JPH02181993A - プリント回路基板の厚膜抵抗器のための後成端装置及び後成端方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、プリント回路、特に厚膜抵抗器を含むプリン
ト回路に関する。

（従来の技術〕 厚膜抵抗器の代表的なものは、絶縁基板上に付着せしめ
られたＯ、ＧＯ５０８〜Ｏ，０５０８ｍｍ＋（０，２〜
２．０ミル（ｍｉり）の厚みの適当な抵抗材料のパター
ン化された層（膜）からなる。厚膜抵抗器は、一般に、
まず最初に適度に湿性の組成物（通常はインク又はペー
スト）からなる適当にパターン化された層を適当な絶縁
基板（通常はアルミナセラミック基板）上に印刷するこ
とによって形成される。パターン化は通常シルクスクリ
ーン印刷によって制御される。

該抵抗組成物は次いで乾燥され且つ焼成（加熱）されて
抵抗器を形成する。

一般に、プリント回路基板は高抵抗の抵抗器を形成する
ためのインク若しくはペーストからなる第１の組成物及
びこれとは異なる低抵抗の抵抗器を形成するための第２
の組成物を用いる。

特定の抵抗器組成物の抵抗Ｒは、−殻内に、そのアスペ
クト比Ｌ／Ｗ（Ｌは抵抗膜の長さであり、Ｗはその幅で
ある）を調節することによって作り上げられる。ＲはＬ
に正比例し、Ｗに反比例して増加する。まｌ；、Ｒはま
たフィルムの厚みに反比例して増加するが、該厚みは処
理を容易にすべく通常は均一に保たれる。アスペクト比
を適切に作り上げることにより且つ高抵抗率の抵抗材料
組成物及び低抵抗率の抵抗組成物を使用することにより
厚膜抵抗器のための極めて広範囲の抵抗が達成される。

必要ならば、抵抗範囲を満たすべく若しくは抵抗範囲を
広げるべく付加的な組成物を使用することができる。

プリント回路基板は通常たくさんの回路部品（構成要素
）を担持し、これらの回路部品は、類似の方法にて回路
基板上に印刷された適切な形状の導電性膜によって互い
に接続されて望ましい電気回路となる。

銅はコストが安く導電性が良好であり泳動に対して耐性
がありはんだ付けが容易なので、多くのプリント回路基
板においては、通常、回路部品を互いに接続する導電性
膜として銅（若しくは銅すンチ合金）が使用される。通
常使用される銅膜は銅粒子の懸濁液として印刷され、こ
の懸濁液は窒素雰囲気中において最も良好に焼成され、
酸化されることなく銅粒子を焼結させて良好な導電体と
することができる。厚膜抵抗器を形成するための一般的
に好ましい材料は、空気中で最も良好に焼成される。一
つの問題は、窒素雰囲気内で焼成することによって形成
された銅膜は、引き続き空気中で再び焼成されるとその
有利な特性の多くを失うことである。

この問題に対して提案された一つの解決法は、該厚膜抵
抗器を最初に空気中で焼成し、次いで該厚膜抵抗器の端
部に銅製の導電体を付加して該厚膜抵抗器に対する電気
的接続を形成することである。そして、次いで該銅製導
電体を窒素雰囲気内で焼成する。この方法すなわち厚膜
抵抗器を最初に形成しその後これらの接続（成端（ｔｅ
ｒｍｉｎａＬｉｏｎ））を設ける、という方法は、−殻
内に「後成端（ｐｏｓｊ−ｊｅｒｍｉｎａｊｉｏｎ）Ｊ
として知られている。このような後成端法における問題
点は、銅製導電体は、般に、約２，５００オ一ム以上の
抵抗を得るだめのルテニウム化合物（ＲｕＯ２若しくは
Ｂｉ２Ｒｕ２０７）を基礎としたものの如き高性能厚膜
抵抗器に使用される抵抗膜材料との間に質が悪く（高抵
抗である）且つ不均一な接合点（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）
を形成することである。

これに関連した問題点は、この接続問題により、従来の
銅／ベリリウムプローブを用いて高抵抗抵抗器の抵抗値
を正確に測定することが困難になるということである。

かかる測定は、通常、プリント回路基板の製造中におい
て良好な品質管理を維持するのに重要である。

高抵抗厚膜抵抗器及び銅による相互接続を有し、この銅
と抵抗器との間には、良好に制御され、比較的低く且つ
比較的均一な接触抵抗が存在するようなプリント回路基
板を得ることが望ましい。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、高抵抗（例えば、約２，５００オ一ム以上）
厚膜抵抗器の改良された技術を提供するものであり、こ
の技術は特に成端に対して有効であるが、これに限定さ
れるものではない。

