JPH05267813A - 厚膜回路基板、その製造方法および厚膜回路基板製造用基板 - Google Patents
厚膜回路基板、その製造方法および厚膜回路基板製造用基板Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】銅からなる厚膜導体パターン間に設けられた厚
膜抵抗体を有する厚膜回路基板を製造する際に、厚膜抵
抗体と厚膜導体パターンとの位置関係を容易に確認する
ことができる厚膜回路基板、その製造方法および厚膜回
路基板製造用基板を提供する。 【構成】セラミックス基板２上に設けた酸化ルテニウム
系厚膜抵抗体７１〜７４の両側辺部上に一部延在して銅
からなる厚膜導体パターン６を有する厚膜回路基板３が
厚膜回路基板製造用基板１内に複数形成されている。厚
膜回路基板３が形成されていないセラミックス基板２上
の周辺部に、厚膜抵抗体７１〜７４及び導体パターン６
に対応して、これらの位置関係を確認するための酸化ル
テニウム系厚膜抵抗体５１〜５４及び厚膜導体パターン
１６が形成されている。厚膜抵抗体５１〜５４及び導体
パターン１６の位置関係を確認することにより、厚膜抵
抗体７１〜７４及び導体パターン６の位置関係を確認す
ることができる。
膜抵抗体を有する厚膜回路基板を製造する際に、厚膜抵
抗体と厚膜導体パターンとの位置関係を容易に確認する
ことができる厚膜回路基板、その製造方法および厚膜回
路基板製造用基板を提供する。 【構成】セラミックス基板２上に設けた酸化ルテニウム
系厚膜抵抗体７１〜７４の両側辺部上に一部延在して銅
からなる厚膜導体パターン６を有する厚膜回路基板３が
厚膜回路基板製造用基板１内に複数形成されている。厚
膜回路基板３が形成されていないセラミックス基板２上
の周辺部に、厚膜抵抗体７１〜７４及び導体パターン６
に対応して、これらの位置関係を確認するための酸化ル
テニウム系厚膜抵抗体５１〜５４及び厚膜導体パターン
１６が形成されている。厚膜抵抗体５１〜５４及び導体
パターン１６の位置関係を確認することにより、厚膜抵
抗体７１〜７４及び導体パターン６の位置関係を確認す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜回路基板、その製
造方法および厚膜回路基板製造用基板に関し、特に厚膜
抵抗体等の膜状回路素子が銅導体パターン間に形成され
ている厚膜回路基板、その製造方法および厚膜回路基板
製造用基板に関する。
造方法および厚膜回路基板製造用基板に関し、特に厚膜
抵抗体等の膜状回路素子が銅導体パターン間に形成され
ている厚膜回路基板、その製造方法および厚膜回路基板
製造用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックス等の基板上に設けられた電
極間に厚膜抵抗体を有する厚膜回路基板が知られてい
る。この厚膜回路基板は、通常このような厚膜回路基板
を複数枚有する厚膜回路基板製造用基板をまず形成し、
その後個々の厚膜回路基板に分割することにより製造さ
れている。この厚膜回路基板には、セラミックスなどの
基板上に設けられた厚膜導体パターンの間に厚膜抵抗体
を有する単層型のものと、前記基板上に複数層の厚膜導
体パターンが設けられ、この厚膜導体パターンの間に厚
膜抵抗体を有する多層型のものとがある。前記厚膜回路
基板は、セラミックス等の基板上に、厚膜導体パター
ン、絶縁層または厚膜抵抗体などを形成するペーストを
個別にスクリーン印刷したのち焼成する工程を繰り返し
行うことにより製造される。
極間に厚膜抵抗体を有する厚膜回路基板が知られてい
る。この厚膜回路基板は、通常このような厚膜回路基板
を複数枚有する厚膜回路基板製造用基板をまず形成し、
その後個々の厚膜回路基板に分割することにより製造さ
れている。この厚膜回路基板には、セラミックスなどの
基板上に設けられた厚膜導体パターンの間に厚膜抵抗体
を有する単層型のものと、前記基板上に複数層の厚膜導
体パターンが設けられ、この厚膜導体パターンの間に厚
膜抵抗体を有する多層型のものとがある。前記厚膜回路
基板は、セラミックス等の基板上に、厚膜導体パター
ン、絶縁層または厚膜抵抗体などを形成するペーストを
個別にスクリーン印刷したのち焼成する工程を繰り返し
行うことにより製造される。
【０００３】この種の厚膜回路基板では、基板上に形成
される厚膜導体パターンの集積度が高度化されるほど配
線が微細化されるので、導体抵抗の低減が必要になる。
そこで、前記厚膜導体パターンを導体抵抗の小さい銅に
より形成することが行われている。
される厚膜導体パターンの集積度が高度化されるほど配
線が微細化されるので、導体抵抗の低減が必要になる。
そこで、前記厚膜導体パターンを導体抵抗の小さい銅に
より形成することが行われている。
【０００４】この場合、銅の厚膜導体パターンは空気中
で加熱すると銅が酸化される一方、安定した特性が要求
される厚膜抵抗体としては酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
のように通常空気中で焼成される材料が用いられるか
ら、銅の厚膜導体パターンを形成した後に、その上に厚
膜抵抗体ペーストを塗布し焼成するという方法を採るこ
とはできない。そこで、このような銅の酸化を防止する
ために前記基板上に印刷された厚膜抵抗体形成用ペース
トを空気中で焼成して、まず厚膜抵抗体を形成し、その
後、銅の厚膜導体ペーストを前記厚膜抵抗体上に一部延
在するように印刷して窒素雰囲気中で焼成して銅からな
る厚膜導体パターンを形成する方法が採られている。そ
して、この場合、厚膜導体パターンは、通常、略方形状
に形成される厚膜抵抗体の側辺部に沿って該側辺部を被
覆するようにして形成される。
で加熱すると銅が酸化される一方、安定した特性が要求
される厚膜抵抗体としては酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
のように通常空気中で焼成される材料が用いられるか
ら、銅の厚膜導体パターンを形成した後に、その上に厚
膜抵抗体ペーストを塗布し焼成するという方法を採るこ
とはできない。そこで、このような銅の酸化を防止する
ために前記基板上に印刷された厚膜抵抗体形成用ペース
トを空気中で焼成して、まず厚膜抵抗体を形成し、その
後、銅の厚膜導体ペーストを前記厚膜抵抗体上に一部延
在するように印刷して窒素雰囲気中で焼成して銅からな
る厚膜導体パターンを形成する方法が採られている。そ
して、この場合、厚膜導体パターンは、通常、略方形状
に形成される厚膜抵抗体の側辺部に沿って該側辺部を被
覆するようにして形成される。
【０００５】ところで、この種の厚膜回路基板において
は、厚膜抵抗体と厚膜導体パターンとの接合範囲が極端
に小さい場合等には、両者間の導通不良等が生じる虞れ
があることから、厚膜抵抗体と厚膜導体パターンとの接
合範囲、あるいは両者の位置関係を確認することはその
品質管理上、重要な事項となっている。そして、このよ
うな確認は、厚膜抵抗体や厚膜導体パターンを印刷する
ための印刷機のセッティングの変更等があった時に、特
に、重要であり、より好ましくは、各厚膜回路基板、あ
るいは各厚膜回路基板製造用基板毎に行うことが好まし
い。
は、厚膜抵抗体と厚膜導体パターンとの接合範囲が極端
に小さい場合等には、両者間の導通不良等が生じる虞れ
があることから、厚膜抵抗体と厚膜導体パターンとの接
合範囲、あるいは両者の位置関係を確認することはその
品質管理上、重要な事項となっている。そして、このよ
うな確認は、厚膜抵抗体や厚膜導体パターンを印刷する
ための印刷機のセッティングの変更等があった時に、特
に、重要であり、より好ましくは、各厚膜回路基板、あ
るいは各厚膜回路基板製造用基板毎に行うことが好まし
い。
【０００６】しかしながら、前述したように、銅等の厚
膜導体パターンを厚膜抵抗体の側辺部に沿って該側辺部
を被覆するようにして形成した場合には、厚膜抵抗体の
厚膜導体パターンとの接合箇所である側辺部が該厚膜導
体パターンにより隠されてしまうため、両者の位置関係
を確認することが困難なものとなっていた。
膜導体パターンを厚膜抵抗体の側辺部に沿って該側辺部
を被覆するようにして形成した場合には、厚膜抵抗体の
厚膜導体パターンとの接合箇所である側辺部が該厚膜導
体パターンにより隠されてしまうため、両者の位置関係
を確認することが困難なものとなっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる不都
合を解消して、銅等の不活性または還元雰囲気中で焼成
する金属からなる導体パターン間に設けられた厚膜抵抗
体等の膜状回路素子を有する厚膜回路基板を製造する際
に、該膜状回路素子と導体パターンとの位置関係を容易
に確認することができる厚膜回路基板、その製造方法お
よび厚膜回路基板製造用基板を提供することを目的とす
る。
合を解消して、銅等の不活性または還元雰囲気中で焼成
する金属からなる導体パターン間に設けられた厚膜抵抗
体等の膜状回路素子を有する厚膜回路基板を製造する際
に、該膜状回路素子と導体パターンとの位置関係を容易
に確認することができる厚膜回路基板、その製造方法お
よび厚膜回路基板製造用基板を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
に設けられた第１の膜状回路素子と、該第１の膜状回路
素子上に一部延在して前記基板上に設けられた不活性ま
たは還元雰囲気中で焼成する金属からなる第１の導体パ
ターンとを有する厚膜回路基板、が形成されている厚膜
回路基板製造用基板において、前記厚膜回路基板が形成
されていない部分の前記厚膜回路基板製造用基板上に、
前記第１の膜状回路素子と前記第１の導体パターンとの
位置関係を確認するための第２の膜状回路素子と不活性
または還元雰囲気中で焼成する金属からなる第２の導体
パターンとが設けられていることを特徴とする厚膜回路
基板製造用基板が得られる。
に設けられた第１の膜状回路素子と、該第１の膜状回路
素子上に一部延在して前記基板上に設けられた不活性ま
たは還元雰囲気中で焼成する金属からなる第１の導体パ
ターンとを有する厚膜回路基板、が形成されている厚膜
回路基板製造用基板において、前記厚膜回路基板が形成
されていない部分の前記厚膜回路基板製造用基板上に、
前記第１の膜状回路素子と前記第１の導体パターンとの
位置関係を確認するための第２の膜状回路素子と不活性
または還元雰囲気中で焼成する金属からなる第２の導体
パターンとが設けられていることを特徴とする厚膜回路
基板製造用基板が得られる。
【０００９】この場合、前記第１および第２の膜状回路
素子が前記厚膜回路基板製造用基板に同時に設けられた
ものであると共に、前記第１および第２の導体パターン
が前記厚膜回路基板製造用基板に同時に設けられたもの
であることが好ましい。
素子が前記厚膜回路基板製造用基板に同時に設けられた
ものであると共に、前記第１および第２の導体パターン
が前記厚膜回路基板製造用基板に同時に設けられたもの
であることが好ましい。
【００１０】また、前記第１の導体パターンが前記第１
の膜状回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設
けられている場合には、前記第２の導体パターンは、前
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子上に延
在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路素子
の側辺部上に部分的に存在する部分を備えて設けられて
いることを特徴とする。
の膜状回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設
けられている場合には、前記第２の導体パターンは、前
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子上に延
在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路素子
