JPH0790592A - プラスチック製品のバリアコーティング方法 - Google Patents
プラスチック製品のバリアコーティング方法Info
- Publication number
- JPH0790592A JPH0790592A JP6128763A JP12876394A JPH0790592A JP H0790592 A JPH0790592 A JP H0790592A JP 6128763 A JP6128763 A JP 6128763A JP 12876394 A JP12876394 A JP 12876394A JP H0790592 A JPH0790592 A JP H0790592A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- substrate
- chamber
- silicon oxide
- depositing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
- A61L31/00—Materials for other surgical articles, e.g. stents, stent-grafts, shunts, surgical drapes, guide wires, materials for adhesion prevention, occluding devices, surgical gloves, tissue fixation devices
- A61L31/08—Materials for coatings
- A61L31/082—Inorganic materials
- A61L31/088—Other specific inorganic materials not covered by A61L31/084 or A61L31/086
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
- A61L31/00—Materials for other surgical articles, e.g. stents, stent-grafts, shunts, surgical drapes, guide wires, materials for adhesion prevention, occluding devices, surgical gloves, tissue fixation devices
- A61L31/08—Materials for coatings
- A61L31/082—Inorganic materials
- A61L31/084—Carbon; Graphite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0254—Physical treatment to alter the texture of the surface, e.g. scratching or polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
Abstract
の提供。 【構成】基板(13)上に酸化ケイ素を基材とした膜を
連続的に蒸着する方法であり、基板(13)上に酸化ケ
イ素の第1のコーティングを蒸着した後、基板上にある
異物を除去し、次いで酸化ケイ素の第2のコーティング
を施すことによってコーティングの浸透特性が改良され
る。
Description
体及び水の浸透に対して有効なバリアを改良するため
に、プラスチック容器にバリアコーティングを蒸着する
ための方法に関する。
象物に純粋な物質の極めて薄いコーティングを施す必要
がある。このようなコーティングの一例として、太陽光
からある種の波長範囲を濾光するために金属酸化物の薄
いコーティングが施された窓ガラスがある。半導体技術
においては、1又は2以上の物質からなる薄いコーティ
ングが物体に施される。薄いコーティングは純粋である
ことばかりでなくコーティングの厚み及び化学的化合物
のコーティングの場合には化合物の組成が正確に再現で
きるように正確に測定することが特に重要である。これ
らのコーティングの厚みは、1つの規則として2000
〜数千ナノメータの範囲である。
コーティングを施すための種々の方法が知られている。
プラスチック物体上にSiOx(酸化ケイ素)を蒸着す
る方法が米国特許第5,053,244号及びヨーロッ
パ特許第0,299,254号に開示されている。特
に、これらの方法は、ホコリに露呈されたことがないプ
ラスチックフィルムに優れたバリア特性を付与すること
ができる。しかしながら、これらの方法は、ホコリに露
呈される三次元プラスチック物体またはフィルムに対し
てはほんの少しのバリア特性しか付与できない。
なバリアを得ることができない。なぜなら、ほとんどの
三次元物体は製造中にホコリに露呈されるので表面が清
浄でないと考えられるからである。
においては、SiOxバリアコーティングは、真空状態
で清浄なフィルムに施される。典型的には、フィルム
は、極めて清浄な状態で押し出され、迅速に巻き取られ
て大きなロールにされる。その結果、フィルムの表面
は、最も外側の層を除いてホコリのような空気中の物質
に露呈されることはない。
が浸透性を欠くか又はあまり改良されない理由は、三次
元対象物の表面が汚れた表面を有するからであると考え
られている。更に、このような汚れは、空気に露呈され
ることによって対象物に付着する表面上の異物によると
考えられている。
で対象物の表面に均一に蒸着されても、直径が5000
〜50000Åの表面上の異物が対象物の表面上にある
かもしれないので、表面の部分は表面異物による遮蔽作
用によりSiOxが被覆されない。
対象物の表面から汚染物質を除去し及び/又は再分布さ
せて対象物にSiOxを蒸着させる工程を改良する必要
及びより特定すると対象物のバリア特性を改良する必要
がある。
ような物体の外表面にバリア混合物を連続的に蒸着させ
る改良された方法を提供することを目的とする。
着されるバリア混合物は、好ましくは、酸化ケイ素を基
材とする膜である。このような膜は、揮発性のオルガノ
シリコン化合物又はガスから得られる。
ような物体上に酸化ケイ素を基材とした膜を連続的に蒸
着させる方法は、(a)オルガノシリコン化合物を含む
ガス流を制御してプラズマ内に流すことと、(b)蒸着
中に約100ミクロンHgよりも低い圧力を維持しつつ
物体の表面上に第1の酸化ケイ素を基材とした膜を蒸着
することと、(c)物体の表面から異物を除去し且つ再
分布させることと、(d)上記の(a)〜(b)の工程
を再度繰り返すことによって、第1の酸化ケイ素を基材
とした膜を覆って物体の表面に第2の酸化ケイ素を基材
とした膜を蒸着することと、から構成される。
及びヘリウムと組み合わせられ、蒸着中にプラズマの少
なくとも一部分が最も好ましくは不均等マグネトロン
(unbalanced magnetron)によっ
て物体に隣接して磁気的に封じ込められるのが好まし
い。
動又は洗浄によって物体の表面から除去され及び/又は
再分布せしめられる。
の外観を呈し且つその上に印刷されてもよい。
基材とした膜の蒸着方法は、プラズマの代わりに金属又
は金属酸化物を蒸発させるか又はスパッタリングによっ
て達成することができる。
もよく、単なる例示である以下に詳細に説明する特定の
実施例に限定されるものではない。本発明の範囲及び概
念から逸脱することなく多くの他の変形例が当業者には
明らかであり且つ容易に実施できるであろう。本発明の
範囲は、特許請求の範囲及びその等価物によって決定さ
れるべきである。
的に蒸着する方法は、ガス流からグロー放電された予め
負圧にされたチャンバ内で行うのが好ましい。ガス流
は、少なくとも3つの要素すなわち揮発性のオルガノシ
リコン要素、酸素のような酸化剤要素及び不活性ガス要
素を含むのが好ましい。
は、常温で液体であり、揮発すると常温以上の沸点を有
し、このような化合物としては、メチルシラン、ジメチ
ルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピ
ルシラン、フェニルシラン、ヘキサメチルシラン、1,
1,2,2−テトラメチルジシラン、ビス(トリメチル
シラン)、メタン、ビス(ジメチルシリル)メタン、ヘ
キサメチルジシロキサン、ビニルトリメトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、エチルメトキシシラン、エ
チルトリメトキシシラン、ジビニルテトラメチルジシロ
キサン、ジビニルヘキサエチルトリシロキサン及びトリ
ビニルペンタメチルトリシロキサンがある。これらの好
ましいオルガノシリコン化合物は、各々、71°C、1
02°C、123°C及び127°Cの沸点を有する。
1,3,3−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチル
ジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメ
トキシシラン、ビニルトリメトキシシラン及びヘキサメ
