JP2008112993A - 回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】回路パターンの微細ピッチ（ｐｉｔｃｈ）化が可能で基板上に高密度の微細回路パターンを製作することができ、簡単工程で多層回路基板を製作することができる、回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】回路基板の製造方法は、（ａ）絶縁層及び第１シード層が順次積層されたキャリア（ｃａｒｒｉｅｒ）の絶縁層に第１回路パターンを形成する段階と、（ｂ）第１回路パターンの形成されたキャリアの一面が絶縁基板と対向するように積層して圧着する段階と、（ｃ）キャリアを除去し第１回路パターン及び絶縁層を絶縁基板に移す段階と、及び（ｄ）絶縁基板に移された絶縁層に第２回路パターンを形成する段階とを含む。
【選択図】図３

Description

本発明は、回路基板の製造方法（Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）に関する。

電子産業の発達に従い携帯用器機などの電子部品の高性能化、高機能化、小型化が要求されており、したがって、ＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ）、３Ｄパッケージなど高密度表面実装部品用基板を製作するための研究が活発に進んでいる。

高密度実装部品用基板を製作するための従来の多層回路基板の製造は、ドリルを用いて両面銅箔積層板にホールを加工する段階と、ホールの内部にメッキを実施する段階と、上下両面の銅箔をエッチングして回路パターンを形成する段階と、回路パターンが形成された多数の両面印刷回路基板の間に絶縁接着剤であるプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）を介在し加熱加圧する段階と、上記積層された多層回路基板の所定位置にドリルを用いてホールを形成する段階と、多層回路基板をメッキして層間導通を完了する段階と、最後に最外層をエッチングして所望する回路パターンを形成する段階とを経て完成される。

このような従来の多層回路基板の製造工程は、作業工程が複雑で、微細回路パターンの形成が難しいという問題点がある。

また、多層回路基板の全体的な厚さが厚くなり、基板の薄型化を実現しにくく、回路と基板との接合部分にアンダカット（ｕｎｄｅｒ ｃｕｔ）が発生して回路が基板から剥離されるという問題点がある。

本発明は、回路パターンの微細ピッチ（ｐｉｔｃｈ）化が可能で基板上に高密度の微細回路パターンを製作することができ、簡単工程で多層回路基板を製作することができる回路基板の製造方法を提供する。

また、本発明は、回路パターンを基板に埋込み、かつ、薄い絶縁層を基板に転写して多層構造の回路基板を製作することができるので、基板の全体的な厚さを減らすことができる回路基板の製造方法を提供する。

本発明の一実施形態によれば、（ａ）絶縁層及び第１シード層が順次積層されたキャリア（ｃａｒｒｉｅｒ）の絶縁層に第１回路パターンを形成する段階と、（ｂ）第１回路パターンが形成されたキャリアの一面が絶縁基板と対向するように積層して圧着する段階と、（ｃ）キャリアを除去して第１回路パターン及び絶縁層を絶縁基板に移す段階と、及び（ｄ）絶縁基板に移された絶縁層に第２回路パターンを形成する段階と、を含む回路基板の製造方法が提供される。

段階（ａ）の絶縁層は、キャリアに２０μｍないし２５μｍの厚さで形成することがよい。

また、段階（ａ）の絶縁層は、キャリアに絶縁フィルムを接着することで形成されることができる。

段階（ａ）は、（ａ１）第１シード層に選択的にメッキレジストを形成して第１回路パターンに対応する凹型のパターンを形成する段階と、（ａ２）電解メッキを行い凹型のパターンに伝導性材料を充填する段階と、（ａ３）メッキレジストを除去する段階と、及び（ａ４）非活性された第１シード層を除去する段階とを含むことができる。

キャリアは金属板であってもよく、この場合、段階（ｃ）は、金属板をエッチングすることで行われることができる。

段階（ｄ）は、（ｄ１）絶縁層に第２シード層を形成する段階と、（ｄ２）第２シード層に選択的にメッキレジストを形成して第２回路パターンに対応する凹型のパターンを形成する段階と、（ｄ３）電解メッキを行い凹型のパターンに伝導性材料を充填する段階と、（ｄ４）メッキレジストを除去する段階と、及び（ｄ５）非活性された第２シード層を除去する段階とを含むことができる。

