JPH06140736A

JPH06140736A - 厚膜回路基板の製造方法

Info

Publication number: JPH06140736A
Application number: JP4291514A
Authority: JP
Inventors: Yuzuru Matsumoto; 譲松本; Akira Imoto; 晃井本
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1992-10-29
Filing date: 1992-10-29
Publication date: 1994-05-20

Abstract

(57)【要約】【目的】厚膜抵抗体膜として実用範囲が広い抵抗値が
得られる酸化ルテニウム系の抵抗材料を用い、厚膜抵抗
体膜の端子電極パッド及び表面の配線パターンを銅系導
体で形成で、さらに、製造方法の煩雑がならない厚膜回
路基板の製造方法を提供する。【構成】本発明の製造方法は、耐熱絶縁基板１上に、
酸化ルテニウムを主成分とする厚膜抵抗体膜５を形成す
る工程と、前記厚膜抵抗体膜５の表面抵抗を測定する工
程と、前記厚膜抵抗体膜５の対向する両端部の一部に被
覆される銅系の導体から成る端子電極膜４を形成する工
程とを含む厚膜回路基板の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、厚膜回路基板の製造方
法、例えばガラス−セラミックスからの絶縁層を複数積
層した多層基板本体の表面に抵抗体膜を形成した厚膜回
路基板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の混成集積回路等に用いられる
厚膜回路基板は、耐マイグレーション性を考慮して高密
度配線が可能な銅系導体を表面配線パターンに用いるこ
とが望ましい。この銅系導体は、酸化し易いため、銅系
導体の表面配線パターンを形成した後の焼成工程におい
ては、非酸化性雰囲気で焼成しなくてはならないという
制約がある。

【０００３】また、厚膜回路基板には、上述の表面配線
パターン以外に厚膜抵抗体膜を形成することが高密度配
線においては必要となるが、現在、厚膜抵抗体膜材料と
しては、酸化ルテニウム系の抵抗体、硼酸ランタン系の
抵抗体、酸化スズ系の抵抗体などがあった。

【０００４】このように、厚膜抵抗体膜を基板の表面に
形成する場合には、厚膜抵抗体膜の形成に先立って端子
電極パッドを形成しなくては成らなかった。そのため、
基板表面に、表面配線パターン及び端子電極パッドを銅
系導体（非酸化性雰囲気で焼成される）で形成する場合
には、厚膜抵抗体膜は、非酸化性雰囲気で焼成可能な材
料、硼酸ランタン系の抵抗体、酸化スズ系の抵抗体材料
に限られていた。

【０００５】しかしながら、硼酸ランタン系の抵抗体、
酸化スズ系の抵抗体材料は、信頼性に低く、さらに１０
Ω〜１ＭΩまでの広範囲の抵抗値を適用できるものはな
く、実用上に大きな障害があった。

【０００６】これに対して、酸化ルテニウム系抵抗体材
料は、信頼性が高く、広い抵抗値の適用範囲が可能とな
るものの、酸化ルテニウム系抵抗体は、酸化雰囲気で焼
成しなくてはならないため、抵抗体膜の端子電極パッド
としては、銅系の導体が使用できないとされていた。即
ち、表面の銅系の配線パターンと酸化ルテニウム系の抵
抗体材料を用いるためには、基板表面に、Ａｇ、Ａｇ−
Ｐｄなどの酸化性雰囲気で焼成される端子電極パッドを
形成し、続いてこの端子電極パッド上に、酸化ルテニウ
ム系の抵抗体材料を酸化性雰囲気で焼成して厚膜抵抗体
を形成し、続いてこの端子電極パッドと接続する銅系の
配線パターンを非酸化性雰囲気で焼成しなくてはならな
かった（実開昭６１−１９７８７６号など）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな厚膜回路基板では、表面の厚膜抵抗体膜の端子電極
パッド、表面配線パターン及び厚膜抵抗体膜を形成する
にあたり、２回の酸化性雰囲気中での焼成（端子電極パ
ッド及び厚膜抵抗体膜）、１回の非酸化性雰囲気中での
焼成（配線パターン）することになり、製造工程が煩雑
になる。

