KR920005985B1 - 인쇄회로 및 그 제조공정 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

인쇄회로 및 그 제조공정

제1a도는 본 발명의 구현화에 따라 형성된 포스트-터미네이션을 포함한 후막레지스터의 단면도.

제1b,1c 및 1d도는 각각 제1a도에서 여러층의 오버랩 정도를 달리한 본 발명의 구현화에 따라 형성된 후막 레지스터의 터미네이션의 단면도.

제2a도는 본 발명의 다른 구현화에 따라 형성된 포스트-터미네이션을 포함한 후막레지스터의 단면도.

제2b, 2c 및 2d도는 각각 제2a도에서 여러층의 오버랩 정도를 달리한 본 발명의 구현화에따라 형성된 후막레지스터의 터미네이션의 단면도.

제3도는 후막레지스터전에 도전층이 입혀지는 본 발명의 구현화에 따라 형성된 후막레지스터의 단면도.

제4도는 후막레지스터전에 도전층이 입혀지는 본 발명의 다른 구현화에 의해 형성된 후막레지스터의 단면도.

제5도는 본 발명에 따라 내부연결된 3개의 레지스터를 포함한 인쇄회로의 일부평면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 인쇄회로판

본 발명은 인쇄회로에 관한 것이며 특히 후막(厚模)레지스터(thick film resisters)를 포함하는 인쇄회로에 관한 것이다. 전형적인 후막레지스터는 절연기질상에 입힌(deposited)두께가 0.00508-0.0508mm (0.2-2.0 mils)인 적절한 저항물질로된 패턴층(patterned layer)(필름)을 포함한다. 후막레지스터는 전형적으로 적절한 절연기질(일반적으로 알루미나세라믹판)상에 적절한 습윤조성물(통상 잉크혹은 페이스트)로된 적절하게 패턴화된 층을 1차로 인쇄함으로써 형성된다.

패턴화는 통상 실크스크린인쇄로 조절된다.

저항성조성물은 그후 건조 및 가열소성되어 레지스터를 형성하게 된다.

전형적으로 인쇄회로판은 고저항 레지스터를 형성하기위한 잉크나 페이스트로 된 제1조성물 및 저저항레지스터를 형성하기위한 다른 제2조성물을 사용한다.

특정레지스터조성물의 저항 R은 일반적으로 그 외형비(aspect ratio), L/W을 조절함으로써 만들어지며, 여기서 L은 저항필름의 길이, W는 폭이다.

R값은 L에 정비례하며 W에 역비례한다.

R은 또한 필름의 두께에 역비례하나 두께는 일반적으로 공정을 용이하게 하기위해 균일하게 유지된다.

외형비를 적절히 조절하고 저항성물질로된 높고 낮은 저항조성물을 사용함으로써, 후막레지스터에 대한 아주 광범위한 범위의 저항을 얻을 수 있다. 필요하면 그 범위를 채우거나 확충시키기위해 부가적인 조성물이 사용될 수도 있다.

인쇄회로판은 전형적으로 아나로그형태로 회로판상에 인쇄되는 적절히 배열된 도전성필름에 의해 요구되는 전기회로에 내부연결되는 다수의 회로요소(부품)을 지지한다.

구리(혹은 구리-기초합금)는 그 값이싸고 도전성이 좋으며 이동(migration)에 저항적이며 납땜이 쉽기 때문에 회로요소를 내부연결하는 도전성필름으로써 인쇄회로판에 많이 사용된다.

사용되는 구리필름은 전형적으로 도체내부로 산화시키지 않고 구리입자를 소결시키기위해, 질소대기내에서 잘 소성(fire)된 구리입자의 현탁액으로써 인쇄된다.

후막레지스터를 형성시키기에 바람직한 물질은 대기내에서 잘 소성된 것(best fired)이다.

한가지 문제점은 질소내에서 소성함으로써 형성되어진 구리필름이 만일 대기내에서 계속하여 재-소성되면 이들의 많은 잇점을 상실한다는 것이다. 이 문제에 대하여 제안된 한가지 해결책은 대기내에서 후막레지스터를 일차소성한 후 전기접점을 만들도록 그 후막레지스터의 끝에 구리도체(conductor)를 첨가하는 것이다.