段階（ａ）は、（ｆ）二つのキャリアの絶縁層のそれぞれに第１回路パターンを形成する段階を含み、段階（ｂ）は、（ｇ）絶縁基板の両面と第１回路パターンが形成された二つのキャリアの一面とがそれぞれ対向するように積層して圧着する段階を含み、段階（ｃ）は、（ｈ）二つのキャリアを除去する段階を含み、段階（ｄ）は、（ｉ）絶縁層の他面のそれぞれに第２回路パターンを形成する段階を含むことができる。

段階（ｉ）の前に、（ｊ）絶縁基板にビアホール（ｖｉａ ｈａｌｌ）を形成する段階をさらに行うことができ、段階（ｉ）の後に、（ｋ）絶縁基板に選択的にソルダレジストを塗布する段階をさらに含むことができる。

上述した以外の別の実施形態、特徴、利点が以下の図面、本発明の特許請求の範囲及び詳細な説明により明確になるだろう。

本発明の好ましい実施例によれば、回路パターンの微細ピッチ（ｐｉｔｃｈ）化が可能で基板上に高密度の微細回路パターンを製作することができ、簡単な工程で多層回路基板を製作することができる。

また、回路パターンが基板に埋め込まれ、かつ、薄い絶縁層を基板に移して簡単な工程で多層構造の回路基板を製作することができるので、基板の全体的な厚さを減らすことができる。

また、回路が基板の内部に形成されているため、回路と基板との間の接着力が高くて回路の剥離が少ないし、基板の平坦度が優れ、熱放出が容易である。さらに、基板の反り発生が少なく、隣接回路間のイオンマイグレーション（ｉｏｎ−ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）に対する信頼性を高めることができる。

以下、本発明による回路基板の製造方法の好ましい実施例を添付図面を参照して詳しく説明するが、添付図面を参照して説明することにおいて、同一であるか対応する構成要素は同一の図面番号を付与し、これに対する重複される説明は略する。

図１は、本発明の好ましい一実施例による回路基板の製造方法を示す流れ図である。図１を参照すると、第１シード層１２、絶縁層１４、キャリア１６、メッキレジスト１８、伝導性物質２０、第１回路パターン２２、絶縁基板２４、第２シード層２６、第２回路パターン３０が示されている。

本実施例は絶縁基板２４の一面に第１回路パターン２２の一部が露出されながら埋め込まれ、その上に絶縁層１４が形成され、絶縁層１４の上に第２回路パターン３０を形成することで容易に多層構造の回路基板を製造できる方法を提供する。この際、絶縁層１４は第２絶縁基板の役目をする。

すなわち、絶縁層１４及び第１シード層１２が順次積層されたキャリア１６（ｃａｒｒｉｅｒ）の絶縁層１４の一面に第１回路パターン２２を形成し、第１回路パターン２２が形成されたキャリア１６の一面を絶縁基板２４と対向するように積層し圧着した後、キャリア１６を絶縁基板から除去すれば、キャリア１６上に形成された第１回路パターン２２及び絶縁層１４が絶縁基板２４に移される。絶縁基板２４に移された絶縁層１４の他面に第２回路パターン３０を形成することにより第１回路パターン２２は絶縁基板２４の内部に埋め込まれ、絶縁基板２４に移された絶縁層１４の他面には第２回路パターン３０が形成されるので、高密度の回路パターンが形成された多層構造の回路基板を製造することができる。この際、絶縁層１４はキャリア１６の一面に臨時積層されており、臨時積層された絶縁層１４に第１回路パターン２２を形成した後、キャリア１６の一面を絶縁基板２４と対向するように積層して第１回路パターン２２を絶縁基板２４に圧入した後、キャリア１６を除去すれば、容易に多層構造の回路基板を形成することができる。この際、絶縁層１４はキャリア１６において２０μｍないし２５μｍの厚さで形成して、第１回路パターン２２と第２回路パターン３０との間に電気的短絡が発生しないようにする。キャリア１６に絶縁層１４を形成するために、絶縁物質からなる絶縁フィルムをキャリア１６に付着して形成することができる。