（課題を解決するための手段） 本発明の一つの実施例は、例えば単位面積シート当たり
２５，０００オームの抵抗率のような高抵抗率組成物の
層が所望の高抵抗抵抗器を形成するのに適したパターン
でまず最初に付着されるような後成端方法についてのも
のである。この方法においては、次いで、例えば単位面
積シート当たり１００オームの抵抗率のような低抵抗率
組成物が、所望の低抵抗抵抗器を含むだけではなく既に
付着された高抵抗抵抗器の各々の端部に重なる個々の部
分をも含むようなパターンで付着される。これらの低抵
抗率材料からなる閲々の部分は、高抵抗抵抗器の成端領
域（電気的接触端部領域）の役目を果たす。その後、共
通の焼成工程が使用されて、該高抵抗率組成物と低抵抗
率組成物とが共に焼成される。このため、該２つの組成
物は共通の焼成工程を受けることができるように選択さ
れる。

これにより、従来の銅／ベリリウムプローブがこれらの
成端領域に対して使用することができ、該高抵抗抵抗器
の抵抗を測定することができる。

同様に、回路部品を相互に接続して一つの回路とするた
めに使用される窒素焼成銅膜がこれらの成端領域に重な
るようにパターン化される。この結果得られる回路は、
改良された銅接合点から利点を得且つ回路の抵抗を有す
る銅接合点の全てが本質的に均一であるという事実から
も利点を得ることができる。

本発明のもう一つの実施例は、低抵抗率組成物が低抵抗
率抵抗器だけでなく成端領域に適した部分をも含む適切
なパターンで最初に付着されるような後成端方法につい
てのものである。次いで高抵抗率組成物が高抵抗抵抗器
を画定すべく付着され、該高抵抗抵抗器の端部は、かか
る抵抗器の成端領域の役目を果たすように設計された既
に付着せしめられている低抵抗率組成物からなる部分と
部分的に重なっている。該２つの組成物は、次いで上記
と同様に共通の焼成工程によって焼成される。次いで、
銅製相互接続膜が、高抵抗抵抗器の成端領域と低抵抗抵
抗器の成端領域との両方に重なるように付着される。

本発明の更にもう一つの実施例は、標準的な成端の特徴
の如く導電性膜が最初に付着されるような方法について
のものである。この方法においては、次いで低抵抗率組
成物の層が高抵抗率組成物の層が付着される前か後に付
着される。導電層と高抵抗率層との両者を接続すること
がなされる。

ここで再び該低抵抗率層は、導電層と高抵抗率層との間
の接合点の役目を果たす。別の見地においては、本発明
は、プリント回路基板、少なくとも一つの厚膜抵抗器を
提供するための第１組成物からなるパターン化層、抵抗
器の各端部に設けられた成端手段及び抵抗器への接続の
ための導電層からなる、少なくとも一つの厚膜抵抗器を
含むプリント回路についてのものである。成端手段は、
第１組成物の抵抗率よりも抵抗率が低い第２の組成物か
らなる層の一部を含む。該第２ｉ成物からなる層部分は
、抵抗器の各端部に第１の長い接合点を形成する。導電
層は、該成端手段の各々における第２組成物からなる層
部分に第２の長い接合点を順に形成する。

本発明は、概して、高抵抗率組成物によって形成された
厚膜抵抗器の成端処理であって薄板抵抗がアスペクト比
に大きく依存するような抵抗器の成端処理の改良に対し
て適用可能である。

本発明は、このようなアスペクト比に対する依存性を受
けるプリント回路基板における厚膜抵抗器の各端部とこ
れに対する導電性接続との間の適切な接合点膜からなる
介在物とみなすことができる。該接合点膜の組成物の抵
抗率は、該厚膜抵抗器の組成物の抵抗率より低く、少な
くとも１０分のｌであるのが有利であり、１００分の１
であるのが好ましい。

（実施例） 添付図面と関連付けてなされた以下のより詳しい説明に
よって本発明がよりよく理解できるであろう。

第１Ａ図には、本発明の一つの実施例に従って厚膜抵抗
器として使用されている層１２を含むプリント回路基板
１０の一部が示されている。回路基板１０は、頂面１１
を有するセラミック基板口、部分１６人、１６Ｂを有す
る低抵抗率材料の層１６及び部分ＩＫＡ、１８Ｂを有す
る導電層１８からなり、頂面１１上には、比較的高抵抗
率のシート材料からなり且つ端部１２人。

１２Ｂを有する層１２が横たわっている。典型的な実施
例においては、層１２及び層１６のシート抵抗率は、各
々２５，０００オーム／スクエア（ｏｈｍｓ／５ｑｕａ
ｒｅ）及び１００オーム／スクエアであり、基板１４は
アルミナであり、導電層１８は銅若しくは銅リッチ合金
である。

基板（０のほぼ中央に示された破断は、層１２からなる
抵抗器の主要部が通常端部１２Ａ、１２Ｂより長いこと
を示すために使用されている。基板１４の高さ方向のほ
ぼ中央に示された破断は、基板１４が通常その上に付着
された層よりもかなり厚いことを示す。