구리도체는 그후 질소내에서 소성된다.

후막레지스터가 일차로 형성된 후 접속터미네이션이 제공되는, 이기술은 통상적으로 "포스트-터미네이션(post-termination) "이라고 알려져 있다.

이같은 포스트-터미네이션타입에서의 문제점은 구리도체가, 약 2500오옴이상의 저항을 위하여 루XP늄 (Ru)화합물(RuO₂혹은 Bi₂Ru₂O₇)에 기초한 것과 같이 고성능 후막레지스터에 사용되는 저항성필름물질과, 불량한(저항이 높은) 그리고 불균일한 인터페이스(interface)를 만든다는 것이다.

이 인터페이스문제때문에 통상의 구리-베릴륨탐침(probe)을 이용하여 그같이 높은 값의 레지스터값을 정확히 측정하기가 어렵게 된다. 이 측정은 보통 인쇄회로판의 제조동안 양호한 품질관리를 유지하는데 중요한 것이다.

이에따라 높은-저항값의 후막레지스터 및, 구리와 레지스터간에 잘 제어된, 비교적 낮은 그리고 비교적 균일한 접촉저항을 갖는 구리 상호연결점을 갖는 인쇄회로판이 요구되는 것이다.

본 발명에 의하면 높은 저항값(예를들어 약 2500오옴 혹은 그 이상의)을 갖는 후막레지스터의 포스트-터미네이션에 특히 유용한, 그러나 이에 한정되지는 않는, 개선된 기술이 제공된다.

본 발명의 하나의 구현화는 예를들어 스퀘어시트당 25000오옴 저항값을 갖는 고-저항조성물층을, 요구되는 고-저항 레지스터를 형성하는데 적합한 무늬로 1차 입히는 포스트-터미네이션공정에 관한 것이다.

그후 저-저항조성물층, 예를들어 스퀘어쉬트당 100오옴의 저항값을 요구되는 저-저항레지스터를 포함할 뿐만아니라 앞서 입힌 각각의 고-저항레지스터의 끝부분을 오버랩(overlap)시키는 분리부를 포함하는 무늬로 입힌다.

저-저항물질로된 이들 분리부는 고-저항레지스터의 말단영역(전기접점 말단부위)으로서의 역활을 한다.

그후 통상의 소성단계를 거침으로시 고-저항 및 저-저항조성물 모두를 소성시키게된다.

이 목적을 위해서 통상의 소성단계에 따를수 있는 2개의 조성물이 선택된다.

고-저항레지스터의 저항값을 측정하기위하여 통상의 구리-베릴륨 탐침이 이 터미네이션영역에 적용될수 있다.

마찬가지로, 회로내의 회로요소를 상호연결시키기위해 사용되는 질소-소성된 구리필름이 이들 터미네이션영역을 오버랩시키기위해 패턴화된다. 그 결과 회로는 구리계면이 개선되고 또한 회로의 레지스터와 계면을 이루는 구리가 모두 본질적으로 균일하다는 잇점이 있는 것이다.

본 발명의 다른 구현화는 저-저항조성물이 저-저항레지스터 뿐만아니라 터미네이션영역에 적합한 부위를 포함하는 적절한 패턴으로 일차로 입혀지는 포스트-터미네이션공정에 관한 것이다.

그후, 레지스터에 대한 터미네이션영역으로서의 역활을 하도록 설계된 저-저항조성물의 앞서 입혀진 부분을 그 끝이 부분적으로 오버랩 하는 고-저항 레지스터를 정하도록 고-저항조성물이 입혀진다.

그 2가지 조성물은 그후 통상의 소성단계를 거침으로써 소성된다.

그후 그 구리상호연결필름은 고-저항값 및 저-저항값을 갖는 레지스터모두의 터미네이션영역을 오버랩 시키도록 입혀진다.