【０００８】また、厚膜抵抗体膜の端子電極パッドがＡ
ｇ系の導体で構成されているため、マイグレーションな
どの発生を考慮して、その周囲における高密度配線が困
難となっていた。

【０００９】ここで、また、表面配線と厚膜抵抗体膜の
端子電極パッドを銅系の導電層で形成した後、端子電極
パッドを酸化ルテニウム系材料の酸化生雰囲気で焼成し
て厚膜抵抗体膜を形成すると、先に形成した銅系の導電
層が酸化してしまう。

【００１０】また、先に酸化ルテニウム系材料の酸化生
雰囲気で焼成して厚膜抵抗体膜を形成して、その端部に
重畳するの端子電極パッド及び表面の配線パターンを銅
系の導体層を形成した場合、従来から端子電極パッドに
プローブを当てて抵抗体膜の抵抗値の測定が不可能とな
ってしまう。

【００１１】本発明者らは、種々実験した結果、端子電
極パッドにプローブを当てて抵抗体膜の抵抗値を測定し
なくとも、端子電極パッドのない厚膜抵抗体膜の抵抗値
を信頼性高く検出できることを知見した。

【００１２】本発明は、上述の知見に基づいて案出され
たものであり、厚膜抵抗体膜として実用範囲が広い抵抗
値が得られる酸化ルテニウム系の抵抗材料を用い、厚膜
抵抗体膜の端子電極パッド及び表面配線パターンを銅系
導体で形成で、さらに、製造方法の煩雑がならない厚膜
回路基板の製造方法を提供するものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、耐熱絶縁基板
上に、酸化ルテニウムを主成分とする厚膜抵抗体膜を形
成する工程と、前記厚膜抵抗体膜に電気的に接続し、且
つ厚膜抵抗体膜の対向する両端部の一部を被覆するＣｕ
系導体から成る端子電極膜を形成する工程と、を含む厚
膜回路基板の製造方法である。

【００１４】好ましくは、前記耐熱絶縁基板は、低融点
ガラス成分と無機物フィラーからなる低温焼成可能なセ
ラミック基板である。

【００１５】

【作用】以上のように、本発明によれば、耐熱絶縁基板
上に、先に酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体膜を酸化性雰
囲気で焼成形成し、次いで、酸化ルテニウム系の厚膜抵
抗体膜を４端子測定法による表面抵抗を測定した後、酸
化ルテニウム系の厚膜抵抗体膜の端部を覆うように、銅
系の導体層から成る端子電極パッド及び表面導体パター
ンを形成したので、製造方法において、基本的には、１
回の酸化雰囲気中の焼成（酸化ルテニウム系抵抗体膜の
形成）及び１回の非酸化性雰囲気中の焼成（銅系の端子
電極パッド及び配線パターンの形成）で済み、製造工程
が簡略化する。また、これにより製造された厚膜回路基
板では、信頼性が高く、且つ実用抵抗範囲が広い酸化ル
テニウムを使用するこができ、さらに、端子電極パッド
の周囲においてもマイクレーションの発生が減少するの
で、安定した動作で、高密度配線が可能な厚膜回路基板
となる。

【００１６】さらに、基板材料にも、低融点ガラス成分
と無機物フィラーからなる低温焼成可能なセラミック基
板材料を用いることにより、一層安価な製造方法とな
る。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の厚膜回路基板の製造方法を図
面に基づいて詳説する。図１は、本発明に係る厚膜回路
基板の一例である多層回路基板の断面構造を示す。図に
おいて、１０は多層回路基板であり、１は複数の絶縁層
１ａ、１ｂ・・・を積層した基板本体であり、２は絶縁
層１ａ、１ｂ・・・間に形成された所定内部配線パター
ンであり、３はビアホール導体であり、４は表面配線パ
ターンであり、５は酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体膜で
ある。

【００１８】基板本体１は、ガラス−セラミックスから
成る複数の絶縁層１ａ、１ｂ・・・と、該絶縁層１ａ、
１ｂ・・・間に配置された金系、銀系、または銅系など
の低抵抗材料から成る所定内部配線パターン２と、該絶
縁層１ａ、１ｂ・・・を貫くビアホール導体３とから構
成されている。

