JP2571782B2 - 配線板の製造方法 - Google Patents
配線板の製造方法Info
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- JP2571782B2 JP2571782B2 JP7813487A JP7813487A JP2571782B2 JP 2571782 B2 JP2571782 B2 JP 2571782B2 JP 7813487 A JP7813487 A JP 7813487A JP 7813487 A JP7813487 A JP 7813487A JP 2571782 B2 JP2571782 B2 JP 2571782B2
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- Japan
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- resist pattern
- forming
- pattern
- circuit
- wiring board
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、チップオンボード化に適した高密度配線板
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
(従来の技術) 従来、チップオンボード用多層配線板の製造方法は、
セラミックスをベース基板とし、ポリイミド樹脂の絶縁
層と蒸着等により銅層とを主体とする薄膜配線を小径ピ
ラー(柱状の層間接続部、第2図参照)を介して順次ビ
ルドアップしていく方法が検討されてきた。
セラミックスをベース基板とし、ポリイミド樹脂の絶縁
層と蒸着等により銅層とを主体とする薄膜配線を小径ピ
ラー(柱状の層間接続部、第2図参照)を介して順次ビ
ルドアップしていく方法が検討されてきた。
そのピラー形成には、第2図に示すように、配線1を
形成した後、配線形成用レジストパターン2を剥離し、
レジストパターン3を全面に設けて所定位置にレジスト
ホール4を形成し、さらにめっきピラー法でピラー5を
形成する方法がある。
形成した後、配線形成用レジストパターン2を剥離し、
レジストパターン3を全面に設けて所定位置にレジスト
ホール4を形成し、さらにめっきピラー法でピラー5を
形成する方法がある。
又、第3図に示すように、配線1を露出させた後、レ
ジストパターン3を形成し、めっき法によってピラー5
を得る方法がある。
ジストパターン3を形成し、めっき法によってピラー5
を得る方法がある。
(発明が解決しようとする問題点) 第2図に示す方法は、レジスト層3を設ける層、配線
パターン1の段差(通常5〜15μm)によって金属層8
との密着が悪く、かつレジスト表面に生ずるうねり影響
でホール4形成時の露光精度が低下する欠点がある。ま
た、第3図に示す方法は、ピラー5を形成する前にポリ
イミドを塗布し成膜する工程及び研磨の工程が必要であ
って好ましくない。さらに、配線パターン1は5〜15μ
mで薄いために、研磨処理を安定して行うことは困難で
ある。
パターン1の段差(通常5〜15μm)によって金属層8
との密着が悪く、かつレジスト表面に生ずるうねり影響
でホール4形成時の露光精度が低下する欠点がある。ま
た、第3図に示す方法は、ピラー5を形成する前にポリ
イミドを塗布し成膜する工程及び研磨の工程が必要であ
って好ましくない。さらに、配線パターン1は5〜15μ
mで薄いために、研磨処理を安定して行うことは困難で
ある。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、以上説明した従来のピラー形成法の欠点に
かんがみ、種々考察研究の結果、完成するに至ったもの
である。
かんがみ、種々考察研究の結果、完成するに至ったもの
である。
本発明の配線板製造方法においては、ピラー形成用レ
ジストパターンを配線パターン及びその形成のためのレ
ジストパターン上に形成し、その後工程で電気めっきに
よってピラーを形成するものである。すなわち、レジス
トパターン上にこれとほぼ同じ厚さの配線パターンを電
気めっきによって形成し、その上に設けたレジストパタ
ーン層にホール形成を経て層間接続のためのピラーを電
気めっきによって形成し、次いで前記2段のレジスト層
を一括除去して絶縁層を設ける工程を含むものである。
ジストパターンを配線パターン及びその形成のためのレ
ジストパターン上に形成し、その後工程で電気めっきに
よってピラーを形成するものである。すなわち、レジス
トパターン上にこれとほぼ同じ厚さの配線パターンを電
気めっきによって形成し、その上に設けたレジストパタ
ーン層にホール形成を経て層間接続のためのピラーを電
気めっきによって形成し、次いで前記2段のレジスト層
を一括除去して絶縁層を設ける工程を含むものである。
(作用) 本発明の方法は、第1図において配線パターン1を電
気めっきによって形成することによって、その厚さをレ
ジストパターン2の厚さと同程度にすることが可能であ
って、表面の平坦性を調整することが可能となった。さ
らに、レジスト2,3に同じタイプのレジストを用いるこ
ととした結果、レジスト除去を一括して一工程で行い得
ることとなった。
気めっきによって形成することによって、その厚さをレ
ジストパターン2の厚さと同程度にすることが可能であ
って、表面の平坦性を調整することが可能となった。さ
らに、レジスト2,3に同じタイプのレジストを用いるこ
ととした結果、レジスト除去を一括して一工程で行い得
ることとなった。
実施例 本発明の実施例を図面によって詳細に説明する。第1
図((a)〜(e))は実施例の部分拡大断面図であ
る。先ず、厚さ3mmのガラス基板にスパッタリング装置
(日本真空技術社製MLH−6315)を用いて銅層8を設け
た。その条件は、出力1.5kW、基板加熱120℃45分、圧力
5×10-3Torr、アルゴンガス流量35SCCMとした。この場
合PZT系スラミックス及びフォルステライトなども使用
可能である。
図((a)〜(e))は実施例の部分拡大断面図であ
る。先ず、厚さ3mmのガラス基板にスパッタリング装置
(日本真空技術社製MLH−6315)を用いて銅層8を設け
た。その条件は、出力1.5kW、基板加熱120℃45分、圧力
5×10-3Torr、アルゴンガス流量35SCCMとした。この場
合PZT系スラミックス及びフォルステライトなども使用
可能である。
次にポジ型液状レジスト(Shipley社製TF−20)を15
μm厚で塗布し、露光、現像によってレジストパターン
2を形成した。さらに、電気めっき法によってレジスト
パターン2と同程度の厚さの配線パターン1を形成した
後、ポジ型ドライフィルムレジスト(感光層厚さ25μm/
層、Hoechst社製OzatecR225)を2層積層し露光現像工
程を経て得たレジストパターン3に配線パターン1の所
定位置に対応してピラー形成用ホール4を形成した。ホ
ール4の大きさは上部径50±5μm、下部径40±2μ
m、深さ46μmとした。次いで、電気めっきによってピ
ラー5を形成し、アセトンでレジストパターン2,3を一
括除去した。さらに、PIQ−3200(日立化成社製)を塗
布して絶縁層6とし、真空中で250℃、30分、窒素気流
中で350℃、60分の熱処理を行い、次に研磨によってピ
ラー5の頭頂部を露出して平坦化した。スパッタリング
法で厚さ0.6μmの銅層8を設け、再び前記の工程を必
要回数繰返し行い、3層配線を収容したポリイミド多層
基板9を形成した。すなわち銅層8の上に、前記の工程
であるレジストパターン2の形成、配線パターン1の形
成、レジストパターン3の形成、ピラー形成用ホール4
の形成、ピラー5の形成、レジストパターン2、3の一
括除去、クイックエッチングにより配線パターン1が形
成されていない個所の銅層8の除去(セミアディティブ
法)絶縁層6の塗布、研磨によってピラー5の頭頂部の
露出、銅層8の形成を行った後、さらにレジストパター
ン2の形成、配線パターン1の形成、レジストパターン
2の除去、クイックエッチングにより配線パターン1が
形成されていない個所の銅層8の除去(セミアディティ
ブ法)を行うことにより、3層配線を収容したポリイミ
ド多層基板9を形成した。この場合、銅層8と絶縁層6
の接着層として厚さ0.5μm程度のクロム、チタン、マ
ンガンを用いても良い。
μm厚で塗布し、露光、現像によってレジストパターン
2を形成した。さらに、電気めっき法によってレジスト
パターン2と同程度の厚さの配線パターン1を形成した
後、ポジ型ドライフィルムレジスト(感光層厚さ25μm/
層、Hoechst社製OzatecR225)を2層積層し露光現像工
程を経て得たレジストパターン3に配線パターン1の所
定位置に対応してピラー形成用ホール4を形成した。ホ
ール4の大きさは上部径50±5μm、下部径40±2μ
m、深さ46μmとした。次いで、電気めっきによってピ
ラー5を形成し、アセトンでレジストパターン2,3を一
括除去した。さらに、PIQ−3200(日立化成社製)を塗
布して絶縁層6とし、真空中で250℃、30分、窒素気流
中で350℃、60分の熱処理を行い、次に研磨によってピ
ラー5の頭頂部を露出して平坦化した。スパッタリング
法で厚さ0.6μmの銅層8を設け、再び前記の工程を必
要回数繰返し行い、3層配線を収容したポリイミド多層
基板9を形成した。すなわち銅層8の上に、前記の工程
であるレジストパターン2の形成、配線パターン1の形
成、レジストパターン3の形成、ピラー形成用ホール4
の形成、ピラー5の形成、レジストパターン2、3の一
括除去、クイックエッチングにより配線パターン1が形
成されていない個所の銅層8の除去(セミアディティブ
法)絶縁層6の塗布、研磨によってピラー5の頭頂部の
露出、銅層8の形成を行った後、さらにレジストパター
ン2の形成、配線パターン1の形成、レジストパターン
2の除去、クイックエッチングにより配線パターン1が
形成されていない個所の銅層8の除去(セミアディティ
ブ法)を行うことにより、3層配線を収容したポリイミ
ド多層基板9を形成した。この場合、銅層8と絶縁層6
の接着層として厚さ0.5μm程度のクロム、チタン、マ
ンガンを用いても良い。
次に、ポリイミド多層基板9をガラス基板7から剥離
し、予め用意した回路形成済みの銅張り積層板10と接着
用プリプレグを介して加熱加圧して積層体を得た。すな
わち、ガラス基板7から剥離したポリイミド多層基板9
のガラス基板7に接していた面と反対側の面を、予め用
意した回路形成済み銅張り積層板の回路形成面とをプリ
プレグを介して向かい合わせて積層体を得た。この積層
体の必要個所にドリル等でスルーホール11を形成し、無
電解めっき又は無電解めっきと電気めっきの併用で、ス
ルーホール内または積層体表面に銅めっき層を形成し
た。さらに、公知のテンティング法によって、表裏に所
望する配線12を形成した。
し、予め用意した回路形成済みの銅張り積層板10と接着
用プリプレグを介して加熱加圧して積層体を得た。すな
わち、ガラス基板7から剥離したポリイミド多層基板9
のガラス基板7に接していた面と反対側の面を、予め用
意した回路形成済み銅張り積層板の回路形成面とをプリ
プレグを介して向かい合わせて積層体を得た。この積層
体の必要個所にドリル等でスルーホール11を形成し、無
電解めっき又は無電解めっきと電気めっきの併用で、ス
ルーホール内または積層体表面に銅めっき層を形成し
た。さらに、公知のテンティング法によって、表裏に所
望する配線12を形成した。
(発明の効果) 本発明により次の効果を挙げることができる。
(1) 最小ライン/スペースが20/20μm程度の微細
配線を有する配線層をガス放出のない材料のみで製造
し、その後銅張り積層板を加工したベース基板と積層体
化することにより、生産性が高く、安価に高密度配線板
を製造することができる。
配線を有する配線層をガス放出のない材料のみで製造
し、その後銅張り積層板を加工したベース基板と積層体
化することにより、生産性が高く、安価に高密度配線板
を製造することができる。
(2) あらかじめ微細配線を形成した後積層するの
で、積層前に検査でき、歩留りが向上する。
で、積層前に検査でき、歩留りが向上する。
(3) ピラー形成用レジストパターンと微細配線形成
用レジストパターンとを一括除去できるため、作業性が
向上する。
用レジストパターンとを一括除去できるため、作業性が
向上する。
(4) ピラー形成用レジストは平坦な面にラミネート
できるため、レジスト表面のうねりが無く、露光精度が
著しく向上する。
できるため、レジスト表面のうねりが無く、露光精度が
著しく向上する。
第1図は本発明による配線板の製造工程説明の断面図、
第2図及び第3図は従来法を示す断面図である。 1……配線パターン、2……第一レジストパターン、3
……第二レジストパターン、4……ホール、5……ピラ
ー、6……絶縁層、7……ガラス基板、8……銅層、9
……ポリイミド多層基板、10……加工済み銅張積層板、
11……スルーホール、12……配線。
第2図及び第3図は従来法を示す断面図である。 1……配線パターン、2……第一レジストパターン、3
……第二レジストパターン、4……ホール、5……ピラ
ー、6……絶縁層、7……ガラス基板、8……銅層、9
……ポリイミド多層基板、10……加工済み銅張積層板、
11……スルーホール、12……配線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木田 明成 下館市大字小川1500番地 日立化成工業 株式会社下館研究所内 (72)発明者 安岡 拓也 下館市大字小川1500番地 日立化成工業 株式会社下館工場内
Claims (1)
- 【請求項1】次の各工程からなる配線板の製造方法。 (A)剛直性の基板上に第一金属層を設ける第1工程。 (B)該第一金属層上に第一レジストパターンを形成
し、該第一レジストパターンが形成されていない箇所に
該第一レジストパターンと同程度の厚さの第一めっきパ
ターンを形成する第二工程。 (C)該第一レジストパターン及び該第一めっきパター
ン上であり該第一めっきパターン上の所定位置を除いた
箇所に該第一レジストパターンと同じタイプの第二レジ
ストパターンを形成し、電気めっき法により該所定位置
にピラーを形成する第三工程。 (D)該第一レジストパターン及び該第二レジストパタ
ーンを一括除去し、絶縁層として耐熱性樹脂を塗布して
成膜した後、該絶縁層表面を研磨もしくはエッチングし
て該ピラーの頭部を露出させる第四工程。 (E)さらに、該絶縁層表面に第二金属層を設け、これ
を下地として該ピラーと接続した第二のめっきパターン
を形成する第五工程。 (F)該基板及び該第一金属層を剥離により除去して得
た配線板の該第一金属層が接していた面と反対側の面
と、回路形成済み銅張り積層板の回路形成面とをプリプ
レグを介して向かい合わせて該配線板と該回路形成済み
銅張り積層板とを積層一体化する第六工程。 (G)スルーホールの形成、スルーホール内めっき層の
形成、スルーホール部及び該配線板と該回路形成済み銅
張り積層板との積層体表面の必要な箇所にレジストパタ
ーン形成し不要部分の金属を除去することを含む回路形
成加工を行う第七工程。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7813487A JP2571782B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7813487A JP2571782B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 配線板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63244796A JPS63244796A (ja) | 1988-10-12 |
JP2571782B2 true JP2571782B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=13653407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7813487A Expired - Lifetime JP2571782B2 (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 配線板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2571782B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2634199B1 (fr) * | 1988-07-13 | 1990-09-14 | Rhone Poulenc Agrochimie | Composes herbicides et les compositions les contenant |
US6391220B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-05-21 | Fujitsu Limited, Inc. | Methods for fabricating flexible circuit structures |
US6869750B2 (en) | 1999-10-28 | 2005-03-22 | Fujitsu Limited | Structure and method for forming a multilayered structure |
US6882045B2 (en) | 1999-10-28 | 2005-04-19 | Thomas J. Massingill | Multi-chip module and method for forming and method for deplating defective capacitors |
US6428942B1 (en) | 1999-10-28 | 2002-08-06 | Fujitsu Limited | Multilayer circuit structure build up method |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7813487A patent/JP2571782B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63244796A (ja) | 1988-10-12 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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