JPH0266172A - 表面硬化プラスチック成形品の製造方法 - Google Patents
表面硬化プラスチック成形品の製造方法Info
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- JPH0266172A JPH0266172A JP21555388A JP21555388A JPH0266172A JP H0266172 A JPH0266172 A JP H0266172A JP 21555388 A JP21555388 A JP 21555388A JP 21555388 A JP21555388 A JP 21555388A JP H0266172 A JPH0266172 A JP H0266172A
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Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は表面を硬化させたプラスチック成形品、特に
車両用に使用される表面硬化プラスチック成形品の製造
方法に関するものである。
車両用に使用される表面硬化プラスチック成形品の製造
方法に関するものである。
車両のウィンドウには従来より無機ガラスが使用されて
きたが、透明プラスチック成形品の表面を硬化させた表
面硬化プラスチック成形品の使用が検討されている。従
来の表面硬化プラスチック成形品の製造方法としては、
スプレー法、ディッピング法、フローコーティング法等
によりシリコン系コーティング層（ハードコート層）を
プラスチック成形品の表層に形成する方法（例えば特開
昭５７−１７７０２８号、特開昭６１−１４３４４５号
など）、および真空蒸着、イオンブレーティング等のＰ
ＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）によりＳｕｎ、膜を形成する方法（例えば
特開昭５８−２９８３５号、特開昭５５−１１０７７４
号）などがある。
きたが、透明プラスチック成形品の表面を硬化させた表
面硬化プラスチック成形品の使用が検討されている。従
来の表面硬化プラスチック成形品の製造方法としては、
スプレー法、ディッピング法、フローコーティング法等
によりシリコン系コーティング層（ハードコート層）を
プラスチック成形品の表層に形成する方法（例えば特開
昭５７−１７７０２８号、特開昭６１−１４３４４５号
など）、および真空蒸着、イオンブレーティング等のＰ
ＶＤ法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）によりＳｕｎ、膜を形成する方法（例えば
特開昭５８−２９８３５号、特開昭５５−１１０７７４
号）などがある。
しかしながら、このような方法においては、シリコン系
コーティング層を形成する場合は、皮膜は硬く、耐擦傷
性、耐摩耗性、耐溶剤性、耐候性などに優れた特性を示
すが、車両のウィンドウのような摩擦の激しい部品とし
て使用する場合には耐擦傷性、耐摩耗性などが十分でな
く、実用化できない、またＳｉＯ２膜を形成する場合は
、ＳｉＯ２膜の密着性が十分ではなく、剥離やクラック
が生じるという欠点がある。
コーティング層を形成する場合は、皮膜は硬く、耐擦傷
性、耐摩耗性、耐溶剤性、耐候性などに優れた特性を示
すが、車両のウィンドウのような摩擦の激しい部品とし
て使用する場合には耐擦傷性、耐摩耗性などが十分でな
く、実用化できない、またＳｉＯ２膜を形成する場合は
、ＳｉＯ２膜の密着性が十分ではなく、剥離やクラック
が生じるという欠点がある。
このような点を解決するために、プラスチック成形品の
表層にシリコン系コーティング層を形成し、その上にＰ
ＶＤ法により５ｉｎ２膜を形成する方法が提案されてい
る（特開昭６３−１１４９５７号）。
表層にシリコン系コーティング層を形成し、その上にＰ
ＶＤ法により５ｉｎ２膜を形成する方法が提案されてい
る（特開昭６３−１１４９５７号）。
しかしながら、この方法ではＰＶＤ法によりＳｉＯ２膜
を形成するため、時間がかかり、かつ衝撃エネルギや輻
射熱により潜熱して高温となるため成形品が変形すると
ともに、均一にＳｉＯ２膜を形成することができず、周
辺部はど膜厚が薄くなるという問題点があった。
を形成するため、時間がかかり、かつ衝撃エネルギや輻
射熱により潜熱して高温となるため成形品が変形すると
ともに、均一にＳｉＯ２膜を形成することができず、周