【００１９】基板本体１の主面には、酸化ルテニウム系
の抵抗材料から成る厚膜抵抗体膜６と銅系の導体層から
成る厚膜抵抗体膜５の端子電極パッドを含む表面配線パ
ターン４が形成されている。銅系の導体層の端子電極パ
ッドを含む表面配線パターン４は、厚膜抵抗体膜５の両
端部に重畳されるように形成されている。

【００２０】尚、表面配線パターン４は、ビアホール導
体４を介して、内部配線パターン２と電気的に接続さ
れ、全体として、所定回路が達成されることになる。
尚、図には記載していないが、表面には保護膜が形成さ
れ、必要に応じてＩＣチップや、チップ電子部品などが
搭載されている。

【００２１】次に、本発明の厚膜回路基板の一例である
多層回路基板の製造方法を説明する。

【００２２】まず、基板用組成物（絶縁層１ａ、１ｂ・
・・）となる結晶化又は非晶質の低融点ガラスフリット
と、アルミナ粉末などの無機物フィラーと、有機バイン
ダー（例えばポリメタクリレート樹脂）と、可塑剤（例
えばジブチルフタレート）と溶剤（例えばメチルエチル
ケトン）と、他の添加剤（例えば消泡剤）とを所定割合
で混合して、これをボールミルを用いて２４〜７２時間
程度混練して均質なスラリーを調整する。このスラリー
を脱泡処理した後、例えばドクターブレード法などの公
知の方法で５０〜３００μｍ程度の厚みのグリーンシー
トを形成する。

【００２３】次に得られたグリーンシートの表面にビア
ホール導体３となる穴をパンチ加工を行い、ビアホール
導体３の充填及び内部配線パターン２を印刷する。尚、
ビアホール導体３の充填は、内部配線パターン２を印刷
した後に行っても構わない。

【００２４】内部配線パターン２用導体ペーストは、
金、銀、銅及びその合金のうちから選ばれた少なくとも
１種類の金属を主成分とする導体ペーストが用いられ
る。

【００２５】これらの内部配線パターン２及びビアホー
ル導体３が形成されたグリーンシートを、各絶縁層１
ａ、１ｂ・・・の層構成を考慮して、順次積層して、熱
圧着などで基板本体１となる積層体を形成する。

【００２６】このように得られた積層体を焼成する。先
ず、第１段階で、積層体に含まれる有機物を、ガラス成
分の軟化点以下の温度、例えば５００℃前後で除去す
る。次にの段階で、ガラス成分、アルミナ粉末から成る
絶縁層１ａ、１ｂ・・・、及び内部配線パターン２、ビ
アホール導体３の一体焼結を行う。この焼成温度は、絶
縁層１ａ、１ｂ・・・のガラス成分や内部配線パターン
２などの導体材料の融点によって決定されるが、８００
〜１０５０℃の温度で行われる。焼成雰囲気は、内部配
線パターン２の導体材料によって決定される。これによ
り、焼結された基板本体１（耐熱絶縁基板）が達成され
る。

【００２７】得られた基板本体１上に、酸化ルテニウム
系の厚膜抵抗体膜５が形成される。

【００２８】具体的には、酸化ルテニウム、無機バイン
ダー、有機ビヒクルが混練された抵抗体ペーストを所定
パターンで印刷形成し、８５０〜９００℃の酸化性雰囲
気中で焼成される。尚、この厚膜抵抗体膜５は、焼成さ
れた基板本体１上に印刷焼成する他に、例えば未焼成の
基板本体１上に印刷形成して、基板本体１の焼成と同時
に酸化性雰囲気で焼成して形成することもできる。

【００２９】次に、上述の厚膜抵抗体膜５の抵抗値を直
接４端子測定法により測定した。ここで、直接４端子測
定法とは、針状の４本の端子を一直線状に等間隔で並ん
だ測定プローブを厚膜抵抗体膜５の表面に、一定荷重で
あてて、外側の２端子に一定電流を流し、そのときの電
圧降下を内側の２端子で測定することにより厚膜抵抗体
膜５の抵抗値を求めるものである。