チルジシラザンがある。これらの好ましいオルガノシリ
コン化合物は、各々、沸点が71°C、101°C、5
5.5°C、102°C、123°C及び127°Cで
ある。
又はアルゴンが好ましい。最も好ましい不活性ガスはヘ
リウムである。
バ内に流れ込む前に酸素成分及び不活性ガス成分と混合
されるのが好ましい。このように混合されるこれらのガ
スの量は、ガス流成分の流速を調整自在に制御するため
に流れ制御装置によって制御される。
と酸素とは、約1.2:1〜約1:1.8の範囲の流速
比率であるのが好ましい。不活性ガスがヘリウム又はア
ルゴンである場合には、オルガノシリコン化合物と酸素
と不活性ガスとの好ましい流速比率は、約1〜1.8:
1.5〜1.8〜2.3である。
流中に必要なオルガノシリコン、酸素及び不活性ガスの
他に、少量(オルガノシリコンに対して約1.1以下、
より好ましくはオルガノシリコンに対して約0.4〜
1.1:1の量)の1以上の付加的な気相の化合物が含
まれていてもよい。これらの付加的な化合物としてはプ
ロピレン、メタン又はアセチレンのような低級炭化水素
又は窒素があるが、これらに限定されない。特に、窒素
は蒸着率を増大させ、ガラスの透過率及び反射率のよう
な光学的特性を改良し、N2の変化量に応答して屈折率
を変化させる。ガス流に一酸化窒素が付加されることに
よって、蒸着率が増加し且つ光学的特性が改良される
が、膜の硬度は低下しない。
ガノシリコンが20〜40で、SCCM酸素が20〜4
0で、SCCMヘリウムが40〜60で、SCCMプロ
ピレンが1〜10で、SCCM窒素が5〜20である。
分好ましくはガス流自体から形成される予め負圧にされ
たチャンバ内に生じる。物体はこのプラズマ好ましくは
封じ込められたプラズマに隣接して配置され、ガス流は
制御してプラズマ内に流される。第1の酸化ケイ素を基
材とした膜が基板上に蒸着される。
材とする膜Aは基板Cの表面Bを完全には覆っていな
い。表面の異物Dによって表面が遮蔽されることによっ
て、第1の酸化ケイ素を基材とした膜による完全な被覆
が達成できないと考えられる。実際上、粒子の下方には
酸化ケイ素を基材とする膜は付着されない。
を蒸着させる前に、圧縮ガスによって基板の表面からこ
の遮蔽粒子を除去し及び/又は再分布させる。圧縮ガス
としては、空気、窒素、アルゴン又は酸素が最も好まし
い。ガスの圧力は約25psiであるのが好ましい。こ
の圧縮ガスによって表面異物が除去され及び/又は再分
布せしめられた後に、遮蔽された部分Eが露呈される。
/又は再分布せしめられた後に、基板は上記したグロー
放電プラズマ工程を再び受けて、第2の酸化ケイ素を基
材とした膜が蒸着されて実質的にピンホールのないバリ
アコーティングが基板上に形成される。
て低圧力下で行うのが好ましい。蒸着中は、約100ミ
クロンHg(0.1トール)未満の圧力を維持しなけれ
ばならず、チャンバは膜蒸着中は約43〜49ミクロン
Hgの圧力であるのが好ましい。
外は)蒸着装置から電気的に絶縁されており、蒸着中は
約80°C未満の温度である。すなわち、基板は故意に
は加熱されない。
基材とする膜を蒸着し且つ表面粒子を除去及び/又は再
分布させる装置が図示されている。この酸化ケイ素を基
材とする膜を蒸着する装置は、プラズマが形成され且つ
基板13が薄膜を蒸着されるべく収容された反応チャン
バ11を含む。基板13はプラスチックのような負圧と
両立できるような材料である。ガス供給装置15によっ
て、1以上のガスが反応チャンバに供給される。電力供
給源17によって電界が形成され、圧力制御装置19に
よって低圧が維持される。光放射スペクトルメータ21
が、光ファイバ光伝送媒体23を介して適当な方法によ
って反応チャンバに接続されて、プラズマの可視光及び
可視光に近い(特に紫外領域の)光をスペクトルメータ
に組み合わせる。反応チャンバの側壁に設けられた石英
の窓24を使用して、プラズマ放射を外部のファイバ媒
体23と光学的に結合させることができる。コンピュー
タ制御部分を含む一般的な制御装置25が装置の他の構
成要素の各々に接続されてこれらの要素から状態を示す
情報を受け取り且つ制御命令をこれらの構成要素に送
る。
(PECVD)又はプラズマ重合方法のいずれかの方法
を行うために適するタイプのものである。
るための装置は、基板上にあるかもしれない表面異物を
除去し及び/又は再分布させるための圧縮ガス供給装置
20を備えた包囲チャンバ10を有する。
特に、反応チャンバ11は、隔離ゲート弁31によって
負荷係止(load lock)領域27とプロセス領
域29とに分割されている。圧力制御装置19は、弁3
5によって負荷係止領域27に結合されている機械式ポ
ンプ33を含む。圧力制御装置はまた、拡散ポンプ3
7,39と機械式ポンプ41をも含む。拡散ポンプ37
は、隔離ゲート弁43と調整可能なバッフル45とを介
して負荷係止領域27に結合されている。同様に、拡散
ポンプ39は、隔離ゲート弁47と調整可能なバッフル
49とを介してプロセス領域29に結合されている。バ
ッフル49は、コーティングプロセスが実行されている
間、システム制御装置25によって制御されて内部の圧
力を所望の値に維持する。
られている状態で負荷係止領域27内に装荷される。次
いで、機械ポンプ33が圧力を高負圧領域への通路のほ
とんどの圧力を低下させる。次いで拡散ポンプ37が作
動せしめられて圧力が更に5×10-6トールまで下げら
れる。PECVD又はプラズマ重合方法のための作動圧
力は約46ミクロンであり、この圧力は、プロセスガス
を反応チャンバ及びバッフル49を使用した絞り拡散ポ
ンプ39内に流すことにより達成される。負荷動作及び
無負荷動作中、拡散ポンプ39は蒸着チャンバ29を作
動圧力に維持する。負荷係止領域27が基底圧力まで下
がると、弁31は開かれ、基板13がプロセス領域29
内に移動せしめられる。
着された薄膜が望ましい均一の厚みを有するように、プ
ラズマ領域51内を何回も前後に動かされる。
形成されたチャンバ29内にマグネトロンが位置決めさ
れている。電源17は、カソード57と反応チャンバの
金属製の本体との間に接続された出力を有する。マグネ
トロンは、適当なガスがプロセス領域内に導入されたと
きにそこにプラズマを生じさせるように、プラズマ領域
51内に磁場と電場との適当な組み合わせを形成する。
この基板は、電気的に絶縁状態に維持され且つプラズマ
領域内を直接通過せしめられる。
のに必要なガス成分は、コンジット59によって蒸着チ
ャンバ29内に導入される。ガスは、拡散ポンプ39か
ら蒸着チャンバ29内へと流れる。マグネトロンの両端
に設けられた一対のバッフル61,63がガスの流れを
プラズマ領域51に封じ込める助けとなる。
ィングが基板に蒸着された後に、基板はチャンバ10内
で約25psiの圧縮ガスの流れに露呈される。これに
よって、基板上の異物が除去され及び/又は再分布せし
められる。次いで、基板は酸化ケイ素を基材とした膜の
第2のコーティングをするためにチャンバ11内に戻さ
れる。
29内で使用されるマグネトロンは平らなマグネトロン
の形態であってもよい。マグネット構造55の垂直断面
が示されている。平面図において、図4の構造は紙面に
垂直な方向に延びている。
グネトロンと呼ばれる。このマグネトロンの磁力線13
1は、外側のS極の1つと中央のN極との間を走ってい
る。よく知られているように、電子とイオンとが、カソ
ードとプロセスチャンバの金属ケースとによって形成さ
れる磁力と電磁力との組み合わせの作用を受けて磁力線
のまわりを磁力線に沿って螺旋状に動く。カソード57
は概してチタン又は石英で作られているが、図3の蒸着
装置においてはより高い圧力が使用されているのでスパ
ッタリングが起こるのが防止される。
ができる不均等(unbalanced)マグネトロン
が図5に示されている。外側のマグネット133及び1
35が中央の軟鉄製のコア137と整列している。S極
のみがカソード57に対向して位置決めされており、N
極面はカソードから離れる方向に向いている。この結
果、磁力線が連続した部分がはるかに長い経路をたどっ
てS極領域とN極領域との間に延びている。
7の低周波動作に適している。周波数の一例は40kH
zである。しかしながら、数メガヘルツのラジオ周波数
領域内のようなはるかに高い周波数で作動する場合にい
くつかの利点がある。
材とする膜又は膜の組み合わせは、それによって作られ
る製品の特性に悪い影響を及ぼさない一般的に添加物及
び成分を含んでもよい。
く種々の他の変形例が当業者には明らかであり且つ容易
に実施できるであろう。
混合物をコーティングすることができる。このような基
材としては、パッケージ、容器、ボトル、ジャー、管及
び医療器具があるが、これらに限定されない。
るプラズマ蒸着の他に種々の方法に利用することもでき
る。このような他の方法としては、高周波放電、直接若
しくはジュアル(dual)イオンビーム蒸着又はスパ
ッタリングがあるが、これらに限定されない。
限定されるものではなく単なる例示である。
コーティングする方法 包囲された反応チャンバを負圧にして約3×10-6トー
ル以下の基底圧力とした。負荷係止領域は通気して大気
圧とし、一方、チャンバは高い負圧に維持した。次い