通常多くの高い値の抵抗器を形成するのに適した多くの
別個の部分からなるより大きな層の一部分として、高抵
抗抵抗器においての使用に適した層Ｉ２が、まず最初に
基板Ｉ４上に付着される。次に、低抵抗接続領域として
有用な個々の層部分１６Ａ及び１６８が基板目上に付着
される。層部分１６Ａ及び１６Ｂもまた、通常は、プリ
ント回路内のいくつかの低抵抗抵抗器を提供する役目を
果たす低抵抗率材料（例えば、１００オーム／スクエア
）からなるいくつかの別個の部分からなるより大きな層
の一部である。部分１６Ａ及び１６Ｂは層１２の各端部
１２Ａ及び１２Ｂの全幅に重なっている。最後に、層１
８の個々の銅層部分１８＾及び１８Ｂが基板１（の頂面
１１上に付着され、これらは各々層部分１６Ａ及び１６
８の端部の全幅を覆う。層部分１８Ａ及び１８Ｂは、通
常、プリント回路基板ＩＯ上のいろいろな他の回路部品
を互いに接続するのに使用される多くの別個の部分から
なる大きな銅層の一部分でもある。重畳長さは、臨界的
なものではないが、各々層部分１６＾及び１６Ｂが層部
分１２Ａ及び１２Ｂ並びに層部分＋ｇＡ及びＩＫＢとの
間に低抵抗の接合点を有することを確実にするのに十分
である。特に、このような長い接合点の抵抗は、通常は
厚膜抵抗器によって提供されるべき全抵抗のほんの層部
分、−殻内には数パーセント以下であるのが好ましい。

第１８図には、セラミック基板目ＩＢを含むプリント回
路１０１８の一部が示されている。この基板は、高抵抗
率層部分１２ＡＩＢ、低抵抗率層部分１６ＡＩＢ及び導
電層部分１８ＡＩＢを担持し、これらは第１Ａ図に示さ
れたプリント回路ＩＯにおける部分１２Ａ、１６Ａ及び
＋８Ａに相当する。この実施例に示されるように、導電
層部分１１１ＡＩ８は低抵抗率層１６＾ＩＢの全長に亘
って延在する。

第１Ｃ図においては、同様な方法でセラミック基板１４
１Ｃが高抵抗率層部分１２Ａｌｃ、低抵抗率層部分１６
Ａ１Ｃ及び導電層部分１８Ａ１Ｃを担持している。この
実施例においては、導電層部分１８Ａ１Ｃは、高抵抗率
層部分１２Ａ１Ｃに重なっている低抵抗率層部分１６Ａ
１Ｃの一部分のみと重なっている。

第１Ｄ図には、導電層部分１８ＡＩＤが低抵抗率層１６
ＡＩＤの一部分のみの上に横たわっており、この低抵抗
率層１６＾ＩＤは、セラミック基板頂面１１１０上に直
に横たわっており且つ高抵抗率層部分１２ＡＩＤの上に
横たわる部分とは重なっていないようになされている実
施例が示されている。

高性能厚膜抵抗器のために使用される組成物は、ＲｕＯ
２若しくはＢ１□Ｒｕ２０７の如きルテニウム化合物の
粒子、はう珪酸鉛ガラス粒子、微量の抵抗温度係数（Ｔ
ＣＲ）調節剤及び遮断（スクリー二７ｆ）材の混合物で
ある。遮断材は、−殻内には溶剤と樹脂とを含む有機溶
媒である。これは、懸濁液中に粒子を保持し且つ良好な
流動性を付与してスクリーン印刷による付着を助長する
ために使用される。これらの組成物はｌ６００バイ口ツ
クス（１６００Ｂｉｒｏｘ）シリーズの抵抗として米国
のデュポンエレクトロニクス（Ｄｏｐｏａｔ　Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓ）社から市販されている。一つの実施例
においては、低抵抗率層１６としてデュポンが１６２１
の製品番号で示す単位面積当たり１００オームの組成物
が使用されている。このような組成物は通常１５〜２０
パーセントのルテニウム化合物と５５〜６０パーセント
のガラスとを含み、８５０°Ｃピーク温度を使用する供
給機によって既述した従来方法にて焼成される。単位面
積当たり２５，０００オームの組成物は、デュポンの製
品番号１６４１（単位面積当たり１０．０００オーム）
材料と１６５１（単位面積当たり１００．０００オーム
）材料とを混合することによって形成される。このよう
な混合は、通常５〜ＩＱパーセントのルテニウム化合物
と６５〜７０パーセントのガラスとを含む。これもまた
上に既述した方法によって焼成される。

基本的に、一連の互いに異なった部材はその中に含まれ
るルテニウム化合物とガラスとの相対比率が異なり、ガ
ラスが多ければ多いほど抵抗率が高い。より高い抵抗率
の膜はガラス成分がより多いので、より高いガラス質の
表面を形成し、これは電気的接続に対してより高い抵抗
を持つ。接合点が銅膜からなる場合にこの抵抗は特に高
くなり、とりわけシート抵抗が抵抗器のアスペクト比に
大きく依存するという欠点を生じる。このような欠点は
、高抵抗率膜と銅膜との間に低抵抗率材料からなる領域
を挟設すると極めて低減できることが分かった。