본 발명의 다른 구현화는 전도성필름이 먼저 입혀지는 공정에 관한 것이다. 그후 저-저항조성물층이 고-저항조성물층의 앞이나 뒤에 입혀진다. 이는 도전층과 고-저항층모두를 접촉시키도록 행해진다.

저저항층은 다시 도체층과 고저항층사이의 계면으로써의 역활을 한다. 다른 견지에서, 본 발명은 인쇄회로판, 최소하나의 후막레지스터를 제공하기위한 제1조성물로된 패턴형성층, 레지스터와 레지스터에 연결시키기위한 도전층의 각 끝에 있는 터미네이션수단을 포함하는 최소하나의 후막레지스터를 포함하는 인쇄회로에 관한 것이다.

터미네이션수단은 그 저항값이 제1조성물의 저항값보다 적은 제2조성물로 된 층부분을 포함한다.

제2조성물의 층부분은 각각의 레지스터끝과 제1신장된 인터페이스를 형성한다. 또한, 도전층은 각각의 터미네이션수단의 제2조성물로 된 층부분과 제2신장된 인터페이스를 형성한다.

본 발명은 외형비(aspect ratio)에 따라 시트저항값이 크게 좌우되는 고-저항조성물로 형성된 후막레지스터의 터미네이션을 개선시키는데 전반적으로 적용될수 있다. 본 발명은 후막레지스터의 각 끝과 도전성접점(conductive connection)사이에 적절한 인터페이스막을 포함시키는 것으로 볼 수 있다.

인터페이스막조성물은 일반적으로 후막레지스터조성물보다 이익적으로는 최소 10만큼, 바람직하게 계수100만큼 낮은 저항값을 가진다.

이하 본 발명을 도면에 의거 설명한다.

제1a도에 의하면, 본 발명의 일구현화에 따라 후막레지스터로서 사용되는 층 12을 포함하는 인쇄회로판10의 일부가 나타나있다.

인쇄회로판 10은 비교적 고-저항시트물질로되고 끝부분 12A 및 12B를 갖는 층 12,16A 및 16B부분을 갖는 저-저항물질로된 층 16, 및 부분 18A 및 18B를 갖는 도전층 18이 놓여지는 상부면 11을 포함한다.

전형적인 구현화에 있어서 층 12 및 16의 시트저항값은 각각 25,000 및 100오옴/스퀘어이며, 기질 14는 알루미나이고, 도전층 18은 구리 혹은 구리-기초합금이다.

회로판 10중앙부근에 나타난 절단선은 층 12의 레지스터본체부분이 전형적으로 끝부분 12A 및 12B보다 길다는 것을 나타내기위해 사용된다.

기질 14의 높이중앙부근에 나타난 절단선은 기질 14가 전형적으로 그위에 입혀진 층들보다 훨씬 두껍다는 것을 나타낸다.

고-저항레지스터에 사용하기 적합한 층 12는 많은 높은값의 레지스터를 형성하기에 적합한 많은 분리부분으로 구성되는 보다 큰 층부분으로써 기질 14상에 첫째로 입혀진다.

다음에 저-저항접촉영역으로 유용한 분리층부분 16A 및 16B가 또한 기질 14상에 입혀진다.

층부분 16A 및 16B는 전형적으로 회로판의 여러 낮은-값 레지스터를 제공하기위한 역활도하는 저-저항물질(예를들어 100오옴/스퀘어)의 여러분리부로 이루어지는 보다 큰 층이다.

부분 16A 및 16B는 층 12의 각각의 끝부분 12A 및 12B의 전체폭을 오버랩한다.

최종적으로 층 18의 별도의 구리층부분 18A 및 18B가 기질 14의 상부면 11상에 입혀지며 각각은 층부분 16A 및 16B각각의 끝부분의 전체폭을 오버랩 한다.

층부분 18A 및 18B는 또한 인쇄회로판 10상의 여러가지 다른 회로요소를 내부연결시키기위해 사용되는 많은 분리부위로 구성되는 보다 큰 구리층의 부위이다.

결정적이지는 않으나 오버랩 길이는 층부분 16A 및 16B가 각각 층부분 12A 및 12B모두와 저-저항인터페이스를 확보할 수 있게 한다.