の側辺部上に部分的に存在する部分を備えて設けられて
いることを特徴とする。
【００１１】あるいは、前記第２の導体パターンは、前
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子の外側
に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路
素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分を備えて
設けられていることを特徴とする。
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子の外側
に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路
素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分を備えて
設けられていることを特徴とする。
【００１２】あるいは、より好ましくは、前記第２の導
体パターンは、前記第１の導体パターンの前記第１の膜
状回路素子上に延在する部分の幅に対応する幅で前記第
２の膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分
と、前記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子
の外側に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜
状回路素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分と
を備えて設けられていることを特徴とする。
体パターンは、前記第１の導体パターンの前記第１の膜
状回路素子上に延在する部分の幅に対応する幅で前記第
２の膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分
と、前記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子
の外側に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜
状回路素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分と
を備えて設けられていることを特徴とする。
【００１３】また、本発明によれば、基板上に設けられ
た第１の膜状回路素子と、該第１の膜状回路素子上に一
部延在して前記基板上に設けられた不活性または還元雰
囲気中で焼成する金属からなる第１の導体パターンとを
有する厚膜回路基板の製造方法において、前記厚膜回路
基板が形成される厚膜回路基板製造用基板の前記厚膜回
路基板が形成されない部分上に、前記第１の膜状回路素
子と同時に第２の膜状回路素子を設ける工程と、前記第
１の導体パターンと同時に前記第２の膜状回路素子上に
一部延在する不活性または還元雰囲気中で焼成する金属
からなる第２の導体パターンを設ける工程とを有するこ
とを特徴とする厚膜回路基板の製造方法が得られる。
た第１の膜状回路素子と、該第１の膜状回路素子上に一
部延在して前記基板上に設けられた不活性または還元雰
囲気中で焼成する金属からなる第１の導体パターンとを
有する厚膜回路基板の製造方法において、前記厚膜回路
基板が形成される厚膜回路基板製造用基板の前記厚膜回
路基板が形成されない部分上に、前記第１の膜状回路素
子と同時に第２の膜状回路素子を設ける工程と、前記第
１の導体パターンと同時に前記第２の膜状回路素子上に
一部延在する不活性または還元雰囲気中で焼成する金属
からなる第２の導体パターンを設ける工程とを有するこ
とを特徴とする厚膜回路基板の製造方法が得られる。
【００１４】また、前記第１の導体パターンを前記第１
の膜状回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設
ける場合には、前記第２の導体パターンを、前記第１の
導体パターンの前記第１の膜状回路素子上に延在する部
分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路素子の側辺部
上に部分的に存在する部分を備えて設けたことを特徴と
する。
の膜状回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設
ける場合には、前記第２の導体パターンを、前記第１の
導体パターンの前記第１の膜状回路素子上に延在する部
分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路素子の側辺部
上に部分的に存在する部分を備えて設けたことを特徴と
する。
【００１５】あるいは、前記第２の導体パターンを、前
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子の外側
に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路
素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分を備えて
設けたことを特徴とする。
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子の外側
に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路
素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分を備えて
設けたことを特徴とする。
【００１６】あるいは、より好ましくは、前記第２の導
体パターンを、前記第１の導体パターンの前記第１の膜
状回路素子上に延在する部分の幅に対応する幅で前記第
２の膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分
と、前記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子
の外側に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜
状回路素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分と
を備えて設けたことを特徴とする。
体パターンを、前記第１の導体パターンの前記第１の膜
状回路素子上に延在する部分の幅に対応する幅で前記第
２の膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分
と、前記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子
の外側に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜
状回路素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分と
を備えて設けたことを特徴とする。
【００１７】さらにまた、本発明によれば、基板上に設
けられた第１の膜状回路素子と、該第１の膜状回路素子
上に一部延在して前記基板上に設けられた不活性または
還元雰囲気中で焼成する金属からなる第１の導体パター
ンと、前記第１の膜状回路素子と前記第１の導体パター
ンとの位置関係を確認するための第２の膜状回路素子と
不活性または還元雰囲気中で焼成する金属からなる第２
の導体パターンと、を有することを特徴とする厚膜回路
基板が得られる。
けられた第１の膜状回路素子と、該第１の膜状回路素子
上に一部延在して前記基板上に設けられた不活性または
還元雰囲気中で焼成する金属からなる第１の導体パター
ンと、前記第１の膜状回路素子と前記第１の導体パター
ンとの位置関係を確認するための第２の膜状回路素子と
不活性または還元雰囲気中で焼成する金属からなる第２
の導体パターンと、を有することを特徴とする厚膜回路
基板が得られる。
【００１８】この場合、前記第１および第２の膜状回路
素子が前記基板に同時に設けられたものであると共に、
前記第１および第２の導体パターンが前記基板に同時に
設けられたものであることが好ましい。
素子が前記基板に同時に設けられたものであると共に、
前記第１および第２の導体パターンが前記基板に同時に
設けられたものであることが好ましい。
【００１９】また、前記第１の導体パターンが前記第１
の膜状回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設
けられている場合には、前記第２の導体パターンは、前
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子上に延
在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路素子
の側辺部上に部分的に存在する部分を備えて設けられて
いることを特徴とする。
の膜状回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設
けられている場合には、前記第２の導体パターンは、前
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子上に延
在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路素子
の側辺部上に部分的に存在する部分を備えて設けられて
いることを特徴とする。
【００２０】あるいは、前記第２の導体パターンは、前
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子の外側
に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路
素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分を備えて
設けられていることを特徴とする。
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子の外側
に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路
素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分を備えて
設けられていることを特徴とする。
【００２１】あるいは、より好ましくは、前記第２の導
体パターンは、前記第１の導体パターンの前記第１の膜
状回路素子上に延在する部分の幅に対応する幅で前記第
２の膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分
と、前記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子
の外側に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜
状回路素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分と
を備えて設けられていることを特徴とする。
体パターンは、前記第１の導体パターンの前記第１の膜
状回路素子上に延在する部分の幅に対応する幅で前記第
２の膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分
と、前記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子
の外側に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜
状回路素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分と
を備えて設けられていることを特徴とする。
【００２２】尚、前記不活性または還元雰囲気中で焼成