好ましく用いられる銅層は、デュポン６００１として米
国のデュポンエレクトロニクス社から市販されている特
定の銅厚ｒＩ！Ｘ組成物である。このｍ酸物は、粉砕銅
粒子、遮断剤及び焼結及び付着を促進するための少量の
添加剤を含んでいる。既述したように６００　”Ｃのピ
ーク温度を有する供給機によって窒素雰囲気内で焼成さ
れると、核層は約９５％銅となる。特別な特性を付与す
べく銅と合金化する１以上の他の金属を含むものを含む
他の組成物も利用可能である。

該厚膜抵抗器の大きさはかなりの変更が可能である。厚
膜抵抗器の厚みとしては約０．０１２７ｍｍ（０，５ミ
ル（ｍｉｌ））の厚みが一般的であるが、より厚い層及
びより薄いも使用可能である。更に、厚膜抵抗器の幅及
び長さは一般的に０．５０８〜５．０１１ｍｍ（２０−
２００ミル）であり、アスペクト比は一般的に０．１〜
１０゜０であり、使用される最も広い範囲は０．２〜５
．０である。

該成端領域と銅接合点との両方の長さに沿って少なくと
もＯ，Ｉ２７＋Ｈ（５ミル）の重畳を設けることが上記
の組成物にとって有利であることが判明した。

この重畳量は、−殻内に、接合点の望ましい低抵抗を確
呆し且つ印８１１の際の満足すべき位置合わせを容易に
するのに十分な量である。

更に、印刷における位置合わせのエラーを最小にすべく
低抵抗抵抗器内に含まれている成端領域は高抵抗率層よ
りも広くなされ且つこれらが接続される銅層よりも狭く
なされる。このことは、以下により詳しく説明する第５
図の上面図に最も良く示されている。同様に、低抵抗抵
抗器においては銅層は低抵抗率層よりも広くなされてい
る。

第２Ａ図には、本発明の別の実施例によるプリント回路
基板５０の一部分が示されている。プリント回路基板５
０は、別個の成端領域５６．５８が横だゎっている頂面
６４を有する絶縁基板５２、成端領域５６，５８に各々
重なっている端部５４Ａ，５４Ｂを有する抵抗５４及び
成端領域ｓ６．ｓｇに各々重なっている導電体６０゜６
２からなる。

プリント回路基板５０のほぼ中央に示された破断は、抵
抗器５４の主要部は一般に端部５４Ａ，５４Ｂよりも長
いことを示すために用いられている。基板５２は通常そ
の上に付着される層よりもかなり厚い。

まず最初に、低抵抗率組成物の層が基板５２の頂面６４
を覆って付着され、各々抵抗器５４の端部５４Ａ。

５４Ｂに対する低抵抗率接点としての役目を果たす別個
の領域５６及び５８が形成される。この層はまたプリン
ト回路基板５０上に所望の数の低抵抗抵抗器（図示せず
）を形成するためにも使用される。次に、基板５２の頂
面を覆って高抵抗率組成物の層が付着されて抵抗器５（
が形成される。この層は、抵抗器５４が所望の抵抗を有
するような大きさになされる。

抵抗器５４の端部ＳＩＡ及び５４Ｂは各々成端領域５６
及び５８の一部と重なっている。上記と同様に、Ｏ，１
２７ｍｍ（典型的な実施例において約（５ミル））の重
畳量は接合点抵抗値が許容可能な小さな値であることを
確実にするのに十分である。次いで、領域５６及び５８
並びに抵抗器５４が共通の焼成工程によって焼成される
。最後に、基板５２の頂面６４を覆って導電性の銅リッ
チ層が付着される。この層は、各々領域５６及び５８と
重なり且つこれらに対する低抵抗電気接点を形成する部
分６０及び６２を含んでいる。上述したように、重畳量
は通常約０．Ｉ２７ｍｍ（５ミル）である。

ここでもまた、種々の層の重畳範囲においてかなりの変
更が可能である。

第２Ａ、２Ｂ及び２０図は、第２八因に対して、各々上
記第１８、１Ｃ及び、Ｉ　Ｃ図が第１Ａ図に対して示す
のき同じ関係を示す。

第２Ｂ図には、高抵抗率層５４Ａ２Ｂの下に横たわる部
分を含む低抵抗率層５６２Ｂを完全に覆って延在する導
電層６０２Ｂが示されている。

第２Ｃ図においては、導電層６０２Ｃは、高抵抗率層５
４Ａ２Ｃの下に横たわる低抵抗率層部分５６２Ｃに対し
て部分的にのみ重なっている。

第２Ｄ図においては、導電層６０２Ｄは低抵抗率層５６
２１１の一部の上のみに延在し、高抵抗率層部分５４Ａ
２Ｄと重なるのを避けている。

第３図には、標準的な成端の特徴であるように、最初に
導電層７０がセラミック基板７２を覆って付着されてい
るようなプリント回路基板６９が示されている。これに
次いで、通常は多くの別個の部分からなるより大きな層
の一部として低抵抗率層７４の付着がなされる。図示し
たように、層７４は導電層７０と重なる部分７４Ａ及び
基板７２上に横たわる部分７４Ｂを含んでいる。次に、
高抵抗率組成物の層７６が付着されて厚膜抵抗器が形成
される。形状、重畳程度及び種々の層の組成物に対する
既述の種々のファクターがこの実施例に対して適用可能
である。