특히, 이같이 신장된 인터페이스의 저항은 바람직하게는 전형적으로 작은 분획이며, 통상적으로 후막레지스터에 의해 제공되어지는 전체저항값의 불과 몇퍼어센트이다.

제1b도에 의하면, 세라믹기질 141B를 포함하는 인쇄회로 101B의 일부가 나타나있다. 이는 1a도에 나타난 인쇄회로판 10의 12A, 16A 및 18A에 해당하는 고-저항층부분 12A, 1B, 저-저항층부분 16A 1B 및 도전층부분 18A 1B를 지지한다.

이 구현화에서 보는 바와같이, 도전층부분 18A 1B는 저-저항층 16A 1B의 전체길이에 걸쳐 신장되어있다.

제1c도에서도 마찬가지로, 세라믹기질 141C는 고-저항층부분 12A 1C, 저-저항층부분 16A 1C 및 도전층부분 18A 1C를 지지한다.

이 구현화에서는, 도전층부분 18A 1C는 고-저항층부분 12A 1C를 덮고 있는 저-저항층부분 16A 1C의 일부만을 오버랩 한다.

1d도에서는 도전층부분 18A 1D가, 세라믹기질상부면 111D상에 바로 놓이고 고-저항층부분 12A1D를 덮는 부분을 오버랩하지 않는 저-저항층 16A1D의 일부만을 덮는 구현화가 나타나있다.

고성능후막레지스터용으로 사용되는 조성물은 일반적으로 RuO₂나 Bi₂Ru₂O₇의 입자, 납 붕규산유리(lead borosilicate glass)입자, 미량의 저항온도상수(Temperature Coefficient of Resistance, TCR)개질제 및 차폐제(screening agent)의 혼합물이다.

차폐제는 전형적으로 용제와 수지를 포함하는 유기매체(organic vehicle)이다.

이는 입자를 현탁액으로 유지하는 스크린프린팅에 의한 침착(deposition)을 쉽게하기위하여 양호한 유동성을 부여하기위해 사용된다.

이들 조성물은 미국 DuPont Electronics에서 1600 Birox 시리즈레지스터로서 상업적으로 구입할 수 있다.

하나의 구현화에서, 저-저항층 16은 DuPont의 제품번호 1621인 100오옴/스퀘어조성물을 사용한다.

이같은 조성물은 전형적으로 15-20퍼어센트루테늄화합물 및 55-60퍼어센트유리를 포함하며 850℃최고온도를 이용하여 공급자가 제시한 것과 같은 통상의 방법으로 소성된다.

25000오옴/스퀘어조성물은 DuPont 제품번호 1641(10000오옴/스퀘어) 및 1651물질(100,000오옴/스퀘어)를 혼합함으로써 형성된다.

이같은 혼합물은 전형적으로 5-10퍼어센트루테늄 및 65-70퍼어센트유리를 포함한다. 이역시 상술된 방법으로 소성된다.

기본적으로 상기 다른번호를 갖는 제품에서는 포함된 루테늄화합물과 유리의 상대적인 비율이 다르며, 유리함량이 많을수록 저항값은 높아진다. 보다 큰-저항필름은 보다 높은 유리함량을 갖기때문에, 이들 필름은 이에대한 전기접점에 대하여 보다 큰-저항을 갖는 보다 유리질인 표면을 갖는다.

이 보다 높은 저항은 인터페이스가 구리필름일때 특히 현저하게되며 다른 결점보다도 레지스터의 외형비(aspect ratio)에 시트저항성이 크게 좌우된다는 것이다.

이를 결점은 고-저항필름과 구리필름사이에 저-저항물질로된 영역이 존재하게되면 현저하게 감소되는 것이 발견되었다.

바람직하게 사용되는 구리층은 미국 DuPont Electronics에서 두퐁 6001로써 상업적으로 판매하는 특수구리후막조성물이다. 이는 미분쇄된 구리입자, 차폐제 및 소결과 접착을 증지시키기 위한 소량의 첨가제를 포함한다.

최고온도 600℃로써 공급자에 의해 제시된 바와같이, 질소내에서 소성후에, 그 층은 약 95%구리이다.