【００３０】次に、厚膜抵抗体膜４の端子電極パッドを
含む表面配線パターン４を銅系の導体で形成する。具体
的には、銅系（銅、銅合金）の導体材料を含む導体ペー
ストを用いて、スクリーン印刷方法により、印刷形成
し、乾燥後、窒素などの非酸化性雰囲気で焼成する。
尚、焼成温度は、通常９００℃前後であるが、表面配線
パターン４とビアホール導体３とが接合する場合、ビア
ホール導体３の材料が銀系導体であれば、銀と銅との共
晶反応を防止するために、７８０℃以下の温度で焼成さ
れる。ここで、焼成形成された酸化ルテニウム系の厚膜
抵抗体膜５は、非酸化性雰囲気の高温に曝されることに
なるが、焼成された酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体膜５
は比較的安定であるため、表面配線パターン４を形成す
ることにより、抵抗特性が大きく変化することはない。

【００３１】このようにして形成された多層回路基板
（厚膜回路基板）の表面に、必要に応じて、ＩＣチップ
や各種電子部品が銅系の表面配線パターン４上に半田接
合したり、さらにガラス、樹脂などの保護膜を形成して
もよい。

【００３２】本発明の特徴的なことは、酸化ルテニウム
系の厚膜抵抗体膜５を絶縁基板１上に形成した後、端子
電極パッドを含む銅系の表面配線パターン４を形成する
ことである。

【００３３】ここで、端子電極パッドが形成されていな
い厚膜抵抗体膜５の抵抗値を測定しなければならない
が、本発明では、４端子法を用いて抵抗体膜５のシート
抵抗値を測定して、このシート抵抗値から最終的に現れ
る抵抗値を換算するものである。

【００３４】本発明者らは、ガラス−セラミックスから
成る絶縁基板上に、１０Ω用、１００Ω、１ＫΩ用、１
０ＫΩ用、１００ＫΩ用、１ＭΩ用の６種類の酸化ルテ
ニウム系の抵抗体膜５を形成して、厚膜抵抗体膜５を４
端子法を用いて直接抵抗値を測定した。さらに、各厚膜
抵抗体膜に銅系の導体からなる端子電極パッドを形成し
て、さらに両端子電極パッドを用いて、従来の抵抗値を
測定法で抵抗値を測定した。

【００３５】この結果を、図２で示す。図において、縦
軸は、厚膜抵抗体膜５を４端子法で直接抵抗値を測定し
た結果であり、横軸は、端子電極パッドを形成した後、
両端子電極パッドで抵抗値を測定した結果である。

【００３６】図２から明らかなように、厚膜抵抗体膜５
を４端子法で直接抵抗値を測定した結果とあり、端子電
極パッドを形成した後、両端子電極パッドで抵抗値を測
定した結果の間には、比例関係（傾きが１．０６）が明
瞭にあることが判明した。

【００３７】即ち、この関係により、端子電極パッドを
持たない厚膜抵抗体膜５に直接抵抗値を測定しても、一
定の関係により、その抵抗値を精度よく測定でき、表面
に銅系の導体の配線パターン、酸化ルテニウム系の厚膜
抵抗体膜を配置する場合、従来のように厚膜抵抗体膜５
の形成に先立って端子電極パッドを予め形成しなくと
も、酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体膜のみの測定で、安
定した抵抗値が得られることが可能となる。

【００３８】従って、本発明のように、絶縁基板上に、
抵抗値の適用範囲の広い酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体
膜５を酸化性雰囲気で焼成・形成し、厚膜抵抗体膜５の
抵抗値を、厚膜抵抗体膜５から直接測定した後、端子電
極パッドを含む銅系の導体から成る表面配線パターン４
を非酸化性雰囲気で焼成形成することができる。

【００３９】このような製造方法にすることにより、基
板表面上の焼成工程が、酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体
膜５を形成するための酸化性雰囲気での焼成工程と、端
子電極パッドを含む銅系の表面配線パターン４を形成す
るための非酸化性雰囲気での焼成工程との２回の焼成工
程で完了することになり、従来のように、端子電極パッ
ドを形成するための焼成工程、厚膜抵抗体膜を形成する
ための焼成工程、表面配線パターンを形成するための焼
成工程の少なくとも３回以上の焼成工程が必要なく、製
造方法が簡略化する。

【００４０】また、抵抗値の適用範囲が広く、特性的に
安定した酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体膜５と銅系の導
体からなる表面配線パターンとを用いることができるた
め、あらゆる抵抗値が要求される回路であっても、容易
に対応することができる。