第４図には、まず最初に導電層８０がセラミック基板８
２を覆って付着されているプリント回路基板７９が示さ
れている。これに次いで厚膜抵抗器を形成する高抵抗率
層８４の付着がなされる。最後に、導電層８０及び高抵
抗率層８４の両方に対して重なるように低抵抗率層８６
が付着される。ここでもまた幾何学的な重畳程度に対す
る記述のファクター及び種々の層の組成物が一般的に使
用できる。

第３図及び第４図に示す実施例は、導電層に対して以前
に述べた実施例よりもより広い範囲の組成物を許容し得
る。当然のことながら、該導電層は銅でできている。こ
のような場合に、抵抗層の組成物は互換性がある。例え
ば、該導電層は窒素雰囲気下９００°Ｃで焼成された銅
であってもよい。

この場合に、抵抗層は、それらが窒素下９００°Ｃで印
刷でき且つ焼成できるように選択される。

あるいは、該導電体は、空気中にて例えば８５０℃で焼
成され得るＡｇ、Ａｕ、Ａ（−Ｐｄの如き貴金属若しく
は貴金属合金であることもできる。この場合には、抵抗
層はそれらが空気中８５０　’Ｏにて印刷且つ焼成でき
るように選択される。

これらの例においては、それに含まれる材料間の特定の
相互作用によって第３図及び第４図の実施例のうちのい
ずれが好ましいかが決定される。

第５図には、一対の低抵抗抵抗器３１及び３２、高抵抗
抵抗器３４及び相互接続を提供する銅層３６を含むプリ
ント回路３０の一部の上面図が示されている。

抵抗器３４には上記しｌ；種類のうちのいずれかである
成端領域３４Ａ及び３４Ｂが設けられている。銅膜３６
は、抵抗器３１．３２及び３４をＴ片状に相互に接続し
ている。銅膜３６は、低抵抗抵抗器３１．３２の端部と
重なる部分３６Ａ及び高抵抗抵抗器３４のための長い成
端として働く成端領域３４Ａ、３４Ｂの一部分と重なる
部分３６Ｂを含むべく付着される。

図示した実施例においては、１００オーム／スクエアの
シート抵抗率を提供する組成物が低抵抗抵抗器（１０オ
ーム〜１００オーム）を形成すべく使用され、Ｈ，００
０オーム／スクエアのシート抵抗率を提供する組成物が
高抵抗抵抗器（２５００〜２５Ｇ、Ｇｏｏオーム）を形
成すべく使用されている。中間抵抗（１０００〜２５０
０オーム）の抵抗器が望ましい場合には、１７５０オー
ム／スクエアのシート抵抗率を提供する組成物が斯る抵
抗器を形成する際においての使用に適している。抵抗器
を形成するのに使用される組成物の抵抗率が増すにつれ
て、低抵抗率の成端領域を用いる必要性も増す。

自動軍関係の用途において使用されるプリント回路基板
に対して上記の成端領域を使用することによって得られ
る利点は、約２５．Ｇｏｏオーム／スクエア若しくはそ
れ以上のシート抵抗率を有する組成物が使用されときに
付加される複雑性よりも優る。他の用途に対して更によ
り低い抵抗率の組成物を使用するとき、このことが生じ
る。

該厚膜層に対して異なったアスペクト比及び異なった厚
みを使用することによって、異なった関係が達成される
ことは当然である。

広く種々の回路形状が工夫でき得ることがわかる。更に
、キャパシタ、インダクタ、ダイオード及びトランジス
タの如き他の回路部品を慣習的な方法でプリント回路基
板上に含むことができる。

上記の方法で成端された高抵抗抵抗器と、従来の方法で
成端された高抵抗抵抗器（これの抵抗は十分広い強度を
有する）との両方を、共通のプリント回路基板上で混合
させることも当然可能である。

厚膜抵抗器に対して種々の組成物を使用することも当然
可能である。斯る組成物が、上記の方法で後成端を包含
することによって利点を受ける抵抗器を生ずる程度まで
、本発明の原理は利用できる。

いくつかの回路においては、高抵抗抵抗器のみが必要と
される。このときには、成端領域は、斯る成端を提供す
るためにのみ使用される低抵抗率の組成物の層の一部で
ある。

