JPH081988B2 - 配線板の製造法 - Google Patents
配線板の製造法Info
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- JPH081988B2 JPH081988B2 JP24712887A JP24712887A JPH081988B2 JP H081988 B2 JPH081988 B2 JP H081988B2 JP 24712887 A JP24712887 A JP 24712887A JP 24712887 A JP24712887 A JP 24712887A JP H081988 B2 JPH081988 B2 JP H081988B2
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- wiring board
- holding substrate
- substrate
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は配線板，特にチップオンボード化に適した高
密度配線板の製造法に関する。
密度配線板の製造法に関する。
LSIチップの高集積化，高速化に伴ない配線板にも高
密度配線や低誘電率化等の要求が強く現われている。特
に最近ではチップ〜チップ間の配線長を短縮する目的で
裸のチップを直接基板に搭載するチップオンボード化が
望まれている。安価で，量産性の高いプラスチックス製
でのチップオンボード化に適した配線板の製造法として
は,SUS板等の保持基板上に銅層を設け，その上に配線導
体とポリイミド等の耐熱樹脂よりなる多層配線を形成し
た後，保持基板を剥離して得られる多層配線基板と他の
一般の積層板を基板した配線板基板とを積層一体化した
後，必要な回路形成加工を行う方法がある。
密度配線や低誘電率化等の要求が強く現われている。特
に最近ではチップ〜チップ間の配線長を短縮する目的で
裸のチップを直接基板に搭載するチップオンボード化が
望まれている。安価で，量産性の高いプラスチックス製
でのチップオンボード化に適した配線板の製造法として
は,SUS板等の保持基板上に銅層を設け，その上に配線導
体とポリイミド等の耐熱樹脂よりなる多層配線を形成し
た後，保持基板を剥離して得られる多層配線基板と他の
一般の積層板を基板した配線板基板とを積層一体化した
後，必要な回路形成加工を行う方法がある。
この方法によれば，真空蒸着やスパッタで必要となる
真空下（減圧下）において材料（積層板）からの放出ガ
スがないため，配線導体を容易に形成でき，高密度な配
線板が製造できる。
真空下（減圧下）において材料（積層板）からの放出ガ
スがないため，配線導体を容易に形成でき，高密度な配
線板が製造できる。
しかし，この配線板の製造法において，次の問題点が
ある。保持基板にSUS板を使用し，この表面に銅層を設
け，この上に必要な配線を成形し，ポリイミド樹脂を塗
布，硬化する工程において，ポリイミド樹脂の硬化温度
が通常300〜400℃であるため,SUS板上の銅がポリイミド
硬化時に熱拡散し,SUS板と銅の密着力が高くなる。この
ため多層配線形成後,SUS板と銅層界面を容易に分離でき
ないことがあった。
ある。保持基板にSUS板を使用し，この表面に銅層を設
け，この上に必要な配線を成形し，ポリイミド樹脂を塗
布，硬化する工程において，ポリイミド樹脂の硬化温度
が通常300〜400℃であるため,SUS板上の銅がポリイミド
硬化時に熱拡散し,SUS板と銅の密着力が高くなる。この
ため多層配線形成後,SUS板と銅層界面を容易に分離でき
ないことがあった。
本発明は，保持基板上に銅層を設け，その上に配線導
体とポリイミド等の耐熱樹脂よりなる多層配線を形成し
た後，容易に保持基板を剥離することができる配線板の
製造法を提供するものである。
体とポリイミド等の耐熱樹脂よりなる多層配線を形成し
た後，容易に保持基板を剥離することができる配線板の
製造法を提供するものである。
本発明は，少なくとも表面がガラス質である保持基板
の外周部及び／又は側壁面を粗面に，他の部分は平滑面
に構成し，保持基板上に，銅層を設け，その上に配線導
体とポリイミド等の絶縁樹脂より成る多層配線を形成し
た後，保持基板を剥離して得られる多層配線基板と他の
配線基板とを積層一体化した後，必要な回路形成加工を
行うものである。
の外周部及び／又は側壁面を粗面に，他の部分は平滑面
に構成し，保持基板上に，銅層を設け，その上に配線導
体とポリイミド等の絶縁樹脂より成る多層配線を形成し
た後，保持基板を剥離して得られる多層配線基板と他の
配線基板とを積層一体化した後，必要な回路形成加工を
行うものである。
少なくとも表面ガラス質である保持基板としては，ガ
ラス基板，ガラス質を表面に形成した基板がある。
ラス基板，ガラス質を表面に形成した基板がある。
ガラス基板としてはソーダ石灰ガラス，鉛アルカリガ
ラス，硼珪酸ガラス，バリウム硼珪酸ガラス，アルミノ
珪酸ガラス,96％珪酸ガラス，石英ガラス等が使用でき
る。
ラス，硼珪酸ガラス，バリウム硼珪酸ガラス，アルミノ
珪酸ガラス,96％珪酸ガラス，石英ガラス等が使用でき
る。
ガラス質を表面に形成した基板としては，鉄，鉄合
金，アルミニウム，アルミニウム合金，銅，銅合金，ニ
ッケル，ニッケル合金，クロム，クロム合金，セラミッ
クス等の基板表面に，ソーダ石灰ガラス，鉛アルカリガ
ラス，硼酸珪酸ガラス，バリウム珪酸ガラス，アルミナ
珪酸ガラス,96％珪酸ガラス，石英ガラスをコーティン
グしたものが使用できる。
金，アルミニウム，アルミニウム合金，銅，銅合金，ニ
ッケル，ニッケル合金，クロム，クロム合金，セラミッ
クス等の基板表面に，ソーダ石灰ガラス，鉛アルカリガ
ラス，硼酸珪酸ガラス，バリウム珪酸ガラス，アルミナ
珪酸ガラス,96％珪酸ガラス，石英ガラスをコーティン
グしたものが使用できる。
ガラス基板または，保持基板上に形成するガラス質の
表面平滑性は，通常のガラス製造工程に使用されている
フロート法やフェージョン法で達成される。また保持基
板の外周部及び／又は側壁面の粗面（凸凹形状）は機械
的，物理的，化学的手法で達成される。機械的手法には
所望の部分のみをサンドペーパーや回転砥石で研磨する
方法あるいは所望部分以外に保護フィルムを貼り付け，
サンドブラスト処理を行う方法がある。物理的手法には
所望部分以外にレジストを形成し，フッ素系ガスあるい
は塩素系ガスによるイオンエッチング法がある。化学的
手法には所望部分以外にレジストを形成し，フッ酸等に
よるウエットエッチングを行う方法がある。
表面平滑性は，通常のガラス製造工程に使用されている
フロート法やフェージョン法で達成される。また保持基
板の外周部及び／又は側壁面の粗面（凸凹形状）は機械
的，物理的，化学的手法で達成される。機械的手法には
所望の部分のみをサンドペーパーや回転砥石で研磨する
方法あるいは所望部分以外に保護フィルムを貼り付け，
サンドブラスト処理を行う方法がある。物理的手法には
所望部分以外にレジストを形成し，フッ素系ガスあるい
は塩素系ガスによるイオンエッチング法がある。化学的
手法には所望部分以外にレジストを形成し，フッ酸等に
よるウエットエッチングを行う方法がある。
以下図面に基いて本発明の一実施例について説明す
る。
る。
第１図において，平滑面２を有するガラス基板１の側
壁および最終的に製品とならない基板端部（外周部）に
回転砥石で凹凸面３を形成する。
壁および最終的に製品とならない基板端部（外周部）に
回転砥石で凹凸面３を形成する。
次にガラス基板表面および側壁に真空抵抗過熱蒸着
法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法，無電解めっき法等
により第２図のように，銅層４を形成する。この際必要
であれば，電気銅めっきを併用してもよい。次に銅層４
の表面に感光性レジストフィルムをラミネートする方法
又は液状の感光性レジストを塗布後，乾燥すること等に
より，レジスト層を形成し，露光，現像することにより
レジストパターンを形成し，電気銅めっきあるいは無電
解銅めっきでレジストがない部分に銅めっきを形成し，
レジスト剥離して，第３図５のような層間接続用金属柱
を形成する。ついで液状ポリイミドを塗布後硬化する方
法又はＢステージポリイミドフィルムをラミネート後硬
化する方法によりポリイミド層６を設けた後，ポリイミ
ドを機械的，物理的，化学的に平坦化し，層間接続金属
柱５を第４図のように表面に露出させる。次に第５図７
に示すような配線導体を形成する。形成法としては ポリイミド層および露出した層間接続金属柱表面に
真空抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法，
無電解めっき法，あるいはこれらと電気めっき法との併
用で配線導体を堆積し，その後配線となる箇所にレジス
トパターンを設けて不要な導体をエッチングする方法，
あるいは ポリイミド層および露出した層間接続金属柱表面に
真空抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法，
無電解めっき法等により配線導体を堆積し，その後配線
とならない箇所にレジストパターンを設けて，無電解め
っき又は電気めっきで配線導体を厚付けした後，レジス
トを剥離して不要部分の導体をエッチングする方法があ
る。
法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法，無電解めっき法等
により第２図のように，銅層４を形成する。この際必要
であれば，電気銅めっきを併用してもよい。次に銅層４
の表面に感光性レジストフィルムをラミネートする方法
又は液状の感光性レジストを塗布後，乾燥すること等に
より，レジスト層を形成し，露光，現像することにより
レジストパターンを形成し，電気銅めっきあるいは無電
解銅めっきでレジストがない部分に銅めっきを形成し，
レジスト剥離して，第３図５のような層間接続用金属柱
を形成する。ついで液状ポリイミドを塗布後硬化する方
法又はＢステージポリイミドフィルムをラミネート後硬
化する方法によりポリイミド層６を設けた後，ポリイミ
ドを機械的，物理的，化学的に平坦化し，層間接続金属
柱５を第４図のように表面に露出させる。次に第５図７
に示すような配線導体を形成する。形成法としては ポリイミド層および露出した層間接続金属柱表面に
真空抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法，
無電解めっき法，あるいはこれらと電気めっき法との併
用で配線導体を堆積し，その後配線となる箇所にレジス
トパターンを設けて不要な導体をエッチングする方法，
あるいは ポリイミド層および露出した層間接続金属柱表面に
真空抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法，スパッタ法，
無電解めっき法等により配線導体を堆積し，その後配線
とならない箇所にレジストパターンを設けて，無電解め
っき又は電気めっきで配線導体を厚付けした後，レジス
トを剥離して不要部分の導体をエッチングする方法があ
る。
このような配線導体材料としては望ましくは銅である
が，クロム，ニッケル，金などを併用してもよい。この
後３図〜第５図の工程を必要回数繰り返して，第６図に
示す多層化構造とした後，最終的に製品となる部分をガ
ラス基板から機械的に（ガラス基板と銅層の間にガラス
基板と銅層を剥離する力を加えて）剥離して、第７図に
示す片面銅箔ポリイミド多層配線基板８を得る。この片
面銅箔ポリイミド多層配線基板８はガラス基板１の両側
に同時に形成してもよい。その後方面銅箔ポリイミド多
層配線基板８をプリプレグ９を介して，電源層接地層を
あらかじめ形成した回路形成済み銅張積層板10を第８図
のように配置し，加熱加圧することにより積層体を得
る。
が，クロム，ニッケル，金などを併用してもよい。この
後３図〜第５図の工程を必要回数繰り返して，第６図に
示す多層化構造とした後，最終的に製品となる部分をガ
ラス基板から機械的に（ガラス基板と銅層の間にガラス
基板と銅層を剥離する力を加えて）剥離して、第７図に
示す片面銅箔ポリイミド多層配線基板８を得る。この片
面銅箔ポリイミド多層配線基板８はガラス基板１の両側
に同時に形成してもよい。その後方面銅箔ポリイミド多
層配線基板８をプリプレグ９を介して，電源層接地層を
あらかじめ形成した回路形成済み銅張積層板10を第８図
のように配置し，加熱加圧することにより積層体を得
る。
プリプレグ９には，ガラス布，ケブラー布，クォーツ
布にポリエステル樹脂，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂
を含浸させ,Bステージ状態まで硬化させたものを使用す
ることができる。また,Bステージポリイミドフィルムで
あってもよい。回路形成済み銅張積層板10には前述した
プリプレグ９の材料を用いた積層板，あるいはメタルコ
ア銅張積層板でもよい。この際メタルの材質としては
銅，銅合金，アルミ，アルミ合金，鉄，鉄合金またはこ
れらをクラッド化したものでもよい。更にコア材質とし
て，セラミック基板，ほうろう基板等の無材質基板でも
良い。そして第９図のように必要な箇所にドリル等でス
ルーホール11を形成し，無電解めっきまたは無電解めっ
きと電気めっきの併用でスルーホール内と積層体表面に
銅めっき層を形成した後，必要な箇所にレジストパター
ンを形成して不要部分の銅をエッチングすることにより
第９図に示す印刷配線板が得られる。
布にポリエステル樹脂，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂
を含浸させ,Bステージ状態まで硬化させたものを使用す
ることができる。また,Bステージポリイミドフィルムで
あってもよい。回路形成済み銅張積層板10には前述した
プリプレグ９の材料を用いた積層板，あるいはメタルコ
ア銅張積層板でもよい。この際メタルの材質としては
銅，銅合金，アルミ，アルミ合金，鉄，鉄合金またはこ
れらをクラッド化したものでもよい。更にコア材質とし
て，セラミック基板，ほうろう基板等の無材質基板でも
良い。そして第９図のように必要な箇所にドリル等でス
ルーホール11を形成し，無電解めっきまたは無電解めっ
きと電気めっきの併用でスルーホール内と積層体表面に
銅めっき層を形成した後，必要な箇所にレジストパター
ンを形成して不要部分の銅をエッチングすることにより
第９図に示す印刷配線板が得られる。
また，スルーホール11を形成した後，スルーホール内
と積層体表面に無電解めっきまたは無電解めっきと電気
めっきの併用で銅めっき層を形成した後，最終的に導体
を必要としない箇所にレジストパターンを形成し，レジ
ストパターンがない部分に銅，ニッケル，金を順次ある
いはニッケル，金を順次，あるいは銅はんだを順次，あ
るいははんだを無電解めっきまたは電気めっきで堆積
し，レジスト剥離後，不要の銅めっき層をエッチングす
る方法を用いてもよい。
と積層体表面に無電解めっきまたは無電解めっきと電気
めっきの併用で銅めっき層を形成した後，最終的に導体
を必要としない箇所にレジストパターンを形成し，レジ
ストパターンがない部分に銅，ニッケル，金を順次ある
いはニッケル，金を順次，あるいは銅はんだを順次，あ
るいははんだを無電解めっきまたは電気めっきで堆積
し，レジスト剥離後，不要の銅めっき層をエッチングす
る方法を用いてもよい。
本発明に於ては保持基板にガラス基板あるいは表面が
ガラス質で形成された基板を用いるため,300〜400℃の
高温熱処理を行っても保持基板上に形成した銅が，ガラ
ス中へ拡散せず，ガラスと銅の適度な密着性が製造工程
中保持され，保持基板上に形成した多層配線基板を容易
に剥離することができる。
ガラス質で形成された基板を用いるため,300〜400℃の
高温熱処理を行っても保持基板上に形成した銅が，ガラ
ス中へ拡散せず，ガラスと銅の適度な密着性が製造工程
中保持され，保持基板上に形成した多層配線基板を容易
に剥離することができる。
更に，保持基板として，ガラス質基板のみであると，
多層配線形成時，特にポリイミド等の絶縁樹脂を硬化す
る際，表面平滑左ガラス質基板と銅の密着力が低いた
め，樹脂の硬化収縮応力等で，銅層がガラス基板端部か
ら剥れ，後工程に使用できない傾向があるが，本発明に
於ては，表面が平滑でかつガラス質である保持基板の最
終的に製品とならない保持基板側壁や保持基板外周部が
粗面（凸凹形状）を有しているため，その上に形成され
る銅層との接触面積増大やアンカー効果により密着力が
増大しこのため，多層配線形成中でのポリイミドの硬化
収縮応力等による，保持基板端部からの銅層の剥離はな
くなる。多層配線形成後は，保持基板表面が平滑である
部分，例えば最終的に製品となる部分の銅層を含む多層
基板を外形カッティングすれば，容易に保持基板より多
層基板を剥離することができる。
多層配線形成時，特にポリイミド等の絶縁樹脂を硬化す
る際，表面平滑左ガラス質基板と銅の密着力が低いた
め，樹脂の硬化収縮応力等で，銅層がガラス基板端部か
ら剥れ，後工程に使用できない傾向があるが，本発明に
於ては，表面が平滑でかつガラス質である保持基板の最
終的に製品とならない保持基板側壁や保持基板外周部が
粗面（凸凹形状）を有しているため，その上に形成され
る銅層との接触面積増大やアンカー効果により密着力が
増大しこのため，多層配線形成中でのポリイミドの硬化
収縮応力等による，保持基板端部からの銅層の剥離はな
くなる。多層配線形成後は，保持基板表面が平滑である
部分，例えば最終的に製品となる部分の銅層を含む多層
基板を外形カッティングすれば，容易に保持基板より多
層基板を剥離することができる。
第１図〜第９図は本発明による配線板の製造工程を示す
断面図である。 符号の説明 1:ガラス基板 2:平滑面 3:凸凹面（粗面） 4:銅層 5:層間接続金属柱 6:ポリイミド 7:配線導体 8:片面銅箔ポリイミド多層配線基板 9:プリプレグ 10:スルーホールめっき 11:スルーホール
断面図である。 符号の説明 1:ガラス基板 2:平滑面 3:凸凹面（粗面） 4:銅層 5:層間接続金属柱 6:ポリイミド 7:配線導体 8:片面銅箔ポリイミド多層配線基板 9:プリプレグ 10:スルーホールめっき 11:スルーホール
Claims (1)
- 【請求項１】（Ａ）少なくとも表面がガラス質である保
持基板上の外周部及び／又は側壁面を粗面に、他の部分
は平滑面に構成し、 （Ｂ）保持基板上に、銅層を設け、その上に配線導体と
絶縁樹脂より成る多層配線を形成し、 （Ｃ）保持基板を剥離し得られる多層配線基板の保持基
板を剥離した面と反対側の面である絶縁樹脂層の面と、
回路形成済み銅張り積層板の回路形成面とを向かい合わ
せてプリブレグを介して多層配線基板と回路形成済み銅
張り積層板とを積層一体化し、 （Ｄ）スルーホールの形成、スルーホール内めっき層の
形成、スルーホール部及び多層基板と回路形成済み銅張
り積層板との積層体表面の必要な箇所にレジストパター
ン形成し不要部分の金属を除去する回路形成加工を行う ことを特徴とする配線板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24712887A JPH081988B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 配線板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24712887A JPH081988B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 配線板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6489595A JPS6489595A (en) | 1989-04-04 |
| JPH081988B2 true JPH081988B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=17158848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24712887A Expired - Lifetime JPH081988B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 配線板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081988B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1035164A (ja) * | 1996-04-25 | 1998-02-10 | Samsung Aerospace Ind Ltd | Ｉｃカード及びその製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3472599B2 (ja) * | 1992-09-04 | 2003-12-02 | 株式会社日立製作所 | 配線構造体の製造方法 |
| WO1995026047A1 (en) | 1994-03-18 | 1995-09-28 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor package manufacturing method and semiconductor package |
| EP2287897A3 (en) * | 1996-05-27 | 2011-11-02 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Circuit member for semiconductor device, semiconductor device using the same, and process for producing said circuit member and said semiconductor device |
| KR20210093847A (ko) * | 2018-11-20 | 2021-07-28 | 미쓰이금속광업주식회사 | 적층체 |
-
1987
- 1987-09-30 JP JP24712887A patent/JPH081988B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1035164A (ja) * | 1996-04-25 | 1998-02-10 | Samsung Aerospace Ind Ltd | Ｉｃカード及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6489595A (en) | 1989-04-04 |
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