다른조성물은 특수성질을 부여하기위해 구리와 합금되는 하나 혹은 그이상의 다른 금속을 포함한 몇몇을 포함하여 적당하여야 한다.

후막레지스터의 칫수에 있어서 괄목할 만큼의 변형이 가능하다.

후막레지스터용으로는 약 0.0127mm(0.5mil)두께가 통상적이며 이보다 두껍거나 얇은층도 가능하다.

더우기 후막레지스터의 폭 및 길이는 일반적으로 0.508-5.08mm(20-200mil)이며, 외형비(aspect ratio)는 0.1-10.0이며 가장 널리 이용되는 범위는 0.2-5.0이다.

상술된 조성물에 대하여, 터미네이션부위와 구리인터페이스양자에 대한 길이를 따라 최소 0.127mm(5mil)의 오버랩핑을 제공하는 것이 이익적이라는 것이 발견되었다.

이정도의 오버랩은 보통 인터페이스가 요구하는 저-저항값을 확보하고 또한 인쇄시 만족스러운 레지스트레이션(registration)을 쉽게 하기 위해 충분하다.

또한 인쇄시 레지스트레이션 오류를 극소화하기 위하여, 저-저항 레지스터에 포함된 터미네이션 영역은 고-저항층 보다 넓게 만들어지머 이들이 경계를 이루는 구리층보다 좁게 만들어진다. 이는 제5도의 평면도에서 잘 나타나 있다. 마찬가지로, 저-저항 레지스터에서는, 구리층이 저-저항층보다 넓게 만들어진다.

제2a도에 의하면, 본 발명의 다른 구현화에 따른 인쇄회로판 50의 일부가 나타나 있다.

인쇄회로판 50은 상부면에 분리 터미네이션 영역 56과 58, 터이네이션 영역 56과 58을 각각 오버랩핑하는 끝부분 54A 및 54B를 갖는 레지스터 54, 및 터미네이션영역 56 및 58을 각각 오버랩핑하는 분리도체 60 및 62, 이 놓이는 상부면 64를 갖는 절연기질 52를 포함한다. 회로판 50의 중앙부분에 나타난 절단선은 레지스터 54의 본체부가 끝부분 54A 및 54B보다 전형적으로 길다는 것을 나타낸다. 기질 52는 전형적으로 그 위에 입혀지는 층보다 훨씬 얇다. 처음에는, 저-저항조성물로 된 층이, 레지스터 54의 끝부분 54A와 54B에 대하여 각각 저-저항전기 접점으로서의 역활을 하는 분리영역 56 및 58을 형성하기 위하여 기질 52의 상부면 64위에 입혀진다. 이 층은 또한 요구되는 수의 낮은-값 레지스터(도시되지 않은)를 인쇄회로판 50상에 형성시키기 위해 사용된다. 다음에, 고-저항조성물층이 레지스터 54를 형성하기 위해 기질 52의 상부면 64상에 입혀진다. 이 층은 레지스터 54가 요구되는 저항값을 갖도록 칫수조정된다. 레지스터 54의 끝부분 54A와 54B는 각각 터미네이션영역 56 및 58부분을 오버랩한다.

앞에서와 같이, 0.127m오버랩량(전형적인 구현화에서는 약 5mils)이면 경계면 저항이 받아들일 정도의 낮은 값으로 확보하기에 충분하다. 그 후, 영역 56 및 58과 레지스터 54는 통상의 소성단계로 소성된다. 마지막으로, 도전성 구리-기초층이 기질 52의 사부면 64위에 입혀진다. 이층은 영역 56 및 58에 대한 저-저항전기접점 오버랩하고 만드는 부위 60 및 62를 포함한다.

오버랩량은 상술된 바와 같이 전형적으로 약 0.127mm(5mils)이다. 여러층의 오버랩범위를 꽤변형시키는 것도 가능하다.

제2b, 2c 및 2d도에 의하면, 이들 각각은 제2a에 대하여, 전술한 바와 같은 제1a도에 대한 제1b, 1c 및 1d의 관계와 마찬가지 관계를 갖는다.

제2b도에 의하면, 도전층 602B가 고-저항층 54A 2B아래에 놓인 부분을 포함하는 저-저항층 562B 전체위를 신장하게 도시되어있다. 제2c도에 의하면, 도전층 602C는 고-저항층 54A 2C아래에 놓이는 저-저항층 562C부위의 일부분만을 덮는다.

제2d도에 의하면, 도전층 602D는 저-저항층 562D의 일부상부 만으로 신장하며 고-저항층부분 54A 2D를 오버랩핑하는 것을 막는다. 제3도에 의하면, 규준터미네이션의 특성과 같이, 도전층 70이 먼저 세라믹기질 72위에 입혀지는 인쇄회로판 69가 나타나 있다. 그 후 전형적으로 많은 분리부로 구성되는 보다 큰 층부분으로써 저-저항층 74를 입힌다.

도시된 바와 같이 층 74는 도전층 70을 덮는 부위 74A 및 기질 72상에 놓이는 부위 74B를 포함한다. 그후 고-저항조성물로된 층 76이 입혀져서 후막 레지스터를 형성한다. 배열, 오버랩정도 및 여러층들의 조성등에 대하여 앞서 검토된 여러가지 요인들이 이 구현화에 적용가능하다. 제4도에 의하면, 도전층 80이 먼저 세라믹기질 82상에 입혀지는 인쇄회로판 79가 나타나 있다. 그 후, 후막 레지스터를 형성하는 고-저항층 84가 입혀진다. 오버랩의 정도 및 여러층의 조성에 대하여 앞서 검토된 여러 요인들이 전반적으로 여기에도 적용된다.

제3도 및 4도의 구현화는 여기에서 그 앞에 검토된 구현화보다 넓은 범위의 조성물을 견딜 수 있다. 물론, 도전층은 구리일 수 있다. 이 경우에서 저항층의 조성은 그와 혼화적이어야 한다. 예를들어 도전층은 900℃로 질소내에서 소성된 구리일 수 있다. 이 경우 저항층은 이들이 900℃로 질소내에서 인쇄돼고 소성될수 있는 것으로 선택된다.

선택적으로 도체는 예를들어 850℃로 대기내에서 소성될 수 있는 Ag, Au, Ag-Pd와 같은 귀금속이거나 귀금속합금일 수 있다. 이 경우 저항층은 이들이 850℃로 대기내에서 인쇄되고 소성될 수 있는 것으로 선택된다. 이들 예에서, 거론된 물질사이의 특정상호 작용에 따라 제3도 및 4도의 구현화중 어느것이 바람직하느냐가 결정된다.

제5도에 의하면, 한쌍의 저-저항 레지스터 31 및 32, 고저항 레지스터 34 및 상호접점을 제공하는 구리층 36을 포함하는 인쇄회로 30의 일부 평면도가 제시되어 있다. 레지스터 34에는 앞서 기술된 종류로된 터미네이션 영역 34A 및 34B가 제공된다. 구리필름 36은 레지스터 31, 32 및 34를 T섹션내로 내부연결시킨다. 구리필름 36은 저-저항레지스터 31 및 32의 끝을 오버랩하는 부분 36A 및 고-저항 레지스더 34에 대하여 신장된 터미네이션으로서의 역활을 하는 터미네이션 영역 34A 및 34B부분을 오버랩하는 부분 36B를 포함하도록 입혀진다.

예시적인 구현화에 있어서, 저-저항레지스터(10오옴-1000오옴)를 형성하기 위해 시트저항값 100오옴/스퀘어를 제공하는 조성물 및 고-저항 레지스터(2500-250000오옴)를 형성하기 위해 시트저항값 25,000오옴/스퀘어를 제공하는 조성물이 사용된다. 중간 저항값(1000-2500오옴)의 레지스터가 요구되면, 이 같은 레지스터를 형성하는데는 시트저항값 1750오옴/스퀘어를 제공하는 조성물을 사용하는 것이 적당하다. 레지스터를 형성하기 위해 사용되는 조성물의 저항이 증가함에 따라 저-저항의 터미네이션 영역을 사용하는 요구 역시 증가된다.