以上から、特許請求の範囲内においては、高抵抗、低抵
抗、高抵抗率及び低抵抗率という文言に対して広い幅が
与えられるべきであることが理解できる。これらは概し
て各々絶対値よりもむしろ相対関係を表すことを意図さ
れたものである。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図は、本発明の一実施例に従って形成された後成
端を含む厚膜抵抗器の断面図であり、第１　Ｂ１１　Ｃ
，Ｌ　Ｄ図は、各々本発明の実施例に従って形成された
厚膜抵抗器の成端であって種々の層の重畳程度が第１Ａ
図に含まれるものとは異なったものの断面図であり、 第２Ａ図は、本発明の別の実施例に従って形成された後
成端を含む厚膜抵抗器の断面図であり、第２　Ｂ、２　
Ｃ，２Ｄ図は、各々本発明の実施例に従って形成された
厚膜抵抗器の成端であって種々の層の重畳程度が第２Ａ
図に示されたものと異なるものの断面図であり、 第３図は、本発明の一実施例に従って形成された成端で
あって導電層厚膜抵抗器より前に付着される成端の断面
図であり、 第４図は、本発明の別の実施例に従って形成された成端
であって導電層厚膜抵抗器より前に付着される成端の断
面図であり、 第５図は、本発明に従って互いに接続された３つの抵抗
器を含むプリント回路の一部を示す上面図である。 各図面は原寸ではなく、また、かくれ線及び同一部分の
断面ハツチングは理解を容易にすべく省略した。 （主要部分の符号の説明） １０．５Ｇ、６９．７９−ｍ−プリント回路基板１２．
７６＋８４．３４　−−− ４．５２．７２．Ｈ−−− ６，７１，３６，３１，３２ ｇｏ、６２．７０．８０，３６ ５６．５Ｂ、３１Ａ、３１８ 高抵抗率層 絶縁基板 低抵抗率層 一導電層 成端領域 ０１８ ０１Ｃ ０１Ｄ ＦＩＧ、２Ａ 設工 設と 父と ＦＩＧ、５ ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、４ 手 続 補 正 書 ２、発明の名称 プリント回路基板の厚膜抵抗器のための後成端装置及び
後成端方法 ３．１１１正をする者 事件との関係 出 願 人 住 所 名 称 デルコ・エレクトロニクス−コーポレーション４、代 理 人 ５、補正の対象 明細書のし特許請求の範Ｂ１と［発明の詳細な説明］の
痛６、補正の内容 （１）　　明細書の１特許請求の範囲１を別紙の通り訂
正する （２）　　明細書の記載を次の通り訂正する。 員　　行　　　　　補正前　　　　　補正後９　１５　
　　　　接合点　　　　　接合面１１１４　　　　　　
接合点　　　　　接合面１１１５　　　　　　接合点　
　　　　接合面１２１８　　　　　　接合点　　　　　
接合面１３　７　　　　　接合点　　　　　接合面１：
（９接合点　　　　　接合面 １３１８　　　　　　接合点　　　　　接合面ＣＩ　　
　１９　　　　　　接合点　　　　　接合面１６　５　
　　　　接合点　　　　　接合面１６　６　　　　　接
合点　　　　　接合面１８Ｗ２０（”？〜１９頁１行　
接合点　　　　　接合面２０　５　　　　　接合点　　
　　　接合面２０　８　　　　　接合点　　　　　接合
面２２　１　　　　　接合点　　　　　接合面以上 特許請求の範囲を下記の通り訂正する。 ｒ２、特許請求の範囲］ １、少なくとも一つの厚膜抵抗器を含むプリント回路で
あ−）で、 プリント回路基板（１４）、 少なくとも一つの厚膜抵抗器を提供するなめめ前記基板
（１，４）　ｌの第１の組成物からなるパターン化層（
１２）、及び 導電層（１８）に対して接続された前記抵抗器の各端部
における成端手段とを含み、 前記抵抗器の各端部における前記成端手段は、抵抗率が
前記第１の組成物の抵抗率よりも低い第２の組成物から
なる層（１６）の一部（１６Ａ，１６［１）を含み 前記層部分（１６＾，８６Ｂ）は前記端部との第１の長
い接合乱を形成し、 Ａｉｒ記導電導電層８）ハ１部分（１８Ａ、１８）））
ヲ含ミ、前記導電層部分（１８Ａ，１８Ｂ＞の各々は、
前記成端手段の各々の第２の組成物からなる各々の層部
分〈１６Ａ，１６１Ｊ）との第２の長い接合面を形成す
る、ことを特徴とするプリント回路。 ２、前記導電層（１８）が銅であり、前記第１及び第２
の組成物が各々ルテニウム化合物とガラスとの混合物を