で、負荷係止領域をプラスチックの管によって負圧にし
た。チャンバ内の圧力を、拡散ポンプの上のバッフルを
調整することによって所望の値に調整した。負荷係止拡
散ポンプを閉じ、負荷係止領域とチャンバとを隔離する
弁を開いた。チャンバ内の圧力が安定した後に、電源が
入れられて所望の値に調整され、チャンバ内にグロー放
電プラズマが形成された。制御プログラムからの放射ス
ペクトルを不活性ガスに対する酸素の適切な割合を見つ
けるために使用した。不活性ガスに対する酸素の所望の
割合が得られるまで、チャンバ内へのオルガノシリコン
の流れを調整した。次いで、プロセス状態を監視しなが
ら、第1のコーティングの厚みが達成されるまで採血管
をプラズマ領域内で前後に動かした。第1の所望の膜厚
が得られると、装置を停止してコーティングが施された
採血管を取り出した。次いで、コーティングされた基材
を圧縮ガスを備えた第2のチャンバ内に置いた。次い
で、基材に圧縮ガスを吹き掛けて異物を除去し又は再分
布させた。次いで、この基材を反応チャンバに戻して第
2の酸化ケイ素のコーティングを施した。
ティングしない膜との比較 厚さ1ミルのポリエチレンテレフタレート(PET)か
らなり、酸化ケイ素を基材とするコーティングが施され
た平らな基材とコーティングが施されていない平らな基
材との浸透性を25°Cで測定した。
保った。個別に指示しない限り、高周波(RF)電源を
使用した。
よって表面粒子を断続的に除去し及び/又は再分布させ
ながらSiOxを連続的に蒸着させることによって低い
透過率が達成されることを示している。
法 ポリマー基材を等量の微細洗剤とイオン化していない状
態(de−ionized)(DI)水との中で洗浄し
た。この基材をDI水の中で完全にすすぎ空気によって
乾燥した。清浄にした基材を次いでコーティングの準備
ができるまで常温で負圧のオーブンの中に貯蔵した。
の負圧チャンバ内の電極間の中央に篏合されたホルダー
に取り付けた。次いで、チャンバを閉じ、機械的ポンプ
を使用して5mトールの基底圧力を達成した。
た永久磁石と内側に容量的に結合されている形状であ
る。この特定の形状によって、電子と反応ガス分子とが
衝突する可能性が増大するので、電極間にグロー放電を
封じ込めることができる。磁場を印加することによる効
果は電極に印加される電力を増加させることと類似して
いるが、衝撃エネルギがより高く且つ基材の加熱が大き
すぎるという欠点がない。マグネトロン放電を使用する
ことによって、より低い圧力領域での作動が可能になり
且つポリマーの蒸着率を実質的に増加させることができ
る。
合物からなるモノマーをステンレス鋼の管を介して電極
の近くに導入した。チャンバ内へ導入する前にモノマー
入口ライン内でガスを混ぜた。流速はステンレス鋼製の
計量弁によって手動により制御した。40kHzの可聴
周波数で作動する電源を使用して電極に電力を供給し
た。ポリマー基材上にプラズマ重合させたTMS/O2
の薄膜を蒸着させるのに使用したシステムパラメータは
以下の通りである。
器を開き、試料ホルダーを取り出した。基材の表面を約
25psiに加圧したアルゴンによって噴射した。この
機械的な作業により、均一な膜の被覆の障害となるかも
しれない粒子が除去され若しくは再分布せしめられる。
次いで、この試料を迅速に負圧チャンバ内に戻した。チ
ャンバの圧力を再び約5ミリトールまで下げ、上記の蒸
着工程を繰り返した。
び/又は再分布させながら酸化ケイ素を基材とした膜を
連続的に蒸着する方法によって得られる利点は、改良さ
れた浸透性が観察される点である。
薄膜と共に使用される従来の蒸着方法によって達成され
ない程度まで三次元物体の浸透性を改良する点である。
の異物を除去し及び/又は再分布させる断続的な工程に
よって、表面の異物によって遮蔽される領域を露呈させ
て第2のSiOxコーティングを蒸着させることであ
る。従って、物体の浸透性の著しい減少はSiOxによ
る表面コーティングを完全に行うことによって達成さ
れ、これは表面の異物を除去し及び/又は再分布させる
断続的な蒸着技術及び中間工程によって達成される。
示すブロック図である。
付随する構成要素の側方断面図である。
法を示す側方断面図である。
用方法を示す側方断面図である。
供給装置、17 電源、 19 圧力制御装置、
20 ガス供給装置、21 光放射スペクトルメータ、
23 光ファイバ光伝達窓、24 石英窓、 2
5 制御装置、 27 負荷係止領域、29 プロセ
ス領域、 31,43 隔離ゲート弁、33,41
機械式ポンプ、 37,39 拡散ポンプ、49,6
1,63 バッフル、 55 磁気構造体、 57
カソード、59 コンジット
Claims (10)
- 【請求項1】 予め負圧にされたチャンバ内でグロー放
電によってプラスチック基板上に酸化ケイ素を基材とす
る膜を連続して蒸着させる方法であって、 (a)オルガノシリコン成分を蒸発させ、蒸発したオル
ガノシリコン成分を酸化剤成分及び不活性ガス成分と混
合してチャンバの外部にガス流を形成し、 (b)前記ガス流を前記チャンバ内へと制御して流し、 (c)前記ガス流によって前記チャンバ内にグロー放電
プラズマを形成し、 (d)前記ガス流を前記プラズマ内へ制御して流し、前
記プラズマの少なくとも一部分を封じ込め、 (e)前記基板上に酸化ケイ素の第1のコーティングを
蒸着させ、 (f)前記基板上から表面異物を除去し及び/又は再分
布させ、 (g)前記(a)〜(d)の工程を再度繰り返すことに
よって前記基板上に酸化ケイ素の第2のコーティングを
蒸着させること、からなる方法。 - 【請求項2】 蒸着中に、前記プラズマの少なくとも一
部分を前記基板に隣接して磁気的に封じ込めることを更
に含む、請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 前記プラズマ内に流れ込んでいるガス流
のオリガノシリコン化合物と酸素とが約1.2:1〜約
1:1.8の流速比率であり、前記プラズマ内に流れ込
みつつある前記ガス流中の不活性ガスがヘリウム又はア
ルゴンであり、前記オリガノシリコン化合物が1,1,
3,3−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシ
ラン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメトキシア
レン、ビニルトリメトキシアレン若しくはヘキサメチル
ジアレン又はトリメチルシランである、請求項2に記載
の方法。 - 【請求項4】 前記表面異物が、加圧ガス流、拭き取り
若しくは超音波振動によって除去され及び/又は再分布
せしめられる、請求項1に記載の方法。 - 【請求項5】 負圧チャンバ内でプラズマ方法によって
プラスチック基板上に膜を蒸着する方法であって、 (a)負圧チャンバに、前記基板に蒸着することを望む
物質の供給源を含むガス流を供給することと、 (b)前記チャンバ内に、前記ガス流によって高電場領
域内に生じるグロー放電プラズマを形成することと、 (c)前記プラズマ内にいかなる電気的接続もしないで
前記プラスチック基板を取り外し自在に位置決めするこ
とと、 (d)前記プラズマ内に、前記基板に向けて導かれた磁
束を有する磁場を発生させて前記基板に酸化ケイ素を基
材とする膜の第1のコーティングを蒸着させることと、 (e)前記基板から表面異物を除去し及び/又は再分布
させることと、 (f)前記(a)〜(d)の工程を再度繰り返して前記
基板に酸化ケイ素の第2のコーティングを蒸着させるこ
とと、からなる方法。 - 【請求項6】 前記磁束を発生させる工程が、前記プラ
ズマに対向するように向けられた第1の磁極と、前記プ
ラズマから離れる方向に対向するように向けられた第2
の磁極とを、前記チャンバ内に位置決めすることを含
む、請求項5に記載の方法。 - 【請求項7】 前記磁束を発生させる工程が、前記チャ
ンバ内に、前記プラズマに隣接する面を有する磁気的構
造体を位置決めすることを含み、同磁気的構造体は、ど
の方向にも、磁気強度がより小さいもう一方の磁極によ
って分離された一つの磁極の磁気強度から変化する磁束
分布機能を有することを特徴とする、請求項5に記載の
方法。 - 【請求項8】 前記プラズマが不均衡なマグネトロンに
よって封じ込められる、請求項5に記載の方法。 - 【請求項9】 前記表面異物が、加圧ガス流によって除
去され及び/又は再分布せしめられる、請求項5に記載
の方法。 - 【請求項10】 前記加圧ガス流が約25psiの窒素
若しくはアルゴンである、請求項9に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/125,704 US5364666A (en) | 1993-09-23 | 1993-09-23 | Process for barrier coating of plastic objects |
US125704 | 1993-09-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0790592A true JPH0790592A (ja) | 1995-04-04 |