辺部はど膜厚が薄くなるという問題点があった。
この発明は上記問題点を解決するためのもので。
優れた密着性を有し、剥離やクラックの発生がないとと
もに、硬度、耐擦傷性、耐摩耗性などが優れた硬化膜を
、均一な膜厚で、成形品の変形なしに、短時間で形成で
きる表面硬化プラスチック成形品の製造方法を得ること
を目的としている。
もに、硬度、耐擦傷性、耐摩耗性などが優れた硬化膜を
、均一な膜厚で、成形品の変形なしに、短時間で形成で
きる表面硬化プラスチック成形品の製造方法を得ること
を目的としている。
この発明はプラスチック成形品の表層にシリコン系コー
ティング層を形成し、その上にプラズマＣＶＤ法により
ＳｉＯ□膜を形成することを特徴とする表面硬化プラス
チック成形品の製造方法である。
ティング層を形成し、その上にプラズマＣＶＤ法により
ＳｉＯ□膜を形成することを特徴とする表面硬化プラス
チック成形品の製造方法である。
この発明において使用可能なプラスチックとしては、ア
クリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂
、ポリスチレンなど任意のプラスチックが使用でき、車
両のウィンドウのように透明性が要求される場合は透明
なものを使用する。
クリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂
、ポリスチレンなど任意のプラスチックが使用でき、車
両のウィンドウのように透明性が要求される場合は透明
なものを使用する。
このうちアクリル樹脂のようにシリコン系コーティング
層との密着性が良好なものが好ましいが、シリコン系コ
ーティング層との密着性が良好でない場合でも、プライ
マー層を形成することにより密着性が改善される場合に
は使用可能である。また成形品の形状としては、板状、
中空状等任意であり、使用する最終製品に対応したもの
の形状に成形したものでもよい。
層との密着性が良好なものが好ましいが、シリコン系コ
ーティング層との密着性が良好でない場合でも、プライ
マー層を形成することにより密着性が改善される場合に
は使用可能である。また成形品の形状としては、板状、
中空状等任意であり、使用する最終製品に対応したもの
の形状に成形したものでもよい。
このような成形品に対する表面硬化処理は全面に行うこ
とができるが、車両のウィンドウなどの場合には、特に
硬度の要求される車外側に露出される外表面側にのみＳ
ｉＯ２膜が形成される。この場合、ＳｉＯ２膜を形成し
ない内表面側にも一般のハードコート層を形成すること
ができる。このときＳｉＯ２膜を形成する側は、５ｉｎ
２膜との密着性を向上させるためにシリコン系コーティ
ング層が形成されるが、反対側にハードコート層を形成
する場合、ハードコート層としてシリコン系コーティン
グ層を形成すると、１回の処理で、両面に層形成するこ
とができる。もちろん反対側のハードコート層としては
別のコーティング層を形成してもよく、また必要がなけ
れば形成しなくてもよい。
とができるが、車両のウィンドウなどの場合には、特に
硬度の要求される車外側に露出される外表面側にのみＳ
ｉＯ２膜が形成される。この場合、ＳｉＯ２膜を形成し
ない内表面側にも一般のハードコート層を形成すること
ができる。このときＳｉＯ２膜を形成する側は、５ｉｎ
２膜との密着性を向上させるためにシリコン系コーティ
ング層が形成されるが、反対側にハードコート層を形成
する場合、ハードコート層としてシリコン系コーティン
グ層を形成すると、１回の処理で、両面に層形成するこ
とができる。もちろん反対側のハードコート層としては
別のコーティング層を形成してもよく、また必要がなけ
れば形成しなくてもよい。
シリコン系コーティング層としては、従来よりハードコ
ート層としてプラスチックの表面硬化に使用されている
シロキサン結合を有するものが使用可能である。このよ
うなシリコン系コーティング層としては、前記特開昭５
７−１７７０２８号に記載された一般式Ｒｎ５ｉ（ＯＲ
’）＊−ｎ（式中、ｎは１〜３の整数、Ｒは炭素数１〜
６の炭化水素基、Ｒ′は炭素数１〜４のアルキル基を示
す）で示される化合物と。
ート層としてプラスチックの表面硬化に使用されている
シロキサン結合を有するものが使用可能である。このよ
うなシリコン系コーティング層としては、前記特開昭５
７−１７７０２８号に記載された一般式Ｒｎ５ｉ（ＯＲ
’）＊−ｎ（式中、ｎは１〜３の整数、Ｒは炭素数１〜