含むことを特徴とする、第１請求項記載のプリント回路
。 ３、前記第１及び第２の組成物が共通の焼成工１？で焼
成するのに適していることを特徴とする、第２請求項記
載のプリント回路。 ４、面記成端手段内の第２の組成物からなる層（１６）
の各部分く１６Ａ，１６Ｂ）は、前゛記載１の長い接合
面を形成すべく前記抵抗器の端部と重なっており、銅層
（１８）の各層部分（１８＾Ｊ８Ｂ）は、第２の長い接
合向を形成すべく第２の組成物の層部分と重なっている
ことを特徴とする、第２￥ｆ！求項記載のプリント回路
。 ５、成端手段内の第２の組成物からなる層の各部分（５
６２Ｄ）には、第１の長い接合面一を形成すべく抵抗器
の端部（５４＾２０）が重なっており比つ第２の長い接
合向を形成すべく前記銅層の一部分（６０２０）が重な
っていることを特徴とする、第１請求項記載のプリント
回路。 ６、第１の組成物の層（７６，８４）及び導電層（７０
８（））はプリント回路基板（７２，８２）に隣接する
部分を各々有し、これらの間において第２の組成物から
なる層（７４，８６）の一部分が電気的接続を提供する
ことを特徴とする、第１請求項記載のプリンＩ・回ｊ路
、。 ７、第２の組成物からなる層（８６）の前記部分は、導
電層（８０）の一部と及び第１の組成物からなる層（８
４）の一部と重なっていることを特徴とする、第６請求
項記載のプリント回路。 ８、第２の組成物からなる層（７４）の前記部分は、導
電Ｍ　（７０）の一部分に重なっており且つ第１の組成
物からなる層（７６）の一部分の↑゛に横たわっている
ことを特徴とする、第６請求項記載のプリント回路。 ９、第１請求項記載のプリント回路を形成する方法であ
って、高抵抗及び低抵抗を右する厚膜抵抗器（５４，５
６，５８）を絶縁基板（５２）、１−に含み、少なくと
も一つの低８（抗Ｊゾ膜抵抗器（５６，５８）の形成及
び少なくとも一つの高抵抗厚膜抵抗器（５４）の成端と
して使用するための領域の形成のための抵抗２材ｒ（−
である第２の組成°肉のパターンを前記絶縁Ｊ、（板（
５２）上に印刷する工程、少なくとも一つの高抵抗厚膜
抵抗２ｉ′ｒ（５４）の形成のための抵抗材ｆ１である
ｎｉｒ記第１の組成１勿のパターンを絶縁基板（５２）
　Ｊ：に印刷する工程、及びパターン化された銅リッチ
層を絶縁基板（５２）十に印刷する工程とからなり、 前記抵抗器（５４）の各々は前記第２の組成物からなる
成端領域と重な−）ている端部（５４八、５４Ｂ）を有
Ｌ７、　萌記銅すッチＪ呵は、第２の組成物によって形
成された低抵抗抵抗器（５６，５８）の端部と重なって
おりｆＬ　ｊ）高＋＋（抗低抗器（５４）（１）端部（
５４Ａ，５４１１）によ−〕で覆われていない成端領を
或の部分と重な−）ている部分（ｆｊＯ，８２）を含む
、：とを特徴とする、プリント回路を形成する方法。 ＩＯ８第１請求ｒ０記載のプリント回路を形成する方法
であって、高抵抗及び低抵抗を有する１ゾ膜抵抗器を絶
縁基板Ｅに含み、 少なくとも一つの高抵抗ノフ膜抵抗器を形成するのに適
した酵記載１の組成物からなるパターン化された層（１
２１Ｃ）を絶縁基板（１１Ｃ）ｌ−に印刷する工程、 少なくとも一つの低抵抗厚Ｉ＆！抵抗器を形成するのに
通し社つ高抵抗抵抗器のための成端領域を含むのに適し
た前記第２の組成物のパターン化層を絶縁基板（１４１
，Ｃ）ｌに印刷する工程、及びパターン化された銅リッ
チ層（１８Ａ１Ｃ）を絶縁基板（１４１Ｃ）上に印刷す
る工程がらなり、前記成端領域は高抵抗厚膜抵抗器の端
部と重なる部分を含み、 層（１８八１Ｃ）は、低抵抗抵抗器の端部（１６＾１ｃ
）及び第２の組成物からなるパターン化層の成端領域の
部分と重なっていることを特徴とする、プリント回路の
形成方法。 ＩＬ前記第１組成物のパターン及び第２の組成物のパタ
ーンが、前記銅リッチＪｇのパターンを印刷する前に共
通の工程において焼成されることを特徴とする、第９若
しくは第１０請求項記載の方法。 １２、第１の組成物は栄位面積当たり約２５，０００オ
ームのシーＩ−抵抗率を有し、第２の組成物は単位１！
１日ｄ当たり約１００オームカシ−１−抵抗子をイ１す
ることを特徴とする、第９若しくは第１０請求Ｔ＊　、
ｉ＋！　故の方法。」 以に

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. １．少なくとも一つの厚膜抵抗器を含むプリント回路で
   あって、 プリント回路基板（１４）、 少なくとも一つの厚膜抵抗器を提供するための前記基板
   （１４）上の第１の組成物からなるパターン化層（１２
   ）、及び 導電層（１３）に対して接続された前記抵抗器の各端部
   における成端手段とを含み、 前記抵抗器の各端部における前記成端手段は、抵抗率が
   前記第１の組成物の抵抗率よりも低い第２の組成物から
   なる層（１６）の一部（１６Ａ，１６Ｂ）を含み、 前記層部分（１６Ａ，１６Ｂ）は前記端部との第１の長
   い接合点を形成し、 前記導電層（１８）は層部分（１８Ａ，１８Ｂ）を含み
   、前記導電層部分（１８Ａ，１８Ｂ）の各々は、前記成
   端手段の各々の第２の組成物からなる各々の層部分（１
   ６Ａ，１６Ｂ）との第２の長い接合点を形成する、こと
   を特徴とするプリント回路。
2. ２．前記導電層（１８）が銅であり、前記第１及び第２
   の組成物が各々ルテニウム化合物とガラスとの混合物を
   含むことを特徴とする、第１請求項記載のプリント回路
   。
3. ３．前記第１及び第２の組成物が共通の焼成工程で焼成
   するのに適していることを特徴とする、第２請求項記載
   のプリント回路。
4. ４．前記成端手段内の第２の組成物からなる層（１６）
   の各部分（１６Ａ，１６Ｂ）は、前記第１の長い接合点
   を形成すべく前記抵抗器の端部と重なっており、銅層（
   １８）の各層部分（１８Ａ，１８Ｂ）は、第２の長い接
   合点を形成すべく第２の組成物の層部分と重なっている
   ことを特徴とする、第２請求項記載のプリント回路。
5. ５．成端手段内の第２の組成物からなる層の各部分（５
   ６２Ｄ）には、第１の長い接合点を形成すべく抵抗器の
   端部（５４Ａ２Ｄ）が重なつており且つ第２の長い接合
   点を形成すべく前記銅層の一部分（６０２Ｄ）が重なっ
   ていることを特徴とする、第１請求項記載のプリント回
   路。
6. ６．第１の組成物の層（７６，８４）及び導電層（７０
   ，８０）はプリント回路基板（７２，８２）に隣接する
   部分を各々有し、これらの間において第２の組成物から
   なる層（７４，８６）の一部分が電気的接続を提供する
   ことを特徴とする、第１請求項記載のプリント回路。
7. ７．第２の組成物からなる層（８６）の前記部分は、導
   電層（８０）の一部と及び第１の組成物からなる層（８
   ４）の一部と重なっていることを特徴とする、第６請求
   項記載のプリント回路。
8. ８．第２の組成物からなる層（７４）の前記部分は、導
   電層（７０）の一部分に重なっており且つ第１の組成物
   からなる層（７６）の一部分の下に横たわっていること
   を特徴とする、第６請求項記載のプリント回路。
9. ９．第１請求項記載のプリント回路を形成する方法であ
   って、高抵抗及び低抵抗を有する厚膜抵抗器（５４，５
   ６，５８）を絶縁基板（５２）上に含み、少なくとも一
   つの低抵抗厚膜抵抗器（５６，５８）の形成及び少なく
   とも一つの高抵抗厚膜抵抗器（５４）の成端として使用
   するための領域の形成のための各々の物質である第２の
   組成物のパターンを前記絶縁基板（５２）上に印刷する
   工程、 少なくとも一つの高抵抗厚膜抵抗器（５４）の形成のた
   めの材料である前記第１の組成物のパターンを絶縁基板
   （５２）上に印刷する工程、及びパターン化された銅リ
   ッチ層を絶縁基板（５２）上に印刷する工程とからなり
   、 前記抵抗（５４）の各々は前記第２の組成物からなる成
   端領域と重なっている端部（５４Ａ，５４Ｂ）を有し、
   前記銅リッチ層は、第２の組成物によって形成された低
   抵抗抵抗器（５６，５８）の端部と重なっており且つ高
   抵抗抵抗器（５４）の端部（５４Ａ，５４Ｂ）によって
   覆われていない成端領域の部分と重なっている部分（６
   ０，６２）を含むことを特徴とする、プリント回路を形
   成する方法。
10. １０．第１請求項記載のプリント回路を形成する方法で
    あって、高抵抗及び低抵抗を有する厚膜抵抗器を絶縁基
    板上に含み、 少なくとも一つの高抵抗厚膜抵抗器を形成するのに適し
    た前記第１の組成物からなるパターン化された層（１２
    １Ｃ）を絶縁基板（１４１Ｃ）上に印刷する工程、 少なくとも一つの低抵抗厚膜抵抗器を形成するのに適し
    且つ高抵抗抵抗器のための成端領域を含むのに適した前
    記第２の組成物のパターン化層を絶縁基板（１４１Ｃ）
    上に印刷する工程、及びパターン化された銅リッチ層（
    １８Ａ１Ｃ）を絶縁基板（１４１Ｃ）上に印刷する工程
    からなり、前記成端領域は高抵抗厚膜抵抗器の端部と重
    なる部分を含み、 層（１８Ａ１Ｃ）は、低抵抗抵抗器の端部（１６Ａ１Ｃ
    ）及び第２の組成物からなるパターン化層の成端領域の
    部分と重なっていることを特徴とする、プリント回路の
    形成方法。
11. １１．前記第１組成物のパターン及び第２の組成物のパ
    ターンが、前記銅リッチ層のパターンを印刷する前に共
    通の工程において焼成されることを特徴とする、第９若
    しくは第１０請求項記載の方法。
12. １２．第１の組成物は単位面積当たり約２５，０００オ
    ームのシート抵抗率を有し、第２の組成物は単位面積当
    たり約１００オームのシート抵抗率を有することを特徴
    とする、第９若しくは第１０請求項記載の方法。