JP2610394B2 JP2610394B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=22421010
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6128763A Expired - Lifetime JP2610394B2 (ja) | 1993-09-23 | 1994-06-10 | プラスチック製品のバリアコーティング方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US5364666A (ja) |
EP (1) | EP0664344B1 (ja) |
JP (1) | JP2610394B2 (ja) |
CA (1) | CA2121423C (ja) |
DE (1) | DE69404621D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012054586A (ja) * | 2000-05-08 | 2012-03-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 低比誘電率SiOx膜の製造方法 |
Families Citing this family (105)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910003742B1 (ko) * | 1986-09-09 | 1991-06-10 | 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 | Cvd장치 |
US5364666A (en) * | 1993-09-23 | 1994-11-15 | Becton, Dickinson And Company | Process for barrier coating of plastic objects |
US20040241454A1 (en) * | 1993-10-04 | 2004-12-02 | Shaw David G. | Barrier sheet and method of making same |
BR9407741A (pt) | 1993-10-04 | 1997-02-12 | Catalina Coatings Inc | Revestimento de acrilato |
US5679412A (en) * | 1993-10-28 | 1997-10-21 | Manfred R. Kuehnle | Method and apparatus for producing gas impermeable, chemically inert container structures for food and volatile substances |
JP3364694B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2003-01-08 | 株式会社アルバック | 保護膜の形成方法 |
US5840374A (en) * | 1993-12-28 | 1998-11-24 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Method of forming a SiO2 passivation film on a plastic substrate |
CH687601A5 (de) * | 1994-02-04 | 1997-01-15 | Tetra Pak Suisse Sa | Verfahren zur Herstellung von im Innern sterilen Verpackungen mit hervorragenden Sperreigenschaften. |
DE4438359C2 (de) * | 1994-10-27 | 2001-10-04 | Schott Glas | Behälter aus Kunststoff mit einer Sperrbeschichtung |
JP3022229B2 (ja) | 1994-12-26 | 2000-03-15 | 東洋製罐株式会社 | プラスチックス材料からなる立体形状の容器に均一の膜厚の珪素酸化物被膜を形成する方法 |
DE19523444A1 (de) * | 1995-06-28 | 1997-01-02 | Antec Angewandte Neue Technolo | Verfahren zur Beschichtung von Kunststoffen oder ähnlichen weichen Werkstoffen |
TW328971B (en) * | 1995-10-30 | 1998-04-01 | Dow Corning | Method for depositing Si-O containing coatings |
US5763033A (en) * | 1996-01-30 | 1998-06-09 | Becton, Dickinson And Company | Blood collection tube assembly |
JPH1081971A (ja) | 1996-07-10 | 1998-03-31 | Suzuki Motor Corp | 高分子基材へのプラズマCVDによるSiC薄膜形成方法及び装置 |
US5900284A (en) * | 1996-07-30 | 1999-05-04 | The Dow Chemical Company | Plasma generating device and method |
US5993598A (en) * | 1996-07-30 | 1999-11-30 | The Dow Chemical Company | Magnetron |
US6112695A (en) | 1996-10-08 | 2000-09-05 | Nano Scale Surface Systems, Inc. | Apparatus for plasma deposition of a thin film onto the interior surface of a container |
JP3014334B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2000-02-28 | キヤノン販売株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3773340B2 (ja) * | 1996-12-18 | 2006-05-10 | 大日本印刷株式会社 | 低屈折率SiO2 膜及びその製造方法 |
US6223683B1 (en) | 1997-03-14 | 2001-05-01 | The Coca-Cola Company | Hollow plastic containers with an external very thin coating of low permeability to gases and vapors through plasma-assisted deposition of inorganic substances and method and system for making the coating |
US6117541A (en) * | 1997-07-02 | 2000-09-12 | Tetra Laval Holdings & Finance, Sa | Polyolefin material integrated with nanophase particles |
US6055929A (en) * | 1997-09-24 | 2000-05-02 | The Dow Chemical Company | Magnetron |
US6627532B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition |
US6660656B2 (en) | 1998-02-11 | 2003-12-09 | Applied Materials Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6054379A (en) * | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
US6303523B2 (en) | 1998-02-11 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processes for depositing low dielectric constant films |
US6593247B1 (en) * | 1998-02-11 | 2003-07-15 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low k films using an oxidizing plasma |
US6287990B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-09-11 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted low dielectric constant films |
US6159871A (en) | 1998-05-29 | 2000-12-12 | Dow Corning Corporation | Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant |
US6667553B2 (en) | 1998-05-29 | 2003-12-23 | Dow Corning Corporation | H:SiOC coated substrates |
US6060132A (en) * | 1998-06-15 | 2000-05-09 | Siemens Aktiengesellschaft | High density plasma CVD process for making dielectric anti-reflective coatings |
US6251233B1 (en) | 1998-08-03 | 2001-06-26 | The Coca-Cola Company | Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation |
US6814837B1 (en) * | 1998-10-20 | 2004-11-09 | Advance Micro Devices, Inc. | Controlled gas supply line apparatus and process for infilm and onfilm defect reduction |
JP2003512831A (ja) | 1999-10-27 | 2003-04-08 | ザ・コカ−コーラ・カンパニー | ポリエステルをベースとする包装内に含まれた飲料中のアセトアルデヒド及び酸素を減少させる方法。 |
US6399489B1 (en) | 1999-11-01 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Barrier layer deposition using HDP-CVD |
US6274212B1 (en) | 2000-02-22 | 2001-08-14 | The Coca-Cola Company | Method to decrease the acetaldehyde content of melt-processed polyesters |
JP3505571B2 (ja) * | 2000-03-06 | 2004-03-08 | 静岡大学長 | ポリプロピレンをベースフィルムとするガスバリヤーフィルムの製造方法 |
US20010038894A1 (en) * | 2000-03-14 | 2001-11-08 | Minoru Komada | Gas barrier film |
JP3265364B2 (ja) | 2000-06-27 | 2002-03-11 | 静岡大学長 | 銅薄膜直接接合ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
US6740378B1 (en) | 2000-08-24 | 2004-05-25 | The Coca-Cola Company | Multilayer polymeric/zero valent material structure for enhanced gas or vapor barrier and uv barrier and method for making same |
US6720052B1 (en) | 2000-08-24 | 2004-04-13 | The Coca-Cola Company | Multilayer polymeric/inorganic oxide structure with top coat for enhanced gas or vapor barrier and method for making same |
US6531398B1 (en) | 2000-10-30 | 2003-03-11 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing organosillicate layers |
US6709721B2 (en) | 2001-03-28 | 2004-03-23 | Applied Materials Inc. | Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties |
US6896968B2 (en) * | 2001-04-06 | 2005-05-24 | Honeywell International Inc. | Coatings and method for protecting carbon-containing components from oxidation |
US6599584B2 (en) | 2001-04-27 | 2003-07-29 | The Coca-Cola Company | Barrier coated plastic containers and coating methods therefor |
US6632874B2 (en) | 2001-05-01 | 2003-10-14 | The Coca-Cola Company | Method to decrease aldehyde content in polyolefin products |
US20020172780A1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-21 | Halverson Ward Dean | Method and apparatus for treating surfaces with a plasma generated by electron cyclotron resonance |
TW570876B (en) * | 2001-05-11 | 2004-01-11 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | Silicon oxide film |
US6486082B1 (en) * | 2001-06-18 | 2002-11-26 | Applied Materials, Inc. | CVD plasma assisted lower dielectric constant sicoh film |
US6926926B2 (en) * | 2001-09-10 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide deposited by high density plasma chemical-vapor deposition with bias |
US6818570B2 (en) * | 2002-03-04 | 2004-11-16 | Asm Japan K.K. | Method of forming silicon-containing insulation film having low dielectric constant and high mechanical strength |
US20030170605A1 (en) * | 2002-03-11 | 2003-09-11 | Egan Visual Inc. | Vapor deposited writing surfaces |
US20030183245A1 (en) * | 2002-04-01 | 2003-10-02 | Min-Shyan Sheu | Surface silanization |
US6936309B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-08-30 | Applied Materials, Inc. | Hardness improvement of silicon carboxy films |
US20030194495A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Crosslink cyclo-siloxane compound with linear bridging group to form ultra low k dielectric |
US20030194496A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing dielectric material |
US20030211244A1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-11-13 | Applied Materials, Inc. | Reacting an organosilicon compound with an oxidizing gas to form an ultra low k dielectric |
CA2482749A1 (en) * | 2002-04-15 | 2003-10-30 | Colormatrix Corporation | Coating composition containing an epoxide additive and structures coated therewith |
US6815373B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-11-09 | Applied Materials Inc. | Use of cyclic siloxanes for hardness improvement of low k dielectric films |
CN100335376C (zh) * | 2002-04-26 | 2007-09-05 | 北海制罐株式会社 | 内表面经涂覆的塑料容器及其制造方法 |
US20030206337A1 (en) * | 2002-05-06 | 2003-11-06 | Eastman Kodak Company | Exposure apparatus for irradiating a sensitized substrate |
US6927178B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-09 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask |
US7105460B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-09-12 | Applied Materials | Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask |
US7041350B1 (en) | 2002-08-30 | 2006-05-09 | The Coca-Cola Company | Polyester composition and articles with reduced acetaldehyde content and method using hydrogenation catalyst |
EP1561840A4 (en) * | 2002-10-09 | 2009-05-13 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | METHOD FOR PRODUCING A METAL OXIDE FILM AND MICROWAVE POWER SOURCE FOR USE IN THIS METHOD |
US6897163B2 (en) * | 2003-01-31 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing a low dielectric constant film |
US6762275B1 (en) | 2003-05-27 | 2004-07-13 | The Coca-Cola Company | Method to decrease the acetaldehyde content of melt-processed polyesters |
US20050049391A1 (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-03 | Mark Rule | Polyester composition and articles with reduced acetaldehyde content and method using vinyl esterification catalyst |
NL1025096C2 (nl) * | 2003-12-21 | 2005-06-23 | Otb Group Bv | Werkwijze alsmede inrichting voor het vervaardigen van een functionele laag bestaande uit ten minste twee componenten. |
US7288205B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-10-30 | Applied Materials, Inc. | Hermetic low dielectric constant layer for barrier applications |
WO2007037294A1 (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and fabrication method therefor |
US20090214787A1 (en) * | 2005-10-18 | 2009-08-27 | Southwest Research Institute | Erosion Resistant Coatings |
WO2007048098A2 (en) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Southwest Research Institute | Erosion resistant coatings |
US20080124946A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organosilane compounds for modifying dielectrical properties of silicon oxide and silicon nitride films |
US20100174245A1 (en) * | 2009-01-08 | 2010-07-08 | Ward Dean Halverson | System for pretreating the lumen of a catheter |
US9007674B2 (en) | 2011-09-30 | 2015-04-14 | View, Inc. | Defect-mitigation layers in electrochromic devices |
US9664974B2 (en) * | 2009-03-31 | 2017-05-30 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
US7985188B2 (en) * | 2009-05-13 | 2011-07-26 | Cv Holdings Llc | Vessel, coating, inspection and processing apparatus |
WO2013170052A1 (en) | 2012-05-09 | 2013-11-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Saccharide protective coating for pharmaceutical package |
EP3222749A1 (en) | 2009-05-13 | 2017-09-27 | SiO2 Medical Products, Inc. | Outgassing method for inspecting a coated surface |
SE534196C2 (sv) * | 2009-06-29 | 2011-05-31 | John Wollin | Doseringssystem för nikotin |
US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
US8790791B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-07-29 | Southwest Research Institute | Oxidation resistant nanocrystalline MCrAl(Y) coatings and methods of forming such coatings |
US11624115B2 (en) | 2010-05-12 | 2023-04-11 | Sio2 Medical Products, Inc. | Syringe with PECVD lubrication |
US9878101B2 (en) | 2010-11-12 | 2018-01-30 | Sio2 Medical Products, Inc. | Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods |
DE102011009963A1 (de) * | 2011-02-01 | 2012-08-02 | Linde Aktiengesellschaft | Verfahren zum Lichtbogenfügen und Schutzgasmischung |
DE102011009964A1 (de) * | 2011-02-01 | 2012-08-02 | Linde Aktiengesellschaft | Verfahren zum Weich-, Hart- und Hochtemperaturlöten |
US9272095B2 (en) | 2011-04-01 | 2016-03-01 | Sio2 Medical Products, Inc. | Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods |
US9511572B2 (en) | 2011-05-25 | 2016-12-06 | Southwest Research Institute | Nanocrystalline interlayer coating for increasing service life of thermal barrier coating on high temperature components |
US9554968B2 (en) | 2013-03-11 | 2017-01-31 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging |
EP2776603B1 (en) | 2011-11-11 | 2019-03-06 | SiO2 Medical Products, Inc. | PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS |
US11116695B2 (en) | 2011-11-11 | 2021-09-14 | Sio2 Medical Products, Inc. | Blood sample collection tube |
CA2890066C (en) | 2012-11-01 | 2021-11-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | Coating inspection method |
EP2920567B1 (en) | 2012-11-16 | 2020-08-19 | SiO2 Medical Products, Inc. | Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics |
CN105705676B (zh) | 2012-11-30 | 2018-09-07 | Sio2医药产品公司 | 控制在医用注射器、药筒等上的pecvd沉积的均匀性 |
US9764093B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-09-19 | Sio2 Medical Products, Inc. | Controlling the uniformity of PECVD deposition |
US20160015898A1 (en) | 2013-03-01 | 2016-01-21 | Sio2 Medical Products, Inc. | Plasma or cvd pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus |
US9937099B2 (en) | 2013-03-11 | 2018-04-10 | Sio2 Medical Products, Inc. | Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate |
US9863042B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-01-09 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases |
EP3122917B1 (en) | 2014-03-28 | 2020-05-06 | SiO2 Medical Products, Inc. | Antistatic coatings for plastic vessels |
US9523146B1 (en) | 2015-06-17 | 2016-12-20 | Southwest Research Institute | Ti—Si—C—N piston ring coatings |
WO2017031354A2 (en) | 2015-08-18 | 2017-02-23 | Sio2 Medical Products, Inc. | Pharmaceutical and other packaging with low oxygen transmission rate |
US11185883B2 (en) * | 2017-08-23 | 2021-11-30 | Jiangsu Favored Nanotechnology Co., LTD | Methods for preparing nano-protective coating |
US11389825B2 (en) * | 2017-08-23 | 2022-07-19 | Jiangsu Favored Nanotechnology Co., LTD | Methods for preparing nano-protective coating with a modulation structure |
CN110029318A (zh) * | 2019-04-27 | 2019-07-19 | 孙建军 | 一种阻隔型真空镀膜管件的镀膜方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0266172A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-06 | Hashimoto Forming Ind Co Ltd | 表面硬化プラスチック成形品の製造方法 |
JPH03236474A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-10-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラスチック表面の硬化保護膜形成方法及び装置 |
JPH04374A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラスチック基板表面の硬化保護膜製造方法 |
EP0469926A1 (en) * | 1990-08-03 | 1992-02-05 | The Boc Group, Inc. | Silicon oxide based thin film vapour barriers |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3733309A (en) * | 1970-11-30 | 1973-05-15 | Du Pont | Biaxially oriented poly(ethylene terephthalate)bottle |
US4557946A (en) * | 1983-06-03 | 1985-12-10 | Edward Sacher | Moisture impermeability or organosilicone films |
US4552791A (en) * | 1983-12-09 | 1985-11-12 | Cosden Technology, Inc. | Plastic container with decreased gas permeability |
US4599678A (en) * | 1985-03-19 | 1986-07-08 | Wertheimer Michael R | Plasma-deposited capacitor dielectrics |
US5053244A (en) * | 1987-02-21 | 1991-10-01 | Leybold Aktiengesellschaft | Process for depositing silicon oxide on a substrate |
ZA884511B (en) * | 1987-07-15 | 1989-03-29 | Boc Group Inc | Method of plasma enhanced silicon oxide deposition |
US4815962A (en) * | 1987-12-11 | 1989-03-28 | Polaroid Corporation | Process for coating synthetic optical substrates |
US4992298A (en) * | 1988-10-11 | 1991-02-12 | Beamalloy Corporation | Dual ion beam ballistic alloying process |
US5055318A (en) * | 1988-10-11 | 1991-10-08 | Beamalloy Corporation | Dual ion beam ballistic alloying process |
DE4035951C1 (en) * | 1990-11-09 | 1991-06-06 | Abb Patent Gmbh, 6800 Mannheim, De | CVD process for coating plastics - by depositing substrate from silane and oxygen enriched with ozone |
FR2670506B1 (fr) * | 1990-12-17 | 1993-02-19 | Air Liquide | Procede de depot d'une couche d'oxyde de silicium liee a un substrat en polyolefine. |
EP0535810B1 (en) * | 1991-10-03 | 1996-03-06 | Becton, Dickinson and Company | Blood collection tube assembly |
US5364666A (en) * | 1993-09-23 | 1994-11-15 | Becton, Dickinson And Company | Process for barrier coating of plastic objects |
-
1993
- 1993-09-23 US US08/125,704 patent/US5364666A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-15 CA CA002121423A patent/CA2121423C/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-10 JP JP6128763A patent/JP2610394B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-24 US US08/265,290 patent/US5824198A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-24 US US08/265,173 patent/US5616369A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-24 US US08/265,164 patent/US5468520A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-16 EP EP94114615A patent/EP0664344B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-09-16 DE DE69404621T patent/DE69404621D1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0266172A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-06 | Hashimoto Forming Ind Co Ltd | 表面硬化プラスチック成形品の製造方法 |
JPH03236474A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-10-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラスチック表面の硬化保護膜形成方法及び装置 |
JPH04374A (ja) * | 1990-04-16 | 1992-01-06 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラスチック基板表面の硬化保護膜製造方法 |
EP0469926A1 (en) * | 1990-08-03 | 1992-02-05 | The Boc Group, Inc. | Silicon oxide based thin film vapour barriers |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012054586A (ja) * | 2000-05-08 | 2012-03-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 低比誘電率SiOx膜の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5364666A (en) | 1994-11-15 |
US5824198A (en) | 1998-10-20 |
US5468520A (en) | 1995-11-21 |
US5616369A (en) | 1997-04-01 |
DE69404621D1 (de) | 1997-09-04 |
JP2610394B2 (ja) | 1997-05-14 |
EP0664344A1 (en) | 1995-07-26 |
CA2121423C (en) | 1997-12-23 |
CA2121423A1 (en) | 1995-03-24 |
EP0664344B1 (en) | 1997-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2610394B2 (ja) | プラスチック製品のバリアコーティング方法 | |
JP2634637B2 (ja) | 酸化ケイ素をベースとした硬い、酸素又は水分の浸透を防止するフィルムを沈着させる方法と装置 | |
KR100344334B1 (ko) | 플라즈마 발생장치 | |
EP0605534B1 (en) | Apparatus for rapid plasma treatments and method | |
JP3274669B2 (ja) | 濡れ性の優れた表面を有する弗素系樹脂 | |
JP4938951B2 (ja) | ダイヤモンド状ガラス薄膜 | |
US6156394A (en) | Polymeric optical substrate method of treatment | |
JP3070037B2 (ja) | 三次元物品にバリヤーフィルムを付着させる方法 | |
US5002794A (en) | Method of controlling the chemical structure of polymeric films by plasma | |
US5120680A (en) | Method for depositing dielectric layers | |
JPH10500633A (ja) | 高度な耐摩耗性コーティングの蒸着のためのイオンビーム法 | |
JPH06108255A (ja) | 蒸気障壁特性を有するシリコン酸化物基薄膜の製造方法及びこの方法によって製造した物品 | |
JP2001514328A5 (ja) | ||
JPH10121255A (ja) | 3次元物品に遮断被膜を蒸着するための装置 | |
KR100672954B1 (ko) | 폴리머의 표면 처리 방법 | |
JP2000239830A (ja) | 酸化物光学薄膜の形成方法及び酸化物光学薄膜の形成装置 | |
JP2008062561A (ja) | 親水性積層膜を備えた物品の製造方法、および、親水性積層膜を備えた物品 | |
JP2003262750A (ja) | SiON薄膜の製造方法 | |
JPH04358058A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
IE62322B1 (en) | METHOD OF PLASMA ENHANCED SILICON OXIDE DEPOSITION IE | |
JPH04239538A (ja) | 表面硬化無機保護膜の密着性を向上させた透明樹脂基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961217 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100213 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110213 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120213 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130213 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140213 Year of fee payment: 17 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |