JPH081987B2 - 配線板の製造法 - Google Patents
配線板の製造法Info
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- JPH081987B2 JPH081987B2 JP24712787A JP24712787A JPH081987B2 JP H081987 B2 JPH081987 B2 JP H081987B2 JP 24712787 A JP24712787 A JP 24712787A JP 24712787 A JP24712787 A JP 24712787A JP H081987 B2 JPH081987 B2 JP H081987B2
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- glass
- wiring board
- metal
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は配線板，特にチップオンボード化に適した高
密度配線板の製造法に関する。
密度配線板の製造法に関する。
LSIチップの高集積化，高速化に伴ない配線板にも高
密度配線や低誘電率化等の要求が強く現われている。特
に最近ではチップ〜チップ間の配線長を短縮する目的で
裸のチップを直接基板に搭載するチップオンボード化が
望まれている。安価で，量産性の高いプラスチックス製
でのチップオンボード化に適した配線板の製造法として
は,SUS板等の保持基板上に銅層を設け，その上に配線導
体とポリイミド等の耐熱樹脂よりなる多層配線を形成し
た後，保持基板を剥離して得られる多層配線基板と他の
一般の積層板を基板した配線板基板とを積層一体化した
後，必要な回路形成加工を行う方法がある。
密度配線や低誘電率化等の要求が強く現われている。特
に最近ではチップ〜チップ間の配線長を短縮する目的で
裸のチップを直接基板に搭載するチップオンボード化が
望まれている。安価で，量産性の高いプラスチックス製
でのチップオンボード化に適した配線板の製造法として
は,SUS板等の保持基板上に銅層を設け，その上に配線導
体とポリイミド等の耐熱樹脂よりなる多層配線を形成し
た後，保持基板を剥離して得られる多層配線基板と他の
一般の積層板を基板した配線板基板とを積層一体化した
後，必要な回路形成加工を行う方法がある。
この方法によれば，真空蒸着やスパッタで必要となる
真空下（減圧下）において材料（積層板）からの放出ガ
スがないため，配線導体を容易に形成でき，高密度な配
線板が製造できる。
真空下（減圧下）において材料（積層板）からの放出ガ
スがないため，配線導体を容易に形成でき，高密度な配
線板が製造できる。
しかし，この配線板の製造法において，次の問題点が
ある。保持基板にSUS板を使用し，この表面に銅層を設
け，この上に必要な配線を成形し，ポリイミド樹脂を塗
布，硬化する工程において，ポリイミド樹脂の硬化温度
が通常300〜400℃であるため,SUS板上の銅がポリイミド
硬化時に熱拡散し,SUS板と銅の密着力が高くなる。この
ため多層配線形成後,SUS板と銅層界面を容易に分離でき
ないことがあった。
ある。保持基板にSUS板を使用し，この表面に銅層を設
け，この上に必要な配線を成形し，ポリイミド樹脂を塗
布，硬化する工程において，ポリイミド樹脂の硬化温度
が通常300〜400℃であるため,SUS板上の銅がポリイミド
硬化時に熱拡散し,SUS板と銅の密着力が高くなる。この
ため多層配線形成後,SUS板と銅層界面を容易に分離でき
ないことがあった。
本発明は，保持基板上に銅層を設け，その上に配線導
体とポリイミド等の耐熱樹脂よりなる多層配線を形成し
た後，容易に保持基板を剥離することができる配線板の
製造法を提供するものである。
体とポリイミド等の耐熱樹脂よりなる多層配線を形成し
た後，容易に保持基板を剥離することができる配線板の
製造法を提供するものである。
本発明は，少なくとも表面がガラス質である保持基板
上に銅層を設け，その上に配線導体とポリイミド等の絶
縁樹脂より成る多層配線を形成した後，保持基板を剥離
して得られる多層配線基板と他の配線基板とを積層一体
化した後，必要な回路形成加工を行うものである。
上に銅層を設け，その上に配線導体とポリイミド等の絶
縁樹脂より成る多層配線を形成した後，保持基板を剥離
して得られる多層配線基板と他の配線基板とを積層一体
化した後，必要な回路形成加工を行うものである。
少なくとも表面ガラス質である保持基板としては，ガ
ラス基板，ガラス質を表面に形成した基板がある。
ラス基板，ガラス質を表面に形成した基板がある。
ガラス基板としてはソーダ石灰ガラス，鉛アルカリガ
ラス，硼珪酸ガラス，バリウム硼珪酸ガラス，アルミノ
珪酸ガラス,96％珪酸ガラス，石英ガラス等が使用でき
る。
ラス，硼珪酸ガラス，バリウム硼珪酸ガラス，アルミノ
珪酸ガラス,96％珪酸ガラス，石英ガラス等が使用でき
る。
ガラス質を表面に形成した基板としては，鉄，鉄合
金，アルミニウム，アルミニウム合金，銅，銅合金，ニ
ッケル，ニッケル合金，クロム，クロム合金，セラミッ
クス等の基板表面に，ソーダ石灰ガラス，鉛アルカリガ
ラス，硼酸珪酸ガラス，バリウム珪酸ガラス，アルミナ
珪酸ガラス,96％珪酸ガラス，石英ガラスをコーティン
グしたものが使用できる。
金，アルミニウム，アルミニウム合金，銅，銅合金，ニ
ッケル，ニッケル合金，クロム，クロム合金，セラミッ
クス等の基板表面に，ソーダ石灰ガラス，鉛アルカリガ
ラス，硼酸珪酸ガラス，バリウム珪酸ガラス，アルミナ
珪酸ガラス,96％珪酸ガラス，石英ガラスをコーティン
グしたものが使用できる。
保持基板の外周部にガラス質と密着性の高い金属層を
形成する方法として，外周部が開口しているメタルマス
クを保持基板と接触する様に配置し，真空抵抗加熱蒸着
法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法等で，所望部分に，
ガラス質と密着性の高い金属を堆積する方法がある。ま
た保持基板表面にガラス質と密着性の高い金属を，無電
解めっき法，真空抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法ス
パッタ法等で堆積した後，レジスト層を全面に形成し、
露光，現像することにより，外周部のみにレジスト層を
残す。その後ガラス質と密着性の高い金属を溶解するエ
ッチング液で，不要部分のガラス質と密着性の高い金属
を取り除き，レジストを剥離する方法を用いてもよい。
形成する方法として，外周部が開口しているメタルマス
クを保持基板と接触する様に配置し，真空抵抗加熱蒸着
法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法等で，所望部分に，
ガラス質と密着性の高い金属を堆積する方法がある。ま
た保持基板表面にガラス質と密着性の高い金属を，無電
解めっき法，真空抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法ス
パッタ法等で堆積した後，レジスト層を全面に形成し、
露光，現像することにより，外周部のみにレジスト層を
残す。その後ガラス質と密着性の高い金属を溶解するエ
ッチング液で，不要部分のガラス質と密着性の高い金属
を取り除き，レジストを剥離する方法を用いてもよい。
ガラスと密着性の高い金属としては，タングステン，
アルミニウム，マンガン，クロム，鉄，マグネシウム，
チタン，モリブデン，ニッケル，銀のいずれかまたはこ
れらの化合物が使用される。
アルミニウム，マンガン，クロム，鉄，マグネシウム，
チタン，モリブデン，ニッケル，銀のいずれかまたはこ
れらの化合物が使用される。
以下図面に基いて本発明の一実施例について説明す
る。
る。
第１図において，ガラス基板１の最終的に製品となら
ない基板端部に所望部分が開口しているメタルマスクを
用いて，真空抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法，スパ
ッタ法等で，クロム２を堆積する。
ない基板端部に所望部分が開口しているメタルマスクを
用いて，真空抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法，スパ
ッタ法等で，クロム２を堆積する。
次にガラス基板表面およびクロム表面に真空抵抗加熱
蒸着法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法，無電解めっき
法等により第２図のように銅層３を形成する。
蒸着法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法，無電解めっき
法等により第２図のように銅層３を形成する。
この際必要であれば，電気銅めっきを併用してもよ
い。次に銅層３の表面に感光性レジストフィルムをラミ
ネートする方法又は液状の感光性レジスタを塗布後，乾
燥することにより，レジスト層を形成し，露光，現像す
ることによりレジストパターンを形成し，電気銅めっき
あるいは無電解銅めっきでレジストがない部分に銅めっ
きを形成し，レジストを剥離して，第３図４のような層
間接続金属柱を形成する。
い。次に銅層３の表面に感光性レジストフィルムをラミ
ネートする方法又は液状の感光性レジスタを塗布後，乾
燥することにより，レジスト層を形成し，露光，現像す
ることによりレジストパターンを形成し，電気銅めっき
あるいは無電解銅めっきでレジストがない部分に銅めっ
きを形成し，レジストを剥離して，第３図４のような層
間接続金属柱を形成する。
ついで液状ポリイミドを塗布後硬化する方法又はＢス
テージポリイミドフィルムをラミネート後硬化する方法
によりポリイミド層５を設けた後，ポリイミドを機械
的，物理的，化学的に平坦化し，層間接続金属柱４を第
４図のように表面に露出させる。次に第５図６に示すよ
うな配線導体を形成する。形成法としては ポリイミド層および露出した層間接続金属柱表面に
真空抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法，
無電解めっき法，あるいはこれらと電気めっき法との併
用で配線導体を堆積し，その後配線となる箇所にレジス
トパターンを設けて不要な導体をエッチングする方法，
あるいは ポリイミド層および露出した層間接続金属柱表面に
真空抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法，
無電解めっき法等により配線導体を堆積し，その後配線
とならない箇所にレジストパターンを設けて，無電解め
っき又は電気めっきで配線導体を厚付けした後，レジス
トを剥離して不要部分の導体をエッチングする方法があ
る。
テージポリイミドフィルムをラミネート後硬化する方法
によりポリイミド層５を設けた後，ポリイミドを機械
的，物理的，化学的に平坦化し，層間接続金属柱４を第
４図のように表面に露出させる。次に第５図６に示すよ
うな配線導体を形成する。形成法としては ポリイミド層および露出した層間接続金属柱表面に
真空抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法，
無電解めっき法，あるいはこれらと電気めっき法との併
用で配線導体を堆積し，その後配線となる箇所にレジス
トパターンを設けて不要な導体をエッチングする方法，
あるいは ポリイミド層および露出した層間接続金属柱表面に
真空抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法，
無電解めっき法等により配線導体を堆積し，その後配線
とならない箇所にレジストパターンを設けて，無電解め
っき又は電気めっきで配線導体を厚付けした後，レジス
トを剥離して不要部分の導体をエッチングする方法があ
る。
このような配線導体材料としては望ましくは銅である
が，クロム，ニッケル，金などを併用してもよい。この
後３図〜第５図の工程を必要回数繰り返して，第６図に
示す多層化構造とした後，最終的に製品となる部分をガ
ラス基板から剥離して，第７図に示す片面銅箔ポリイミ
ド多層配線基板７を得る。この場合，ガラス質と密着性
の高い金属が形成されていない保持基板上の銅層を含む
多層配線部を外形カッティングすれば，容易に保持基板
より多層配線基板を剥離することができる。
が，クロム，ニッケル，金などを併用してもよい。この
後３図〜第５図の工程を必要回数繰り返して，第６図に
示す多層化構造とした後，最終的に製品となる部分をガ
ラス基板から剥離して，第７図に示す片面銅箔ポリイミ
ド多層配線基板７を得る。この場合，ガラス質と密着性
の高い金属が形成されていない保持基板上の銅層を含む
多層配線部を外形カッティングすれば，容易に保持基板
より多層配線基板を剥離することができる。
この片面銅箔ポリイミド多層配線基板７はガラス基板
１の両側に同時に形成してもよい。その後片面銅箔ポリ
イミド多層配線基板７をプリプレグ８を介して，電源
層，接地層をあらかじめ形成した回路形成済み銅張積層
板９を第８図のように配置し，加熱加圧することにより
積層体を得る。
１の両側に同時に形成してもよい。その後片面銅箔ポリ
イミド多層配線基板７をプリプレグ８を介して，電源
層，接地層をあらかじめ形成した回路形成済み銅張積層
板９を第８図のように配置し，加熱加圧することにより
積層体を得る。
プリプレグ８には，ガラス布，ケブラー布，クォーツ
布にポリエステル樹脂，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂
を含浸させ,Bステージ状態まで硬化させたものを使用す
ることができる。また,Bステージポリイミドフィルムで
あってもよい。回路形成済み銅張積層板９には前述した
プリプレグ８の材料を用いた積層板，あるいはメタルコ
ア銅張積層板でもよい。この際メタルの材質としては
銅，銅合金，アルミ，アルミ合金，鉄，鉄合金またはこ
れらをクラッド化したものでもよい。更に，コア材質と
してセラミック基板，ほうろう基板等の無材質基板でも
良い。そして第９図のように必要な箇所にドリル等でス
ルーホール10を形成し，無電解めっきまたは無電解めっ
きと電気めっきの併用でスルーホール内と積層体表面に
銅めっき層を形成した後，必要な箇所にレジストパター
ンを形成して不要部分の銅をエッチングすることにより
第９図に示す配線板が得られる。
布にポリエステル樹脂，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂
を含浸させ,Bステージ状態まで硬化させたものを使用す
ることができる。また,Bステージポリイミドフィルムで
あってもよい。回路形成済み銅張積層板９には前述した
プリプレグ８の材料を用いた積層板，あるいはメタルコ
ア銅張積層板でもよい。この際メタルの材質としては
銅，銅合金，アルミ，アルミ合金，鉄，鉄合金またはこ
れらをクラッド化したものでもよい。更に，コア材質と
してセラミック基板，ほうろう基板等の無材質基板でも
良い。そして第９図のように必要な箇所にドリル等でス
ルーホール10を形成し，無電解めっきまたは無電解めっ
きと電気めっきの併用でスルーホール内と積層体表面に
銅めっき層を形成した後，必要な箇所にレジストパター
ンを形成して不要部分の銅をエッチングすることにより
第９図に示す配線板が得られる。
また，スルーホール10を形成した後，スルーホール内
と積層体表面に無電解めっきまたは無電解めっきと電気
めっきの併用で銅めっき層を形成した後，最終的に導体
を必要としない箇所にレジストパターンを形成し，レジ
ストパターンがない部分に銅，ニッケル，金を順次ある
いはニッケル，金を順次，あるいは銅はんだを順次，あ
るいははんだを無電解めっきまたは電気めっきで堆積
し，レジスト剥離後，不要の銅めっき層をエッチングす
る方法を用いてもよい。
と積層体表面に無電解めっきまたは無電解めっきと電気
めっきの併用で銅めっき層を形成した後，最終的に導体
を必要としない箇所にレジストパターンを形成し，レジ
ストパターンがない部分に銅，ニッケル，金を順次ある
いはニッケル，金を順次，あるいは銅はんだを順次，あ
るいははんだを無電解めっきまたは電気めっきで堆積
し，レジスト剥離後，不要の銅めっき層をエッチングす
る方法を用いてもよい。
本発明に於ては保持基板にガラス基板あるいは表面が
ガラス質で形成された基板を用いるため,300〜400℃の
高温熱処理を行っても保持基板上に形成した銅が，ガラ
ス中へ拡散せず，ガラスと銅の適度な密着性が製造工程
中保持され，保持基板上に形成した多層配線基板を容易
に剥離することができる。
ガラス質で形成された基板を用いるため,300〜400℃の
高温熱処理を行っても保持基板上に形成した銅が，ガラ
ス中へ拡散せず，ガラスと銅の適度な密着性が製造工程
中保持され，保持基板上に形成した多層配線基板を容易
に剥離することができる。
更に，保持基板として，ガラス質基板のみであると，
多層配線形成時，特にポリイミド等の絶縁樹脂を硬化す
る際，ガラス質基板と銅の密着力が低いため，樹脂の硬
化収縮応力等で，銅層が，ガラス基板端部から剥れ，後
工程に使用できない傾向があるが，本発明に於ては，表
面がガラス質である保持基板の最終的に製品とならない
保持基板外周部表面に，ガラス質と密着性の高い金属が
形成されているため，ポリイミドの硬化収縮応力等によ
る多層配線形成中での保持基板端部からの銅層の剥離は
なくなる。尚、ガラス質と密着性の高い金属と銅層との
密着力は十分に確保される。
多層配線形成時，特にポリイミド等の絶縁樹脂を硬化す
る際，ガラス質基板と銅の密着力が低いため，樹脂の硬
化収縮応力等で，銅層が，ガラス基板端部から剥れ，後
工程に使用できない傾向があるが，本発明に於ては，表
面がガラス質である保持基板の最終的に製品とならない
保持基板外周部表面に，ガラス質と密着性の高い金属が
形成されているため，ポリイミドの硬化収縮応力等によ
る多層配線形成中での保持基板端部からの銅層の剥離は
なくなる。尚、ガラス質と密着性の高い金属と銅層との
密着力は十分に確保される。
ガラス質と密着性の高い金属が形成されていない保持
基板上の銅層を含む多層配線部を外形カッティグすれ
ば，多層配線形成後は容易に保持基板を剥離することが
できるため，高密度配線板製造時の歩留り向上が達成さ
れる。
基板上の銅層を含む多層配線部を外形カッティグすれ
ば，多層配線形成後は容易に保持基板を剥離することが
できるため，高密度配線板製造時の歩留り向上が達成さ
れる。
第１図〜第９図は本発明による配線板の製造工程を示す
断面図である。 符号の説明 1:ガラス基板 2:クロム 3:銅層 4:層間接続金属柱 5:ポリイミド 6:配線導体 7:片面銅箔ポリイミド多層配線基板 8:プリプレグ 9:回路形成済み銅張積層板 10:スルーホール 11:スルーホールめっき
断面図である。 符号の説明 1:ガラス基板 2:クロム 3:銅層 4:層間接続金属柱 5:ポリイミド 6:配線導体 7:片面銅箔ポリイミド多層配線基板 8:プリプレグ 9:回路形成済み銅張積層板 10:スルーホール 11:スルーホールめっき
Claims (2)
- 【請求項１】（Ａ）少なくとも表面がガラス質である保
持基板上の外周部にガラス質と密着性の高い金属層を形
成した後、 （Ｂ）銅層を設け、その上に配線導体と絶縁樹脂より成
る多層配線を形成し、 （Ｃ）保持基板を剥離し得られる多層配線基板の保持基
板を剥離した面と反対側の面である絶縁樹脂層の面と、
回路形成済み銅張り積層板の回路形成面とを向かい合わ
せてプリブレグを介して多層配線基板と回路形成済み銅
張り積層板とを積層一体化し、 （Ｄ）スルーホールの形成、スルーホール内めっき層の
形成、スルーホール部及び多層基板と回路形成済み銅張
り積層板との積層体表面の必要な箇所にレジストパター
ン形成し不要部分の金属を除去する回路形成加工を行う ことを特徴とする配線板の製造法。 - 【請求項２】ガラス質と密着性の高い金属が、タングス
テン、アルミニウム、マンガン、クロム、鉄、マグネシ
ウム、チタン、モリブデン、ニッケル、銀のいずれかま
たはこれらの化合物である特許請求の範囲第１項記載の
配線板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24712787A JPH081987B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 配線板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24712787A JPH081987B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 配線板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6489594A JPS6489594A (en) | 1989-04-04 |
| JPH081987B2 true JPH081987B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=17158833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24712787A Expired - Lifetime JPH081987B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 配線板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081987B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2763951B2 (ja) * | 1989-02-21 | 1998-06-11 | タツタ電線株式会社 | プリント配線基板 |
| JPH0636472B2 (ja) * | 1990-05-28 | 1994-05-11 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 多層配線基板の製造方法 |
| JPH0677651A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Kyocera Corp | 回路基板 |
| JP3761862B2 (ja) * | 1999-05-27 | 2006-03-29 | Ｈｏｙａ株式会社 | 両面配線板の製造方法 |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP24712787A patent/JPH081987B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6489594A (en) | 1989-04-04 |
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