자동차 응용에 사용되는 인쇄회로판에 대하여는, 기술된 바와 같은 터미네이션 영역을 사용함으로써 얻어지는 잇점은 시트저항값 약 25000오옴/스퀘어 혹은 그 이상인 조성물이 사용될 때, 첨가된 복잡성의 가치를 더하는 것으로 발견되었다. 다른 적용에서는 이는 보다 낮은 저항값의 조성물이 사용될때 일어날 수 있다. 물론, 후막층에 대하여 다른 외형비(aspect ratio) 및 다른 두께를 사용함으로써 다른 관계가 이루어 질 수 있다.

광범위한 변화의 회로배열이 안출될 수 있다는 것도 인정될 수 있다. 더우기, 통상의 형식으로 인쇄회로판상에 캐페시터, 인덕터, 다이오드 및 트란지스터와 같은 다른 회로요소를 포함하는 것도 가능하다. 또한, 통상의 인쇄회로판상에 기술된 방법으로 터미네이트된 고-저항레지스터와 통상의 방법으로 터미네이트된 범위가 충분히 넓은 고-저항레지스터를 모두 혼합하는 것도 가능하다. 후막 레지스터용으로 다양한 조성물을 사용하는 것도 물론 가능하다.

이같은 조성물을 사용하여 검토된 방법으로 포스트-터미네이션을 포함함으로써 이득이되는 레지스터를 형성하는 정도까지 본 발명의 원리는 적용가능해야 한다. 몇몇회로에서는 오직 고-저항레지스터만이 필요하다. 그러면 터미네이션 영역은 오직 이같은 터미네이션을 제공하기 위해 사용된 저-저항조성물층 부분이다. 앞서 기술한 견지에서, 후술하는 청구범위에서는, 용어 고-저항, 저-저항, 고정항값 및 저-저항값에 대하여는 넓은 범위로 해석되어야 할 것이다.

각각은 절대값이라기 보다는 상대적인 관계를 정하기 위한 것이다.

Claims (12)

1. 인쇄회로판(14) ; 상기 인쇄회로판(14)위에 최소하나의 후막레지스터(thick film resistor)를 제공하기 위하여 고저항의 제1조성물로 형성된 패턴층(Patterned layer)(12) ; 및, 상기 후막레지스터의 단부에서 도전층(18)에 연결되는 터미네이션수단 ; 을 갖춘 최소하나의 후막레지스터를 포함하는 인쇄회로에 있어서, 상기 후막레지스터의 각 단부에 위치되는 터미네이션 수단은 그 저항값이 제1조성물의 저항값보다 낮은 제2조성물로 형성되는 층(16)의 부위(16A,16B)를 포함하고, 상기부위(16A,16B)는 상기 단부와 함께 제1신장 경계면(first extended interface)을 형성하여 ; 상기 도전층(18)은 부위(18A,18B)를 갖춘 구리-기초층(copper-rich layer)으로 이루어지고, 상기 도전층(18)의 부위(18A,18B)는 각각 상기 터미네이션수단의 제2조성물로된 각각의 부위(16A,16B)와 함께 제2신장경계면(second extended interface)을 형성함을 특징으로 하는 인쇄회로.
2. 1항에 있어서, 제1 및 제2조성물 각각은 루테늄(ruthenium)화합물과 유리(glass)의 혼합물을 포함함을 특징으로 하는 인쇄회로.
3. 2상에 있어서, 상기 제1 및 제2조성물은 통상의 소성단계(firing step)에서 소성하기에 적합한 것임을 특징으로 하는 인쇄회로.
4. 2항에 있어서, 터미네이션 수단내의 제2조성물로된 층(16)의 각 부위(16A,16B)는 레지스터의 끝을 오버랩하여 제1신장된 경계면을 형성하며, 구리층(18)의 각층부위(18A,18B)는 제2조성물로 된 층부위를 오버랩하여 제2신장된 경계면을 형성함을 특징으로 하는 인쇄회로.
5. 1항에 있어서, 터미네이션 수단내의 제2조성물로 된 층의 각 부위(562D)는 레지스터의 끝(54A 2D)에 의해, 오버랩되어 제 1 신장경계면을 형성하고, 구리층 부위(602D)에 의해 제2신장경계면을 형성함을 특징으로 하는 인쇄회로.
6. 1항에 있어서, 상기 고저항의 제1조성물로 된 층(76 : 84) 및 상기 구리-기초층(70 : 80) 각각은 그 사이에서 제 2조성물로된 층(74 : 86)부위가 전기접점을 제공하는 인쇄회로판(72 : 82)에 접한 부위를 가짐을 특징으로 하는 인쇄회로.
7. 6항에 있어서, 상기 제2조성물로 된 층(86)부위는 상기 구리-기초층(80)부위 및 상기 고저항의 제1조성물로 된 층(84)을 덮는 것을 특징으로 하는 인쇄회로.
8. 6항에 있어서, 상기 제2조성물로 된 층(74) 부위는 상기 구리-기초층(70)의 일부를 덮고 상기 고저항의 제1조성물로 된 층(76)의 일부 밑에 있음을 특징으로 하는 인쇄회로.
9. 절연기질(52)상에서 고(高) 및 저(低)저항을 갖는 후막레지스터(54,56,58)를 포함하는 청구범위 1항에 의한 인쇄회로를 제조하는 공정에 있어서, 상기 공정은 최소하나의 저-저항 후막레지스터(56,58)의 형성 및 최소하나의 고-저항후막레지스터(54)의 터미네이션으로써 사용하기 위한 영역을 형성하기 위하여 상기 절연기질(52)상에 저항성물질의 제2조성물로된 무늬를 인쇄하는 단계 ; 각각이 제2조성물로 된 터미네이션 영영을 오버랩하는 끝부분(54A,54B)을 갖는 최소하나의 고-저항 후막레지스터(54)의 형성을 위해 상기 절연기질(52)상에 저항성 물질의 제1조성물로 된 무늬를 인쇄하는 단계 ; 및 제2조성물로 형성된 저-저항 레지스터(56,58)의 끝부분을 오버랩하고 고-저항 레지스터(54)의 끝부분(54A,54B)에 의해 오버랩되지 않은 터미네이션 영역부분을 오버랩하는 부분(60,62)을 포함하는 무늬가 형성된 구리-기초층(copper-rich layer)을 절연기질(52)상에 인쇄하는 단계 ; 을 포함함을 특징으로 하는 인쇄회로 제조공정.
10. 절연기질상에 고(高) 및 저(低)저항 모두를 갖는 후막레지스터를 포함하는 청구범위 1항에 의한 인쇄회로를 제조하는 공정에 있어서, 상기 공정은 상기 절연기질(141C)상에 최소하나의 고-저항 후막 레지스터를 형성하기에 적합한 상기 제1조성물로 된 무늬층(121c)를 인쇄하는 단계 ; 상기 절연기질(141C)상에 최소하나의 저-저항 후막레지스터를 형성하기에 적합하고, 고-저항 후막레지스터의 끝을 오버랩하는 고-저항레지스터용 테미네이션 영역을 포함하기에 적합한 상기 제2조성물로된 무늬층을 인쇄하는 단계; 및 상기 절연기질(141C)상에 저-저항레지스터의 끝부분(16A 1C)와 제2조성물로된 무늬층의 터미네이션 영역부분을 오버랩하는 무늬형성된 구리-기초층(18A 1C)를 인쇄하는 단계 ; 를 포함함을 특징으로 하는 인쇄회로제조 공정.
11. 9 또는 10항에 있어서, 상기 제1 및 제2조성물로 된 무늬는 상기 구리-기초층으로 된 무늬를 인쇄하기 전에 통상의 단계로 소성됨을 특징으로 하는 공정.
12. 9 또는 10항에 있어서, 상기 제1조성물의 시트저항값은 약 25,000오옴/스퀘어이며, 제 2조성물의 시트저항값은 약 100오옴/스퀘어인 것을 특징으로 하는 공정.

Images