【００４１】さらに、構造的には、端子電極パッドも銅
系の導体材料からなるため、その周囲でのマイグレーシ
ョン性が向上し、高密度配線パターンが達成され、基板
の小型化に大きく貢献することになる。

【００４２】次に、酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体膜５
に適応する基板の材料について検討すると、基板材料と
して、ガラス成分を多く含むガラス−セラミックス基板
が好ましい。

【００４３】本発明者らは、基板材料として、ガラス−
セラミックス基板とアルミナ（９６％）基板とに、夫々
１０Ω用、１００Ω、１ＫΩ用、１０ＫΩ用、１００Ｋ
Ω用、１ＭΩ用の６種類の酸化ルテニウム系の抵抗体膜
５を形成して、抵抗値及び温度特性を測定した。尚、ガ
ラス−セラミックス基板を用いたものは、厚膜抵抗体膜
５を先に形成した後、銅系の導体の端子電極パッドを形
成した厚膜回路基板（試料１）について測定した。ま
た、アルミナ基板を用いたものは、厚膜抵抗体膜５を先
に形成した後、銅系の導体の端子電極パッドを形成した
厚膜回路基板（試料２）と、先にＡｇ−Ｐｄの端子電極
パッドを形成した後、厚膜抵抗体膜を形成した厚膜回路
基板（試料３）について測定した。

【００４４】試料１の製造方法は、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ
₃、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯを主成分とする結晶化ガラ
ス粉末３０〜８０重量％、試料では、７０重量％とアル
ミナ粉末からなる無機物フィラー２０〜７０重量％、試
料では、３０重量％とを混合しものに、有機バインダ
ー、溶剤、可塑剤などを加えたガラス−セラミックスグ
リーンシートを、所定枚数積層（内部に内部配線パター
ンを形成）して、酸化性雰囲気で焼成した絶縁基板を用
いた。

【００４５】この絶縁基板上に、上述の６種類の酸化ル
テニウム系の抵抗体膜５を酸化ルテニウム系の抵抗体ペ
ーストで印刷し、１２０℃で１０分間乾燥した後、酸化
性雰囲気・８５０℃ピークで１０分焼成して形成した。
その後、厚膜抵抗体膜５の両端に低温焼成可能な銅系導
体ペーストで端子電極パッドを印刷し、１２０℃で１０
分間乾燥した後、非酸化性雰囲気・６５０℃ピークで１
０分焼成して形成した。

【００４６】試料２の製造方法は、９６％のアルミナ基
板上に、上述の６種類の酸化ルテニウム系の抵抗体膜５
を酸化ルテニウム系の抵抗体ペーストで印刷し、１２０
℃で１０分間乾燥した後、酸化性雰囲気・８５０℃ピー
クで１０分焼成して形成した。その後、厚膜抵抗体膜５
の両端に低温焼成可能な銅系導体ペーストで端子電極パ
ッドを印刷し、１２０℃で１０分間乾燥した後、非酸化
性雰囲気・６００℃ピークで１０分焼成して形成した。

【００４７】試料３の製造方法は、９６％のアルミナ基
板上に、厚膜抵抗体膜５の両端となる部位に、Ａｇ−Ｐ
ｄの導体ペーストで端子電極パッドを印刷し、１２０℃
で１０分間乾燥した後、酸化性雰囲気・８５０℃ピーク
で１０分焼成し、次いで、上述の６種類の酸化ルテニウ
ム系の抵抗体膜５を酸化ルテニウム系の抵抗体ペースト
で印刷し、１２０℃で１０分間乾燥した後、酸化性雰囲
気・８５０℃ピークで１０分焼成して形成した。

【００４８】表１は、各試料１〜３の夫々の厚膜抵抗体
膜の抵抗値を測定した結果であり、表２は夫々の厚膜抵
抗体膜の抵抗温度係数を測定した結果である。

【００４９】

【表１】

【００５０】

【表２】

【００５１】表から分かるように、試料２（アルミナ基
板−厚膜抵抗体膜−銅系端子電極パッドの構造）の抵抗
値は、試料３（アルミナ基板−Ａｇ・ｐｄ端子電極パッ
ド−厚膜抵抗体膜の構造）の抵抗値に比べて２〜８倍や
高くもなってしまう。また、抵抗温度係数の絶対値も大
きく、温度に対して不安定であることが判る。

【００５２】この試料３に比較して、試料１（ガラス−
セラミックス基板−厚膜抵抗体膜−銅系端子電極パッド
の構造）の抵抗値は、試料３と略同等程度の抵抗値を示
し、また、抵抗温度係数の絶対値も、実用的の範囲内に
なることが判る。

【００５３】大きく、温度に対して不安定であることが
判る。

【００５４】試料１、試料３の絶縁基板１と厚膜抵抗体
膜５、銅系の端子電極パッドの界面を夫々観察してみる
と、試料３では、厚膜抵抗体膜５と銅系の端子電極パッ
ドとの間に抵抗ベーストの無機バインダーによるものと
思われるガラス層が形成されており、これにより、厚膜
抵抗体膜の抵抗値や抵抗温度係数を大きくしているもの
と考えられる。

【００５５】これに対して、試料１では、厚膜抵抗体膜
５と端子電極パッドとの間には、ガラス成分を見出すこ
とができるが、層として集中ぜず、また厚膜抵抗体膜５
と基板１との間には、ガラス成分は見られ、厚膜抵抗体
膜５のガラス成分は抵抗体膜５中に均一に分布している
ものと思われる。

【００５６】即ち、厚膜抵抗体膜５と基板１との密着
が、アルミナ基板（試料２、３）よりも良いガラス−セ
ラミックス基板（試料１）は、厚膜抵抗体膜５と端子電
極パッドとの接合部分にはガラス層は形成されず、特性
は安定する。

【００５７】したがって、本発明の製造方法による基板
の材料として、９６％アルミナからなるアルミナ基板よ
りも、ガラス−セラミックス基板を用いた方が、厚膜抵
抗体膜５の密着性を考慮して、このましいことが判る。

【００５８】上述の実施例では、厚膜回路基板として、
多層回路基板の基板本体で説明したが、勿論、単板状の
絶縁基板を用いても構わない。

【００５９】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、基板の
表面に厚膜抵抗体膜及び該抵抗体膜の端子電極パッドを
含む表面配線パターンが形成された厚膜回路基板であっ
て、厚膜抵抗体膜が酸化ルテニウム系の抵抗体であるた
め、所定抵抗値の範囲（１０〜１ＭΩ程度）が簡単に得
られ、しかも、その製造が、１回の厚膜抵抗体膜の焼成
工程、１回の厚膜抵抗体膜の端子電極パッドを含む表面
配線パターンの焼成工程で済み、しかも、銅系の表面配
線パターンを酸化反応を起こすことが一切ない。

【００６０】したがって、表面配線パターンの導電性を
良好に維持しつつ、適用範囲の広い厚膜抵抗体膜を有す
る厚膜回路基板が簡単に製造できる。

【００６１】また、表面の配線配線パターン（配線パタ
ーン及び端子電極パッド）が実質的に、銅系の導体で構
成されるので、マイグレーションが発生しにくく、端子
電極パッドの周囲でも高密度の配線パターンが達成で
き、小型化された厚膜回路基板となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層回路基板の断面構造を示す図であ
る。

【図２】厚膜抵抗体膜を直接測定した抵抗値と端子電極
を形成した後に測定した抵抗値との関係をしめす特性図
である。

【符号の説明】

１０・・・・・・多層回路基板１・・・・・・基板本体１ａ、１ｂ・・・・絶縁層２・・・・・・内部配線パターン３・・・・・・ビアホール導体４・・・・・・表面配線パターン５・・・・・・厚膜抵抗体膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】耐熱絶縁基板上に、酸化ルテニウムを主
成分とする厚膜抵抗体膜を形成する工程と、前記厚膜抵抗体膜に電気的に接続し、且つ厚膜抵抗体膜
の対向する両端部の一部を被覆するＣｕ系導体から成る
端子電極膜を形成する工程と、を含む厚膜回路基板の製造方法。
【請求項２】前記耐熱絶縁基板は、低融点ガラス成分
と無機物フィラーからなる低温焼成可能なセラミック基
板であることを特徴とする請求項１記載の厚膜回路基板
の製造方法。