JPH05194770A - 表面被覆プラスチックス製品 - Google Patents
表面被覆プラスチックス製品Info
- Publication number
- JPH05194770A JPH05194770A JP4006839A JP683992A JPH05194770A JP H05194770 A JPH05194770 A JP H05194770A JP 4006839 A JP4006839 A JP 4006839A JP 683992 A JP683992 A JP 683992A JP H05194770 A JPH05194770 A JP H05194770A
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- JP
- Japan
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- film
- plasma
- layer
- substrate
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐擦傷性、耐摩耗性、耐薬品性、帯電特性等
に優れ、ガラス代用、ミラー、レンズ、光記録材料用等
の光学用途に用いて好適なプラスチック製品を提供す
る。 【構成】 プラスチックス表面に珪素化合物のプラズマ
重合膜、ＳｉＯｘ膜をこの順に積層したもの。
に優れ、ガラス代用、ミラー、レンズ、光記録材料用等
の光学用途に用いて好適なプラスチック製品を提供す
る。 【構成】 プラスチックス表面に珪素化合物のプラズマ
重合膜、ＳｉＯｘ膜をこの順に積層したもの。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面に硬質被覆が形成
されることにより耐擦傷性、耐摩耗性、耐薬品性、帯電
特性などに優れ、各種光学材料、光記録材料、窓ガラス
等として用いて好適なプラスチックス製品に関する。
されることにより耐擦傷性、耐摩耗性、耐薬品性、帯電
特性などに優れ、各種光学材料、光記録材料、窓ガラス
等として用いて好適なプラスチックス製品に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラスチックス製品、とりわけポリカー
ボネート、ポリメチルメタクリレート等の透明なプラス
チックス材料より成る成形物は、車両、船舶、航空機建
築等の分野において装飾用或いは無機ガラス代替材料と
して、またその透明性を生かしプラスチックス製ミラ
ー、レンズ、その他各種光学材料や光記録材料等として
広く用いられるようになってきている。
ボネート、ポリメチルメタクリレート等の透明なプラス
チックス材料より成る成形物は、車両、船舶、航空機建
築等の分野において装飾用或いは無機ガラス代替材料と
して、またその透明性を生かしプラスチックス製ミラ
ー、レンズ、その他各種光学材料や光記録材料等として
広く用いられるようになってきている。
【０００３】ところで、一般にプラスチックス材料は、
表面が傷つき易く、前記透明なプラスチックス材料は傷
による美観の低下や透明性の低下を防止するために、そ
の表面にハードコート処理、すなわち硬度の高い透明コ
ートが行われている。これらのハードコートを施す手法
には大別して２つの方法が知られている。１つは真空蒸
着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、プラズマ
重合法等に代表されるドライコート法である。もう一つ
は、溶液塗布後、熱硬化或いは光硬化させるウェットコ
ート法で、有機系（メラミン樹脂系、ウレタン樹脂系、
アルキド樹脂系、ＵＶ硬化アクリレート系等）とシリコ
ン系（オルガノシロキサン系）のものがある。
表面が傷つき易く、前記透明なプラスチックス材料は傷
による美観の低下や透明性の低下を防止するために、そ
の表面にハードコート処理、すなわち硬度の高い透明コ
ートが行われている。これらのハードコートを施す手法
には大別して２つの方法が知られている。１つは真空蒸
着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、プラズマ
重合法等に代表されるドライコート法である。もう一つ
は、溶液塗布後、熱硬化或いは光硬化させるウェットコ
ート法で、有機系（メラミン樹脂系、ウレタン樹脂系、
アルキド樹脂系、ＵＶ硬化アクリレート系等）とシリコ
ン系（オルガノシロキサン系）のものがある。
【０００４】スパッタリング法においては膜自体に十分
な硬度を賦与する事が可能であるが、固有応力が大きい
ため厚膜化すると十分な接着強度を得る事ができず、ま
た膜厚が薄いと、基材であるプラスチックス表面硬度の
影響を受けるため、膜自体の硬度が高くても傷つきを防
止できる機能に劣る。プラズマ重合法やプラズマＣＶＤ
法においては、成膜条件によってはプラスチックス表面
にかなり密着性の良い膜を得る事が可能であるが、膜の
硬度や緻密性等膜質においてスパッター法に劣る。
な硬度を賦与する事が可能であるが、固有応力が大きい
ため厚膜化すると十分な接着強度を得る事ができず、ま
た膜厚が薄いと、基材であるプラスチックス表面硬度の
影響を受けるため、膜自体の硬度が高くても傷つきを防
止できる機能に劣る。プラズマ重合法やプラズマＣＶＤ
法においては、成膜条件によってはプラスチックス表面
にかなり密着性の良い膜を得る事が可能であるが、膜の
硬度や緻密性等膜質においてスパッター法に劣る。
【０００５】真空蒸着法においては、元素組成比をコン
トロールしＳｉＯ2組成とする事が難しい事、スパッタ
ー法に比べ膜の緻密性やプラスチックス表面に対する接
着性に劣る等の問題がある。一方ウエット法においては
膜の固有応力は小さく、プラスチックス表面に対する接
着性は良いが、膜密度が低く、従来用いられていたガラ
スに比較すると耐擦傷性において劣り、例えば自動車の
昇降式ガラス窓での使用は、実用上十分なものではなか
った。
トロールしＳｉＯ2組成とする事が難しい事、スパッタ
ー法に比べ膜の緻密性やプラスチックス表面に対する接
着性に劣る等の問題がある。一方ウエット法においては
膜の固有応力は小さく、プラスチックス表面に対する接
着性は良いが、膜密度が低く、従来用いられていたガラ
スに比較すると耐擦傷性において劣り、例えば自動車の
昇降式ガラス窓での使用は、実用上十分なものではなか
った。
【０００６】これら各種成膜法における短所を補うため
に、二つ以上の成膜法を組み合わせる事によって、膜の
接着性や耐擦傷性を改善する試みも行われている。特開
昭６０−２３８３３１号公報には、活性エネルギー線照
射処理架橋性樹脂皮膜によるハードコート処理を施した
プラスチックス成形品に、架橋構造を有するプラズマ重
合膜を成膜する方法が提案されている。また、特開昭６
３−８１０３３号公報には、プラスチックス成形品に無
機酸化物微粒子を含む熱硬化性有機ポリマー膜を介して
ＳｉＯ2からなる被膜を真空蒸着法等ドライ法にて成膜
する方法が提案されている。
に、二つ以上の成膜法を組み合わせる事によって、膜の
接着性や耐擦傷性を改善する試みも行われている。特開
昭６０−２３８３３１号公報には、活性エネルギー線照
射処理架橋性樹脂皮膜によるハードコート処理を施した
プラスチックス成形品に、架橋構造を有するプラズマ重
合膜を成膜する方法が提案されている。また、特開昭６
３−８１０３３号公報には、プラスチックス成形品に無
機酸化物微粒子を含む熱硬化性有機ポリマー膜を介して
ＳｉＯ2からなる被膜を真空蒸着法等ドライ法にて成膜
する方法が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、活性エ
ネルギー線照射処理架橋性樹脂被膜によるハードコート
処理を施したプラスチックス成形品に、架橋構造を有す
るプラズマ重合膜を成膜する方法においては、プラズマ
重合膜はスパッター膜に比べ固有応力が小さく接着性に
優れるものの、膜硬度、緻密さ等において劣り、その為
耐擦傷性や耐摩耗性に劣る。また、プラスチックス成形
品に熱硬化性有機ポリマー膜を介してＳｉＯ2からなる
被膜を真空蒸着法等ドライ法にて成膜する方法において
は、プラスチックス成形品に熱硬化性有機ポリマー膜を
被覆する場合、十分な接着性を賦与するためには、その
成膜プロセスは通常２〜３時間のプロセス時間を要し、
しかもそのプロセス管理は大変きびしい。この為、さら
にドライプロセスによる成膜工程を追加する場合、総コ
ストは著しく上昇し製品の対象は極めて限定された物と
なる。その上、一貫したドライ法による成膜プロセスに
比べ膜同志の間の接着性に劣り、実用的でない。
ネルギー線照射処理架橋性樹脂被膜によるハードコート
処理を施したプラスチックス成形品に、架橋構造を有す
るプラズマ重合膜を成膜する方法においては、プラズマ
重合膜はスパッター膜に比べ固有応力が小さく接着性に
優れるものの、膜硬度、緻密さ等において劣り、その為
耐擦傷性や耐摩耗性に劣る。また、プラスチックス成形
品に熱硬化性有機ポリマー膜を介してＳｉＯ2からなる
被膜を真空蒸着法等ドライ法にて成膜する方法において
は、プラスチックス成形品に熱硬化性有機ポリマー膜を
被覆する場合、十分な接着性を賦与するためには、その
成膜プロセスは通常２〜３時間のプロセス時間を要し、
しかもそのプロセス管理は大変きびしい。この為、さら
にドライプロセスによる成膜工程を追加する場合、総コ
ストは著しく上昇し製品の対象は極めて限定された物と
なる。その上、一貫したドライ法による成膜プロセスに
比べ膜同志の間の接着性に劣り、実用的でない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を解決するため鋭意検討を行ったところ、特殊の多層被
膜を形成することにより問題を解決し得ることを見出
し、本発明に到達した。すなわち、本発明の要旨は、表
面に下記Ａ被膜及びＢ被膜がこの順に積層されてなる表
面被覆プラスチックス製品。 Ａ被膜：珪素化合物のプラズマ重合により形成され、膜
厚が０．１μｍ〜１０μｍであり、含有される炭素と珪
素の原子数比が０．１〜３の範囲にあるプラズマ重合被
膜。 Ｂ被膜：膜厚が０．１μｍ〜３μｍのＳｉＯｘ（ｘ＝
１．５〜２．０）からなる被膜にある。
を解決するため鋭意検討を行ったところ、特殊の多層被
膜を形成することにより問題を解決し得ることを見出
し、本発明に到達した。すなわち、本発明の要旨は、表
面に下記Ａ被膜及びＢ被膜がこの順に積層されてなる表
面被覆プラスチックス製品。 Ａ被膜：珪素化合物のプラズマ重合により形成され、膜
厚が０．１μｍ〜１０μｍであり、含有される炭素と珪
素の原子数比が０．１〜３の範囲にあるプラズマ重合被
膜。 Ｂ被膜：膜厚が０．１μｍ〜３μｍのＳｉＯｘ（ｘ＝
１．５〜２．０）からなる被膜にある。
【０００９】本発明は、先ずプラスチックス製品の表面
に前記Ａ被膜を設けてなる物であるが、ここでＡ被膜と
しては含有される炭素と珪素の原子数比が０．１〜３の
範囲にある事が必要である。すなわち、含有される炭素
と珪素の原子数比が０．１に満たないとＡ被膜とプラス
チックス表面の間の十分な接着強度が得られず、また含
有される炭素と珪素の原子数比が３を超えるとＡ被膜と
Ｂ被膜の間の十分な接着強度が得られず好ましくない。
に前記Ａ被膜を設けてなる物であるが、ここでＡ被膜と
しては含有される炭素と珪素の原子数比が０．１〜３の
範囲にある事が必要である。すなわち、含有される炭素
と珪素の原子数比が０．１に満たないとＡ被膜とプラス
チックス表面の間の十分な接着強度が得られず、また含
有される炭素と珪素の原子数比が３を超えるとＡ被膜と
Ｂ被膜の間の十分な接着強度が得られず好ましくない。
【００１０】本発明で用い得る珪素化合物としては、好
ましくは、炭素原子を含む珪素化合物または、炭素原子
と酸素原子または窒素原子を含む珪素化合物であり、具
体的化合物としては例えば１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシラ
ザン、ペンタメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロ
キサン、ヘキサメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラ
ザン、１，３−ジメトキシテトラメチルジシロキサン、
１，３−ジエトキシテトラメチルジシロキサン、ヘキサ
メチルシクロトリシロキサン、ヘキサメチルシクロトリ
シラザン、１，１，３，３，５，５，−ヘキサメチルト
リシロキサン、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメ
チルトリシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサ
ン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、１，１，
１，３，５，７，７，７−オクタメチルテトラシロキサ
ン、１，１，３，３，５，５，７，７−オクタメチルシ
クロテトラシラザン、トリス（トリメチルシロキシ）シ
ラン、デカメチルテトラシロキサン等、域いは下記一般
式（Ｉ）
ましくは、炭素原子を含む珪素化合物または、炭素原子
と酸素原子または窒素原子を含む珪素化合物であり、具
体的化合物としては例えば１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシラ
ザン、ペンタメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロ
キサン、ヘキサメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラ
ザン、１，３−ジメトキシテトラメチルジシロキサン、
１，３−ジエトキシテトラメチルジシロキサン、ヘキサ
メチルシクロトリシロキサン、ヘキサメチルシクロトリ
シラザン、１，１，３，３，５，５，−ヘキサメチルト
リシロキサン、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメ
チルトリシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサ
ン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、１，１，
１，３，５，７，７，７−オクタメチルテトラシロキサ
ン、１，１，３，３，５，５，７，７−オクタメチルシ
クロテトラシラザン、トリス（トリメチルシロキシ）シ
ラン、デカメチルテトラシロキサン等、域いは下記一般
式（Ｉ）
【００１１】
【化１】Ｒ1ｎＳｉＲ2 4-n （Ｉ） で表される様なものである。式中Ｒ1はアルキル基、ア
ルケニル基、アリール基、ハロゲン基、アミノ基、メル
カプト基、シアノ基、イソシアノ基、ビニル基、メタク
リロキシ基、エポキシ基、グリシドキシ基を有する炭化
水素基から選ばれる１種もしくは２種以上であり、塩素
及びフッ素原子を含んでいてもかまわない。Ｒ2は水素
原子、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、フェノ
キシ基、アセトキシ基及び塩素原子から選ばれる１種も
しくは２種以上でありｎは０〜４である。具体例として
は、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラ
ン、トリメチルクロロシラン、メチルシラン、ジメチル
シラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テト
ラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチ
ルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、テト
ラエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチ
ルジエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等その
他多数の化合物を挙げる事ができる。これら珪素化合物
は単独で用いても２種以上を併用して用いても良い。こ
れら化合物のプラズマ重合は気相状態において実施する
ため常温で気化しやすい化合物が望ましいが、加熱によ
り初めて気化しやすくなる化合物でも、化合物および重
合装置を適度に加熱する事により用いる事ができる。膜
中酸素含有量を増やすために、これらの原料に酸素源と
してＯ2やＮ2Ｏ等を混合させても良い。
ルケニル基、アリール基、ハロゲン基、アミノ基、メル
カプト基、シアノ基、イソシアノ基、ビニル基、メタク
リロキシ基、エポキシ基、グリシドキシ基を有する炭化
水素基から選ばれる１種もしくは２種以上であり、塩素
及びフッ素原子を含んでいてもかまわない。Ｒ2は水素
原子、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、フェノ
キシ基、アセトキシ基及び塩素原子から選ばれる１種も
しくは２種以上でありｎは０〜４である。具体例として
は、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラ
ン、トリメチルクロロシラン、メチルシラン、ジメチル
シラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テト
ラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチ
ルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、テト
ラエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチ
ルジエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等その
他多数の化合物を挙げる事ができる。これら珪素化合物
は単独で用いても２種以上を併用して用いても良い。こ
れら化合物のプラズマ重合は気相状態において実施する
ため常温で気化しやすい化合物が望ましいが、加熱によ
り初めて気化しやすくなる化合物でも、化合物および重
合装置を適度に加熱する事により用いる事ができる。膜
中酸素含有量を増やすために、これらの原料に酸素源と
してＯ2やＮ2Ｏ等を混合させても良い。
【００１２】Ａ被膜上にＢ被膜を成膜する前に、Ａ被膜
表面をＯ2やＮ2Ｏガスプラズマにより表面処理する事が
望ましい。処理条件に関しては、使用するモノマー、プ
ラズマ重合条件等により最適条件が異なり、個々の成膜
品につき実験的に決められるべきである。Ｂ被膜である
ＳｉＯｘ（ｘ＝１．５〜２）の形成方法としてはスパッ
タリング法かプラズマＣＶＤ法が好ましいが、スパッタ
リング法が特に好ましい。
表面をＯ2やＮ2Ｏガスプラズマにより表面処理する事が
望ましい。処理条件に関しては、使用するモノマー、プ
ラズマ重合条件等により最適条件が異なり、個々の成膜
品につき実験的に決められるべきである。Ｂ被膜である
ＳｉＯｘ（ｘ＝１．５〜２）の形成方法としてはスパッ
タリング法かプラズマＣＶＤ法が好ましいが、スパッタ
リング法が特に好ましい。
【００１３】珪素化合物のプラズマ重合によりプラズマ
重合膜を形成したプラスチックス製品にスパッターＳｉ
Ｏｘ（ｘ＝１．５〜２）膜を形成せしめる場合、形成さ
れる高硬度のスパッターＳｉＯｘ（ｘ＝１．５〜２）被
膜はプラズマ重合膜上に強固に結合し、しかもプラズマ
重合膜を介して基材であるプラスチックスに結合してい
る。この為、スパッターＳｉＯｘ膜の大きな応力が直接
プラスチックス基板にかかることがないので、スパッタ
ーＳｉＯｘ（ｘ＝１．５〜２）膜の接着性を格段に向上
し得る。プラズマ重合膜の厚さとしては、０．１μｍ〜
１０μｍ、好ましくは０．５μｍ〜５μｍである。０．
５μｍ以下の場合には、プラズマ重合膜上にＳｉＯ（ｘ
＝１．５〜２）スパッター膜を形成せしめた場合に十分
な接着性を得る事ができず、また５μｍを超えるとクラ
ックが生じ易くなる。ＳｉＯｘ（ｘ＝１．５〜２）スパ
ッター膜の厚さとしては、０．１μｍ〜３μｍ、好まし
くは０．２μｍ〜１μｍである。０．２μｍ以下の場合
には、十分な耐擦傷性を得る事ができず、また１μｍを
超えるとクラックが生じ易くなる。
重合膜を形成したプラスチックス製品にスパッターＳｉ
Ｏｘ（ｘ＝１．５〜２）膜を形成せしめる場合、形成さ
れる高硬度のスパッターＳｉＯｘ（ｘ＝１．５〜２）被
膜はプラズマ重合膜上に強固に結合し、しかもプラズマ
重合膜を介して基材であるプラスチックスに結合してい
る。この為、スパッターＳｉＯｘ膜の大きな応力が直接
プラスチックス基板にかかることがないので、スパッタ
ーＳｉＯｘ（ｘ＝１．５〜２）膜の接着性を格段に向上
し得る。プラズマ重合膜の厚さとしては、０．１μｍ〜
１０μｍ、好ましくは０．５μｍ〜５μｍである。０．
５μｍ以下の場合には、プラズマ重合膜上にＳｉＯ（ｘ
＝１．５〜２）スパッター膜を形成せしめた場合に十分
な接着性を得る事ができず、また５μｍを超えるとクラ
ックが生じ易くなる。ＳｉＯｘ（ｘ＝１．５〜２）スパ
ッター膜の厚さとしては、０．１μｍ〜３μｍ、好まし
くは０．２μｍ〜１μｍである。０．２μｍ以下の場合
には、十分な耐擦傷性を得る事ができず、また１μｍを
超えるとクラックが生じ易くなる。
【００１４】
【実施例】本発明を実施例により具体的に説明するが、
本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００１５】実施例１ ポリカーボネート樹脂基板（筒中プラスチックス工業
（株）製）を平行平板型プラズマ重合装置内のカソード
上にセットし、減圧下、テトラエトキシシランガスとＮ
2Ｏガスを１対２のモル比で通気しながら圧力を６５０
ｍＴｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨｚ、０．５Ｗ／ｃ
ｍ2の低周波電力を与えて放電させることによりプラズ
マを発生させ、基板表面を６０分間プラズマ処理し、プ
ラズマ重合膜を有するポリカーボネート樹脂基板を得
た。プラズマ重合中、基板温度を５０℃程度に保持した
（ここで言う基板温度とは基板を置いたカソード面の温
度であり、以下プラズマ重合における基板温度とはすべ
てこの温度を意味するものとする）。これをＲＦプレー
ナーマグネトロン型スパッター装置（日本真空技術
（株）製ＳＭＨ−２３０６）内にセットし、ＳｉＯ2を
ターゲットとし、Ａｒガス雰囲気１０ｍＴｏｒｒ、１０
００Ｗにて２０分間ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）スパッタ
ーを行なった。スパッター中、基板温度を９５℃程度に
保持した（ここで言う基板温度とは基板を保持する面の
温度であり、以下スパッタリングにおける基板温度とは
すべてこの温度を意味するものとする）。得られた表面
処理基板について次の様な特性試験を行いその結果を表
１に示した。
（株）製）を平行平板型プラズマ重合装置内のカソード
上にセットし、減圧下、テトラエトキシシランガスとＮ
2Ｏガスを１対２のモル比で通気しながら圧力を６５０
ｍＴｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨｚ、０．５Ｗ／ｃ
ｍ2の低周波電力を与えて放電させることによりプラズ
マを発生させ、基板表面を６０分間プラズマ処理し、プ
ラズマ重合膜を有するポリカーボネート樹脂基板を得
た。プラズマ重合中、基板温度を５０℃程度に保持した
（ここで言う基板温度とは基板を置いたカソード面の温
度であり、以下プラズマ重合における基板温度とはすべ
てこの温度を意味するものとする）。これをＲＦプレー
ナーマグネトロン型スパッター装置（日本真空技術
（株）製ＳＭＨ−２３０６）内にセットし、ＳｉＯ2を
ターゲットとし、Ａｒガス雰囲気１０ｍＴｏｒｒ、１０
００Ｗにて２０分間ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）スパッタ
ーを行なった。スパッター中、基板温度を９５℃程度に
保持した（ここで言う基板温度とは基板を保持する面の
温度であり、以下スパッタリングにおける基板温度とは
すべてこの温度を意味するものとする）。得られた表面
処理基板について次の様な特性試験を行いその結果を表
１に示した。
【００１６】特性試験項目及び方法 １． 膜の初期密着性 クロスカット密着性試験を行った。ここで言うクロスカ
ット密着性試験とは、先ずスパッター膜および／または
プラズマ重合膜被覆面に鋼ナイフにて１ｍｍ間隔で基板
に達する基盤目を入れ、次セロテープ（ニチバン（株）
製、巾２４ｍｍ）を良く密着させ、９０℃方向に急速に
引き剥し剥離の有無を見る試験方法である。各サンプル
につき試験を行い、剥離しなかった枚数を示した。 ２． 耐擦傷性 （１）スチールウール耐擦傷性 ＃０００番スチールウールで表面処理基板表面を摩擦
し、 ○−強くこすっても傷が付かない △−強くこするとわずか傷が付く ×−強くこすっても傷が付く と表示した。 （２）テーバー摩耗試験 ＡＳＴＭ Ｄ１０４４に従い、摩耗輪ＣＳ−１０Ｆ、荷
重５００ｇにて試験を行い摩耗回数５００回で試験前後
の△Ｈａｚｅを測定した。ここで△Ｈａｚｅの定義は △Ｈａｚｅ＝試験後のＨａｚｅ−試験前のＨａｚｅであ
る。 ３． 耐侯性試験 ウエザーメーター（スガ社製ＷＥ−ＳＵＮ−ＨＣ）を用
いＪＩＳ Ａ１４１５に従い１２０時間試験後、クロス
カット試験による密着性試験を行った。表には剥離しな
かった枚数を示した。 実施例２
ット密着性試験とは、先ずスパッター膜および／または
プラズマ重合膜被覆面に鋼ナイフにて１ｍｍ間隔で基板
に達する基盤目を入れ、次セロテープ（ニチバン（株）
製、巾２４ｍｍ）を良く密着させ、９０℃方向に急速に
引き剥し剥離の有無を見る試験方法である。各サンプル
につき試験を行い、剥離しなかった枚数を示した。 ２． 耐擦傷性 （１）スチールウール耐擦傷性 ＃０００番スチールウールで表面処理基板表面を摩擦
し、 ○−強くこすっても傷が付かない △−強くこするとわずか傷が付く ×−強くこすっても傷が付く と表示した。 （２）テーバー摩耗試験 ＡＳＴＭ Ｄ１０４４に従い、摩耗輪ＣＳ−１０Ｆ、荷
重５００ｇにて試験を行い摩耗回数５００回で試験前後
の△Ｈａｚｅを測定した。ここで△Ｈａｚｅの定義は △Ｈａｚｅ＝試験後のＨａｚｅ−試験前のＨａｚｅであ
る。 ３． 耐侯性試験 ウエザーメーター（スガ社製ＷＥ−ＳＵＮ−ＨＣ）を用
いＪＩＳ Ａ１４１５に従い１２０時間試験後、クロス
カット試験による密着性試験を行った。表には剥離しな
かった枚数を示した。 実施例２
【００１７】実施例１と同じ基板及びプラズマ重合装置
を用い減圧下、ヘキサメチルジシロキサンガスとＮ2Ｏ
ガスを１対２のモル比で通気しながら圧力を１５０ｍＴ
ｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨｚ、０．５Ｗ／ｃｍ2
に低周波電力を与えて放電させることによりプラズマを
発生させ、基板表面を６０分間プラズマ処理し、プラズ
マ重合膜を有するポリカーボネート樹脂基板を得た。引
続き同装置内にて減圧下Ｎ2Ｏガスのみ通気しながら圧
力を２５０ｍＴｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨｚ、
０．２５Ｗ／ｃｍ2に低周波電力を与えて放電させるこ
とによりプラズマを発生させ、基板表面を３分間プラズ
マ処理した。プラズマ重合、及びＮ2Ｏガスによるプラ
ズマ処理中、基板温度５０℃程度に保持した。これに実
施例１と同装置を用い同条件にてスパッター膜を形成し
た。特性試験の結果を表１に示した。
を用い減圧下、ヘキサメチルジシロキサンガスとＮ2Ｏ
ガスを１対２のモル比で通気しながら圧力を１５０ｍＴ
ｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨｚ、０．５Ｗ／ｃｍ2
に低周波電力を与えて放電させることによりプラズマを
発生させ、基板表面を６０分間プラズマ処理し、プラズ
マ重合膜を有するポリカーボネート樹脂基板を得た。引
続き同装置内にて減圧下Ｎ2Ｏガスのみ通気しながら圧
力を２５０ｍＴｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨｚ、
０．２５Ｗ／ｃｍ2に低周波電力を与えて放電させるこ
とによりプラズマを発生させ、基板表面を３分間プラズ
マ処理した。プラズマ重合、及びＮ2Ｏガスによるプラ
ズマ処理中、基板温度５０℃程度に保持した。これに実
施例１と同装置を用い同条件にてスパッター膜を形成し
た。特性試験の結果を表１に示した。
【００１８】実施例３ 実施例１と同じ基板、プラズマ重合装置を用い減圧下、
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンガスとＯ2
ガスを１対２のモル比で通気しながら圧力を１５０ｍＴ
ｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨｚ、０．５Ｗ／ｃｍ2
の低波周電力を与えて放電させることによりプラズマを
発生させ、基板表面を６０分間プラズマ処理し、プラズ
マ重合膜を有するポリカーボネート樹脂基板を得た。引
続き同装置内にて減圧下、Ｏ2ガスのみ通気しながら圧
力を１５０ｍＴｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨｚ、
０．２５Ｗ／ｃｍ2の低波周電力を与えて放電させるこ
とによりプラズマを発生させ基板表面を３分間プラズマ
処理した。プラズマ重合、及びＯ2ガスによるプラズマ
処理中、基板温度を５０℃程度に保持した。これに実施
例１と同装置を用い同条件にてスパッター膜を形成し
た。特性試験の結果を表１に示した。
１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンガスとＯ2
ガスを１対２のモル比で通気しながら圧力を１５０ｍＴ
ｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨｚ、０．５Ｗ／ｃｍ2
の低波周電力を与えて放電させることによりプラズマを
発生させ、基板表面を６０分間プラズマ処理し、プラズ
マ重合膜を有するポリカーボネート樹脂基板を得た。引
続き同装置内にて減圧下、Ｏ2ガスのみ通気しながら圧
力を１５０ｍＴｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨｚ、
０．２５Ｗ／ｃｍ2の低波周電力を与えて放電させるこ
とによりプラズマを発生させ基板表面を３分間プラズマ
処理した。プラズマ重合、及びＯ2ガスによるプラズマ
処理中、基板温度を５０℃程度に保持した。これに実施
例１と同装置を用い同条件にてスパッター膜を形成し
た。特性試験の結果を表１に示した。
【００１９】実施例４ 実施例１と同じ基板、プラズマ重合装置を用い減圧下、
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン
とＯ2ガスを１対２のモル比で通気しながら圧力を１８
０ｍＴｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨｚ、０．５Ｗ／
ｃｍ2の低周波電力を与えて放電させることによりプラ
ズマを発生させ、基板表面を６０分間プラズマ処理し、
プラズマ重合膜を有するポリカーボネート樹脂基板を得
た。引続き同装置内にて減圧下、Ｏ2ガスのみ通気しな
がら圧力を２００ｍＴｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨ
ｚ、０．２５Ｗ／ｃｍ2の低周波電力を与えて放電させ
る事によりプラズマを発生させ基板表面を３分間プラズ
マ処理した。プラズマ重合、及びＯ2ガスによるプラズ
マ処理中、基板温度を５０℃程度に保持した。これに実
施例１と同装置を用い同条件にてスパッタ膜を形成し
た。特性試験の結果を表１に示した。
１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン
とＯ2ガスを１対２のモル比で通気しながら圧力を１８
０ｍＴｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨｚ、０．５Ｗ／
ｃｍ2の低周波電力を与えて放電させることによりプラ
ズマを発生させ、基板表面を６０分間プラズマ処理し、
プラズマ重合膜を有するポリカーボネート樹脂基板を得
た。引続き同装置内にて減圧下、Ｏ2ガスのみ通気しな
がら圧力を２００ｍＴｏｒｒに調節保持し、１１０ＫＨ
ｚ、０．２５Ｗ／ｃｍ2の低周波電力を与えて放電させ
る事によりプラズマを発生させ基板表面を３分間プラズ
マ処理した。プラズマ重合、及びＯ2ガスによるプラズ
マ処理中、基板温度を５０℃程度に保持した。これに実
施例１と同装置を用い同条件にてスパッタ膜を形成し
た。特性試験の結果を表１に示した。
【００２０】比較例１ 実施例１と同じ基板、装置を用い同条件にてプラズマ重
合のみ行った。特性試験の結果を表２に示した。 比較例２ 実施例２と同じ基板、装置を用い同条件にてプラズマ重
合のみ行った。特性試験の結果を表２に示した。 比較例３ 実施例３と同じ基板、装置を用い同条件にてプラズマ重
合のみ行った。特性試験の結果を表２に示した。 比較例４ 実施例４と同じ基板、装置を用い同条件にてプラズマ重
合のみ行った。特性試験の結果を表２に示した。 比較例５ 実施例１と同じ基板、装置を用いてスパッターのみ行っ
た。特性試験の結果を表２に示した。
合のみ行った。特性試験の結果を表２に示した。 比較例２ 実施例２と同じ基板、装置を用い同条件にてプラズマ重
合のみ行った。特性試験の結果を表２に示した。 比較例３ 実施例３と同じ基板、装置を用い同条件にてプラズマ重
合のみ行った。特性試験の結果を表２に示した。 比較例４ 実施例４と同じ基板、装置を用い同条件にてプラズマ重
合のみ行った。特性試験の結果を表２に示した。 比較例５ 実施例１と同じ基板、装置を用いてスパッターのみ行っ
た。特性試験の結果を表２に示した。
【００２１】
【発明の効果】被膜を特殊な多層構造としてプラスチッ
クス製品の表面を被覆することにより耐擦傷性、耐摩耗
性、耐薬品性、帯電特性等に優れ、各種光学用途の材料
として用いて好適なプラスチックス製品が得られる。
クス製品の表面を被覆することにより耐擦傷性、耐摩耗
性、耐薬品性、帯電特性等に優れ、各種光学用途の材料
として用いて好適なプラスチックス製品が得られる。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/10 7308−4Ｋ 16/22 7325−4Ｋ
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に下記Ａ被膜及びＢ被膜がこの順
に積層されてなる表面被覆プラスチックス製品。 Ａ被膜：珪素化合物をモノマーとしてプラズマ重合によ
り形成され、膜厚が０．１μｍ〜１０μｍであり、含有
される炭素と珪素の原子数比が０．１〜３の範囲にある
プラズマ重合被膜。 Ｂ被膜：膜厚が０．１μｍ〜３μｍの範囲にあるＳｉＯ
ｘ（ｘ＝１．５〜２．０）からなる被膜。 - 【請求項２】 Ａ被膜のプラズマ重合モノマーが炭素
原子を含む珪素化合物である事を特徴とする請求項１に
記載の表面被覆プラスチックス製品。 - 【請求項３】 Ａ被膜のプラズマ重合モノマーが炭素
原子と酸素原子を含む珪素化合物である事を特徴とする
請求項１に記載の表面被覆プラスチックス製品。 - 【請求項４】 Ａ被膜のプラズマ重合モノマーが炭素
原子と窒素原子を含む珪素化合物である事を特徴とする
請求項１に記載の表面被覆プラスチックス製品。 - 【請求項５】 Ｂ被膜がスパッタリング法、またはプ
ラズマＣＶＤ法で形成されてなる事を特徴とする請求項
１に記載の表面被覆プラスチックス製品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006839A JPH05194770A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 表面被覆プラスチックス製品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4006839A JPH05194770A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 表面被覆プラスチックス製品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05194770A true JPH05194770A (ja) | 1993-08-03 |
Family
ID=11649414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4006839A Pending JPH05194770A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 表面被覆プラスチックス製品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05194770A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05345831A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | ガス遮断性プラスチックス材の製造方法 |
| JPH07234422A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-05 | Nec Corp | 光導波路素子 |
| JPH10500609A (ja) * | 1994-03-03 | 1998-01-20 | モンサント カンパニー | 柔軟な基体のための高い耐摩耗性及び柔軟なコーティング |
| WO2004044039A3 (en) * | 2002-11-12 | 2004-08-05 | Dow Global Technologies Inc | Process and apparatus for depositing plasma coating onto a container |
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| WO2009008309A1 (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Seiko Epson Corporation | 接合膜付き基材、接合方法および接合体 |
| WO2009008310A1 (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Seiko Epson Corporation | 接合膜付き基材、接合方法および接合体 |
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-
1992
- 1992-01-17 JP JP4006839A patent/JPH05194770A/ja active Pending
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