターンと
を有し、前記厚膜抵抗体(1) の前記導体(2)との接続パ
ターン巾が、該厚膜抵抗体(1) 自体のパターン巾よりも
小さく形成されていることを特徴とする厚膜混成集積回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6107173A JPH07320904A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 厚膜混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6107173A JPH07320904A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 厚膜混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07320904A true JPH07320904A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14452336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6107173A Withdrawn JPH07320904A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 厚膜混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07320904A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019192690A (ja) * | 2018-04-19 | 2019-10-31 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-05-20 JP JP6107173A patent/JPH07320904A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019192690A (ja) * | 2018-04-19 | 2019-10-31 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
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