６の炭化水素基、Ｒ′は炭素数１〜４のアルキル基を示
す）で示される化合物と。
四アルコキシ珪素の共部分加水分解物または／および各
々の部分加水分解物の混合物より主としてなるコーティ
ング剤（市販品としては「スミユニ」。
々の部分加水分解物の混合物より主としてなるコーティ
ング剤（市販品としては「スミユニ」。
住友化学工業（株）製、商標）、あるいはメチルシルセ
スキシロキサンおよびコロイダル状シリカの混合物より
主としてなるコーティング剤（市販品としては「トスガ
ード」、東芝シリコン（株）製、商標）などのシリコン
系のハードコート剤を塗布することにより形成される。
スキシロキサンおよびコロイダル状シリカの混合物より
主としてなるコーティング剤（市販品としては「トスガ
ード」、東芝シリコン（株）製、商標）などのシリコン
系のハードコート剤を塗布することにより形成される。
上記のシリコン系コーティング層および他のハードコー
ト層は基材であ・るプラスチック成形品との密着性が良
好な場合、例えば基材がアクリル樹脂成形品である場合
には、基材表層に直接形成することができるが、プラス
チック成形品との密着性が良好でない場合、例えばプラ
スチック成形品がポリカーボネート樹脂である場合には
、中間にプライマー層を形成して密着性を上げることが
できる。
ト層は基材であ・るプラスチック成形品との密着性が良
好な場合、例えば基材がアクリル樹脂成形品である場合
には、基材表層に直接形成することができるが、プラス
チック成形品との密着性が良好でない場合、例えばプラ
スチック成形品がポリカーボネート樹脂である場合には
、中間にプライマー層を形成して密着性を上げることが
できる。
このようなプライマー層としては、基材であるプラスチ
ック成形品およびシリコン系コーティング層等との密着
性が良好なコーティング剤によって形成されるものでよ
く、このようなコーティング剤としては例えば、アクリ
ル系、ウレタン系。
ック成形品およびシリコン系コーティング層等との密着
性が良好なコーティング剤によって形成されるものでよ
く、このようなコーティング剤としては例えば、アクリ
ル系、ウレタン系。
ポリエステル系など任意のものが使用できる。プライマ
ー層の形成方法は、コーティング剤のコーティングによ
るもののほか、ハードコート層を形成したフィルム状の
プライマー層とプラスチック成形品の間に樹脂を射出し
て溶着させる方法などが採用できる。
ー層の形成方法は、コーティング剤のコーティングによ
るもののほか、ハードコート層を形成したフィルム状の
プライマー層とプラスチック成形品の間に樹脂を射出し
て溶着させる方法などが採用できる。
基材であるプラスチック成形品の表層に直接またはプラ
イマー層を介して形成されるＳｉＯ２膜は、プラズマＣ
ＶＤ法（Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌＶａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） によ
り形成する。ＣＶＤ法とは、化学気相成長法のことで、
一般にＰＶＤ法と対比して定義づけられており、形成さ
せようとする薄膜材料を構成する元素からなる１種また
はそれ以上の化合物、単体のガスを基板上に供給し。
イマー層を介して形成されるＳｉＯ２膜は、プラズマＣ
ＶＤ法（Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌＶａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ） によ
り形成する。ＣＶＤ法とは、化学気相成長法のことで、
一般にＰＶＤ法と対比して定義づけられており、形成さ
せようとする薄膜材料を構成する元素からなる１種また
はそれ以上の化合物、単体のガスを基板上に供給し。
気相または基板表面での化学反応により、所望の薄膜を
形成させる方法である。ＰＶＤ法が材料の真空蒸着やス
パッタリングなどによって薄膜を形成させるのに比べ、
化学的手段であることに太きな相違がある。プラズマＣ
ＶＤ法はプラズマを利用した化学気相成長法である。一
般のＣＶＤ法は高温となるため、プラスチック成形品が
変形するが、プラズマＣＶＤ法は低温で薄膜を形成する
ことが可能で、かつ成膜スピードが速いためプラスチッ
ク成形品の処理に適している。特に高周波マグネトロン
カソード方式のプラズマＣＶＤ法を採用すると、磁場に