絶縁層１４及び第１シード層１２が順次積層されたキャリア１６の絶縁層１４に第１回路パターン２２を形成する過程は次の通りである。すなわち、第１シード層１２に選択的にメッキレジスト１８を形成して、第１回路パターン２２に対応する凹型のパターンを形成し、電解メッキを行い凹型のパターンに伝導性材料を充填した後、メッキレジスト１８及び非活性された第１シード層１２を除去すれば、絶縁層１４に第１回路パターン２２を形成することができる。

キャリア１６の絶縁層１４に選択的にメッキレジスト１８を形成して第１回路パターン２２に対応する凹型のパターンを形成する方法は、先ず、キャリア１６の絶縁層１４上に形成された第１シード層１２に感光性材料を塗布し、第１回路パターン２２に対応するようにフォトマスクを製作した後、これを感光性材料が塗布されたキャリア１６の一面に積層した後、紫外線で露光する。露光の後に感光性材料の非硬化部分を現像液で現像すれば、キャリア１６の第１シード層１２の上に第１回路パターン２２に対応する凹型のパターンが形成される。現像液により除去されなかった硬化部分の感光性材料はメッキレジスト１８となる。

キャリア１６の第１シード層１２の上に第１回路パターン２２に対応する凹型のパターンが形成されたら、第１シード層１２を電極として電解メッキを行い、凹型のパターンに伝導性材料を充填する。この際、メッキレジスト１８が形成されている領域の第１シード層１２は、メッキを阻むメッキレジスト１８により伝導性物質２０が形成されない。この場合、凹型のパターンに充填される伝導性材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）など当業者にとって自明な伝導性物質２０を用いてもよい。

本実施例の以外に凹型のパターンに伝導性材料を充填する方法としては、第１シード層１２が形成されていないキャリア１６を用いる場合、無電解メッキにより凹型のパターン上にシード層を形成し、これを電極として電解メッキによりメッキする方法、ブレードを用いて伝導性ペーストを充填する方法、インクジェットプリンティングにより伝導性インクを充填する方法、伝導性ポリマーを重合して充填する方法など当業者にとって自明な方法を用いてもよい。

第１回路パターン２２に対応する凹型のパターンに電解メッキにより伝導性材料が充填されたら、メッキレジスト１８を除去し、さらに、非活性されたシード層を除去すればキャリア１６の絶縁層１４に第１回路パターン２２を形成することができる。

この際、非活性されたシード層とは、メッキレジスト１８により電極としての機能ができなくなり、伝導性物質２０が形成されない領域のシード層を意味する。

キャリア１６の絶縁層１４に第１回路パターン２２が形成されたら、第１回路パターン２２が形成されたキャリア１６の一面を絶縁基板２４と対向するように積層して圧着し、第１回路パターン２２が絶縁基板２４に埋め込まれるようにする。

絶縁基板２４は、熱可塑性樹脂及びガラスエポキシ樹脂の中の少なくともいずれか一つを含み、第１回路パターン２２を絶縁基板２４に埋め込む場合には絶縁基板２４が軟化状態にある。すなわち、熱可塑性または／及びガラスエポキシ樹脂の軟化温度以上に加熱して絶縁基板２４を軟化状態に作った後、キャリア１６の絶縁層１４に凸型で形成された第１回路パターン２２を軟化状態の絶縁基板２４に埋め込み、その後、キャリア１６を分離または除去し、後絶縁基板２４が硬化されることで、第１回路パターン２２が埋め込まれた形態の絶縁基板２４を製作することができる。

一方、ガラス纎維に熱硬化性樹脂を浸透させて半分硬化状態に作ったプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）を絶縁基板２４として用いてもよい。

第１回路パターン２２が絶縁基板２４に埋め込まれるようにキャリア１６と絶縁基板２４とを圧着した後、キャリア１６を分離または除去することにより、絶縁基板２４には第１回路パターン２２が埋め込まれることになり、絶縁基板２４の上に絶縁層１４が移されることになる。

キャリア１６を除去する方法は、キャリア１６が金属板からなった場合には、金属板をエッチングして除去することができ、キャリア１６が樹脂などのフィルムからなり熱可塑性接着剤で絶縁層１４と接着されている場合には、一程温度を加えて接着剤の接着力を減少させキャリア１６を分離してもよい。本実施例では、銅（Ｃｕ）板をキャリア１６として用い、エッチングで銅（Ｃｕ）からなったキャリア１６を除去する。

キャリア１６を除去した後、絶縁基板２４の上に移された絶縁層１４に第２回路パターン３０を形成する。この場合、絶縁層１４は、第２絶縁基板としての役目を行い、上述したように第１回路パターン２２と第２回路パターン３０との間に電気的短絡が発生しないように２０μｍないし２５μｍの厚さで形成される。

絶縁基板２４に移された絶縁層１４上に第２回路パターン３０を形成する方法は、絶縁層１４に第２シード層２６を形成し、第２シード層２６に選択的にメッキレジスト１８を形成して第２回路パターン３０に対応する凹型のパターンを形成した後、２シード層２６を電極として電解メッキを行ない凹型のパターンに伝導性材料を充填する。その後、メッキレジスト１８と非活性された第２シード層２６とを除去すれば、絶縁層１４上に第２回路パターン３０を形成することができる。絶縁層１４に第２回路パターン３０を形成する方法は、上述したキャリア１６の絶縁層１４に第１回路パターン２２を形成する方法と同様であるので、これに対する説明は略する。

上述したように簡単な方法で絶縁基板２４が二層で積層された（本実施例では、絶縁基板２４と絶縁層１４との２層構造）基板を製造することができる。

図２は、本発明の好ましい別の実施例による回路基板の製造方法を示す流れ図である。図２を参照すると、絶縁層１４、キャリア１６、メッキレジスト１８、伝導性物質２０、第１回路パターン２２、絶縁基板２４、第２シード層２６、ビアホール２８、第２回路パターン３０、ソルダレジスト３２が示されている。

本実施例は、二つのキャリア１６を用いて絶縁基板２４の両面にそれぞれ二層の回路パターンを形成して４層構造の基板を製作できる方法を提供する。

上述した方法により絶縁層１４及びシード層が順次積層された二つのキャリア１６の絶縁層１４のそれぞれに第１回路パターン２２を形成する。

第１回路パターン２２が二つのキャリア１６の絶縁層１４にそれぞれ形成されたら、絶縁基板２４の両面と第１回路パターン２２が形成された二つのキャリア１６の一面とがそれぞれ対向するように積層して圧着し、第１回路パターン２２が絶縁基板２４の両面に埋め込まれるようにする。

第１回路パターン２２が絶縁基板２４の両面に埋め込まれ、絶縁基板２４が介在された二つのキャリア１６を圧着した後、二つのキャリア１６を分離または除去すれば、絶縁基板２４の両面には第１回路パターン２２が埋め込まれることになり、絶縁層１４が絶縁基板２４の両面にそれぞれ移されたことになる。すなわち、絶縁基板２４が三層で積層された（本実施例では、絶縁基板２４と二つの絶縁層１４との３層構造）基板を製造することができる。

以後、二つの絶縁層１４及び絶縁基板２４に形成された第１回路パターン２２と、第２回路パターン３０との間を電気的に導通するためのビアホール２８（ｖｉａ ｈａｌｌ）を加工する。この場合、図２に示すように、絶縁基板２４の一面に形成された絶縁層１４と絶縁基板２４の回路パターンとの間を電気的に導通するためのビアホール２８を形成してもよい。

ビアホール２８の加工の後に、二つの絶縁層１４のそれぞれに第２回路パターン３０を形成するが、第２回路パターン３０を形成する方法は、先ず、無電解メッキでビアホール２８の内壁を含んで第２シード層２６を形成し、第２シード層２６上に選択的にメッキレジスト１８を形成して第２回路パターン３０に対応する凹型のパターンを形成した後、凹型のパターンに電解メッキで伝導性物質２０を充填する。伝導性物質２０が凹型のパターンに充填されると、メッキレジスト１８及び非活性された第２シード層を除去する。

以後、基板の表面及び外層に露出された回路を保護するために、ソルダレジスト３２を塗布する。半導体チップなどが結合されるパッド部分は、金メッキ工程を行ってもよい。

図３は、本発明の好ましい一実施例による回路基板の製造方法を示す順序図である。図３を参照すると、 段階Ｓ１００で、絶縁層及び第１シード層が順次積層されたキャリアの絶縁層に第１回路パターンを形成する。キャリアに積層された絶縁層は、キャリアに２０μｍないし２５μｍの厚さで形成して第１回路パターンと第２回路パターンとの間に電気的短絡が発生しないようにする。この場合、キャリアに絶縁層を形成するために絶縁物質からなる絶縁フィルムをキャリアに付着して形成することができる。

絶縁層及び第１シード層が順次積層されたキャリアの絶縁層に第１回路パターンを形成する過程は、第１シード層に選択的にメッキレジストを形成して第１回路パターンに対応する凹型のパターンを形成し、電解メッキを行い凹型のパターンに伝導性材料を充填し、選択的に形成されたメッキレジストを除去した後、非活性された第１シード層を除去して絶縁層に第１回路パターンを形成する過程を行う。

段階Ｓ１１０で、キャリアの絶縁層に選択的にメッキレジストを形成して第１回路パターンに対応する凹型のパターンを形成する方法は、先ず、キャリアの絶縁層の上に形成された第１シード層に感光性材料を塗布し、第１回路パターンに対応するようにフォトマスクを製作した後、これを感光性材料が塗布されたキャリアの一面に積層して紫外線で露光する。露光の後に感光性材料の非硬化部分を現像液で現像すれば、キャリアの第１シード層上に第１回路パターンに対応する凹型のパターンが形成される。現像液により除去されなかった硬化部分の感光性材料はメッキレジストとなる。

キャリアの第１シード層上に第１回路パターンに対応する凹型のパターンが形成されたら、段階Ｓ１２０で、第１シード層を電極として電解メッキを行い、凹型のパターンに伝導性材料を充填する。この際、メッキレジストが形成されている領域の第１シード層はメッキを阻むメッキレジストにより伝導性物質がメッキされない。この場合、凹型のパターンに充填される伝導性材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）など当業者にとって自明な伝導性物質を用いることができる。

第１回路パターンに対応する凹型のパターンに電解メッキで伝導性材料が充填されたら、段階Ｓ１３０で、メッキレジストを除去し、段階Ｓ１４０で、非活性されたシード層を除去すれば、キャリアの絶縁層に第１回路パターンを形成することができる。この際、非活性されたシード層とは、メッキレジストにより電極としての機能ができなくなり伝導性物質が形成されない領域のシード層を意味する。

段階Ｓ２００で、第１回路パターンが形成されたキャリアの一面を絶縁基板と対向するように積層して圧着し、第１回路パターンが絶縁基板に埋め込まれるようにする。

段階Ｓ３００で、第１回路パターンが絶縁基板に埋め込まれるようにキャリアと絶縁基板とを圧着した後キャリアを分離または除去すれば、絶縁基板には第１回路パターンが埋め込まれることになり、絶縁基板上に絶縁層が移されたことになる。

キャリアを除去する方法としては、キャリアが金属板からなった場合には、金属板をエッチングして除去することができ、キャリアが樹脂などのフィルムからなっており熱可塑性接着剤で絶縁層と接着されている場合には、一定温度を加えて接着剤の接着力を減少させてキャリアを分離することもできる。本実施例では、銅（Ｃｕ）板をキャリアとして用い、エッチングにより銅（Ｃｕ）からなったキャリアを除去する。

Ｓ４００段階で、絶縁基板の上に移された絶縁層に第２回路パターンを形成する。この場合、絶縁層は第２絶縁基板としての役目をすることになり、上述したように第１回路パターンと第２回路パターンとの間に電気的短絡が発生しないように２０μｍないし２５μｍの厚さに形成する。

絶縁基板に移された絶縁層上に第２回路パターンを形成する方法は、段階Ｓ４１０で、絶縁層に第２シード層を形成し、段階Ｓ４２０で、第２シード層に選択的にメッキレジストを形成して第２回路パターンに対応する凹型のパターンを形成した後、段階Ｓ４３０で、第２シード層を電極として電解メッキを行い凹型のパターンに伝導性材料を充填する。その後、段階Ｓ４４０で、メッキレジストを除去し、段階Ｓ４５０で、非活性された第２シード層を除去すれば、絶縁層上に第２回路パターンを形成することができる 。絶縁層に第２回路パターンを形成する方法は、上述したキャリアの絶縁層に第１回路パターンを形成する方法と同様であるので、これに対する説明を略する。

上述した実施例以外の多くの実施例が本発明の特許請求の範囲内に存在する。

本発明の好ましい一実施例による回路基板の製造方法を示す流れ図である。 本発明の好ましい別の実施例による回路基板の製造方法を示す流れ図である。 本発明の好ましい一実施例による回路基板の製造方法を示す順序図である。

符号の説明

１２ 第１シード層
１４ 絶縁層
１６ キャリア
１８ メッキレジスト
２０ 伝導性物質
２２ 第１回路パターン
２４ 絶縁基板
２６ 第２シード層
２８ ビアホール
３０ 第２回路パターン
３２ ソルダレジスト

Claims (8)

1. （ａ）絶縁層及び第１シード層が順次積層されたキャリア（ｃａｒｒｉｅｒ）の前記絶縁層に第１回路パターンを形成する段階と、
   （ｂ）前記第１回路パターンが形成された前記キャリアの一面を絶縁基板と対向するように積層して圧着する段階と、
   （ｃ）前記キャリアを除去し、前記第１回路パターン及び前記絶縁層を前記絶縁基板に移す段階と、及び
   （ｄ）前記絶縁基板に移された前記絶縁層に第２回路パターンを形成する段階と
   を含む回路基板の製造方法。
2. 前記段階（ａ）の前記絶縁層は、前記キャリアに２０μｍないし２５μｍの厚さに形成することを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
3. 前記段階（ａ）の前記絶縁層は、前記キャリアに絶縁フィルムを接着することで形成されることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
4. 前記段階（ａ）は、
   （ａ１）前記第１シード層に選択的にメッキレジストを形成し、前記第１回路パターンに対応する凹型のパターンを形成する段階と、
   （ａ２）電解メッキを行い前記凹型のパターンに伝導性材料を充填する段階と、
   （ａ３）前記メッキレジストを除去する段階と、及び
   （ａ４）非活性された前記第１シード層を除去する段階と
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
5. 前記キャリアは金属板であり、
   前記段階（ｃ）は、
   前記金属板をエッチングすることで行われることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
6. 前記段階（ｄ）は、
   （ｄ１）前記絶縁層に第２シード層を形成する段階と、
   （ｄ２）前記第２シード層に選択的にメッキレジストを形成して前記第２回路パターンに対応する凹型のパターンを形成する段階と、
   （ｄ３）電解メッキを行い前記凹型のパターンに伝導性材料を充填する段階と、
   （ｄ４）前記メッキレジストを除去する段階と、及び
   （ｄ５）非活性された前記第２シード層を除去する段階と
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
7. 前記段階（ａ）は、
   （ｆ）二つのキャリアの前記絶縁層のそれぞれに第１回路パターンを形成する段階を含み、
   前記段階（ｂ）は、
   （ｇ）前記絶縁基板の両面と前記第１回路パターンが形成された二つのキャリアの一面とがそれぞれ対向するように積層して圧着する段階を含み、
   前記段階（ｃ）は、
   （ｈ）前記二つのキャリアを除去する段階を含み、
   前記段階（ｄ）は、
   （ｉ）前記絶縁層の他面のそれぞれに第２回路パターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
8. 前記段階（ｉ）の前に、
   （ｊ）前記絶縁基板にビアホール（ｖｉａ ｈａｌｌ）を形成する段階をさらに含み、
   前記段階（ｉ）の後に、
   （ｋ）前記絶縁基板に選択的にソルダレジストを塗布する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の回路基板の製造方法。