する金属は、好ましくはＣｕである。
する金属は、好ましくはＣｕである。
【００２３】また、前記第１および第２の膜状回路素子
として、好ましくは厚膜抵抗体が用いられる。
として、好ましくは厚膜抵抗体が用いられる。
【００２４】
【作用】本発明においては、前記第１の膜状回路素子と
前記第１の導体パターンとの位置関係を確認するための
前記第２の膜状回路素子と前記第２の導体パターンとを
設けたので、これらの第２の膜状回路素子と第２の導体
パターンとの位置関係から、第１の膜状回路素子と前記
第１の導体パターンとの位置関係を確認することができ
る。
前記第１の導体パターンとの位置関係を確認するための
前記第２の膜状回路素子と前記第２の導体パターンとを
設けたので、これらの第２の膜状回路素子と第２の導体
パターンとの位置関係から、第１の膜状回路素子と前記
第１の導体パターンとの位置関係を確認することができ
る。
【００２５】このような位置確認用の第２の膜状回路素
子および第２の導体パターンは、それぞれ前記第１の膜
状回路素子および第１の導体パターンと同時に設けてお
けば、該第２の膜状回路素子および第２の導体パターン
の位置関係を、第１の膜状回路素子および第１の導体パ
ターンの位置関係と精度よく対応させることが可能とな
る。
子および第２の導体パターンは、それぞれ前記第１の膜
状回路素子および第１の導体パターンと同時に設けてお
けば、該第２の膜状回路素子および第２の導体パターン
の位置関係を、第１の膜状回路素子および第１の導体パ
ターンの位置関係と精度よく対応させることが可能とな
る。
【００２６】そして、前記第１の導体パターンが前記第
１の膜状回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して
設けられるような場合には、前記第２の導体パターン
を、例えば、前記第１の導体パターンの前記第１の膜状
回路素子上に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２
の膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分を備
えて設けておけば、該第２の導体パターンの第２の膜状
回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分の幅から、
前記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子上に
延在する部分の幅を確認することができ、これにより、
第１の膜状回路素子と第１の導体パターンとの位置関係
を確認することができる。
１の膜状回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して
設けられるような場合には、前記第２の導体パターン
を、例えば、前記第１の導体パターンの前記第１の膜状
回路素子上に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２
の膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分を備
えて設けておけば、該第２の導体パターンの第２の膜状
回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分の幅から、
前記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子上に
延在する部分の幅を確認することができ、これにより、
第１の膜状回路素子と第１の導体パターンとの位置関係
を確認することができる。
【００２７】あるいは、前記第２の導体パターンを、前
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子の外側
に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路
素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分を備えて
設けておけば、該第２の導体パターンの第２の膜状回路
素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分の幅か
ら、前記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子
上に延在する部分の幅を確認することができ、これによ
っても、第１の膜状回路素子と第１の導体パターンとの
位置関係を確認することができる。
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子の外側
に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回路
素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分を備えて
設けておけば、該第２の導体パターンの第２の膜状回路
素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分の幅か
ら、前記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子
上に延在する部分の幅を確認することができ、これによ
っても、第１の膜状回路素子と第１の導体パターンとの
位置関係を確認することができる。
【００２８】そして、より好ましくは、前記第２の導体
パターンを、前記第１の導体パターンの前記第１の膜状
回路素子上に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２
の膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分と、
前記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子の外
側に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回
路素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分との両
部分を備えて設けておけば、これらの部分の幅から、前
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子上に延
在する部分の幅と、前記第１の導体パターンの前記第１
の膜状回路素子の外側に延在する部分の幅との両者を確
認することができ、第１の膜状回路素子と第１の導体パ
ターンとの位置関係をより確実に確認することができ
る。
パターンを、前記第１の導体パターンの前記第１の膜状
回路素子上に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２
の膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分と、
前記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子の外
側に延在する部分の幅に対応する幅で前記第２の膜状回
路素子の側辺部の外側に部分的に張り出した部分との両
部分を備えて設けておけば、これらの部分の幅から、前
記第１の導体パターンの前記第１の膜状回路素子上に延
在する部分の幅と、前記第１の導体パターンの前記第１
の膜状回路素子の外側に延在する部分の幅との両者を確
認することができ、第１の膜状回路素子と第１の導体パ
ターンとの位置関係をより確実に確認することができ
る。
【００２９】
【実施例】次に、添付の図面を参照しながら本発明を実
施例に基づいてさらに詳しく説明する。
施例に基づいてさらに詳しく説明する。
【００３０】図１は本発明の第１の実施例の構成を示す
平面模式図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線断面図、図３は
図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図、図４は第２の実施例の
構成を示す平面模式図、図５は図４のＶ−Ｖ線断面図、
図６は図４のＶＩ−ＶＩ線断面図、図７は位置確認用の
厚膜導体パターンのパターン例を示す図である。
平面模式図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線断面図、図３は
図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図、図４は第２の実施例の
構成を示す平面模式図、図５は図４のＶ−Ｖ線断面図、
図６は図４のＶＩ−ＶＩ線断面図、図７は位置確認用の
厚膜導体パターンのパターン例を示す図である。
【００３１】本発明の第１の実施例の厚膜回路基板製造
用基板１は、図１および図２に示すように、セラミック
ス基板２の中央部に同一の配線パターンを有する厚膜回
路基板３が例えば４個形成されており、厚膜回路基板３
が形成されていないセラミックス基板２上の周辺部に銀
−白金合金からなる例えば４組の電極対（４１ａ，４１
ｂ）〜（４４ａ，４４ｂ）が設けられている。各組の電
極対（４１ａ，４１ｂ）〜（４４ａ，４４ｂ）は、それ
ぞれセラミックス基板２の略対角線上で対になるように
配置されている。各組の各電極対４１ａ，４１ｂ……４
４ａ，４４ｂの間には、厚膜回路基板３内に形成された
４種類のシート抵抗の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体、例
えば７１〜７４とそれぞれ同時に同一の厚膜抵抗体用ペ
ーストを用いて各組毎に形成された酸化ルテニウム系厚
膜抵抗体５１〜５４が設けられている。この場合、例え
ば電極対４１ａ，４１ｂのそれぞれに対応して形成され
る酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１は、厚膜回路基板３
内に形成される酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１と基本
的には同一の向きおよび同質のものであり、その両側辺
部を各電極対４１ａ，４１ｂ上に延在させて形成されて
いる。他の組の電極対（４２ａ，４２ｂ）〜（４４ａ，
４４ｂ）に対応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５２〜
５４も、これと同様である。
用基板１は、図１および図２に示すように、セラミック
ス基板２の中央部に同一の配線パターンを有する厚膜回
路基板３が例えば４個形成されており、厚膜回路基板３
が形成されていないセラミックス基板２上の周辺部に銀
−白金合金からなる例えば４組の電極対（４１ａ，４１
ｂ）〜（４４ａ，４４ｂ）が設けられている。各組の電
極対（４１ａ，４１ｂ）〜（４４ａ，４４ｂ）は、それ
ぞれセラミックス基板２の略対角線上で対になるように
配置されている。各組の各電極対４１ａ，４１ｂ……４
４ａ，４４ｂの間には、厚膜回路基板３内に形成された
４種類のシート抵抗の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体、例
えば７１〜７４とそれぞれ同時に同一の厚膜抵抗体用ペ
ーストを用いて各組毎に形成された酸化ルテニウム系厚
膜抵抗体５１〜５４が設けられている。この場合、例え
ば電極対４１ａ，４１ｂのそれぞれに対応して形成され
る酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１は、厚膜回路基板３
内に形成される酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１と基本
的には同一の向きおよび同質のものであり、その両側辺
部を各電極対４１ａ，４１ｂ上に延在させて形成されて
いる。他の組の電極対（４２ａ，４２ｂ）〜（４４ａ，
４４ｂ）に対応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５２〜
５４も、これと同様である。
【００３２】なお、厚膜抵抗体７１および５１、７２お
よび５２、７３および５３、並びに７４および５４は、
それぞれ例えば、１０Ω／□、１００Ω／□、１ｋΩ／
□、１０ｋΩ／□用の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体用ペ
ーストを用いて形成した。
よび５２、７３および５３、並びに７４および５４は、
それぞれ例えば、１０Ω／□、１００Ω／□、１ｋΩ／
□、１０ｋΩ／□用の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体用ペ
ーストを用いて形成した。
【００３３】厚膜回路基板３内のセラミックス基板２上
には、図１および図３に示すように、これに形成された
各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４の両側辺部の
位置に、本実施例では説明を簡略化するために厚膜抵抗
体周辺のみを示した銅からなる厚膜導体パターン６が設
けられている。
には、図１および図３に示すように、これに形成された
各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４の両側辺部の
位置に、本実施例では説明を簡略化するために厚膜抵抗
体周辺のみを示した銅からなる厚膜導体パターン６が設
けられている。
【００３４】この厚膜回路基板３において、銅からなる
厚膜導体パターン６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
７１〜７４の両側辺部上に一部延在して形成されてい
る。さらに詳しくは、厚膜導体パターン６は、各酸化ル
テニウム系厚膜抵抗体７１〜７４の両側辺部に沿って該
両側辺部をそれぞれ被覆するようにして延在し、各酸化
ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４の側辺部上に延在す
る部分６ａと、該部分６ａの外側のセラミックス基板２
上に張り出した部分６ｂとを有している。
厚膜導体パターン６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
７１〜７４の両側辺部上に一部延在して形成されてい
る。さらに詳しくは、厚膜導体パターン６は、各酸化ル
テニウム系厚膜抵抗体７１〜７４の両側辺部に沿って該
両側辺部をそれぞれ被覆するようにして延在し、各酸化
ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４の側辺部上に延在す
る部分６ａと、該部分６ａの外側のセラミックス基板２
上に張り出した部分６ｂとを有している。
【００３５】また、厚膜回路基板製造用基板１の周辺部
のセラミックス基板２上には、図１および図２に示すよ
うに、これに形成された各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
５１〜５４の両側辺部の位置に、回路基板３内の厚膜導
体パターン６と同時に形成された銅からなる厚膜導体パ
ターン１６が設けられている。
のセラミックス基板２上には、図１および図２に示すよ
うに、これに形成された各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
５１〜５４の両側辺部の位置に、回路基板３内の厚膜導
体パターン６と同時に形成された銅からなる厚膜導体パ
ターン１６が設けられている。
【００３６】この厚膜導体パターン１６は、各酸化ルテ
ニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の両側辺部上の一部に部
分的に延在して形成されている。さらに詳しくは、厚膜
導体パターン１６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５
１〜５４の両側辺部に沿って該側辺部の一端部寄りの箇
所のみを被覆するようにして延在し、各酸化ルテニウム
系厚膜抵抗体５１〜５４の側辺部上に部分的に延在する
部分１６ａと、該部分１６ａの外側の前記各電極対４１
ａ，４１ｂ……４４ａ，４４ｂ上に張り出した部分１６
ｂとを有している。従って、各酸化ルテニウム系厚膜抵
抗体５１〜５４の両側辺部の他端部側の箇所は露出され
ている。
ニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の両側辺部上の一部に部
分的に延在して形成されている。さらに詳しくは、厚膜
導体パターン１６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５
１〜５４の両側辺部に沿って該側辺部の一端部寄りの箇
所のみを被覆するようにして延在し、各酸化ルテニウム
系厚膜抵抗体５１〜５４の側辺部上に部分的に延在する
部分１６ａと、該部分１６ａの外側の前記各電極対４１
ａ，４１ｂ……４４ａ，４４ｂ上に張り出した部分１６
ｂとを有している。従って、各酸化ルテニウム系厚膜抵
抗体５１〜５４の両側辺部の他端部側の箇所は露出され
ている。
【００３７】この場合、図２および図３に示すように、
厚膜導体パターン１６の各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
５１〜５４の側辺部上に存在する部分１６ａの幅ｗ
a は、その酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４に対
応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４の側辺部
を被覆する厚膜導体パターン６の該側辺部上に延在する
部分６ａの幅Ｗa と同一とされている。さらに、これと
同様に、厚膜導体パターン１６の各酸化ルテニウム系厚
膜抵抗体５１〜５４の側辺部上から張り出した部分１６
ｂの幅ｗb は、その酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜
５４に対応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４
の側辺部を被覆する厚膜導体パターン６の該側辺部上か
ら張り出した部分６ｂの幅Ｗb と同一とされている。
厚膜導体パターン１６の各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
５１〜５４の側辺部上に存在する部分１６ａの幅ｗ
a は、その酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４に対
応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４の側辺部
を被覆する厚膜導体パターン６の該側辺部上に延在する
部分６ａの幅Ｗa と同一とされている。さらに、これと
同様に、厚膜導体パターン１６の各酸化ルテニウム系厚
膜抵抗体５１〜５４の側辺部上から張り出した部分１６
ｂの幅ｗb は、その酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜
５４に対応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４
の側辺部を被覆する厚膜導体パターン６の該側辺部上か
ら張り出した部分６ｂの幅Ｗb と同一とされている。
【００３８】前記厚膜回路基板製造用基板１および厚膜
回路基板３は、次のようにして製造した。
回路基板３は、次のようにして製造した。
【００３９】まず、あらかじめ用意したセラミックス基
板２の周辺部上に銀−白金合金の導体ペーストをスクリ
ーン印刷により所定のパターンに印刷し、空気中、８５
０℃の温度で６０分間焼成し、これにより、前記電極対
４１ａ、４１ｂ……４４ａ，４４ｂを形成した。
板２の周辺部上に銀−白金合金の導体ペーストをスクリ
ーン印刷により所定のパターンに印刷し、空気中、８５
０℃の温度で６０分間焼成し、これにより、前記電極対
４１ａ、４１ｂ……４４ａ，４４ｂを形成した。
【００４０】次に、このように電極対４１ａ、４１ｂ…
…４４ａ，４４ｂを形成したセラミックス基板２におい
て、厚膜回路基板３内のセラミックス基板２上およびセ
ラミックス基板２の周辺部の一対の対角部に設けられた
電極対４１ａ，４１ｂ上に、１０Ω／□用の酸化ルテニ
ウム系厚膜抵抗体用ペーストを、該電極対４１ａおよび
４１ｂを目合わせマークとして用いてスクリーン印刷に
より同時に所定のパターンに印刷した。
…４４ａ，４４ｂを形成したセラミックス基板２におい
て、厚膜回路基板３内のセラミックス基板２上およびセ
ラミックス基板２の周辺部の一対の対角部に設けられた
電極対４１ａ，４１ｂ上に、１０Ω／□用の酸化ルテニ
ウム系厚膜抵抗体用ペーストを、該電極対４１ａおよび
４１ｂを目合わせマークとして用いてスクリーン印刷に
より同時に所定のパターンに印刷した。
【００４１】なお、このような目合わせマークとして
は、互いに略対角線上に配置された電極対（４１ａ，４
１ｂ）〜（４４ａ，４４ｂ）の、あらかじめ厚膜回路基
板３内のセラミックス基板２上の所定シート抵抗群と相
対的な位置関係が決められたいずれの組を使用してもよ
く、本実施例では例えば電極対４１ａ，４１ｂの組を使
用した。以下の製造工程においても同様である。
は、互いに略対角線上に配置された電極対（４１ａ，４
１ｂ）〜（４４ａ，４４ｂ）の、あらかじめ厚膜回路基
板３内のセラミックス基板２上の所定シート抵抗群と相
対的な位置関係が決められたいずれの組を使用してもよ
く、本実施例では例えば電極対４１ａ，４１ｂの組を使
用した。以下の製造工程においても同様である。
【００４２】その後、上記の場合と同様にして、厚膜回
路基板３内および周辺部の他の組の電極対（４２ａ，４
２ｂ）〜（４４ａ，４４ｂ）上に夫々１００Ω／□、１
ｋΩ／□、１０ｋΩ／□の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
ペーストを順次、スクリーン印刷により印刷した。その
後、空気中、８５０℃の温度で６０分間焼成し、これに
より、前記酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４、５
１〜５４を形成した。
路基板３内および周辺部の他の組の電極対（４２ａ，４
２ｂ）〜（４４ａ，４４ｂ）上に夫々１００Ω／□、１
ｋΩ／□、１０ｋΩ／□の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
ペーストを順次、スクリーン印刷により印刷した。その
後、空気中、８５０℃の温度で６０分間焼成し、これに
より、前記酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４、５
１〜５４を形成した。
【００４３】次に、厚膜回路基板３内の各酸化ルテニウ
ム系厚膜抵抗体７１〜７４の両側辺部上およびその周辺
のセラミックス基板２上、並びに周辺部の酸化ルテニウ
ム系厚膜抵抗体５１〜５４の両側辺部上およびその周辺
の電極対４１ａ、４１ｂ……４４ａ，４４ｂ上に銅の厚
膜ペーストを、前記電極対（４１ａ，４１ｂ）〜（４４
ａ，４４ｂ）を目合わせマークとしてスクリーン印刷に
より同時に所定のパターンに印刷し、窒素雰囲気中、６
００℃の温度で４５分間焼成した。これにより銅の厚膜
導体パターン６および１６を形成して、厚膜回路基板製
造用基板１を得た。この場合、前述したように、厚膜導
体パターン６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜
７４の両側辺部に沿って該両側辺部をそれぞれ被覆する
ようにして延在して形成され、また、厚膜導体パターン
１６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の両
側辺部上の一部に部分的に延在して形成される。さら
に、オーバーコートガラス印刷・焼成、レーザートリミ
ング等を実施し、厚膜回路基板が完成される。また、厚
膜回路基板製造用基板１を分割して４枚の厚膜回路基板
３を得る場合もある。
ム系厚膜抵抗体７１〜７４の両側辺部上およびその周辺
のセラミックス基板２上、並びに周辺部の酸化ルテニウ
ム系厚膜抵抗体５１〜５４の両側辺部上およびその周辺
の電極対４１ａ、４１ｂ……４４ａ，４４ｂ上に銅の厚
膜ペーストを、前記電極対（４１ａ，４１ｂ）〜（４４
ａ，４４ｂ）を目合わせマークとしてスクリーン印刷に
より同時に所定のパターンに印刷し、窒素雰囲気中、６
００℃の温度で４５分間焼成した。これにより銅の厚膜
導体パターン６および１６を形成して、厚膜回路基板製
造用基板１を得た。この場合、前述したように、厚膜導
体パターン６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜
７４の両側辺部に沿って該両側辺部をそれぞれ被覆する
ようにして延在して形成され、また、厚膜導体パターン
１６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の両
側辺部上の一部に部分的に延在して形成される。さら
に、オーバーコートガラス印刷・焼成、レーザートリミ
ング等を実施し、厚膜回路基板が完成される。また、厚
膜回路基板製造用基板１を分割して４枚の厚膜回路基板
３を得る場合もある。
【００４４】このようにして得られた厚膜回路基板製造
用基板１および厚膜回路基板３にあっては、厚膜導体パ
ターン６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４
の両側辺部をその全長にわたって被覆しているので、各
酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４と厚膜導体パタ
ーン６との接合範囲あるいは位置関係を確認することは
困難であるものの、本実施例においては、各酸化ルテニ
ウム系厚膜抵抗体７１〜７４および厚膜導体パターン６
に対応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４およ
び厚膜導体パターン１６を用いて、各酸化ルテニウム系
厚膜抵抗体７１〜７４および厚膜導体パターン６の位置
関係を確認することができる。
用基板１および厚膜回路基板３にあっては、厚膜導体パ
ターン６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４
の両側辺部をその全長にわたって被覆しているので、各
酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４と厚膜導体パタ
ーン６との接合範囲あるいは位置関係を確認することは
困難であるものの、本実施例においては、各酸化ルテニ
ウム系厚膜抵抗体７１〜７４および厚膜導体パターン６
に対応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４およ
び厚膜導体パターン１６を用いて、各酸化ルテニウム系
厚膜抵抗体７１〜７４および厚膜導体パターン６の位置
関係を確認することができる。
【００４５】すなわち、例えば、酸化ルテニウム系厚膜
抵抗体５１上に形成される厚膜導体パターン１６にあっ
ては、前述したように、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５
１の両側辺部に沿って該側辺部の一端部寄りの箇所のみ
を被覆して設けられ、該側辺部の他端部の箇所は外部に
露出しているので、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１の
側辺部上に部分的に延在する部分１６ａの幅ｗa と、該
部分１６ａの外側の前記電極対４１ａあるいは４１ｂ上
に張り出した部分１６ｂの幅ｗb との両者を容易に測定
することができる。
抵抗体５１上に形成される厚膜導体パターン１６にあっ
ては、前述したように、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５
１の両側辺部に沿って該側辺部の一端部寄りの箇所のみ
を被覆して設けられ、該側辺部の他端部の箇所は外部に
露出しているので、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１の
側辺部上に部分的に延在する部分１６ａの幅ｗa と、該
部分１６ａの外側の前記電極対４１ａあるいは４１ｂ上
に張り出した部分１６ｂの幅ｗb との両者を容易に測定
することができる。
【００４６】一方、前述したように、酸化ルテニウム系
厚膜抵抗体５１に対応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
７１上に形成される厚膜導体パターン６にあっては、そ
の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１の側辺部上に延在す
る部分６ａの幅Ｗa と、該部分６ａの外側のセラミック
ス基板２上に張り出した部分６ｂの幅Ｗb とが、それぞ
れ厚膜導体パターン１６の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
５１の側辺部上に延在する部分１６ａの幅ｗa と、その
外側に張り出した部分１６ｂの幅ｗb と同一となるよう
に形成されている。なお、このような形成は、前述のよ
うに、互いに対応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５
１，７１を同時に形成し、さらに、これらに対応する厚
膜導体パターン１６，６を同時に形成するようにするこ
とにより、容易に行うことができる。
厚膜抵抗体５１に対応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
７１上に形成される厚膜導体パターン６にあっては、そ
の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１の側辺部上に延在す
る部分６ａの幅Ｗa と、該部分６ａの外側のセラミック
ス基板２上に張り出した部分６ｂの幅Ｗb とが、それぞ
れ厚膜導体パターン１６の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
５１の側辺部上に延在する部分１６ａの幅ｗa と、その
外側に張り出した部分１６ｂの幅ｗb と同一となるよう
に形成されている。なお、このような形成は、前述のよ
うに、互いに対応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５
１，７１を同時に形成し、さらに、これらに対応する厚
膜導体パターン１６，６を同時に形成するようにするこ
とにより、容易に行うことができる。
【００４７】従って、厚膜導体パターン１６の前記部分
１６ａ，１６ｂの幅ｗa ，ｗb を測定すれば、厚膜導体
パターン６の前記部分６ａ，６ｂの幅Ｗa ，Ｗb を把握
することができ、これにより、酸化ルテニウム系厚膜抵
抗体７１とその両側辺部に位置する厚膜導体パターン６
との接合範囲、あるいは位置関係を確認することができ
る。なお、このような位置関係の確認に際しては、前記
一組の電極４１ａ，４１ｂ上にそれぞれ形成された酸化
ルテニウム系厚膜抵抗体５１，５１および厚膜導体パタ
ーン１６のいずれか一方の組を用いればよいが、両者を
用いた場合には、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１とそ
の両側辺部に位置する厚膜導体パターン６との位置関係
をより確実に確認することができる。
１６ａ，１６ｂの幅ｗa ，ｗb を測定すれば、厚膜導体
パターン６の前記部分６ａ，６ｂの幅Ｗa ，Ｗb を把握
することができ、これにより、酸化ルテニウム系厚膜抵
抗体７１とその両側辺部に位置する厚膜導体パターン６
との接合範囲、あるいは位置関係を確認することができ
る。なお、このような位置関係の確認に際しては、前記
一組の電極４１ａ，４１ｂ上にそれぞれ形成された酸化
ルテニウム系厚膜抵抗体５１，５１および厚膜導体パタ
ーン１６のいずれか一方の組を用いればよいが、両者を
用いた場合には、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１とそ
の両側辺部に位置する厚膜導体パターン６との位置関係
をより確実に確認することができる。
【００４８】これと同様にして、他の酸化ルテニウム系
厚膜抵抗体７２〜７４とその両側辺部に位置する厚膜導
体パターン６との位置関係についても、これらにそれぞ
れ対応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５２〜５４およ
びその両側辺部に位置する厚膜導体パターン１６を用い
て確認することができる。
厚膜抵抗体７２〜７４とその両側辺部に位置する厚膜導
体パターン６との位置関係についても、これらにそれぞ
れ対応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５２〜５４およ
びその両側辺部に位置する厚膜導体パターン１６を用い
て確認することができる。
【００４９】本実施例では、各酸化ルテニウム系厚膜抵
抗体７２〜７４とその両側辺部に位置する厚膜導体パタ
ーン６との位置関係の確認をより確実なものとするため
に、厚膜導体パターン１６の前記部分１６ａ，１６ｂの
両者の幅ｗa ，ｗb が厚膜導体パターン６の前記部分６
ａ，６ｂの幅Ｗa ，Ｗb に一致するように厚膜導体パタ
ーン１６を形成したが、必ずしも両者を一致させる必要
はなく、いずれか一方のみを一致させるようにしてもよ
い。これは、厚膜導体パターン６の全幅は、あらかじめ
所定の値に定まっているので、これに対応する厚膜導体
パターン１６の前記部分１６ａ，１６ｂのいずれか一方
の幅ｗa ，ｗb が判れば、これから厚膜導体パターン６
の前記部分６ａ，６ｂの幅Ｗa ，Ｗb を把握することが
できるからである。
抗体７２〜７４とその両側辺部に位置する厚膜導体パタ
ーン６との位置関係の確認をより確実なものとするため
に、厚膜導体パターン１６の前記部分１６ａ，１６ｂの
両者の幅ｗa ，ｗb が厚膜導体パターン６の前記部分６
ａ，６ｂの幅Ｗa ，Ｗb に一致するように厚膜導体パタ
ーン１６を形成したが、必ずしも両者を一致させる必要
はなく、いずれか一方のみを一致させるようにしてもよ
い。これは、厚膜導体パターン６の全幅は、あらかじめ
所定の値に定まっているので、これに対応する厚膜導体
パターン１６の前記部分１６ａ，１６ｂのいずれか一方
の幅ｗa ，ｗb が判れば、これから厚膜導体パターン６
の前記部分６ａ，６ｂの幅Ｗa ，Ｗb を把握することが
できるからである。
【００５０】なお、本実施例においては、予め電極対４
１ａ，４１ｂ……４４ａ，４４ｂを設けているから厚膜
回路基板３内の各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７
４に対応して、これと同時に形成される各酸化ルテニウ
ム系厚膜抵抗体５１〜５４は、前記電極対４１ａ，４１
ｂ……４４ａ，４４ｂ上に形成されることになる。従っ
て、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の抵抗値
をこれに対応する電極対４１ａ，４１ｂ……４４ａ，４
４ｂを介して測定すれば、銅からなる厚膜導電パターン
６を設ける前に、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜
７４の抵抗値を厚膜抵抗体７１〜７４の形成段階で先行
確認することも可能である。
１ａ，４１ｂ……４４ａ，４４ｂを設けているから厚膜
回路基板３内の各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７
４に対応して、これと同時に形成される各酸化ルテニウ
ム系厚膜抵抗体５１〜５４は、前記電極対４１ａ，４１
ｂ……４４ａ，４４ｂ上に形成されることになる。従っ
て、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の抵抗値
をこれに対応する電極対４１ａ，４１ｂ……４４ａ，４
４ｂを介して測定すれば、銅からなる厚膜導電パターン
６を設ける前に、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜
７４の抵抗値を厚膜抵抗体７１〜７４の形成段階で先行
確認することも可能である。
【００５１】本発明の第２の実施例の厚膜回路基板製造
用基板１１は、図４および図５に示すように、セラミッ
クス基板２の中央部に同一の配線パターンを有する厚膜
回路基板１２が４個形成されており、厚膜回路基板１２
が形成されていないセラミックス基板２上の周辺部に、
厚膜回路基板１２内に形成される銀−白金合金からなる
厚膜導体パターン１３と同時に形成された銀−白金合金
からなる４組の電極対（４１ａ，４１ｂ）〜（４４ａ，
４４ｂ）が前記第１の実施例と同様に設けられている。
各組の各電極対４１ａ，４１ｂ……４４ａ，４４ｂの間
には、厚膜回路基板１２内に形成された４個の酸化ルテ
ニウム系厚膜抵抗体７１〜７４とそれぞれ同時に同一の
厚膜抵抗体用ペーストを用いて各組毎に形成された酸化
ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４が設けられている。
この場合、厚膜抵抗体７１および５１、７２および５
２、７３および５３、並びに７４および５４は、それぞ
れ例えば、１０Ω／□、１００Ω／□、１ｋΩ／□、１
０ｋΩ／□用の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体用ペースト
を用いて同一形状に形成した。
用基板１１は、図４および図５に示すように、セラミッ
クス基板２の中央部に同一の配線パターンを有する厚膜
回路基板１２が４個形成されており、厚膜回路基板１２
が形成されていないセラミックス基板２上の周辺部に、
厚膜回路基板１２内に形成される銀−白金合金からなる
厚膜導体パターン１３と同時に形成された銀−白金合金
からなる４組の電極対（４１ａ，４１ｂ）〜（４４ａ，
４４ｂ）が前記第１の実施例と同様に設けられている。
各組の各電極対４１ａ，４１ｂ……４４ａ，４４ｂの間
には、厚膜回路基板１２内に形成された４個の酸化ルテ
ニウム系厚膜抵抗体７１〜７４とそれぞれ同時に同一の
厚膜抵抗体用ペーストを用いて各組毎に形成された酸化
ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４が設けられている。
この場合、厚膜抵抗体７１および５１、７２および５
２、７３および５３、並びに７４および５４は、それぞ
れ例えば、１０Ω／□、１００Ω／□、１ｋΩ／□、１
０ｋΩ／□用の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体用ペースト
を用いて同一形状に形成した。
【００５２】厚膜回路基板１２は、図４および図６に示
すように、セラミックス基板２上に設けられた銀−白金
合金からなる厚膜導体パターン１３上の一部に厚膜絶縁
層１４が形成され、厚膜絶縁層１４上に銅からなる厚膜
導体パターン６が設けられている。
すように、セラミックス基板２上に設けられた銀−白金
合金からなる厚膜導体パターン１３上の一部に厚膜絶縁
層１４が形成され、厚膜絶縁層１４上に銅からなる厚膜
導体パターン６が設けられている。
【００５３】この銅からなる厚膜導体パターン６は、前
記第１の実施例と同様に、厚膜回路基板１２のセラミッ
クス基板２上に形成された各酸化ルテニウム系厚膜抵抗
体７１〜７４の両側辺部に沿って該両側辺部をそれぞれ
被覆するようにして延在し、各酸化ルテニウム系厚膜抵
抗体７１〜７４の側辺部上に延在する部分６ａと、該部
分６ａの外側のセラミックス基板２上に張り出した部分
６ｂとを有している。
記第１の実施例と同様に、厚膜回路基板１２のセラミッ
クス基板２上に形成された各酸化ルテニウム系厚膜抵抗
体７１〜７４の両側辺部に沿って該両側辺部をそれぞれ
被覆するようにして延在し、各酸化ルテニウム系厚膜抵
抗体７１〜７４の側辺部上に延在する部分６ａと、該部
分６ａの外側のセラミックス基板２上に張り出した部分
６ｂとを有している。
【００５４】また、厚膜回路基板製造用基板１１の周辺
部のセラミックス基板２上には、図４および図５に示す
ように、これに形成された各酸化ルテニウム系厚膜抵抗
体５１〜５４の両側辺部の位置に、前記各酸化ルテニウ
ム系厚膜抵抗体７１〜７４に対応する厚膜導体パターン
６と同時に形成された銅からなる厚膜導体パターン１６
が設けられている。
部のセラミックス基板２上には、図４および図５に示す
ように、これに形成された各酸化ルテニウム系厚膜抵抗
体５１〜５４の両側辺部の位置に、前記各酸化ルテニウ
ム系厚膜抵抗体７１〜７４に対応する厚膜導体パターン
６と同時に形成された銅からなる厚膜導体パターン１６
が設けられている。
【００５５】この厚膜導体パターン１６は、前記第１の
実施例と同様に、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜
５４の両側辺部に沿って該側辺部の一端部寄りの箇所の
みを被覆するようにして延在し、各酸化ルテニウム系厚
膜抵抗体５１〜５４の側辺部上に部分的に延在する部分
１６ａと、該部分１６ａの外側の前記各電極対４１ａ，
４１ｂ……４４ａ，４４ｂ上に張り出した部分１６ｂと
を有している。そして、図５および図６に示すように、
厚膜導体パターン１６の各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
５１〜５４の側辺部上に存在する部分１６ａの幅ｗ
a は、その酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４に対
応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４に側辺部
を被覆する厚膜導体パターン６の該側辺部上に延在する
部分６ａの幅Ｗa と同一とされ、さらに、厚膜導体パタ
ーン１６の各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の
側辺部上から張り出した部分１６ｂの幅ｗb は、その酸
化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４に対応する酸化ル
テニウム系厚膜抵抗体７１〜７４に側辺部を被覆する厚
膜導体パターン６の該側辺部上から張り出した部分６ｂ
の幅Ｗb と同一とされている。
実施例と同様に、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜
５４の両側辺部に沿って該側辺部の一端部寄りの箇所の
みを被覆するようにして延在し、各酸化ルテニウム系厚
膜抵抗体５１〜５４の側辺部上に部分的に延在する部分
１６ａと、該部分１６ａの外側の前記各電極対４１ａ，
４１ｂ……４４ａ，４４ｂ上に張り出した部分１６ｂと
を有している。そして、図５および図６に示すように、
厚膜導体パターン１６の各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
５１〜５４の側辺部上に存在する部分１６ａの幅ｗ
a は、その酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４に対
応する酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４に側辺部
を被覆する厚膜導体パターン６の該側辺部上に延在する
部分６ａの幅Ｗa と同一とされ、さらに、厚膜導体パタ
ーン１６の各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の
側辺部上から張り出した部分１６ｂの幅ｗb は、その酸
化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４に対応する酸化ル
テニウム系厚膜抵抗体７１〜７４に側辺部を被覆する厚
膜導体パターン６の該側辺部上から張り出した部分６ｂ
の幅Ｗb と同一とされている。
【００５６】前記厚膜回路基板製造用基板１１および厚
膜回路基板１２は、次のようにして製造した。
膜回路基板１２は、次のようにして製造した。
【００５７】まず、セラミックス基板２上に銀−白金合
金の導体ペーストをスクリーン印刷により所定のパター
ンに印刷し、空気中、８５０℃の温度で６０分間焼成し
て、電極対４１ａ，４１ｂ……４４ａ，４４ｂおよび銀
−白金合金からなる厚膜導体パターン１３を形成した。
次に、銀−白金合金からなる厚膜導体パターン１３上に
絶縁ガラスをスクリーン印刷により所定のパターンに印
刷し、空気中、８５０℃の温度で焼成して、厚膜絶縁層
１４を形成した。なお、絶縁ガラスの印刷、焼成は３回
繰り返して行い焼成後の膜厚が４０〜５０μｍとなるよ
うにした。
金の導体ペーストをスクリーン印刷により所定のパター
ンに印刷し、空気中、８５０℃の温度で６０分間焼成し
て、電極対４１ａ，４１ｂ……４４ａ，４４ｂおよび銀
−白金合金からなる厚膜導体パターン１３を形成した。
次に、銀−白金合金からなる厚膜導体パターン１３上に
絶縁ガラスをスクリーン印刷により所定のパターンに印
刷し、空気中、８５０℃の温度で焼成して、厚膜絶縁層
１４を形成した。なお、絶縁ガラスの印刷、焼成は３回
繰り返して行い焼成後の膜厚が４０〜５０μｍとなるよ
うにした。
【００５８】次に、セラミックス基板２の厚膜回路基板
１２内および周辺部の一対の対角部に設けられた電極対
４１ａ，４１ｂ上に、１０Ω／□用の酸化ルテニウム系
厚膜抵抗体用ペーストを、例えば、該電極対４１ａおよ
び４１ｂを目合わせマークとして用いてスクリーン印刷
により同時に所定のパターンに印刷した。
１２内および周辺部の一対の対角部に設けられた電極対
４１ａ，４１ｂ上に、１０Ω／□用の酸化ルテニウム系
厚膜抵抗体用ペーストを、例えば、該電極対４１ａおよ
び４１ｂを目合わせマークとして用いてスクリーン印刷
により同時に所定のパターンに印刷した。
【００５９】その後、上記の場合と同様にして、厚膜回
路基板１２内および周辺部の他の組の電極対（４２ａ，
４２ｂ）〜（４４ａ，４４ｂ）上に夫々１００Ω／□、
１ｋΩ／□、１０ｋΩ／□の酸化ルテニウム系厚膜抵抗
体ペーストを順次、前記電極対４１ａおよび４１ｂを目
合わせマークとして用いてスクリーン印刷により印刷し
た。その後、空気中、８５０℃の温度で６０分間焼成
し、これにより、前記酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１
〜７４、５１〜５４を形成した。
路基板１２内および周辺部の他の組の電極対（４２ａ，
４２ｂ）〜（４４ａ，４４ｂ）上に夫々１００Ω／□、
１ｋΩ／□、１０ｋΩ／□の酸化ルテニウム系厚膜抵抗
体ペーストを順次、前記電極対４１ａおよび４１ｂを目
合わせマークとして用いてスクリーン印刷により印刷し
た。その後、空気中、８５０℃の温度で６０分間焼成
し、これにより、前記酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１
〜７４、５１〜５４を形成した。
【００６０】次に、厚膜回路基板１２内の各酸化ルテニ
ウム系厚膜抵抗体７１〜７４の両側辺部およびその周辺
のセラミックス基板２上、並びに周辺部の酸化ルテニウ
ム系厚膜抵抗体５１〜５４の両側辺部およびその周辺の
電極対４１ａ、４１ｂ……４４ａ，４４ｂ上に銅の厚膜
ペーストを、前記電極対（４１ａ、４１ｂ）〜（４４
ａ、４４ｂ）を目合わせマークとしてスクリーン印刷に
より同時に所定のパターンに印刷し、窒素雰囲気中、６
００℃の温度で４５分間焼成した。これにより銅の厚膜
導体パターン６および１６を形成して、厚膜回路基板製
造用基板１１を得た。この場合、前述したように、厚膜
導体パターン６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１
〜７４の両側辺部に沿って該両側辺部をそれぞれ被覆す
るようにして延在して形成され、また、厚膜導体パター
ン１６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の
両側辺部上の一部に部分的に延在して形成される。さら
に、第１の実施例と同様にオーバーコートガラスの印刷
・焼成、レーザートリミング等を実施し、厚膜回路基板
が完成される。また、厚膜回路基板製造用基板１１を分
割して４枚の厚膜回路基板１２を得る場合もある。
ウム系厚膜抵抗体７１〜７４の両側辺部およびその周辺
のセラミックス基板２上、並びに周辺部の酸化ルテニウ
ム系厚膜抵抗体５１〜５４の両側辺部およびその周辺の
電極対４１ａ、４１ｂ……４４ａ，４４ｂ上に銅の厚膜
ペーストを、前記電極対（４１ａ、４１ｂ）〜（４４
ａ、４４ｂ）を目合わせマークとしてスクリーン印刷に
より同時に所定のパターンに印刷し、窒素雰囲気中、６
００℃の温度で４５分間焼成した。これにより銅の厚膜
導体パターン６および１６を形成して、厚膜回路基板製
造用基板１１を得た。この場合、前述したように、厚膜
導体パターン６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１
〜７４の両側辺部に沿って該両側辺部をそれぞれ被覆す
るようにして延在して形成され、また、厚膜導体パター
ン１６は、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の
両側辺部上の一部に部分的に延在して形成される。さら
に、第１の実施例と同様にオーバーコートガラスの印刷
・焼成、レーザートリミング等を実施し、厚膜回路基板
が完成される。また、厚膜回路基板製造用基板１１を分
割して４枚の厚膜回路基板１２を得る場合もある。
【００６１】このようにして得られた厚膜回路基板製造
用基板１１および厚膜回路基板１２にあっては、前記第
１の実施例と全く同様にして、各酸化ルテニウム系厚膜
抵抗体７１〜７４および厚膜導体パターン６に対応する
酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４および厚膜導体
パターン１６を用いて、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
７１〜７４および厚膜導体パターン６の位置関係を確認
することができる。すなわち、各酸化ルテニウム系厚膜
抵抗体７１〜７４および厚膜導体パターン６の位置関係
を確認する際には、そのそれぞれに対応する厚膜導体パ
ターン１６の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の
側辺部上に延在する部分１６ａの幅ｗa およびその外側
に張り出した部分１６ｂの幅ｗb の両者、あるいはいず
れか一方を測定すれば、これから、厚膜導体パターン６
の各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４の側辺部上
に延在する部分６ａの幅Ｗa およびその外側に張り出し
た部分１６ｂの幅Ｗb を把握することができ、これによ
り、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４および厚
膜導体パターン６の位置関係を確認することができる。
用基板１１および厚膜回路基板１２にあっては、前記第
１の実施例と全く同様にして、各酸化ルテニウム系厚膜
抵抗体７１〜７４および厚膜導体パターン６に対応する
酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４および厚膜導体
パターン１６を用いて、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
７１〜７４および厚膜導体パターン６の位置関係を確認
することができる。すなわち、各酸化ルテニウム系厚膜
抵抗体７１〜７４および厚膜導体パターン６の位置関係
を確認する際には、そのそれぞれに対応する厚膜導体パ
ターン１６の酸化ルテニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の
側辺部上に延在する部分１６ａの幅ｗa およびその外側
に張り出した部分１６ｂの幅ｗb の両者、あるいはいず
れか一方を測定すれば、これから、厚膜導体パターン６
の各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４の側辺部上
に延在する部分６ａの幅Ｗa およびその外側に張り出し
た部分１６ｂの幅Ｗb を把握することができ、これによ
り、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４および厚
膜導体パターン６の位置関係を確認することができる。
【００６２】なお、この第２の実施例においても、前記
第１の実施例と同様に、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７
１〜７４および５１〜５４の形成段階において、酸化ル
テニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の抵抗値をこれに対応
する電極対４１ａ、４１ｂ……４４ａ，４４ｂを介して
測定すれば、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４
の抵抗値を先行確認することが可能である。
第１の実施例と同様に、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７
１〜７４および５１〜５４の形成段階において、酸化ル
テニウム系厚膜抵抗体５１〜５４の抵抗値をこれに対応
する電極対４１ａ、４１ｂ……４４ａ，４４ｂを介して
測定すれば、各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７１〜７４
の抵抗値を先行確認することが可能である。
【００６３】以上説明した各実施例においては、位置確
認用の厚膜導体パターン１６を、図１および図４に示し
たように、位置確認用の各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
５１〜５４の対角線上に配置するようにしたが、このよ
うな配置パターンに限らず、図７に示すように、種々の
配置パターンが挙げられる。図７に示すいずれの配置パ
ターンとしても、厚膜導体パターン１６の酸化ルテニウ
ム系厚膜抵抗体５１〜５４上に存在する部分の幅とその
外側に張り出した部分の幅とを容易に測定することがで
きることは明らかである。
認用の厚膜導体パターン１６を、図１および図４に示し
たように、位置確認用の各酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
５１〜５４の対角線上に配置するようにしたが、このよ
うな配置パターンに限らず、図７に示すように、種々の
配置パターンが挙げられる。図７に示すいずれの配置パ
ターンとしても、厚膜導体パターン１６の酸化ルテニウ
ム系厚膜抵抗体５１〜５４上に存在する部分の幅とその
外側に張り出した部分の幅とを容易に測定することがで
きることは明らかである。
【００６４】また、以上説明した各実施例においては、
電極対４１ａ，４１ｂ……４４ａ，４４ｂ、酸化ルテニ
ウム系厚膜抵抗体５１〜５４、および銅の厚膜導体パタ
ーン１６をセラミックス基板２上の周辺部に形成した
が、厚膜回路基板３，１２内にこれらを設ける余地があ
るときは厚膜回路基板３，１２内に設けてもよいことは
もちろんである。
電極対４１ａ，４１ｂ……４４ａ，４４ｂ、酸化ルテニ
ウム系厚膜抵抗体５１〜５４、および銅の厚膜導体パタ
ーン１６をセラミックス基板２上の周辺部に形成した
が、厚膜回路基板３，１２内にこれらを設ける余地があ
るときは厚膜回路基板３，１２内に設けてもよいことは
もちろんである。
【００６５】
【発明の効果】本発明において、厚膜回路基板内の第１
の膜状回路素子と第１の導体パターンとの位置関係を確
認するための第２の膜状回路素子および第２の導体パタ
ーンを設けることにより、この第２の膜状回路素子およ
び第２の導体パターンの位置関係を確認すれば、第１の
膜状回路素子と第１の導体パターンとの位置関係を容易
に確認することができる。
の膜状回路素子と第１の導体パターンとの位置関係を確
認するための第２の膜状回路素子および第２の導体パタ
ーンを設けることにより、この第２の膜状回路素子およ
び第２の導体パターンの位置関係を確認すれば、第１の
膜状回路素子と第１の導体パターンとの位置関係を容易
に確認することができる。
【００６６】そして、このような位置確認用の第２の膜
状回路素子および第２の導体パターンは、それぞれ第１
の膜状回路素子および第１の導体パターンと同時に設け
ておけば、該第２の膜状回路素子および第２の導体パタ
ーンの位置関係を、第１の膜状回路素子および第１の導
体パターンの位置関係と精度よく対応させることがで
き、第１の膜状回路素子と第１の導体パターンとの位置
関係を精度よく確認することができる。
状回路素子および第２の導体パターンは、それぞれ第１
の膜状回路素子および第１の導体パターンと同時に設け
ておけば、該第２の膜状回路素子および第２の導体パタ
ーンの位置関係を、第１の膜状回路素子および第１の導
体パターンの位置関係と精度よく対応させることがで
き、第１の膜状回路素子と第１の導体パターンとの位置
関係を精度よく確認することができる。
【００６７】また、特に、第１の導体パターンが前記第
１の膜状回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して
設けられるような場合には、位置確認用の第２の導体パ
ターンを、第１の導体パターンの第１の膜状回路素子上
に延在する部分の幅に対応する幅で位置確認用の第２の
膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分を備え
て設け、あるいは、第１の導体パターンの第１の膜状回
路素子の外側に延在する部分の幅に対応する幅で位置確
認用の第２の膜状回路素子の側辺部の外側に部分的に張
り出した部分を備えて設けておけば、位置確認用の第２
の導体パターンの第２の膜状回路素子の側辺部上に存在
する部分、あるいは、その外側に張り出した部分を容易
に測定することができ、これにより、第１の膜状回路素
子と第１の導体パターンとの位置関係を容易に確認する
ことができる。
１の膜状回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して
設けられるような場合には、位置確認用の第２の導体パ
ターンを、第１の導体パターンの第１の膜状回路素子上
に延在する部分の幅に対応する幅で位置確認用の第２の
膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在する部分を備え
て設け、あるいは、第１の導体パターンの第１の膜状回
路素子の外側に延在する部分の幅に対応する幅で位置確
認用の第２の膜状回路素子の側辺部の外側に部分的に張
り出した部分を備えて設けておけば、位置確認用の第２
の導体パターンの第２の膜状回路素子の側辺部上に存在
する部分、あるいは、その外側に張り出した部分を容易
に測定することができ、これにより、第１の膜状回路素
子と第１の導体パターンとの位置関係を容易に確認する
ことができる。
【００６８】そして、このとき、第１の導体パターンに
対応して、第２の導体パターンの第２の膜状回路素子の
側辺部上に部分的に存在する部分およびその外側に張り
出した部分の両者を設けておけば、第１の膜状回路素子
と第１の導体パターンとの位置関係をより確実に確認す
ることができる。
対応して、第２の導体パターンの第２の膜状回路素子の
側辺部上に部分的に存在する部分およびその外側に張り
出した部分の両者を設けておけば、第１の膜状回路素子
と第１の導体パターンとの位置関係をより確実に確認す
ることができる。
【図１】本発明に係わる厚膜回路基板製造用基板の一実
施例の構成を示す平面模式図。
施例の構成を示す平面模式図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図。
【図４】本発明に係わる厚膜回路基板製造用基板の他の
実施例の構成を示す平面模式図。
実施例の構成を示す平面模式図。
【図５】図４のＶ−Ｖ線断面図。
【図６】図４のＶＩ−ＶＩ線断面図。
【図７】図７は位置確認用の厚膜導体パターンの配置パ
ターン例を示す図。
ターン例を示す図。
１、１１…厚膜回路基板製造用基板、 ２…セラミック
ス基板、３、１２…厚膜回路基板、 ６、１６…銅から
なる厚膜導体パターン、５１〜５４、７１〜７４…厚膜
抵抗体。
ス基板、３、１２…厚膜回路基板、 ６、１６…銅から
なる厚膜導体パターン、５１〜５４、７１〜７４…厚膜
抵抗体。
Claims (17)
- 【請求項１】基板上に設けられた第１の膜状回路素子
と、該第１の膜状回路素子上に一部延在して前記基板上
に設けられた不活性または還元雰囲気中で焼成する金属
からなる第１の導体パターンとを有する厚膜回路基板、
が形成されている厚膜回路基板製造用基板において、前
記厚膜回路基板が形成されていない部分の前記厚膜回路
基板製造用基板上に、前記第１の膜状回路素子と前記第
１の導体パターンとの位置関係を確認するための第２の
膜状回路素子と不活性または還元雰囲気中で焼成する金
属からなる第２の導体パターンとが設けられていること
を特徴とする厚膜回路基板製造用基板。 - 【請求項２】請求項１記載の厚膜回路基板製造用基板に
おいて、前記第１および第２の膜状回路素子が前記厚膜
回路基板製造用基板に同時に設けられたものであると共
に、前記第１および第２の導体パターンが前記厚膜回路
基板製造用基板に同時に設けられたものであることを特
徴とする厚膜回路基板製造用基板。 - 【請求項３】請求項１または２記載の厚膜回路基板製造
用基板において、前記第１の導体パターンが前記第１の
膜状回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設け
られ、前記第２の導体パターンは、前記第１の導体パタ
ーンの前記第１の膜状回路素子上に延在する部分の幅に
対応する幅で前記第２の膜状回路素子の側辺部上に部分
的に存在する部分を備えて設けられていることを特徴と
する厚膜回路基板製造用基板。 - 【請求項４】請求項１または２記載の厚膜回路基板製造
用基板において、前記第１の導体パターンが前記第１の
膜状回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設け
られ、前記第２の導体パターンは、前記第１の導体パタ
ーンの前記第１の膜状回路素子の外側に延在する部分の
幅に対応する幅で前記第２の膜状回路素子の側辺部の外
側に部分的に張り出した部分を備えて設けられているこ
とを特徴とする厚膜回路基板製造用基板。 - 【請求項５】請求項１または２記載の厚膜回路基板製造
用基板において、前記第１の導体パターンが前記第１の
膜状回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設け
られ、前記第２の導体パターンは、前記第１の導体パタ
ーンの前記第１の膜状回路素子上に延在する部分の幅に
対応する幅で前記第２の膜状回路素子の側辺部上に部分
的に存在する部分と、前記第１の導体パターンの前記第
１の膜状回路素子の外側に延在する部分の幅に対応する
幅で前記第２の膜状回路素子の側辺部の外側に部分的に
張り出した部分とを備えて設けられていることを特徴と
する厚膜回路基板製造用基板。 - 【請求項６】請求項１乃至５のいずれかに記載の厚膜回
路基板製造用基板において、前記不活性または還元雰囲
気中で焼成する金属はＣｕであることを特徴とする厚膜
回路基板製造用基板。 - 【請求項７】請求項１乃至６のいずれかに記載の厚膜回
路基板製造用基板において、前記第１および第２の膜状
回路素子は、厚膜抵抗体であることを特徴とする厚膜回
路基板製造用基板。 - 【請求項８】基板上に設けられた第１の膜状回路素子
と、該第１の膜状回路素子上に一部延在して前記基板上
に設けられた不活性または還元雰囲気中で焼成する金属
からなる第１の導体パターンとを有する厚膜回路基板の
製造方法において、前記厚膜回路基板が形成される厚膜
回路基板製造用基板の前記厚膜回路基板が形成されない
部分上に、前記第１の膜状回路素子と同時に第２の膜状
回路素子を設ける工程と、前記第１の導体パターンと同
時に前記第２の膜状回路素子上に一部延在する不活性ま
たは還元雰囲気中で焼成する金属からなる第２の導体パ
ターンを設ける工程とを有することを特徴とする厚膜回
路基板の製造方法。 - 【請求項９】請求項８記載の厚膜回路基板の製造方法に
おいて、前記第１の導体パターンを前記第１の膜状回路
素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設け、前記第
２の導体パターンを、前記第１の導体パターンの前記第
１の膜状回路素子上に延在する部分の幅に対応する幅で
前記第２の膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在する
部分を備えて設けたことを特徴とする厚膜回路基板の製
造方法。 - 【請求項１０】請求項８記載の厚膜回路基板の製造方法
において、前記第１の導体パターンを前記第１の膜状回
路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設け、前記
第２の導体パターンを、前記第１の導体パターンの前記
第１の膜状回路素子の外側に延在する部分の幅に対応す
る幅で前記第２の膜状回路素子の側辺部の外側に部分的
に張り出した部分を備えて設けたことを特徴とする厚膜
回路基板の製造方法。 - 【請求項１１】請求項８記載の厚膜回路基板の製造方法
において、前記第１の導体パターンを前記第１の膜状回
路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設け、前記
第２の導体パターンを、前記第１の導体パターンの前記
第１の膜状回路素子上に延在する部分の幅に対応する幅
で前記第２の膜状回路素子の側辺部上に部分的に存在す
る部分と、前記第１の導体パターンの前記第１の膜状回
路素子の外側に延在する部分の幅に対応する幅で前記第
２の膜状回路素子の側辺部の外側に部分的に張り出した
部分とを備えて設けたことを特徴とする厚膜回路基板の
製造方法。 - 【請求項１２】請求項８乃至１１のいずれかに記載の厚
膜回路基板の製造方法において、前記第１および第２の
膜状回路素子は、厚膜抵抗体であることを特徴とする厚
膜回路基板の製造方法。 - 【請求項１３】基板上に設けられた第１の膜状回路素子
と、該第１の膜状回路素子上に一部延在して前記基板上
に設けられた不活性または還元雰囲気中で焼成する金属
からなる第１の導体パターンと、前記第１の膜状回路素
子と前記第１の導体パターンとの位置関係を確認するた
めの第２の膜状回路素子と不活性または還元雰囲気中で
焼成する金属からなる第２の導体パターンと、を有する
ことを特徴とする厚膜回路基板。 - 【請求項１４】請求項１３記載の厚膜回路基板におい
て、前記第１および第２の膜状回路素子が前記基板に同
時に設けられたものであると共に、前記第１および第２
の導体パターンが前記基板に同時に設けられたものであ
ることを特徴とする厚膜回路基板。 - 【請求項１５】請求項１３または１４記載の厚膜回路基
板において、前記第１の導体パターンが前記第１の膜状
回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設けら
れ、前記第２の導体パターンは、前記第１の導体パター
ンの前記第１の膜状回路素子上に延在する部分の幅に対
応する幅で前記第２の膜状回路素子の側辺部上に部分的
に存在する部分を備えて設けられていることを特徴とす
る厚膜回路基板。 - 【請求項１６】請求項１３または１４記載の厚膜回路基
板において、前記第１の導体パターンが前記第１の膜状
回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設けら
れ、前記第２の導体パターンは、前記第１の導体パター
ンの前記第１の膜状回路素子の外側に延在する部分の幅
に対応する幅で前記第２の膜状回路素子の側辺部の外側
に部分的に張り出した部分を備えて設けられていること
を特徴とする厚膜回路基板。 - 【請求項１７】請求項１３または１４記載の厚膜回路基
板において、前記第１の導体パターンが前記第１の膜状
回路素子の側辺部に沿って該側辺部を被覆して設けら
れ、前記第２の導体パターンは、前記第１の導体パター
ンの前記第１の膜状回路素子上に延在する部分の幅に対
応する幅で前記第２の膜状回路素子の側辺部上に部分的
に存在する部分と、前記第１の導体パターンの前記第１
の膜状回路素子の外側に延在する部分の幅に対応する幅
で前記第２の膜状回路素子の側辺部の外側に部分的に張
り出した部分とを備えて設けられていることを特徴とす
る厚膜回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6575992A JPH05267813A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 厚膜回路基板、その製造方法および厚膜回路基板製造用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6575992A JPH05267813A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 厚膜回路基板、その製造方法および厚膜回路基板製造用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267813A true JPH05267813A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13296283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6575992A Pending JPH05267813A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 厚膜回路基板、その製造方法および厚膜回路基板製造用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267813A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0909117A2 (en) * | 1997-10-08 | 1999-04-14 | Delco Electronics Corporation | Method of making thick film circuits |
-
1992
- 1992-03-24 JP JP6575992A patent/JPH05267813A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0909117A2 (en) * | 1997-10-08 | 1999-04-14 | Delco Electronics Corporation | Method of making thick film circuits |
| EP0909117A3 (en) * | 1997-10-08 | 2000-09-06 | Delco Electronics Corporation | Method of making thick film circuits |
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