よりプラズマを閉じ込めるため、プラズマ密度を高める
ことができ、また高周波を印加することにより、分子自
体を励起してガスの分解を促進するため効率がよい。
形成させる方法である。ＰＶＤ法が材料の真空蒸着やス
パッタリングなどによって薄膜を形成させるのに比べ、
化学的手段であることに太きな相違がある。プラズマＣ
ＶＤ法はプラズマを利用した化学気相成長法である。一
般のＣＶＤ法は高温となるため、プラスチック成形品が
変形するが、プラズマＣＶＤ法は低温で薄膜を形成する
ことが可能で、かつ成膜スピードが速いためプラスチッ
ク成形品の処理に適している。特に高周波マグネトロン
カソード方式のプラズマＣＶＤ法を採用すると、磁場に
よりプラズマを閉じ込めるため、プラズマ密度を高める
ことができ、また高周波を印加することにより、分子自
体を励起してガスの分解を促進するため効率がよい。
プラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ２膜の形成方法としては
、例えば下記反応式（１）〜（５）で示される方法があ
げられるが、特に（１）式のシランガスと亜酸化窒素に
よる方法が好ましい。
、例えば下記反応式（１）〜（５）で示される方法があ
げられるが、特に（１）式のシランガスと亜酸化窒素に
よる方法が好ましい。
５ｉ）１．＋４Ｎ、Ｏ→ＳｉＯ，＋２Ｈ，Ｏ＋４Ｎ、
（１）Ｓｌ （ＯＣｌ Ｈｓ ）４ →５ｉ
０２＋４らＨ９＋２８．Ｏ（２）Ｓｉ）Ｉ４＋５ＣＯ，
＋Ｈ，→Ｓｉｎ、 ＋５ＣＯ＋３Ｈ，０（３）Ｓｉ）Ｉ
、Ｃ１，＋２Ｎ、Ｏ→Ｓｉｎ、＋ ２ＨＣ１＋ ２Ｎ２
（４）ＳｉＨ４＋ ２０． →ＳｉＯ，＋２Ｈ，Ｏ
（５）上記のようにプラスチック成形品の表層にシリコ
ン系コーティング層を形成し、その上にＳｉＯ□膜を形
成すると、ＳｉＯ２膜はガラスと同様のＳｉｎ、構造を
有するため、硬度が高く、しがもシリコン系コーティン
グ層とも構造が類似しているためシリコン系コーティン
グ層との密着性が高くなる。この場合プラズマＣＶＤ法
でＳｉＯ□膜を形成すると、（１）膜厚、膜質の均一性
が高＜、（２）低温での形成が可能であり、（３）下地
に対してストレスを与えない膜となる。
（１）Ｓｌ （ＯＣｌ Ｈｓ ）４ →５ｉ
０２＋４らＨ９＋２８．Ｏ（２）Ｓｉ）Ｉ４＋５ＣＯ，
＋Ｈ，→Ｓｉｎ、 ＋５ＣＯ＋３Ｈ，０（３）Ｓｉ）Ｉ
、Ｃ１，＋２Ｎ、Ｏ→Ｓｉｎ、＋ ２ＨＣ１＋ ２Ｎ２
（４）ＳｉＨ４＋ ２０． →ＳｉＯ，＋２Ｈ，Ｏ
（５）上記のようにプラスチック成形品の表層にシリコ
ン系コーティング層を形成し、その上にＳｉＯ□膜を形
成すると、ＳｉＯ２膜はガラスと同様のＳｉｎ、構造を
有するため、硬度が高く、しがもシリコン系コーティン
グ層とも構造が類似しているためシリコン系コーティン
グ層との密着性が高くなる。この場合プラズマＣＶＤ法
でＳｉＯ□膜を形成すると、（１）膜厚、膜質の均一性
が高＜、（２）低温での形成が可能であり、（３）下地
に対してストレスを与えない膜となる。
一部シリコン系コーティング層は有機ケイ素化合物であ
るため、基材であるプラスチック成形品またはプライマ
ー層との密着性が高い、このため全体として密着性、耐
擦傷性、耐摩耗性等に優れた表面硬化プラスチック成形
品が得られる。
るため、基材であるプラスチック成形品またはプライマ
ー層との密着性が高い、このため全体として密着性、耐
擦傷性、耐摩耗性等に優れた表面硬化プラスチック成形
品が得られる。
こうして得られる表面硬化プラスチック成形品は車両用
のウィンドウガラス、サンバイザー、ランプレンズ、ブ
イニツシャ、ホイルカバーなどの透明または不透明の車
両用部品として使用できるほか、建築物、温室、車庫、
冷凍庫、ショーケース等の窓材、コンピュータのスクリ
ーンなど、他の用途のプラスチック成形品にも使用可能
である。
のウィンドウガラス、サンバイザー、ランプレンズ、ブ
イニツシャ、ホイルカバーなどの透明または不透明の車
両用部品として使用できるほか、建築物、温室、車庫、
冷凍庫、ショーケース等の窓材、コンピュータのスクリ
ーンなど、他の用途のプラスチック成形品にも使用可能
である。
以下１本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図および第２図は実施例１および２の工程を断面で示す
系統図、第３図はプラズマＣＶＤ装置の配置図、第４図
はその一部の詳細図である。
図および第２図は実施例１および２の工程を断面で示す
系統図、第３図はプラズマＣＶＤ装置の配置図、第４図
はその一部の詳細図である。
実施例１
第１図に示すように、工程■において射出成形等により
、アクリル樹脂からなるプラスチック成形品１を成形す
る。そして工程■において成形品１に熱処理（アニール
）を行い、成形ストレスを解消する。真空成形品等では
、この工程が不要の場合がある。次に工程■において成
形品１の表層に、シリコン系コーティング剤スミユニ（
前出）をスプレー、ディッピング、フローコート法等に
よりコーティングし、シリコン系コーティング層２．２
ａを形成し、工程■において８０℃で１時間以上のベー
キングを行う。シリコン系コーティング層２ａは他のハ
ードコート層でもよい、続いて工程Ｖにおいて、高周波
プラズマＣＶＤ法によりシリコン系コーティング層２の
上にＳｉＯ□膜３を形成する。
、アクリル樹脂からなるプラスチック成形品１を成形す
る。そして工程■において成形品１に熱処理（アニール
）を行い、成形ストレスを解消する。真空成形品等では
、この工程が不要の場合がある。次に工程■において成
形品１の表層に、シリコン系コーティング剤スミユニ（
前出）をスプレー、ディッピング、フローコート法等に
よりコーティングし、シリコン系コーティング層２．２
ａを形成し、工程■において８０℃で１時間以上のベー
キングを行う。シリコン系コーティング層２ａは他のハ
ードコート層でもよい、続いて工程Ｖにおいて、高周波
プラズマＣＶＤ法によりシリコン系コーティング層２の
上にＳｉＯ□膜３を形成する。
ＳｉＯ□膜３の形成は、第３図および第４図の高周波プ
ラズマＣＶＤ装置により以下の通り行われる。
ラズマＣＶＤ装置により以下の通り行われる。
第３図および第４図において、１１はキャリア、１２ａ
・・・はシャッター、 １３ａ・・・はチャンバー、１
４ａ・・・は排気装置である。まず成形品１をキャリア
１１に取り付ける。そしてシャッター１２ａが開いて、
キャリア１１がチャンバー１３ａに入り、シャッター１
２ａが閉じる（シャッター１２ｂは閉じたまま）、排気
装置１４ａ・・・が作動し、キャリア１１は順次シャッ
ター１２ｂ・・・を通して真空度の高いチャンバー１３
ｂ・・・の方に移動する。こうしてシャッター１２ｃが
開き、第３図に示すように、キャリア１１に載った成形
品１がチャンバー１３ｃに入り、高周波マグネトロンカ
ソード１５に対向する位置に成形品】を配置し。
・・・はシャッター、 １３ａ・・・はチャンバー、１
４ａ・・・は排気装置である。まず成形品１をキャリア
１１に取り付ける。そしてシャッター１２ａが開いて、
キャリア１１がチャンバー１３ａに入り、シャッター１
２ａが閉じる（シャッター１２ｂは閉じたまま）、排気
装置１４ａ・・・が作動し、キャリア１１は順次シャッ
ター１２ｂ・・・を通して真空度の高いチャンバー１３
ｂ・・・の方に移動する。こうしてシャッター１２ｃが
開き、第３図に示すように、キャリア１１に載った成形
品１がチャンバー１３ｃに入り、高周波マグネトロンカ
ソード１５に対向する位置に成形品】を配置し。
シャッター１２ｃが閉じる。このときキャリア１１は接
地される。そして排気装置１１４ｃが作動して１０〜１
０−’Ｔａｒｔ−程度に減圧し、真空度を保−りたまま
アルゴンガスまたはＮ２ガスを少量注入しながら、高周
波発生器１６を作動させ、変換器１７を通して１０〜２
０Ｍｔｌｚの高周波を印加し、成形品１との間にガスプ
ラズマ１８を発生させる。このとき成形品１の外表面側
はアルゴンガスまたはＮ２ガスのプラズマにより清浄化
（ボンバード）されるとともに、外表面の平坦化も図ら
れる。次にアルゴンガスまたはＮ２ガスの供給を停止し
、シランガス（ＳｉＨ４）とＮ、０ガスをほぼ１：１に
混合した混合ガスを注入しながらプラズマ１８を発生さ
せると、混合ガスは化学反応を起こし、成形品１の表面
にＳｉＯ□膜３が形成される。
地される。そして排気装置１１４ｃが作動して１０〜１
０−’Ｔａｒｔ−程度に減圧し、真空度を保−りたまま
アルゴンガスまたはＮ２ガスを少量注入しながら、高周
波発生器１６を作動させ、変換器１７を通して１０〜２
０Ｍｔｌｚの高周波を印加し、成形品１との間にガスプ
ラズマ１８を発生させる。このとき成形品１の外表面側
はアルゴンガスまたはＮ２ガスのプラズマにより清浄化
（ボンバード）されるとともに、外表面の平坦化も図ら
れる。次にアルゴンガスまたはＮ２ガスの供給を停止し
、シランガス（ＳｉＨ４）とＮ、０ガスをほぼ１：１に
混合した混合ガスを注入しながらプラズマ１８を発生さ
せると、混合ガスは化学反応を起こし、成形品１の表面
にＳｉＯ□膜３が形成される。
このとき、ＳｉＯ２膜３の膜厚のコントロールは、単位
時間当りのガス量を大きく、またプラズマ１８の照射時
間を長くすれば、膜厚は厚くなり、これによりコントロ
ール可能である０通常のＣＶＤ法では、ガスは高温化に
よって活性化するが、プラズマＣＶＤ法では、プラズマ
は低温状態で励起され、これによりガスを活性化して化
学反応を起こすので、成形品１に変形などの熱的悪影響
を与えることがない、またプラズマは高周波によるもの
の外に、ブロー放電、マイクロ波等によるものであって
もよい。
時間当りのガス量を大きく、またプラズマ１８の照射時
間を長くすれば、膜厚は厚くなり、これによりコントロ
ール可能である０通常のＣＶＤ法では、ガスは高温化に
よって活性化するが、プラズマＣＶＤ法では、プラズマ
は低温状態で励起され、これによりガスを活性化して化
学反応を起こすので、成形品１に変形などの熱的悪影響
を与えることがない、またプラズマは高周波によるもの
の外に、ブロー放電、マイクロ波等によるものであって
もよい。
５ｉｎｔ膜３を形成後混合ガスの供給を停止し、シャッ
ター１２ｄが開いてキャリア１１は図面中左に移動し、
チャンバー１３ｄに入る。そしてシャッター１２ｄが閉
じてシャッター１２ｃが開き、次の新しいキャリア１１
が成形品１を載せて入ってくる。チャンバー１３ｄに入
ったキャリア１１はチャンバー１３ｅを経由して徐々に
大気圧に近づき、シャッター１２ｆが開いて外に取出さ
れる。そして片面にＳｕｎ、膜３が形成された成形品１
がキャリア１１から取外される。
ター１２ｄが開いてキャリア１１は図面中左に移動し、
チャンバー１３ｄに入る。そしてシャッター１２ｄが閉
じてシャッター１２ｃが開き、次の新しいキャリア１１
が成形品１を載せて入ってくる。チャンバー１３ｄに入
ったキャリア１１はチャンバー１３ｅを経由して徐々に
大気圧に近づき、シャッター１２ｆが開いて外に取出さ
れる。そして片面にＳｕｎ、膜３が形成された成形品１
がキャリア１１から取外される。
プラスチック成形品１として第５図に示すアクリル樹脂
製車両用ウィンドウ（Ｘ ＝ Ｙ ＝４０ｃｗ＊、 Ｒ
＝１ｍ）を用いて上記方法により約１．０μ園の膜厚の
ＳｉＯ２膜３を形成し、第５図（ａ）のＰｌの膜厚を１
．０としたときのＰ２〜Ｐ７の膜厚は第６図のＡに示す
通りであり、±５％以内のバラツキであった。
製車両用ウィンドウ（Ｘ ＝ Ｙ ＝４０ｃｗ＊、 Ｒ
＝１ｍ）を用いて上記方法により約１．０μ園の膜厚の
ＳｉＯ２膜３を形成し、第５図（ａ）のＰｌの膜厚を１
．０としたときのＰ２〜Ｐ７の膜厚は第６図のＡに示す
通りであり、±５％以内のバラツキであった。
これに対しプラズマＣＶＤ法の代りにＰＶＤ法によりＳ
ｉＯ２膜を形成した場合の各点の膜厚は第６図のＢに示
す通りであり、バラツキが大きかった。
ｉＯ２膜を形成した場合の各点の膜厚は第６図のＢに示
す通りであり、バラツキが大きかった。
実施例２
第２図に示すように、工程■においてポリカーボネート
樹脂からなる成形品１を成形し、工程■において熱処理
を行う０次に工程■において成形品１の表層にアクリル
ポリマーからなるプライマー （Ｐ）１９１．東芝シリ
コン（株）ｌｌ、商′ＪＲ）を塗布してプライマー層４
．４ａを形成し、工程■において２５℃で４０分間セツ
ティングを行う０次に工程■においてシリコン系コーテ
ィング剤トスガード５１０（前出）によりシリコン系コ
ーティング層２．２ａを形成し、工程■において１２０
℃で６０〜９０分間ベーキングを行う、さらに工程■に
おいて実施例１の工程■と同様にして、シリコン系コー
ティング層２の上にＳｉＯ２膜３を形成する。
樹脂からなる成形品１を成形し、工程■において熱処理
を行う０次に工程■において成形品１の表層にアクリル
ポリマーからなるプライマー （Ｐ）１９１．東芝シリ
コン（株）ｌｌ、商′ＪＲ）を塗布してプライマー層４
．４ａを形成し、工程■において２５℃で４０分間セツ
ティングを行う０次に工程■においてシリコン系コーテ
ィング剤トスガード５１０（前出）によりシリコン系コ
ーティング層２．２ａを形成し、工程■において１２０
℃で６０〜９０分間ベーキングを行う、さらに工程■に
おいて実施例１の工程■と同様にして、シリコン系コー
ティング層２の上にＳｉＯ２膜３を形成する。
上記各実施例で得られた表面硬化成形品（ＳｉＯ□膜厚
０．５および１．０μｍ）ならびにＳｉＯ２膜を形成し
ないもの（比較例１，２）の試験結果を表１に示す。
０．５および１．０μｍ）ならびにＳｉＯ２膜を形成し
ないもの（比較例１，２）の試験結果を表１に示す。
ネトロンカソード。
１８はプラズマである。
Claims (3)
- （１）プラスチック成形品の表層にシリコン系コーティ
ング層を形成し、その上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉ
Ｏ＿２膜を形成することを特徴とする表面硬化プラスチ
ック成形品の製造方法。 - （２）シリコン系コーティング層はプライマー層の上に
形成するようにした請求項第１項記載の製造方法。 - （３）シリコン系コーティング層は成形品の両面に形成
するようにした請求項第１項または第２項記載の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215553A JP2734548B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 表面硬化プラスチック成形品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63215553A JP2734548B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 表面硬化プラスチック成形品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266172A true JPH0266172A (ja) | 1990-03-06 |
| JP2734548B2 JP2734548B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=16674335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63215553A Expired - Fee Related JP2734548B2 (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 表面硬化プラスチック成形品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734548B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04107270A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラスチック表面の硬化方法 |
| JPH05345383A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | ガス遮断性積層プラスチックス材 |
| JPH0790592A (ja) * | 1993-09-23 | 1995-04-04 | Becton Dickinson & Co | プラスチック製品のバリアコーティング方法 |
| KR100839797B1 (ko) * | 2007-03-13 | 2008-06-19 | (주) 태양기전 | 컬러 박막 및 이의 제조 방법 |
| JP2009067049A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-04-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 透明樹脂積層体とその製造方法 |
| JP2011016257A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラスチック積層体及びその製造方法 |
| EP2329888A2 (en) | 2009-12-01 | 2011-06-08 | Kojima Press Industry Co., Ltd. | Organic glass for automobile and process for producing the same |
| JP2019501793A (ja) * | 2016-03-24 | 2019-01-24 | ユニド カンパニーリミテッドＵｎｉｄ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 有機／無機複合素材の薄膜基板及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5838744B2 (ja) * | 2010-12-15 | 2016-01-06 | 東ソー株式会社 | 炭素含有酸化ケイ素膜、封止膜及びその用途 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02501490A (ja) * | 1987-08-24 | 1990-05-24 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 耐摩耗性プラスチック物品の製造法 |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63215553A patent/JP2734548B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02501490A (ja) * | 1987-08-24 | 1990-05-24 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 耐摩耗性プラスチック物品の製造法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04107270A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-08 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラスチック表面の硬化方法 |
| JPH05345383A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | ガス遮断性積層プラスチックス材 |
| JPH0790592A (ja) * | 1993-09-23 | 1995-04-04 | Becton Dickinson & Co | プラスチック製品のバリアコーティング方法 |
| KR100839797B1 (ko) * | 2007-03-13 | 2008-06-19 | (주) 태양기전 | 컬러 박막 및 이의 제조 방법 |
| JP2009067049A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-04-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 透明樹脂積層体とその製造方法 |
| JP2011016257A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Tsukishima Kikai Co Ltd | プラスチック積層体及びその製造方法 |
| EP2329888A2 (en) | 2009-12-01 | 2011-06-08 | Kojima Press Industry Co., Ltd. | Organic glass for automobile and process for producing the same |
| US8580378B2 (en) | 2009-12-01 | 2013-11-12 | Kojima Press Industry Co., Ltd. | Organic glass for automobile and process for producing the same |
| JP2019501793A (ja) * | 2016-03-24 | 2019-01-24 | ユニド カンパニーリミテッドＵｎｉｄ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 有機／無機複合素材の薄膜基板及びその製造方法 |
| US11292884B2 (en) | 2016-03-24 | 2022-04-05 | Unid Co., Ltd. | Organic-inorganic-hybrid thin film and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2734548B2 (ja) | 1998-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |